KR100195676B1 - 박막 형성 방법 및 박막 형성 장치, 소자, 전자. 자기장치, 정보 기록 재생 장치 및 신호 처리 장치 - Google Patents

박막 형성 방법 및 박막 형성 장치, 소자, 전자. 자기장치, 정보 기록 재생 장치 및 신호 처리 장치

Info

Publication number
KR100195676B1
KR100195676B1 KR1019910701858A KR910701858A KR100195676B1 KR 100195676 B1 KR100195676 B1 KR 100195676B1 KR 1019910701858 A KR1019910701858 A KR 1019910701858A KR 910701858 A KR910701858 A KR 910701858A KR 100195676 B1 KR100195676 B1 KR 100195676B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
substrate
recording
forming apparatus
excitation
Prior art date
Application number
KR1019910701858A
Other languages
English (en)
Other versions
KR920702730A (ko
Inventor
미가꾸 다까하시
가쯔야 요꼬야마
쥰 야마다
다까시 시바
Original Assignee
가나이 쓰도무
가부시키가이샤 히다치 세이사꾸쇼
다카하시 미가쿠
보조 타꾸로
니혼 빅터 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가나이 쓰도무, 가부시키가이샤 히다치 세이사꾸쇼, 다카하시 미가쿠, 보조 타꾸로, 니혼 빅터 가부시끼가이샤 filed Critical 가나이 쓰도무
Publication of KR920702730A publication Critical patent/KR920702730A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100195676B1 publication Critical patent/KR100195676B1/ko

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4415—Acoustic wave CVD
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/012—Recording on, or reproducing or erasing from, magnetic disks
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
    • H01F41/30—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE]
    • H01F41/302—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE] for applying spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/01—Manufacture or treatment
    • H10N60/0912—Manufacture or treatment of Josephson-effect devices
    • H10N60/0941—Manufacture or treatment of Josephson-effect devices comprising high-Tc ceramic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

박막 형성 방법 및 박막 형성 장치, 소자, 전자.자기 장치, 정보 기록 재생 장치, 신호 처리 장치 및 용융 결정 작성 방법에 관한 것이다.
본 발명은 기판 표면에 박막을 형성시키는 박막 작성 방법, 및 박막 형성 장치에 있어서, 그 기판 내지 기판 표면에 진동을 주면서 박막을 형성시키고, 기판과 기판상에 형성된 적어도 1층의 박막을 적어도 갖는 소자, 및 소자를 집적시켜 구성한 전자.자기 장치에 있어서 박막의 적어도 1층은 기판 표면에 진동을 주면서 형성된 박막인 것을 특징으로 하는 소자, 전자.자기 장치이다.
또한 정보를 기록.재생하기 위한 정보 기록 재생 장치에 있어서, 정보 기억 매체 장치로서, 기록층이 기판 표면에 진동을 주면서 형성된 박막인 정보 기억 매체 장치를 이용하고, 기록 헤드로서는 중심부가 기판 표면에 진동을 주면서 형성된 박막인 기록 헤드를 이용하여 구성되며, 또 정보를 입력, 기록, 처리, 출력시키는 정보 처리 장치에 있어서, 기록부는 기록층이 기판 표면에 진동을 주면서 형성된 박막인 정보 기억 매체 장치를 사용하며, 처리부는 기판 표면에 진동을 주면서 형성된 박막을 갖는 반도체 장치를 사용하여 구성한 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명은 용융액을 고온으로부터 냉각시켜 결정을 육성하는 용융 결정 육성 방법에 있어서 진동을 주면서 결정을 육성한 것을 특징으로 한다.

Description

[발명의 명칭]
박막 형성 방법 및 박막 형성 장치, 소자, 전자.자기 장치, 정보 기록 재생 장치 및 신호 처리 장치
[기술 분야]
본 발명은 박막 형성 방법 및 박막 장치, 소자, 전자.자기 장치, 정보 기록 재생 장치 및 신호 처리 장치에 관한 것이다.
[배경 기술]
최근, 박막의 형성 방법, 결정 작성 방법으로서 다양한 기술이 제안되어 있다. 예컨대 박막의 작성 방법으로는 박막 핸드북(일본 학술진흥회 제131 위원회편, 오무저)에 보고되어 있는 것과 같이, 증착, 스퍼터, CVD법등이 있고, 괴상 재료의 단결정 육성 방법으로는 결정 공학 핸드북(결정 공학 핸드북 편집 위원회편, 공립출판)에 보고되어 있는 것과 같이 영역 용해법, 쵸코럴스키법등이 유명하다.
상기 종래 기술은 각각 결정 성장을 제어하는데 유효하지만, 결정 성장면에서 기계적 진동의 효과에 관해서는 고려되어 있지 않다.
본 발명의 목적은 초기 결정 성장면에서 기계적 진동의 효과를 이용하는 박막 형성 방법 및 박막 형성 장치를 제공하는데 있다.
또한 본 발명의 다른 목적은 초기 결정 성장면에서 기계적 진동의 효과를 이용하여 형성된 박막을 갖는 소자등을 제공하는데 있다.
[발명의 개시]
본 발명의 제 1 요지는 기판 표면에 박막을 형성시키는 박막 작성 방법에 있어서, 그 기판 내지 기판 표면에 진동을 주면서 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 제 2 요지는 기판 표면에 박막을 형성하기 위한 박막 형성 장치에 있어서, 그 기판의 표면에 탄성 표면파에 의한 여진을 가하기 위한 여진 수단을 설치한 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 제 3 요지는 기판과 그 기판상에 형성된 적어도 1층의 박막을 적어도 갖는 소자에 있어서, 상기 박막의 적어도 1층은 그 기판 표면에 진동을 주면서 형성된 박막인 것을 특징으로 하는 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 제 4 요지는 기판과 그 기판상에 형성된 적어도 1층의 박막을 적어도 갖는 소자를 집적시켜 구성시킨 전자.자기 장치에 있어서, 그 박막의 적어도 1층은 기판 표면에 진동을 주면서 형성된 박막인 것을 특징으로 하는 전자.자기 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 제 5요지는 정보의 기록.재생을 실행하기 위한 정보 기록 재생 장치에 있어서, 정보 기억 매체 장치로서, 기록층이 기판 표면에 진동을 주면서 형성된 박막인 정보 기억 매체 장치로서, 기록층이 기판 표면에 진동을 주면서 형성된 박막인 정보 기억 매체 장치를 이용하고, 기록 헤드로서 코어부가 기판 표면에 진동을 주면서 형성된 박막인 기록 헤드를 사용하여 구성된 것을 특징으로 하는 정보 기록 재생 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 제 6 요지는 정보를 입력, 기록, 처리, 출력하는 정보 처리 장치에 있어서, 기록부는 기록층이 기판 표면에 진동을 주면서 형성된 박막인 정보 기억 매체 장치를 사용하고, 처리부는 기판 표면에 진동을 주면서 형성된 박막을 갖는 반도체 장치를 사용하여 구성하는 것을 특징으로 하는 정보 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 제 7 요지는 용융액을 고온으로부터 냉각시켜 결정을 육성하는 용융 결정 육성 방법에 있어서, 진동을 주면서 결정을 육성시킨 것을 특징으로 하는 용융 결정 작성 방법을 제공하는 것이다.
[작용]
본 발명자들은 초기 결정 성장면에서 기계적 진동을 주면, 결정 입자의 성장이 변화되는 것을 발견했다. 그 발견에 따르면 결정 작성시 상기의 수법으로 진동을 주는 것에 의해 결정 성장을 제어할 수 있고, 그 결과 양호한 각종 특성을 갖는 박막을 형성할 수 있고, 나아가서는 높은 신뢰성을 갖는 각종 소자, 전자.자기 장치를 얻을 수 있게된다. 또한 에러율이 낮은 정보 기록 재생 장치, 빠른 처리 속도를 갖는 정보 처리 장치를 제공할 수 있다.
[도면의 간단한 설명]
제1도는 본 발명의 제 1 실시예를 나타낸 사시도.
제2도는 본 발명의 제 1 실시예의 박막 작성 장치의 일부 단면도
제3도는 본 발명의 제 1 실시예의 부품 평면도
제4도는 본 발명의 제 1 실시예에서의 인가 전압과 기판 온도 상승의 관계를 나타낸 그래프.
제5도는 제 1 실시예에서의 인가 전압, 여진 진폭, 기판 온도와 이방성 자계 Hk와의 관계를 나타낸그래프.
제6도는 제 1 실시예에서의 인가 전압, 여진 진폭, 기판 온도와 구조 인자와의 관계를 나타낸 그래프.
제7도는 제 1 실시예에서의 인가 전압, 여진 진폭, 기판 온도와 항자력 Hc와의 관계를 나타낸 그래프.
제8도는 제 1 실시예에 따라 실온(여진 없음) 상태에서 작성한 박막의 SEM사진.
제9도는 제 1 실시예에 따라 인가 전압 8V의 상태에서 작성한 박막의 SEM 사진.
제10도는 제 1실시예에 따라 인가 전압 9V의 상태에서 작성한 박막의 SEM 사진.
제11도는 제 1 참고예 및 제 2 참고예에 따른 결정로의 단면도.
제12도는 제 2 실시예에 탄성 표면파의 여진 방법의 설명도.
제13도는 제 3 실시예에 탄성 표면파의 여진 방법의 설명도.
제14도는 제 4 실시예에 탄성 표면파의 여진 방법의 설명도.
제15도는 제 5 실시예의 평면도.
제16도는 제 6 실시예의 박막 자기 헤드의 단면도.
제17도는 제 7 실시예의 자기 디스크 작성 방법의 설명도.
제18도는 제 8 실시예의 배선 패턴의 일부를 나타낸 도면.
제19도는 종래의 MBE법의 설명도.
제20도는 제 9 실시예의 초격자 박막의 형성 방법의 설명도.
제21도는 제 10 실시예의 초전도 죠셉슨 소자의 작성 방법의 설명도.
제22도는 제 11 실시예의 자기 기록 재생 장치.
제23도는 제 12 실시예의 집적 회로의 일부 단면도.
제24도는 제 13 실시예의 전자 계산 시스템의 블록도임.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1,20,23 : 기판 2,19,43 : 발(簾)상전극
5 : 탄성표면파 6,35 : 박막 형성 영역
7 : 입자의 흐름 17 : 초음파 진동자
24 : 쐐기형 진동자 25 : 반사기
26,27 : 발상전극군 33 : 하부코어
34 : 상부 코어 36,44 : 자기디스크
37,38 : 배선 39 : 층간 절연재
41 : 원자 42 : 초전도 박막
51 : 소오스 전극, 드레인전극 52 : 게이트 전극
[발명을 실행하기 위한 최선의 형태]
[제 1 실시예]
이하 본 발명의 실시예를 제1도 내지 제10도로써 설명한다.
본 예에서는 기판(1)으로서 압전성을 갖는 1280Y-X LiNbo3기판(1)을 사용하여 그 표면에 발상 전극(2)을 설치하였다.
발상 전극(2)의 양 끝에 고주파 전계(45 ㎒)를 신호원(3)에 의해 가하여 탄성 표면파(5)를 여진시켰다.
또한 기판(1)의 단면으로 부터의 반사를 억압하기 위해 흡음재(4)를 도포하고 있다. 박막의 형성 영역(6)은 입자의 흐름(7)을 마스크에 의해 제한시켜 형성하고 있다. 기판(1)상의 박막 형성법으로 본 예에서는 D.C. 마그네트론 스퍼터법을 이용하였다. 타겟트는 (83.0중량% Ni-15.7중량% fe- 1.0중량% Mo-기타 0.3중량%)의 조성을 갖는 퍼멀로이를 사용했다.
제2도는 제 1 실시예에서 사용하는 스퍼터 장치의 기판 홀더부의 단면도이다. 기판(1)은 홀더 본체(10)에 면하여 기판 누름 부재(8)에 의해 고정되며, 이어 마스크(9)가 설치된다. 고주파 신호는 전원 단자(11)로 부터 도선(12)을 거쳐 발상 전극(2)으로 공급된다. 또한 성막실의 진공은 0-링(13)에 의해 유지된다. 제3도는 홀더 본체(10), 기판 누름 부재(8), 마스크(9)를 확대하여 나타내고 있다.
발상 전극(2)에서 여진된 탄성 표면파(5)의 에너지의 대부분은 흡음재(4)에 의해 흡수되어 열 에너지로 변환된다. 따라서 신호원(3)의 전압을 증가시키면 기판 온도가 상승한다. 제4도는 인가 전압과 기판의 상승 온도와의 관계를 나타내고 있다. 이 측정은 대수가 작은 발상 전극(대수가 작기 때문에 탄성 표면파에 대한 영향이 적다)을 기판상에 만들어 그의 통과 주파수 특성의 정정의 차이로 부터 온도를 구하였다.
성막의 조건은 Ar 가스압을 6밀리토르, 성막 속도를 30㎚/분으로 하고 막 두께를 30㎚로 했다. 제5도는 신호원의 인가 저압, 기판 온도, 여진 진폭과 이방성 자계 Hk의 관계를 나타내고 있다. 기판 온도는 제4도로부터 구하고, 여진 진폭은 소자의 콘덕턴스와 개구로 구하였다. 또한 여진이 없는 경우에는 같은 기판 온도가 되도록 히터로 가열시켰다. 제5도에서 여진이 있는 경우와 없는 경우를 비교하면, 인가 전압 8V 부근(여진 진폭으로 15Å 내지 30Å)에서 크게 다르게 되는 것을 알았다. 즉 여진이 있는 경우는 없는 경우에 비하여 자화 용이 방향이 달라지는 것을 알았다. 제6도는 동일하게 안가 전압, 여진 진폭, 기판 온도와 구조 인자 S와의 관계를 나타내고 있다. 구조 인자 S는 동적 미분 자화율을 측정하는 것에 의해 측정되었다. 측정 방법의 상세한 것은 전자 정보 통신학회 자기 기록 연구회 기술 연구 보고 MR 89-(1989)에 상세히 서술되어 있다. 제7도는 동일하게 인가 전압, 여진 진폭, 기판 온도와 포화 자화 Hc의 관계를 나타내고 있다. 양도면으로 부터 여진이 있는 경우와 없는 경우를 비교하면, 역시 동일하게 인가 전압 8V 부근에서 다른 결과로 되고 있다. 이 결과로 부터 여진 전압 8V 부근의 막의 결정 입경이 작게 되는 것이 예상된다. 여기서 작기 막의 SEM 사진을 찍었다. 제8도는 온실에서 여진을 증가시키지 않는 상태에서 작성한 막의 SEM 사진이다. 결정 입계가 확실하고 비교적 결정 입자가 큰 시료를 얻을 수 있다. 제9도는 인가 전압 8V로 했을 때의 시료의 SEM 사진이다. 입계가 명확하지 않고 표면이 상당히 평활화 되어 있어 꽤 작은 입경으로 되어 있다. 제10도는 인가 전압 9V에서 시료의 SEM 사진이다. 입계가 명확하고 결정 입경도 비교적 크다.
이상 본 실시예에 의해 결정 성장 계면으로의 여진이, 결정 입경의 축소화를 초래하여 표면의 평활화에 유리하다는 것을 알았다.
[제 1 참고예]
제11도는 본 발명의 제 1 참고예인 쵸코럴스키형 단결정로의 단면도이다. 단결 정의 원재료는 도가니(18)내로 보내지고, 히터(15)에 의해 용해된 용융액(14)은 단결정(16)에 접해있다. 도가니(18)의 저부에는 초음파 진동자(17)가 부착되어 있다. 초음파 진동자(17)에 의해 가해진 기계적 진동은 결정 성장 계면으로 도달하여 결정 성장을 평활화시켜 양호한 단결정이 수득되었다. 진동을 주면 양호한 단결정이 수득되는 이유가 완전히 명확한 것은 아니지만, 진동의 결과, 원자 또는 분자 끼리의 충돌 확률을 높게 하기 때문이 아닌가 하고 생각되어진다.
이상 제 1 참고예에 의하면, 균일성이 우수한 양호한 단결정을 얻을 수 있게 된다. 즉 종래 단결정 인상법에 있어서는 고액 계면(종결정과 용융액 계면)은 가능한한 정지 상태를 유지하는 것이 양호한 결정을 얻는 것 이상으로 필요한 사항이라고 생각되어 왔으나, 본 발명에서는 종래의 이런 생각에 반해 진동을 줌으로써 균일성이 우수한 양호한 결정을 얻을 수 있었다.
[제 2 참고예]
제 2 참고예는 제 1 참고예와 동일한 장치를 사용하고 있다. 서로 다른 점은 결정의 원재료로 고용 한도를 넘는 제 2(또는 제 3 이상)원소를 포함하고 있는 점이다. 통상 고용 한도를 넘은 원소를 섞는 일은 대단히 어려우나 본 참고예를 이용하면 쉽게 제 2 원소를 균일하게 포함한 복합체를 작성할 수 있다. 이것은 단결정으로 하지 않는(따라서 종결정(16)을 사용하지 않음)경우에도 동일한 효과가 기대된다. 즉 기체 상으로 부터 성장시킨 박막에 대해서도 고용 한도를 넘은 제 2 , 제 3 원소를 균일하게(즉 편석(編析)등이 생기는 일 없이) 함유시킬 수 있다.
[제 2실시예]
제 2 실시예를 제12도를 사용하여 설명한다. 제 2 실시예는 제 1 실시예의 탄성 표면파의 여진 방법에 관한 것이다. 제 1 실시예에서는 기판상에 발상 전극을 형성시켜 탄성 표면파를 여진시키고 있기 때문에 박막을 형성하는 기판 1장 마다 발상 전극 패턴을 형성시키고, 특히 1장 마다 전극을 접속시키지 않으면 안되기 때문에 양산하는데 문제가 있다. 여기서 제 2 실시예에서는 압전성의 기판(22)의 표면에 발상 전극(19)을 형성시키고, 외력(21)으로 누름으로써 탄성 표면파(5)가 기판(20)에 여진된다. 탄성 표면파에 의해 여진된 기판(20)의 표면에는 입자의 흐름(7)에 의해 형성된 박막을 형성한다.
이상 본 실시예를 이용하면 기판에 발상 전극의 패턴을 형성할 필요가 없기 때문에 양산하기에 좋다.
[제 3 실시예]
제 1 실시예에서는 기판으로서 압전성의 기판을 이용하지 않으면 안되었다. 또한 제 2 실시예에서는 기판에 압전성 재료를 사용하지 않아도 어느 정도의 탄성 표면파의 여진이 가능하지만, 여진 효율이 상당히 낮다. 제 5 실시예는 이런 문제를 해결한 것이다. 제 13 도는 제 3 실시예를 나타낸 것이다. 기판(23)은 비압전성으로 표면에 쐐기형 진동자(24)가 접착되어 있다. 신호원(3)에 의해 여진된 기계적 진동은 탄성 표면파(23)에 박막을 형성한다.
이상 본 실시예를 이용하면 기판으로 비압전성인 것을 사용할 수 있게되어 기판 선택의 자유도가 증가된다.
[제 4 실시예]
다음에 제 4 실시예를 설명한다. 제14도는 제 4 실시예를 나타낸 것이다. 기판(1)상에 설치된 발상 전극(2) 옆에 반사기(25)를 배치했다. 또한 반대측에도 반사기(25)를 설치하여 정재파를 일으키고 있다. 따라서 탄성 표면파의 진동부에는 배와 마디가 나타나 박막 형성 영역(6)에서 결정 입경이 대소의 1차원적 패턴을 형성할 수 있다. 또한 반사기 사이에 탄성 표면파의 에너지를 가둘 수 있기 때문에 미소한 인가 전압으로 큰 여진 진폭을 얻을 수 있다. 또한 반사기(25)의 반사 계수를 올리면(반사 계수를 올리는 것은 갯수를 늘리는 등에 의해 달성된다), 흡음제가 불필요하게 되어 열로 변환되는 에너지가 적게되며 온도 상승을 억제할 수 있다.
따라서 본 실시예를 이용하면 1차원적인 패턴을 갖는 박막을 작성할 수 있고, 또한 기판 온도이 상승을 억제하여 박막을 작성할 수 있게 되기 때문에 박막 작성상 자유도가 증가한다.
[제 5 실시예]
다음에 제15도에 의해 제 5 실시예를 설명한다. 제 4 실시예에서는 1차원적인 패턴화가 가능했으나 본 실시예에서는 2차원적인 패턴을 배치할 수 있다. 복수의 발상 전극군(26)은 Y축 방향으로, 다른 한쪽의 발상 전극군(27)은 X축 방향에 배열시켜 막질을 2차원적으로 제어하고 있다. 즉 발상 전극군(26)과 (27)에서 탄성 표면파의 여진 진폭의 합이 15Å 내지 30Å로 되도록 설정해 각각의 여진 진폭을 15Å 이하로 한다. 또한 각각의 여진 시간을 주사하는 것에 의해 임의의 경우에서 결정 형태를 제어할 수 있게되었다. 또한 본 실시예의 어느 한쪽의 발상 전극군을 만들지 않고 한쪽의 발상 전극군 만을 사용하면 앞의 제 6 실시예와 동일하게 1차원적 결정 형태 제어가 가능하게 된다.
이상 본 실시예를 사용하면, 2차원적 결정 형태의 제어가 가능하게 되므로 집적 회로등의 2차원적 디바이스의 형성에 유리하다.
[제 6 실시예]
다음에 제 6 실시예를 제16도를 사용하여 설명한다.
제16도는 본 발명을 사용할 박막 헤드의 단면도이다. 우선 기판(28)에 탄성 표면파의 진동을 하부 코어(33)를 형성한다. 이와 같이 작성하면 미세 입자의 박막을 형성할 수 있어서 투자율이 높은 막을 형성할 수 있게된다. 이어 캡재(31)를 형성시키고, 이어 코일(29)과 절연재(30)를 형성시킨 후, 상부 코어(31)를 형성한다. 그때 하부 코어와 동일한 탄성 표면파의 여진에 의해 투자율을 높인다. 마지막으로 보호막(32)를 형성하며, 다이싱등에 의해 헤드를 형성한다.
이상 본 실시예에 의해 투자율이 높고 기록, 재생 효율이 높은 박막 헤드를 작성할 수 있게 된다.
[제 7 실시예]
다음에 제 7 실시예를 제17도를 사용하여 설명한다.
제17도는 본 발명을 이용한 자기 기록 매체 장치로서 하드 자기 디스크 작성 방법을 나타내고 있다. 제 1 실시예와 동일하게 압전성을 갖는 기판(1)상에 발상 전극(2) 및 흡음재(4)를 배치하여 탄성 표면파를 여진시키고 박막의 형성 영역(35)에 하드재를 형성한다. 이렇게함으로써 결정 입경이 작은 하드재를 형성할 수 있게 되고 코히어런트 길이가 짧은 막이 형성된다. 다음에 초음파 가공등에 의해 자기 디스크(36)을 형성한다.
이상 본 실시예를 이용하는 것에 의해 코히어런트 길이가 짧고 기록 밀도가 높은 자기 디스크를 형성할 수 있게되었다.
[제 8 실시예]
다음에 제 8 실시예를 제18도를 사용하여 설명한다. 제18도는 본 발명을 이용한 집적 회로용 배선 패턴의 작성 방법을 나타내고 있다(도면에서는 기본 부분을 표시하고 있다). 제 1 실시예와 동일하게 압전성을 갖는 기판(1)상에 발상 전극(2) 및 흡음재(4)를 배치하고 탄성 표면파를 여진시킨 상태에서 하부 배선(37), 층간 절연재(39), 상부 배선(38)을 형성한다. 탄성 표면파를 여진시키는 것에 의해 결정 입경이 작은 막이 형성될 수 있기 때문에 배선부에서는 이동과 결합 강도가 강하고, 절연부에서는 절연 파괴 전압이 높은 패턴이 형성될 수 있다.
이상 본 실시예를 이용하면 신뢰성이 높은 집적 회로용 배선 패턴을 형성할 수 있게된다.
[제 9 실시예]
다음에 제 9 실시예를 제19도 및 제20도를 사용하여 설명한다.
제19도는 종래의 MBE법에 의한 박막의 형성 과정을 나타내고 있다(초격자가 안되는 경우, 특히 금속은 어렵다). 증착 원자의 흐름(40)은 기판상에 도달하여 증착 원자(41)(검은 칠된 부분은 A원자, 흰색 부분은 B원자로 한다)는 도면에 나타낸 바와 같이 1층마다 형성되지 않고 예컨대 A원자는 제 2층 또는 제 3층에도 침입되어 있다.
제20도는 본 발명을 이용한 초격자의 작성 방법을 나타내고 있다. 탄성 표면파(5)를 가하면서 같은 방법으로 박막을 형성하고 있다. 이렇게 함으로써 각층의 평활화가 조장되어 깨끗한 초격자의 형성이 가능하게된다.
이상 본 실시예를 이용하면 통상 초격자를 제조하는 것이 곤란한 재료라 하더라도 초격자를 형성할 수 있게된다.
[제 10 실시예]
다음에 제 10실시예를 제21도를 사용하여 설명한다.
제21도는 본 발명을 이용한 초전도 박막 소자를 나타내고 있다. 제 1 실시예와 동일하게 압전성을 갖는 기판(1)상에 발상 전극(43) 및 흡음재(4)를 배치하고 탄성 표면파를 여진시켜 초전도 박막(42)의 패턴을 형성한다. 발상 전극(43)은 원호형으로 탄성 표면파를 한점에 집중시켜 그 부분의 결정 입경을 작게 하여 코히어런트 길이를 짧게 한다. 이렇게 함으로써 초전도성이 약하게 되고 그 부분에서 죠셉슨 결합을 쉽게 형성시킬 수 있다.
이상 본 실시예를 이용하면 비교적 쉽고 또 안정한 죠셉슨 결합의 형성이 가능하게 된다.
[제 11 실시예]
제22도를 사용하여 제 11 실시예를 설명한다.
제22도는 본 발명의 하드 자기 디스크를 사용한 자기 기록 재생장치를 나타내고 있다. 제 9 실시예에서 제조한 자기 디스크(44) 및 제 8 실시예에서 제조한 박막 헤드(46)의 움직임을 콘트롤러(45)에 의해 제어시켜 전체로서 제어 기기용 외부 기억 장치(47)를 형성하고 있다. 이상 전술한 바와 같이 본 실시예를 이용함으로써 에러율이 낮고 기록 용량이 큰, 외부 기록 장치를 형성할 수 있게된다.
[제 12 실시예]
다음에 제23도를 사용하여 제 12 실시예를 설명한다.
제23도는 본 발명을 이용한 집적 회로 일부의 단면도이다. 도면은 MOSFET부를 나타내고 있다. p형의 Si 기판(49)의 이면을 도전막(48)에 의해 피복시키고 표면에는 열산화에 의해 SiO2막(50)이 형성된다. 다음에 제 10 실시예와 동일하게 탄성 표면파를 가하면서 소오스 , 드레인 전극(51)과 게이트 전극(52), 배선 전극, 층간 절연재를 형성시키고 내이동성이 큰 소자를 형성할 수 있다.
이상 본 실시예에 의해 신뢰성이 높고 수명이 긴 집적 회로를 형성할 수 있게된다.
[제 13 실시예]
제24도를 사용하여 제 13 실시예를 설명한다.
제24도는 본 발명을 이용한 전자 계산기의 시스템 블록을 나타내고 있다. 키보드 이외의 입력 장치로 부터 보내진 입력 정보는 제어 장치의 제어를 받으면서 기억 장치에 저장된다. 기억 장치에 저장된 정보는 제어 자치의 제어를 받으면서 연산 장치에 의해 처리되어 그 결과를 기억 장치에 저장한다. 또한 그 결과는 제어 장치의 제어를 받으면서 출력 장치로 출력된다. 도면중 실선은 정보의 흐름, 파선은 제어를 나타내고있다. 기억 장치에는 제 11 실시예의 자기 디스크 장치를 이용하고, 연산 장치에는 제 12 실시예의 집적 회로를 사용하고있다. 이들 장치를 이용함으로써 높은 신뢰성, 대기억 용량화를 달성하고 있다.
이상 본 실시예에 의해 신뢰성이 높고 기억 용량이 큰 정보 처리 장치를 제공할 수 있게 된다.
[산업상의 이용 가능성]
이상 기술한 바와 같이 본 발명에 의하면 박막, 괴상 재료의 결정 성장을 제어할 수 있게되기 때문에 다수의 고성능 재료를 만들 수 있고, 장치의 고신뢰성화, 고효율화, 대용량화가 달성된다.

Claims (28)

  1. 기판 표면에 박막을 형성시키는 박막 작성 방법에 있어서, 그 기판 내지 기판 표면에 진동을 주면서 박막을 형성할 때, 박막 형성은 스퍼터링법, 증착법 또는 CVD법이고, 그 기판 표면에 탄성 표면파에 의한 여진을 가하고, 그 탄성 표면파의 여진 진폭을 1.5 내지 3.0 ㎚로 하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판은 압전성을 갖는 기판인 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 탄성 표면파를 정재파로 하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.
  4. 기판 표면에 박막을 형성하기 위한 박막 형성 장치에 있어서, 기판의 표면에 탄성 표면파에 의한 여진을 가하기 위한 수단과, 탄성 표면파의 반사를 억압하기 위한 흡음재를 마주보도록 설치하여, 여진 수단과 흡음재의 사이에 위치하는 기판 표면상에 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 여진 수단은 적어도 발상 전극과 그 발상 전극에 전압을 인가하기 위한 수단으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 발상 전극은 기판에 고정적으로 형성 되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 발상 전극은 기판과는 별도의 압전성을 갖는 물체의 표면에 형성되고, 그 물체를 기판에 접촉시켜서 얻도록 한 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  8. 제5항 내지 제7항 중 어느 하나에 있어서, 상기 발상 전극을 원호상으로 형성시킨 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  9. 제4항에 있어서, 상기 여진 수단은 쐐기형 진동자로 된 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  10. 제9항에 있어서, 기판은 비압전성 기판인 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  11. 제4항 내지 제7항, 제9항 및 제10항 중 어느 하나에 있어서, 상기 여진 수단을 복수개 설치한 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 복수개의 여진 수단을, 여진을 2차원적으로 가할 수 있도록 배치시킨 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  13. 기판과 그 기판상에 형성된 적어도 1층의 박막을 적어도 갖는 소자에 있어서, 그 박막의 적어도 1층은 기판 표면에, 제1항, 제2항 및 제3항 중 어느 하나에 기재된 박막 형성 방법에 의해 형성된 박막인 것을 특징으로 하는 소자.
  14. 제13항에 있어서, 상기 박막은 연 자성 박막인 것을 특징으로 하는 소자.
  15. 제13항에 있어서, 상기 박막은 경 자성 박막인 것을 특징으로 하는 소자.
  16. 제13항에 있어서, 상기 박막은 금속 박막 또는 합금 박막인 것을 특징으로 하는 소자.
  17. 제13항에 있어서, 상기 박막은 절연체 박막인 것을 특징으로 하는 소자.
  18. 제13항에 있어서, 상기 박막은 초격자 박막인 것을 특징으로 하는 소자.
  19. 제13항에 있어서, 상기 박막은 초전도 박막인 것을 특징으로 하는 소자.
  20. 기판과 그 기판상에 형성된 적어도 1층의 박막을 적어도 갖는 소자를 집적시켜 구성시킨 전자·자기 장치에 있어서, 그 박막의 적어도 1층은 기판 표면에 제1항, 제2항 및 제3항 중 어느 하나에 기재된 박막 형성 방법에 의해 형성된 박막인 것을 특징으로 하는 전자·자기 장치.
  21. 제20항에 있어서, 상기 장치는 반도체 장치인 것을 특징으로 하는 전자·자기 장치.
  22. 제21항에 있어서, 상기 반도체 장치는 MOSFET이고, 그의 게이트 절연막 내지 배선부가 기판 표면에 진동을 주면서 형성된 박막으로 된 것을 특징으로 하는 전자·자기 장치.
  23. 제21항에 있어서, 상기 장치는 정보 기억 매체 장치이고, 그 기록층이 기판 표면에 진동을 주면서 형성된 박막으로 된 것을 특징으로 하는 전자·자기 장치.
  24. 제21항에 있어서, 상기 장치는 정보 기억 장치 매체 장치로 부터 정보를 기억, 재생하기 위한 기록 헤드이고, 그 코어가 기판 표면에 진동을 주면서 형성된 박막으로 된 것을 특징으로 하는 전자·자기 장치.
  25. 정보를 기록, 재생하기 위한 정보 기록 재생장치에 있어서, 정보 기억 매체 장치로서 제23항에 기재된 정보 기억 매체 장치를 이용하고, 기록 헤드로서는 제24항에 기재된 기록 헤드를 이용하여 구성되는 것을 특징으로 하는 정보 기록 재생 장치.
  26. 정보의 입력, 기록, 처리, 출력을 행하는 정보 처리 장치에 있어서, 기록부는 제23항에 기재된 정보 기억 매체를 이용하고, 처리부는 제21항에 기재된 반도체 장치를 이용하여 구성되는 것을 특징으로 하는 정보 처리 장치.
  27. 제8항에 있어서, 상기 여진 수단을 복수개 설치한 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  28. 제27항에 있어서, 상기 복수개의 여진 수단을, 여진을 2차원적으로 가할 수 있도록 배치시킨 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
KR1019910701858A 1989-11-19 1990-11-19 박막 형성 방법 및 박막 형성 장치, 소자, 전자. 자기장치, 정보 기록 재생 장치 및 신호 처리 장치 KR100195676B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1300177A JP2748982B2 (ja) 1989-11-19 1989-11-19 薄膜形成方法及び薄膜装置、素子、電子・磁気装置、情報記録再生装置並びに信号処理装置
JP89-300177 1989-11-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920702730A KR920702730A (ko) 1992-10-06
KR100195676B1 true KR100195676B1 (ko) 1999-06-15

Family

ID=17881672

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910701858A KR100195676B1 (ko) 1989-11-19 1990-11-19 박막 형성 방법 및 박막 형성 장치, 소자, 전자. 자기장치, 정보 기록 재생 장치 및 신호 처리 장치

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP0590148B1 (ko)
JP (1) JP2748982B2 (ko)
KR (1) KR100195676B1 (ko)
AT (1) ATE178660T1 (ko)
DE (1) DE69033045T2 (ko)
WO (1) WO1991007520A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100980788B1 (ko) * 2008-11-04 2010-09-10 한국기계연구원 유동체의 표면패턴 형성장치 및 그 형성방법
CN108723709A (zh) * 2018-05-18 2018-11-02 靖江佳仁半导体科技有限公司 一种cvd反应腔的加工方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3654574A (en) * 1970-08-18 1972-04-04 Zenith Radio Corp Acoustic-wave transmitting system having curvilinear transducers
JPS5888198A (ja) * 1981-11-19 1983-05-26 Sanyo Electric Co Ltd 液相成長方法
JPS5983995A (ja) * 1982-10-29 1984-05-15 Fujitsu Ltd 単結晶の成長方法
JPS6334922A (ja) * 1986-07-29 1988-02-15 Toshiba Corp 半導体スパツタ装置
JPS63285194A (ja) * 1987-05-15 1988-11-22 Toshiba Ceramics Co Ltd シリコン単結晶引上装置
JPS6462461A (en) * 1987-08-31 1989-03-08 Hitachi Ltd Sputtering device
JPS6479090A (en) * 1987-09-21 1989-03-24 Kawasaki Steel Co Method for stabilizing growth of semiconductor single crystal
JPH01261298A (ja) * 1988-04-11 1989-10-18 Idemitsu Petrochem Co Ltd ダイヤモンド合成方法
JPH01317112A (ja) * 1988-06-15 1989-12-21 Sumitomo Electric Ind Ltd 高強度多結晶ダイヤモンド及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE69033045D1 (de) 1999-05-12
EP0590148A1 (en) 1994-04-06
JP2748982B2 (ja) 1998-05-13
KR920702730A (ko) 1992-10-06
ATE178660T1 (de) 1999-04-15
EP0590148B1 (en) 1999-04-07
DE69033045T2 (de) 1999-11-18
EP0590148A4 (en) 1994-12-14
JPH03162566A (ja) 1991-07-12
WO1991007520A1 (en) 1991-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Hickernell DC triode sputtered zinc oxide surface elastic wave transducers
JP2008034087A (ja) マルチフェロイック記録媒体を使用する電界アシスト書き込み
JPH11300274A (ja) 圧力波発生装置
JPH0223924B2 (ko)
US6046657A (en) Magnetostrictive surface acoustic wave device and microelectronic circuit including same
KR100195676B1 (ko) 박막 형성 방법 및 박막 형성 장치, 소자, 전자. 자기장치, 정보 기록 재생 장치 및 신호 처리 장치
US3665225A (en) Hybrid surface-wave transducer
JPH11175927A (ja) 強磁性トンネル接合素子の製造方法
US5837332A (en) Method and apparatus for preparing crystal thin films by using a surface acoustic wave
US3533022A (en) Magnetically driven electromechanical filter with cantilevered resonator and variable q
Tiersten et al. Monolithic mosaic transducer utilizing trapped energy modes
Timme Magnetomechanical characteristics of a terbium–holmium–iron alloy
JPS6249994B2 (ko)
JP2990926B2 (ja) 超音波振動子
US3548346A (en) Tuning integrated circuits comprising a layer of piezoelectric material above a semiconductor body
JPH0247889B2 (ja) Sutonriihasoshi
US4323940A (en) Process, magnetic transducer and system for generating a magnetic induction field within a magnetic medium
US4672496A (en) Magnetic head having electromechanical transducer disposed at one end thereof
JPS5941881A (ja) 磁気抵抗効果素子
JPH025329B2 (ko)
JPH0193210A (ja) 磁気表面弾性波素子
JPS6175614A (ja) 薄膜圧電振動子の製造方法
US3492509A (en) Piezoelectric ultrasonic transducers
JPH0249566B2 (ko)
JPH025330B2 (ko)

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20071228

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee