KR100217331B1 - 반도체 웨이퍼 클램핑 자국 확인장치 - Google Patents

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Abstract

웨이퍼 상에 형성되는 클램핑(Clamping) 자국을 용이하게 확인 할 수 있는 반도체 웨이퍼 클램핑 자국 확인장치에 관한 것이다.
본 발명은, 반도체소자 제조공정이 진행되어 클램핑(Clamping) 자국이 형성된 복수의 웨이퍼를 웨이퍼 정렬대 상에 단차지도록 정렬시켜 상기 웨이퍼 상에 형성된 클램핑 자국을 확인하는 반도체 웨이퍼 클램핑 자국 확인장치에 있어서, 상기 웨이퍼 정렬대는 상기 웨이퍼가 단차지면서 정렬되는 경사커팅면을 가지는 입방체로서 특정기울기를 가지며 위치하도록 구성됨을 특징으로 한다.
따라서, 웨이퍼 상에 형성된 클램핑 자국을 용이하게 확인하여 공정불량을 방지할 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 웨이퍼 클램핑 자국 확인장치
본 발명은 반도체 웨이퍼 클램핑 자국 확인장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체소자 제조공정 후 웨이퍼 상에 형성되는 클램핑(Clamping) 자국을 용이하게 확인 할 수 있는 반도체 웨이퍼 클램핑 자국 확인장치에 관한 것이다.
통상, 반도체소자 제조공정은 캐리어(Carrier)에 적재된 랏(Lot) 단위의 웨이퍼가 연속되는 반도체소자 제조설비로 이동되며 진행된다.
이때, 이온주입설비 등의 반도체소자 제조설비로 투입된 웨이퍼는, 클램프의 클램핑에 의해서 스테이지(Stage) 상에 고정된 상태로 반도체소자 제조공정이 진행되는 경우가 많다.
이온주입공정의 경우에는, 클램프가 웨이퍼를 클램핑한 영역에는 불순물이 주입되지 않고, 클램프가 웨이퍼를 클램핑하지 않은 영역에는 불순물이 주입됨에 따라서 클램핑 자국이 형성된다.
이때, 클램프의 클램핑 불량이 발생할 경우에는 연속되는 반도체 소자 제조공정에 의해서 불량제품이 생산되므로 인해서 공정이 진행된 웨이퍼 가운데 임의로 몇장의 웨이퍼를 추출하여 클램핑 불량여부를 확인하는 클램핑 자국 확인작업을 진행하고 있다.
상기 클램핑 자국 확인작업은, 웨이퍼가 단차를 가지며 정렬되는 클램핑 자국 확인장치에서 진행된다.
도1은 종래의 이온주입공정이 진행된 반도체 웨이퍼 클램핑 자국 확인장치의 개략적인 단면도이다.
도1을 참조하면, 종래의 웨이퍼 클램핑 자국 확인장치는, 이온주입공정이 진행되어 클램핑 자국이 가장자리로부터 내부로 약 4 ㎜ 정도 형성된 웨이퍼가 복수의 슬롯(Slot)이 형성되고, 하부가 개방된 캐리어(도시되지 않음)에 적재되어 투입되는 본체(10)가 형성되어 있다.
또한, 상기 캐리어를 지지하는 지지부(12) 및 상기 캐리어에 적재된 웨이퍼가 단차를 가지며 정렬되도록 하는 계단형상의 웨이퍼 정렬대(14)가 형성되어 있다. 상기 웨이퍼 정렬대(14)의 계단과 계단 사이의 높이차이(D)는 2.1㎜ 정도로 형성되어 있다.
따라서, 이온주입공정이 진행된 웨이퍼를 적재한 캐리어가 본체(10) 내부에 투입되면, 캐리어에 적재된 각 웨이퍼는 웨이퍼 정렬대(14)와 접촉하며 캐리어 상부로 돌출하게 된다.
상기 웨이퍼 정렬대(14)는 2.1 ㎜ 정도의 단차를 가지는 계단형상으로 제작되어 있으므로 캐리어에 적재된 복수의 웨이퍼는 웨이퍼 정렬대(14)의 계단과 계단 사이의 거리(D)와 동일한 높이차이 즉 2.1㎜ 정도의 높이차이를 가지며 정렬된다.
각 웨이퍼가 높이차이를 가지며 정렬됨에 따라서 작업자는, 시계방향을 기준으로 4시 방향 상부에서 이온주입공정 후에 형성된 각 웨이퍼의 클램핑 자국을 확인하며 클램핑불량 여부를 확인한다.
그러나, 종래의 클램핑 자국 확인장치에서 각 웨이퍼는 2.1 ㎜ 정도의 높이차이를 가지며 정렬되나, 각 웨이퍼의 클램핑 자국은 웨이퍼 가장자리로부터 내부로 약 4㎜ 정도 형성됨으로 인해서 작업자는 양손으로 웨이퍼 클램핑 자국 확인장치를 잡고서 약 30도 정도 뒤로 젖혀서 클램핑 자국을 확인하여야 하는 번거로움이 있었다.
본 발명의 목적은, 이온주입공정이 진행된 후 웨이퍼 상에 형성된 클램핑 자국을 용이하게 확인할 수 있는 반도체 웨이퍼 클램핑 자국 확인장치를 제공하는 데 있다.
도1은 종래의 반도체 웨이퍼 클램핑 자국 확인장치의 개략적인 단면도이다.
도2는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 클램핑 자국 확인장치의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 본체 12 : 지지부
14,20 : 웨이퍼 정렬대 22 : 받침대
24 : 골 26 : 산
D : 계단과 계단 사이의 높이차이
E : 골과 골 사이의 수직높이차이
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 클램핑 자국 확인장치는, 반도체소자 제조공정이 진행되어 클램핑(Clamping) 자국이 형성된 복수의 웨이퍼를 웨이퍼 정렬대 상에 단차지도록 정렬시켜 상기 웨이퍼 상에 형성된 클램핑 자국을 확인하는 반도체 웨이퍼 클램핑 자국 확인장치에 있어서, 상기 웨이퍼 정렬대는 상기 웨이퍼가 단차지면서 정렬되는 경사커팅면을 가지는 입방체로서 특정기울기를 가지며 위치하도록 구성됨을 특징으로 한다.
상기 웨이퍼 정렬대 하부에는 상기 웨이퍼 정렬대를 고정하는 받침대가 구성되어 지면에 대해서 20° 내지 40° 정도의 기울기를 가지도록 제작됨이 바람직하다.
상기 경사커팅면 표면에는 상기 웨이퍼가 삽입되는 골 및 상기 웨이퍼가 지지되는 산이 복수개 형성되어 상기 골과 골 사이는 수직 높이차이를 가지도록 형성됨이 바람직하다.
상기 골과 골 사이의 수직 높이차이는 3.5 ㎜ 내지 5.5 ㎜ 정도를 가지도록 제작되고, 상기 복수개의 산은 수직면에 대해서 20° 내지 40° 정도의 기울기를 가지도록 제작됨이 바람직하다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도2는 본 발명에 따른 이온주입 공정이 진행된 반도체 웨이퍼 클램핑 자국 확인장치의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
도2를 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 클램핑 자국 확인장치는, 이온주입공정이 진행되어 클램핑 자국이 가장자리로부터 내부로 약 4 ㎜ 정도 형성된 웨이퍼가 복수의 슬롯(Slot)이 형성되고, 하부가 개방된 캐리어(도시되지 않음)에 적재되어, 30 °정도의 각도를 이루며 하강함에 따라서 접촉하는, 웨이퍼 정렬대(20)가 형성되어 있다.
상기 웨이퍼 정렬대(20)는 웨이퍼가 단차지면서 정렬되는 경사커팅면을 가지는 입방체로서 하부의 받침대(22)에 의해서 약 30° 정도의 기울기를 가지며 위치하여 있다.
또한, 상기 웨이퍼 정렬대(20)의 경사커팅면에는 캐리어에 적재된 웨이퍼가 삽입될 수 있는 정도의 폭을 가진 골(24)과 웨이퍼가 고정되는 산(26)이 복수개 형성되어 있다.
상기 골(26)과 골(26) 사이의 수직높이차이(E)는 약 4.5 ㎜ 정도로 형성되어 있고, 상기 산(26)은 수직면에 대해서 약 30 ° 정도의 기울기를 가지도록 제작되어 있다.
따라서, 이온주입공정이 진행되어 클램핑 자국이 형성된 랏 단위의 웨이퍼를 적재한 캐리어는 클램핑 자국 확인을 위해서 약 30° 정도의 각도를 이루며 웨이퍼 정렬대(20) 상부에 위치한다.
이어서, 웨이퍼 정렬대(20) 상부에 위치한 캐리어가 웨이퍼 정렬대(20)로 하강함에 따라서 캐리어에 적재된 각 웨이퍼는 웨이퍼 정렬대(20)의 산(26) 및 골(24)과 접촉하여 약 4.5 ㎜ 정도의 높이차이를 가지며 정렬된다.
각 웨이퍼가 약 4.5 ㎜ 정도의 단차를 가지며 정렬됨에 따라서 작업자는 웨이퍼 가장자리로부터 내부로 약 4㎜ 정도 형성된 클램핑 자국을 용이하게 확인할 수 있다.
또한, 약 30。 정도의 기울기를 가지는 웨이퍼 정렬대(20)에 웨이퍼가 고정되므로 클램핑 자국 확인장치를 뒤로 기울여서 클램핑 자국을 확인하지 않아도 된다.
따라서, 본 발명에 의하면 이온주입공정 또는 다른 반도체소자 제조공정 후에 웨이퍼 상에 형성된 클램핑 자국을 용이하게 확인할 수 있어서 후속되는 반도체 소자 제조공정에 의해서 불량제품이 생산되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (6)

  1. 반도체소자 제조공정이 진행되어 클램핑(Clamping) 자국이 형성된 복수의 웨이퍼를 웨이퍼 정렬대 상에 단차지도록 정렬시켜 상기 웨이퍼 상에 형성된 클램핑 자국을 확인하는 반도체 웨이퍼 클램핑 자국 확인장치에 있어서,
    상기 웨이퍼 정렬대는 상기 웨이퍼가 단차지면서 정렬되는 경사커팅면을 가지는 입방체로서 특정기울기를 가지며 위치하도록 구성됨을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 클램핑 자국 확인장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 정렬대 하부에는 상기 웨이퍼 정렬대를 고정하는 받침대가 구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 클램핑 자국 확인장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 정렬대는 지면에 대해서 20° 내지 40° 정도의 기울기를 가지도록 제작됨을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 클램핑 자국 확인장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 경사커팅면 표면에는 상기 웨이퍼가 삽입되는 골 및 상기 웨이퍼가 지지되는 산이 복수개 형성되어 상기 골과 골 사이는 수직 높이차이를 가지도록 형성됨을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 클램핑 자국 확인장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 골과 골 사이의 수직 높이차이는 3.5 ㎜ 내지 5.5 ㎜ 정도를 가지도록 제작됨을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 클램핑 자국 확인장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 복수개의 산은 수직면에 대해서 20° 내지 40° 정도의 기울기를 가지도록 제작됨을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 클램핑 자국 확인장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN108122807A (zh) * 2016-11-30 2018-06-05 北大方正集团有限公司 一种晶圆承载盒、晶圆激光打标***及方法

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