KR0180284B1 - 이물분석장치 및 반도체 제조 제어장치 또는 이물분석방법 및 반도체 제조 제어방법 - Google Patents

이물분석장치 및 반도체 제조 제어장치 또는 이물분석방법 및 반도체 제조 제어방법 Download PDF

Info

Publication number
KR0180284B1
KR0180284B1 KR1019950034715A KR19950034715A KR0180284B1 KR 0180284 B1 KR0180284 B1 KR 0180284B1 KR 1019950034715 A KR1019950034715 A KR 1019950034715A KR 19950034715 A KR19950034715 A KR 19950034715A KR 0180284 B1 KR0180284 B1 KR 0180284B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
foreign
foreign material
distribution
analysis
composition ratio
Prior art date
Application number
KR1019950034715A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960015834A (ko
Inventor
타까오 야스에
Original Assignee
기다오까 다까시
미쓰비시 뎅끼 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 기다오까 다까시, 미쓰비시 뎅끼 가부시끼가이샤 filed Critical 기다오까 다까시
Publication of KR960015834A publication Critical patent/KR960015834A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0180284B1 publication Critical patent/KR0180284B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
    • G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
    • G01N23/2252—Measuring emitted X-rays, e.g. electron probe microanalysis [EPMA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

Landscapes

  • Immunology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

숙련한 분석자의 고도한 판단을 필요로 하는것 없이 다수의 이물에 대하여 신속하게 분석을 행하는 것이 되는 이물분석장치를 제공한다.
반도체 웨이퍼에 부착한 복수의 이물에 관하여 원소마다의 조성비를 구하는 주사형 전자현미경(SEM)과, SEM(2)의 분석결과에 의거하여 조성비마다의 이물의 분포를 구하는 이물플롯부와, 이 이물의 분포에 의거하여 복수의 이물을 분류하는 이물분류처리부와, 이 이물분류결과와 사전에 정하게 된 이물데이터베이스의 내용을 비교하는 것에 의해 이물의 종류를 특정하는 이물특정처리부(12)를 구비한다.

Description

이물분석장치 및 반도체 제조 제어장치 또는 이물분석방법 및 반도체 제조 제어방법
제1도는 본 발명의 실시예 1에 관련하는 이물분석시스템의 구성을 표시하는 기능블럭도.
제2도는 본 발명의 실시예 1에 있어서 이물분석부의 처리내용을 표시하는 플로차트.
제3도는 본 발명의 실시예 1에 있어서 표시부에 나타낸 반도체 웨이퍼의 표면의 2차전자상을 모식적으로 표시한 도면.
제4도는 본 발명의 실시예 1에 있어서 이물 A의 EPMA분석스펙트르를 모식적으로 표시한 도면.
제5도는 본 발명의 실시예 1에 있어서 이물 B의 EPMA분석스펙트르를 모식적으로 표시한 도면.
제6도는 본 발명의 실시예 1에 있어서 이물 A를 원소의 종류마다의 조성비를 좌표축으로 하는 공간에 플롯한 상태를 표시한 도면.
제7도는 본 발명의 실시예 1에 있어서 이물 B를 원소의 종류마다의 조성비를 좌표축으로 하는 공간에 플롯한 상태를 표시한 도면.
제8도는 본 발명의 실시예 1에 있어서 다수의 이물을 원소의 종류마다의 조성비를 좌표축으로 하는 공간에 플롯한 상태를 표시한 도면.
제9도는 본 발명의 실시예 1에 있어서 분류처리의 설명도로서의 주성분 산포도.
제10도는 제9도의 주성분 분포도에 표시되는 이물의 X축에 관한 분포도.
제11도는 제9도의 주성분 분포도에 표시되는 이물의 Y축에 관한 분포도.
제12도는 본 발명의 실시예 2에 있어서 이물분석시스템의 구성도.
제13도는 본 발명의 실시예 3에 있어서 이물분석시스템의 구성도.
제14도는 본 발명의 실시예 3에 있어서 프로세스 양부판정 플로차트.
제15도는 본 발명의 실시예 3에 있어서 처리의 설명도.
제16도는 주사형 전자현미경(SEM)에 의한 2차 전자상인 도면.
제17도는 이물 A의 EPMA분석스펙트르인 도면.
제18도는 이물 B의 EPMA분석스펙트르인 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 이물분석부 2 : SEM
3 : 표시부 4 : 반도체이물결합검사장치
5 : 이물좌표 6 : 프로세스 양부판정부
10 : 이물플롯부 11 : 이물분류처리부
12 : 이물특정처리부 13 : 이물데이터베이스
61 : 프로세스 양부판정수단 62 : 허용이물수테이터베이스
[산업상의 이용분야]
이 발명은 반도체 웨이퍼표면 혹은 반도체 웨이퍼에 형성된 반도체장치의 패턴표면의 이물을 특정하는 이물분석장치 및 이것을 사용한 반도체 제조제어장치에 관한 것이다.
또 이들에 적용되는 이물분석방법 및 반도체 제조 제어방법에 관한 것이다.
[종래의 기술]
IC, LSI등의 반도체장치의 제조에 있어서, 반도체 웨이퍼표면 혹은 반도체 웨이퍼에 형성된 반도체장치의 패턴표면 등에 부착하는 미세한 이물(표면에 형성된 박막하의 이물을 포함한다)은 반도체장치의 수율을 저하시키는 중대한 요인이다. 이와같은 이물의 부착을 방지하기 위하여는 그의 발생원을 재빨리 특정하여 오염방지대책을 행하는 것이 중요하게 되어 왔다.
그리고, 그 때문에는 이물의 조성 및 상태의 분석이 불가결이다.
종래에 있어서 이와같은 조성, 상태분석방법의 1개로서 주사형 전자현미경(Scanning Electron Microscope : 이하, 「SEM」라 약기한다)을 사용한 전자선 마이크로 애널리스법(Electron Probe Microanalysis : 이하 「EPMA」로 약기한다)이 사용되어 있다.
역시 EPMA는 우리나라에는 X선 마이크로 애널리스법(X-Ray Microanalysis : XMA)으로도 불린다.
EPMA는 1960년대 후반에서 발달한 기술이고, 피측정시료에 전자선을 조사하고, 그의 표면의 이물이 발생하는 특성 X선을 검출하는 것에 의해 이물의 조성을 동정하는 수법이다.
EPMA는 예컨데 가또다 다까시 편저의 「반도체 평가기술」P166-P172(산업도서) 혹은 우사미쇼저의 「100예에 보는 반도체 평가기술」등에 상세하다.
또 EPMA에는 파장분산형과 에네르기분산형의 2종류 있지만 스루풋이나 간편성의 면으로 에네르기분산형의 편이 뛰어나다.
이하 에네르기 분산형의 EPMA의 측정데이터에 관하여 설명한다.
제16도는 SEM에 의한 2차 전자상을 모식적으로 표시한 것이고, 동도는 반도체 웨이퍼(101)의 표면상에 2개의 이물A 및 B가 부착하고 있는 상태를 표시한다.
EPMA법에 있어서 제16도에 표시됨과 같이 사전에 분석하려고 하는 이물을 화면중에 표시한다.
다음에 전자빔을 죄어서부터 이물 하나하나에 대하여 전자빔을 조사한다.
그리고 이물에서의 X선 스펙트르를 표시, 해석한다.
제17도는 이물 A의 EPMA분석스펙트르를 모식적으로 표시한 것이다.
동도에 있어서 횡축은 X선 에네르기를 표시하고, 단위는 전자볼트(eV)이다. 종축은 X선 강도를 표시하고, 단위는 CPS(Count Per Second)이다.
동도에 의하면 X선 에네르기가 E1의 곳에 X선 강도 I2의 제2의 피크이다.
제1의 피크는 원소X가 이물A에 포함되어 있는 것을 표시하고, 제2의 피크는 원소Y가 이물A에 포함되어 있는 것을 표시하고 있다.
여기에서 I1과 I2와의 비는 2대1정도로 있다.
여기에서 각종의 보정이 가하기 때문에 X선 강도와 조성비는 반드시 직선적인 관계에는 되지 않지만 제17도는 대체로 이물A에 있어서 원소X와 Y의 조성비가 2대1로 있는 것을 의미한다.
동일하게 제18도는 이물B의 EPMA분석스펙트르를 모식적으로 표시한 것이다.
동도에 의하면 X선 에네르기가 E3의 곳에 X선 강도I2의 제1의 피크가 있어 또 X선 에네르기가 E2의 곳에 X선 강도I2의 제2의 피크가 있다.
제1의 피크는 원소 Z가 이물B에 포함되어 있는 것을 표시하고, 제2의 피크는 원소Y가 이물B에 포함되어 있는 것을 표시하고 있다.
여기에서 제1의 피크의 크기와 제2의 피크의 크기는 거의 동일하다.
이것은 이물B에 있어서 원소Z와 Y의 조성비가 1대1로 있는 것을 의미한다.
이와 같이 제17도 및 제18도에 의거 이물A 및 B를 구성하는 원소의 종류 및 그의 조성비가 구하게 된다.
이 결과에 의거, 분석자는 이물A 및 B가 어떠한 물질인가를 특정된다.
그리고 물질이 특정되면 발생공정도 특정된다.
[발명이 해결하려고 하는 과제]
이상과 같이 종래의 이물분석방법에 의하면 분석자가 분석스펙트르에서 이물을 구성하는 원소의 종류 및 그의 조성비를 구하고 이것들에서 직접 이물의 종류를 특정하였다.
그렇지만 종래의 이물분석방법에는 피측정물인 이물의 종류가 증가하는데 수반하여 이들 이물을 구성하는 원소의 종류 및 그의 조성비가 다종다양으로 된다.
따라서 데이터의 해석이 매우 번잡 또한 복잡케되어 이물의 종류의 특정이 곤란하다.
그리고 이것에 의해 이물이 어느공정으로 발생하였는지를 확인하는 것이 매우 곤란케된다.
이와 같이 종래의 이물분석방법은 스루풋이 나쁘고 이물의 발생공정을 알아내기 위하여 많은 시간과 분석자의 고도한 판단을 필요로 하였다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하기위해 이루어진 것으로 숙련한 분석자의 고도인 판단을 필요로 하지않고, 다수의 이물에 대하여 신속히 분석을 행하는 것이 되는 이물분석장치 및 이물분석방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
더욱 이 이물분석장치 및 이물분석방법을 적용한 반도체 제조 제어장치 및 반도체 제조 제어방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
[과제를 해결하기위한 수단]
청구항 1에 관련하는 이물분석장치는 반도체 웨이퍼에 부착한 복수의 이물에 관련하여 원소마다의 조성비를 구하는 분석부와, 상기 분석부의 분석결과에 의거하여 조성비마다의 상기 복수의 이물의 분포를 구하는 이물분포작성부와, 상기 이물분포작성부가 작성한 분포에 의거하여 상기 복수의 이물을 분류하는 이물분류처리부와, 상기 이물분류처리부의 이물분류결과와 사전에 정하게 된 이물데이터를 비교하는 것에 의해 이물의 종류를 특정하는 이물특정처리부를 구비하는 것이다.
청구항 2에 관련하는 이물분석장치는 더욱 반도체 웨이퍼에 부착한 복수의 이물의 위치를 각각 구하는 이물검사부를 구비함과 함께 상기 분석부는 상기 이물검사장치가 출력하는 이물의 위치에 의거하여 상기 복수의 이물에 관하여 원소마다의 조성비를 구하는 것이다.
청구항 3에 관련하는 반도체 제조 제어장치는 반도체 웨이퍼에 부착한 복수의 이물에 관하여 원소마다의 조성비를 구하는 분석부와, 상기 분석부의 분석결과에 의거하여 조성비마다의 상기 복수의 이물의 분포를 구하는 이물분포작성부와, 상기 이물분포작성부가 작성한 분포에 의거하여 상기 복수의 이물을 분류하는 이물분류처리부와, 상기 이물분류처리부의 이물분류결과와 사전에 정하게 된 이물데이터를 비교하는 것에 의해 이물의 종류를 측정하는 이물특정처리부와, 상기 이물특정처리부에 의해 특정된 종류에 속하는 이물의 개수와 사전에 정하게 된 허용이물수데이터를 비교하는 것에 의해 반도체장치의 제조공정을 계속하는지 어떤지 판정하는 판정부를 구비하는 것이다.
청구항 4에 관련하는 이물분석방법은 반도체 웨이퍼에 부착한 복수의 이물에 관하여 원소마다의 조성비를 구하는 제1의 공정과, 상기 제1의 공정의 분석결과에 의거하여 조성비마다의 상기 복수의 이물의 분포를 구하는 제2의 공정과, 상기 제2의 공정에서 작성한 분포를 의거하여 상기 복수의 이물을 분류하는 제3의 공정과, 상기 제3의 공정의 이물분류결과와 사전에 정하게 된 이물데이터를 비교하는 것에 의해 이물의 종류를 특정하는 제4의 공정을 구비하는 것이다.
청구항 5에 관련하는 이물분석방법은 반도체 웨이퍼에 부착한 복수의 이물의 위치를 각각 구하는 제1의 공정과, 상기 복수의 이물에 관하여 원소마다의 조성비를 구하는 제2의 공정과, 상기 제2의 공정의 분석결과에 의거하여 조성비마다의 상기 복수의 이물의 분포를 구하는 제3의 공정과, 상기 제3의 공정으로 작성한 분포에 의거하여 상기 복수의 이물을 분류하는 제4의 공정과, 상기 제4의 공정의 이물분류결과와 사전에 정하게 된 이물데이터를 비교하는 것에 의해 이물의 종류를 특정하는 제5의 공정을 구비하는 것이다.
청구항 6에 관련하는 반도체 제조 제어방법은 반도체웨이퍼에 부착한 복수의 이물에 관하여 원소마다의 조성비를 구하는 제1의 공정과 상기 제1의 공정의 분석결과에 의거하여 조성비마다의 상기 복수의 이물의 분포를 구하는 제2의 공정과, 상기 제2의 공정으로 작성한 분포에 의거하여 상기 복수의 이물을 분류하는 제3의 공정과, 상기 제3의 공정의 이물분류결과와 사전에 정하게 된 이물데이터를 비교하는 것에 의해 이물의 종류를 특정하는 제4의 공정과, 상기 제4의 공정에 의해 특정된 종류에 속하는 이물의 개수와 사전에 정하게 된 허용이물수데이터를 비교하는 것에 의해 반도체장치의 제조공정을 계속하는지 어떤지 판정하는 제5의 공정을 구비하는 것이다.
[작용]
청구항 1의 발명에 있어서 분석부가 반도체 웨이퍼에 부착한 복수의 이물에 관하여 원소마다의 조성비를 구하고, 이물분포작성부가 상기 분석부의 분석결과에 의거하여 조성비마다의 상기 복수의 이물의 분포를 구하고, 이물분류처리부가 상기 이물분포작성부가 작성한 분포에 의거하여 상기 복수의 이물을 분류하고, 이물특정처리부가 상기 이물분류처리부의 이물분류결과와 사전에 정하게 된 이물데이터를 비교하는 것에 의해 이물의 종류를 특정한다.
청구항 2의 발명에 있어서 이물검사부가 반도체 웨이퍼에 부차간 복수의 이물의 위치를 각각 구하고, 상기 분석부가 상기 이물검사장치가 출력하는 이물의 위치에 의거하여 상기 복수의 이물에 관하여 원소마다의 조성비를 구한다.
청구항 3의 발명에 있어서 분석부가 반도체 웨이퍼에 부착한 복수의 이물에 관하여 원소마다의 조성비를 구하고, 이물분포작성부가 상기 분석부의 분석결과에 의거하여 조성비마다의 상기 복수의 이물의 분포를 구하고, 이물분류처리부가 상기 이물분포작성성부가 작성한 분포에 의거하여 상기 복수의 이물을 분류하고, 이물특정처리부가 상기 이물분류처리부의 이물분류결과와 사전에 정하게 된 이물데이터를 비교하는 것에 의해 이물의 종류를 특정하고, 판정부가 상기 이물특정처리부에 의해 특정된 종류에 속하는 이물의 개수와 사전에 정하게 된 허용이물수데이터를 비교하는 것에 의해 반도체 장치의 제조공정을 계속하는지 어떤지 판정한다.
청구항 4의 발명에 있어서 제1의 공정이 반도체 웨이퍼에 부착한 복수의 이물에 관하여 원소마다의 조성비를 구하고, 제2의 공정이 상기 제1의 공정의 분석결과에 의거하여 조성비마다의 상기 복수의 이물의 분포를 구하고 제3의 공정이 상기 제2의 공정으로 작성한 분포에 의거하여 상기 복수의 이물을 분류하고, 제4의 공정이 상기 제3의 공정의 이물분류결과와 사전에 정하게 된 이물데이터를 비교하는 것에 의해 이물의 종류를 특정한다.
청구항 5의 발명에 있어서 제1의 공정이 반도체 웨이퍼에 부착한 복수의 이물의 위치를 각각 구하고, 제2의 공정이 상기 복수의 이물에 관하여 원소마다의 조성비를 구하고, 제3의 공정이 상기 제2의 공정의 분석결과에 의거 조성비마다의 상기 복수의 이물의 분포를 구하고, 제4의 공정이 상기 제3의 공정으로 작성한 분포에 의거하여 상기 복수의 이물을 분류하고, 제5의 공정이 상기 제4의 공정의 이물분류결과와 사전에 정하게 된 이물데이터를 비교하는 것에 의해 이물의 종류를 특정한다.
청구항 6의 발명에 있어서, 제1의 공정이 반도체 웨이퍼에 부착한 복수의 이물에 관하여 원소마다의 조성비를 구하고, 제2의 공정이 상기 제1의 공정의 분석결과에 의거하여 조성비마다에 상기 복수의 이물의 분포를 구하고 제3의 공정이 상기 제2의 공정으로 작성한 분포에 의거 상기 복수의 이물을 분류하고, 제4의 공정이 상기 제3의 공정의 이물분류결과와 사전에 정하게 된 이물데이터를 비교하는 것에 의해 이물의 종류를 특정하고, 제5의 공정이 상기 제4의 공정에 의해 특정된 종류에 속하는 이물의 개수와 사전에 정하게 된 허용이물수데이터를 비교하는 것에 의해 반도체장치의 제조공정을 계속하는지 어떤지 판정한다.
[실시예 1]
이하 이 발명의 일실시예를 도면에 관하여 설명한다.
제1도는 이 실시예 1에 의한 이물분석시스템의 구성을 표시하는 기능블록도이다.
동도면에 있어서 (1)은 반도체 웨이퍼(101)상의 이물을 분류함과 함께 이물의 종류 및 이물의 발생공정을 특정하고, 이물특정결과를 출력하는 이물분석부이다.
이물분석부(1)는 이물특정결과로서 이물의 종류, 이물의 발생공정 및 이물의 종류마다의 수 및 이물의 분포의 표준편차를 출력한다.
이물분석부(1)는 EPMA분석스펙트르에 의거하여 다수의 이물을 원소마다의 조성비를 좌표축으로 하는 공간에 플롯하는 이물플롯부(10)와, 이들 플롯에 의거하여 이물을 몇 개의 카테고리에 분류하는 이물분류처리부(11)와, 이 이물분류처리부(11)의 분류결과와, 이물데이터베이스(13)에 사전에 격납되어 있는 이물데이터를 비교하는 것에 의해 카테고리마다의 이물의 종류, 이물의 발생공정, 이물의 종류마다의 수 및 이물의 분포의 표준편차를 구하는 이물특정처리부(12)에서 구성된다.
그는 피측정시료에 전자선을 조사하고, 발생하는 특성 X선을 검출하고 그의 조성을 동정하는 주사형 전자현미경(SEM)이다.
제1도에 표시됨과 같이 SEM(2)은 피측정시료인 반도체 웨이퍼(101)에 대하여 전자선(102)을 조사함과 함께 반도체 웨이퍼(101)에서의 특정 X선(103)을 검출한다.
(3)은 SEM(2)에 의해 얻게 된 피측정시료의 표면화상을 표시하는 표시부이다.
다음에 이 실시예 1의 이물분석시스템의 동작에 관하여 제1도의 기능블럭도, 제2도의 플롯차트 및 제3도 ~ 제11도의 모식도를 사용하여 설명한다.
SEM(2)은 반도체 웨이퍼(101)에 대하여 전자선(102)을 조사한다.
그러면 반도체 웨이퍼(101)는 2차전자나 특성 X선(103)을 방사한다.
SEM(2)은 이것에 의거, 우선 2차 전자상을 작성하고, 이것을 표시부(3)에 표시한다.
제3도는 표시부(3)에 표시되는 2차 전자상의 예이다.
동도면은 반도체 웨이퍼(101)의 표면상에 2개의 이물A 및 B가 부착하고 있는 상태를 표시한다.
이 표시화면에 의거하여 전자빔이 순번으로 이들 이물부분에 죄게된다.
이들 이물 A 및 B에서 방사되는 특성 X선(103)에서 EPMA법에 의해 제4도 및 제5도에 표시되도록 한 이물의 EPMA분석스펙트로가 얻게 된다.
이상의 처리는 전체의 이물에 대하여 이루게 된다.
따라서 얻게 되는 EPMA분석스펙트르의 수는 이물의 수와 동일하다.
그리고 SEM(2)은 이들 이물마다의 EPMA분석스펙트르를 이물분석부(1)에 대하여 출력한다.
한편 이물분석부(1)는 이 EPMA분석스펙트르에 대하여 제2도에 표시되는 플로차트에 따라 처리를 행한다.
[ST1]
이물분석부(1)의 이물플롯부(10)는 SEM(2)에서 1개의 이물 ai(여기에서 i=1,2, …, n)의 EPMA분석스펙트르를 받는다.
[ST2]
이물분석부(1)의 이물플롯부(10)는 수신한 EPMA분석스펙트르에 의거하여 원소의 종류 및 그의 조성비(ai(xi, yi, zi), 여기에서 xi는 원소X의 조성비, yi는 원소Y의 조성비, zi는 원소Z의 조성비)를 구한다.
이물을 구성하는 원소의 종류 및 그의 조성비는 구체적으로는 이하와 같이하여 구하게 된다.
제4도는 제3도에 표시된 이물 A의 EPMA분석스펙트르의 모식도이다.
동도면에 있어서 횡축은 X선 에네르기를 표시하고, 단위는 전자볼트(eV)이다.
동도면의 종축은 X선 강도를 표시하고, 단위는 CPS(Count Per Second)이다.
이물분석부(1)의 이물플롯부(10)는 EPMA분석스펙트르를 횡축방향으로 주사하여 피크와 그때의 X선 에네르기의 크기를 구한다.
동도면에 의하여 X선 에네르기가 E1의 곳에 X선 강도E1의 제1의 피크가 있어 또 X선 에네르기가 E2의 곳에 X선 강도I2의 제2의 피크가 있다.
제1의 피크는 원소X가 이물A에 포함되어 있는 것을 표시하고, 제2의 피크는 원소Y가 이물A에 포함되어 있는 것을 표시하고 있다.
여기에서 I1과 I2의 비는 2대1정도이다.
여기에서 각종의 보정이 가해지기 때문에 X선 강도와 조성비는 반드시 직선적인 관계에는 되지 않지만, 제4도는 대체로 이물A에 있어서 원서X와 Y의 조성비가 2대1로 있는 것을 의미한다.
이것에서 이물A을 구성하는 원소의 종류 및 그의 조성비가 aA(2, 1, 0)로 구하게 된다.
역시 원소에 의하여는 X선 강도와 조성비의 관계가 직선적이 아닌 경우가 있다.
이 경우에 있어서 제4도의 원소X와 Y의 조성비가 1대1의 것도 있을 수 있다.
그러나 이 경우에도 이물의 조성비와 분석스펙트르의 X선 강도분포는 1대1에 대응함으로 EPMA분석스펙트르에 의거 이물의 조성비를 구하는 것이 된다.
이물A을 원소X, Y, Z를 좌표측으로 하는 공간에 플롯하면, 제6도에 표시됨과 같이 된다.
원소Z의 조성비는 0으로 있음으로 이물A은 XYZ평면에 플롯된다.
여기에서 제6도와 같이 이 좌표계에 플롯한 도면을 주성분 산포도라 말한다.
이물B에 관하여도 동일하게하여 원소의 종류 및 그의 조성비가 구하게 된다.
이물B의 EPMA분석스펙트르가 표시된 제4도에 의하여 X선 에네르기가 E3의 곳에 X선 강도I2의 제1의 피크가 있어 또 X선 에네르기가 E2의 곳에 X선 강도I2의 제2의 피크가 있다.
제1의 피크는 원소Z가 이물B에 포함되어 있는 것을 표시하고, 제2의 피크는 원소Y가 이물B에 포함되어 있는 것을 표시하고 있다.
여기에서 제1의 피크의 크기와 제2의 피크의 크기는 거의 동일하다.
이것 이물B을 구성하는 원소의 종류 및 그의 조성비가 aB(0, 1, 1)로 구하게 된다.
또 이물B을 원소X, Y, Z를 좌표축으로 하는 공간에 플롯하면, 제7도에 표시되도록 된다.
원소X의 조성비는 0으로 있음으로 이물B은 YZ평면에 플롯된다.
[ST3]
전체의 이물에 관하여 분석이 종료하였는지 어떤지 판단한다.
종료하고 있지않으면 (NO), 스텝1으로 되돌아가 다음의 이물에 관하여 원소의 종류 및 그의 조성비를 구한다.
종료하고 있으면 (YES), 스텝ST4에 진행한다.
[ST4]
스텝ST1~ST3에 의해 구하게된 n개의 이물의 분석결과에 의거하여 이물분석부(1)의 이물분류처리부(11)가 이물의 분류처리(카테고라이즈)를 행한다.
n개의 이물을 원소X, Y, Z를 좌표축으로 하는 공간에 플롯하면 예컨데 제8도에 표시되도록 된다.
동도면은 이물이 nA개, nB개, nC개씩 A, B, C의 3개의 그룹으로 분류되는 경유를 표시하고 있다.
이와 같이 그룹에 분류되는 것은 이물이 어느 공정으로 발생하는지에 의하여(19)의 구성원소 및 조성비가 일정케되기 때문이다.
따라서 제8도의 주성분 산포도는 이 반도체 웨이퍼상의 이물이 3개의 공정으로 발생하고 있는 것을 의미한다.
이와 같이 반도체 웨이퍼표면, 혹은 반도체 패턴 표면의 이물은 수종의 발생원에서 발생하는 것이 많고, 이들 발생원에서의 이물이 반도체 웨이퍼의 표면에 산포되어 있다.
따라서 수개의 그룹에 구별된 이물군의 조성비를 조사하면, 이물의 발생공정을 특정하는 것이 통계적으로 가능케된다.
카테고라이즈는 구체적으로 이하와 같이 행한다.
설명을 간단하게 하기 위하여 2차원 평면좌표인 XY좌표를 예로하여 설명한다.
제9도는 어는 분석결과를 표시하는 주성분 산포도이다.
플롯된 다수의 이물은 XY좌표상에 있어서 그의 종류를 대응하여 A집단(그룹) 및 B집단(그룹)을 구성한다.
A그룹의 중심좌표가 AC(XAC, YAC), B그룹의 중심좌표가 BC(XBC', YBC)로 있다고 한다.
이 주성분 산포도도 의거하여 이들 그룹의 수 및 각각의 중심좌표를 구하는 것에 의해 카테고라이즈가 행하게 된다.
그때문에는 다음과 같이 한다.
우선 X축에 관하여 그룹의 수 및 중심좌표를 구한다.
그것에는 제10도에 표시됨과 같은 X축에 관한 이물의 분포도를 구한다.
동도면은 횡축에 X축을 종축에 이물의 개수 I를 플롯한 것이다.
이와같은 분포도는 그룹마다에 정규분포를 이룬 것이 예상된다.
따라서 제9도와 같이 A 및 B의 2개의 그룹을 이룬 이물군의 경우 제10도에 있어서도 XAC및 XBC를 중심으로하여 각각 정규분포를 이룬다.
따라서 제10도의 분포도의 피크를 구하는 것에 의해 이물의 그룹의 수 및 중심의 X좌표를 구하는 것이 된다.
또 구하게 된 중심의 X좌표 XAC', XBC에 의거하여 그룹A, B 각각에 관하여 표준편차σXAC', σXBC를 구하는 것이 된다.
동일하게하여 제11도에 표시되는 Y축에 관한 이물의 분포도에 의거하여 이물의 그룹의 수, 중심의 Y좌표 YAC', YBC및 Y축에 관한 표준편차σYAC', σYBC를 구하는 것이 된다.
이상의 수순에 의해 이물의 그룹의 수가 2개로 있는 것, 그들의 중심에 좌표AC(XAC', YAC), BC(XBC', XBC) 및 X축, Y축에 관한 표준편차(σXAC', σYBC)(σXBC', σYBC)를 구하는 것이 된다.
역시 이물의 그룹의 수가 X축과 Y축으로 달리하는 것이 있다.
이것은 분포가 겹쳐는 것에 의해 생기기 때문에 많은 편의 그룹수를 이물군 전체의 그룹수로 하면 좋다.
[ST5]
이물의 종류 발생공정을 특정한다.
스텝ST4에 있어서 구하게된 A 및 B그룹의 중심좌표 AC(XAC', YAC), BC(XBC', YBC) 및 X축, Y축에 관한 표준편차 (σXAC', σYAC)(σXBC', σYBC)에 의거하여 이물 분석부(1)의 이물특정처리부(12)가 이물의 종류 및 발생공정을 특정한다.
발생하는 이물의 종류 및 발생공정은 사전에 어느정도 예상하는 것이 된다.
발생하는 가능성이 있는 이물의 종류 및 발생공정에 관한 데이터베이스가 이물데이터베이스(13)에 사전에 격납되어 있다.
이물특정처리부(12)는 그룹마다에 그의 중심좌표와 이물데이터베이스(13)에 격납되어 있는 화합물표의 내용을 비교하는 것에 의해 그의 이물그룹을 특정한다.
구체적으로는 다음과 같은 처리를 행한다.
이물데이터베이스(12)에는 m종류의 화합물에 관한 표가 격납되어있다고 한다.
이 표의 내용은 어느 이물 Pi(단 i=1~m)에 관한 조성비 좌표(ai, bi)(단, ai는 원소 X의 조성비, bi는 원소 Y의 조성비)이다.
이물그룹의 중심좌표 AC(XAC', YAC)와 이물데이터베이스(12)의 m개의 조성비 좌표(ai', bi)의 거리를 전체 구하고, 그중에서 거리가 가장 짧은 조성비의 이물을 이 그룹A의 이물이라고 판단한다.
여기에서 거리는 (XAC-ai)2+(YAC-bi)2로 정의된다.
그리고 이물의 종류를 특정되면 이물데이터베이스(12)에 의거 발생공정도 특정된다.
이상과 같이하여 이물의 종류 및 발생공정이 특정된다.
[ST6]
이물특정처리부(12)는 스텝ST5을 특정된 이물의 종류 및 이물발생공정, 더욱 이물분류처리부(11)로 분류된 이물의 종류의 수 및 이물의 분포의 표준편차를 이물특정결과로서 외부에 출력한다.
이 이물특정결과는 도시하지않은 표시장치에 표시되든지 반도체장치의 프로세스의 양부의 판정 등에 사용된다.
이상과 같이 이 실시예 1에 의하면 반도체 웨이퍼표면, 혹은 반도체 패턴표면의 이물의 종류 및 그의 발생공정은 통계적으로 신속하게 분석을 행하는 것이 된다.
역시 이 실시예 1에 있어서 EPMA법에 의한 분석결과를 예로하여 설명하였지만, 이것에 한하지 말고 전자선을 시료표면에 대고 거기에서 발생하는 오제전자분광법(AES법:Auger Electron Spectroscopy), 혹은 이온빔을 시료표면에 대고 스패터링에 의한 2차이온을 질량분해, 분석하는 2차이온질량분광분석법(SIMS법:Secondary Ion Mass Spectroscopy)등에 의한 분석결과에 관하여도 적용되는 동일한 효과를 이룬다.
역시 AES법에 의한 분석스펙트르의 종축은 오제전자수이고, 횡축은 전자선 에네르기이다.
또 SIMS법에 의한 분석스펙트르의 종축은 이온카운트수이고, 횡축은 이온에네르기이다.
이와 같이 분석스펙트르의 좌표축의 의미가 EPMA법의 경우와 같지 않아도 원소의 종류 및 그의 조성비를 구하는 경우의 취급은 EPMA법의 경우와 동일하다.
[실시예 2]
실시예 1에 표시된 분석부에 있어서 다수의 이물을 분석하기 위하여는 우선 분석자가 표시부(3)의 화면을 보고 이물의 위치를 확인하고부터 이 이물의 좌표를 SEM(2)에 입력하고, 이물의 분석스펙트르를 구할 필요가 있다.
그러나 제12도에 표시함과 같이 이물의 좌표를 자동적으로 입력하도록 하여도 좋다.
제12도는 이 실시예 2에 의한 이물분석시스템의 구성도이다.
동도면에 있어서(4)는 반도체 웨이퍼 표면 혹은 반도체패턴 표면의 이물의 위치를 측정하고, 이들 이물의 좌표(5)를 출력하는 반도체 이물결함검사장치이다.
반도체 이물결함검사장치(4)는 반도체 제조에 있어서 종래 사용되어있든 장치이다.
분석부(1), SEM(2), 표시부(3), 반도체 웨이퍼(101)등은 제1도에 표시된 것과 동일한 것이다.
제12도의 이물분석시스템에 의하면 SEM(2)은 반도체이물결함검사장치(4)가 출력하는 이물좌표(5)에 의거하여 반도체 웨이퍼 표면 혹은 반도체패턴 표면의 이물에 관하여 자동적으로 EPMA분석을 행한다.
따라서 분석자가 일일이 이물의 좌표를 입력할 필요가 없어져서 작업성이 향상함과 함께 보다 신속하게 분석을 행하고 발생공정을 특정하는 것이 가능케된다.
[실시예 3]
실시예 1 또는 실시예 2의 분석장치를 반도체장치의 제조프로세스에 있어서 인라인계측에 적용하는 것이 된다.
그 때문에 사용되는 반도체 제조공정의 제어장치의 구성을 제13도에 표시한다.
동도면에 있어서 (6)은 분석부(1)가 출력하는 이물특정결과에 의거하여 반도체장치의 제조프로세스 양부판정부이다.
프로세스양부판정부(6)는 이물특정결과에 의거하여 양부판정을 행하는 프로세스 양부판정수단(61)과 양부판단의 기준으로 되는 허용되는 이물의 수가 이물의 종류마다에 사전에 격납되어 있는 허용이물데이터베이스(62)에서 구성된다.
분석부(1), SEM(2), 표시부(3), 반도체 웨이퍼(101) 등은 제1도에 표시된 것과 동일한 것이다.
다음에 동작에 관하여 제14도의 프로세스양부판정 플로차트 및 제15도의 처리설명도를 사용하여 설명한다.
[ST11]
프로세스양부판정부(6)의 프로세스양부판정수단(61)은 분석부(1)에서의 이물특정 결과에 의거하여 허용이물수 데이터베이스(62)에서 이물의 종류에 대응하는 허용 이물수를 판독한다.
예컨데 제8도에 표시됨과 같이 이물이 A, B, C의 3개의 그룹으로 분류되어, 각각의 이물의 수가 nA', nB', nC'는 이물의 분포의 표준편차를 각각 (σXAC', σYAC), (σXB', σYBC), (σXCC', σYCC)로 하였을 때 제8도의 분포의 중심(XAC', YAC), (XBC', YBC), (XCC', YCC)에서 각각 (σXAC+σYAC), (σXBC'+σYBC), (σXCC+σYCC)의 범위에 포함되는 이물의 수이다.
또 허용이물데이터베이스(62)에서 판독된 허용이물 수는 n0로 있다고 한다.
[ST12]
다음에 이물의 수가 허용한도를 넘어가는지 어떤지를 판정한다.
예컨데 nA의 치가 nAn0로 된 경우에, 이 프로세스A는 불량으로 있음으로 프로세스 중지로 판단하고 처리를 스텝ST14에 옮긴다.
또 nB', nC에 관하여 동일하다.
그렇지 않은 경우(nA≤n0)는 처리를 스텝ST13에 옮겨 프로세스를 계속한다.
[ST14]
프로세스A가 불량으로 판단되면, 대상의 반도체 웨이퍼를 제조라인에서 배제한다
이것을 개념적으로 설명한 것이 제15도의 처리설명도이다.
프로세스A~D에서 되는 제조공정에 있어서 제13도의 반도체 자동이물분석시스템을 사용하여 반도체 웨이퍼마다에 프로세스B후에 있어서 프로세스 A 및 B의 양부를 판정한다.
그리고 프로세스 양(OK)인때에는 다음의 프로세스C 및 D가 실행된다.
한편 프로세스 불량(NG)인때에는 이 반도체 웨이퍼에 관하여는 프로세스가 중지된다.
이상과 같이 이 실시예 3에 의하면 반도체장치의 제조공정에 있어서 반도체웨이퍼마다에 프로세스의 양부를 판정하고, 프로세스 양의 것만 공정을 계속함으로서 생산효율이 향상함과 함께 수율이 개선된다.
[실시예 4]
역시 상기 실시예 1~3에 있어서 원소의 종류가 2개 있는 것은 3개의 경우를 예로하여 설명하였지만, 이것에 한하지 않고 원소의 종류가 4개 이상의 경우에도 적용된다.
이 경우에 있어서 예컨데 이물을 구성하는 원소가 K종류(K3인 정수)로 있으면 이물Pi을 K개의 조성비에서 되는 n차원의 좌표Pi(Xi1, Xi2, …, Xik)에 플롯하는 것이 된다.
또 이때 일정한 제약조건, 예컨데 Xi1r0', Xi2r1'…는 측정치만을 추출하여 분석처리를 행하는 것이 된다.
이 경우에도 상기 실시예 1~3와 동일한 효과를 이루는 것과 함께 더욱 처리의 대상으로 되는 원소의 종류(차원)가 적게되어 처리가 용이 또한 신속하게 행한다고 하는 효과도 이룬다.
[발명의 효과]
이상과 같이 청구항 1및 청구항 4의 발명에 의하면 반도체 웨이퍼에 부착한 복수의 이물에 관하여 원소마다의 조성비를 구하는 분석부와, 상기 분석부의 분석 결과에 의거하여 조성비마다의 상기 복수의 이물의 분포를 구하는 이물분포작성부와, 상기 이물분포작성부가 작성한 분포에 의거하여 상기 복수의 이물을 분류하는 이물분류처리부와, 상기 이물분류처리부의 이물분류결과와 사전에 정하게 된 이물데이터를 비교하는 것에 의해 이물의 종류를 특정하는 이물특정처리데이터를 비교하는 것에 의해 이물의 종류를 특정하는 이물특정처리부를 구비한 것으로, 숙련한 분석자의 고도한 판단을 필요로 하지 않고, 다수의 이물에 대하여 신속하게 분석을 행하는 것이 된다.
또 청구항 2 및 청구항 5의 발명에 의하면, 반도체 웨이퍼에 부착한 복수의 이물의 위치를 각각 구하는 이물검사부를 구비함과 함께 상기 분석부는 상기 이물검사장치가 출력하는 이물의 위치에 의거하여 상기 복수의 이물에 관하여 원소마다의 조성비를 구하도록 함으로써 분석자가 일일이 이물의 좌표를 입력할 필요가 없게되어 작업성이 향상한다.
또 청구항 3 및 청구항 6의 발명에 의하면, 반도체 웨이퍼에 부착한 복수의 이물에 관하여 원소마다의 조성비를 구하는 분석부와, 상기 분석부의 분석결과에 의거하여 조성비마다의 상기 복수의 이물의 분포를 구하는 이물분포작성부와, 상기 이물분포작성부가 작성한 분포에 의거하여 상기 복수의 이물을 분류하는 이물분류처리부와, 상기 이물분류처리부의 이물분류결과와 사전에 정하게 된 이물데이터를 비교하는 것에 의해 이물의 종류를 특정하는 이물특정처리부와, 상기 이물특정처리부에 의해 특정된 종류에 속하는 이물의 개수와 사전에 정하게 된 허용이물수 데이터를 비교하는 것에 의해 반도체장치의 제조공정을 계속하는지 어떤지 판정하는 판정부를 구비함으로서 프로세스 양의 반도체 웨이퍼에 대하여만 공정을 계속함으로서 생산효율이 향상함과 함께 수율이 개선된다.

Claims (6)

  1. 반도체 웨이퍼에 부착한 복수의 이물에 관하여 원소마다의 조성비를 구하는 분석부와, 상기 분석부의 분석결과에 의거하여 조성비마다의 상기 복수의 이물의 분포를 구하는 이물분포작성부와, 상기 이물분포작성부가 작성한 분포에 의거하여 상기 복수의 이물을 분류하는 이물분류처리부와, 상기 이물분류처리부의 이물분류결과와 사전에 정하게 된 이물데이터를 비교하는 것에 의해 이들의 종류를 특정하는 이물특정처리부를 구비한 이물분석장치.
  2. 제1항에 있어서, 반도체 웨이퍼에 부착한 복수의 이물의 위치를 각각 구하는 이물검사부를 구비함과 함께 상기 분석부는 상기 이물검사장치가 출력하는 이물의 위치에 의거하여 상기 복수의 이물에 관하여 원소마다의 조성비를 구하는 것을 특징으로 하는 이물분석장치.
  3. 반도체 웨이퍼에 부착한 복수의 이물에 관하여 원소마다의 조성비를 구하는 분석부와, 상기 분석부의 분석결과에 의거하여 조성비마다의 상기 복수의 이물의 분포를 구하는 이물분포작성부와, 상기 이물분포작성부가 작성한 분포에 의거하여 상기 복수의 이물을 분류하는 이물분류처리부와, 상기 이물분류처리부와 이물분류결과와 사전에 정하게 된 이물데이터를 비교하는 것에 의해 이물의 종류를 특정하는 이물특정처리부와, 상기 이물특정처리부에 의해 특정된 종류에 속하는 이물의 개수와 사전에 정하게 된 허용이물수 데이터를 비교하는 것에 의해 반도체장치의 제조공정을 계속하는지 어떤지 판정하는 판정부를 구비한 반도체 제조 제어장치.
  4. 반도체 웨이퍼에 부착한 복수의 이물에 관하여 원소마다의 조성비를 구하는 제1의 공정과, 상기 제1의 공정의 분석결과에 의거하여 조성비마다의 상기 복수의 이물의 분포를 구하는 제2의 공정과, 상기 제2의 공정으로 작성한 분포에 의거하여 상기 복수의 이물을 분류하는 제3의 공정과, 상기 제3의 공정의 이물분류결과와 사전에 정하게 된 이물데이터를 비교하는 것에 의해 이물의 종류를 특정하는 제4의 공정을 구비한 이물분석방법.
  5. 반도체 웨이퍼에 부착한 복수의 이물의 위치를 각각 구하는 제1의 공정과, 상기 복수의 이물에 관하여 원소마다의 조성비를 구하는 제2의 공정과, 상기 제2의 공정의 분석결과에 의거하여 조성비마다의 상기 복수의 이물의 분포를 구하는 제3의 공정과, 상기 제3의 공정으로 작성한 분포에 의거하여 상기 복수의 이물을 분류하는 제4의 공정과, 상기 제4의 공정의 이물분류결과와 사전에 정하게 된 이물데이터를 비교하는 것에 의해 이물의 종류를 특정하는 제5의 공정을 구비한 이물분석방법.
  6. 반도체 웨이퍼에 부착한 복수의 이물에 관하여 원소마다의 조성비를 구하는 제1의 공정과, 상기 제1의 공정의 분석결과에 의거하여 조성비마다의 상기 복수의 이물의 분포를 구하는 제2의 공정과, 상기 제2의 공정으로 작성한 분포에 의거하여 상기 복수의 이물을 분류하는 제3의 공정과, 상기 제3의 공정의 이물분류결과와 사전에 정하게 된 이물데이터를 비교하는 것에 의해 이물의 종류를 특정하는 제4의 공정과, 상기 제4의 공정에 의해 특정된 종류에 속하는 이물의 개수와 사전에 정하게 된 허용이물수 데이터를 비교하는 것에 의해 반도체장치의 제조공정을 계속하는지 어떤지 판정하는 제5의 공정을 구비한 반도체 제조 제어방법.
KR1019950034715A 1994-10-24 1995-10-10 이물분석장치 및 반도체 제조 제어장치 또는 이물분석방법 및 반도체 제조 제어방법 KR0180284B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25839994A JP3455306B2 (ja) 1994-10-24 1994-10-24 異物分析装置及び半導体製造制御装置並びに異物分析方法及び半導体製造制御方法
JP94-258399 1994-10-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960015834A KR960015834A (ko) 1996-05-22
KR0180284B1 true KR0180284B1 (ko) 1999-04-15

Family

ID=17319702

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950034715A KR0180284B1 (ko) 1994-10-24 1995-10-10 이물분석장치 및 반도체 제조 제어장치 또는 이물분석방법 및 반도체 제조 제어방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5550372A (ko)
JP (1) JP3455306B2 (ko)
KR (1) KR0180284B1 (ko)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6185472B1 (en) * 1995-12-28 2001-02-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device manufacturing method, manufacturing apparatus, simulation method and simulator
US6259960B1 (en) * 1996-11-01 2001-07-10 Joel Ltd. Part-inspecting system
JP3500264B2 (ja) * 1997-01-29 2004-02-23 株式会社日立製作所 試料分析装置
US6072574A (en) * 1997-01-30 2000-06-06 Micron Technology, Inc. Integrated circuit defect review and classification process
US6466687B1 (en) * 1997-02-12 2002-10-15 The University Of Iowa Research Foundation Method and apparatus for analyzing CT images to determine the presence of pulmonary tissue pathology
US6246472B1 (en) * 1997-07-04 2001-06-12 Hitachi, Ltd. Pattern inspecting system and pattern inspecting method
US6399953B1 (en) * 1998-01-09 2002-06-04 Seiko Instruments Inc. Scanning electronic microscope and method for automatically observing semiconductor wafer
US6407386B1 (en) * 1999-02-23 2002-06-18 Applied Materials, Inc. System and method for automatic analysis of defect material on semiconductors
US6414308B1 (en) 1999-03-12 2002-07-02 International Business Machines Corporation Method for determining opened/unopened semiconductor contacts using a scanning electron microscope
JP2000306963A (ja) 1999-04-22 2000-11-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法並びに半導体製造装置及び製造システム
US6414307B1 (en) * 1999-07-09 2002-07-02 Fei Company Method and apparatus for enhancing yield of secondary ions
US6603119B1 (en) * 2000-05-09 2003-08-05 Agere Systems Inc. Calibration method for quantitative elemental analysis
TWI225665B (en) * 2001-10-17 2004-12-21 Canon Kk Apparatus control system, apparatus control method, semiconductor exposure apparatus, semiconductor exposure apparatus control method and semiconductor device manufacturing method
US6741941B2 (en) 2002-09-04 2004-05-25 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for analyzing defect information
JP2004151045A (ja) * 2002-11-01 2004-05-27 Hitachi High-Technologies Corp 電子顕微鏡またはｘ線分析装置及び試料の分析方法
US7319935B2 (en) * 2003-02-12 2008-01-15 Micron Technology, Inc. System and method for analyzing electrical failure data
JP2006119076A (ja) * 2004-10-25 2006-05-11 Jasco Corp マッピングデータ解析装置及び方法
JP4660158B2 (ja) * 2004-10-28 2011-03-30 日本電子株式会社 状態図を利用した相分析を行う表面分析装置
JP5439795B2 (ja) * 2008-11-12 2014-03-12 凸版印刷株式会社 異物推定システム
WO2016171186A1 (ja) * 2015-04-20 2016-10-27 株式会社ジョブ Ｘ線検査用のデータ処理装置及びデータ処理方法、並びに、その装置を搭載したｘ線検査装置
CN111337795A (zh) * 2018-12-18 2020-06-26 河南平芝高压开关有限公司 一种gis、放电异物检测方法及装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51119289A (en) * 1974-11-29 1976-10-19 Agency Of Ind Science & Technol Method of determining the heterogenous sample of micro-particles
US4857731A (en) * 1987-04-17 1989-08-15 Jeol Ltd. Instrument for analyzing specimen
US5233191A (en) * 1990-04-02 1993-08-03 Hitachi, Ltd. Method and apparatus of inspecting foreign matters during mass production start-up and mass production line in semiconductor production process

Also Published As

Publication number Publication date
JP3455306B2 (ja) 2003-10-14
KR960015834A (ko) 1996-05-22
JPH08124982A (ja) 1996-05-17
US5550372A (en) 1996-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0180284B1 (ko) 이물분석장치 및 반도체 제조 제어장치 또는 이물분석방법 및 반도체 제조 제어방법
EP2867656B1 (en) Cluster analysis of unknowns in sem-eds dataset
JP3993817B2 (ja) 欠陥組成分析方法及び装置
US6072178A (en) Sample analyzing apparatus
US5787190A (en) Method and apparatus for pattern recognition of wafer test bins
US6765205B2 (en) Electron microscope including apparatus for X-ray analysis and method of analyzing specimens using same
US6850320B2 (en) Method for inspecting defects and an apparatus for the same
US6496958B1 (en) Yield prediction and statistical process control using predicted defect related yield loss
US6952653B2 (en) Single tool defect classification solution
US8237119B2 (en) Scanning type charged particle beam microscope and an image processing method using the same
JP2001159616A (ja) パターン検査方法及びパターン検査装置
KR102219788B1 (ko) 자동화 결정 기반 에너지 분산 엑스레이 방법 및 장치
JPH09320505A (ja) 電子線式検査方法及びその装置並びに半導体の製造方法及びその製造ライン
US11416982B2 (en) Controlling a process for inspection of a specimen
CN114096832B (zh) 用于选择用于样本检验的缺陷检测方法的***和方法
Diebold Overview of metrology requirements based on the 1994 National Technology Roadmap for semiconductors
Shindo et al. Excursion detection and source isolation in defect inspection and classification [VLSI manufacture]
JP2006227026A (ja) パターン検査方法及びパターン検査装置
US6911284B2 (en) Photomask and method for manufacturing the photomask
US20030145291A1 (en) Specimen analyzing method
US20030222215A1 (en) Method for objective and accurate thickness measurement of thin films on a microscopic scale
WO2024036552A1 (en) Method for defect review measurement on a substrate, apparatus for imaging a substrate, and method of operating thereof
US6708574B2 (en) Abnormal photoresist line/space profile detection through signal processing of metrology waveform
US20240219313A1 (en) Measurement deviation analysis for a semiconductor specimen
Fletcher et al. Certification of new standard reference material 2806b medium test dust in hydraulic fluid

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20061124

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee