KR0162755B1 - 고분자 도파로형 광 세기 변조기 - Google Patents

고분자 도파로형 광 세기 변조기 Download PDF

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Abstract

본 발명은 비선형 고분자 박막의 폴링시 나타나는 광학적 이방성과 전기 광학 효과를 이용한 고분자 도파로형 광 세기 변조기에 관한 것이다.
본 발명에서 제시하는 광 세기 변조기는 입력광을 수신하여, 그 입력광의 TE모드와 TM 모드간의 상대적인 진폭비와 상기 두 모드간의 상대적인 위상차를 조절함으로써 상기 두 모드들의 편광을 선택적으로 변환시키는 TE-TM 모드 변환기와 상기 TE-TM 모드 변환기의 출력광을 받아 이 출력광의 TE 모드와 TM 모드들의 편광을 선택적으로 통과시키는 TE/TM 모드 선택기가 직렬로 배열되는 것을 특징으로 하며, 도파로 및 전극 설계가 쉽고, 소자의 전체 손실을 낮출 수 있다는 장점이 있다.

Description

고분자 도파로형 광 세기 변조기
본 발명은 광 통신용 외부 광 신호 변조기에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 비선형고분자의 폴링(poling) 특성과 폴링에 의해 유기된 광학적 이방성 및 전기 광학효과를 이용한 광 세기 변조기에 관한 것이다.
광 세기 변조기는 주로 다이오드 레이저 등 광원의 외부에서 광세기를 변조하여 통신용 광신호를 생성하는 역할을 한다. 일반적으로 광신호 변조기는 Mach-Zehnder 간섭계 형태의 도파로 구조에서 많이 알려져 있다. 이러한 간섭계 형태의 도파로 구조는 「C.C.Teng Travelling-wave polymeric optical intensity modulator with more than 40GHz of 3-dB electrical bandwidth Appl. Phys. Lett. vol 60, pp. 1538-1540, 1992년」에 공지되어 있다. 이러한 간섭계 형태의 변조기는 도파로 구조에서 곡선부분 그리고 광을 50:50으로 분리하고 합치는 분리기 및 결합기 부분 등으로 구성되어 있다. 따라서 곡선 및 분리기에 의한 손실 등이 많고 또한 소멸비를 높이기 위해서는 간섭계 양팔에 대한 세심한 설계 및 공정이 필요하다.
본 발명에서 제시하는 광세기 변조기는 TE 또는 TM 모드 선택기와 TE-TM모드 변환기를 집적한 직선 형태로서 간섭계 형태보다 도파로 구조가 간단하고, 곡선 및 광 분리기 등에 의한 손실을 줄일 수 있는 장점이 있다. 이러한 광세기 변조기는 무기물 TE-TM 모드 변환기 구조에서도 제안되어 있으나 모드 선택기 등과 집적화의 어려움 때문에 실용성이 적었다. 그러나, 본 발명에서 제시하는 고분자 광 세기 변조기는 폴링된 고분자 박막의 광학적 이방성과 전기 광학 효과를 이용한 것으로서, TE, TM 모드 선택기와 TE-TM 모드 변환기의 집적화가 쉽게 가능하기 때문에 실용화 가능성이 매우 높은 구조이다.
비선형 고분자 박막은 광학적으로 선형인 고분자 매트릭스에 2차 비선형 특성을 갖는 분자들이 여러 가지 형태로 도핑되어 있는 박막을 폴링이라는 과정을 거쳐 만들게 된다. 폴링 후 형성되는 박막의 광축은 폴링 전장과 같은 방향으로 형성되며, 광축 방향으로 굴절률이 증가하고 그에 수직한 방향으로 굴절률이 감소하게 된다. 또한 폴링이 끝난 후 광축 방향으로 전장을 인가하면 전장에 수직 및 수평한 방향으로 굴절률이 변하는 전기 광학 효과를 나타내게 된다.
본 발명은 이러한 비선형 고분자의 폴링시 나타나는 광학적 이방성(optical birefringence)과 전기 광학효과(Electro-optic Effect)를 이용하여 고분자 광도파로 구조에서 가능한 광 세기 변조기(optical intensity modulator)의 구조에 관한 것이다.
본 발명의 예로서 사용하는 띠 도파로의 구조는 광 표백된 도파로 구조이나 이것은 많은 띠 도파로 구조 중의 한 가지 예일 뿐이며, 실제 사용될 수 있는 띠 도파로의 구조는 제작공정 및 물질 종류에 따라 스트라입 로우디드 도파로(stripe-loaded waveguide), 마루형 도파로(ridge waveguide) 등 다양한 형태를 가질 수 있다.
본 발명을 구성하고 있는 요소는 크게 TE, TM 모드 선택기와 TE-TM 모드 변환기이다. 먼저, TE, TM 모드 선택기에 대해서 설명한다. TE, TM 모드선택기는 도파로 내에 TE, TM 모드가 둘 다 존재할 때, TE 모드 또는 TM 모드만을 선택적으로 통과시키는 기능을 하는 소자로서 비선형 고분자 도파로에서는 고분자의 폴링 특성을 이용하여 쉽게 제작할 수 있다. 이러한 고분자의 폴링 특성을 이용한 광 도파로의 제작에 관해서는 「Thackara,G.F. lipscomb, M.A.Stiller, A.J.Ticknor, and Lytel, Poled electro-optic waveguide formation in thin-film organic media, Appl. Phys. Lett. vol.52, pp. 1031-1033, 1999년」을 참고하면 된다.
먼저 TM 모드 선택기에 대해서 설명한다. 제1도의 (a)와 (b)는 수직 폴링에 의해 형성된 TM 모드 선택기의 단면 구조를 보여준다. 제1도를 참조하면, 본 발명의 TM 모드 선택기는 반도체 기판(5)과, 상기 반도체 기판(5)위에 형성된 제1클래딩 층(2)과, 상기 제1클래딩 층(2) 위에 형성되고, 상기 제1클래딩 층(2)보다 굴절률이 더 큰 비선형 고분자 도파층(1)과, 상기 제1클래딩 층(2)의 굴절률과 동일한 굴절률을 가지며, 상기 비선형 고분자 도파층(1)위에 형성된 제2클래딩 층(3)으로 구성되며, 상기 제1클래딩 층(2)과 기판(5) 사이 및 상기 제2클래딩 층(3) 위에는 상기 비선형 고분자 도파층(1)을 수직으로 폴링시키기 위한 폴링용 전극(6, 7)이 형성되어 있다. 이 때, 상기 제1클래딩 층(2)과 제2클래딩 층(3)은 상기 비선형 고분자 도파층(1)의 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지며, 선형 또는 비선형의 무기물이나 고분자로 이루어져 있다. 한편, 상기 기판(5)은 Si, GaAs, InP 등으로 이루어진 기판이다.
이 때, 상기 비선형 고분자는 폴링된 축을 따라 굴절률이 높아지고 그에 수직한 방향으로는 굴절률이 낮아지는 특성이 있으므로 적당한 너비의 띠 폴링 전극(6,7)으로 평면 도파로 구조의 박막을 폴링하면 제1도(a)와 같은 구조를 갖는 TM 모드 선택기의 제작이 가능하다.
한편, 제1도의 (b)는 도파층(1)과 상부 클래딩 층(3) 사이에 도파층의 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는 중간층(4)이 형성되어 있는 구조로서, 이와 같이 띠 도파로가 이미 형성되어 있는 경우에 수직 폴링에 의한 TM 모드 선택기를 제작하려면 폴링 후 코아에서의 TE 모드의 유효 굴절률이 클래딩의 유효 굴절률보다 작거나 같아질 수 있도록 폴링에 의한 광학적 이방성의 크기를 조절하여야 한다.
다음으로 TE 모드 선택기에 대해 설명한다. 제2도의 (a)와 (b)는 수평 폴링에 의해 형성된 TE 모드 선택기의 단면 구조를 보여준다. 제1도의 (a)와 (b)를 참조로 설명한 TM 모드 선택기의 경우와 같이 비선형 고분자는 폴링된 축을 따라 굴절률이 높아지고, 그에 수직한 방향으로는 굴절률이 낮아지는 특성이 있으므로 수평으로 놓인 적당한 너비의 띠 폴링 전극으로 박막을 폴링하면 제2도의 (a) 구조와 같이 TE 모드만이 도파할 수 있는 도파로가 형성될 수 있다.
또한 제2도의 (b)와 같은 띠 도파로 구조에서도 수평 폴링에 의하여 TE 모드 선택기가 가능한데, 이 경우는 폴링 후 코아에서의 TM 모드에 대한 유효 굴절률을 보다 작거나 같아질 수 있도록 폴링에 의한 광학적 이방성의 크기를 조절하여야 한다.
다음으로 고분자 도파로에서의 TE-TM 모드 변환기에 대하여 설명한다. 제3도는 고분자 도파로에서의 TE-TM 모드 변환기의 단면 구조를 보여준다. 폴링 전장의 방향을 도파로의 코아 부근에서 x-축에 대하여 평균 45° 근처가 되게 하면 고분자 내에 도핑되어 있는 비선형 분자들이 전장 방향으로 배열하여 폴링된 거시적인 비선형 고분자 코아의 광축이 x-축에 대하여 평균 45°의 각을 갖고 형성이 된다. 이러한 구조에서의 TE-TM 모드 편광 변환의 원리는 다음과 같다.
예를 들어서, 만약 Ex(TE)의 편광을 갖는 빛이 입사하면 도파로 내부의 노말모드(normal mode)의 편광방향은 폴링에 의하여 형성된 a-축 및 이에 수직한 b-축이므로 입사광 Ex는 노말 모드인 Ea성분과 Eb성분으로 나누어 생각할 수 있다. 도파로를 진행하면서 Ea성분과 Eb성분은 서로 간섭없이 독립적으로 진행하지만 도파로의 광학적 이방성 때문에 도파로의 끝단에서 두 모드는 초기 입사 때와는 서로 다른 위상을 갖게 된다. 도파로의 출력단에서 Ea성분과 Eb성분을 다시 Ex(TE)와 Ey(TM) 성분으로 변환시키면 Ea성분과 Eb성분의 도파로 끝단에서 위상차이에 따라 다양한 크기의 Ex(TE)와 Ey(TM) 성분을 얻을 수 있다. 출력단에서 Ex와 Ey성분의 수학적 표현은 다음과 같다.
여기서 δψB는 Ea성분과 Eb성분 사이의 위상차이로서 다음과 같이 표현된다.
여기서, (2πLB/λ)(Na-Nb)0는 전압을 인가하기 전에 노말모드인 Ea와 Eb사이의 위상차이며,는 인가된 전압 Vm에 의해 유기된 두 모드 사이의 위상차이이다. na및 nb는 폴링 후 a-축 및 b-축을 따르는 고분자 0(식.2)에서 δψB/2가 π의 정수배가 되면 도파로의 출력상태는 초기의 Ex(TE)가 Ex(TE)로 그대로 나오는 것이 되며, δψB/2가 π/2의 기수 정수배가 되면 Ex가 Ey(TM)로 변환됨을 알 수 있다.
(식.3)에 의하여 표현되는 경우 이외의 출력상태는 일반적으로 타원 편광 상태에 있다. 입력광이 Ey(TM)인 경우도 위와 동일한 방법으로 해석이 가능하다. 한편 TE-TM 모드 변환은 전압을 인가하기 전 도파로의 초기 출력상태가 TE 또는 TM 상태에 있는 경우에 주로 행해지기 때문에 출력광의 초기 상태를 조절하기 위한 바이어스 전극이 필요하다.
제4도는 이러한 초기 출력상태를 조절하기 위하여 초기폴링 전극을 제거하고 전기적으로 절연된 바이어스 전극(9)과 신호 인가용 전극(10)을 이전의 폴링 전극 위치에 다시 제작한 구조를 보여 주고 있다.
입력광은 도파로(1')를 통하여 출력광으로 나오는데, 이 도파로 상하에는 하부 접지 전극(8)과 바이어스 전압 Vb을 인가하기 위한 바이어스 신호 인가용 전극(9)과 변조 전압 Vm을 인가하기 위한 신호 전압 인가용 전극(10)이 형성되어 있다.
다음은 위의 세가지 기본소자를 집적하여 작동하는 광 세기 변조기에 대하여 설명한다. 제5도는 본 발명에 따른 광 세기 변조기의 전체 구성을 보여준다. 임의 편광의 입력광이 입사할 때 입력단 및 출력단의 편광 선택기는 위의 제1, 2도에 나타낸 편광 선택기 중 모두 가능하다. 출력단의 편광기 역시 제1, 2도의 편광 선택기중 모두 가능하다. 출력단의 편광 선택기를 TE 모드 선택기를 사용하면 Ex(TM) 성분이 변조되어 출력되고, TM 모드 선택기를 선택하면 Ey(TM) 성분이 변조되어 출력된다. 특별히 TE 또는 TM 모드의 빛이 입사할 경우는 입력단의 편광 선택기가 필요없고, 출력단의 편광 선택기는 위의 제1, 2도의 편광 선택기들 중 어느 경우든 역시 가능하다.
이상의 설명에서 알 수 있는 바와 같이 본 발명은 비선형 고분자만의 독특한 폴링 특성과 폴링에 의해 유기된 광학적 이방성 및 전기 광학효과를 이용한 것으로 단순히 폴링 전극의 구조를 변화시켜 광 세기 변조기에 필요한 TE, TM 모드 선택기와 TE-TM 모드 변환기를 하나의 기판 위에 집적할 수 있게 함으로써, 종래의 간섭계 형태의 광세기 변조기보다 도파로 및 전극 설계가 쉽고, 소자구조에서 곡선이나 분리기 및 결합기등 진행광의 손실을 유기시킬 수 있는 부분이 없으므로 소자의 전체 손실을 낮출 수 있다는 장점이 있다.
제1도의 (a) 및 (b)는 평면 도파로 및 띠 도파로 구조에서 수직 폴링에 의해 형성된 TM 모드 선택기의 단면 구조도.
제2도의 (a) 및 (b)는 평면 도파로 및 띠 도파로 구조에서 수평 폴링에 의해 형성된 TE 모드 선택기의 단면 구조도.
제3도는 45°로 폴링된 TE-TM 모드 변환기의 단면 구조도.
제4도는 TE-TM 모드 변환기의 초기 출력상태를 조절하기 위해 바이어스 전극과 신호 인가용 전극을 분리하여 나타낸 구조도.
제5도는 본 발명에 따른 광 세기 변조기의 전체 구성도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1,1' : 비선형 고분자 도파층 2 : 하부 클래딩 층
3 : 상부 클래딩 층 4 : 중간층
5 : 기판 6,7 : 폴링 전극
S : 상하폴링 전극의 중심에서 중심까지의 거리
ab 축 : 폴링에 의해 코아축에 형성된 주축계
xy 축 : 도파로 좌표계 8 : 하부 접지 전극
9 : 바이어스 신호 인가용 전극 10 : 신호 전압 인가용 전극
Vb : 바이어스 전압 Vm : 변조 전압

Claims (5)

  1. 입력광을 수신하고, 이 입력광의 광세기를 변조하여 출력광을 발생하는 광 세기 변조기에 있어서, 상기 입력광을 수신하며, 그 입력광의 TE 모드와 TM 모드간의 상대적인 진폭비와 상기 두 모드간의 상대적인 위상차를 조절함으로써 상기 두 모드들의 편광을 선택적으로 변화시키는 TE-TM 모드 변환기와, 상기 TE-TM 모드 변환기의 출력광을 받아 이 출력광의 TE 모드와 TM 모드들의 편광을 선택적으로 통과시키는 TE/TM 모드 선택기가 직렬로 배열된 것을 특징으로 하는 광 세기 변조기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 광 세기 변조기는 상기 TE-TM 모드 변환기의 앞단에 상기 광 세기 변조기로 입력되는 광을 수신하여, 이 입력광의 TE 모드와 TM 모드들의 편광을 선택적으로 통과시키는 TE/TM 모드 선택기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 세기 변조기.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 TE-TM 모드 변환기와 상기 TE/TM 모드 선택기는 반도체 기판과, 상기 반도체 기판위에 형성된 제1클래딩층과, 상기 제1클래딩층위에 형성되고, 상기 제1클래딩층보다 굴절률이 더 큰 비선형 고분자 도파층과, 상기 제1클래딩층의 굴절률과 동일한 굴절률을 가지며, 상기 비선형 고분자 도파층위에 형성된 제2클래딩층과, 상기 제1클래딩층과 상기 기판 사이 및 상기 제2클래딩층 위에 형성된 폴링용 전극으로 구성되며, 상기 TE/TM 모드 선택기는 상기 비선형 고분자 도파층이 수직 방향의 전장을 갖도록 상기 폴링용 전극이 일 직선상에 형성되고, 상기 TE-TM 모드 변환기는 상기 비선형 고분자 도파층이 상기 45°의 각도로 전장을 갖도록 상기 폴링용 전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 광 세기 변조기.
  4. 제3항에 있어서, 상기 TE/TM 모드 선택기는 상기 폴링용 전극들이 상기 제2 클래딩 층 위에만 수평으로 배열되어 상기 비선형 고분자 도파층에 수평 방향의 전장이 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 광 세기 변조기.
  5. 제3항에 있어서, 상기 TE-TM 모드 변환기는 초기 출력 상태를 조절하기 위해, 상기 제2클래딩 층 위에 전기적으로 절연된 바이어스 전극과 신호 인가용 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 광 세기 변조기.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100381014B1 (ko) * 2000-11-01 2003-04-26 한국전자통신연구원 선형 광 변조기를 이용하여 진폭 잡음을 억제시킨 광 세기변조 장치 및 그 방법

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5630004A (en) * 1994-09-09 1997-05-13 Deacon Research Controllable beam director using poled structure
KR100193219B1 (ko) * 1995-07-06 1999-06-15 박원훈 수동형 편광변환기
KR0164113B1 (ko) * 1995-11-02 1998-12-01 양승택 광 도파로 내의 모드 변환과 모드 선택을 이용한 광교환 장치
KR100199023B1 (ko) * 1995-12-21 1999-06-15 정선종 고분자 박막의 형성방법
KR100194622B1 (ko) * 1995-12-21 1999-06-15 정선종 도파로형 고분자 전기 광학 변조기/스위치의 구조
KR100211060B1 (ko) * 1996-12-04 1999-07-15 정선종 전기적 횡파(te) 편광 통과 광도파로 편광기
KR100219714B1 (ko) 1997-02-26 1999-09-01 윤종용 저손실 광능동소자의 제작방법
KR100219712B1 (ko) * 1997-02-26 1999-09-01 윤종용 저손실 능동광소자 및 그 제조방법
KR100311451B1 (ko) * 1997-04-26 2001-12-15 윤제호 노트북컴퓨터용원고지지대
US5892859A (en) * 1997-06-11 1999-04-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Integrated circuit compatible electro-optic controlling device for high data rate optical signals
US5887116A (en) * 1997-06-11 1999-03-23 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Integrated circuit compatible electro-optic device using conductive polymer cladding layers
FR2771517B1 (fr) * 1997-11-27 2001-12-14 Dassault Electronique Dispositif electro-optique, notamment pour la repartition optique
US6661942B1 (en) 1998-07-20 2003-12-09 Trans Photonics, Llc Multi-functional optical switch (optical wavelength division multiplexer/demultiplexer, add-drop multiplexer and inter-connect device) and its methods of manufacture
US6690845B1 (en) 1998-10-09 2004-02-10 Fujitsu Limited Three-dimensional opto-electronic modules with electrical and optical interconnections and methods for making
US6611635B1 (en) 1998-10-09 2003-08-26 Fujitsu Limited Opto-electronic substrates with electrical and optical interconnections and methods for making
US6785447B2 (en) 1998-10-09 2004-08-31 Fujitsu Limited Single and multilayer waveguides and fabrication process
US6706546B2 (en) 1998-10-09 2004-03-16 Fujitsu Limited Optical reflective structures and method for making
US6684007B2 (en) 1998-10-09 2004-01-27 Fujitsu Limited Optical coupling structures and the fabrication processes
US6343171B1 (en) 1998-10-09 2002-01-29 Fujitsu Limited Systems based on opto-electronic substrates with electrical and optical interconnections and methods for making
US6845184B1 (en) 1998-10-09 2005-01-18 Fujitsu Limited Multi-layer opto-electronic substrates with electrical and optical interconnections and methods for making
JP2000241778A (ja) 1999-02-19 2000-09-08 Fujitsu Ltd 光通信装置および光分岐・挿入装置
JP2001274528A (ja) 2000-01-21 2001-10-05 Fujitsu Ltd 薄膜デバイスの基板間転写方法
KR100350413B1 (ko) * 2000-10-02 2002-08-28 (주)젠포토닉스 외부 조절이 가능한 광도파로형 고차모드 발생기
KR100350414B1 (ko) * 2000-10-10 2002-08-28 (주)젠포토닉스 가변 광 감쇄기가 결합된 디지털 열광학 광 스위치
AU2002213362A1 (en) * 2000-10-19 2002-04-29 Trans Photonics, L.L.C. Novel substituted-polyaryl chromophoric compounds
US6687425B2 (en) * 2001-07-26 2004-02-03 Battelle Memorial Institute Waveguides and devices incorporating optically functional cladding regions
GB0124840D0 (en) * 2001-10-16 2001-12-05 Univ Nanyang A polarization beam splitter
KR100472056B1 (ko) * 2002-10-31 2005-03-11 한국전자통신연구원 편광 무관형 폴리머 광세기 변조기
KR20120063867A (ko) * 2010-12-08 2012-06-18 한국전자통신연구원 광 터치 패널
JP2012163614A (ja) * 2011-02-03 2012-08-30 Furukawa Electric Co Ltd:The Ｓｏａ−ｐｌｃハイブリッド集積偏波ダイバーシティ回路およびその製造方法
JP6507388B2 (ja) * 2014-03-31 2019-05-08 住友大阪セメント株式会社 光導波路素子およびその製造方法
US9829632B2 (en) * 2015-06-29 2017-11-28 Elenion Technologies, Llc Bent and tapered optical waveguide for mode converter and polarization rotator

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4273411A (en) * 1980-01-24 1981-06-16 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Optical wavelength filter
US4390236A (en) * 1981-03-19 1983-06-28 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Tunable polarization independent wavelength filter
JPH03288104A (ja) * 1990-04-04 1991-12-18 Agency Of Ind Science & Technol 一方向性モード変換器およびそれを用いた光アイソレータ
US5317666A (en) * 1992-09-29 1994-05-31 Eastman Kodak Company Waveguide nonlinear optical frequency converter with integral modulation and optimization means
JP2724098B2 (ja) * 1992-10-07 1998-03-09 沖電気工業株式会社 光波長フィルタ装置
US5361320A (en) * 1993-02-19 1994-11-01 University Of Colorado Foundation Liquid crystal fiber waveguide

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100381014B1 (ko) * 2000-11-01 2003-04-26 한국전자통신연구원 선형 광 변조기를 이용하여 진폭 잡음을 억제시킨 광 세기변조 장치 및 그 방법
US6570698B2 (en) 2000-11-01 2003-05-27 Electronics And Telecommunications Research Institute Apparatus and method for modulating optical intensity with amplitude noise suppressed by using linear optical modulator

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Publication number Publication date
US5555326A (en) 1996-09-10
KR960024500A (ko) 1996-07-20

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