KR0184991B1 - 평면 연마장치 - Google Patents

평면 연마장치 Download PDF

Info

Publication number
KR0184991B1
KR0184991B1 KR1019960000403A KR19960000403A KR0184991B1 KR 0184991 B1 KR0184991 B1 KR 0184991B1 KR 1019960000403 A KR1019960000403 A KR 1019960000403A KR 19960000403 A KR19960000403 A KR 19960000403A KR 0184991 B1 KR0184991 B1 KR 0184991B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polishing
polishing solution
tool
solution
workpiece
Prior art date
Application number
KR1019960000403A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960029025A (ko
Inventor
마사시게 미쯔하시
히데유키 오노
Original Assignee
가네꼬 히사시
닛폰 덴키 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가네꼬 히사시, 닛폰 덴키 가부시키가이샤 filed Critical 가네꼬 히사시
Publication of KR960029025A publication Critical patent/KR960029025A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0184991B1 publication Critical patent/KR0184991B1/ko

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

본 발명의 평면 연마 장치는 디스크형 연마 공구와, 연마 용액 스프레이 기구 및, 연마 용액 흡인 기구를 포함한다. 상기 연마 공구는 연마 용액이 공급되고 피가공물이 가압되는 가공면을 가진다. 상기 연마 공구는 피가공물을 표면 연마하기 위하여 구동 및 회전된다. 상기 연마 용액 공급 기구는 연마 공구의 가공면에 연마 용액을 공급하기 휘하여 연마 공구의 회전 방향에서 피가공물의 상류부에 배치된다. 상기 연마 용액 흡인 기구는 연마 공구의 가공면위의 연마 용액을 취출 및 재생하기 위하여 연마 공구의 회전 방향에서 피가공물의 하류부 위에 배치된다.

Description

평면 연마 장치
제1도는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 평면 연마 장치를 도시하는 평면도.
제2도는 상기 제 1 실시예의 평면 연마 장치를 도시하는 측면도.
제3도는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 평면 연마 장치를 도시하는 평면도.
제4도는 상기 제 2 실시예의 평면 연마 장치를 도시하는 측면도.
제5도는 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 사용되는 다른 연마 공구를 도시하는 종방향 단면도.
제6도는 본 발명의 각 실시예에 사용되는 다른 직방체 현상의 연마액 흡인 기구를 도시하는 평면도.
제7도는 종래의 평면 연마 장치를 도시하는 측면도.
제8도는 종래의 평면 연마 장치의 연마비를 설명하는 그래프.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
5 : 회로 순환 유닛 11 : 디스크형 연마 공구
12 : 피가공물 13 : 연마 용액 스프레이 기구
14 : 연마 용액 흡인 기구 14a : 작은 직경의 구멍
16 : 필터 18 : 연마 용액 탱크
18A, 18B, 18C : 침전 욕조 20 : 모터
21 : 압력 유지판
[발명의 배경]
본 발명은 반도체 웨이퍼, 반도체 회로에 사용되고 절연막 또는 금속 상호 연결부를 가지는 웨이퍼, 자기 디스크 또는, 글라스 기판과 같은 판형 피가공물을 높은 평활도로 표면 연삭하기 위한 평면 연마 장치에 관한 것이다.
최근에, 일본 특허공개공보 4-33338, 5-69310, 5-309559 호에 기재된 평면 연마 장치는 반도체 웨이퍼, 자기 디스크 등을 연마하는 데에 사용된다.
제7도는 상술된 공개공보에 개재된 것과 유사한 종래의 평면 연마 장치를 도시한다. 상기 평면 연마 장치에서, 압력 유지판(33)은 회전 구동되는 디스크형 연마공구(31)의 가공면(상방으로 향하여 있음)에 대하여 피가공물(32)을 가압한다. 이 상태에서, 상기 장치는 가공면에 연마용액(34)을 공급하면서 평면 연마를 수행한다.
그러나 제8도에 도시된 바와 같이 상술된 종래의 평면 연마 장치에서는, 연마 시간이 증가함에 따라 연마비(연마량/시간)는 가공면이 방해되므로 감소하게 되고, 연마량은 각각의 피가공물에 대하여 변하게 된다. 또한 연마용액이 일단 사용된 후에는 폐기되므로, 연마 용액의 구동 가격이 높게 된다.
[발명의 요약]
본 발명의 목적은 연마비를 감소시킬 수 있고 각각의 피가공물의 처리량을 일정하게 할 수 있는 평면 연마장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 비싼 연마 용액을 절감함으로써 구동가격을 감소시킬 수 있는 평면 연마 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 따라 상기 목적을 성취하기 위하여, 연마 용액이 제공되고 피가공물이 가압되는 가공면을 가지며 상기 피가공물을 표면 연마하기 위하여 구동 회전되는 디스크형 연마공구와, 연마공구의 회전 방향에서 피가공물의 상류부 위에 배치되어 연마 공구의 가공면에 연마 용액을 제공하기 위한 연마 용액 공급 수단과, 연마 공구의 회전 방향에서 피가공물의 하류부 위에 배치되어 연마 공구의 가공면에 연마 용액을 취출하여 재생하기 위한 연마 용액 흡인 수단을 포함한다.
[양호한 실시예의 설명]
본 발명의 실시예는 첨부 도면을 참조로 하여 아래에 보다 상세히 설명된다.
[제 1 실시예]
제1도 및 제2도는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 평면 연마 장치를 도시한다. 제1도 및 제2도에서, 디스크형 연마 공구(11)는 상방으로 대향된 가공면을 가지고 평면 연마 장치의 홀더(1)의 상부 프레임(2)위에 회전가능하게 장착된다. 상기 연마 공구(11)는 모터(20)에 의해 화살표(A : 제1도의 시계 방향)로 지시된 방향에서 회전 구동된다. 피가공물(12)은 압력 유지판(21)에 의해 연마 공구(11)의 가공면에 대하여 가압된다. 상기 압력 유지판(21)과 피가공물(12)은 연마공구(11)의 가공면 위에 위치되고, 연마 공구(11)의 회전방향에 대하여 축에 회전가능할 수 있도록 피가공물(12)의 전방에 위치된 수평 프레임(3)의 한쌍의 지지 롤러(4)에 의해 셋트 위치에서 정지된다.
직방체 연마 용액 스프레이 기구(연마 용액 공급 기구 : 13)와 직방체 연마 용액 흡인 기구(14)는 가공면과 상기 기구(13, 14)사이의 갭(약 1mm)을 유지하면서 연마 공구(11)의 방사 방향으로 연마 공구(11)의 가공면위에 배치된다. 상기 연마 용액 스프레이 기구(13)는 직방체 박스의 저면에서 작은 직경의 구멍(13a)을 통하여 연마 공구(11)의 가공면에 대하여 연마 용액을 스프레이한다. 상기 연마 용액 흡인 기구(14)는 직방체 박스의 저면에서 작은 직경의 구멍(14a)를 통한 흡인에 의해 연마 공구(11)의 가공면 위에서 연마 용액을 재생시킨다.
상기 연마 용액 스프레이 기구(13)는 연마 공구(11)의 방사방향에 대하여 피가공물(12)의 상류부 위에 배치된다. 상기 연마 용액 흡인 기구(14)는 연마 공구(11)의 회전방향에 대하여 피가공물(12)의 하류부 위에 배치된다. 상기 2 개의 기구는 방사방향의 전체 폭을 통하여 연마 공구(11)를 덮기 위하여 홀더(1)에 의해 지지된다.
연마 용액 스프레이 기구(13)와 연마 용액 흡인 기구(14)의 저면에는 각각의 작은 직경 구멍은 약 1mm의 직경을 가지며, 상기 구멍은 3mm의 피치로 정렬된다.
연마 용액 흡인 기구(14)를 흡인에 의해 복귀되는 연마 용액을 재생시키고 연마 용액 스프레이 기구(13)로 용액을 공급하기 위한 재생 회로 유닛(5)은 홀더(1)의 상부 프레임(2) 아래에 장착된다. 상기 재생 순환 유닛(5)은 연마 칩을 제거하기 위하여 연마 용액 탱크(18)와 필터(16)를 포함한다. 상기 연마 용액 탱크(18)는 침전 여과 효과에 의해 이물질을 제거하기 위하여 상기 재생된 연마 용액을 저장한다. 상기 연마 용액 탱크(18)는 연마 용액의 오버플로우가 하류부로 연속적으로 흐를 수 있도록 하기 위한 다중 스테이지(상기 경우에는 3 스테이지) 구조로 구성된 침전 욕조(18A, 18B 및 18C)를 포함한다. 상기 침전 욕조(18A, 18B 및 18C)의 구획 벽은 상류부 위의 침전 욕조로부터 하류부 위의 침전 욕조까지 연마 용액의 오버플로우가 연속적으로 흐를 수 있도록 높이가 연속적으로 다르게 제조된다.
상기 연마 용액 흡인 기구(14)는 흡인 펌프(19)를 거쳐서 상류부 위의 침전 욕조(18A)에 연결된다. 상기 연마 용액 스프레이 기구(13)는 공급 펌프(17)와 필터(16)를 거쳐서 침전욕조(18C)에 연결된다. 상기 흡인 펌프(19)는 연마 용액 흡인 기구(14)로부터 공기와 함께 연마 용액을 취출하게 충분히 높은 능력을 가진다. 상기 취출된 공기는 연마 용액 탱크(18)로 들어가지 않도록 기구(도시않음)에 의해 처리된다. 상기 공급 펌프(17)는 약 100cc/분의 공급량에 대응하는 능력을 가진다. 상기 필터(16)는 연마 용액 탱크(18)내의 침전 욕조(18A, 18B 및 18C)에 의해 제거되지 않는 이물질을 제거하고, 3㎛ 과 0.2㎛의 메시에 의해 구성되는 이중 메시 구조를 가진다.
상기 장치의 작용은 다음과 같다.
상기 연마 공구(11)는 피가공물(12)을 처리하기 위하여 시작될 때, 연마 용액 스프레이 기구(13)는 연마 공구(11)의 가공면으로 연마 용액을 공급한다. 연마 공구(11)의 가공면에 공급되는 연마 용액은 연마 공구(11)의 회전시 피가공물(12)의 부분(가공될 부분)에 도달한다. 상기 피가공물(12)은 연마 공구(11)의 회전과 피가공물(12)의 회전시에(제1도의 화살표(B)로 지시된 방향) 연마 공구(11)와 피가공물(12) 사이에 발생되는 마찰에 의해 연마된다.
연마용으로 사용된 연마 용액은 상기 용액이 피가공물(12)을 통과한 후에 바로 연마 공구(11)의 회전 방향의 하류부 위에서 연마용액 흡인 기구(14)에 의해 취출된다. 연마 공구(11) 표면위에서의 연마칩, 연마공구 칩 등은 연마 용액과 함께 처리시 제거되므로, 가공면을 항상 깨끗하게 유지한다.
그러므로 상기 장치는 연마비를 감소시키지 않고 긴 시간동안에 효과적을 연마를 수행할 수 있다. 상기 경우에, 연마 용액은 연마 공구(11)의 가공면에 제공되어 전체 폭에 걸쳐서 재생되기 때문에, 연마는 피가공물(12)의 크기에 관계없이 동일 조건하에서 수행될 수 있다.
연마 용액 흡인 기구(14)에 의하여 연마 공구(11)의 가공면으로부터 취출 및 재생되는 연마 용액은 재생 순환 유닛(5)의 연마 용액 탱크(18)에 저장되고, 상기 재생 순환 유닛(5)의 연마 용액 탱크(18)에서 상기 용액은 침전 욕조(18A, 18B 및 18C)내로 연속적으로 흐른다. 상기 마지막 침전 욕조(18C)의 연마 용액은 파이프(15), 공급 펌프(17) 및 필터(16)를 통하여 연마 용액 스프레이 기구(13)에 의해 연마 공구(11)의 기공면에 다시 공급된다. 그러므로 상기 연마 용액은 연마 용액을 절감하기 위하여 여러번 순환 및 사용된다.
시험 결과는 다음과 같다.
상기 시험에서, 폴리우레탄 공구(25 인치의 직경을 가진)가 디스크형 연마 공구(11)로서 사용되고, 콜로이드성의 실리카(입자 직경이 100Å이다)가 연마 용액으로 사용된다. 이산화규소막을 가진 웨이퍼(피가공물)이 연마된다.
시험에서 연마 공구(11)의 속도와 처리 압력이 24rpm 및 400g/㎠로 셋트될 때, 연마 비는 10 시간의 누적 연마 시간에서 1,500±50Å/분 가 된다. 즉, 종래의 평면 연마 장치에서와 같이 처리 시간이 증가함에 따라 연마비가 감소하는 문제점은 해결된다.
상기와 같은 효과는 다음의 이유로 인하여 얻어질 수 있다. 연마 방법에 있어서, 연마 공구(11)의 가공면으로 공급되는 연마 용액은 상기 용액이 피가공물(12)을 연마하기 위하여 사용된 후에 곧바로 취출되고, 상기 연마 공구(11)의 가공면 위의 연마칩, 연마 공구칩 등이 연마 용액과 함께 처리시 제거되며, 상기 필터(16)를 통과한 세정 연마 용액이 가공면에 공급될 수 있도록 상기 연마 용액 스프레이 기구(14)와 연마 용액 흡인 기구(14)가 작동된다.
[제 2 실시예]
본 발명의 제 2 실시예는 다음과 같다.
제3도 및 제4도는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 평면 연마 장치를 도시한다. 제 2 실시예에 따른 평면 연마 장치에서, 디스크형 연마 용액 스프레이 기구(23)는 연마 용액 공급 기구로서 사용되고, 디스크형 연마 용액 흡인 기구(24)는 연마 용액 흡인 기구로서 사용된다.
제3도에 도시된 바와 같이, 상기 연마 용액 스프레이 기구(23)와 연마 용액 흡인 기구(24)는 각각 피가공물(12)의 직경보다 더 큰 직경을 가진 원형의 드럼형을 가진다. 상기 연마 용액 스프레이 기구(23)는 연마 공구(11)의 회전 방향(A)에 대하여 피가공물(12) 뒤에 배치된다. 상기 연마 용액 흡인 기구(24)는 연마공구(11)의 회전 방향에 대하여 피가공물(12)의 전방에 배치된다.
상기 연마 용액 스프레이 기구(23)와 연마 용액 흡인 기구(24)는 각각 이들의 저면 위에서 링(25 및 26; 1mm 두께)을 가진다. 상기 링은 각 기구의 저면의 직경보다 더 작은 직경을 가진다. 연마 용액 스프레이 기구(23)와 연마 용액 흡인 기구(24)는 링(25 및 26)을 가진 연마 공구(11)의 가공면 위에 장착된다. 상기 각각의 기구는 기구의 전방에 위치되어 상술된 압력 유지판(21)의 경우에서와 같이 연마 공구(11)의 회전 방향의 축에 대하여 회전가능한 수평 프레임(3)의 한쌍의 홀더(4)에 의해 소정의 위치로 정지된다.
상기 연마 용액 스프레이 기구(23)와 연마 용액 흡인 기구(24)의 저면은 링(25 및 26)의 외부에 형성된 작은 직경의 구멍(23a 및 24a; 약 1mm 의 직경을 가지며 약 3mm 의 피치로 정렬된다)을 가진다. 연마 용액은 상기 작은 직경의 구멍(23a 및 24a)을 통하여 스프레이되어 취출된다.
상기 연마 용액 스프레이 기구(23)와 연마 용액 흡인 기구(24)는 제 1 실시예와 같이 재생 순환 유닛(5)에 연결된다. 보다 상세히 설명하면, 연마 용액 흡인 기구(24)는 흡인 펌프(19)를 거쳐서 연마 용액 탱크(18) 상류부 위의 침전 욕조(18A)에 연결된다. 연마 용액 스프레이 기구(23)는 공급 펌프(17), 필터(16) 및 파이프(15)를 거쳐서 하류부 위의 침전 욕조(18C)에 연결된다. 회전형 조인트는 파이프(15)와 연마 용액 스프레이 기구(23) 및, 파이프(15)와 연마 용액 흡인 기구(24) 사이의 커플링 부분으로서 사용된다.
상기 장치의 작용은 다음과 같다.
연마 공구(11)가 피가공물(12)을 처리하기 위하여 시작될 때, 연마 용액 스프레이 기구(23)는 연마 공구(11)의 가공면으로 연마 용액을 공급한다. 상기 연마 공구(11)의 가공면에 공급되는 연마 용액은 연마 공구(11)의 회전시 피가공물(12)의 부분(가공될 부분)에 도달한다. 상기 피가공물(12)은 연마 공구(11)의 회전과 피가공물(12)의 회전시에 (제3도의 화살표(B)로 지시된 방향) 연마 공구(11)와 피가공물(12)사이에 발생되는 마찰에 의해 연마된다. 상기 경우에, 연마 용액 스프레이 기구(23)는 회전시 작은 직경의 구멍을 통해 연마 용액을 균일하게 공급하도록 상기 기구의 축에 대하여 회전된다.
연마에 사용되는 연마 용액은 상기 용액이 피가공물(12)을 통과한 후 곧바로 연마 공구(11)의 회전 방향에서 하류부 위의 연마 용액 흡인 기구(14)에 의해 취출된다. 또한 상기 경우에, 연마 용액 흡인 기구(24)가 회전시 연마 용액을 취출하기 때문에, 연마 용액은 균일하게 취출 및 재생될 수 있다. 그러므로, 연마 공구(11)는 표면위의 연마 칩, 연마 공구칩 등은 연마 용액과 함께 처리시 제거되므로, 상기 가공면을 항상 깨끗하게 유지한다.
그러므로 상기 장치는 연마비를 감소시키지 않고 긴 시간동안에 효과적으로 연마를 수행할 수 있다. 상기 경우에, 연마 용액은 연마 공구(11)의 가공면에 넓은 범위로 균일하게 제공될 수 있고, 그곳으로부터 균일하게 재생될 수 있다. 그러므로 상기 가공면은 양호한 상태에서 균일하게 유지될 수 있다.
제 1 실시예와 비슷하게 연마 용액 흡인 기구(24)에 의해 연마 공구(11)의 가공면으로부터 취출 및 재생된 연마 용액은 재생 순환 유닛(5)에 의해 재생되어 연마 공구(11)의 가공면에 다시 공급된다. 상기 연마 용액은 여러번 순환 및 사용되기 때문에, 연마 용액은 절감될 수 있다.
시험 결과는 다음과 같다.
상기 시험 결과는 제 1 실시예의 조건과 동일한 조건하에서 실행된다. 결과적으로, 연마비는 10 시간의 누적 연마 시간에서 1,500±45Å/분이다. 즉, 종래의 평면 연마 장치에서와 같은 처리 시간의 증가에 따른 연마비가 감소하는 문제는 해결된다.
본 발명의 실시예는 첨부 도면을 참조로 하여 보다 상세히 설명된다. 그러나, 본 발명의 장치는 상기 실시예에 한정되지 않는다. 디자인 등의 다양한 변화가 본 발명의 정신 및 범위내에서 실시될 수 있다. 예를 들면 제5도에 도시된 바와 같이 수직벽(11a)은 연마 용액이 밖으로 흐르는 것을 방지하기 위하여 연마 공구(11) 가공면의 모서리부에 형성될 수 있다. 상기 장치에서 가공면에 공급되는 연마 용액은 가공면 밖으로 흐르지 않기 때문에, 연마 용액의 재생 효율은 향상되고 구동 가격을 감소시킨다.
또한 제6도에 도시된 바와 같이, 연마 공구(11)의 회전 방향(A)에 대하여 즉, 반경 방향에서 연마 공구(11)의 전체 폭을 통하여 연마 공구(11)의 가공면에 접촉하기 위하여 연마 용액 흡인 기구(14)와 피가공물(12) 사이에서 브러시(27)가 연마 용액 흡인 기구(14) 뒤에 배치될 수 있다. 상기 장치에서, 연마 공구(11) 가공면의 리세스 부분에서 연마 칩, 연마 공구 칩등이 청소되고, 흡인 효율이 향상된다.
상기 피가공물은 이산화규소막을 가진 웨이퍼에 한정되지 않고, 금속 연결부, 자기 디스크 및 글라스 기판을 가진 웨이퍼와 같은 다른 판형 부재를 포함한다.
본 발명에 따라 상술된 바와 같이, 연마 용액은 상기 용액이 사용된 후 곧바로 가공면으로부터 제거됨과 동시에, 연마 칩과 연마 공구 칩은 가공면으로 제거되므로, 연마 공구면이 막히는 것이 방지되고 상기 가공면을 항상 깨끗이 유지한다. 그러므로 연마 시간이 증가될지라도, 연마비는 감소하지 않는다. 이러한 점은 각각의 피가공물의 연마량이 변하는 것을 방지한다.
연마 용액이 상기 재생 순환 유닛을 통하여 여러번 사용될 수 있기 때문에, 구동 가격이 감소된다.
연마 용액이 다수의 침전 용조와 필터를 통하여 재생되기 때문에, 깨끗한 연마 용액이 순환 및 사용될 수 있다.
상기 방법의 정밀성화 효율이 피가공물의 크기에 관계 없이 동일한 조건하에서 향상될 수 있다.
또한 연마 용액을 공급하고 취출하는 불규칙함이 제거되고, 전체 가공면은 양호한 상태에서 균일하게 유지될 수 있다.
또한 가공면으로 공급되는 연마 용액이 가공면 밖으로 흐르지 않기 때문에, 재생 효율이 향상되고 구동 가격의 부가의 감소가 얻어질 수 있다.
그리고 연마 공구 가공면의 리세스 부분의 연마 칩과 연마 공구 칩이 청소되기 때문에, 흡인 효율의 부가의 향상이 얻어진다.

Claims (10)

  1. 연마 용액이 공급되고 피가공물이 가압되는 가공면을 가지고, 상기 피가공물을 표면 연마하기 위하여 구동 및 회전되는 디스크형 연마 공구(11)와; 상기 연마 공구의 가공면으로 연마 용액을 공급하기 위하여 연마 공구의 회전 방향에서 피가공물의 상류부에 배치된 연마 용액 공급 수단(12, 23) 및; 연마 공구의 가공면 위에서 연마 용액을 취출 및 재생하기 위하여 연마 공구의 회전 방향에서 피가공물의 하류부에 배치된 연마 용액 흡입 수단(14, 24)을 포함하는 것을 특징으로 하는 평면 연마 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 연마 용액 흡입 수단에 의해 복귀되는 연마 용액을 재생하고 상기 연마 용액을 연마 용액 공급 수단으로 공급하기 위하여, 연마 용액 흡인 수단과 연마 용액 공급 수단 사이에 연결된 재생 순환 수단(5)을 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 평면 연마 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 재생 순환 수단은, 연마 용액 흡입 수단에 의해 복귀되는 연마 용액을 저장하고 침전 여과 효과에 의해 이물질을 제거하며, 연마 용액의 오버플로우가 하류부로 연속적으로 흐르게 하는 다수의 침전 욕조(18A-18C) 및; 상기 침전 욕조와 연마 용액 공급 수단 사이에 연결되고 연마 용액의 연마칩을 제거하기 위하여 채택된 필터(16)를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면 연마 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 연마 용액 공급 수단은 목표 영역인 방사 방향의 전체 폭에 걸쳐서 상기 연마 공구에 연마 용액을 공급하고, 상기 연마 용액 흡인 수단은 목표 영역인 방사 방향의 전체 폭에 걸쳐서 상기 연마 공구로부터 연마 용액을 취출하는 것을 특징으로 하는 평면 연마 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 연마 용액 공급 수단은 연마 공구의 방사 방향으로 연장되고, 연마 용액이 연마 공구의 가공면에 대하여 스프레이되는 다수의 작은 직경의 구멍을 가진 직방체 연마 용액 스프레이 기구(13)로 구성되고, 상기 연마 용액 흡인 수단은 연마 공구의 방사 방향으로 연장되고 연마 공구의 가공면위의 연마 용액이 취출되는 다수의 작은 직경의 구멍(14a)을 가진 직방체 연마 용액 흡인 기구(14)로 구성되는 것을 특징으로 하는 평면 연마 장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 연마 용액 공급 수단은 연마 공구의 방사 방향 부분에 대응하여 회전가능하게 배치되고 연마 용액이 연마 공구의 가공면에 대하여 스프레이되는 다수의 작은 직경 구멍(23a)을 가진 디스크형 연마 용액 스프레이 기구(23)로 구성되고, 상기 연마 용액 흡인 수단은 연마 공구의 방사 방향 부분에 대응하여 회전가능하게 배치되고 연마 용액의 가공면 위의 연마 용액이 취출되는 다수의 작은 직경 구멍(24a)을 가진 디스크형 연마 용액 흡인 기구(24)로 구성되는 것을 특징으로 하는 평면 연마 장치.
  7. 제1항에 있어서, 연마 공구의 모서리 부위에 형성되어 연마 용액이 밖으로 흐르는 것을 방지하도록 채택되는 수직 벽(11a)을 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 평면 연마 장치.
  8. 제1항에 있어서, 방사 방향의 거의 전체 폭에 거쳐서 연마 공구를 접촉시키기 위하여 피가공물과 연마 용액 흡인 수단사이에 배치되고, 상기 가공면 위의 연마칩을 청소하기 위하여 채택된 브러쉬(27)를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 평면 연마 장치.
  9. 연마 용액이 공급되고 피가공물이 가압되는 가공면을 가지고, 상기 피가공물을 표면 연마하기 위하여 구동 및 회전되는 디스크형 연마 공구(11)와; 상기 연마 공구의 회전방향에서 피가공물의 상류부에 배치되고 연마 공구의 방사 방향으로 연장되며, 연마 용액이 연마 공구의 가공면에 대하여 스프레이되는 다수의 작은 직경 구멍(13a)을 가진 직방체의 연마 용액 스프레이 기구(13)와; 상기 연마 공구의 회전 방향에서 피가공물의 상류부에 배치되고 연마 공구의 방사방향으로 연장되며, 연마 용액이 연마 공구의 가공면으로부터 취출되는 다수의 작은 직경 구멍(14a)을 가지는 직방체의 연마 용액 흡인 기구(14) 및; 상기 연마 용액 흡인 수단에 의해 복귀된 연마 용액을 제거하고 침전 여과 효과에 의해 이물질을 제거하기 위하며, 연마 용액의 오버플로워가 하류부로 연속적으로 흐르게 하는 다수의 침전 욕조(18A-18C)와, 상기 침전 욕조와 연마 용액 공급 수단 사이에 연결되어 연마 용액의 연마 칩을 제거하도록 채택된 필터(16)로 구성된 재생 순환 유닛(5)을 포함하는 것을 특징으로 하는 평면 연마 장치.
  10. 연마 용액이 공급되고 피가공물이 가압되는 가공면을 가지며, 피가공물을 표면 연마하기 위하여 구동 및 회전되는 디스크형 연마 공구(11)와; 상기 연마 공구의 회전 방향에서 피가공물의 상류부에 배치되고, 연마 공구의 방사형 부분에 대응하여 위치되며, 연마 용액이 연마 공구의 가공면에 대하여 스프레이되는 다수의 작은 직경구멍(23a)을 가지는 디스크형 연마 용액 스프레이 기구(23)와; 상기 연마 공구의 회전 방향에서 피가공물의 하류부에 배치되고, 연마 공구의 방사형 부분에 대응하여 위치되며, 연마 용액이 연마 공구의 가공면으로부터 취출되는 다수의 작은 직경 구멍(24a)을 가지는 디스크형 연마 용액 흡인 기구(24) 및; 상기 연마 용액 흡인 수단에 의해 복귀되는 연마 용액을 저장하고, 침전 여과 효과에 의해 이물질을 제거하며, 연마 용액의 오버플로워가 하류부로 연속적으로 흐르게 하는 다수의 침전 욕조(18A 내지 18C)와, 상기 침전 욕조와 연마 용액 공급 수단 사이에 연결되고 연마 용액의 연마칩을 제거하기 위하여 채택되는 필터(16)로 구성되는 재생 순환 유닛(5)을 포함하는 것을 특징으로 하는 평면 연마 장치.
KR1019960000403A 1995-01-13 1996-01-11 평면 연마장치 KR0184991B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP435295A JP2581478B2 (ja) 1995-01-13 1995-01-13 平面研磨装置
JP95-004352 1995-01-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960029025A KR960029025A (ko) 1996-08-17
KR0184991B1 true KR0184991B1 (ko) 1999-05-01

Family

ID=11582030

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960000403A KR0184991B1 (ko) 1995-01-13 1996-01-11 평면 연마장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5584749A (ko)
JP (1) JP2581478B2 (ko)
KR (1) KR0184991B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100401093B1 (ko) * 2001-02-26 2003-10-17 김용범 안경렌즈 연마수의 재생장치
KR100419351B1 (ko) * 2001-09-26 2004-02-19 최명희 렌즈 연마수의 재생방법 및 재생장치
KR100680653B1 (ko) * 2005-09-23 2007-02-08 이종배 렌즈 연마수 재생장치

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5554064A (en) * 1993-08-06 1996-09-10 Intel Corporation Orbital motion chemical-mechanical polishing apparatus and method of fabrication
US5876271A (en) * 1993-08-06 1999-03-02 Intel Corporation Slurry injection and recovery method and apparatus for chemical-mechanical polishing process
JP3734289B2 (ja) * 1995-01-24 2006-01-11 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
JP2862073B2 (ja) * 1995-12-08 1999-02-24 日本電気株式会社 ウェハー研磨方法
US5868608A (en) 1996-08-13 1999-02-09 Lsi Logic Corporation Subsonic to supersonic and ultrasonic conditioning of a polishing pad in a chemical mechanical polishing apparatus
JP2800802B2 (ja) * 1996-09-20 1998-09-21 日本電気株式会社 半導体ウェハーのｃｍｐ装置
US6190236B1 (en) * 1996-10-16 2001-02-20 Vlsi Technology, Inc. Method and system for vacuum removal of chemical mechanical polishing by-products
US5702292A (en) * 1996-10-31 1997-12-30 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for loading and unloading substrates to a chemical-mechanical planarization machine
US5967882A (en) * 1997-03-06 1999-10-19 Keltech Engineering Lapping apparatus and process with two opposed lapping platens
US5993298A (en) * 1997-03-06 1999-11-30 Keltech Engineering Lapping apparatus and process with controlled liquid flow across the lapping surface
US6120352A (en) * 1997-03-06 2000-09-19 Keltech Engineering Lapping apparatus and lapping method using abrasive sheets
US6149506A (en) * 1998-10-07 2000-11-21 Keltech Engineering Lapping apparatus and method for high speed lapping with a rotatable abrasive platen
US6048254A (en) * 1997-03-06 2000-04-11 Keltech Engineering Lapping apparatus and process with annular abrasive area
JP3722591B2 (ja) * 1997-05-30 2005-11-30 株式会社日立製作所 研磨装置
US5997392A (en) * 1997-07-22 1999-12-07 International Business Machines Corporation Slurry injection technique for chemical-mechanical polishing
US5913715A (en) * 1997-08-27 1999-06-22 Lsi Logic Corporation Use of hydrofluoric acid for effective pad conditioning
JP2845238B1 (ja) * 1997-08-29 1999-01-13 日本電気株式会社 平面研磨装置
JPH11114811A (ja) * 1997-10-15 1999-04-27 Ebara Corp ポリッシング装置のスラリ供給装置
US5957757A (en) * 1997-10-30 1999-09-28 Lsi Logic Corporation Conditioning CMP polishing pad using a high pressure fluid
US6102777A (en) * 1998-03-06 2000-08-15 Keltech Engineering Lapping apparatus and method for high speed lapping with a rotatable abrasive platen
US5944588A (en) * 1998-06-25 1999-08-31 International Business Machines Corporation Chemical mechanical polisher
US6093088A (en) * 1998-06-30 2000-07-25 Nec Corporation Surface polishing machine
US6250994B1 (en) * 1998-10-01 2001-06-26 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies on planarizing pads
JP2001191246A (ja) * 2000-01-06 2001-07-17 Nec Corp 平面研磨装置および平面研磨方法
US7086933B2 (en) * 2002-04-22 2006-08-08 Applied Materials, Inc. Flexible polishing fluid delivery system
JP4322464B2 (ja) * 2002-03-28 2009-09-02 株式会社ニデック 研削水タンク装置及びこれを備える眼鏡レンズ加工装置。
US6939210B2 (en) * 2003-05-02 2005-09-06 Applied Materials, Inc. Slurry delivery arm
JP2005271151A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Toshiba Corp 研磨装置及び研磨方法
US20070131562A1 (en) * 2005-12-08 2007-06-14 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for planarizing a substrate with low fluid consumption
US7452264B2 (en) * 2006-06-27 2008-11-18 Applied Materials, Inc. Pad cleaning method
US20080305725A1 (en) * 2006-07-26 2008-12-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Chemical mechanical polish system having multiple slurry-dispensing systems
JP2008279539A (ja) * 2007-05-10 2008-11-20 Nomura Micro Sci Co Ltd 研磨液の回収方法、及び研磨液の回収装置
JP4715880B2 (ja) * 2007-07-30 2011-07-06 剛 加藤 平面研磨装置
US9032626B2 (en) 2009-09-29 2015-05-19 Ntn Corporation Green ball grinding method, ceramic sphere fabrication method, and grinding apparatus
JP2011073076A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Ntn Corp グリーンボールの研磨装置
CN104400587A (zh) * 2014-10-16 2015-03-11 中山市吉尔科研技术服务有限公司 一种旋流式光学镜片抛光设备
JP7083722B2 (ja) * 2018-08-06 2022-06-13 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び、研磨方法
JP7162465B2 (ja) 2018-08-06 2022-10-28 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び、研磨方法
CN111805412A (zh) * 2020-07-17 2020-10-23 中国科学院微电子研究所 一种抛光液施配器及抛光装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5234867A (en) * 1992-05-27 1993-08-10 Micron Technology, Inc. Method for planarizing semiconductor wafers with a non-circular polishing pad
US5157876A (en) * 1990-04-10 1992-10-27 Rockwell International Corporation Stress-free chemo-mechanical polishing agent for II-VI compound semiconductor single crystals and method of polishing
JPH07105369B2 (ja) * 1990-05-29 1995-11-13 松下電器産業株式会社 ウェハーの研磨方法及び研磨装置
US5036015A (en) * 1990-09-24 1991-07-30 Micron Technology, Inc. Method of endpoint detection during chemical/mechanical planarization of semiconductor wafers
JPH0569310A (ja) * 1991-04-23 1993-03-23 Mitsubishi Materials Corp ウエーハの鏡面研磨装置
US5308438A (en) * 1992-01-30 1994-05-03 International Business Machines Corporation Endpoint detection apparatus and method for chemical/mechanical polishing
JPH05309559A (ja) * 1992-05-12 1993-11-22 Speedfam Co Ltd 平面研磨方法及び装置
US5291693A (en) * 1992-08-20 1994-03-08 Texas Instruments Incorporated Semiconductors structure precision lapping method and system

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100401093B1 (ko) * 2001-02-26 2003-10-17 김용범 안경렌즈 연마수의 재생장치
KR100419351B1 (ko) * 2001-09-26 2004-02-19 최명희 렌즈 연마수의 재생방법 및 재생장치
KR100680653B1 (ko) * 2005-09-23 2007-02-08 이종배 렌즈 연마수 재생장치

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08192361A (ja) 1996-07-30
JP2581478B2 (ja) 1997-02-12
US5584749A (en) 1996-12-17
KR960029025A (ko) 1996-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0184991B1 (ko) 평면 연마장치
US5868866A (en) Method of and apparatus for cleaning workpiece
US5860181A (en) Method of and apparatus for cleaning workpiece
JP5070219B2 (ja) ガラス板の縁部処理装置および方法
KR100824362B1 (ko) 반도체기판 세정장치 및 세정방법
US20020083577A1 (en) Polishing member and apparatus
EP0807492B1 (en) Method for polishing workpieces and apparatus therefor
KR100474365B1 (ko) 웨이퍼연마장치 및 그 연마방법
KR20060045411A (ko) 기판 메니스커스 계면 및 처리 방법
JP6872903B2 (ja) ガラス処理装置およびガラス処理方法
US6039635A (en) Surface polishing apparatus including a dresser
JPH0878368A (ja) ワークの処理方法および装置
KR20180096462A (ko) 스크럽 세정 방법 및 스크럽 세정 장치
US20020119613A1 (en) Method of cleaning a polishing pad conditioner and apparatus for performing the same
KR100352086B1 (ko) 반도체웨이퍼의연마장치및연마방법
JP2008028232A (ja) 半導体基板研磨装置および半導体基板研磨方法、半導体装置の製造方法
TWI824755B (zh) 一種用於承載和清潔矽片的裝置
JP2010052090A (ja) 研磨装置および研磨方法
JP3058274B1 (ja) 平面研磨装置
JP2000252252A (ja) スピン処理用支持ピン及びスピン処理装置
JP2001121407A (ja) 研磨装置
KR100408114B1 (ko) 기판처리장치
JP3955424B2 (ja) ワーク保持盤の洗浄方法並びに研磨装置と研磨方法
JP2003251555A (ja) ポリッシング方法
EP0750968B1 (en) Apparatus for conditioning a polishing pad

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20071207

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee