KR100195512B1 - 칩 스케일 패키지 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 칩 스케일 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 하부면에 복수개의 본딩 패드들을 갖는 칩들과 그 칩들을 구분하는 스크라이브 라인이 형성된 웨이퍼와, 그 웨이퍼의 하부면이 유리 기판의 상부면에 접착되어 있으며, 그 유리 기판에는 상기 칩의 본딩 패드의 하부면 까지 형성된 구멍에 범프가 형성되어 상기 본딩 패드들과 전기적으로 연결되고, 상기 웨이퍼의 스크라이브 라인을 따라서 절단하여 각각의 칩 스케일 패키지를 제조함으로써, 웨이퍼 레벨에서 칩 스케일 패키지를 구현할 수 있고 동시에 조립 공정이 간소화됨으로써 대량 생산이 가능한 특징을 갖는다. 그리고, 칩 상면에 구리 박막 히트 싱크(copper foil heat sink)가 부착되어 칩에서 발생되는 열을 효과적으로 방출할 수 있는 특징을 갖는다.

Description

칩 스케일 패키지 및 그 제조 방법
본 발명은 칩 스케일 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼 레벨에서 제조된 칩 스케일 패키지(chip scale package) 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
전자 장치의 경박 단소의 추세에 맞추어 그에 실장되는 패키지의 크기도 경박 단소가 추구되고 있다.
그러나, 통상적인 패키지에 있어서, 칩의 크기에 비해서 패키지의 몸체의 크기가 상대적으로 더 크고, 더 두껍기 때문에 상기의 목적을 달성하기에는 곤란하다.
따라서, 상기의 목적을 달성하기 위한 한 방편으로 제안된 방법이 칩만을 실장하는 방법으로 칩 온 보드(chip on board;COB)나 플립 칩(flip chip)이 있다.
더욱이, 상기 방법들은 실장되는 칩이 번인 검사와 같은 신뢰성 검사가 완전히 진행되지 않은 상태에서 실장되기 때문에 실장 완료 후에 발견되는 칩 불량의 경우에 재작업이나 복구가 곤란한 단점을 내포하고 있다.
결국, 신뢰성을 보장할 수 있는 동시에 칩 크기에 대응되는 패키지의 개발이 요구되었다.
최근 몇몇 제조 회사에서 추진되고 있는 소위, 칩 스케일 패키지는 베어 칩(bare chip)과 거의 같은 크기임에도 불구하고, 최종 사용자에게는 노운 굿 다이(known good die)로 공급되는 동시에 종래의 표면 실장 기술을 이용할 수 있기 때문에 전자 기기의 소형, 박형화 및 다기능화를 도모할 수 있는 장점을 갖는다.
그러나, 통상적인 칩 스케일 패키지를 구현하기 위해서 막대한 신규 장비의 구입 및 그 패키지의 제조에 있어서 각기 개별로 제조가 이루어지기 때문에 각 패키지의 제조 단가가 높은 단점을 내포하고 있다.
도 1은 칩 스케일 패키지 관련 기술의 일 실시 예인 테세라(Tessera) 사(社)의 칩 스케일 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 칩 스케일 패키지(100)는 칩(1)의 하부면 상에 형성된 본딩 패드들(2)이 그들(2)에 각기 대응되는 플렉시블(flexible) 패턴(7)과 전기적으로 연결되어 있다.
그리고, 상기 플렉시블 패턴(7)의 하부 상에 관통 구멍들을 갖는 폴리이미드 재질의 절연 필름(4)이 부착되어 있으며, 상기 플렉시블 패턴(7)과 그 각기 솔더 범프들(6)은 표면에 전도성 물질이 코팅된 관통 구멍들에 의해 각기 전기적 연결된 구조를 갖는다.
여기서, 상기 칩(1)의 하부 면상의 본딩 패드들(2)이 형성되지 않은 부분과 상기 플렉시블 패턴(7)의 사이에 엘라스토머(elastomer)(3)가 개재되어 있다.
그리고, 상기 칩(1)은 핸들링 링(5)에 의해 고정되어 있으며, 상기 칩(1)의 상부 면은 상기 핸들링 링(5)에 대하여 노출되어 있는 구조를 갖는다.
이와 같은 구조를 갖는 패키지는, 일종의 μBGA 패키지로써 번인 검사가 가능하며 고밀도 실장이 가능한 플립 칩의 상호 접속 기술이다.
또한, 고 열 방출성과 다양한 검사에 대응되기 용이한 장점을 가지고 있으나 단위 공정별로 제조가 각기 개별로 진행되기 때문에 대량 생산이 되지 않는 단점이 있다.
도 2는 칩 스케일 패키지 관련 기술의 다른 실시 예인 미찌비시(Mitsubishi) 사의 칩 스케일 패키지의 일 부분을 절개하여 내부를 나타내는 사시도이다.
도 2를 참조하면, 칩 스케일 패키지(200)는 칩(11)의 상부면 상의 중심 부분에 형성된 본딩 패드들(12)이 그들(12)에 각기 대응되는 솔더 범프들(16)과 칩 상면에 형성되어 있는 회로 패턴들(17)에 의해 각기 전기적 연결되어 있다.
그리고, 상기 칩(11)과 회로 패턴들(17)을 포함하는 전기적 연결 부분을 외부의 환경으로부터 보호하기 위해서 성형 수지(15)에 의해 봉지되어 있다.
또한, 상기 솔더 범프들(16)의 일부분이 상기 성형 수지(15)에 대하여 노출되게 형성된 구조를 갖는다.
이와 같은 구조를 갖는 패키지는, 도 1에서 언급된 장점 이외에 칩 상면에 회로 패턴이 형성되어 있기 때문에 본딩 패드의 위치에 제한을 받지 않는 동시에 TSOP(thin small outline package)와 같은 신뢰성이 보장되는 장점이 있다.
그러나, 상기 솔더 범프의 크기가 크기 때문에 초 다핀 대응이 곤란하며 웨이퍼 제조 공정에서 회로 패턴들을 제조하기 때문에 조립 공정이 복잡하며 공정별 제조 단가가 높은 단점이 있다.
또한, 도 1의 칩 스케일 패키지와 동일하게 각기 칩 스케일 패키지가 개별로 제작되기 때문에 대량 생산이 되지 않는 단점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 웨이퍼 레벨에서 칩 스케일 패키지를 구현할 수 있으며, 조립 공정이 간소화됨으로써 대량 생산이 가능한 칩 스케일 패키지 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.
도 1은 칩 스케일 패키지 관련 기술에 의한 일 실시 예인 테세라(Tessera) 사(社)의 칩 스케일 패키지를 나타내는 단면도.
도 2는 칩 스케일 패키지 관련 기술에 의한 다른 실시 예인 미찌비시(Mitsubishi) 사(社)의 칩 스케일 패키지를 나타내는 단면도.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 의한 칩 스케일 패키지를 나타내는 단면도.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 의한 칩 스케일 패키지를 나타내는 단면도.
도 5 내지 도 7은 도 3의 칩 스케일 패키지가 제조되는 단계를 나타내는 단면도.
도 8 내지 도 12는 도 4의 칩 스케일 패키지가 제조되는 단계를 나타내는 단면도.
※ 도면의 주요 부분에 대한 설명 ※
1,10,11 : 칩 2,12 : 본딩 패드
6,16,40 : 범프14 : 스크라이브 라인(scribe line)
17 : 웨이퍼23,25 : 유리 기판
30 : 구리박 히트 싱크43 : 구멍
53,55 : 비전도성 접착제
상기 목적을 달성하기 위하여, 하부면에 복수개의 본딩 패드를 갖는 칩; 상기 칩의 하부면에 접착되어 있으며, 상기 본딩 패드들에 각기 대응되어 구멍이 형성되어 있는 유리 기판; 및 상기 구멍들에 형성되어 있으며, 상기 본딩 패드들에 각기 대응되어 전기적으로 연결된 범프;를 포함하는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 패키지(chip scale package)를 제공한다.
상기 다른 목적을 달성하기 위하여, 하부면에 복수개의 본딩 패드들을 갖는 칩들과 그 칩들을 구분하는 스크라이브 라인이 형성된 웨이퍼가 구비되는 단계; 상기 웨이퍼의 하부면에 비전도성 접착제에 의해 유리 기판이 접착되는 단계; 상기 유리 기판에 상기 본딩 패드들의 하부면까지 구멍이 형성되는 단계; 상기 구멍들에 범프가 형성되는 단계; 및 상기한 공정이 완료된 웨이퍼가 상기 스크라이브 라인을 따라서 절단되어 상기 칩들이 단위 패키지로 분리되는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 패키지의 제조 방법을 제공한다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 의한 칩 스케일 패키지를 나타내는 단면도이다.도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 의한 칩 스케일 패키지(300)는 하부면에 복수개의 본딩 패드(12)를 갖는 칩(10)과, 그 칩(10)의 하부면이 유리 기판(23)의 상부면에 비전도성 접착제(55)에 의해 접착되어 있으며, 상기 유리 기판(23)에는 상기 본딩 패드들(12)에 각기 대응된 위치에 구멍(43)이 형성되어 있으며, 그 구멍(43)에 범프(40)가 형성된 구조를 갖는다.
여기서, 상기 유리 기판(23)은 상기 칩(10)의 하부면에 접착되어 상기 칩의 본딩 패드들(12)을 외부의 환경으로부터 보호하며, 상기 칩(10)을 지탱하는 역할을 하게된다.
그리고, 상기 유리 기판(23)에 형성된 상기 구멍(43)의 폭은 상기 본딩 패드의 구멍의 폭 보다는 작게 형성된다.
그리고, 상기 범프(40)는 전기 전도성이 양호한 금이나 솔더 재질이다.
그리고, 상기 칩(10)의 두께가 0.3mm이고, 상기 유리 기판(23)의 두께가 1mm이고, 상기 접착제(55)와 범프(40)의 두께를 포함한다면, 상기 칩 스케일 패키지(300)의 두께는 0.5mm∼0.6mm이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 의한 칩 스케일 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예에 의한 칩 스케일 패키지(400)는 칩(10)의 상부면에 유리 기판(25)이 접착되어 있으며, 그 유리 기판(25) 사이에 열 전도도가 좋은 구리박 히트 싱크(30, copper foil heat sink)가 접착되어 있으며, 나머지 구조는 도 3의 패키지의 구조(300)와 동일하다.
여기서, 상기 칩(10)의 두께가 0.2mm이고, 상기 상·하 유리 기판(23,25)의 두께는 각각 1mm이고, 상기 접착제(53,55)와 범프(40)의 두께를 포함한다면, 상기 칩 스케일 패키지(400)의 두께는 0.5mm∼0.6mm이다.
상기 칩 스케일 패키지(400)의 제조 공정에서 언급하겠지만, 상기 칩(10)의 상부면에 유리 기판(25)이 접착되지 전에 상기 칩(10)의 상부면은 0.1mm정도 식각된다.
도 5 내지 도 7은 도 3의 칩 스케일 패키지가 제조되는 단계를 나타내는 단면도이다.
도 5를 참조하면, 하부면에 복수개의 본딩 패드(12)를 갖는 칩들(10)이 형성되어 있으며, 그 칩들(10)을 구분하는 스크라이브 라인(14, scribe line)이 형성된 웨이퍼(17)가 구비되고, 그 웨이퍼(17)의 하부면이 유리 기판(23)의 상부면에 비전도성 접착제(55)에 의해 접착된다.
여기서, 상기 도 5a 도는 단면도이기 때문에 상기 웨이퍼(17)의 하부면에 형성된 스크라이브 라인(14)이 도시되지 않기 때문에 상기 웨이퍼의 스크라이브 라인(14)이 형성된 위치를 도시하기 위해 가상선으로 점선을 사용하였으며, 상기 스크라이브 라인(14)은 상기 웨이퍼(17)에 형성된 상기 칩들(10)을 각각 구분하는 경계가 된다.
그리고, 상기 웨이퍼(17)의 두께는 0.3mm 정도이다.
도 6을 참조하면, 상기 본딩 패드들(12)에 각기 대응되는 유리 기판(23)과 비전도성 접착제(55)의 부분이 그 본딩 패드들(12)의 하부면까지 식각되어 구멍(43)이 형성된다.
여기서, 상기 구멍(43)은 통상적인 포토레지스트 공정에 의해 형성된다.
그리고, 상기 구멍(43)의 폭은 상기 본딩 패드(12)의 폭보다는 작게 형성된다.
만일, 상기 유리 기판(23) 하부면에 형성된 상기 구멍(43)의 폭이 상기 본딩 패드(12)의 폭 보다 클 경우에는 그 구멍들(43)에 형성될 범프들끼리의 거리가 가까워져 전기적 간섭 현상과 근접한 범프들끼리 붙는 불량이 발생될 수 있기 때문에 상기 구멍(43)의 폭은 상기 본딩 패드(12)의 폭 보다는 작게 형성된다.
도 7을 참조하면, 상기 유리 기판의 구멍들(43)에 범프(40)가 형성되어 상기 본딩 패드들(12)과 전기적으로 연결된다.
여기서, 상기 범프(40)는 전기 전도도가 양호한 금 또는 솔더 재질이다.
본 발명의 실시 예에서는 상기 구멍들(43)에 도팅(dotting)에 의해 상기 범프(40)의 재질이 채워져 범프가 형성되지만, 무전해 도금에 의해 상기 구멍들(43)을 도금시키고, 상기 구멍들(43)에 솔더 볼들을 정렬시킨 후 리프로우(reflow) 공정을 진행함으로써, 상기 솔더 볼들이 상기 구멍들(43)에 녹아 들어가 상기 칩의 본딩 패드(12)의 상부면에 접착되어 전기적으로 연결할 수도 있다.
상기한 공정이 완료된 상기 웨이퍼(17)는 각각의 패키지(300)로 분리하기 위하여 상기 스크라이브 라인(14)을 따라서 절단하게 된다.
도 8 내지 도 12는 도 4의 칩 스케일 패키지가 제조되는 단계를 나타내는 단면도이다.
도 8을 참조하면, 도 5와 동일하게 웨이퍼(17)의 하부면에 유리 기판(23)을 접착하고, 상기 웨이퍼(17)의 상부면을 0.1mm정도 식각하게 된다.
후술하겠지만, 상기 웨이퍼(17)의 상부면을 식각하는 이유는 상기 웨이퍼(17)의 상부면에 유리 기판(25)이 접착된 상태에서 개별 패키지(400)로 분리하는 절단 공정을 용이하게 실시하기 위하여 상기 웨이퍼(17)의 상부면을 0.1mm 정도 식각하게 된다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 상기 웨이퍼(17)의 상부면에 격자 구멍이 형성된 유리 기판(30)이 접착제(53)에 의해 접착된다.
상기 유리 기판(30)의 격자 구멍들은 상기 웨이퍼의 스크라이브 라인(14) 사이 즉, 칩의 본딩 패드들(12) 사이에 형성되어 있다.
그리고, 상기 유리 기판(30)의 격자 구멍들에 열 전도도가 좋은 구리박 히트 싱크(30,copper foil heat sink)가 상기 접착제(53)에 접착된다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 상기 웨이퍼(17)의 하부면에 형성된 칩의 본딩 패드들(12)에 대응되는 상기 유리 기판(23)의 위치에 구멍(43)이 형성된다.
그리고, 상기 구멍(43)에 범프(40)가 형성되어 상기 본딩 패드들(12)과 전기적으로 연결된다.
여기서, 상기 구멍(43)을 형성하는 공정은 도 7에서 언급된 내용과 동일하다.
그리고, 상기 범프(40)가 형성된 웨이퍼(17) 상태에서 각각의 패키지(400)로 분리하기 위하여 상기 웨이퍼의 스크라이브 라인(14) 따라서 절단하게 된다.
따라서, 본 발명의 구조를 따르면, 웨이퍼 레벨에서 칩 스케일 패키지를 구현할 수 있고 동시에 조립 공정이 간소화됨으로써 대량 생산이 가능한 이점이 있다.
그리고, 칩 상면에 구리 박막 히트 싱크가 부착되어 칩에서 발생되는 열을 효과적으로 방출할 수 있는 이점이 있다.

Claims (10)

  1. 하부면에 복수개의 본딩 패드를 갖는 칩;
    상기 칩의 하부면에 접착되어 있으며, 상기 본딩 패드들에 각기 대응되어 구멍이 형성되어 있는 유리 기판; 및
    상기 구멍들에 형성되어 있으며, 상기 본딩 패드들에 각기 대응되어 전기적으로 연결된 범프;를 포함하는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 패키지.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 구멍의 폭이 상기 본딩 패드의 폭 보다는 작게 형성된 것을 특징으로 하는 칩 스케일 패키지.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 칩의 상면에 히트 싱크가 접착된 것을 특징으로 하는 칩 스케일 패키지.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 히트 싱크가 구리박 히트 싱크인 것을 특징으로 하는 칩 스케일 패키지.
  5. 하부면에 복수개의 본딩 패드들을 갖는 칩들과 그 칩들을 구분하는 스크라이브 라인이 형성된 웨이퍼가 구비되는 단계;
    상기 웨이퍼의 하부면에 비전도성 접착제에 의해 유리 기판이 접착되는 단계;
    상기 유리 기판에 상기 본딩 패드들의 하부면 까지 구멍이 형성되는 단계;
    상기 구멍들에 범프가 형성되는 단계; 및
    상기한 공정이 완료된 웨이퍼가 상기 스크라이브 라인을 따라서 절단되어 상기 칩들이 단위 패키지로 분리되는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 패키지의 제조 방법.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 구멍의 폭이 상기 본딩 패드의 폭보다는 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 패키지의 제조 방법.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 웨이퍼의 상부면에 격자 구멍이 형성된 유리 기판이 접착되는 단계; 및 상기 유리 기판의 격자 구멍에 박막 히트 싱크가 삽입되어 접착되는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 칩 스케일 패키지의 제조 방법.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 웨이퍼의 상부면에 접착된 유리 기판의 격자 구멍이 상기 웨이퍼의 스크라이브 라인 안쪽에 형성된 것을 특징으로 하는 칩 스케일 패키지 제조 방법.
  9. 제 5항에 있어서, 상기 범프가 형성되는 단계는 상기 구멍들에 솔더 도팅에 의해 범프가 형성되는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 패키지 제조 방법.
  10. 제 5항에 있어서, 상기 범프가 형성되는 단계가 상기 구멍들에 각기 솔더 볼이 정렬되는 단계; 및
    상기 솔더 볼이 리프로우 솔더에 의해 상기 구멍들에 스며들어 상기 본딩 패드에 접착되어 범프가 형성되는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 칩 스케일 패키지 제조 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9799591B2 (en) 2014-11-12 2017-10-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor packages including thermal blocks

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