KR0166321B1 - 스테퍼별 정렬노광조건 설정방법 - Google Patents
스테퍼별 정렬노광조건 설정방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR0166321B1 KR0166321B1 KR1019960006864A KR19960006864A KR0166321B1 KR 0166321 B1 KR0166321 B1 KR 0166321B1 KR 1019960006864 A KR1019960006864 A KR 1019960006864A KR 19960006864 A KR19960006864 A KR 19960006864A KR 0166321 B1 KR0166321 B1 KR 0166321B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- exposure
- stepper
- data
- alignment
- exposure conditions
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
액티브 공정을 수행한 장비의 테이터를 참조하여 노광조건을 계산하여 산포도(散布度)를 최소화시키는 스테퍼별 정렬노광조건 설정방법에 관한 것이다.
본 발명은, 복수로 설치된 스테퍼에서 복수로 구분되는 노광정렬공정을 수행하는 로트에 대한 히스토리데이타를 백업하여 노광조건을 계산하여 노광공정을 진행시키는 스테퍼 장비별 정렬노광조건 설정방법에서, 상기 로트에 대한 히스토리데이타에서 액티브공정이 수행된 스텝 장비에 대한 데이터를 확인하여 이를 기준으로 노광조건을 계산하여 노광을 진행하는 단계를 포함하여 이루어진다.
따라서, 노광조건의 산포가 최소화되고 현대 로트에 대한 가장 정확한 파라미터가 설정되므로 정렬이 정확하게 이루어질 수 있고, 그에 따른 재처리 작업이 감소되어 생산성이 향상되고 작업성이 개선되는 효과가 있다.
Description
제 1 도는 종래의 스테퍼별 정렬노광조건 설정방업을 나타내는 흐름도이다.
제 2 도는 본 발명에 따른 스테퍼별 정렬노광조건 설정방법을 나타내는 흐름도이다.
본 발명은 스테퍼별 정렬노광조건 설정방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 액티브 공정을 수행한 장비의 데이터를 참조하여 노광조건을 계산하여 산포도(散布度)를 최소화시키는 스테퍼별 정렬노광조건 설정방법에 관한 것이다.
통상적으로 반도체장치를 제조하기 위한 공정설비는 스테퍼(Stepper), 확산설비, 증착설비, 이온주입설비 및 검사설비 등과 같이 여러 가지가 있으며, 그 중 스테퍼는 마스크(Mask) 또는 레티클(Reticle)을 이용하여 웨이퍼(Wafer)상에 원하는 패턴을 노광전사하기 위하여 사용되는 것이다.
스테퍼는 원하는 패턴을 웨이퍼 상에 형성시키기 위하여 포토레지스트(Photo Resist)를 도포하여 광으로 감광시켜서 원하는 패턴의 상을 형성시키며, 이 때 감광막에 상을 형성하는데 가장 중요한 요소는 정렬과 노출이다.
전술한 정렬과 노광을 정확히 수행하기 위하여 통계적관리 방식의 공정관리기법이 도입되고 있으며, 현재 생산라인에 설치된 스테프는 백업된 히스토리 데이터(History Data)를 참조하여 노광조건을 계산하도록 설계되어 있다.
또 제조라인에는 복수의 스테퍼가 설치되어 있으며, 이들 스테퍼는 메인호스트 컴퓨터(Main Host Computer)로부터 전송되는 데이터에 의하여 공정을 수행하도록 구성되어 있다. 이러한 구성에 의하여 노광조건의 계산은 메인호스트 컴퓨터에서 수행되며, 메인호스트 컴퓨터는 현재 스테퍼에 설정된 공정프로그램 및 스테퍼번호를 확인에 의하여 노광조건을 계산한다.
즉 제 1 도와 같이 종래의 메인호스트 컴퓨터는 단계 S2에서 로트(Lot)에 대하여 노광을 위한 전체 프로그램의 저장된 히스토리 데이터를 백업하고, 단계 S4를 수행하여 공정프로그램번호(Process Program Identication NO., 이하 ‘PPID’라 함)를 백업받아서 스테퍼로 전송한 PPID와 스테퍼에 설정된 PPID가 동일한가 확인하며, 단계 S6를 수행하여 현재 스테퍼의 번호를 확인하고, 확인된 PPID 및 스테퍼의 번호(ID)를 확인함에 따라 단계 S8에서 노광건조를 계산하며, 계산된 노광조건에 의하여 노광이 단계 S10에서 수행되고, 노광이 수행된 후 설정된 파라미터(Parameter) 및 기타 데이터를 단계 S12에서 이력관리용 또는 참조용으로 저장한다.
전술한 바와 같이 수행되는 정렬노광공정을 위해서 반도체 제조라인에는 생산량의 증가를 위하여 상당한 수의 스테퍼가 설치되어 있고, 따라서 특정 스테퍼에서 액티브(Active) 공정이 수행된 로트(Lot)가 두 번째 노광정렬 공정은 다른 스테퍼에서 수행되는 경우가 많았다.
그러나, 이러한 경우 각 장비별로의 고유 특성에 차이가 있고, 그에 따라서 공정을 위하여 설정되어지는 공정을 위한 노광조건은 설비별로 다양하다. 그러므로 제 1 도와 같은 종래의 방법으로 파라미터를 설정함에 있어서, 파라미터의 산포도가 커지고 정확한 노광조건을 계산하기 어려웠다.
이러한 상태에서 정렬노광이 수행되었으므로 미스얼라인(Misalign) 또는 노광과소 등으로 인한 재작업이 다발하게 되는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은, 정렬노광조건 관리에 있어서 설정되는 파라미터 및 데이터의 산포도를 최소화하기 위한 스테퍼별 정렬노광조건 설정방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 특정 웨이퍼에 대하여 액티브 공정을 수행한 설비의 백업데이타를 참조하여 현재 수행할 공정의 노광조건을 계산하여 노광정렬을 정확히 하기 위한 스테퍼별 정렬노광조건 설정방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 스테퍼 장비별 정렬노광 조건 설정방법은, 복수로 설치된 스테퍼에서 복수로 구분되는 노광정렬공정을 수행하는 로트에 대한 히스토리데이타를 백업하여 노광조건을 계산하여 노광공정을 진행시키는 스테퍼 장비별 정렬노광조건 설정방법에 있어서, 상기 로트에 대한 히스토리데이타에서 액티브공정이 수행된 스텝 장비에 대한 데이터를 확인하여 이를 기준으로 노광조건을 계산하여 노광을 진행하는 단계를 포함하여 이루어진다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
제 2 도를 참조하면, 본 발명에 따른 실시예는 스테퍼에서 사진식각 공정을 수행하기 위하여 메인호스트 컴퓨터에서 수행되는 조건설정에 있어서 베이스(Base) 장비의 번호(ID)를 확인하여 노광조건계산에 참조하는 것이다.
즉, 메인흐스트 컴퓨터는 단계 S20에서 해당 로트에 대하여 저장된 히스토리 데이터를 백업하고, 단계 S22를 수행하여 PPID를 백업받아서 전송한 PPID와 스테퍼에 설정된 PPID가 동일한가 확인하며, 단계 S24를 수행하여 현재 스테퍼의 번호(ID)를 확인한다.
메인호스트 컴퓨터는 PPID와 스테퍼의 번호를 확인한 후 단계 S26을 수행하여 액티브 공정이 수행된 베이스 장비의 번호(ID)를 확인하여 그에 따라 설정되었던 데이터를 확인한다.
그리고, 단계 S28에서 메인호스트 컴퓨터는 PPID와 현재 사진식각공정을 위한 스테퍼 장비의 번호(호기)와 베이스 장비의 번호(ID)를 참조하여 액티브 공정에서의 데이터를 기준으로하여 노광조건을 계산한다.
상기 노광조건은 스테퍼 장비의 입력 데이터와 베이스 장비의 계측데이터를 계산되는데, 먼저 통상적인 스테퍼에 적용되는 입력 데이터로서 노출시간, 초점, 옵셋값(X, Y), 스케일(X, Y) 직교성(Orthogonality),웨이퍼회전(X, Y), 레티클 회전 및 리덕션(Reduction)의 차감값이 입력된다. 그리고, 베이스 장비의 계측 데이터는 레티클 회전(X, Y) 및 리덕션(X, Y) 데이터의 차감값이 입력된다.
이렇게 계산된 상기 데이터들에 의한 차감값은 히스토리 데이터로 보관된 후 동일 베이스 장비에서 진행되어 얻어진 최근 3개의 로트(Lot)의 데이터 평균을 취함으로써 얻어진다.
노광조건이 계산되면 메인호스트 컴퓨터는 계산된 조건으로 노광을 단계 S30에서 수행하고, 노광이 수행된 후 설정된 파라미터 및 기타 데이터를 단계 S32에서 이력관리용 또는 참조용으로 저장된다.
전술한 바와 같이 사진식각공정을 위한 로트에 대하여 저장된 데이터중 기준으로서 액티브 공정에서 설정된 바를 기준으로 참조함으로써 게산되는 노광조건의 산포도가 최소화된다.
그리고, 노광조건의 산포가 최소화되고 현재 로트에 대한 가장 정확한 파라미터가 설정되므로 정열이 정확하게 이루어질 수 있고, 그에 따른 재처리 작업이 감소되어 생산성이 향상되고 작업성이 개선된다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범의 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
Claims (1)
- 복수로 설치된 스테퍼에서 복수로 구분되는 노광정렬공정을 수행하는 로트에 대한 히스토리데이타를 백업하여 노광조건을 계산하여 노광공정을 진행시키는 스테퍼 장비별 정렬노광조건 설정방법에 있어서, 상기 로트에 대한 히스토리데이타에서 액티브공정이 수행된 스텝 장비에 대한 데이터를 확인하여 이를 기준으로 노광조건을 계산하여 노광을 진행하는 단계를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 스테퍼 장비별 정렬노광조건 설정방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960006864A KR0166321B1 (ko) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | 스테퍼별 정렬노광조건 설정방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960006864A KR0166321B1 (ko) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | 스테퍼별 정렬노광조건 설정방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970066706A KR970066706A (ko) | 1997-10-13 |
KR0166321B1 true KR0166321B1 (ko) | 1999-01-15 |
Family
ID=19453102
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960006864A KR0166321B1 (ko) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | 스테퍼별 정렬노광조건 설정방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR0166321B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100375559B1 (ko) * | 2001-07-03 | 2003-03-10 | 삼성전자주식회사 | 공정장치의 제어방법 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002190443A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Hitachi Ltd | 露光方法およびその露光システム |
-
1996
- 1996-03-14 KR KR1019960006864A patent/KR0166321B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100375559B1 (ko) * | 2001-07-03 | 2003-03-10 | 삼성전자주식회사 | 공정장치의 제어방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR970066706A (ko) | 1997-10-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6245584B1 (en) | Method for detecting adjustment error in photolithographic stepping printer | |
US6051348A (en) | Method for detecting malfunction in photolithographic fabrication track | |
US5243377A (en) | Lithography information control system | |
US6735492B2 (en) | Feedback method utilizing lithographic exposure field dimensions to predict process tool overlay settings | |
JP4262175B2 (ja) | 適応リソグラフィ短寸法エンハンスメント | |
US7050156B2 (en) | Method to increase throughput in a dual substrate stage double exposure lithography system | |
JP4088588B2 (ja) | レチクル測定値を使用したフォトリソグラフィ短寸法制御 | |
US6645683B2 (en) | Control system and methods for photolithographic processes | |
KR0166321B1 (ko) | 스테퍼별 정렬노광조건 설정방법 | |
KR20030039599A (ko) | 공정 에러 측정 방법 및 장치와 이를 이용한 오버레이측정 방법 및 장치 | |
KR100268042B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 오버레이 보정 방법 | |
KR20010058692A (ko) | 반도체 웨이퍼의 오버레이 파라미터 보정 방법 | |
US20040165164A1 (en) | Method and system for improving exposure uniformity in a step and repeat process | |
WO2022146481A1 (en) | Method and system for manufacturing integrated circuit | |
US6858445B2 (en) | Method for adjusting the overlay of two mask planes in a photolithographic process for the production of an integrated circuit | |
KR100714266B1 (ko) | 반도체장치의 제조공정에서 이미지 보정 방법 | |
US10809633B1 (en) | Overlay control with corrections for lens aberrations | |
KR100688721B1 (ko) | 반도체 제조 공정에서의 오버레이 측정 방법 | |
JPH0645424A (ja) | フォトレジストの形状の予測方法 | |
KR20080001440A (ko) | 웨이퍼 선폭 불균일을 보정하는 노광 방법 및 노광 장비 | |
US20030211411A1 (en) | Method for monitoring focus in lithography | |
KR20070005810A (ko) | 웨이퍼 얼라인먼트 방법 | |
US20050285056A1 (en) | Process for manufacture of semiconductor chips utilizing a posteriori corrections to machine control system and settings | |
CN117826539A (zh) | 对位误差检测方法、装置、设备及介质 | |
JPH11274074A (ja) | 露光方法及びリソグラフィシステム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20060830 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |