KR100186545B1 - Optical disc and its manufacturing method of phase changeable high density - Google Patents
Optical disc and its manufacturing method of phase changeable high density Download PDFInfo
- Publication number
- KR100186545B1 KR100186545B1 KR1019960015947A KR19960015947A KR100186545B1 KR 100186545 B1 KR100186545 B1 KR 100186545B1 KR 1019960015947 A KR1019960015947 A KR 1019960015947A KR 19960015947 A KR19960015947 A KR 19960015947A KR 100186545 B1 KR100186545 B1 KR 100186545B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- dielectric layer
- phase change
- recording
- dielectric
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/266—Sputtering or spin-coating layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
본 발명은 재생전용 및 반복기록 가능한 상변화형 광디스크에 초해상 기술을 적용하여 주행방향 및 트랙방향의 기록밀도를 향상시킨 상변화형 광디스크 및 그의 제조방법을 제공함을 목적으로 하고 있다.It is an object of the present invention to provide a phase change optical disc and a method of manufacturing the same which improve the recording density in the running direction and the track direction by applying a super resolution technique to a phase change optical disc capable of reproducing only and repeatedly.
이와 같은 목적을 달성항기 위한 본 발명의 상변화형 광디스크는, 폴리카보네이트 기판과, 상기 기판상에 형성되는 제 1 유전체층과, 상기 제 1 유전체층상에 상변화형 물질로 형성되는 재생층과, 상기 재생층상에 형성되는 제 2 유전체층과, 상기 제 2 유전체층에 형성되는 상변화형 물질로 형성되는 기록층과, 상기 기록측상에 형성되는 제 3 유전체층과, 상기 제 3 유전체층상에 순차로 형성되는 반사막 및 보호막을 포함함을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a phase change type optical disc comprising a polycarbonate substrate, a first dielectric layer formed on the substrate, a reproduction layer formed of a phase change material on the first dielectric layer, A second dielectric layer formed on the reproduction layer, a recording layer formed of a phase change material formed on the second dielectric layer, a third dielectric layer formed on the recording side, and a reflective film formed sequentially on the third dielectric layer And a protective film.
Description
제 1 도는 종래의 초해상 RAD 방식을 이용한 광자기 디스크의 재생원리를 설명하기 위한 도면,FIG. 1 is a view for explaining the principle of reproduction of a magneto-optical disk using a conventional super-resolution RAD system,
제 2 도는 종래의 초해상 FAD 방식을 이용한 광자기 디스크의 재생원리를 설명하기 위한 도면,FIG. 2 is a view for explaining the principle of reproduction of a magneto-optical disk using a conventional super-resolution FAD system,
제 3 도는 본 발명의 제 1 실시예의 초해상을 이용한 고밀도 상변화형 광디스크의 단면을 모식적으로 나타낸 도면,FIG. 3 schematically shows a cross-section of a high-density phase-change optical disc using a super-resolution of the first embodiment of the present invention,
제4도는 본 발명의 제 1 실시예의 RAD 방식에 의한 재생원리를 나타낸 도면,FIG. 4 is a diagram showing a reproduction principle by the RAD scheme of the first embodiment of the present invention,
제5도는 본 발명의 제 2 실시예의 초해상을 이용한 고밀도 상변화형 광디스크의 단면을 모식적으로 나타낸 것이다.FIG. 5 schematically shows a cross section of a high-density phase-change optical disc using a super-resolution of the second embodiment of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS
1, 1' : 재생영역 2, 2' : 마스크 영역1, 1 ': reproduction area 2, 2': mask area
3, 3' : 재생층 4, 4' : 기록층3, 3 ': reproducing layer 4, 4': recording layer
5, 5' : 트랙 6 : 교환층5, 5 ': track 6: exchange layer
10 : 기판 11, 13, 15 : 유전체층10: substrate 11, 13, 15: dielectric layer
12 : 상변화형 재생층 14 : 상변화형 기록층12: phase change type reproducing layer 14: phase change type recording layer
16 : 반사층 17 : UV 수지층16: reflective layer 17: UV resin layer
18 : 재생영역 19 : 마스크 영역18: reproduction area 19: mask area
20 : VTD층20: VTD layer
본 발명은 멀티미디어용 광기록 매체에 관한 것으로, 특히 초해상을 이용한 고밀도 상변화형 광디스크 및 그의제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical recording medium for multimedia, and more particularly, to a high density phase change type optical disc using super resolution and a method of manufacturing the same.
상변화형 광디스크는 고밀도를 실현하기 위한 여러가지 기술들이 제안되고 있다.Various techniques for realizing a high density of a phase change type optical disk have been proposed.
예를들면, 마크엣지기술, PRM 기술, 랜드/그루브 기록 기술, 단과장 레이저와 큰개구(short laser wave length and large numericAl aperture)를 가진 대물렌즈 사용 기술 및 초행상 기술 등이다.Examples include mark-edge technology, PRM technology, land / groove recording technology, objective lens using technology with a short-wavelength laser and a large aperture (large numerical Al aperture), and superimposing technology.
특히 초해상 기술은 광자기 디스크에서 여러가지 방식이 제안되었다.In particular, super-resolution techniques have been proposed for various types of magneto-optical disks.
이를 크게 분류하여 수직자화막을 이용하 방식, 면내자화막을 이용한 방식 등이 있다.This is largely classified into a method using a vertical magnetization film, a method using an in-plane magnetization film, and the like.
이중에서 재생층에 수직자화막을 이용한 자성다층막의 방식을 빔스폿중의 재생영역의 위치에 따라 크게 FAD(Front Aperture Detection )방식, RAD(Rear Aperture Detection)방식, 더블마스크(Double Mask)방식, CAD(Centure Aperture Detecti on) 방식으로 분류되고 있다.Of these, the magnetic multilayered film using the perpendicular magnetization film in the reproducing layer can be divided into two types depending on the position of the reproducing region in the beam spot: FAD (Front Aperture Detection) method, RAD (Rear Aperture Detection) (Centure Aperture Detection) method.
FAD방식은 빔스폿트 전방의 저온부분을 , RAD 방식은 후방의 고온부분을, CAD방식은 중앙의 고온부분을 각각 재생영역으로 하고 있다. 또 더블마스크 방식은 소정의 온도영역을 재생영역으로 하고 있다.The FAD system uses the low temperature part in front of the beam spot, the RAD system uses the high temperature part behind it, and the CAD system uses the high temperature part in the center as the reproduction area. In the double mask method, a predetermined temperature region is used as a reproduction region.
FAD 방식 및 RAD 방식의 동작 원리를 각각 나타내면 제 1 도 및 제 2 도와 같다.FAD method and RAD method, respectively, are the same as those of the first and second embodiments.
RAD 방식의 동작원리는 제 1 도데 도시된 바와 같이, 회전중인 디스크 매체상에 레이저광을 조사하면, 레이저광과 매체의 상대온도와 매체의 열확산 속도의 차이때문에 빔스폿(Beam Spot)의 중심보다 후방이 온도가 높게 된다.As shown in FIG. 1, when a laser beam is irradiated on a rotating disk medium, the difference between the relative temperature of the laser beam and the medium and the thermal diffusing speed of the medium causes the beam spot The temperature at the rear becomes higher.
이 높은 온도영역이 개구(Aperture)로 재생영역(1)이 되고, 빔전방의 저온영역이 광학마스크 영역(2)이 된다.This high temperature region becomes the reproduction region 1 with an aperture and the low temperature region in front of the beam becomes the optical mask region 2. [
그리고 매체구성은 재생층(3), 기록층(4)으로 되는 교환결합 2층막이 된다.And the media constitution is an exchange coupling two-layer film constituted of the reproduction layer 3 and the recording layer 4.
재생전에 초기화 자계 Hini에 의해 재생층(3)이 자화를 초기화 자계의 방향으로 일치시키고, 재생시에 외부로부터 재생자계 Hr를 인가하고, 고온영역에서 기록층(4)으로 부터 정보를 재생층(3)에 전사하여 재생한다.The reproduction magnetic field Hr is applied from the outside at the time of reproduction and the information is reproduced from the recording layer 4 in the high temperature region to the reproducing layer 3 ).
그리고 RAD 방식에서는 제 1 도에 나타낸 바와같이, 재생영역(1)이 트랙(5)내에 형성되는 원형에 가까워 범주행 방향 뿐만 아니라 트랙방향으로도 기록밀도를 향상시키는 것이 가능하다.In the RAD system, as shown in FIG. 1, the reproduction area 1 is close to a circle formed in the track 5, so that it is possible to improve the recording density not only in the category row direction but also in the track direction.
이에 대하여, FAD 방식은 제 2 도에 도시된 바와 같이, 매체구성이 재생층(3') 및 기록층(4')과 이들 사이에 형성되는 교환층(6)의 3층구조로 되며, 재생영역(1')과 마스크 영역(2')은 RAD 방식의 경우와는 상반되게 재생영역(1')이 트랙(5')외부까지 연장되게 형성되는 초생달 모양으로 되기 때문에 범주행 방향의 기록밀도를 향상시킬 수 있지만 트랙의 폭을 좁게하면 인접 트랙으로 부터의 재생신호의 크로스토크(cross tAlk)가 커져서 트랙밀도를 향상시키는 것이 어렵게 된다.On the other hand, as shown in FIG. 2, the FAD system has a three-layer structure including a reproduction layer 3 'and a recording layer 4' and a exchange layer 6 formed therebetween, The area 1 'and the mask area 2' have a crescent shape in which the reproduction area 1 'is extended to the outside of the track 5', contrary to the case of the RAD system, However, if the width of the track is narrowed, the cross talk (cross tAlk) of the reproduced signal from the adjacent track becomes large, and it becomes difficult to improve the track density.
상술한 초해상 기술은 모두 광자기 디스크에 적용시키는 것으로, 재생영역에 레이저빔을 가하여 기록층의 자화상태(기록상태)를 재생영역으로 전사시켜 재생사는 방식에 대하여서이나 초해상 기술을 상변화형 광디스크에 적용시켜 고밀도를 구현시킨 예는 아직까지 제안된바 없었다.All of the super-resolution techniques described above are applied to a magneto-optical disk. The super resolution technique is applied to a method of transferring a magnetized state (recording state) of a recording layer to a reproducing region by applying a laser beam to the reproducing region, There has not been proposed an example in which high density is applied to an optical disc.
이는 각 매체를 구성하고 있는 재료에 대한 연구가 미흡하기 때문인 것으로 사료된다.This is due to the lack of research on the materials constituting each medium.
따라서, 본 발명은 재생전용 및 반복기록 가능한 상변화형 광디스크에 초해상 기술을 적용하여 주행방향 및 트랙방향의 기록밀도를 향상시킨 상변화형 광디스크 및 그의 제조방법은 제공함을 목적으로 하고 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a phase change type optical disc and a method of manufacturing the same, which have improved recording density in a running direction and a track direction by applying super resolution technology to a phase-change type optical disc capable of reproducing only and repeatedly.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 상변화형 광디스크는, 폴리카보네이트 기판과, 상기 기판상에 형성되는 제 1 유전체층과, 상기 제 1 유전체층과, 상기 제 2 유전체층상에 형성되는 상변화형 물질로 형성되는 기록층과, 상기 기록층상에 형성되는 제 3 유전체층과, 상기 제 3 유전체층상에 순차로 형성되는 반사막 및 보호막을 포함함을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a phase change type optical disc comprising a polycarbonate substrate, a first dielectric layer formed on the substrate, a first dielectric layer, and a phase change material A third dielectric layer formed on the recording layer, and a reflective film and a protective film sequentially formed on the third dielectric layer.
이하 본 발명의 실시에에 대하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the practice of the present invention will be described in detail.
제 3 도는 본 발명의 상변화형 광디스크의 단면을 모식적으로 나타낸 것으로서, 폴리카 보네이트 기판(10)과, 사익 폴리카보네이트 기판(10)상에 ZnS-SiO2로 형성된 약 100-300nm 두께의 제 1 유전체층(10)과, 상기 제 1 유전체층(11)상에 In-Se, Ge-Te-Se 또는 Sb-Se-Bi로 형성된 약 5-30nm 두께의 상변화형 재생층(12)과, 상기 재생층(12)상에 SiO2계의 유전체로 형성된 약 5-3nm두께의 제 2 유전체층(13)과, 상기 제 2 유전체층(13)상에 GeTe-Sb2Te3로 형성된 20-100nm 두께의 ZnS-SiO2로 적층된 제 3 유전체층(15)과, 상기 제 3 유전체층(15)상에 순차적으로 형성된 Al금속의 반사층과 UV 수지층(17)로 구성되어 있따.3 schematically shows a cross section of a phase change type optical disc according to the present invention. The polycarbonate substrate 10 includes a polycarbonate substrate 10 and a polycarbonate substrate 10. The polycarbonate substrate 10 is made of ZnS-SiO 2 and has a thickness of about 100-300 nm A phase change type regeneration layer 12 of about 5-30 nm thickness formed of In-Se, Ge-Te-Se or Sb-Se-Bi on the first dielectric layer 11, A second dielectric layer 13 of about 5-3 nm thickness formed of a SiO 2 system dielectric and a second dielectric layer 13 of 20-100 nm thickness formed of GeTe-Sb 2 Te 3 on the second dielectric layer 13, A third dielectric layer 15 laminated with ZnS-SiO 2 , a reflective layer of Al metal sequentially formed on the third dielectric layer 15, and a UV resin layer 17.
그리고, 본 실시예에서는 생략되어 있으나 상기 기록층(14)과 제 3 유전체층(15) 사이에는 필요에 따라 SiO2나 금속으로 형성되는 중간층을 삽입하여도 된다.Although not shown in this embodiment, an intermediate layer formed of SiO 2 or metal may be interposed between the recording layer 14 and the third dielectric layer 15, if necessary.
이상과 같이 구성된 본 발명의 광디스크에 정보를 기록하고 재생하는 방법은, 먼저 광디스크가 성막된 상태에서의 비정질 상태인 재생층(12)과 기록층(14)에 기초화 과정으로 높은 파워의 레이저 펄스를 인가시켜 재생층(12)과 기록층(14) 모두를 결정질 상태로 만든다.The method of recording and reproducing information on the optical disc of the present invention constituted as described above is characterized in that the recording layer 14 and the reproducing layer 12 in the amorphous state in which the optical disc is formed are irradiated with a laser pulse So as to convert both the reproduction layer 12 and the recording layer 14 into a crystalline state.
그리고 기록시에는 기록층(14)에 레이저빔의 초점이 맞도록 하여 레이저를 조사시켜 기록층(14)에 마크를 기록한다.At the time of recording, marks are recorded on the recording layer 14 by irradiating the recording layer 14 with a laser so that the laser beam is focused.
재생시에는 인가된 레이저빔으로 인한 온도상승에 의해 기록층(14)의 기록마크에 방향을 받지 않도록 엑취에이터(actuator)를 이용하여 레이저빔의 초점이 재생층(12)에 맞추어진 상태에서 재생층(12)에만 레이저빔을 조사하면, 제4도에 도시된 바와 같이, 흡수된 열은 움직이는 디스크 방향으로 모아지기 때문에 빔스폿(beam spot)의 후방의 온도가 높게 되고 이로 인해 후방영역의 온도가 전이온도 이상으로 되므로 투과도가 높은 비정질 영역(18)으로 되어 빛을 투과하는 개구(재생영역)(18)로된다.The laser beam is focused on the reproducing layer 12 by using an actuator so as not to receive the recording mark in the recording layer 14 due to the temperature rise due to the applied laser beam, As shown in FIG. 4, when the laser beam is irradiated only on the beam spot 12, since the absorbed heat is collected in the direction of the moving disk, the temperature behind the beam spot becomes high, And becomes an amorphous region 18 having a high transmittance and becomes an opening (reproduction region) 18 through which light is transmitted.
한편, 온도가 낮은 나머지 전방영역은 투과도가 낮은 결정질 영역으로 되어 광학마스크 역할을 하게 되는 광마스크 영역(19)으로 된다.On the other hand, the remaining front region having a low temperature becomes a crystalline region having a low transmittance, and becomes a photomask region 19 serving as an optical mask.
이때 개구(재생영역)(18)은 빔스폿의 전방의 일부분에 빔스폿보다 작은 직경으로 형성되기 때문에 일반적인 상변화형 광디스크의 재생시에는 공간주파수(SpatiAl Frequency)2NA/λ(단, NA는 개구수(Number of Aperture), λ는 파장) 보다 높은 경우에는 비트(bit)를 재생할 수 없으나, 본 발명은 빔스폿 보다 작은 직경을 가지는 빔스폿의 고온영역인 개구부분만 재생하기 때문에 공간주파수가 2NA/λ 보다 높은 경우에도 재생하는 것이 가능하다.At this time, since the aperture (reproduction area) 18 is formed in a part of the front side of the beam spot with a smaller diameter than the beam spot, a spatial frequency (SpatiAl frequency) 2NA / (The number of apertures) and λ is the wavelength), the present invention can reproduce only the aperture portion which is the high temperature region of the beam spot having a smaller diameter than the beam spot, so that the spatial frequency is 2NA / It is possible to reproduce even if it is higher.
그리고 본 발명은 재생층의 물질로 In-Se, Ge-Te-Se, Sb-Se-Bi등을 사용하고 있기 때문에 결정질과 비정질의 투과도 차이가 20% 이상이고, 결정화 온도가 200℃ 부근이며 용융온도는 기록층의 결정화 온도보다 약 100℃더 높다.Since the In-Se, Ge-Te-Se and Sb-Se-Bi are used as the material of the regeneration layer, the difference in permeability between crystalline and amorphous is 20% or more, the crystallization temperature is around 200 ° C, The temperature is about 100 DEG C higher than the crystallization temperature of the recording layer.
따라서 재생층의 전이온도 이전과 이후에서의 요구하는 투과도의 차이가 20% 이상이고 재생층의 결정화 온도가 기록츠의 결정화 온도보다 50℃ 이상 높기 때문에 기록할 때 재생층이 변동되는 것을 방지할 수가 있음과 동시에 재생시에 광학마스크 영역과 개구(재생영역)로 명백하게 나누어진다.Therefore, since the difference between the required transmittance before and after the transition temperature of the reproduction layer is 20% or more and the crystallization temperature of the reproduction layer is 50 ° C or more higher than the crystallization temperature of the recording layer, fluctuation of the reproduction layer can be prevented And is clearly divided into an optical mask area and an opening (playback area) at the time of reproduction.
그리고, 재생층(12)과 기록층(14) 사이에는 투과도가 높고 열팽창계수와 열전도도가 낮은 SiO2계의 제 2 유전체층이 형성되어 있기 때문에 재생층(12)과 기록층(14) 사이에 물질유동과 열유동을 방지할 수 있게 된다.Since a SiO 2 -based second dielectric layer having a high transmittance and a low thermal expansion coefficient and a low thermal conductivity is formed between the reproduction layer 12 and the recording layer 14, Thereby preventing material flow and heat flow.
본 실시예에서는 기록층 재료는 GeTeTe계 뿐만 아니라 Te-Ge-Sb-S, Te-Ge-As계 등을 이용할 수 있고, 이들을 이용하는 경우에는 재생층(12)을 투과한 낮은 파워의 레이저에도 쉽게 비정질로 변할 수 있는 낮은 융점을 갖게 된다.In this embodiment, the recording layer material can be Te-Ge-Sb-S, Te-Ge-As or the like as well as the GeTeTe system. It has a low melting point which can be changed into an amorphous state.
그리고 높은 열감지도(high themAl sensitvity)를 얻기 위해서는 낮은 열전도도를 갖는 BiSb4등을 반사층으로 사용할 수 있다.And BiSb 4 with a low thermal conductivity can be used as a reflective layer to obtain a high high-Al sensitivity.
한편 제 1 실시예의 초해상을 이용한 고밀도 상변화형 광디스크의 제조방법에 대하여 설명하면 다음과 같다.A method of manufacturing a high density phase change type optical disc using the super resolution method according to the first embodiment will be described as follows.
먼저, 폴리카보네이트 기판(10)상에 ZnS-Sio2를 약 100-300nm 두께로 스파터링하여 제 1 유전체층(11)을 형성한다.First, ZnS-Sio 2 is sputtered to a thickness of about 100-300 nm on the polycarbonate substrate 10 to form a first dielectric layer 11.
상기 제 1 유전체층(11)상에 상변화형 물질인 In-Se를 Se가 원자% 30~50로 하고 5-30m 두께로 하여 재생층(12)을 성막시킨 후 이어, SiO2계의 제 2 유전층을 (13)을 약 5-30nm 두께로 성막시킨다.The regenerated layer 12 is formed on the first dielectric layer 11 by changing the In-Se phase-change material to a thickness of 5-30 m at 30 to 50 atom% of Se, (13) is formed to a thickness of about 5-30 nm.
그후 상기 제 2 유전체층(13)위에 Sb2Te3와 GeTe로 코스퍼터링(cosputtering)하여 GeTe-Sb2Te3로 되는 기록층(14)을 약 20-100nm의 두께로 성막시킨다.Thereafter, the recording layer 14 made of GeTe-Sb 2 Te 3 is deposited to a thickness of about 20-100 nm by co-sputtering with Sb 2 Te 3 and GeTe on the second dielectric layer 13.
이어 상기 기록층(14)위에 ZnS-SiO2으로 되는 제 3 유전체층(15)을 제 1 유전체층(11)보다 얇게(예를들어 30-200nm) 적층한다.A third dielectric layer 15 made of ZnS-SiO 2 is laminated on the recording layer 14 to have a thickness (for example, 30-200 nm) thinner than the first dielectric layer 11.
그후 다시 제 3 유전체층(15)위에 반사층(16)으로 Al 금속층을 적층하고 이어 상기 반사층(16)상에 UV 수지를 도포하여 UV 수지층(17)을 형성한다.Thereafter, an Al metal layer is laminated on the third dielectric layer 15 with a reflective layer 16, and then a UV resin is applied on the reflective layer 16 to form a UV resin layer 17.
상기 제 1 실시예의 제조방법에 있어서는 재생층(12)으로 In-Se를 사용하였으나 이는 Ge-Te-Se 또는 Sb-Se-Bi로 대체할 수 있으며, 기록층(14)의 GeTe-Sb2Te3역시 Te-Ge-Sb-S 또는 Te-Ge-As계 등으로 대체할 수도 있다.Although the first exemplary embodiment using the In-Se to the reproducing layer 12. In the manufacturing method, which GeTe-Se or Sb-Se-Bi can be replaced by a recording layer 14 of the GeTe-Sb 2 Te 3 may also be replaced by Te-Ge-Sb-S or Te-Ge-As.
그리고 상기 제 1 유전층(11)은 두께가 100m 이하인 경우에는 기판쪽으로 충분히 열을 차단하지 못하여 막두께가 커짐에 따른 기계적 강도를 증가하지만 기록소거의 반복에 따른 열축적에 의한 반복특성 저하를 초래할 수 있다.If the thickness of the first dielectric layer 11 is 100 m or less, the heat can not be sufficiently blocked toward the substrate, thereby increasing the mechanical strength as the film thickness increases. However, the first dielectric layer 11 may cause repeated deterioration due to heat accumulation have.
제 2 유전체층에서 두께가 5nm이하이면 재생층(12)과 기록층(14) 사이의 물질이동을 방지할 수 없으며 30nm이상이면 엑취에이터 사용시 레이저빔의 포커싱에 어려움이 있다.If the thickness of the second dielectric layer is 5 nm or less, mass transfer between the reproduction layer 12 and the recording layer 14 can not be prevented. If the thickness is 30 nm or more, it is difficult to focus the laser beam when using an optical pickup.
또한 제 3유전체층은 제 1 유전체층 보다 얇게 되도록 설정되어야 하며 예를들어 30-200nm, 바람직하게는 100nm이며, 30nm이하이면 금속층인 반사층(6)에 의한 기록층(14)의 보호가 미흡하고, 200nm 이상이면 기록층(14)의 열이 반사층(16)으로 급속히 전도되지 않게 된다.If the third dielectric layer is set to be thinner than the first dielectric layer, for example, 30-200 nm, preferably 100 nm, and 30 nm or less, protection of the recording layer 14 by the reflective layer 6, which is a metal layer, , The heat of the recording layer 14 is not rapidly transferred to the reflective layer 16.
그리고 이들 제1내지 제 3 유전체층은 단독으로 그의 두께가 결정되기 보다는 이들의 기계적, 광학적 특성 등을 고려하여 상기 범위내에서 선택된다.These first to third dielectric layers are selected within the above range in consideration of their mechanical and optical characteristics, rather than their thickness.
제5도는 본 발명의 제 2 실시예의 광디스크의 단면을 모식적으로 나타낸 것이다.FIG. 5 schematically shows a cross section of an optical disc according to a second embodiment of the present invention.
제 1 실시예가 초해상 기술을 적용하기 위해 전이온도점 전후에서 투과도가 적어도 20 %이상 차이가 나는 In-Se, Ge-Te-Se, Sb-Se-Bi 등의 상변화형 금속을 재생층으로 하고 있는데 반하여 제 2 실시예는 역시 초해상 기술을 적용시키기 위해 전이온도 전후에서 광의 투과도가 다른 다이폴리머(dye polymer)를 상기 상변화형 금속대신 사용하고 다이폴리머 자체는 유전체로서 상기 제 2 유전체층(13)의 역할을 겸할 수 있기 때문에 상기 상변화형의 금속층의 재생층(12)과 상변화형 기록층(14) 사이 삽입 형성된 제 2 유전체층(13)을 생략한 것이 다르며, 그 이외는 제 1 실시예와 구성이 동일하다.In order to apply the super resolution technique, the first embodiment uses a phase change type metal such as In-Se, Ge-Te-Se and Sb-Se-Bi, which has a transmittance difference of at least 20% The second embodiment also uses a dye polymer different in transmittance of light before and after the transition temperature instead of the phase change metal to apply the super resolution technology and the dipolymer itself is used as a dielectric in the second dielectric layer 13 differs from that in which the second dielectric layer 13 formed by interposing the regenerated layer 12 of the phase change type metal layer and the phase change recording layer 14 is omitted. The configuration is the same as the embodiment.
따라서 동일구성 부분에 대하여서는 동일 부호를 인용하고 이들에 대한 구체적인 설명을 생략한다.Therefore, the same components are denoted by the same reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted.
한편, 상기 제 2 실시예의 광디스크 제조방법에 대하여 설명한다.The optical disc manufacturing method of the second embodiment will be described.
제 1 실시예와 같이, 폴리카보네이트 기판상(10)에 ZnS-SiO2를 약 100-300nm 두께로 RF 마그네트론 스타터링으로 소정 제조압력(예를들면 1-3mTorr)과 소정파워(예를들면 300-1200W)로 성막시킨다.ZnS-SiO 2 is deposited on the polycarbonate substrate 10 at a predetermined manufacturing pressure (for example, 1-3 mTorr) and a predetermined power (for example, 300 mTorr) by RF magnetron starter at a thickness of about 100-300 nm, -1200 W).
그리고 상기 제 1 유전체층(11)위에 전이온도 전후에서 투과도가 가변되는 유기염료(variable transmittance organic dye : VTD)를 도포시켜 VTD층(20)을 형성하고 이 VTD층(20)위에 Sb2Te3와 GeTe를 타겟으로 하여 코스파터링(cosputtering) 방식으로 약 20-100nm 두께의 상변화형 기록층(14)인 GeTe-Sb2Te3를 성막시킨다.A variable transmittance organic dye (VTD) having a variable transmittance before and after the transition temperature is applied on the first dielectric layer 11 to form a VTD layer 20, and Sb 2 Te 3 GeTe-Sb 2 Te 3, which is a phase-change recording layer 14 of about 20-100 nm thick, is formed by a cosputtering method using GeTe as a target.
이어 상기 기록층(14)위에 제 2 유전체층(15)으로 ZnS-SiO2를 제 1유전체층(11) 보다 얇게 적층하고, 이어 A1금속의 반사층(16)을 형성한 후 UV 수지를 도포하여 UV 수지층(17)을 형성한다.Next, ZnS-SiO 2 is laminated as a second dielectric layer 15 on the recording layer 14 to a thickness smaller than the first dielectric layer 11, then a reflective layer 16 of Al metal is formed, Thereby forming a ground layer 17.
상기 제조공정에서는 필요에 따라 제 2 유전체층(15)과 반사층(16) 사이에 SiO2계의 유전체층이나 금속층을 삽입하는 구조로 할 수도 있다.In the manufacturing process, a SiO 2 dielectric layer or a metal layer may be interposed between the second dielectric layer 15 and the reflective layer 16, if necessary.
상기 제 2 실시예의 광디스크는 투과도가 특정온도에서 변하는 VTD 폴리머를 재생층으로 이용하고 있으며, 초기화시에는 소정의 레이저 파워를 인가시켜 VTD를 투과한 레이저가 기록층을 결정질 상태로 만든다.In the optical disc of the second embodiment, a VTD polymer whose transmittance is changed at a specific temperature is used as a reproducing layer. At initialization, a predetermined laser power is applied to a laser beam which has passed through VTD to convert the recording layer into a crystalline state.
기록시에는 레이저빔의 초점을 기록층에 맞춰 레이저 파워 및 펄스를 조절하여 VTD를 투과한 빛으로 기록층에 마크를 형성시켜 기록한다.At the time of recording, the focus of the laser beam is adjusted to the recording layer, and the laser power and the pulse are adjusted to form marks on the recording layer with the light transmitted through the VTD.
재생시에는 엑츄에이터(Actuator)를 이용하여 레이저빔의 초점을 VTD에 맞춰 레이저 파워를 인가하면 VTD에 입사된 레이저 스폿크기중 전이온도 이상으로 된 영역만이 투과도가 증가하게 되어 이 영역의 빛만이 VTD를 투과하게 되어 기록층의 정보를 읽어내게 된다.At the time of reproduction, when the laser power is applied by adjusting the focus of the laser beam to the VTD using an actuator, only the region of the laser spot size incident on the VTD exceeding the transition temperature increases the transmittance, And information of the recording layer is read.
VTD는 전이온도에서 투과도가 29% 이상 증가하고 용융온도가 기록층의 결정화 온도보다 50℃ 이상 높도록 성분과 구조를 조절하는 것이 가능하고 또한 재생시에 VTD에 조사된 레이저 빔에 의해 발생한 열이 기록층에 전달되지 않도록 하기 위해서 소정두께의 절연성이 높은 재료를 사용하기 때문에 제 1 실시예와 동등의 효과를 얻게 된다.VTD is capable of controlling the composition and structure of the VTD to increase the permeability by more than 29% at the transition temperature and to make the melting temperature higher than the crystallization temperature of the recording layer by more than 50 ° C. Also, The same effect as that of the first embodiment can be obtained because a material having a high insulating property with a predetermined thickness is used in order to prevent transmission to the layer.
이상과 같이 본 발명에 의하면, 특정의 전이온도에서 광투과도상의 적어도 20이상 차이가 나는 상변화형 물질이나 또는 VTD 폴리머를 사용하여 재생층으로 형성하고 이재생층을 통하여 상변화형 광기록층의 정보피트를 읽어내게 될때 초해상 기술의 광학마스크 영역과 재생역이 명백하게 분리됨과 동시에 트랙 및 주행방향에서 기록밀도가 향상되어 고밀도로 할수 있으며, 재생층과 기록층 사이에 투과도가 높고 열팽창계수와 열전도도가 낮은 SiO2계의 유전체층을 형성하게 되어 재생층과 기록층 사이의 물질유동과 열유동을 방지할 수 있고, 또한 재생층의 용융온도가 기록층의 결정온도 보다 50°이상 높기 때문에 기록할 때 재생층이 변동되는 것이 방지된다는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, at least 20 When the information pits of the phase change type optical recording layer are read through the phase change type material or the VTD polymer as the reproducing layer and the information pits of the phase change type optical recording layer are read through the living material layer, At the same time, the recording density in the track and running direction can be increased to achieve a high density, and a SiO 2 -based dielectric layer having a high transmittance between the reproduction layer and the recording layer and a low thermal expansion coefficient and low thermal conductivity is formed, It is possible to prevent the material flow and the heat flow, and since the melting temperature of the regenerated layer is higher than the crystalline temperature of the recording layer by 50 DEG or more, the regenerated layer is prevented from fluctuating during recording.
Claims (15)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960015947A KR100186545B1 (en) | 1996-05-14 | 1996-05-14 | Optical disc and its manufacturing method of phase changeable high density |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960015947A KR100186545B1 (en) | 1996-05-14 | 1996-05-14 | Optical disc and its manufacturing method of phase changeable high density |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970076519A KR970076519A (en) | 1997-12-12 |
| KR100186545B1 true KR100186545B1 (en) | 1999-04-15 |
Family
ID=19458596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960015947A KR100186545B1 (en) | 1996-05-14 | 1996-05-14 | Optical disc and its manufacturing method of phase changeable high density |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100186545B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100763364B1 (en) * | 2000-02-11 | 2007-10-04 | 엘지전자 주식회사 | phase change type optical disk |
-
1996
- 1996-05-14 KR KR1019960015947A patent/KR100186545B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100763364B1 (en) * | 2000-02-11 | 2007-10-04 | 엘지전자 주식회사 | phase change type optical disk |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970076519A (en) | 1997-12-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6221455B1 (en) | Multi-layer optical disc and recording/reproducing apparatus | |
| US5635267A (en) | Optical information recording medium of phase change type having variably grooved tracks depending on their radial locations | |
| KR100260072B1 (en) | Single-substrate multi-layer optical disk for read-only storage and phase change rewritable storage | |
| US5817389A (en) | Optical disk | |
| JP3057517B2 (en) | Method of reproducing signal from optical recording medium | |
| US5521901A (en) | Re-writable phase change type optical disk with suppressed recording mark distortion | |
| JP3057518B2 (en) | Method of reproducing signal from optical recording medium | |
| WO1992015091A1 (en) | Optically recording medium | |
| JPH09326136A (en) | Optical recording medium and its production | |
| Kasami et al. | Premastered optical disk by superresolution using rear aperture detection | |
| JPH08203126A (en) | Optical information recording medium, optical information reproducing method, and optical information recording, reproducing and erasing method | |
| EP1152406A2 (en) | Optical recording medium | |
| JP3526374B2 (en) | Phase change optical recording medium and optical recording method | |
| KR100186545B1 (en) | Optical disc and its manufacturing method of phase changeable high density | |
| KR100338756B1 (en) | Phase change optical medium | |
| WO1992015092A1 (en) | Optically recording medium | |
| JP3626211B2 (en) | Signal reproduction method for optical recording medium | |
| JP2972435B2 (en) | Information optical recording medium and recording / reproducing method thereof | |
| JP2655093B2 (en) | Optical head and optical disk device | |
| JPH09134546A (en) | Optical recording medium and method for reproducing its information signal | |
| JP3523799B2 (en) | Phase change recording medium | |
| JP2003006930A (en) | Optical recording medium | |
| JPH03295040A (en) | Optical information recording medium | |
| JP2000057626A (en) | Optical recording medium | |
| JPH07130000A (en) | Rom type optical information medium |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20070918 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |