KR100230989B1 - Evaluation system and method of pipeline for semiconductor fabrication - Google Patents

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KR100230989B1
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Abstract

공정소스 공급부와 각 생산라인 사이에 다수개 연결된 배관을 통해 유동하는 공정소스를 추출하여 평가함으로써 배관의 오염에 의한 웨이퍼의 오염을 방지하도록 배관의 세정 및 교체 주기를 용이하게 설정하기 위한 반도체설비의 배관 평가시스템 및 그 방법에 관한 것이다.The process of supplying semiconductor equipment to easily set the cleaning and replacement cycles of pipes to prevent wafer contamination by pipe contamination by extracting and evaluating process sources flowing through multiple connected pipes between process source supply and each production line. A piping evaluation system and method thereof are provided.

본 발명은 공정소스 공급부측 배관에 분리 가능하게 연결되는 메인 주입구와 상기 메인 주입구로부터 복수개 분기되는 분기 배출구로 이루어진 주입부와; 상기 주입부와 대향하는 형상으로 제조설비측 배관에 분리 가능하게 연결되는 메인 배출구와 이 메인 배출구로부터 복수개 분기되는 분기 주입구로 이루어진 배출부와; 상기 복수개의 분기 배출구와 분기 주입구 사이를 각각 분리 가능하게 설치되는 실험용배관 및 각 연결 부위의 양측에 각각 설치되어 공정소스의 흐름을 제어하는 밸브를 포함한 구성으로 이루어 진다.The present invention includes an injection portion consisting of a main inlet which is detachably connected to the process source supply side pipe and branch outlets branched from the main inlet; A discharge part comprising a main discharge port which is detachably connected to the pipe of the manufacturing facility in a shape opposite to the injection part, and a plurality of branch injection ports branched from the main discharge port; Experimental pipes are separably provided between the plurality of branch outlets and the branch inlet, respectively, and each side of each connection part is configured to include a valve for controlling the flow of the process source.

따라서, 배관의 세정 주기와 교체 주기 및 적절한 재질의 배관을 설정 설치할 수 있고, 설비 복원시간의 단축 및 불필요한 교체를 방지하게 되는 경제적인 이점이 있다.Therefore, it is possible to set and install the cleaning cycle and replacement cycle and piping of the appropriate material of the pipe, there is an economical advantage to shorten the equipment restoration time and prevent unnecessary replacement.

Description

반도체설비의 배관 평가시스템 및 그 방법Piping Evaluation System and Method of Semiconductor Equipment

본 발명은 반도체설비의 배관 평가시스템 및 그 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 공정소스 공급부와 각 생산라인 사이에 다수개 연결된 배관을 통해 유동하는 공정소스를 추출하여 평가함으로써 배관의 오염에 의한 웨이퍼의 오염을 방지하도록 배관의 세정 및 교체 주기를 용이하게 설정하기 위한 반도체설비의 배관 평가시스템 및 그 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a piping evaluation system and method for semiconductor equipment, and more particularly, a wafer due to contamination of a pipe by extracting and evaluating a process source flowing through a plurality of pipes connected between a process source supply unit and each production line. The present invention relates to a piping evaluation system and method for semiconductor equipment for easily setting the cleaning and replacement cycles of piping to prevent contamination of the pipes.

통상적으로 웨이퍼는 사진, 확산, 식각, 화학기상증착 및 금속증착 등의 공정이 반복 수행됨에 따라 반도체장치로 제작된다.In general, a wafer is manufactured as a semiconductor device as a process of photographing, diffusion, etching, chemical vapor deposition, and metal deposition is repeatedly performed.

이들 반도체장치는 극히 정교한 장치로서, 그 제조를 위해서는 엄격한 공정조건과 정밀한 제조기술 및 높은 수준의 청정도가 요구되고 있다.These semiconductor devices are extremely sophisticated devices, and their manufacture requires strict process conditions, precise manufacturing techniques, and high levels of cleanliness.

상술한 청정도는 반도체장치로 제작되는 웨이퍼의 오염을 방지하기 위해 다양한 방법으로 관리되고 있다.The above-described cleanliness is managed in various ways to prevent contamination of the wafer manufactured by the semiconductor device.

여기서, 공정 진행 중 초순수를 비롯한 각종 케미컬류 및 질소 가스를 포함한 각종 가스류 등의 공정소스는 반도체장치 제조 과정 중 계속적으로 공급되는 것으로 이들 공정소스가 오염된 상태로 공급되면 웨이퍼에 직접적인 영향을 주게 됨에 따라 이들 공정소스의 오염을 방지하기 위한 방법이 요구되고 있다.Here, process sources such as ultrapure water, various chemicals, and various gas streams including nitrogen gas are continuously supplied during the manufacturing process of semiconductor devices. If these process sources are supplied in a contaminated state, they may directly affect the wafer. As a result, there is a need for a method for preventing contamination of these process sources.

통상 공급되는 공정소스의 오염은 자체의 오염과 공정소스의 유동 통로를 이루는 배관의 오염 및 다른 이물질의 유입 등이 있을 수 있으며, 이들 중 배관의 오염에 대하여 설명하기로 한다.In general, the contamination of the process source supplied may include pollution of itself and contamination of the pipes forming the flow path of the process source, and inflow of other foreign substances. Among these, the contamination of the pipes will be described.

상술한 배관은 각종 공정소스를 공급하는 공급부에서 각 제조설비까지 다수개가 연결 설치되어 있다.A plurality of pipes described above are connected to each manufacturing facility from a supply unit for supplying various process sources.

이렇게 설치된 배관을 장시간 사용하게 되면 배관 내부의 노후화 및 생성 축적되는 박테리아 등의 오염원이 유동하는 공정소스와 함께 배출됨에 따라 이것을 방지하도록 일정 시기를 정하여 배관을 세정 또는 교체하여 사용하게 된다.If the pipe installed in this way is used for a long time, the pollutant such as the aging and accumulation of bacteria inside the pipe is discharged along with the flowing process source, and the pipe is cleaned or replaced by setting a predetermined time to prevent this.

상술한 배관의 세정 및 교체 시기를 설정함에 있어서 종래는 각 생산 설비로 연결된 배관의 단부를 통해 소정량의 공정소스를 일정 시간별로 추출하여 각 추출된 공정소스의 오염 정도를 측정함으로써 배관의 세정 주기 및 교체 주기를 설정하여 왔다.In setting the cleaning and replacement time of the above-described pipe, the cleaning cycle of the pipe is conventionally determined by extracting a predetermined amount of process source by a predetermined time through the end of the pipe connected to each production facility and measuring the degree of contamination of each extracted process source. And replacement cycles have been established.

그러나, 각각의 배관이 설치되는 각 부위의 온도 상태, 압력 상태 등에 따른 환경과 내부를 유동하는 케미컬의 종류 등에 따라 오염되는 시간과 정도 및 현상이 다르게 나타나며, 통상 배관을 세정하기 위해 공급되는 가열된 초순수에 의해서도 내부의 코팅층이 손상되거나 배관을 구성하는 성분이 용해 용출되어 오염 정도를 가속화하는 문제가 있었다.However, the time, degree, and phenomenon of contamination vary according to the environment and the type of chemicals flowing in the interior, depending on the temperature, pressure, and the like of each site in which each pipe is installed, and is usually heated. Ultrapure water also has a problem that the coating layer inside the damage or the components constituting the pipe is dissolved and eluted to accelerate the degree of contamination.

또한, 소스 공급부에서 각 제조설비로 복잡하게 연결되어 있어 측정시간에 따른 각 부위의 오염 정도를 확인하기 어렵고, 연결된 배관을 전부 세정 또는 교체하게 되므로 설비 복원에 따른 시간 손실 및 설치 부위에 따른 적정 수준의 배관 재질을 설정할 수 없음에 따라 불필요하게 교체하게 되어 설비 비용이 많이 소요되는 비경제적인 문제가 있었다.In addition, it is difficult to check the contamination level of each part according to the measurement time because it is complicatedly connected from the source supply part to each manufacturing facility, and all the connected pipes are cleaned or replaced, so the time lost due to the restoration of the facility and the appropriate level according to the installation site There was an uneconomical problem that can be unnecessarily replaced because the pipe material of the can not be set, the equipment cost is high.

본 발명의 목적은 각각의 배관이 설치되는 각 부위의 환경 및 유동하는 공정소스의 종류에 따라 오염되는 시간과 정도 및 현상을 측정 평가하여 웨이퍼의 오염을 방지하도록 하는 반도체설비의 배관 평가시스템 및 그 방법을 제공함에 있다.An object of the present invention is a pipe evaluation system of a semiconductor device to prevent contamination of wafers by measuring and evaluating the time, degree and phenomenon of contamination according to the environment of each site where each pipe is installed and the type of process source that flows, and its In providing a method.

또한, 생산라인에 복잡하게 연결된 배관의 각 부위의 환경에 대하여 배관의 오염 정도를 측정 확인하도록 하여 오염 정도가 심하게 나타나는 부위만을 세정 또는 교체하게 되어 설비 복원은 따른 시간 손실을 줄이고, 각 부위에 맞는 재질의 배관을 설정하도록 함으로써 불필요한 교체가 없도록 하는 반도체설비의 배관 평가시스템 및 그 방법을 제공함에 있다.In addition, the contamination level of the pipes is measured and checked for the environment of each part of the pipes that are complicatedly connected to the production line to clean or replace only the areas where the pollution levels are severe. The present invention provides a piping evaluation system and a method for semiconductor equipment to prevent unnecessary replacement by setting a pipe of a material.

도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체설비의 배관 평가시스템을 나타낸 평면도이다.1 is a plan view showing a piping evaluation system of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 상태 유지 순환부의 구성을 나타낸 개략도이다.Figure 2 is a schematic diagram showing the configuration of the state maintaining circulation unit according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Explanation of symbols for the main parts of the drawings *

10: 배관 평가시스템 12a, 12b: 배관10: piping evaluation system 12a, 12b: piping

14: 메인 주입구 15a, 15b, 15c, 15d: 분기 배출구14: main inlet 15a, 15b, 15c, 15d: branch outlet

16: 메인 배출구 17a, 17b, 17c, 17d: 분기 주입구16: main outlet 17a, 17b, 17c, 17d: branch inlet

18: 주입부 20: 배출부18: injection portion 20: discharge portion

22a, 22b, 22c: 실험용배관 24: 밸브22a, 22b, 22c: experimental piping 24: valve

26: 상태 유지 순환부 28: 연결관26: stateful circulation 28: connector

30: 순환펌프 32: 히터30: circulation pump 32: heater

34: 냉각기 36: 온도 측정기34: cooler 36: temperature meter

38: 게이지38: gauge

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 공정소스 공급부로부터 배관을 통해 각 제조설비로 공급되는 공정소스를 추출하여 오염 정도를 측정 검사함으로써 상기 배관의 세정 주기 및 교체 주기를 설정하기 위한 반도체설비의 배관 평가시스템에 있어서, 상기 공정소스 공급부측 배관에 분리 가능하게 연결되는 메인 주입구와 상기 메인 주입구로부터 복수개 분기되어 형성된 분기 배출구로 이루어진 주입부와, 상기 주입부와 대향하는 형상으로 상기 제조설비측 배관에 분리 가능하게 연결되는 메인 배출구와 상기 메인 배출구로부터 복수개로 분기되어 형성된 분기 주입구로 이루어진 배출부와, 상기 분기 배출구와 상기 분기 주입구 사이를 각각 분리 가능하게 연결 설치되는 실험용배관 및 각 연결 부위의 양측에 각각 설치되어 유체의 흐름을 제어하는 밸브를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention extracts a process source supplied to each manufacturing facility through a pipe from a process source supply unit, and measures the degree of contamination, thereby evaluating piping of a semiconductor facility for setting a cleaning cycle and a replacement cycle of the pipe. A system, comprising: an injection portion consisting of a main inlet removably connected to said process source supply side pipe and a branch outlet formed in a plurality of branches formed from said main inlet port, and separated from said manufacturing equipment side pipe in a shape opposite to said injection part; A discharge part consisting of a main discharge port connected to the main discharge port and a branch injection port formed in a plurality of branches from the main discharge port, and an experimental pipe and a connecting pipe respectively installed to be detachably connected between the branch discharge port and the branch injection port, respectively, on both sides of each connection site. To control the flow of fluid It characterized by configured by a valve.

또한, 어느 하나의 상기 분기 배출구와 상기 분기 배출구와 대응하는 상기 분기 주입구 사이에 연결관을 연결 설치하고, 상기 연결관상에 상태 유지 순환부를 연결 설치함이 효과적이다.In addition, it is effective to connect and install a connecting pipe between any one of the branch outlet and the branch inlet corresponding to the branch outlet, and to connect the state maintaining circulation on the connection pipe.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 공정소스 공급부로부터 배관을 통해 각 제조설비로 공급되는 공정소스를 추출하여 오염 정도를 측정 검사함으로써 상기 배관의 세정 주기 및 교체 주기를 설정하기 위한 반도체설비의 배관 평가 방법에 있어서, 상기 공정소스 공급부측의 배관과 상기 제조설비측의 배관 사이에 복수개의 실험용배관을 갖는 평가시스템을 연결하여 각 실험용배관에 공정소스가 흐르도록 하는 단계와, 일정 시간의 경과후 임의의 실험용배관의 양측을 차단하여 공정소스의 흐름을 중단시키는 단계와, 상기 평가시스템으로부터 상기 임의의 실험용배관을 분리하여 상기 임의의 실험용배관 내의 공정소스를 추출하는 단계 및 상기 추출된 공정소스의 성분을 검사하는 단계를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention extracts a process source supplied to each manufacturing facility through a pipe from a process source supply unit, and measures the degree of contamination, thereby evaluating piping of a semiconductor facility for setting a cleaning cycle and a replacement cycle of the pipe. A method comprising: connecting an evaluation system having a plurality of experimental pipes between a pipe on the process source supply side and a pipe on the production equipment side to allow a process source to flow through each of the test pipes, and after a predetermined time has elapsed. Stopping the flow of the process source by blocking both sides of the experimental pipe of the method, separating the arbitrary experimental pipe from the evaluation system, extracting the process source in the arbitrary experimental pipe, and the components of the extracted process source. Characterized in that it comprises a step of inspecting.

상기 목적을 달성하기 위한 다른 발명은 공정소스 공급부로부터 배관을 통해 각 제조설비로 공급되는 공정소스를 추출하여 오염 정도를 측정 검사함으로써 상기 배관의 세정 주기와 교체 주기 및 적정 수준의 배관 재질을 설정하기 위한 반도체설비의 배관 평가 방법에 있어서, 복수개의 실험용배관과 상태유지 순환부를 갖는 배관 평가시스템 내의 상기 각 실험용배관과 상기 상태 유지 순환부에 소정의 공정소스를 충전시키는 단계와, 상기 배관 평가시스템 내의 상기 각 실험용배관 내에 소정의 환경 조건으로 상기 공정소스가 흐르도록 강제 순환시키는 단계와, 일정 시간의 경과후 임의의 상기 실험용배관의 양측을 차단하여 공정소스의 흐름을 중단시키는 단계와, 상기 평가시스템으로부터 양측 부위가 차단된 상기 실험용배관을 분리하여 상기 임의의 실험용배관 내의 공정소스를 추출하는 단계 및 상기 추출된 공정소스의 성분을 검사하는 단계를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.Another invention for achieving the above object is to set the cleaning cycle and replacement cycle of the pipe and the appropriate level of pipe material by extracting the process source supplied to each manufacturing facility through the pipe from the process source supply unit to measure the degree of contamination A piping evaluation method for semiconductor equipment for use, the method comprising: filling a predetermined process source in each of the experimental piping and the state maintaining circulation in a pipe evaluation system having a plurality of experimental pipes and a state maintaining circulation; Forcibly circulating the process source under predetermined environmental conditions in each of the experimental pipes, and stopping the flow of the process source by blocking both sides of any of the experimental pipes after a predetermined period of time; By separating the experimental pipe from both sides blocked from the Characterized by the step of extracting a source in the process piping and significant laboratory yirueojim by comprising the step of examining the components of the extraction process the source.

이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체설비의 배관 평가시스템을 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도2는 도1의 상태 유지 순환부의 구성을 나타낸 개략도이다.1 is a plan view schematically showing a piping evaluation system of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a schematic diagram showing the configuration of the state maintaining circulation of FIG.

도1과 도2를 참조하여 설명하면, 배관 평가시스템(10)은 공정소스를 공급하는 공정소스 공급부(도시 안됨)와 제조설비(도시 안됨) 사이에 다수개 연결 설치되는 배관(12a, 12b) 사이에 기존배관(도시 안됨)을 누수가 없도록 분리하고 그 위치의 배관(12a, 12b) 사이에 연결 설치된다.1 and 2, the pipe evaluation system 10 includes a plurality of pipes 12a and 12b connected and installed between a process source supply unit (not shown) for supplying a process source and a manufacturing facility (not shown). Existing pipe (not shown) between the separation so as not to leak and is installed between the pipes (12a, 12b) of the position.

이렇게 설치되는 배관 평가시스템(10)의 구성은 도1에 도시된 바와 같이 공정소스 공급부측의 배관(12a) 단부에 분리 가능하게 연결되는 메인 주입구(14)와 이 메인 주입구(14)로부터 복수개로 분기되어 형성된 분기 배출구(15a, 15b, 15c, 15d)로 이루어진 주입부(18)와, 이 주입부(18)와 대향하는 형상으로 제조설비(도시 안됨)측과 배관(12b)의 단부에 분리 가능하게 연결되는 메인 배출구(16)와 이 메인 배출구(16)에 연장되어 복수개 분기된 형상으로 형성된 분기 주입구(17a, 17b, 17c, 17d)로 이루어진 배출부(20)와, 상술한 주입부(18)의 분기 배출구(15a, 15b, 15c, 15d)와 배출부(20)의 분기 주입구(17a, 17b, 17c, 17d) 사이에 각각 분리 가능하게 연결 설치되는 복수개의 실험용배관(22a, 22b, 22c) 및 상술한 각 연결 부위의 양측에 각각 설치되어 유체의 흐름을 제어하는 밸브(24)를 포함하여 구성된다.The configuration of the pipe evaluation system 10 installed in this way is as shown in FIG. 1 from the main inlet 14 and the main inlet 14 which are detachably connected to the pipe 12a end of the process source supply side. An injection part 18 consisting of branch outlets 15a, 15b, 15c, and 15d formed in a branched manner, and separated from the end of the pipe (12b) and the manufacturing facility (not shown) in a shape opposite to the injection part 18. A discharge part 20 including a main discharge port 16 connected to the main discharge port 16 and branch injection ports 17a, 17b, 17c, and 17d extending in the main discharge port 16 and having a plurality of branched shapes, and the aforementioned injection part ( A plurality of test pipes 22a, 22b, which are detachably connected between branch outlets 15a, 15b, 15c, and 15d of 18 and branch inlets 17a, 17b, 17c, and 17d of outlet 20, respectively. 22c) and valves 24 provided on both sides of each connection portion described above to control the flow of fluid. It is configured to.

또한, 상호 대응하는 어느 하나의 분기 배출구(15a, 15b, 15c, 15d)와 분기 주입구(17a, 17b, 17c, 17d) 사이에 상태 유지 순환부(26)를 갖는 연결관(28)이 선택적으로 연결 설치된다.In addition, a connecting pipe 28 having a state-maintaining circulation section 26 between any one of the branch outlets 15a, 15b, 15c, and 15d corresponding to each other and the branch inlets 17a, 17b, 17c, and 17d is optionally provided. Connection is installed.

이렇게 설치되는 상태 유지 순환부(26)의 구성은 내부에 충전된 공정소스를 강제 순환시키도록 형성된 순환펌프(30)와, 순환하는 공정소스를 소정의 온도로 가열하는 히터(32)와, 순환하는 공정소스를 소정의 온도로 냉각시키는 냉각기(34)와, 순환하는 공정소스의 온도를 측정하도록 형성된 온도 측정기(36) 및 공정소스의 순환상태를 확인하기 위한 순환 게이지(38)을 포함하여 이루어진다.The configuration of the state-maintaining circulation part 26 installed in this way includes a circulation pump 30 formed to force circulation of a process source charged therein, a heater 32 for heating the circulating process source to a predetermined temperature, and circulation. And a cooler 34 for cooling the process source to a predetermined temperature, a temperature measuring device 36 formed to measure the temperature of the circulating process source, and a circulation gauge 38 for checking the circulation state of the process source. .

그리고, 상술한 내용 중 실험용배관(22a, 22b, 22c)의 재질은 배관(12A, 12B) 사이에 설치되었던 기존배관의 재질과 동일한 재질로 제작된 것을 사용하여 기존배관이 설치된 환경과 동일한 조건을 이루도록 설치된다.And, the material of the experimental pipes (22a, 22b, 22c) of the above-described content is made of the same material as the material of the existing pipe that was installed between the pipe (12A, 12B) using the same conditions as the environment in which the existing pipe is installed. It is installed to achieve.

이러한 구성으로 설치된 배관 평가시스템(10)의 사용 관계에 대하여 설명하기로 한다.The relationship of use of the piping evaluation system 10 provided in such a structure is demonstrated.

먼저, 생산라인의 소정 부위에 설치된 배관(12a, 12b) 사이의 기존 배관을 분리하고, 공정소스 공급부측의 배관(12a)에 배관 평가시스템(10)의 메인 주입구(14)를 분리 가능하게 연결 설치하고, 제조설비측의 배관(12b)에 메인 배출구(16)을 연결 설치한다.First, the existing pipes between the pipes 12a and 12b installed at predetermined portions of the production line are separated, and the main inlet 14 of the pipe evaluation system 10 is detachably connected to the pipe 12a on the process source supply side. The main outlet 16 is connected to the pipe 12b on the manufacturing facility side.

이후 배관 평가시스템(10)의 양측 연결 부위와 배관 평가시스템(10) 내에 설치된 각 밸브(24)를 모두 개방하여 상술한 배관 평가시스템(10)의 각 실험용배관(22a, 22b, 22c) 내부에 충전시켜 유동하도록 하여 기존에 설치되었던 기존 배관의 설치 환경과 동일한 조건으로 공정소스가 흐르도록 형성한다.Thereafter, both connection portions of the pipe evaluation system 10 and each valve 24 installed in the pipe evaluation system 10 are opened, and the test pipes 22a, 22b, and 22c of the pipe evaluation system 10 are opened. Fill and flow to form the process source flows under the same conditions as the existing installation environment of the existing pipe.

이렇게 설치된 상태에서 정해진 측정시간이 경과하게 되면 상술한 실험용배관(22a, 22b, 22c) 중 어느 하나의 실험용배관(22a) 양측 연결 부위에 설치된 밸브(24)를 차단하여 실험용배관(22a) 내부에 공정소스의 흐름을 중단시킨다.When the predetermined measurement time elapses in this state, the valve 24 installed at both connection portions of the test pipe 22a of the test pipes 22a, 22b, and 22c described above is blocked, and the inside of the test pipe 22a is blocked. Stop the flow of the process source.

그리고, 상술한 실험용배관(22a)을 배관 평가시스템(10)으로부터 분리하고, 이어 분리된 실험용배관(22a) 내의 공정소스를 추출하여 성분 검사장치(도시 안됨)에 넣어 성분을 측정 검사하도록 함으로써 상술한 측정시간 동안의 실험용배관(22a)을 통과하는 공정소스의 오염 정도를 측정하도록 한다.Then, the above-described experimental pipe 22a is separated from the pipe evaluation system 10, and then the process source in the separated experimental pipe 22a is extracted and placed in a component inspection device (not shown) to measure and inspect the components. The degree of contamination of the process source passing through the experimental piping (22a) for one measurement time is to be measured.

이후, 다시 측정시간이 경과하게 되면, 다음 실험용배관(22b)을 상술한 바와 같이 분리하여 내부의 공정소스의 성분을 측정 검사하도록 하고, 공정소스의 성분 검사를 먼저 시행한 공정소스의 성분 검사와 비교 평가하도록 한다.Thereafter, when the measurement time elapses again, the next experimental pipe 22b is separated as described above to measure and inspect the components of the internal process source. Evaluate for comparison.

상술한 과정을 측정시간에 따라 계속적으로 측정 검사하여 각각에 대한 오염 정도를 평가함으로써 설치될 배관의 세정 주기와 교체 주기를 설정할 수 있게 된다.By continuously measuring and inspecting the above-described process according to the measurement time, it is possible to set the cleaning cycle and the replacement cycle of the pipe to be installed by evaluating the degree of contamination for each.

한편, 상태 유지 순환부(26)는 상술한 배관 평가시스템(10)의 내부에 공정소스를 충전한 상태에서 배관 평가시스템(10)의 양측 연결 부위 즉, 메인 주입구(14)와 메인 배출구(16)의 연결 부위의 밸브(24)를 차단하여 공정소스의 흐름을 차단하고, 상기 배관(12a, 12b)로부터 분리한다.On the other hand, the state-maintaining circulation section 26 is connected to both sides of the pipe evaluation system 10, that is, the main inlet 14 and the main outlet 16 in a state where the process source is filled in the pipe evaluation system 10 described above. The valve 24 at the connection site of the ()) blocks the flow of the process source, and separates it from the pipes 12a and 12b.

이렇게 배관 평가시스템(10)은 분리되어 독립된 상태에서 상태 유지 순환부(26)의 순환펌프(30)를 구동시켜 내부에 충전된 공정소스를 강제 순환시킨다.Thus, the piping evaluation system 10 drives the circulation pump 30 of the state-maintaining circulation part 26 in the separated and independent state, and forcibly circulates the process source charged inside.

또한, 히터(32)와 냉각기(34)를 이용하여 상술한 바와 같이 순환하는 공정소스를 소정 온도로 형성하고, 온도 측정기(36)와 게이지(38)를 이용하여 순환하는 공정소스의 온도 상태와 순환 상태를 확인하게 된다.In addition, as described above, the heater 32 and the cooler 34 form a process source that circulates as described above, and the temperature state of the process source that circulates using the temperature measurer 36 and the gauge 38 Check the circulation status.

그리고, 소정의 측정시간이 흐른 뒤에 배관 평가시스템(10) 내에 설치된 임의 실험용배관(22a)의 양측 밸브(24)를 차단하여 공정소스의 흐름을 중단시켜 분리하고, 상기 실험용배관(22a) 내의 공정소스를 추출한다.Then, after a predetermined measurement time has elapsed, both valves 24 of the arbitrary experimental pipe 22a installed in the pipe evaluation system 10 are cut off to stop the flow of the process source, and the process in the experimental pipe 22a is separated. Extract the source.

이렇게 추출한 공정소스를 성분 검사장치에 투입하여 성분을 검사하도록 하고, 측정시간이 경과함에 따라 상술한 실험용배관(22a, 22b, 22c) 중 어느 하나를 선택적으로 분리하여 상술한 방법과 동일하게 공정소스의 성분을 검사하여 각각에 대한 오염 정도를 측정 평가하도록 한다.The extracted process source is introduced into the component inspection apparatus to inspect the component, and as the measurement time passes, any one of the above-described experimental pipes 22a, 22b, and 22c is selectively separated to process the source in the same manner as described above. Inspect the components of the solution to determine the degree of contamination for each.

그리고, 상술한 내용에 대하여 실험용배관(22a, 22b, 22c)을 동일한 재질로 구비하고, 측정시간별로 순차적으로 분리 측정하는 방법과 실험용배관(22a, 22b, 22c)을 각기 다른 재질로 구비하여 일정 시간이 경과한 후 동시에 분리하여 측정 평가하도록 함으로써 각 부위의 환경에 따른 가장 적당한 재질의 배관을 설정하고, 또 설정된 재질로 제작된 배관의 세정 주기와 교체 주기를 설정하는 방법이 있다.In addition, the experimental pipes 22a, 22b, and 22c are made of the same material, and the method of sequentially separating and measuring the test pipes 22a, 22b, and 22c are made of different materials. There is a method of setting the pipes of the most suitable material according to the environment of each site, and setting the cleaning cycle and the replacement cycle of the pipes made of the set materials by separating and evaluating and evaluating them after the passage of time.

그리고, 상술한 배관 평가시스템(10)을 구성하는 주입부(18), 배출부(20), 연결관(28) 및 밸브(24)의 재질은 실험용배관(22a, 22b, 22c)에 오염의 정도를 측정함에 있어 영향을 최소화하도록 석영 재질이나 청정 불소수지 또는 스테인레스 스틸 재질의 것을 사용하여 제작함이 바람직하다.In addition, the materials of the injection part 18, the discharge part 20, the connection pipe 28, and the valve 24 constituting the pipe evaluation system 10 described above are contaminated with the test pipes 22a, 22b, and 22c. In order to minimize the influence in measuring the degree, it is preferable to manufacture using a material of quartz, clean fluorine resin or stainless steel.

또한, 상술한 측정시간의 단위는 공정소스의 종류가 유독성 또는 부식성 및 오염 정도가 심한 가스나 케미컬 종류일 경우 약 5∼10일 단위로 설정하고, 초순수를 포함한 비교적 오염 정도가 약한 케미컬 종류나 가스 등은 약 20∼40일 단위로 설정하여 측정 검사하도록 함이 바람직하다.In addition, the unit of the measurement time described above is set to about 5 to 10 days when the process source type is a toxic or corrosive or highly contaminated gas or a chemical type, and a chemical or gas with a relatively low pollution degree including ultrapure water is used. Etc., it is preferable to set it in about 20-40 days, and to make a measurement test.

그리고, 상술한 배관 평가시스템(10)을 생산라인 각 부위에 설치하여 평가함으로써 각 부위의 설치 환경에 따른 배관의 오염 정도를 평가함이 바람직하다.Then, it is preferable to evaluate the degree of contamination of the pipes according to the installation environment of each part by installing and evaluating the above-described pipe evaluation system 10 in each part of the production line.

또한, 상술한 내용 중 상태 유지 순환부(26)는 일반적으로 배관을 세정시 사용되는 가열된 초순수가 배관에 끼치는 영향 또는 특정 온도와 환경에 대한 배관의 영향 정도를 평가하도록 유동하는 공정소스를 상기 환경으로 형성하여 순환하도록 함이 효과적이다.In addition, in the above description, the state-maintaining circulation part 26 generally recalls a process source that flows to evaluate the influence of heated ultrapure water on the pipe or the influence of the pipe on a specific temperature and environment. It is effective to form and circulate into the environment.

따라서, 본 발명에 의하면 각각의 배관이 설치되는 각 부위의 환경 및 유동하는 공정소스의 종류에 따라 배관의 오염되는 시간과 정도 및 현상 등을 효율적으로 측정하여 평가할 수 있다.Therefore, according to the present invention, it is possible to efficiently measure and evaluate the contamination time, degree and phenomenon of the pipes according to the environment of each site where each pipe is installed and the kind of process source that flows.

또한, 생산라인에 복잡하게 연결된 배관의 각 부위의 환경에 대하여 배관의 오염 정도를 측정 확인하도록 하여 오염 정도가 심하게 나타나는 부위만을 세정 또는 교체하게 됨으로써 설비 복원은 따른 시간 손실이 줄어들고, 불필요한 교체가 없으며, 설치 부위별로 사용 가능한 적정 수준의 재질로 제작된 배관을 설정 설치하여 사용하게 됨에 따라 경제적인 효과가 있다.In addition, by measuring and checking the contamination level of the pipe with respect to the environment of each part of the pipe that is complicatedly connected to the production line, cleaning or replacing only the part where the pollution level is severely reduced, so that the time for the restoration of the facility is reduced and there is no unnecessary replacement. In addition, there is an economical effect by setting up and using pipes made of materials of the appropriate level available for each installation site.

이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.

Claims (13)

공정소스 공급부로부터 배관을 통해 각 제조설비로 공급되는 공정소스를 추출하여 오염 정도를 측정 검사함으로써 상기 배관의 세정 주기 및 교체 주기를 설정하기 위한 반도체설비의 배관 평가시스템에 있어서,In the pipe evaluation system of the semiconductor equipment for setting the cleaning cycle and replacement cycle of the pipe by extracting the process source supplied to each manufacturing facility through the pipe from the process source supply unit to measure the degree of contamination, 상기 공정소스 공급부측 배관에 분리 가능하게 연결되는 메인 주입구와 상기 메인 주입구로부터 복수개 분기되어 형성된 분기 배출구로 이루어진 주입부와;An injection part including a main injection hole detachably connected to the pipe of the process source supply part and a branch discharge port formed in a plurality of branches from the main injection hole; 상기 주입부와 대향하는 형상으로 상기 제조설비측 배관에 분리 가능하게 연결되는 메인 배출구와 상기 메인 배출구로부터 복수개로 분기되어 형성된 분기 주입구로 이루어진 배출부와;A discharge part comprising a main discharge port which is detachably connected to the pipe of the manufacturing facility in a shape opposite to the injection part, and a branch injection hole which is divided into a plurality of branches from the main discharge port; 상기 분기 배출구와 상기 분기 주입구 사이를 각각 분리 가능하게 연결 설치되는 실험용배관; 및Experimental pipes are installed to be separated from each other between the branch outlet and the branch inlet; And 각 연결 부위의 양측에 각각 설치되어 유체의 흐름을 제어하는 밸브;Valves respectively installed at both sides of each connection part to control the flow of the fluid; 를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 반도체설비의 배관 평가시스템.Piping evaluation system for semiconductor equipment, characterized in that configured to include. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 어느 하나의 상기 분기 배출구와 상기 분기 배출구와 대응하는 상기 분기 주입구 사이에 연결관을 연결 설치하고, 상기 연결관상에 상태 유지 순환부가 연결 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도체설비의 배관 평가시스템.And a connecting pipe is connected between any one of the branch outlets and the branch inlet corresponding to the branch outlet, and a state maintaining circulation part is connected and installed on the connection pipe. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 상태 유지 순환부는 내부의 공정소스가 충전되고 상기 메인 주입구와 상기 메인 배출구가 차단된 상태에서 공정소스를 순환시키도록 형성된 순환펌프와;The state maintaining circulation unit includes a circulation pump configured to circulate the process source in a state where the process source is filled and the main inlet and the main outlet are blocked; 순환하는 공정소스를 소정 온도로 가열하는 히터와;A heater for heating the circulating process source to a predetermined temperature; 순환하는 공정소스를 소정 온도로 냉각하는 냉각기와;A cooler for cooling the circulating process source to a predetermined temperature; 순환하는 공정소스의 온도를 측정하도록 형성된 온도 측정기; 및A temperature meter configured to measure the temperature of the circulating process source; And 공정소스의 순환 상태를 확인하도록 형성된 게이지;A gauge configured to confirm a circulation state of the process source; 를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체설비의 배관 평가시스템.Piping evaluation system of the semiconductor device, characterized in that configured to include. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 주입부와 상기 배출부 및 상기 밸브의 재질은 석영 재질임을 특징으로 하는 상기 반도체설비의 배관 평가시스템.Piping evaluation system of the semiconductor device, characterized in that the material of the injection portion, the discharge portion and the valve is a quartz material. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 주입부와 상기 배출부 및 상기 밸브의 재질은 청정 불소수지 재질임을 특징으로 하는 상기 반도체설비의 배관 평가시스템.Piping evaluation system of the semiconductor facility, characterized in that the injection portion, the discharge portion and the material of the valve is a clean fluorine resin material. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 주입부와 상기 배출부 및 상기 밸브의 재질은 스테인레스 스틸임을 특징으로 하는 상기 반도체설비의 배관 평가시스템.Piping evaluation system of the semiconductor equipment, characterized in that the material of the injection portion, the discharge portion and the valve is stainless steel. 공정소스 공급부로부터 배관을 통해 각 제조설비로 공급되는 공정소스를 추출하여 오염 정도를 측정 검사함으로써 상기 배관의 세정 주기 및 교체 주기를 설정하기 위한 반도체설비의 배관 평가 방법에 있어서,In the pipe evaluation method of the semiconductor equipment for setting the cleaning cycle and replacement cycle of the pipe by extracting the process source supplied to each manufacturing facility through the pipe from the process source supply unit to measure the degree of contamination, 상기 공정소스 공급부측의 배관과 상기 제조설비측의 배관 사이에 복수개의 실험용배관을 갖는 평가시스템을 연결하여 각 실험용배관에 공정소스가 흐르도록 하는 단계;Connecting an evaluation system having a plurality of experimental pipes between the pipe on the process source supply side and the pipe on the manufacturing equipment side to allow a process source to flow through each test pipe; 일정 시간의 경과후 임의의 실험용배관의 양측을 차단하여 공정소스의 흐름을 중단시키는 단계;Stopping the flow of the process source by blocking both sides of any experimental pipe after a certain time elapses; 상기 평가시스템으로부터 상기 임의의 실험용배관을 분리하여 상기 임의의 실험용배관 내의 공정소스를 추출하는 단계; 및Separating the experimental pipe from the evaluation system and extracting a process source in the laboratory pipe; And 상기 추출된 공정소스의 성분을 검사하는 단계;Inspecting components of the extracted process source; 를 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체설비의 배관 평가 방법.Piping evaluation method of a semiconductor facility, characterized in that comprises a. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 복수개의 실험용배관을 동일한 재질로 구비하고, 측정시간별로 순차적으로 분리하여 공정소스를 추출하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체설비의 배관 평가 방법.Comprising the plurality of experimental pipes made of the same material, and the process evaluation of the semiconductor equipment, characterized in that to extract the process source by sequentially separating for each measurement time. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 측정시간은 공정소스의 부식성 정도에 따라 5∼40일 단위임을 특징으로 하는 상기 반도체설비의 배관 평가 방법.The measurement time is a pipe evaluation method of the semiconductor equipment, characterized in that the unit of 5 to 40 days depending on the degree of corrosion of the process source. 배관 내부를 유동하는 소정의 공정소스를 추출하여 오염 정도를 측정 검사함으로써 상기 배관 재질에 따른 세정 주기와 교체 주기 및 적정 수준의 배관 재질을 설정하기 위한 반도체설비의 배관 평가 방법에 있어서,In the pipe evaluation method of the semiconductor equipment for setting the cleaning cycle and replacement cycle and the appropriate level of the pipe material according to the pipe material by extracting a predetermined process source flowing inside the pipe to measure the degree of contamination, 복수개의 실험용배관과 상태유지 순환부를 갖는 배관 평가시스템 내의 상기 각 실험용배관과 상기 상태 유지 순환부에 소정의 공정소스를 충전시키는 단계;Filling a predetermined process source with each of the experimental pipes and the state maintaining circulation in a pipe evaluation system having a plurality of experimental pipes and the state maintaining circulation; 상기 배관 평가시스템 내의 상기 각 실험용배관 내에 소정의 환경 조건으로 상기 공정소스가 흐르도록 강제 순환시키는 단계;Forcibly circulating the process source under predetermined environmental conditions in each of the experimental pipes in the pipe evaluation system; 일정 시간의 경과후 임의의 상기 실험용배관의 양측을 차단하여 공정소스의 흐름을 중단시키는 단계;Stopping the flow of the process source by blocking both sides of any of the experimental pipes after a certain period of time; 상기 평가시스템으로부터 양측 부위가 차단된 상기 실험용배관을 분리하여 상기 임의의 실험용배관 내의 공정소스를 추출하는 단계; 및Extracting a process source in the arbitrary experimental pipe by separating the experimental pipe blocked at both sides from the evaluation system; And 상기 추출된 공정소스의 성분을 검사하는 단계;Inspecting components of the extracted process source; 를 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체설비의 배관 평가 방법.Piping evaluation method of a semiconductor facility, characterized in that comprises a. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 공정소스의 강제 순환시 측정조건에 따라 공정소스의 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체설비의 배관 평가 방법.The method for evaluating piping of a semiconductor facility, characterized in that for controlling the temperature of the process source in accordance with the measurement conditions when forced circulation of the process source. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 복수개의 실험용배관은 동일한 재질로 구비하고, 측정시간별로 순차적으로 분리하여 공정소스를 추출하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체설비의 배관 평가 방법.The plurality of experimental pipes are made of the same material, and the pipe evaluation method of the semiconductor equipment, characterized in that to extract the process source by sequentially separating for each measurement time. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 복수개의 실험용배관은 각기 다른 재질로 구비하고, 동시에 분리하여 공정소스를 추출하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체설비의 배관 평가 방법.The plurality of experimental pipes are provided with different materials, and at the same time separate and extract the process source, characterized in that the pipe evaluation method of the semiconductor equipment.
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