KR0166831B1 - 반도체 웨이퍼 세정장치 및 방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼 세정장치 및 방법 Download PDF

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문정환
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조공정에 사용되는 세정장치 및 그를 이용한 세정방법에 관한 것으로, 하단 중앙부에 세정액을 서로 인버팅 동작으로 유입/유출하는 각각의 유입구와 유출구가 구성되어진 내부세정 탱크와, 상기 내부세정 탱크를 포함하고 이루어져 분리공간 하측에 세정액을 서로 인버팅 동작으로 유입/유출하는 복수의 유입구와 유출구가 구성되어진 외부세정 탱크와, 상기 외부세정 탱크의 복수의 유입구와 내부세정 탱크의 유출구를 서로 연결하는 제1 순환 파이프와, 상기 내부세정 탱크의 유입구와 외부세정 탱크의 복수의 유출구를 서로 연결하는 제2 순환 파이프와, 상기 제1, 2 순환 파이프의 중간에 각각 위치하여 세정액을 반복 순환시키는 제1, 2 순환펌프와, 상기 내부세정 탱크내부에 구성되어 복수의 웨이퍼를 장착한 카세트를 하부 바닥면과 분리 고정하는 배플 플레이트와, 상기 배플 플레이트상에 구성되어 카세트의 눌림에 의한 일정기준 이상의 무게를 감지해내는 무게감지 수단부와, 상기 무게감지 수단부의 감지신호에 의해 서로 다른 제1, 2 플로잉 방식으로 세정 동작이 이루어지도록 상기 제1, 2 순환 펌프를 제어하는 제어 수단부로 이루어져 세정공정의 진행중에 발생되는 오염원을 효율적으로 제거하여 세정효과를 높일 수 있는 반도체 웨이퍼 세정장치에 관한 것이다.

Description

반도체 웨이퍼 세정장치 및 방법
제1도 (a) (b)는 종래의 반도체 웨이퍼 세정장치의 계통도.
제2도는 본 발명의 반도체 웨이퍼 세정장치의 계통도.
제3도는 본 발명의 반도체 웨이퍼 세정장치의 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
21 : 웨이퍼 22 : 카세트
23 : 내부세정 탱크 24 : 외부세정 탱크
25 : 무게감지 센서 26 : 베플 플레이트
27 : 컨트롤러 28a,28b : 순환펌프
29a, 29b : 필터 30a,30b : 순환파이프
31a, 31b : 유입구 32a,32b : 유출구
33 : 체크밸브
본 발명은 반도체 소자의 제조공정에 사용되는 제성장치 및 그를 이용한 세정방법에 관한 것으로, 특히 세정 공정의 진행중에 발생되는 오염원을 효율적으로 제거하여 세정효과를 높일수 있는 반도체 웨이퍼 세정장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자가 고집적화 됨에 따라 웨이퍼 표면에 잔류하는 미세입자들이 소자의 특성에 크게 영향을 미치게 된다.
따라서, 최근에는 이러한 웨이퍼 표면에 포함된 미세한 입자들을 제거하는 웨이퍼 세정기술이 반도체 소자의 제조공정에서 매우 중요하게 대두되었다.
현재의 ULSI기술에서는 이미 0.5μm 레벨의 패턴치수의 디바이스가 양산되고 있는데, 그와 같은 미세한 디멘션(Dimension)이 관여하는 프로세스에서는 당연히 초청정(超淸淨)환경이 필요하고, 다시 그것을 유지하기 위한 표면처리, 세정기술이 필요하다.
특히, 웨이퍼(Wafer)의 대구경화 및 칩 사이즈(Chip Size)의 감소에 따라 웨트공정(Wet Process)에 의한 배스 시스템(Bath System)의 개발이 계속되고 있다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 종래의 웨이퍼 세정기술에 대하여 설명하면 다음과 같다.
제1도 (a) (b)는 종래의 반도체 웨이퍼 세정장치의 계통도이다.
먼저, 제1도(a)는 오버플로잉 배스 시스템(Over Flowing Bath System)을 나타낸 것으로, 하단 중앙부에 세정액을 유입시키는 유입구(3)를 갖는 웨이퍼(8) 세정용 내부세정 탱크(1)와, 상기 내부세정 탱크(1)의 외측에 내부세정 탱크(1)를 감싸고 구성되어 내부세정 탱크(1)와의 분리공간에 세정에 사용되어진 세정액을 유출하는 유출구(4)를 갖는 외부세정 탱크(2)와, 상기 유출구(4)와 유입구(3)를 서로 연결하는 순환 파이프(10)와, 상기 순환 파이프(10)의 중간부분에 구성되어 세정액을 반복순환 시켜주는 순환 펌프(5)와, 상기 순환펌프(5)의 구동에 의해 반복 순환되는 세정액을 여과시켜 유입구(3)를 통해 내부세정 탱크(1)로 보내는 필터(6)를 포함하여 구성된다.
상기와 같이 구성된 오버 플로잉 배스 시스템의 세정동작은 다음과 같다.
먼저, 순환펌프(5)의 구동에 의해 세정액이 필터(6)를 통과하여 유입구(3)를 통해 내부세정 탱크(1)내에 채워진다.
그리고 카세트(7)에 고정되어진 웨이퍼(8)들이 상기 세정액에 잠기게 된다.
이때 웨이퍼(8)들의 사이로 순환되는 세정액에 의해 웨이퍼(8) 표면에 존재하는 미세입자들이 세정 되어진다.
즉, 웨이퍼(8)와 세정액이 화학적 반응(Chemical Reaction) 및 물리적 작용을 하여 세정 및 에칭공정이 이루어지는 것이다.
그리고 용액이 내부세정 탱크(1)에 완전히 채워진 후에 넘쳐 흐르게 되면 외부세정 탱크(2)의 유출구(4)를 통하여 순환펌프(5)에 의해 필터(6)를 통과하게 된다.
상기 필터(6)에 의해 여과된 세정액은 다시 웨이퍼(8)가 위치한 내부세정 탱크(1)로 보내지게 된다.
그리고 상기의 세정액은 반복순환 되거나, 일정기준에 의해 폐기처분 된다.
즉, 배스 시스템의 순환펌프(5)가 구동중일 때는 폐기 밸브를 잠그고 있다가 세정액이 폐기 처분시에는 폐기밸브를 열어 외부로 세정액을 배출시키게 된다.
그리고 제1도 (b)는 다운 플로잉 배스 시스템 (Down Flowing Bath System)을 나타낸 것으로, 하단 중앙부에 세정액을 유출시키는 유출구(4)를 갖는 웨이퍼(8) 세정용 내부세정 탱크(1)와, 상기 내부세정 탱크(1)의 외측에 내부세정 탱크(1)를 감싸고 구성되어 내부세정 탱크(1)와의 분리공간에 세정에 사용되어질 세정액을 유입시키는 유입구(3)를 갖는 외부세정 탱크(2)와, 상기 유출구(4)와 유입구(3)를 서로 연결하는 순환 파이프(10)와, 상기 순환 파이프(10)의 중간부분에 구성되어 세정액을 반복순환 시켜주는 순환펌프(5)와, 상기 순환펌프 (5)의 구동에 의해 반복 순환되는 세정액을 여과시켜 유입구(3)를 통해 내부세정 탱크(1)로 보내는 필터(6)와, 상기 내부 세정 탱크(1)의 하측에 구성되어 웨이퍼(8)가 채워진 카세트(7)를 내부세정 탱크(1)의 바닥면과 분리하여 고정시켜주는 배플 플레이트(9)를 포함하여 구성된다.
상기와 같이 구성된 다운 플로잉 배스 시스템(Down Flowing Bath System)의 세정동작은 다음과 같다.
먼저, 순환펌프(5)의 구동에 의해 세정액이 필터(6)를 통과하여 유입구(3)를 통해 내부세정 탱크(1)내에 채워진다.
이때, 세정액은 제1도(a)에서와 같이, 아래에서 위로 채워지는 것이 아니라, 위에서 아래로 채워지게 된다.
그리고 웨이퍼(8)를 담고 있는 카세트(7)가 내부세정 탱크(1)의 배플 플레이트(9)에 고정되어 세정액에 잠기게 된다.
카세트(7)에 담겨 있는 웨이퍼(8)들은 순환되는 세정액에 의해 세정된다.
이때, 순환펌프(5)에 의해 세정액은 필터(6)를 거쳐 여과되며 계속 순환 되어진다.
그리고 배스 시스템의 순환펌프(5)가 구동중일 때는 폐기 밸브를 잠그고 있다가 일정 기준에 의한 세정액의 폐기 처분시에는 폐기밸브를 열어 외부로 세정액을 배출시키게 된다.
그러나 상기와 같은 종래의 세정장치에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있었다.
먼저, 오버 플로잉 배스 시스템은 내부세정 탱크 하부에 유입구가 구성되어 세정액이 하부에서 상부로 플로잉 되어 카세트의 웨이퍼가 서포트(Support)되는 부분에서 잔존하는 미세입자들이 상부로 이동되는 도중에 웨이퍼의 전, 후면에 재부착되거나 반응을 일으켜 웨이퍼를 오염시키게 된다.
그리고 다운 플로잉 배스 시스템은 내부세정 탱크의 상부가 오픈되어 세정액이 상부에서 하부로 흘러가는 구조이기 때문에, 외부에서 유입되는 (웨이퍼가 장착된 카세트의 이동 등의 세정공정의 준비과정에서 발생하는 ) 부유 미세입자들이 세정액의 비중보다 가벼워 각 웨이퍼들의 사이를 흘러 하부의 유출구로 이동되는 중에 웨이퍼의 전, 후면에 부착되거나 반응을 일으켜 웨이퍼를 오염시키게 된다.
그러므로 상기와 같은 종래의 세정장치에 있어서는 세정공정이 불완전하게 이루어진 상태에서 그대로 후공정을 진행하게 되어 소자의 생산수율 및 특성을 저하시키는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 반도체 웨이퍼 세정장치의 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 오버 플로잉 방식과 다운 플로잉 방식을 혼합 채택하여 세정공정의 징행중에 발생되는 오염원을 효율적으로 제거하여 세정효과를 높일 수 있는 반도체 웨이퍼 세정장치 및 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 웨이퍼 세정장치는 하단 중앙부에 세정액을 서로 인버팅 동작으로 유입/유출하는 각각의 유입구와 유출구가 구성되어진 내부세정 탱크롸, 상기 내부세정 탱크를 포함하고 이루어져 분리공간 하측에 세정액을 서로 인버팅 동작으로 유입/유출하는 복수의 유입구와 유출구가 구성되어진 외부세정 탱크와, 상기 외부세정 탱크의 복수의 유입구와 내부세정 탱크의 유출구를 서로 연결하는 제1순환 파이프와, 상기 내부세정 탱크의 유입구와 외부세정 탱크의 복수의 유출구를 서로 연결하는 제2순환 파이프와, 상기 제1,2순환 파이프의 중간에 각각 위치하여 세정액을 반복 순환시키는 제1,2 순환펌프와, 상기 내부 세정 탱크내부에 구성되어 복수의 웨이퍼를 장착한 카세트를 하부 바닥면과 분리 고정하는 배플 플레이트와, 상기 배플 플레이트상에 구성되어 카세트의 눌림에 의한 일정기준 이상의 무게를 감지해내는 무게감지 수단부와, 상기 무게감지 수단부의 감지신호에 의해 서로 다른 제1,2 플로잉 방식으로 세정동작이 이루어지도록 상기 제1,2 순환펌프를 제어하는 제어 수단부로 이루어짐을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 반도체 웨이퍼 세정장치 및 방법에 대하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
제2도는 본 발명의 반도체 웨이퍼 세정장치의 계통도이고, 제3도는 본 발명의 반도체 웨이퍼 세정장치의 단면도이다.
하단 중앙부에 세정액을 유입시키는 유입구(31b)와 세정액을 유출시키는 유출구(32a)를 갖는 내부세정 탱크(23)와, 상기 내부세정 탱크(23)의 외측에 내부세정 탱크(23)를 감싸고 구성되어 내부세정 탱크(23)와의 분리공간에 세정에 사용되어진 세정액을 유출하는 유출구(32b) 및 세정에 사용되어질 세정액을 유입하는 유입구(31a)를 갖는 외부세정 탱크(24)와, 상기 유출구(32b)와 유입구(31b)를 서로 연결하는 제2순환 파이프(30b) 및 유출구(32a)와 유입구(31a)를 서로 연결하는 제1순환 파이프(30a)와, 상기 제2순환 파이프(30b)의 중간부분에 구성되어 세정액을 반복순환 시켜주는 제2 순환펌프(28b)와, 상기 제2 순환펌프(28b)의 구동에 의해 반복 순환되는 세정액을 여과시켜 유입구(31b)를 통해 내부세정 탱크(23)로 보내는 제2 필터(29b)와, 상기 제1 순환 파이프(30a)의 중간부분에 구성되어 세정액을 반복순환 시켜주는 제1 순환펌프(28a)와, 상기 제1 순환펌프(28a)의 구동에 의해 반복 순환되는 세정액을 여과시켜 유입구(31a)를 통해 내부세정 탱크(23)와 외부세정 탱크(24)의 분리공간을 거쳐 내부세정 탱크(23)로 보내는 제1 필터(29a)와, 상기 내부세정 탱크(23)의 하부에 구성되어 복수의 웨이퍼(21)가 채워진 카세트(22)를 내부세정 탱크(23)의 바닥면과 분리하여 고정시켜주는 배플 플레이트(Baffle Plate)(26)와 , 상기 배플 플레이트(26)상의 카세트(22)가 닿는 부분에 구성되어 카세트(22)의 무게를 감지해내는 무게감지 센서(25)와, 상기 무게감지 센서(25)의 감지신호에 의해 제1, 2 순환 파이프(30a)(30b)의 중간에 구성된 제1, 2 순환펌프(29a)(28b)를 선택적으로 구동시키는 컨트롤러(27)를 포함하여 구성된다.
이때, 내부세정 탱크(23)와 외부세정 탱크(24)의 하부에 구성된 유입구(31a)(31b) 및 유출구(32a)(32b)에는 제3도에서와 같이, 세정액을 어느 일방향으로만 통과시키는 체크밸브(33)가 구성된다.
상기와 같이 구성된 본 발명의 반도체 웨이퍼 세정장치의 동작은 다음과 같다.
먼저, 세정공정을 수행하기 위하여 복수의 웨이퍼(21)가 장착된 카세트(22)가 배플 플레이트(26)상에 구성된 무게감지 센서(25)위의 로딩 포지션(Loading Position)에 놓여지면, 상기 무게감지 센서(25)에 의해 카세트(22)의 무게가 감지된다.(이때, 무게감지 센서(25)에 세팅되는 무게의 기준은 카세트(22)의 무게 이상이면 적정하다. 왜냐하면, 카세트(22)에 장착되는 웨이퍼(21)의 수는 가변되기 때문에 웨이퍼(21)의 무게를 기준으로 할 수 없다.).
상기의 감지신호에 의해 컨트롤러(27)는 세정장치를 다운 플로잉 배스 시스템(Down Flowing Bath System)으로 동작되도록 제어한다.
즉, 제1 순환 파이프(30a)를 이용하여 세정액을 내부세정 탱크(23)로 유입시키게 된다.
제1 순환 파이프(30a)의 중간에 구성된 제1 순환펌프(28a)를 구동하여 제1 필터(29a)를 이용하여 여과한 후, 유입구(31a)를 거쳐 내부세정 탱크(23)로 세정액을 유입시켜 세정공정을 실시하게 된다.
세정공정에 사용되어진 세정액은 유출구(32a)로 유출되어 반복 순환되거나, 제1 순환펌프(28a) 하단에 구성된 밸프(V1)를 열어 일정기준에 따라 폐기 처분된다.
상기와 같이, 세팅된 세정기간동안 세정공정이 이루어져 웨이퍼(21)의 세정이 끝나면 카세트(22)는 로딩 포지션(Loading Position)에서 트랜스퍼(Transfer)등에 의해 언로딩(Unloading)되어진다.
상기와 같이, 카세트(22)가 언로딩 되어지면서 무게감지 센서(25)가 세팅되어진 기준무게 이하로 무게가 감소하는 것을 감지하게 되면 컨트롤러(27)는 세정장치를 오버 플로잉 배스 시스템(Over Flowing Bath System)으로 동작되도록 제어한다.
즉, 제2 순환 파이프(30b)를 이용하여 세정액을 내부세정 탱크(23)로 유입시키게 된다.
제2 순환 파이프(30b)의 중간에 구성된 제2 순환 펌프(29b)를 구동하여 제2 필터 (29b)를 이용하여 세정액을 여과한 후, 유입구(31b)를 거쳐 내부세정 탱크(23)로 세정액을 유입시키게 된다.
상기와 같은, 오버플로잉 동작은 웨이퍼(21)가 로딩(Loading)되는 순간까지 계속된다.
즉, 무게감지 센서(25)에 특정의 무게(본 발명의 실시예에서는 카세트의 무게)가 센싱되지 않는 동안에는 세정장치가 오버 플로잉 동작을 하게 되고, 무게감지 센서(25)에 무게가 감지되면 사용자의 산택에 의한 세팅타임(Setting Time)동안 세정장치는 다운 플로잉 동작을 하게 된다.
상기와 같이, 다운 플로잉 동작으로 웨이퍼의 세정공정이 끝나게 되면, 다시 컨트롤러(27)의 제어에 의해 오버 플로잉 동작을 하게 된다.
그리고 상기와 같이 다운 플로잉 동작과 오버 플로잉 동작의 변화시에는 각각의 유입구(31a)(31b)와 유출구(32a)(32b)에 구성된 체크밸브(33)(제3도의,)는 닫힘과 열림동작을 하여 세정액의 유입과 유출이 원하는 순환 파이프(30a)(30b)에서만 이루어지게 한다.
그리고 무게감지 센서(25)는 카세트에 의해 눌려지는 가스압력을 센싱하는 방법과 스위치를 구성하여 카세트에 의해 눌려지는 ON, OFF 동작에 의한 방법 등으로 구성할 수 있다.
상기와 같은 본 발명의 반도체 웨이퍼 세정장치는 다운 플로잉 동작과 오버 플로잉 동작이 선택적으로 이루어지므로 다음과 같은 효과를 갖는다.
첫째, 웨이퍼 세정동작에 있어서는 다운 플로잉 방식으로 세정장치가 동작하여 웨이퍼와 서포터(Supporter)(카세트 등의 ) 접촉면에서 발생하는 오염을 줄일 수 있고, 둘째, 웨이퍼의 이동동작에서 발생하는 미세입자(부유입자를 포함하는)를 오버 플로잉 동작으로 제거하므로 세정공정에 사용되는 세정액의 청정도를 높일 수 있다.
셋째, 무게감지 센서에 의한 세정방식의 자동절환으로 세정공정을 보다 효율적으로 이룰 수 있다.
넷째, 각 순환 파이프의 유출구 및 유입구에 체크밸브를 구성하여 순환 파이프간의 오염확산을 막을 수 있어 세정장치의 청정도를 높일 수 있다.

Claims (15)

  1. 반도체 웨이퍼 세정장치에 있어서, 하단 중앙부에 세정액을 서로 인버팅 동작으로 유입/유출하는 각각의 유입구와 유출구가 구성되어진 내부세정 탱크와, 상기 내부세정 탱크를 포함하고 이루어져 분리공간 하측에 세정액을 서로 인버팅 동작으로 유입/유출하는 복수의 유입구와 유출구가 구성되어진 외부세정 탱크와, 상기 외부세정 탱크의 복수의 유입구와 내부세정 탱크의 유출구를 서로 연결하는 제1 순환 파이프와, 상기 내부세정 탱크의 유입구와 외부세정 탱크의 복수의 유출구를 서로 연결하는 제2 순환 파이프와, 상기 제1,2 순환 파이프의 중간에 각각 위치하여 세정액을 반복 순환시키는 제1, 2 순환펌프와, 상기 내부세정 탱크내부에 구성되어 복수의 웨이퍼를 장착한 카세트를 하부 바닥면과 분리 고정하는 배플 플레이트와, 상기 배플 플레이트상에 구성되어 카세트의 눌림에 의한 일정기준 이상의 무게를 감지해내는 무게감지 수단부와, 상기 무게감지 수단부의 감지신호에 의해 서로 다른 제1, 2 플로잉 방식으로 세정동작이 이루어지도록 상기 제1, 2 순환 펌프를 제어하는 제어 수단부를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치.
  2. 제1항에 있어서, 제1, 2 순환 파이프는 제1, 2 순환 펌프에 의해 반복순환 되어지는 세정액을 여과시키는 제1, 2 필터를 각각 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치.
  3. 제1항에 있어서, 제1, 2 순환 파이프는 각각 반복순환 되어지는 세정액을 일정기준에 의해 폐기처분하기 위해 외부로 배출하는 제1, 2 밸브를 각각 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치.
  4. 제1항에 있어서, 제1 플로잉 방식은 다운 플로잉 배스 시스템 (Down Flowing Bath System)인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치.
  5. 제1항에 있어서, 제2 플로잉 방식은 오버 플로잉 배스 시스템(Over Flowing Bath System)인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치.
  6. 제1항에 있어서, 제1,2 순환 파이프에 의해 연결되는 각각의 유입구와 유출구에는 어느 일방향으로만 세정액이 통과되도록 열림과 닫힘동작을 하는 체크밸브가 더 구비됨을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치.
  7. 제4항 또는 제6항에 있어서, 제1 플로잉 방식으로 세정동작이 이루어질때는 제2 순환 파이프에 의해 연결되는 각 유출구와 유입구는 모두 닫혀지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치.
  8. 제4항 또는 제6항에 있어서, 제2 플로잉 방식으로 세정동작이 이루어질때는 제1 순환 파이프에 의해 연결되는 각 유출구와 유입구는 모두 닫혀지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  9. 제1항에 있어서, 제어 수단부는 무게감지 수단부에 카세트의 눌림에 의한 무게가 감지되면 제1순환 펌프를 구동하여 다운 플로잉 방식으로 세정동작이 이루어지도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치.
  10. 제1항에 있어서, 제어 수단부는 무게감지 수단부에 카세트의 눌림에 의한 무게가 감지되지 않으면 제2순환 펌프를 구동하여 오버 플로잉 방식으로 세정동작이 이루어지도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치.
  11. 제1항에 있어서, 무게감지 수단부는 카세트의 눌림에 의한 가스압력의 변화를 감지하는 가스압력 감지센서인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치.
  12. 제1항에 있어서, 무게감지 수단부는 카세트의 눌림에 의해 접점이 ON, OFF되는 접촉 스위치인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정장치.
  13. 반도체 웨이퍼 세정에 있어서, 복수의 웨이퍼를 장착한 웨이퍼 카세트의 로딩/언로딩 동작에 따라 서로 다른 방식의 플로잉 동작으로 웨이퍼를 세정하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정방법.
  14. 제13항에 있어서, 웨이퍼 카세트의 로딩시에는 다운 플로잉 배스 시스템으로 세정장치를 동작시키는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정방법.
  15. 제13항에 있어서, 웨이퍼 카세트의 언로딩시에는 오버 플로잉 배스 시스템으로 세정장치를 동작시키는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030047518A (ko) * 2001-12-11 2003-06-18 삼성전자주식회사 웨이퍼 중량 감지 수단을 갖는 반도체 세정 장비 및 이를관리하는 방법
KR20220143319A (ko) * 2021-04-16 2022-10-25 (주)신우에이엔티 반도체 제조에 사용되는 세정액에 대한 무게 측정 유닛

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6001189A (en) * 1996-09-30 1999-12-14 Micron Technology, Inc. Method for reducing gaseous species of contamination in wet processes
US6864186B1 (en) * 1998-07-28 2005-03-08 Micron Technology, Inc. Method of reducing surface contamination in semiconductor wet-processing vessels
US6113165A (en) * 1998-10-02 2000-09-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Self-sensing wafer holder and method of using
TW471010B (en) 2000-09-28 2002-01-01 Applied Materials Inc Wafer cleaning equipment
KR100418324B1 (ko) * 2001-12-01 2004-02-14 한국디엔에스 주식회사 반도체 세정 장비의 웨이퍼 건조기
US7371467B2 (en) 2002-01-08 2008-05-13 Applied Materials, Inc. Process chamber component having electroplated yttrium containing coating
JP4076365B2 (ja) * 2002-04-09 2008-04-16 シャープ株式会社 半導体洗浄装置
US7297247B2 (en) * 2003-05-06 2007-11-20 Applied Materials, Inc. Electroformed sputtering target
US7063992B2 (en) * 2003-08-08 2006-06-20 Solid State Measurements, Inc. Semiconductor substrate surface preparation using high temperature convection heating
KR101010532B1 (ko) * 2004-03-22 2011-01-24 미마스 한도타이 고교 가부시키가이샤 스핀 에칭에서의 공정 관리방법 및 스핀 에칭 장치
CN108447799B (zh) * 2017-02-16 2022-03-01 弘塑科技股份有限公司 湿化学处理设备及其使用方法
GB2562081B (en) * 2017-05-04 2020-07-15 Imrali Ahmet Slide cleaner

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57160131A (en) * 1981-03-30 1982-10-02 Hitachi Ltd Washing cell
JPS60229339A (ja) * 1984-04-26 1985-11-14 Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd 湿式洗浄装置
US4911761A (en) * 1984-05-21 1990-03-27 Cfm Technologies Research Associates Process and apparatus for drying surfaces
JPS6232531U (ko) * 1985-08-13 1987-02-26
US4795497A (en) * 1985-08-13 1989-01-03 Mcconnell Christopher F Method and system for fluid treatment of semiconductor wafers
GB2198810A (en) * 1986-12-19 1988-06-22 Philips Electronic Associated Apparatus suitable for processing semiconductor slices
JPS647622A (en) * 1987-06-30 1989-01-11 Nec Corp Device for treatment of semiconductor substrate
JPH02109334A (ja) * 1988-10-18 1990-04-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウェハの洗浄装置
JPH02288334A (ja) * 1989-04-28 1990-11-28 Seiko Epson Corp 純水引き上げ乾燥装置
JPH02146428U (ko) * 1989-05-15 1990-12-12
JPH03159123A (ja) * 1989-11-16 1991-07-09 Mitsubishi Materials Corp 半導体ウエーハの洗浄方法
JPH03203234A (ja) * 1989-12-28 1991-09-04 Sharp Corp ウエハ洗浄装置
JPH03250732A (ja) * 1990-02-28 1991-11-08 Fuji Electric Co Ltd 半導体ウェーハの洗浄装置
JPH0437131A (ja) * 1990-06-01 1992-02-07 Fuji Electric Co Ltd 半導体ウエハの純水水洗槽及び水洗方法
JPH0443639A (ja) * 1990-06-11 1992-02-13 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US5069235A (en) * 1990-08-02 1991-12-03 Bold Plastics, Inc. Apparatus for cleaning and rinsing wafers
JPH0499025A (ja) * 1990-08-07 1992-03-31 Nec Kyushu Ltd 水洗装置
JP2902757B2 (ja) * 1990-09-14 1999-06-07 株式会社東芝 半導体ウェハの洗浄方法
JPH04152525A (ja) * 1990-10-16 1992-05-26 Nec Yamaguchi Ltd ウェット処理装置用処理槽
JP2573418B2 (ja) * 1990-11-30 1997-01-22 シャープ株式会社 半導体基板の洗浄方法
US5246025A (en) * 1991-03-28 1993-09-21 Cawlfield B Gene Controlled fluid agitation method and apparatus
US5488964A (en) * 1991-05-08 1996-02-06 Tokyo Electron Limited Washing apparatus, and washing method
JPH0521413A (ja) * 1991-07-10 1993-01-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体基板洗浄装置及び半導体基板洗浄方法
JPH05291228A (ja) * 1992-04-07 1993-11-05 Fujitsu Ltd ウェーハ洗浄装置及び洗浄方法
JPH05304131A (ja) * 1992-04-27 1993-11-16 Nec Kyushu Ltd 半導体基板の薬液処理装置
EP0605882B1 (en) * 1993-01-08 1996-12-11 Nec Corporation Method and apparatus for wet treatment of solid surfaces
JPH06244162A (ja) * 1993-02-18 1994-09-02 Nec Kansai Ltd 液処理装置
JPH07115080A (ja) * 1993-10-19 1995-05-02 Dan Kagaku:Kk 洗浄槽
JP3237386B2 (ja) * 1994-04-08 2001-12-10 ソニー株式会社 洗浄・乾燥方法と洗浄装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030047518A (ko) * 2001-12-11 2003-06-18 삼성전자주식회사 웨이퍼 중량 감지 수단을 갖는 반도체 세정 장비 및 이를관리하는 방법
KR20220143319A (ko) * 2021-04-16 2022-10-25 (주)신우에이엔티 반도체 제조에 사용되는 세정액에 대한 무게 측정 유닛

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JPH09181034A (ja) 1997-07-11
JP2942773B2 (ja) 1999-08-30
US5842491A (en) 1998-12-01
KR970052644A (ko) 1997-07-29
US5885360A (en) 1999-03-23

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