KR20010028263A - Chemical Supply System - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 케미컬 공급시스템에 관한 것으로, 특히 케미컬 및 케미컬 공급라인의 교체 또는 보수에 따른 반도체장치 제조설비의 다운을 방지하기 위해 케미컬 공급라인 상에 공급라인폐쇄용 개폐수단을 구비하여 계속 공정을 진행함으로써 작업 로스를 최소화할 수 있는 케미컬 공급시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a chemical supply system, and in particular, to prevent down of the semiconductor device manufacturing equipment due to the replacement or maintenance of the chemical and chemical supply lines, the process is continued with a supply opening and closing means for closing the supply line on the chemical supply line. The present invention relates to a chemical supply system which can minimize work loss.
통상적으로 웨이퍼는 사진, 확산, 식각, 증착 등의 공정이 반복 수행되어 반도체장치로 제작된다. 이러한 각 공정이 수행되는 반도체장치의 제조설비에는 웨이퍼 상에 요구되는 케미컬을 공급하기 위한 케미컬 공급시스템이 필수적으로 설치되어 있다.In general, a wafer is repeatedly fabricated into a semiconductor device by photographing, diffusion, etching, and deposition. A chemical supply system for supplying chemicals required on a wafer is essentially provided in the manufacturing equipment of the semiconductor device in which each of these processes is performed.
상기한 반도체장치의 제조설비는 일반적으로 주설비라하고, 케미컬 공급시스템을 보조설비라 하는데, 상기 보조설비인 케미컬 공급시스템은, MFC(Mass Flow Controller), 각종 밸브 및 케미컬 공급관 등으로 구성되어 있다.The manufacturing equipment of the semiconductor device is generally referred to as a main equipment, and the chemical supply system is referred to as an auxiliary equipment. The chemical supply system, which is the auxiliary equipment, includes a mass flow controller (MFC), various valves, and a chemical supply pipe. .
그리고, 케미컬은, 예컨대 건식식각에 사용되는 HBr, HF, 및 HCl 가스나 CVD(Chemical Vapor Deposition) 공정에 사용되는 CF4, SF6, 및 PF5등의 가스는 대부분 부식성 가스(corrosive gas)로서 순도가 매우 높다. 그리고, 이를 통상 봄베(Bombe) 또는 기타 가스실린더인 용기(Bottle)에 보관한다.Chemicals include, for example, HBr, HF, and HCl gas used in dry etching, and gases such as CF 4 , SF 6 , and PF 5 used in CVD (Chemical Vapor Deposition) processes are mostly corrosive gases. Purity is very high. And it is usually stored in a container (Bombe) or other gas cylinder (Bottle).
그러나, 실제 반도체 제조 공정에서는 가스실린더를 교체하거나 반응챔버로 가스를 공급하는 절차에서 침투한 수분 성분과 가스실린더에 저장된 부식성 가스가 반응하여 산(acid), 불순한 미세 입자, 혹은 기체 상태의 불순물이 발생하는 문제가 야기된다. 특히, MFC의 오동작을 초래하거나 공정상의 결함(defect)을 야기시키므로 이의 세심한 관리가 요구되고 있다.However, in the actual semiconductor manufacturing process, the infiltrating moisture component and the corrosive gas stored in the gas cylinder react in the process of replacing the gas cylinder or supplying the gas to the reaction chamber, resulting in acid, impure fine particles, or gaseous impurities. Problems arise. In particular, careful management of the MFC is required because it causes a malfunction of the MFC or a process defect.
그러면, 종래기술에 의한 케미컬 공급시스템에 대해 도면을 참조하여 설명하기로 한다.Then, the chemical supply system according to the prior art will be described with reference to the drawings.
도 2는 종래의 반도체장치 제조설비의 케미컬 공급시스템을 나타낸 구성도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서는 두 개의 공급라인 즉, A가스 공급라인(100, 100')과 B가스 공급라인(200, 200')으로 구성된 케미컬 공급시스템에 대해 설명한다.2 is a configuration diagram showing a chemical supply system of a conventional semiconductor device manufacturing facility. As illustrated in FIG. 2, the chemical supply system including two supply lines, that is, the A gas supply lines 100 and 100 'and the B gas supply lines 200 and 200' will be described.
먼저, A가스가 저장된 A가스실린더(300)가 마련되며, 상기 A가스실린더(300)에서 다수의 반응챔버(본 실시예에서는 3개)로 상기 A가스를 선택적으로 공급할 수 있도록 A가스 공급라인(100, 100')이 각각 연결되어 있다. 상기 A가스 공급라인(100, 100') 상에는 밸브, 압력조절기, 레귤레이터 및 필터를 포함하는 A가스 공급제어부(400)가 설치되어 있다.First, an A gas cylinder 300 in which A gas is stored is provided, and an A gas supply line to selectively supply the A gas from the A gas cylinder 300 to a plurality of reaction chambers (three in this embodiment). (100, 100 ') are respectively connected. The A gas supply control unit 400 including a valve, a pressure regulator, a regulator, and a filter is installed on the A gas supply lines 100 and 100 ′.
이 A가스 공급제어부(400)와 반응챔버 사이에는 제1 공급제어부(410)와 제2 공급제어부(420)가 순차적으로 구성되고, 제1 공급제어부(410)와 제2 공급제어부(420)의 각각에서 제3 공급제어부(430)로 합류되도록 구성되며, 그들의 각각에는 A가스 공급을 분기시키는 2개씩의 밸브가 설치되어 있다.The first supply control unit 410 and the second supply control unit 420 are sequentially formed between the A gas supply control unit 400 and the reaction chamber, and the first supply control unit 410 and the second supply control unit 420 Each of them is configured to join the third supply control unit 430, and each of them is provided with two valves for branching the A gas supply.
상기 제1 공급제어부(410)는 제1 밸브(411)와 제2 밸브(412)로 구성되며, 제2 공급제어부(420)는 제3 밸브(421)와 제4 밸브(422)로 구성되며, 제3 공급제어부(430)는 제5 밸브(431)와 제6 밸브(432)로 구성되어 있다.The first supply control unit 410 is composed of a first valve 411 and a second valve 412, the second supply control unit 420 is composed of a third valve 421 and the fourth valve 422 The third supply control unit 430 includes a fifth valve 431 and a sixth valve 432.
그리고, 제1 공급제어부(410)와 제2 공급제어부(420) 사이에는 A가스 공급량을 제어하는 레귤레이터(440)가 설치되어 있다. 그리고, 제1 공급제어부(410)와 제3 공급제어부(430), 제2 공급제어부(420)와 제3 공급제어부(430) 사이에는 공급되는 가스의 역류를 방지하는 제1 및 제2 체크밸브(450, 451)가 각각 설치되어 있다.A regulator 440 for controlling the A gas supply amount is provided between the first supply control unit 410 and the second supply control unit 420. The first and second check valves may be configured to prevent backflow of the gas supplied between the first supply controller 410 and the third supply controller 430, the second supply controller 420, and the third supply controller 430. 450 and 451 are provided, respectively.
또한, B가스가 저장된 B가스실린더(500)가 마련되며, 상기 B가스실린더(500)에서 다수의 반응챔버로 상기 B가스를 선택적으로 공급할 수 있도록 B가스 공급라인(200, 200')이 각각 연결되어 있다. 상기 B가스 공급라인(200, 200') 상에는 밸브, 압력조절기, 레귤레이터 및 필터를 포함하는 B가스 공급제어부(600)가 설치되어 있다.In addition, a B gas cylinder 500 in which B gas is stored is provided, and the B gas supply lines 200 and 200 ′ are respectively provided to selectively supply the B gas from the B gas cylinder 500 to a plurality of reaction chambers. It is connected. The B gas supply control unit 600 including a valve, a pressure regulator, a regulator, and a filter is installed on the B gas supply lines 200 and 200 ′.
이 B가스 공급제어부(600)와 반응챔버 사이에 제4 공급제어부(610)와 제5 공급제어부(620)가 순차적으로 구성되고, 제4 공급제어부(610)와 제5 공급제어부(620)의 각각에서 A가스 공급라인(100)으로 합류되도록 구성되며, 그들의 각각에는 B가스 공급을 분기시키는 2개씩의 밸브가 설치되어 있다. 제4 공급제어부(610)는 제7 밸브(611)와 제8 밸브(612)로 구성되며, 제5 공급제어부(620)는 제9 밸브(621)와 제10 밸브(622)로 구성되어 있다.The fourth supply control unit 610 and the fifth supply control unit 620 are sequentially formed between the B gas supply control unit 600 and the reaction chamber, and the fourth supply control unit 610 and the fifth supply control unit 620 Each is configured to join the A gas supply line 100, each of them is provided with two valves for branching the B gas supply. The fourth supply controller 610 is composed of a seventh valve 611 and an eighth valve 612, and the fifth supply controller 620 is composed of a ninth valve 621 and a tenth valve 622. .
그리고, 제3 밸브(421)가 B가스 공급라인(200) 사이를 A가스 공급라인(100')으로 연결하며, 제8 밸브(612)와 제10 밸브(622)의 각각에서 A가스 공급라인(100)으로 합류될 수 있도록 B가스 공급라인(200')으로 연결되어 있다.The third valve 421 connects the B gas supply line 200 to the A gas supply line 100 ′, and the A gas supply line is provided at each of the eighth valve 612 and the tenth valve 622. It is connected to the B gas supply line 200 'to be joined to the (100).
한편, A가스 공급라인(100)과 B가스 공급라인(200)의 각각에는, 누설을 체크하기 위한 누설체크라인(700)이 각 가스실린더(300, 500)와 각 가스 공급제어부(400, 600) 사이에 연결되어 있다. 그리고, 이 누설체크라인(700) 상에는 누설가스 공급제어부(710), 제3 및 제4 체크밸브(720, 721), 제11 및 제12 밸브(730, 731)가 분기하여 순차적으로 형성되어 있다.On the other hand, in each of the A gas supply line 100 and the B gas supply line 200, a leak check line 700 for checking leakage is provided in each of the gas cylinders 300 and 500 and the gas supply control units 400 and 600. ) Are connected. On the leak check line 700, the leakage gas supply control unit 710, the third and fourth check valves 720 and 721, and the eleventh and twelfth valves 730 and 731 are sequentially formed. .
상기와 같이 구성된 케미컬 공급시스템의 동작효과를 도면을 참조하여 간단히 설명한다.Operational effects of the chemical supply system configured as described above will be briefly described with reference to the drawings.
각 가스실린더(300, 500)에서 공급되는 가스가 각 가스 공급라인(100, 100', 200, 200')을 통해 반응챔버로 공급되어 수행하고자 하는 공정을 수행한다.The gas supplied from each gas cylinder 300, 500 is supplied to the reaction chamber through each gas supply line 100, 100 ′, 200, 200 ′ to perform a process to be performed.
이 때, A가스실린더(300)의 A가스가 거의 소모되어 A가스실린더(300)를 교체하거나 A가스 공급라인(100) 상에 누설이 발생하면 이를 보수 및 교체하는 작업을 수행하게 된다.At this time, when the A gas of the A gas cylinder 300 is almost consumed to replace the A gas cylinder 300 or leak occurs on the A gas supply line 100, repair and replacement of the A gas cylinder 300 is performed.
이 때, B가스가 각 반응챔버로 공급되고 있을 경우에는 B가스 공급을 수행한 후, 반드시 가스실린더를 담고 있는 실린더 캐비넷을 다운시켜야만 했다. 이로 인해 주설비까지 다운시켜야 하는 문제점이 있었다.At this time, when B gas was supplied to each reaction chamber, after performing B gas supply, the cylinder cabinet containing a gas cylinder must be down. Because of this, there was a problem to down to the main equipment.
또한, 예를들어 A가스실린더(300) 교체시에 누설을 체크하기 위해 고압의 He(헬륨)을 순간적으로 누설체크라인으로 공급하는데, 이 때, 누설체크라인과 각 가스 공급라인 사이에 설치된 제11 밸브와 제12 밸브가 고압 유입에 따른 손상을 입게 될 수가 있었다. 만약, 상기 He이 제12 밸브를 바이패스하게 되면 B가스와 혼합되어 공정사고가 발생하게 되는 문제점이 있었다.In addition, for example, in order to check for leakage when the A gas cylinder 300 is replaced, He (helium) of high pressure is instantaneously supplied to the leak check line, and at this time, a second gas is installed between the leak check line and each gas supply line. The 11th and 12th valves could be damaged by the high pressure inflow. If the He bypasses the twelfth valve, there is a problem that a process accident occurs due to mixing with the B gas.
따라서, 본 발명의 목적은 케미컬 및 케미컬 공급라인의 교체 또는 보수에 따른 반도체장치 제조설비의 다운을 방지하기 위해 케미컬 공급라인 상에 공급라인폐쇄용 개폐수단을 구비하여 교체 및 보수되는 케미컬 공급라인만을 폐쇄시켜 계속 공정을 진행함으로써 작업 로스를 최소화할 수 있는 케미컬 공급시스템을 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide only a chemical supply line which is replaced and repaired with an opening and closing means for closing the supply line on the chemical supply line to prevent downtime of the semiconductor device manufacturing equipment according to the replacement or repair of the chemical and chemical supply lines. It is to provide a chemical supply system that can minimize the work loss by closing and continuing the process.
또한, 본 발명의 다른 목적은 케미컬의 교체시에 고압으로 유입되는 누설체크용 가스에 의해 밸브가 손상되는 것을 방지하기 위해 누설체크라인 상에 완충밸브를 설치하여 공정사고를 미리 예방할 수 있는 케미컬 공급시스템을 제공하는데 있다.In addition, another object of the present invention is to supply a chemical that can prevent the process accident in advance by installing a buffer valve on the leakage check line to prevent the valve from being damaged by the leakage check gas flowing into the high pressure during the replacement of the chemical To provide a system.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체장치 제조설비의 케미컬 공급시스템을 나타낸 구성도,1 is a block diagram showing a chemical supply system of a semiconductor device manufacturing equipment according to an embodiment of the present invention,
도 2는 종래의 반도체장치 제조설비의 케미컬 공급시스템을 나타낸 구성도이다.2 is a configuration diagram showing a chemical supply system of a conventional semiconductor device manufacturing facility.
**도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명**** Description of the symbols for the main parts of the drawings **
100 : A가스 공급라인 200 : B가스 공급라인100: A gas supply line 200: B gas supply line
300 : A가스실린더 500 : B가스실린더300: A gas cylinder 500: B gas cylinder
700 : 누설체크라인 800, 810 : 제1, 제2 매뉴얼밸브700: Leak check line 800, 810: First and second manual valve
900, 910 : 제1, 제2 완충밸브900, 910: first and second buffer valve
상기 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명은, 반응챔버와, 상기 반응챔버로 공급되는 케미컬을 저장하는 적어도 하나 이상의 케미컬 저장조와, 상기 반응챔버와 케미컬 저장조를 연결하며 상기 케미컬의 제어를 수행하는 케미컬 공급제어부를 설치한 케미컬 공급라인을 포함하여 이루어진 반도체장치 제조설비에 적용되는데, 본 발명에 따른 케미컬 공급시스템은, 상기 케미컬 및 케미컬 공급라인의 교체 또는 보수시에, 상기 반도체장치 제조설비의 공정계속을 유지시키기 위해 교체 또는 보수되는 케미컬 및 케미컬 공급라인을 폐쇄할 수 있도록 상기 케미컬 공급제어부와 반응챔버 사이에 공급라인폐쇄용 개폐수단을 설치하여 이루어진 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the objects of the present invention, the reaction chamber, at least one or more chemical reservoir for storing the chemical supplied to the reaction chamber, and the reaction chamber and the chemical reservoir is connected to perform the control of the chemical Applied to a semiconductor device manufacturing equipment comprising a chemical supply line provided with a chemical supply control unit, the chemical supply system according to the present invention, the process of the semiconductor device manufacturing equipment at the time of replacement or repair of the chemical and chemical supply line Characterized in that the opening and closing means for closing the supply line between the chemical supply control unit and the reaction chamber to close the chemical and chemical supply line to be replaced or repaired to maintain the continuation.
이 때, 상기 공급라인폐쇄용 개폐수단은 매뉴얼밸브인 것이 바람직하다.At this time, the opening and closing means for closing the supply line is preferably a manual valve.
한편, 상기 케미컬 공급라인에 케미컬의 누설을 체크하기 위한 누설체크라인을 더 구비하여 연결시키되, 상기 누설체크라인으로 가압된 누설체크가스를 완충시키기 위해 상기 누설체크라인 상에 완충밸브를 설치하여 이루어진 것이 바람직하다.On the other hand, the chemical supply line is further provided with a leakage check line for checking the leakage of the chemical connection, but made by installing a buffer valve on the leakage check line to buffer the leakage check gas pressurized by the leak check line It is preferable.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described a preferred embodiment of the present invention.
본 발명의 도면에 있어서, 종래기술에 의한 도 2의 케미컬 공급시스템에 적용되는 것이므로 동일 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 반복설명을 피하며, 본 발명의 매뉴얼밸브(manual valve)와 완충밸브(buffer valve)를 중심으로 설명하기로 한다. 또한, 종래와 같은 기능을 수행하는 구성요소는 종래와 동일한 참조번호를 사용한다.In the drawings of the present invention, since it is applied to the chemical supply system of FIG. 2 according to the prior art, components that perform the same function will be avoided and repeated descriptions of the manual valve of the present invention (manual valve) and the buffer valve (buffer) The description will be made based on the valve. In addition, the components that perform the same function as the conventional use the same reference numerals.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체장치 제조설비의 케미컬 공급시스템을 나타낸 구성도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 케미컬 공급시스템과 기본 구성은 동일하고, 다른점은 제3 밸브(421)와 반응챔버 사이에 제1 매뉴얼밸브(800)를 설치한다는 것이다. 이는 A가스실린더(300) 교체시에 제1 매뉴얼밸브(800)를 폐쇄하여 B가스에 의한 공정을 계속 진행하고자 하는 목적이다.1 is a block diagram showing a chemical supply system of a semiconductor device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the basic configuration of the conventional chemical supply system is the same, except that the first manual valve 800 is installed between the third valve 421 and the reaction chamber. This is for the purpose of continuing the process by the B gas by closing the first manual valve 800 when the A gas cylinder 300 is replaced.
또한, 제9 밸브(621)와 A가스 공급라인(100') 및 B가스 공급라인(200)이 접하는 위치 사이에 제2 매뉴얼밸브(810)를 설치한다는 것이다. 이는 B가스 교체시에 제2 매뉴얼밸브(810)를 폐쇄하여 A가스에 의한 공정을 계속 진행하고자 하는 목적이다.In addition, a second manual valve 810 is installed between the ninth valve 621, the A gas supply line 100 ′, and the B gas supply line 200. This is the purpose of closing the second manual valve 810 at the time of B gas replacement to continue the process by A gas.
제1 매뉴얼밸브(800)와 제2 매뉴얼밸브(810)는 구체적으로 다이어프램 밸브(Diaphragm Valve)이며, 이 다이어프램 밸브는 진공에서 2400psi 압력까지 사용할 수 있으며, 누설비(leak rate)는 5×10-11Acc/sce이고, 몸체(body)는 스테인레스강(SUS 316L)으로 제조되며, 다이어프램은 니켈합금으로 제조되어 있다.Specifically, the first manual valve 800 and the second manual valve 810 are diaphragm valves, and the diaphragm valves may be used at a vacuum pressure of 2400 psi and have a leak rate of 5 × 10 −. 11 Acc / sce, body is made of stainless steel (SUS 316L), diaphragm is made of nickel alloy.
한편, 가스실린더 교체시, 고압유입에 따른 바이패스를 방지하기 위해 누설가스 공급제어부(710)와 제11 밸브(730) 사이에 제1 완충밸브(900)를 설치하고, 누설가스 공급제어부(710)와 제12 밸브(731) 사이에 제2 완충밸브(910)를 설치한다.On the other hand, when replacing the gas cylinder, the first buffer valve 900 is installed between the leakage gas supply control unit 710 and the eleventh valve 730 in order to prevent the bypass due to the high pressure inflow, the leakage gas supply control unit 710 ) And a second buffer valve 910 is installed between the twelfth valve 731.
이 때, 각각의 완충밸브(900, 910)은 구체적으로 공기압 액추에이터를 갖는 다이어프램 밸브(Diaphragm Valve with Pneumatic Actuator)이며, 이 다이어프램 밸브는 진공에서 3000psi 압력까지 사용할 수 있으며, 누설비(leak rate)는 5×10-9Acc/sce이고, 몸체(body)는 스테인레스강(SUS 316L)으로 제조되며, 다이어프램은 니켈합금으로 제조되어 있다.At this time, each of the buffer valve (900, 910) is specifically a diaphragm valve with a pneumatic actuator (Diaphragm Valve with Pneumatic Actuator), the diaphragm valve can be used from vacuum to 3000psi pressure, the leak rate (leak rate) is 5 × 10 −9 Acc / sce, the body is made of stainless steel (SUS 316L), and the diaphragm is made of nickel alloy.
상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 매뉴얼밸브와 완충밸브가 적용된 케미컬 공급시스템의 작용효과를 간단히 설명한다.The operation and effect of the chemical supply system to which the manual valve and the buffer valve according to the present invention configured as described above are briefly described.
가스공급에 따른 공정을 수행하다가 가스실린더를 교체할 경우, 예를들어 A가스실린더(300)를 교체할 경우에, 제1 매뉴얼밸브(800)를 닫으면, A가스 공급라인(100, 100')은 다른 공급라인과 차단되므로 B가스는 계속 공급하여 공정을 진행할 수 있다. B가스실린더(500)를 교체할 경우에도 제2 매뉴얼밸브(810)를 닫으면 똑같이 적용된다.When the gas cylinder is replaced while performing the gas supply process, for example, when the A gas cylinder 300 is replaced, when the first manual valve 800 is closed, the A gas supply lines 100 and 100 'are closed. Is blocked from other supply lines, so the B gas can continue to be supplied to proceed with the process. In the case of replacing the B gas cylinder 500, the second manual valve 810 is similarly applied.
한편, A가스실린더(300) 교체시에, 누설을 체크하기 위해 고압의 He를 누설체크라인(700)으로 유입하는데, 이 때 각각의 완충밸브(900, 910)가 이를 블로킹하게 된다. 이에 따라, 제11 및 제12 밸브의 손상을 방지할 수 있고, 특히, B가스 공급이 진행중인 제12 밸브(731)에서 바이패스를 미리 예방함으로써 바이패스에 의한 He의 혼합을 방지하여 공정사고를 막을 수 있다.On the other hand, when replacing the A gas cylinder 300, the high-pressure He flows into the leak check line 700 to check for leaks, at which time each of the buffer valves 900 and 910 blocks it. Accordingly, damage to the eleventh and twelfth valves can be prevented, and in particular, by preventing the bypass in the twelfth valve 731 in which the B gas supply is in progress, mixing of He by the bypass can be prevented and a process accident You can stop it.
이상, 본 실시예에서는 두 개의 가스공급라인에 대해 적용하였으나, 다수개의 공급라인을 구비하는 경우에도 적용할 수 있다.As described above, the present invention is applied to two gas supply lines, but may also be applied to a case in which a plurality of supply lines are provided.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따라 케미컬 공급라인 상에 계속 공정을 위한 공급라인폐쇄용 개폐수단을 설치함으로써 반도체장치 제조설비를 다운시키지 않아도되므로 작업 로스를 줄일 수 있고, 결국 반도체 소자의 생산성을 향상시킬 수 있다.As described above, according to the present invention, by providing the opening and closing means for closing the supply line for the continuous process on the chemical supply line, it is not necessary to bring down the semiconductor device manufacturing equipment, thereby reducing the work loss and ultimately improving the productivity of the semiconductor device. You can.
또한, 누설체크를 위한 누설체크가스의 고압 유입시에 이를 완충함으로써 공정사고를 미리 예방하여 수율을 증대시킬 수 있다.In addition, by buffering the leakage check gas at high pressure inflow for leakage check it can prevent the process accident in advance to increase the yield.
본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 많은 변형이 가능함은 명백하다.The present invention is not limited to the above-described embodiment, and it is apparent that many modifications are possible by those skilled in the art within the technical spirit of the present invention.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990040428A KR20010028263A (en) | 1999-09-20 | 1999-09-20 | Chemical Supply System |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019990040428A KR20010028263A (en) | 1999-09-20 | 1999-09-20 | Chemical Supply System |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010028263A true KR20010028263A (en) | 2001-04-06 |
Family
ID=19612268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019990040428A KR20010028263A (en) | 1999-09-20 | 1999-09-20 | Chemical Supply System |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100517806B1 (en) * | 2001-08-14 | 2005-09-29 | 주식회사 우일하이테크 | Apparatus for automatic supply chemical of semiconductor equipment |
| KR200466370Y1 (en) * | 2008-07-17 | 2013-04-11 | 주식회사 케이씨텍 | Chemical Supply System |
| KR102132492B1 (en) * | 2019-08-28 | 2020-07-09 | 주식회사 명성시스템 | Gas supply system of gas supply device |
| KR102213005B1 (en) * | 2020-07-09 | 2021-02-05 | 주식회사 명성시스템 | Gas supply method of gas supply device |
-
1999
- 1999-09-20 KR KR1019990040428A patent/KR20010028263A/en not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100517806B1 (en) * | 2001-08-14 | 2005-09-29 | 주식회사 우일하이테크 | Apparatus for automatic supply chemical of semiconductor equipment |
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| KR102132492B1 (en) * | 2019-08-28 | 2020-07-09 | 주식회사 명성시스템 | Gas supply system of gas supply device |
| KR102213005B1 (en) * | 2020-07-09 | 2021-02-05 | 주식회사 명성시스템 | Gas supply method of gas supply device |
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