KR0179559B1 - 반도체 소자의 부식방지용 금속배선 형성방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 금속배선막의 부식을 방지하는 부식방지용 금속배선막의 형성 방법을 제공하기 위한 것이다.
이와 같은 본 발명의 부식방지용 금속배선 형성방법은 기판 상부에 형성된 절연막의 소정부분에 형성된 콘택홀(또는 비아홀) 전면에 콘택홀이 매립되지 않을 정도로 얇게 제1도전막을 형성하는 단계; 제1도전막 상에 제2도전막을 콘택홀이 매립되지 않을 정도로 얇게 형성하는 단계; 구리를 제2도전막 상의 전면에 소정 두께로 도포하여 콘택홀을 매립하는 단계; 구리배선 상에 감광막 패턴을 형성하여 제1금속배선패턴 이외의 구리막, 제2금속막, 제1금속막을 순차적으로 제거하는 단계; 노출된 구리 패턴의 측면을 포함한 전면에 알루미늄 박막을 형성하는 단계; 알루미늄 박막이 형성된 결과적인 구조를 열적 산화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 소자의 부식장지용 금속배선 형성방법
제1도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자에 있어서, 부식방지용 금속배선의 형성방법을 설명하는 공정 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 실리콘 기판 2 : 접합층
3 : 산화막 4 : 제1금속막
5 : 제2금속막 6 : 구리 막
7 : CuAl2를 함유한 알루미늄 막 8 : 알루미늄 산화막
본 발명은 반도체 소자의 금속배선막 형성방법에 관한 것으로, 특히 콘택홀 및 비아홀에 매립되는 부식방지용 금속배선막의 형성방법에 관한 것이다.
일반적으로 막의 증착에 사용되는 증착공정이라 함은 기상의 소스로부터 특정 원자나 분자를 고상화 시켜 필요로 하는 박막을 얻어 내는 일종의 물질 합성과정을 통칭한다. 반도체 소자의 제조에는 다결정 실리콘, 산화막, 질화막, 여러 종류의 금속 혹은 실리사이드 박막이 필요하며 이와 같은 박막들은 모두 증착공정에 의해서 형성된다.
증착공정은 박막 형성법(Thin Film Process)이라고 말할 수 있으며, 이는 크게 물리 증착법(Physical Vapor Deposition : PVD)과 화학 증착법(Chemical Vapor Deposition)로 대별된다. 물리 증착은 소스로부터 임의 다른 성분이 더해지거나 감해지지 않고 상의 변환 과정만을 통하여 증착되는 것이다. 반면에 화학증착은 반응을 수반하기 때문에 소스와 증착 산물간에 물리화학적 구조의 차이가 있다.
이러한 증착공정을 이용하여 반도체 소자에 사용되는 구성막으로는 크게 절연막과 도전막으로 구성되고, 절연막으로는 SiO2, PSG, BPSG와 같은 산화막과 SI3N4와 같은 질화막이 있으며, 물리증착법중의 일종인 회전 도포법(Spin Coating)의 원리를 이용한 SOG(Spin On Glass)와 PIQ(Polymide)가 있는데, SOG는 무기계의 실리케이트(Silicate) SOG와 유기계의 실록산(Siloxane) SOG가 있다. 이러한 SOG는 주로 금속간 유전체(Intermetal Dielectric)용으로 적용된다. 한편, 폴리이미드는 평탄화 능력이 우수한 다층배선 층간절연막으로서, 두꺼운 막이 가능해서 알파선 저지막으로도 쓰인다.
반도체 소자의 제조에 있어서, 신호전달 및 전원인가 등을 위해서 형성되는 금속배선막은 집적도의 증가로 인하여 배선자체의 선폭 감소 및 배선간의 간격이 점점 좁아지게 된다. 이에 따라 콘택홀이나 비아홀의 크기도 점점 작아지게 되는데, 이러한 홀 크기의 감소는 단차비(ASPECT RATIO)를 증가시키게 된다.
텅스텐 금속을 콘택 및 비아홀에 매립할 때, 스퍼터링 방법으로는 미세콘택에서 충분한 층덮힘을 얻을 수 없기 때문에 단선불량 가능성이 높다. 따라서, 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition : CVD)이 많이 이용된다. 이때, 증착되는 텅스텐의 저항은 알루미늄 합금의 저항값보다 3배 정도 크므로, 콘택 매립후 그 이외의 부분의 텅스텐을 완전히 제거하여야 한다. 그런데, 이러한 부분에서의 텅스텐의 제거는 매우 까다로우며, 글로벌 단차 영역에서의 텅스텐 제거를 위한 과도 식각시 콘택을 매립한 텅스텐(이하 텅스텐 플러그로 표기)도 식각되는 문제점이 존재한다. 이에 대한 대체 방안으로서, 구리를 화학기상증착법으로 형성하는 기술이 있다. 그러나 이러한 방법은 구리 자체의 저항이 알루미늄 합금과 거의 유사하므로, 텅스텐과 같이 식각할 필요는 없으나 구리 자체의 물질 특성상 부식이 빨리 진행되는 문제점이 존재한다.
따라서, 본 발명의 목적은 금속배선막으로서 구리를 사용하는 경우에 있어서 발생되는 구리 배선의 부식을 방지할 수 있는 금속배선의 형성방법을 제공하기 위한 것이다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 소자의 금속배선막 형성방법은 콘택홀(또는 비아홀)을 통하여 구리의 금속배선을 형성하는 반도체 금속배선막 형성방법에 있어서, 반도체 기판 상부에 형성된 절연막의 소정 부분에 형성된 콘택홀(또는 비아홀) 전면에 콘택홀이 매립되지 않을 정도의 소정 두께만큼 제1도전막을 형성하는 단계; 제1도전막 전면에 콘택홀이 매립되지 않을 정도의 소정 두께만큼 제2도전막을 형성하는 단계; 제2도전막 형성후, 계면에서의 점착력을 향상시키기 위하여 소정온도 및 시간동안 열처리하는 제1열처리 단계; 제2도전막 상의 전면에, 콘택홀 상부로부터 소정 높이까지 막이 형성되도록 구리를 증착하는 단계; 증착된 구리배선 상에 감광막 패턴을 형성하여 구리막, 제2금속막, 제1금속막을 선택적 및 순차적으로 제거하는 단계; 노출된 구리 패턴의 측면을 포함한 전면에 알루미늄 박막을 형성하는 단계; 알루미늄 박막과 전 단계에서 형성된 구리막의 계면에서 소정 두께의 알루미늄과 구리 성분으로 구성되는 합금을 형성하기 위하여 소정온도 및 시간동안 열처리하는 제2열처리 단계; 표면 알루미늄막을 열산화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.
첨부한 도면 제1도는 본 발명의 실시예에 따른 금속배선 형성방법을 설명하는 공정흐름도이다.
먼저, 첨부한 도면의 (a)에 도시한 것 처럼, 실리콘 기판(1) 상이나 내부에 이온 주입과 열처리 공정을 통하여 접합층(2)을 형성한 다음에 산화막(3)을 그 위에 증착한다. 상기 산화막(3)의 소정 부위에 콘택홀(10)을 형성한다. 상기 콘택홀(또는 비아홀)(10)은 일반적인 포토마스킹 및 식각공정에 의하여 형성한 감광막 패턴을 완전히 제거한다.
콘택홀의 형성 후, 콘택홀을 포함한 전면에 콘택홀이 매립되지 않을 정도의 소정 두께만큼 제1도전막(4)을 형성한다. 이때의 제1도전막(4)은 티타늄(Titanium : Ti)을 스퍼터링 방법으로 형성한다.
상기 제1도전막(4) 전면에 콘택홀이 매립되지 않을 정도의 소정 두께만큼 제2도전막(5)을 형성한다. 상기 제2도전막(5)은 티타늄 나이트라이드(TiN)를 스퍼터링 방법 또는 화학기상증착 방법으로 형성하고, 형성된 상기 티타늄 나이트라이드의 두께는 제1도전막(4)인 티타늄의 두께보다 두껍게 증착한다. 또한 상기 제2도전막(5)은 티타늄 텅스텐(TixWy)을 사용하여도 무방하지만 이 경우에는 증착을 위하여 스퍼터링 방법을 사용한다.
상기 제2도전막(5) 형성후, 계면에서의 점착력을 향상시키기 위하여 450℃ 이상의 온도에서 10분 이상동안 열처리 한다.
상기 제2도전막(5) 상의 전면에, 콘택홀 상부로부터 소정 높이까지 막이 형성되도록 제2도전막인 구리 막(6)을 화학기상증착법으로 증착하는데 이때 구리의 원재료로는 '트리메틸비닐실렌-헥사플루오르아세틸아세토네이트[trimethylvinylsilane-hexafluoroacetylacetonate = tmvs)(hfac)]을 이용할 수 있다.
증착된 구리배선(6) 상에 제1금속배선막 패턴을 형성하기 위하여 감광막을 도포하고, 노광 및 스트립(strip) 공정을 통하여 마스킹을 위한 감광막 패턴(10)을 형성한다.
다음으로, (b)도면에 도시한 바와 같이, 감광막 패턴이 없는 노출된 구리막, 제2금속막, 제1금속막을 순차적으로 제거하여 제1금속배선막 패턴을 형성한다.
다음으로 (c)도면에 도시한 바와 같이, 노출된 제1금속배선막 패턴의 측면을 포함한 전면에 제4도전막인 알루미늄 박막을 형성한다. 상기 알루미늄 박막은 화학기상증착법으로 3000Å이하의 두께로 형성한다. 상기 알루미늄 박막의 원재료로는 티바(tiba=trisobutylaluminum)를 이용하는 것도 가능하다. 이후, 현 단계에서 도포된 알루미늄 박막과 전 단계에서 도포된 구리막(6)의 계면에서 CuAl2합금을 형성하기 위하여 350℃ 이상의 온도에서 10분 이상 열처리한다. 상기 열처리 과정으로 알루미늄 박막은 구리막과의 계면에 CuAl2합금막을 함유하는 이중막(7)로 변환된다. 이후, 상기 단계까지의 결과적인 웨이퍼를 350℃ 이상의 온도, 산소(O2)분위기에서 10분 이상 열처리하여 산화시키므로써, 알루미늄 박막의 최외각에 Al2O3박막을 얇게 형성시킨다. 상기 열산화단계에서는 산소와 다른 개스를 1가지 이상 혼합하여 가열하는 것도 가능한데, 이 경우에는 혼합가스 중 산소가스가 10%이상 되도록 한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 부식방지용 금속배선막 형성방법은 콘택홀에 형성되는 플러그를 제1금속막을 스퍼터링법으로 얇게 형성한 다음에 제2, 제3의 금속막을 도포하여 3층 구조로 형성하므로써 집적도의 증가로 인하여 작아지는 콘택홀을 거의 완전히 매립하는 것이 가능하며, 금속배선막을 구리가 주성분인 다층구조로 형성하므로써, 전자가 알루미늄 배선을 통해 이동할 때, 전자의 운동량이 알루미늄 이온에 전달되므로써 전자의 흐름방향으로 알루미늄의 질량흐름이 생기는 EM(Electromigra
tion) 현상에 대한 내구성을 향상시킬 수 있고, 구리배선 표면에 부식에 대한 내구성을 갖는 물질을 형성시키므로써, 구리배선을 부식을 방지할 수 있으며, 아울러, 금속배선막의 제조공정이 비교적 간단하다는 장점을 제공한다.
여기에서는 본 발명의 특정 실시예에 대해서 설명하고 도시하였지만, 당업자에 의하여 이에 대한 수정과 변형을 할 수 있다. 따라서, 이하, 특허청구의 범위는 본 발명의 진정한 사상과 범위에 속하는 한 모든 수정과 변형을 포함하는 것으로 이해할 수 있다.

Claims (14)

  1. 콘택홀(또는 비아홀)을 통하여 구리의 금속배선을 형성하는 반도체 금속배선막 형성방법에 있어서, 반도체 기판 상부에 형성된 절연막의 소정 부분에 형성된 콘택홀(또는 비아홀) 전면에 콘택홀이 매립되지 않을 정도의 소정 두께만큼 제1도전막을 형성하는 단계; 상기 제1도전막 전면에 콘택홀이 매립되지 않을 정도의 소정 두께만큼 제2도전막을 형성하는 단계; 상기 제2도전막 형성후, 계면에서의 점착력을 향상시키기 위하여 소정온도 및 시간동안 열처리하는 제1열처리 단계; 상기 제2도전막 상의 전면에, 콘택홀 상부로부터 소정 높이까지 막이 형성되도록 구리를 증착하는 단계; 증착된 구리배선 상에 감광막 패턴을 형성하여 구리막, 제2금속막, 제1금속막을 선택적 및 순차적으로 제거하는 단계; 노출된 구리 패턴의 측면을 포함한 전면에 알루미늄 박막을 형성하는 단계; 상기 단계에서 형성된 알루미늄 박막과 전 단계에서 형성된 구리막의 계면에서 소정 두께의 상기 두 성분으로 구성되는 합금을 형성하기 위하여 소정온도 및 시간동안 열처리하는 제2열처리 단계; 표면 알루미늄을 열산화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 부식방지용 금속배선 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1도전막은 Ti를 스퍼터링 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 부식방지용 금속배선 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2도전막은 TixNy를 스퍼터링 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 부식방지용 금속배선 형성방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 TixNy에서 x=1, y-1인 것을 특징으로 하는 부식방지용 금속배선 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2도전막은 TixNy를 화학기상증착 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 부식방지용 금속배선 형성방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 TixNy에서 x=1, y=1인 것을 특징으로 하는 부식방지용 금속배선 형성방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제2도전막은 TixWy를 스퍼터링 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 부식방지용 금속배선 형성방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 알루미늄은 화학기상증착법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 부식방지용 금속배선 형성방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 알루미늄의 원재료는 티바(trisobutylaluminum)인 것을 특징으로 하는 부식방지용 금속배선 형성방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 알루미늄의 막 두께는 3000Å미만인 것을 특징으로 하는 부식방지용 금속배선 형성방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 구리의 원재료는 트리메틸비닐실렌-헥사플루오르아세틸아세토네이트인 것을 특징으로 하는 부식방지용 금속배선 형성방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 제1열처리 단계의 열처리 조건은 450℃ 이상의 온도에서 10분 이상인 것을 특징으로 하는 부식방지용 금속배선 형성방법.
  13. 제1항에 있어서, 상기 제2열처리 단계의 열처리 조건은 350℃ 이상의 온도에서 10분 이상인 것을 특징으로 하는 부식방지용 금속배선 형성방법.
  14. 제1항에 있어서, 상기 열산화 단계는 350℃ 이상의 온도에서 10분 이상인 것을 특징으로 하는 부식방지용 금속배선 형성방법.
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