KR100194132B1 - 자기광학층 및 자기광학기록매체 - Google Patents

자기광학층 및 자기광학기록매체 Download PDF

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키요시 치바
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Abstract

본 발명은 실온에서 기판에 적층될 수 있는 파장이 400 내지 550nm와 같이 짧은 파장의 광선에 감응하며, 수직자화를 갖는 자기광학층에 관한 것이다. 이 자기광학층은 CoaPtbRuc[여기서, 20≤a≤70, 10≤b≤70, 10≤c≤60 및 a+b+c=100]또는 CodPteRef[여기서, d≤80, 5≤e, 5≤f, 40≤4d-5f 및 d+e+f=100]의 조성을 갖는 3원 합금으로 된 것이며, 층의 주표면에 수직하게 자화 용이축을 갖는다. 이 자기광학층은 상기 두가지 3원 합금물의 어떤 조합물이 CoPtRuRe의 4원 합금일 수도 있다.

Description

자기광학층 및 자기광학기록매체
제1도는 본 발명의 자기광학층의 CoPtRu 합금의 조성범위를 나타낸 도면이고,
제2도는 본 발명의 자기광학층의 CoPtRe 합금의 조성범위를 나타낸 도면이며,
제3도는 본 발명의 자기광학층의 CoPtReRu 합금의 조성범위를 나타낸 도면이며,
제4도는 실시예에서 CoPtRu 3원 합금층의 케르 이력곡선을 나타낸 도면이며,
제5도는 CoPtRe 합금기록층으로 이루어진 자기광학기록매체의 기록 및 재생특성을 나타낸 도면이다.
본 발명은 자기광학기록매체의 기록층으로 특히 유용한 자기광효과를 이용하는 자기광학층과 자기광학기록매체에 관한 것이다.
광학기록매체는 고밀도 및 대용량 정보기록매체로서 광범위하게 연구개발되어 왔다. 특히 이러한 자기광학기록매체는 반복적으로 기록 및 삭제할 수 있으므로 응용분야가 상당히 넣으며, 여러형태의 자기광학기록매체가 제안되어 있다.
지금까지, 자기광학기록시스템에서 주로 사용된 것은 830nm의 파장을 가지는 레이저빔이었다. 그럼에도 불구하고, 고밀도 기록을 달성하기 위한 장래의 시스템에서는 보통 사용되고 있는 레이저빔의 파장보다 짧은 파장인 400 내지 500nm의 범위를 갖는 레이저빔의 사용이 기대되고 있다.
보통 자기광학기록매체는 자기광학층의 주표면에 수직하게 자화 용이축(磁化 容易軸)을 갖는 TbFeCo와 같은 비결정성 희토류 전이금속 합금의 자기광학기록층이 사용되고 있다. 그럼에도 불구하고, 이러한 비결정성 희토류 전이금속 합금기록층은 상기와 같은 짧은 파장범위내에서는 효과적인 자기광효과를 나타내지 못하고 있다.
이러한 짧은 파장과 수직 자기 이방성에서 자기 광기록 효과를 나타내는 자기광학기록층을 달성하기 위하여, 백금과 코발트가 선택적으로 적층되어 있는 구조를 갖는 Co/Pt 다중층은 다층구조이기 때문에 복잡한 형성공정이 요구되어 생산성이 상당히 낮은 단점이 있다.
CoPt 합금층이 짧은 파장에서 자기광학특성이 우수하다는 것은 잘 알려져 있다[예를들면, K.H.J. Buhchow et al., J Magan. Mat., 38,1(1983)].
하지만, 수직 자화 이방성을 갖는 자기광학층을 얻기 위해서는 이 CoPt 층을 200℃로 가열된 기판위에서 전자빔 증착법으로 적층시키는 것이 요구된다[C.J.Lin et al., Appl. Phya. Lett., 61, 1600(1992)]. 이것은 생산성 측면에서 단점이 있고, 더욱이, 보통 자기광학기록매체로 사용되는 폴리카보네이트 기판과 같은 플라스틱 기판위에다 자기광학기록층을 적층하는 것이 불가능하다는 단점이 있다.
본 발명의 목적은 보통 사용되는 파장보다 짧은 파장에서 자기광효과를 가지며, 다층 초격자구조와 같이 생산공정이 복잡하지 않으면서 실온에서 적층될 수 있는 자기광학층을 제공하는데 그 목적이 있다. 이하 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명의 상기 목적, 다른 목적 및 특징은 본 발명의 제1구현예로서 CoaPtbRuc[여기서, 20≤a≤70, 10≤b≤70, 10≤c≤60 및 a+b+c=100]의 조성을 가지며, 자기광학층의 주표면에 수직하게 자화 용이축을 갖는 Co, Pt 및 Ru의 3원 합금의 자기광학층을 제공함으로써 달성되게 된다. 이 조성범위는 제1도에서 면적 ABCDE로 표시되어 있다.
자기광학층의 자기포화(磁氣飽和)를 달성하기 위한 외부 자기장은 기록층에 정보를 기록하는데 필요한 외부 자기장을 낮추기 위해 낮게 하는 것이 바람직하다. 상기 층의 주표면에 수직한 방향으로 적용되는 6KOe 이하의 외부 자기장에 의하여 상기 자기광학층의 자기포화를 달성하기 위해서는 상기 CoPtRu 3원 합금은 a≤70, 10≤b, 10≤c 및 a+b+c=100의 조성을 가져야 한다. 더욱이, 이러한 조성의 범위에서, 다른 적층조건의 조절에 의해 실온에서 수직 자화층을 얻을 수 있게 된다. 예를들면, 층의 두께를 20nm 이하로 만들므로서, 적층된 층은 수직 자화층이 되고, 개선된 장방형의 이력곡선(히스테리시스 루우프)을 갖게 된다. 더욱이, 120℃이하로 가열된 온도에서 상기 조성을 갖는 자기광학층을 적층함으로써 수직 자화층을 쉽게 얻을 수 있다. 120℃이하의 온도는 폴리카보네이트 기판과 같은 플라스틱 기판이 수용할 수 있는 온도이다.
다른 한편으로, 20≤a, b≤70 및 c≤60의 조성에서, 자기광학층은 실온 또는 그 이상의 퀴리 온도를 갖는다. 비록 자기광학 기록층의 기록감도가 층의 퀴리온도 감소로 증가한다 할지라도, 자기광학 기록층은 내구성을 갖도록 상당히 높은 예를 들면, 실온 이상의 퀴리온도를 가지는 것이 바람직하다.
더욱 바람직한 구현예로, CoPtRu 3원 합금의 자기광학층은 CoaPtbRuc, 여기서, 20≤a≤40, 10≤b≤30≤, 40≤c≤60 및 a+b+c=100의 조성을 갖는 것이 좋다. 이 조성범위내에서 수직 자화층은 실온에서의 적층에 의해 쉽게 얻을 수 있다. 즉, 실온에서 적층된 층은 양성의 유효 수직 자기 이방성 에너지를 갖는다(수직 자화의 방향은 유효 수직 자기 이방성 에너지의 평가에서 양성이 되게 선택된다). 이러한 조성의 바람직한 범위는 제1도에서 면적 DEFGHI로 표시되어 있다.
본 발명의 제2태양에서, CodPteRuf[여기서, d≤80, 5≤e, 5≤f, 40≤4d-5f 및 d+e+f=100]의 조성을 갖는 Co, Pt 및 Re의 3원 합금의 자기광학층을 제공한다. 상기 자기광학층은 자기광학층의 주표면에 수직하게 자화 용이층을 갖는다. 이 조성범위는 제2도에서 면적 JKLM으로 표시되어 있다.
만일, 자기광학층이 d≤80, 5≤e, 5≤f 및 d+e+f=100의 조성을 갖는다면, 층의 자화포화는 층의 주표면에 수직한 방향으로 적용되는 6KOe 이하의 외부 자기장에 의해서 얻어질 수 있다. 그 결과로, 작은 외부 자기장이 자기광학 기록층에 기록시에 사용될 수 있다. 또한, 이러한 조성범위에서, 실온에서 적층을 위한 공정조건을 조절함으로써 수직자화층이 얻어질 수 있다. 예를들면, 20nm의 층두께는 수직자화층이 만들어지도록 허락하게 되며, 이력곡선의 장방형을 개선시키게 된다. 더욱이, 층이 상기 조성을 가질 때, 자기광학층을 120℃보다 낮게 가열된 온도에서 적층시킴으로써 수직자화층을 쉽게 얻을 수 있다. 120℃ 보다 낮은 온도는 폴리카보네이트 기판과 같은 플라스틱 기판에 대해 허용가능한 온도이다.
다른 한편으로, d≤80, 5≤e, 5≤f의 조성에서, 자기광학층은 실온이상의 퀴리온도를 가질 수 있다. 비록 자기광학 기록층의 기록감도가 층의 퀴리온도를 낮춤으로써 증가한다 할지라도, 자기광학 기록층은 재구성을 갖도록 상당히 높은 예를 들면 실온이상의 퀴리온도를 갖게 하는 것이 바람직하다.
더욱 바람직한 구현예로서, CoPtRe 3원 합금의 자기광학층은 CodPteRef여기서, d≤75, 5≤e≤45, 5≤f 및 d+e+f=100의 조성을 갖는 것이 바람직하다.
이러한 조성범위에서, 실온에서 적층함으로써 수직자화층이 쉽게 얻어질 수 있다. 즉, 실온에서 적층된 층은 유효한 양성 수직 자기 이방성 에너지를 갖는다. 이 조성 범위는 제2도에서 면적 NKOPQ로 표시되어 있다.
추가로 바람직한 구현예로는, CoPtRe 3원 합금의 자기광학층은 CodPteRef[여기서, d≤75, 5≤e≤45, 5≤f , d≤3f 및 d+e+f=100이다. ]의 조성을 갖는다. 이 조성범위에서, 자기광학층은 400nm의 파장에서 0.1도 이상의 케르회전각 θk을 갖는다. 이 조성범위는 제2도에서 면적 QRSTU로 표시되어 있다.
본 발명의 3번째 태양으로, 상기 CoPtRe의 합금층에서 Re의 부위를 Re의 거의 두배량으로 Ru로 대체하였을 때 동등한 효과를 얻을 수 있음을 알게 되었다. 이 4원합금 자기광학층의 조성은 CogPthReiRuj[여기서, 15≤g(2g+2h+j)/(2g+2h)≤80, 5≤h(2g+2h+j)/(2g+2h), 5≤i+(j/2), 2g(2g+2h+j)/(2g+2h)≤3i+(3j/2), g+h+i+j=100 및 ghij≠0이다]로 나타낼 수 있다.
4원 합금의 조성범위는 제3도에서 면적 VWXYZ로 표시되어 있다.
상기 CoPtRu, CoPtRe 또는 CoPtRuRe 수직 자화층의 적층은 스펏터링, 증착 또는 분자선 에피톡시(MBE) 등으로 만들 수 있다. 이들 적층을 위한 타겟 또는 증착원은 CoPtRu, CoPtRe 또는 CoPtRuRe의 단일 합금, 각 합금에서 각 성분의 조합물 또는 이들의 복합물일 수 있다. 예를들면, Pt와 Ru 및/또는 Re 칩이 Co 타겟위에 형성되어 있는 복합물 타겟을 사용할 수 있다. 적층시 가열 또는 적층후의 열처리는 자기광학층의 특성을 개선시키는데 적합할 수 있다.
본 발명의 3원 또는 4원 합금의 자기광학층은 층의 수직 자화특성을 파괴하지 않는 한 Al, Si, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Fi, Cu, Zn, Ga, Zr, Rh, Ag, In, Sn, Sb, Hf, Ir, Au, Pb, Pd, Bi 등의 원소를 하나 또는 둘 이상 추가로 포함할 수 있다. 상기 하나 또는 둘 이상의 원소들은 추가로 자기광학층의 어떤 특성을 개선시키는 효과를 나타낼 수도 있다.
또한, 본 발명의 자기광학층은 효율을 개선시킬 수 있는, 예를들면 초격자구조의 자기광학층과 같이 자기광학층과 금속 또는 유전체층이 교대로 쌓여 있는 형태로도 이용될 수 있다.
본 발명의 자기광학층은 단일 결정질일 필요는 없고 전형적으로 다결정질이다. 따라서, 본 발명에 따른 자기광학층이 적층되는 기판 또는 하부층 또는 유전체층에 대해서는 특히 제한할 필요는 없다.
본 발명에 따른 자기광학층의 두께는 특히 제한할 필요는 없지만, 일반적으로 1내지 100nm이다.
본 발명의 자기광학층은 특히 자기광학기록매체에서 자기광학기록층으로 사용되기 위해 개발된 것이지만, 자기광학성질을 이용하는 다른 응용분야, 예를들면, 광학 절연체, 광학 센서와 같은 자기광학부재에도 이용될 수도 있다.
본 발명은 또한 기판과 이 기판위에 형성된 자기광학기록층으로 이루어져 있되 상기의 자기광학기록층은 상술한 바와 같이 3원 또는 4원 합금으로 만들어진 자기광학기록매체를 제공한다.
상기 기판은 전형적으로 유리 또는 폴리카보네이트와 같은 플라스틱으로 만들 수 있다.
자기광학기록매체에서, 하나 또는 둘 이상의 유전체층 및/또는 금속층은 자기광학기록층 아래 및/또는 위에 제공될 수 있다. 이들 층들은 최근의 자기광학기록매체로 잘 알려져 있으며, 층의 두께와 다른 성질들이 사용된 자기광학기록층과 레이저빔으로 바람직하게 조정되게 제공되어 있다면, 830nm의 파장을 가지는 레이저빔을 이용하는 최근의 자기과학기록매체에서 사용되는 것과 유사할 수 있다. 그리고, 추가로 유기보호층도 제공될 수 있다.
[실시예]
[실시예 1내지 15와 비교실시예 1내지 12]
DC 스펏터링 장치의 챔버에, 적층하고자 하는 조성물에 따라 pt와 Ru칩이 놓여있는 Co 타겟(100mm의 직경)의 복합타겟을 삽입하고 유리기판을 상기 복합타겟과 마주하고 있는 수냉테이블 위에 배치하였다. 0.7Pa(5미리토르)의 압력의 아르곤 분위기하에서, 100W의 전력으로 DC 스펏터링을 실시하여 유리기판 위에 100nm 두께의 CoPtRu 합금층을 적층하였다.
얻어진 CoPtRu 합금층을 다결정질이 되게 X-선 회절분석하였다.
얻어진 CoPtRu 합금층의 조성물을 오제(Auger) 전자분광분석과 유도결합플라즈마분석(IPC)으로 분석하였다.
본 발명의 실시예 1 내지 15와 비교실시예 1 내지 12에서 적층된 CoPtRu의 조성물은 제2도에 표시되어 있으며, 아래선은 Pt의 조성량(왼쪽 끝은 Pt 100원자%, 오른쪽 끝은 Pt 0원자%)을 나타내는 축이다. 왼쪽의 경사선은 Co의 조성량(윗쪽 끝은 100원자%, 아래쪽 끝은 0원자%)을 나타내는 축이다. 오른쪽의 경사선은 Ru의 조성량(윗쪽 끝은 0원자%, 아래쪽 끝은 100원자%)을 나타내는 축이다. 그리고, 표시 ◎는 실시예 1내지 3을 나타내고, 표시 ○는 실시예 4 내지 15를 나타내며, 표시 ×는 비교실시예 1 내지 12를 나타낸다.
적층된 층의 각종 자기적 성질은 케르 스펙트럼 측정장치, 진동시료자력계(VSM)와 자기토오크계로 평가하였다.
시료, 예를들면 적층된 층의 조성과 평가된 성질은 다음 표 1과 2에 나타나 있다.
표 1과 2에서, 조성물은 원자%로 표현되어 있으며, Keff(106erg/cc)는 유효 자기 이방성 에너지를 표시하는 것으로, 만일 이것이 양성이면, 자기층의 주표면에 수직한 자화방향을 나타내게 된다(Keff는 자기토오크계로 측정된 값을 시료의 자기기록층의 부피로 나누어서 얻어진 값이며, 상자성에너지로 보정되지 않는다.). Hs(KOe)는 수직 포화 자기장 예를 들면, 외부 자기장이 자기층에 수직하게 적용되었을 때, 포화된 자기층의 자화를 만드는 외부 자기장을 나타낸 것이다. Hc(KOe)는 보자(保磁)값을 나타낸 것이다. θk(도)는 400nm의 파장에서 측정된 포화된 케르회전각을 나타낸 것이다.
표 1과 2에서 보는 바와 같이, 수직 포화 자기장은 비교실시예 1 내지 12에서 6KOe 보다 크다. 그러나, 실시예 1 내지 15에서는 6KOe 보다 작다. 그리고, 유효 자기 이방성 에너지는 실시예 1 내지 3에서 양성이다. 상술한 바와 같이, 실시예 4 내지 15에서와 같이 동일 조성을 갖는 층은 적층 조건을 조절하거나 120℃이하의 온도로 기판을 가열시킴으로써 수직자화층을 만들 수 있게 되었다.
[실시예 16 내지 32 및 비교실시예 13 내지 25]
DC 스펏터링 장치의 챔버에, 적층하고자 하는 조성물에 따라 pt와 Re칩이 놓여있는 Co 타겟(100mm의 직경)의 복합타겟을 삽입하고 유리기판을 상기 복합타겟과 마주하고 있는 수냉테이블 위에 배치하였다. 0.7Pa(5미리토르)의 압력의 아르곤 분위기하에서, 100W의 전력으로 DC 스펏터링을 실시하여 유리기판 위에 100nm 두께의 CoPtRe 합금층을 적층하였다.
얻어진 CoPtRe 합금층을 다결정질이 되게 X-선 회절분석하였다.
얻어진 CoPtRe 합금층의 조성물을 오제 전자분광분석과 유도결합플라즈마분석(IPC)으로 분석하였다.
본 발명의 실시예 16 내지 32와 비교실시예 13 내지 25에서 적층된 CoPtRe의 조성물은 제3도에 표시되어 있으며 아래선은 Pt의 조성량(왼쪽 끝은 100원자%, 오른쪽 끝은 Pt 0원자%)을 나타내는 축이다. 왼쪽의 경사선은 Co의 조성량(윗쪽 끝은 100원자%이고, 아래쪽 끝은 0원자%)을 나타내는 축이다. 오른쪽의 경사선은 Re의 조성량(윗쪽 끝은 0 원자%이고, 아래쪽 끝은 100원자%이다)을 나타내는 축이다. 그리고, 표시 ◎는 실시예 16내지 18을 나타내고, 표시 ○는 실시예 29 내지 32를 나타내며, 표시 ×는 비교실시예 13 내지 25를 나타낸다.
적층된 층의 각종 자기적 성질은 케르 스펙트럼 측정장치, 진동시료자력계(VSM)와 자기토오크계로 평가하였다.
시료, 예를들면 적층된 층의 조성과 평가된 성질은 다음 표 3과 4에 나타나 있다.
표 3과 4에서 보는 바와 같이, 실온에서의 자화는 비교실시예 19 내지 24에서 0 이고, 수직 포화 자기장은 비교실시예 13 내지 18, 20내지 23 및 25에서 6KOe 보다 크다. 그러나, 실시예 16 내지 32에서는 6KOe 보다 작다. 그리고, 유효 자기 이방성 에너지는 실시예 29 내지 32에서와 같이 동일 조성을 갖는 층은 적층 조건을 조절하거나 120℃이하의 온도로 기판을 가열시킴으로써 수직자화층을 만들 수 있게 되었다.
더욱이, 케르 회전각 θ는 실시예 16과 18 내지 23에서 0.1도 보다 크다.
[실시예 33]
DC 스펏터링 장치의 챔버에, 적층하고자 하는 조성물에 따라 pt와 Re칩이 놓여있는 Co 타겟(100mm의 직경)의 복합타겟을 삽입하고 20nm의 두께의 AlSiN 비결정성 유전체층을 갖는 실리콘기판을 상기 복합타겟과 마주하고 있는 수냉테이블 위에 배치하였다. 0.7Pa(5미리토르)의 압력의 아르곤 분위기하에서, 100W의 전력으로 DC 스펏터링을 실시하여 AlSiN 유전체층 위에 9.3nm 두께의 CoPtRu 합금층을 적층하였다.
얻어진 CoPtRu 합금층을 다결정질이 되게 X-선 회절분석하였다.
이 CoPtRu 합금층은 수직 자화층을 나타내며, Co 53.6원자%, Pt 30.4원자% 및 Ru 16.0원자%의 조성을 갖고 있으며, 포화된 케르 회전각은 400nm에서 0.33도이며, 유효 자기 이방성 에너지는 5.4×10 erg/cc 이었다. 제4도는 합금층의 케르 이력곡선을 보여주고 있는데, 가로좌표는 층의 외부 표면에 수직하게 적용된 외부자기장을 나타내며, 세로좌표는 포화된 케르 회전각에 대한 케르 회전각의 상대값이다. 잔류자기는 잔류 케르 회전각에 대한 포화된 케르 회전각의 비로서, 0.95이었다.
[실시예 34]
DC 스펏터링 장치의 챔버에, 적층하고자 하는 조성물에 따라 pt와 Re 및 Ru 칩이 놓여있는 Co 타겟(100mm의 직경)의 복합타겟을 삽입하고, 20nm의 두께의 AlSiN 비결정성 유전체층을 갖는 실리콘기판을 상기 복합타겟과 마주하고 있는 수냉테이블 위에 배치하였다.
0.7 Pa(5미리토르)의 압력의 아르곤 분위기하에서, 100W의 전력으로 DC 스펏터링을 실시하여 AlSiN 유전체층 위에 11.2nm 두께의 CoPtReRu 합금층을 적층하였다.
CoPtReRu 합금층은, Co 48.8원자%, Pt 26.5원자%, Re 9.1원자% 및 Ru 15.6원자%의 조성을 갖고 있으며, 포화된 케르 회전각은 400nm에서 0.23도이며, 유효 자기 이방성 에너지는 1.2×10 erg/cc 이었다. 장방형 비율은 0.95이었다.
[실시예 35]
직경이 130mm이고, 두께가 1.2mm이며, 트랙 피치가 1.0㎛이고, AlSiN 비결정성 유전체층의 두께가 20mm이며, CoPtRe 합금 자기광학층의 두께가 10nm이고, AlSiN 비결정성 유전체층의 두께가 50nm이며, AlAu합금층의 두께가 25nm인 홈이 있는 폴리카보네이트 디스크 위에 연속적으로 적층하여 자기광학기록매체를 제조하였다. 이 CoPtRe 기록층은 Co 72.9원자%, Pt 20.3원자% 및 Re 6.8원자%의 조성을 갖고 있었다.
자기광학기록은 이 자기광학기록 디스크상에서 수행하였다. 기록 및 재생하기 위하여 사용된 레이저는 파장이 533nm, 선형속도가 5.56m/sec, 기록주파수가 1.39MHz, 기록외부자기장이 200 Oe 및 재생레이져출력이 1.5mW인 레이저빔이었다.
제5도는 자기광학기록 디스크의 기록 및 재생특성을 보여주고 있다. 가로좌표는 레이저빔의 출력이고, 세로좌표는 반송파(C)와 잡음(N)의 레벨이다.
제5도에서 보는 바와 같이, 기록 및 재생은 레이저 파장 533nm에서 수행되어야 하며 최대 반송파대 잡음비가 25.4dB이었다.

Claims (7)

  1. CoaPtbRuc[여기서, 20≤a≤70, 10≤b≤70, 10≤c≤60 및 a+b+c=100]의 조성을 가지며, 자기광학층의 주표면에 수직하게 자화 용이축을 갖는 Co, Pt 및 Ru의 3원합금으로 된 자기광학층.
  2. 제1항에 있어서, 20≤a≤40, 10≤b≤30, 40≤c≤60인 자기광학층.
  3. CodPteRef[여기서, d≤80, 5≤e, 5≤f, 40≤4d-5f 및 d+e+f=100]의 조성을 가지며, 자기광학층의 주표면에 수직하게 자화 용이축을 갖는 Co, Pt 및 Re의 3원 합금으로 된 자기광학층.
  4. 제3항에 있어서, d≤75, 5≤e≤45, 5≤f 및 40≤4d-5f인 자기광학층.
  5. 제3항에 있어서, d≤70, 10≤e≤45, 5≤f 및 d≤3f인 자기광학층.
  6. CogPthReiRuj[여기서, 15≤g(2g+2h+j)/(2g+2h)≤80, 5≤h(2g+2h+j)/(2g+2h), 5≤i+(j/2), 2g(2g+2h+j)/(2g+2h)≤3i+(3j/2), g+h+i+j=100 및 ghij≠0이다]의 조성을 가지며, 자기광학층의 주표면에 수직하게 자화용이축을 갖는 Co, Pt, Re 및 Ru의 4원 합금으로 된 자기광학층.
  7. 기판과, 이 기판위에 상기 제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 따른 자기기록층이 형성되어 있는 것으로 이루어진 자기광학기록매체.
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