JPH05291228A - ウェーハ洗浄装置及び洗浄方法 - Google Patents

ウェーハ洗浄装置及び洗浄方法

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JPH05291228A
JPH05291228A JP4084290A JP8429092A JPH05291228A JP H05291228 A JPH05291228 A JP H05291228A JP 4084290 A JP4084290 A JP 4084290A JP 8429092 A JP8429092 A JP 8429092A JP H05291228 A JPH05291228 A JP H05291228A
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water
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water jet
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Yuka Hayami
由香 早見
Masanori Kobayashi
正典 小林
Takeshi Yamazaki
健 山崎
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法に関
し、洗浄時に半導体ウェーハに付着するパーティクルの
量を減少して製品の品質と歩留りとを向上するようにす
るウェーハ洗浄装置を提供することを目的とする。 【構成】 洗浄槽１の底部に複数の水噴出口３を有する
複数の水噴出管２が並置され、水噴出管２の水噴出圧が
それぞれ独立して調整可能であり、また、水噴出口３の
口径は水噴出管２の水供給側から水流出側に至るにした
がって漸次小さくされて水噴出管２の長手方向の水噴出
高さが一様となるように構成されるか、または、洗浄槽
１の底部に少なくとも１つの洗浄水供給管７が設けら
れ、洗浄槽１底部のウェーハと直交する方向に気体噴出
口９が並置されるように構成されるか、または、洗浄槽
１の底部に少なくとも１つの洗浄水供給管７が設けら
れ、洗浄槽１上部のウェーハと直交する方向の一辺に水
平方向に水を噴出する水噴出口８が並置されるように構
成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハの洗浄
装置及び洗浄方法に関する。近年の半導体製造工業にお
いては、高品質の半導体集積回路を効率よく製造するこ
とが要求されており、そのためには、半導体ウェーハ上
へのパーティクルの付着を極力少なくするような効果的
な洗浄方法が求められている。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体ウェーハの洗浄方法として
は、半導体ウェーハをキャリアに収容してキャリアとゝ
もに洗浄溶液に浸漬して洗浄する方法が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】洗浄の過程において、
キャリアを薬液槽から水洗槽、あるいは、水洗槽から薬
液槽へ搬送するときに、半導体ウェーハとキャリアの支
持溝との間の摩擦により多量のパーティクルが発生し、
そのパーティクルが半導体ウェーハ表面に付着して製品
の品質と歩留りの低下の原因となっている。
【０００４】本発明の目的は、この欠点を解消すること
にあり、洗浄時に半導体ウェーハに付着するパーティク
ルの量を減少して製品の品質と歩留りとを向上するよう
にするウェーハ洗浄装置と洗浄方法とを提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的のうち、ウェ
ーハ洗浄装置は下記いずれの手段によっても達成され
る。
【０００６】第１の手段は、洗浄槽（１）の底部に複数
の水噴出口（３）を有する複数の水噴出管（２）が並置
されており、この水噴出管（２）の水噴出圧がそれぞれ
独立して調整可能とされているウェーハ洗浄装置であ
る。なお、前記の水噴出口（３）の口径は前記の水噴出
管（２）の水供給側から水流出側に至るにしたがって漸
次小さくされており、前記の水噴出管（２）の長手方向
の水噴出高さが一様とされていることが好ましい。
【０００７】第２の手段は、洗浄槽（１）の底部に少な
くとも１つの洗浄水供給管（７）が設けられ、前記の洗
浄槽（１）底部のウェーハと直交する方向に気体噴出口
（９）が並置されているウェーハ洗浄装置である。
【０００８】第３の手段は、洗浄槽（１）の底部に少な
くとも１つの洗浄水供給管（７）が設けられ、前記の洗
浄槽（１）上部のウェーハと直交する方向の一辺に水平
方向に水を噴出する水噴出口（８）が並置されているウ
ェーハ洗浄装置である。
【０００９】上記の目的のうち、ウェーハ洗浄方法は下
記いずれの手段によっても達成される。第１の手段は、
前記の第１の手段に記載のウェーハ洗浄装置を使用し
て、水噴出管（２）からの水噴出圧を中央から周辺部に
至るにしたがって漸滅させて洗浄するウェーハ洗浄方法
である。なお、水噴出口（３）から洗浄水を噴出させて
からウェーハを洗浄槽（１）内に浸漬して洗浄すること
が好ましい。
【００１０】第２の手段は、前記の第２の手段に記載の
ウェーハ洗浄装置を使用して、気体噴出口（９）から気
体を噴出させてからウェーハを洗浄槽（１）内に浸漬し
て洗浄するウェーハ洗浄方法である。
【００１１】第３の手段は、前記の第３の手段に記載の
ウェーハ洗浄装置を使用して、水噴出口（８）から水平
方向に洗浄水を噴出させてからウェーハを洗浄槽（１）
内に浸漬して洗浄するウェーハ洗浄方法である。
【００１２】
【作用】図１（ｂ）は、洗浄槽底部に並置された水噴出
管の詳細図であり、水噴出管２には長手方向に複数の水
噴出口３が形成されている。水噴出管２の水供給側と水
流出側とに設けられたネジ等の流量調節手段４によって
水噴出管２と直交する断面における水噴出圧の分布が図
２に示すように正規分布状になるように調整すると、洗
浄槽１表面において、図１（ａ）に矢印をもって示すよ
うに、水平方向の水流が形成される。キャリアに収容さ
れた半導体ウェーハをこの状態の洗浄槽１に浸漬する
と、従来のアップフロー式の洗浄方法では十分除去する
ことができなかったキャリアのウェーハ支持溝に残留す
るパーティクルがこの水平方向の水流によって追い出さ
れ、洗浄槽からオーバーフローして除去される。
【００１３】また、図４に示すように、洗浄槽１の底部
に半導体ウェーハと直交する方向に気体噴出口９を並置
し、洗浄槽１に洗浄水を供給しながら気体噴出口９から
窒素ガス等を噴出させると、図４に矢印をもって示すよ
うな水平方向の表面流れが形成され、前記と同様の作用
によってパーティクルが除去される。
【００１４】また、図５に示すように、半導体ウェーハ
と直交する方向の洗浄槽１上部の一辺に並置された水噴
出口８から水平に水を噴出すると、図５に矢印をもって
示すような水平方向の表面流れが形成され、前記と同様
の作用によってパーティクルが除去される。
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の二つの実施
例に係るウェーハ洗浄装置及び洗浄方法について説明す
る。
【００１６】第１実施例 図１（ａ）（ｂ）参照 図１（ａ）において、１は洗浄槽であり、２は洗浄槽底
部に並置された水噴出管であり、その詳細は図１（ｂ）
に示す。図１（ｂ）において、２は水噴出管であり、３
は水噴出管２に形成された水噴出口であり、４はそれぞ
れの水噴出管２の噴出圧調整手段であり、ネジ等が使用
される。５は洗浄水供給口であり、６は洗浄水流出口で
ある。
【００１７】図２・図３参照 それぞれの水噴出管２の噴出圧が図２に示すように、水
噴出管と直交する面、すなわち、洗浄槽に浸漬される半
導体ウェーハの面と平行する面において正規分布状に分
布するようにネジ４によって調整し、また、水噴出口３
の大きさを洗浄水供給側から洗浄水流出側に至るにした
がって漸次小さくするようにして、水噴出管２の長手方
向の水噴出高さが図３に示すように同一となるようにす
れば、図１（ａ）に矢印をもって示すような表面水流が
得られる。この状態の洗浄槽に例えばフッ酸を使用して
エッチング処理された半導体ウェーハの収容されたキャ
リアを浸漬して洗浄すると、キャリアの半導体ウェーハ
支持溝に付着しているパーティクルが水平方向の水流に
よって追い出されて除去され、従来のアップフロー式の
洗浄方法では１２７ヶのパーティクルが半導体ウェーハ
に残留していたのが、４３ヶに減少した。なお、水噴出
口３から噴出される洗浄水の総流量が３０ｌ／ｍｉｎの
場合と４０ｌ／ｍｉｎの場合とについて実施したが、洗
浄結果には殆ど差違が認められなかった。
【００１８】第２実施例 図５参照 図において、１は洗浄槽であり、７は洗浄水供給口であ
り、８は半導体ウェーハと直交する方向の洗浄槽上部の
一辺に並置された水噴出口である。洗浄水供給口７から
洗浄水を供給してオーバフローさせながら、水噴出口８
から水平方向に洗浄水を噴出すると、図５に矢印をもっ
て示すような表面水流が得られる。この状態の洗浄槽
に、第１実施例と同様に半導体ウェーハの収容されたキ
ャリアを浸漬して洗浄すると、従来の方法では１８３ヶ
のパーティクルが残留したのが、４２ヶに減少した。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係るウェ
ーハ洗浄装置及び洗浄方法においては、洗浄槽底部から
正規分布状に洗浄水を噴出させるか、洗浄槽底部の半導
体ウェーハと直交する方向の中央から気体を噴出させる
か、洗浄槽の上部から半導体ウェーハに平行する方向に
水平に洗浄水を噴出させるかして洗浄槽表面に水平方向
の水流を発生させることによって、キャリアの半導体ウ
ェーハ支持溝に付着したパーティクルを良好に追い出し
て除去することができるので、洗浄後に半導体ウェーハ
に残留するパーティクルの量を減少させることができ、
製品の品質と歩留りの向上に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】洗浄槽底部から洗浄水を正規分布状に噴出する
機構を有する洗浄装置の構成図である。
【図２】水噴出管からの水噴出圧の分布を示す図であ
る。
【図３】水噴出管の長手方向の水噴出圧の分布を示す図
である。
【図４】洗浄槽底部から気体を噴出する機構を有する洗
浄装置の構成図である。
【図５】洗浄槽上部から水平方向に洗浄水を噴出する機
構を有する洗浄装置の構成図である。
【符号の説明】
１ 洗浄槽 ２ 水噴出管 ３ 水噴出口 ４ ネジ ５ 洗浄水供給口 ６ 洗浄水流出口 ７・８ 洗浄水供給口 ９ 気体噴出口

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 洗浄槽（１）の底部に複数の水噴出口
    （３）を有する複数の水噴出管（２）が並置されてな
    り、該水噴出管（２）の水噴出圧がそれぞれ独立して調
    整可能とされてなることを特徴とするウェーハ洗浄装
    置。
  2. 【請求項２】 前記水噴出口（３）の口径は前記水噴出
    管（２）の水供給側から水流出側に至るにしたがって漸
    次小さくされてなり、前記水噴出管（２）の長手方向の
    水噴出高さが一様とされてなることを特徴とする請求項
    １記載のウェーハ洗浄装置。
  3. 【請求項３】 洗浄槽（１）の底部に少なくとも１つの
    洗浄水供給管（７）が設けられ、前記洗浄槽（１）底部
    のウェーハと直交する方向に気体噴出口（９）が並置さ
    れてなることを特徴とするウェーハ洗浄装置。
  4. 【請求項４】 洗浄槽（１）の底部に少なくとも１つの
    洗浄水供給管（７）が設けられ、前記洗浄槽（１）上部
    のウェーハと直交する方向の一辺に水平方向に水を噴出
    する水噴出口（８）が並置されてなることを特徴とする
    ウェーハ洗浄装置。
  5. 【請求項５】 請求項１記載のウェーハ洗浄装置を使用
    して、水噴出管（２）からの水噴出圧を中央から周辺部
    に至るにしたがって漸滅させて洗浄することを特徴とす
    るウェーハ洗浄方法。
  6. 【請求項６】 請求項１または２記載のウェーハ洗浄装
    置を使用して、水噴出口（３）から洗浄水を噴出させて
    からウェーハを洗浄槽（１）内に浸漬して洗浄すること
    を特徴とするウェーハ洗浄方法。
  7. 【請求項７】 請求項３記載のウェーハ洗浄装置を使用
    して、気体噴出口（９）から気体を噴出させてからウェ
    ーハを洗浄槽（１）内に浸漬して洗浄することを特徴と
    するウェーハ洗浄方法。
  8. 【請求項８】 請求項４記載のウェーハ洗浄装置を使用
    して、水噴出口（８）から水平方向に洗浄水を噴出させ
    てからウェーハを洗浄槽（１）内に浸漬して洗浄するこ
    とを特徴とするウェーハ洗浄方法。
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