KR0155142B1 - Ion implant apparatus of semiconductor - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체의 이온 주입장치에 관한 것으로, 특히 반도체 제조공정중 이온 주입공정에 사용되는 개스의 봄베 교환 작업시, 관내에 잔류되어 있는 맹독성 개스가 작업장 즉, 외부로 유출되지 않도록 하고, 봄베의 교환 주기를 연장시키므로써, 작업자의 안정성 및 장비의 정지 시간 단축에 따른 생산성의 증대 효과를 극대화 시킬 수 있게 하는 한편, 이물질(PARTICE)의 발생원인 및 배관내에 고여 있는 개스(DEAD ZDNE)를 극소화 시켜 개스 순도를 향상 시켜줌으로써, 제품의 불량율을 감소 시킬 수 있게 한 것에 그 특징이 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ion implantation apparatus of a semiconductor, and in particular, in the case of a bomb exchange operation of a gas used in an ion implantation process in a semiconductor manufacturing process, a poisonous gas remaining in a tube is prevented from leaking out to a work site, that is, the outside of a bomb By prolonging the exchange period, it is possible to maximize the increase of productivity by reducing worker's stability and equipment downtime, while minimizing the cause of PARTICE and stagnant DEAD ZDNE in the pipe. By improving the gas purity, it is possible to reduce the defect rate of the product.

Description

반도체 이온 주입장치Semiconductor ion implanter

제1도는 종래 기술을 설명하기 위한 플로우 다이어그램1 is a flow diagram for explaining the prior art

제2도는 본 발명의 플로우 다이어그램2 is a flow diagram of the present invention

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1 : 프로세서 쳄버 2 : 주연결관1: processor chamber 2: main connector

2' : 부연결관 3,4,5,6 : 개스 공급부2 ': sub connection pipe 3,4,5,6: gas supply part

7 : 퍼지라인7: purge line

본 발명은 반도체의 이온 주입장치에 관한 것으로, 특히 반도체 제조공정중 이온 주입공정에 사용되는 개스의 봄베 교환 작업시, 관내에 잔류되어 있는 맹독성 개스가 작업장 즉, 외부로 유출되지 않도록 하고, 봄베의 교환 주기를 연장시키므로써, 작업자의 안정성 및 장비의 정지 시간 단축에 따른 생산성의 중대 효과를 극대화 시킬 수 있게 하는 한편, 이물질(PARTICE)의 발생원인 및 배관내에 잔존하는 개스(DEAD ZDNE)를 극소화 시켜 개스 순도를 향상 시켜줌으로써, 제품의 불량율을 감소 시킬 수 있게 한 반도체의 이온 주입장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ion implantation apparatus of a semiconductor, and in particular, in the case of a bomb exchange operation of a gas used in an ion implantation process in a semiconductor manufacturing process, a poisonous gas remaining in a tube is prevented from leaking out to a work site, that is, the outside of a bomb By prolonging the replacement cycle, it is possible to maximize the important effect of productivity by reducing the safety of the operator and the downtime of the equipment, while minimizing the cause of PARTICE and the gas remaining in the pipe (DEAD ZDNE). The present invention relates to an ion implantation apparatus of a semiconductor that improves gas purity, thereby reducing a defect rate of a product.

반도체 제조에 있어, 이온 주입이란 선별된 불순물을 이온화시켜 진공중에서 고전압을 이용하여 이온빔 형태로 웨이퍼(WAFER)의 조절된 주입하는 것을 말하고, 주입되는 불순물 원자의 수를 정확히 조절할 수 있는 장점이 있어 반도체 소자 제조에 많은 적용율을 보이고 있다.In semiconductor manufacturing, ion implantation refers to controlled implantation of a wafer (WAFER) in the form of an ion beam using high voltage in a vacuum by ionizing selected impurities, and has an advantage of precisely controlling the number of implanted impurity atoms. Many application rates are shown in device manufacturing.

이러한 반도체 제조공정에 사용되는 불순물은 주로 아르곤(Ar), 브론(BF3), 아르신(ASH3), 포스핀(PH3)등이 사용되고 있는데, 이는 치사율이 매우 높은 맹독성 개스로써, 봄베 형태의 용기에 각각 압축 포장되어 게이지 및 다수의 밸브들로 구성된 유출관로를 통해 설정된 일정량이 독립적 또는 연통 혼합된 채로 선택된 웨이퍼에 공급되게 된다.Argon (Ar), Bron (BF3), Arsine (ASH3), Phosphine (PH3), etc. are mainly used as impurities in the semiconductor manufacturing process, which is a highly toxic gas with a high mortality rate. Each package is compressed and supplied to a selected wafer, either in an independent or communicative mixture, set through an outlet conduit of gauges and multiple valves.

또한, 고압으로 충전된 개스를 안전하게 유지 관리 하면서 고순도를 유지하기 위해서는 별도의 개스 실린더 캐비넷트(GAS CYLINDER CABINET)를 제작하여 이온 주입장치(ION IMPALNTER)에 개스를 공급해야 한다.In addition, in order to safely maintain high-pressure charged gas and maintain high purity, a separate gas cylinder cabinet (GAS CYLINDER CABINET) must be manufactured and supplied to the ion implanter.

상기 이온 주입장치에는 고전류가 형성되고 있기 때문에, 어떠한 도체도 장비와 연결되어서는 안된다는 조건이 있고, 또한 봄베내의 개스가 모두 소모되어 교체해 주어야 하는 경우 반도체 제조공정의 전공정이 정치되게 되는 난점이 있는데, 이는 곧 생산성과 직결되는 크나큰 문제가 있다.Since the high current is formed in the ion implantation device, there is a condition that no conductor should be connected to the equipment, and there is a difficulty in that the whole process of the semiconductor manufacturing process becomes stationary when the gas in the cylinder is exhausted and needs to be replaced. This is a big problem directly related to productivity.

여기서, 종래 이온 주입장치에 대한 구성을 간략히 살펴 보면 첨부 도면 제1도에 도시된 바와 같이 아르곤, 브론, 아르신, 포스핀 등의 개스가 충전된 각각의 봄베 상단 일측에는 다수의 밸브(v-1)(v-2)와 게이지(g-1) 및 필터(f)가 병렬 설치된 관로(2')가 연결 구성되어 있고, 그 관로(2')의 타측은 이온 주입기(도시되지 않았음)로 연통된 관로(2)와 각각 연결 구성되어 있는데, 이때, 상기 봄베(b)내에 충전된 개스가 모두 소모되어 이를 교체 해주어야 할 경우, 봄베(b) 상부의 개폐밸브(v-1)와 압력 게이지(g-1) 후단의 개폐밸브(v-2)를 각각 차단하고, 봄베(b) 상부 일측의 콘넥터에 연결된 관로 끝단의 결합구를 분리 이탈시킨 다음, 교체할 다른 봄베를 끼워 교환한 후, 압력 게이지(g-1) 후단의 개폐밸브(v-2)와 유량을 조절하기 위해 적당하게 개방시켜 놓은 모든 밸브(v-3)(v-4)(v-5)를 완전 개방하여 메인 장비의 진공펌프를 가동시켜 줌으로써, 봄베(b) 교환시 관로 입구를 통해 들어온 대기를 방출시킴과 동시에 봄베(b)의 콘넥터와 관로 끝단의 결합구 사이의 리크체크(LEAK CHECK) 즉, 누출시험을 행하고 있다.Here, the configuration of the conventional ion implanter will be briefly described. As shown in FIG. 1, a plurality of valves (v-) are provided on one side of each top of the bomb filled with gas such as argon, bronze, arsine, and phosphine. 1) A pipe line 2 'in which (v-2), a gauge g-1 and a filter f are arranged in parallel is connected, and the other side of the pipe line 2' is an ion implanter (not shown). It is configured to connect to each of the pipes (2) connected to the, in this case, when the gas filled in the cylinder (b) is exhausted and must be replaced, the opening valve (v-1) and the pressure of the upper part of the cylinder (b) and pressure Shut off the opening and closing valve (v-2) at the rear end of the gauge (g-1), separate and detach the coupling hole at the end of the pipe connected to the connector on the upper side of the cylinder (b), and replace it with another cylinder to be replaced. , The valve on the back of the pressure gauge (g-1) (v-2) and all valves opened properly to control the flow rate (v-3) (v-4) (v-5) is fully opened and the vacuum pump of the main equipment is operated to release the air entering through the pipe inlet at the same time as the cylinder (b) is replaced. A leak test is performed between the connector and the joint at the end of the conduit.

그러나, 상기한 종래의 기술 구성에서는 별도의 퍼지(PURGE)기능 즉, 크리닝(CLEANING) 기능이 구비되어 있지 않고, 단순히 봄베만을 상호 교체한 후, 관로에 들어온 대기만을 메인장비의 진공펌프로 흡입하여 별도의 정화 시설을 거친 후, 대기로 방출케 하는 방식으로 구성되어 있기 때문에 봄베 교체시 봄베(13)의 개폐밸브(v-1)를 차단하고, 압력 게이지(G-Q)후단의 개폐밸브(V-2)를 차단한 후, 관로를 봄베(B)와 이탈시키는 과정에서 상기 압력 게이지(G-1)와 그 개방되는 관로내에 충입되어 있는 맹독성 개스가 대기로 방출되면서 작업자에게 치명적인 손상을 가할 수 있는 위험한 문제가 있고, 또한, 봄베(B)의 콘넥터와 관로 끝단의 결합구가 각각의 메이커에서 상이하게 제작되어 지기 때문에 특수기계 가공으로 나사산만 동일하게 제작하여 연결시키고 있어, 결합시 작업자가 무리한 힘을 가하면 모든힘이 나사산 또는 기밀재인 가스켓 부분에서 집중적으로 받아 가스켓이 부스러지고, 비틀림에 의해 나사산의 형태가 변하면서 10um 이상의 입자, 즉 파티클이 발생되게 된다. 이 입자는 결국 배관 내부를 통과하면서 조작되어 지고 있는 전밸브에 포일(FALL)을 발생시켜 전 파트(PARTS)의 수명을 단축시키고, 고순도를 유지해야만 하는 개스배관의 기본에 반하며, 그에 따라 필터의 사용 수명을 단축시키는 문제를 야기시킴과 동시에 배관을 이루는 관로의 규격이 일정(¼, ⅛)하지 않아 공급되는 개스가 관로내에서 와류현상을 일으켜, 결국 제품의 버플을 발생시키고 이는 곧 제품에 불량율을 높이는 결과를 초래하는 문제가 있다.However, in the above-described prior art configuration, there is no separate purge function, that is, the cleaning function, and simply replaces the bombes with each other, and only the air entering the pipe is sucked by the vacuum pump of the main equipment. After the separate purification facility, it is configured to discharge to the atmosphere, so when the cylinder is replaced, the shut-off valve (v-1) of the cylinder (13) is shut off, and the shut-off valve (V-) after the pressure gauge (GQ) 2) After the shut off, the pressure gauge (G-1) and the toxic gas charged in the open pipeline are released into the atmosphere in the process of detaching the pipeline from the cylinder (B), which may cause fatal damage to the worker. There is a dangerous problem, and since the connector of the cylinder (B) and the end of the pipe are made differently in each manufacturer, only the threads are made and connected by special machining. Habsi the operator to use excessive force is presented all the power is concentrated to receive the gasket is fragile, and the shape of the screw thread side by the torsion than 10um particles, i.e. the particles generated in the screw thread, or re-tight gasket portion. These particles eventually create a foil in all valves being operated while passing through the inside of the pipe, shortening the life of all parts and contrary to the basics of gas piping, which must maintain high purity. In addition to causing the problem of shortening the service life of the pipe and at the same time, the size of the pipe which constitutes the pipe is not constant, the supply gas causes vortexing in the pipe, which in turn causes the product to buff. There is a problem that results in increasing the defective rate.

이러한, 구조상의 복합적 문제에 의해 종래에는 안전사고 발생 및 개스 순도 저하에 다른 제품의 불량율이 높고 봄베이 교환주기 단축으로 인한, 장비 가동율의 저하에 따른 생산성이 현저히 저하되는 등의 개선해야될 문제가 남아 있었다.Due to such a complex structural problem, there is a problem that needs to be improved, such as a safety accident and a decrease in gas purity, a high defective rate of other products, and a decrease in productivity due to a decrease in equipment operation rate due to a shortened Bombay replacement cycle. there was.

본 발명은 이러한 종래 기술이 갖는 제반 문제점을 근본적으로 치유하고 개선하기 위해 연구 창출된 것으로서, 이를 제공하는 목적은 다음과 같다.The present invention has been researched and created to fundamentally cure and improve the problems of the prior art, and the purpose of providing the same is as follows.

본 발명의 주목적은 봄베 교환 작업시 관내에 잔류되어 있는 맹독성 개스가 외부로 유출되지 않도록 하여 작업자의 안전성을 도모하고, 봄베 설치 공간을 확보하여 대형의 봄베를 채택함으로써 봄베의 교환주기를 연장시켜 장비의 정지 시간 단축에 따른 생산성의 증대효과를 극대화 시키려는데 있다.The main object of the present invention is to improve the safety of the operator by preventing the leakage of the toxic gas remaining in the tube to the outside during the cylinder replacement operation, to secure the installation space of the cylinder by adopting a large cylinder to extend the cylinder replacement cycle equipment This is to maximize the productivity increase effect of shortening down time.

본 발명의 다른 목적은 이물질의 발생원인 및 배관내에 고여 있는 개스를 극소화시켜 개스순도를 향상 시켜줌으로써, 제품의 불량율을 감소시키려는 것이다.Another object of the present invention is to reduce the defect rate of the product by minimizing the cause of the generation of foreign matter and the gas accumulated in the pipe to improve the gas purity.

상기한 목적 달성을 위하여 본 발명에서는 기존의 2way 밸브를 3way 밸브로 교체하고, 퍼지라인을 신설하여 각각 체크밸브로 그 경로를 한정시켜 이루었는데, 이를 첨부 도면에 의거하여 좀더 상세히 설명하면 명백해질 것이다.In order to achieve the above object, in the present invention, the existing 2-way valve is replaced with a 3-way valve, and a purge line is newly established to limit the paths to the check valves, respectively. .

즉, 본 발명은 첨부 도면 제2도에서 보여 주는 바와 같이, 이온 주입기의 개스 시스템은 프로세스 쳄버(1)에 연결관(2)으로 연통되게 연결되어 있고, 아르곤 개스 공급부(3), 브론 개스 공급부(4), 아르신 개스 공급부(5) 및 포스핀 개스 공급부(6)로 분리 형성되어 있으며, 각각의 개스 공급부(3)(4)(5)(6)는 주연결관(2)에서 분기된 부연결관(2')에 연결되어 이중 어느 하나의 개스만 선택하여 작업할 수도 있고, 이를 혼합 사용하여 작업할 수도 있도록 구성되어 지되, 상기 개스 공급부(3)(4)(5)(6)는 봄베(3a)와 압력 게이지(3b), 3way 메뉴얼 밸브(3e), 필터(3f), 레귤레이터(3g), 3way 메뉴얼 밸브(3h), 에어 니들 밸브(3i), 필터(3j), 2way 메뉴얼 밸브(3k)가 순차적으로 배열되어 연결되어 있고, 상기 3way 메뉴얼 밸브(3c)의 상부에는 체크밸브(3m)가 병렬 배열되어 퍼지라인(7)과 연결되어 있으며, 상기 3way 메뉴얼 밸브(3c)의 하부에 배열된 3way 메뉴얼 밸브(3d)와 2way 메뉴얼 밸브(3k)를 배관 연결하여, 그 사이에 체크밸브(31)를 설치하고, 레귤레이터(3g) 하부의 3way 밸브(3h)에는 에어 니들 밸브(3i)와 필터(3j) 사이에 병렬 접속된 스페어 배관(3n)을 연결하여 이루었다.That is, the present invention, as shown in Figure 2 of the accompanying drawings, the gas system of the ion implanter is connected to the process chamber 1 in communication with the connecting pipe (2), argon gas supply (3), bronze gas supply (4), the arsine gas supply part 5 and the phosphine gas supply part 6 are formed separately, and each gas supply part 3, 4, 5, and 6 is branched from the main connection pipe 2; It is connected to the secondary connection pipe (2 ') and can be selected to work only one of the gas, it is configured to work by using a mixture of the gas supply unit (3) (4) (5) (6) Cylinder (3a), pressure gauge (3b), 3way manual valve (3e), filter (3f), regulator (3g), 3way manual valve (3h), air needle valve (3i), filter (3j), 2way manual The valves 3k are sequentially arranged and connected, and a check valve 3m is arranged in parallel at the upper portion of the 3way manual valve 3c to be connected to the purge line 7. 3 way manual valve 3d and 2 way manual valve 3k arranged below the 3 way manual valve 3c are connected to each other, and a check valve 31 is installed therebetween, and a bottom of the regulator 3g is provided. The spare pipe 3n connected in parallel between the air needle valve 3i and the filter 3j was connected to the 3way valve 3h.

여기서는 아르곤 개스 공급부(3)의 구조만을 설명하였으나, 그 외의 가스 공급부, 예컨대 브론 개스 공급부(4), 아르신 개스 공급부(5) 및 포스틴 개스 공급부(6)의 구조도 상기한 아르곤 개스 공급부(3)의 구조와 동일하므로 별도의 설명은 생략 하였다.Although only the structure of the argon gas supply part 3 is described here, the structures of other gas supply parts, such as the bronze gas supply part 4, the arsine gas supply part 5, and the postin gas supply part 6, are also described above. Since the structure is the same as 3), a separate description is omitted.

다만, 도면에 각 개스 공급부의 구성 부품 부호를 4a~4n, 5a~5n, 6a~6n으로 표시하고 있고, 미설명 부호 8은 에어 리들 밸브(3i)의 ON/OFF 모터를 나타낸다.In addition, the component code | symbol of each gas supply part is shown by 4a-4n, 5a-5n, 6a-6n in the figure, and the reference numeral 8 shows the ON / OFF motor of the air-lead valve 3i.

이와 같은 구성으로 이루어진 이온 주입기는 프로세서 쳄버(1) 내부가 고진공 상태로 되고, 개스 시스템으로 부터 공정 개스가 공급되며 쳄버(1)내에서 이온화가 일어남으로써, 이온 주입공정을 수행하게 되는데, 이때 상기한 여러 개스중 하나의 개스만을 선택하여 작업을 행하게 되는 경우, 아르곤 개스의 공급을 예로하여 개스 공정 과정 즉, 본 고안의 작용 및 제효과를 설명하면 다음과 같다.The ion implanter configured as described above has a high vacuum state inside the processor chamber 1, a process gas is supplied from a gas system, and ionization occurs in the chamber 1, thereby performing an ion implantation process. In the case where only one gas from one of the several gases is selected, the gas process process, that is, the operation and the manufacturing effect of the present invention will be described by using argon gas as an example.

아르곤 개스를 선택하여 장비를 ON하게 되면 아르곤 개스가 봄베(3a)로 부터 나와 압력 게이지(3b)를 통하고 3way 밸브(3c)(3d) 및 2way 밸브(3e)를 거쳐 불순물을 여과시키는 필터(3f)에 도달한 다음, 레귤레이터(3g)에 의해 그 공급되는 개스 압력이 조정된 상태로 하부의 3way 밸브(3d)를 통과하면 개폐모터(8)에 의해 개방 조절되어 있는 에어 니들 밸브(3i)를 지나면서 이온 주입기, 즉 프로세스 쳄버(1)에서 요구되는 미량의 고순도 개스만을 공급시켜 상기 쳄버(1)내에서 이온화를 일으키게 하는 것이다.When argon gas is selected and the equipment is turned on, argon gas is discharged from the cylinder 3a to filter the impurities through the pressure gauge 3b and through the 3 way valves 3c and 3d and the 2 way valves 3e. After reaching 3f) and passing through the lower 3-way valve 3d with the gas pressure supplied by the regulator 3g being adjusted, the air needle valve 3i is opened and controlled by the on-off motor 8. By passing through the ion implanter, that is, only a small amount of high purity gas required by the process chamber 1 is supplied to cause ionization in the chamber 1.

이러한 과정은 상기한 개스 공급부(4)(5)(6)에서도 동일하게 이루어지고, 이와 같은 공급과정을 수회 반복 사용하여 일정 기간이 경과된 후, 봄베(3a)내에 개스가 모두 소모되어 교환해 주어야 할 경우에는 먼저, 2way 밸브(3e)를 차단하고, 퍼지라인(7)을 ON시켜 고청정 N₂개스(질소개스)를 일정 시간동안 주입시켜 관로를 통과시켜 주면 주입통과 되는 N₂개스가 3way 밸브(3c) 상부의 체크밸브(3m)를 통하고 그 하부의 3way 밸브(3d)에 도달하면 차단된 2way 밸브(3e)에 의해 그 경로가 굴절되어 병렬 연결된 체크밸브(31)측으로 유입되면서 부연결관(2') 및 주연결관(2)을 통해 프로세서 쳄버(1)의 배출라인으로 배출되었다가 별도의 정화 시설로 보내져 대기 방출되게 되는데, 이때 상기한 N₂개스의 일부가 3way 밸브(3c)의 일측으로 유입되어 압력 게이지(3d), 즉, 프로세서 게이지와 그 관로내에 차있는 맹독성 개스를 봄베(3e) 내부로 밀어냄과 동시에 일정 시간이 경과하면 봄베(3e) 상부의 차단밸브를 폐쇄하고, 퍼지라인(7)을 잠시 정지시킨 다음, 새로운 봄베로 교체한 후 다시 퍼지라인(7)을 개방시켜 일정 시간동안 N₂개스를 흘려보내 전기한 경로를 통해 외부로 배출시킨다.This process is performed in the same manner as the gas supply unit 4, 5 and 6, and after a certain period of time by using this supply process several times, all of the gas is consumed and replaced in the cylinder 3a. If you need to supply, first, shut off the 2-way valve (3e), turn on the purge line (7) to inject a high-purity N ₂ gas (vaginal introduction) for a certain period of time to pass the pipe through the N ₂ When the 3way valve 3d above the 3way valve 3c is reached and the 3way valve 3d at the bottom thereof is reached, the path is refracted by the blocked 2way valve 3e and flows into the check valve 31 connected in parallel. It is discharged to the discharge line of the processor chamber (1) through the secondary connection pipe (2 ') and the main connection pipe (2) and sent to a separate purification facility to be released to the atmosphere, wherein a part of the N ₂ gas is a three-way valve ( Flows to one side of 3c) and the pressure gauge 3d, i.e., the processor While pushing the gauge and the toxic gas filled in the pipeline into the cylinder 3e, when a certain time passes, the shutoff valve on the upper part of the cylinder 3e is closed, and the purge line 7 is stopped for a while. After replacing with the purge line (7) again to flow a N ₂ gas for a certain time to discharge to the outside through the electric path.

이러한 것은 봄베(3a) 교환 작업시 관내에 부착되어 있는 맹독성 개스의 원자를 초순수 N₂개스로 크리닝시켜 그 관내를 깨끗히 한 상태 즉, 개스의 외부 노출을 방지하여 작업자의 안전을 최대화 시킬 수 있음과 동시에 주입되는 N₂개스에 의해 봄베(3a) 상부의 콘넥터와 관로 끝단의 결합구 사이가 긴밀히 결속되어 있는지의 여부 즉, 리크체크(LEAK CHECK) 기능을 동시에 수행할 수 있으며, 리크체크 기능에 의한 외부 공기 유입을 방지하여 공급되는 개스의 고순도 유지를 지속 시킬 수 있게함은 물론 이거니와 3way 밸브(3d)와 2way 밸브(3k) 사이에 체크밸브(31)를 배열 연결시켜 상기 N₂개스가 3way 밸브(3d)와 하부의 필터(3f)(3j) 거치지 않고, 직접 부연결관(2')으로 배출되게 함으로써, 필터의 사용 수명을 연장시킴에 따른 장비의 정지 시간을 줄여줌으로 결국, 생산성이 향상되게 하고, 특히 상기한 본 발명 장치는 공간 확보가 용이하여 사용되는 봄베는 기존의 것에 비해 대형 사이즈를 채택할 수 있고, 봄베의 교환주기를 연장 시킬 수 있게하여 장비 정지 시간의 최소화를 이루고, 그에 따른 생산성의 향상 및 봄베 교환 작업시 작업자의 안정성, 피티클 발생 억제에 따른 고순도 개스의 공급에 따라 불량율을 감소시켜 결국 제품 신뢰도가 향상되는 등의 여러 유용한 효과를 함께 거둘 수 있는 매우 유익한 발명임이 명백하다.This can maximize the safety of the operator by cleaning the inside of the tube with ultrapure N ₂ gas by cleaning the atoms of the toxic gas attached to the tube during the bomb exchange operation (3a). At the same time, whether or not the coupling between the connector of the upper part of the cylinder 3a and the end of the pipe line is tightly coupled by the N ₂ gas injected at the same time, that is, the leak check function can be simultaneously performed. able to sustain a high purity maintaining a gas to be supplied to prevent the outside air inlet also to mention 3way valve (3d) and 2way valve (3k) connects arranged check valve (31) between the N ₂ gas is 3way valve By discharging directly to the secondary connection pipe 2 'without passing through the 3d and the lower filter 3f and 3j, the downtime of the equipment is reduced by extending the life of the filter. Acidity is improved, and in particular, the above-described apparatus of the present invention can be used to secure a space, the cylinder can be adopted a larger size than the existing one, and to extend the replacement cycle of the cylinder to minimize the equipment down time In addition, it is very beneficial to improve productivity and reduce the defective rate by supplying high-purity gas according to the stability of workers during the spring replacement work and suppressing the occurrence of the pickle, and thus, it is very beneficial to achieve various useful effects. It is obvious that the invention.

Claims (1)

이온 주입기의 개스 시스템은 프로세스 쳄버(1)에 연결관(2)으로 연통되게 연결되어 있고, 아르곤 개스 공급부(3), 브론 개스 공급부(4), 아르신 개스 공급부(5) 및 포스핀 개스 공급부(6)로 분리 형성되어 있으며, 각각의 개스 공급부(3)(4)(5)(6)는 주연결관(2)에서 분기된 부연결관(2')에 연결되어 이중 어느 하나의 개스만 선택하여 작업할 수도 있고, 이를 혼합 사용하여 작업할 수도 있도록 구성되어 지되, 상기 개스 공급부(3)(4)(5)(6)는 봄베(3a)와 압력 게이지(3b), 3way 메뉴얼 밸브(3e), 필터(3f), 레귤레이터(3g), 3way 메뉴얼 밸브(3h), 에어 니들 밸브(3i), 필터(3j), 2way 메뉴얼 밸브(3k)가 순차적으로 배열되어 연결되어 있고, 상기 3way 메뉴얼 밸브(3c)의 상부에는 체크밸브(3m)가 병렬 배열되어 퍼지라인(7)과 연결되어 있으며, 상기 3way 메뉴얼 밸브(3c)의 하부에 배열된 3way 메뉴얼 밸브(3d)와 2way 메뉴얼 밸브(3k)를 배관 연결하여, 그 사이에 체크밸브(31)를 설치하고, 레귤레이터(3g) 하부의 3way 밸브(3h)에는 에어 니들 밸브(3i)와 필터(3j) 사이에 병렬 접속된 스페어 배관(3n)을 연결 구성하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체의 이온 주입장치.The gas system of the ion implanter is connected in process tube 1 to the connecting tube 2 in an argon gas supply section 3, a bronze gas supply section 4, an arsine gas supply section 5 and a phosphine gas supply section. (6), each gas supply part (3) (4) (5) (6) is connected to the sub-connecting pipe (2 ') branched from the main connecting pipe (2) so that any one of the gas The gas supply unit (3) (4) (5) (6) may be a cylinder (3a), a pressure gauge (3b), or a 3-way manual valve. 3e), the filter 3f, the regulator 3g, the 3way manual valve 3h, the air needle valve 3i, the filter 3j, and the 2way manual valve 3k are sequentially arranged and connected, and the 3way manual A check valve 3m is arranged in parallel on the upper portion of the valve 3c and connected to the purge line 7, and a 3wa arranged at the lower portion of the 3way manual valve 3c. y Connect the manual valve (3d) and the 2-way manual valve (3k) by piping, and install the check valve 31 between them, and the air needle valve (3i) and the filter in the 3way valve (3h) below the regulator (3g) The ion implantation apparatus of the semiconductor which consists of connecting the spare piping 3n connected in parallel between (3j).