KR0129712Y1 - 반도체 제조 장치의 회전 도포 장치 - Google Patents

반도체 제조 장치의 회전 도포 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR0129712Y1
KR0129712Y1 KR2019950027950U KR19950027950U KR0129712Y1 KR 0129712 Y1 KR0129712 Y1 KR 0129712Y1 KR 2019950027950 U KR2019950027950 U KR 2019950027950U KR 19950027950 U KR19950027950 U KR 19950027950U KR 0129712 Y1 KR0129712 Y1 KR 0129712Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
washing water
back cover
developer
ring
Prior art date
Application number
KR2019950027950U
Other languages
English (en)
Other versions
KR970019728U (ko
Inventor
신동욱
Original Assignee
문정환
엘지반도체주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, 엘지반도체주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR2019950027950U priority Critical patent/KR0129712Y1/ko
Publication of KR970019728U publication Critical patent/KR970019728U/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0129712Y1 publication Critical patent/KR0129712Y1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

본 고안은 웨이퍼 뒷면으로 유입되는 오염액을 효과적으로 방지하기 위한 반도체 제조장치의 회전 도포 장치에 관한 것으로, 웨이퍼 뒷면에 소정 간격을 두고 형성된 웨이퍼 뒷면 덮개부와, 웨이퍼 뒷면 덮개부에 형성되되 웨이퍼 뒷면 모서리 부위와 대응되는 위치에 웨이퍼와 근접한 거리를 두고 형성되어 웨이퍼 뒷면과 웨이퍼 뒷면 덮개부 사이에 일정한 공간을 형성하는 링과, 웨이퍼와 웨이퍼 뒷면 덮개부 사이의 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급라인을 포함하여 이루어진다.

Description

반도체 제조 장치의 회전 도포 장치
제1도는 종래의 반도체 제조 장치의 회전 도포 장치를 도시한 도면.
제2도는 본 고안의 반도체 제조 장치의 회전 도포 장치를 도시한 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
21 : 웨이퍼 22 : 안착부
22 : 회전축 23 : 회전수단
24 : 도포액 분사수단 25 : 웨이퍼 상면 세척수 분사수단
26 : 링 27 : 웨이퍼 뒷면 덮개부
28 : 웨이퍼 뒷면 세척수 분사수단 29 : 가스 공급라인
본 고안은 반도체 제조 장치의 회전 도포 장치에 관한 것으로, 특히 웨이퍼 뒷면의 오염 방지에 적당하도록 한 반도체 제조 장치의 회전 도포 장치에 관한 것이다.
웨이퍼를 회전시켜 웨이퍼 상면에 도포액을 도포하는 방식은 포토레지스 도포와 현상액 도포 등에서 사용되고 있다.
제1도는 종래의 반도체 제조 장치의 호전 도포 장치 중 현상액 도포장치를 도시한 도면으로, 도면을 참조하여 종래의 장치를 간단히 설명하면,
웨이퍼(11)가 안착되고, 회전축(12')이 회전수단(13) 즉, 모터와 연결되어 안착된 웨이퍼 (11)를 회전시키는 안착부(12)가 있다. 도면부호(14)는 안착부(12)에 안착된 웨이퍼(11) 상면으로 현상액을 분사하는 현상액 분사 노즐을 나타내고, 도면부호(15)는 웨이퍼 상면 세척수 분사 노즐을 나타낸다.
도면부호(16)는 링을 나타낸 것으로 웨이퍼(11)와 근접한 간격을 갖으므로써 웨이퍼 뒷면으로 현상액이나 세척수 등과 같은 액체가 유입되는 것을 방지하는 역할을 하게 되며, 이러한 링(16)을 지지하기 위해 링 받침부(17)가 형성된다.
도면부호(18)는 웨이퍼 뒷면 세척수 분사 라인이며, 링 받침부(17)에 형성된 형태이다.
종래 장치의 동작은, 웨이퍼(11) 상의 포토레지스트 현상을 위해 안착부(12)에 웨이퍼(11)를 안착시킨 후, 회전시켜 현상액 분사 노즐(14)로 현상액을 분사하여 웨이퍼 상에 도포한다. 그리고 일정시간이 지난 후, 웨이퍼 상면 세척수 분사 노즐(15)과 웨이퍼 뒷면 세척수 분사 라인(18)을 통해 순수(DI)를 분사하므로써 웨이퍼(11)의 상면과 뒷면을 린스하여 준다. 링(16)은 웨이퍼(11)와 근접한 간격을 유지하므로써 웨이퍼 전면에 도포된 현상액이나 세척수가 웨이퍼 뒷면으로 유입될 시에 그 액체들과의 표면장력을 이용하여 유입을 방지하는 역할을 하게 된다.
그런데 종래의 장치는 단지 하나의 링(16)으로 액체의 웨이퍼 뒷면 유입을 방지하고 있으므로써 유입되려는 현상액 및 세척수 등의 액체를 효과적으로 막지 못하고 있으며, 따라서 웨이퍼 뒷면으로 분사되는 세척수의 위치 즉, 웨이퍼 뒷면 모서리 부근보다 안쪽으로 유입되는 경우가 발생하여 웨이퍼 뒷면을 오염을 효과적으로 방지하지 못하는 문제점이 있다.
이와 같은 종래 장치의 문제점을 해결하기 위해, 본 발명의 웨이퍼 뒷면을 세척하기 위한 세척수 분사수단을 가지고 웨이퍼를 회전시켜 웨이퍼 상면에 도포액을 도포하는 반도체 제조 장치의 회전 도포 장치는, 웨이퍼 뒷면에 소정 간격을 두고 형성된 웨이퍼 뒷면 덮개부와, 웨이퍼 뒷면 덮개부에 형성되되 웨이퍼 뒷면 모서리 부위와 대응되는 위치에 웨이퍼와 근접한 거리를 두고 형성되어 웨이퍼 뒷면과 웨이퍼 뒷면 덮개부 사이에 일정한 공간을 형상하는 링과, 웨이퍼와 웨이퍼 뒷면 덮개부 사이의 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급라인을 포함하여 이루어진다.
여기서 도포액은 현상액이고 웨이퍼에 도포된 현상액을 세척하기 위해 웨이퍼 상면으로 세척수를 분사하는 웨이퍼 상면 세척수 분사수단이 형성된 것이 특징이며, 링은 2개 이상 형성되고, 가스 공급라인을 통해 공급되는 가스는 N2 인 것이 특징이며, 웨이퍼의 회전은 회전수단에 회전축이 연결되어 회전하는 안착부에 안착되어 회전하고 안착부와 웨이퍼 뒷면 덮개부는 밀착 회전대우된 것이 특징이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 고안의 일실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
제2도는 본 고안에 따른 일실시예를 도시한 도면으로써 현상액 도포장치를 나타내고 있다.
도시한 바와 같이, 웨이퍼(21)가 안착되고 회전축(22')이 회전수단(23) 즉, 모터와 연결되어 안착된 웨이퍼(21)를 회전시키는 안착부(22)가 있다. 이 안착부(22)는 웨이퍼(21)를 흡착하는 방식을 택하고 있다. 도포액 분사수단(24)은 안착된 웨이퍼(21) 상면으로 현상액을 분사하도록 형성된다. 본 실시예와 같이 현상액 도포장치인 경우는 웨이퍼에 도포된 현상액을 세척하기 위해 웨이퍼 상면으로 세척수를 분사하는 웨이퍼 상면 세척수 분사수단(25)이 형성된다. 그러나 포토레지스트 도포장치인 경우는 상면 세척수 분사수단이 형성되지 않을 수 있다.
도면부호(26)는 링을 도시한 것으로써, 안착된 웨이퍼 뒷면 모서리 부위와 대응되는 위치에 웨이퍼(21)와 근접한 간격, 약 1mm 내지 2mm 정도를 갖으므로써 웨이퍼 뒷면을 타고 흐르는 현상액 및 세척수가 링(26)과 접하여 표면장력이 생김으로써 액체가 유입되는 것을 방지하는 역할을 하는 데, 2개 이상으로 형성하면 2개 이상의 부위에서 표면장력이 생김으로써 더 효과적으로 액체의 유입을 막을 수 있다. 이 링(26)이 부착 형성되고 안착부(22)의 회전축(22')과 밀착 회전대우되어 웨이퍼(21)와 사이에 일정 공간(도면에서 'A'로 표시)을 형성하는 웨이퍼 뒷면 덮개부가 도면부호(27)로 나타내져 있다. 이 웨이퍼 뒷면 덮개부(27)와 안착부의 회전축(22')과 밀착을 위해 그 사이에 밀봉부(도시안함)를 설치하여 실링을 하여도 된다.
안착된 웨이퍼 뒷면 모서리 부위로 세척수를 분사하도록 웨이퍼 뒷면 세척수 분사수단(28)이 형성된다. 이 분사수단(28)은 노즐을 형태로써 형성하면 된다. 또 본 고안에서는 웨이퍼(21)와 웨이퍼 뒷면 덮개부(27) 사이에 형성된 공간(A)으로 가스를 공급하여 공간의 압력을 상승시키는 가스 공급라인(29)이 형성되는데, 분사되는 가스로는 N2와 같은 퍼지 가스가 적당하며 그 공간의 압력을 상승시키므로써 웨이퍼 뒷면으로 유입되는 액체 오염물 즉, 현상액 같은 도포액 및 세척수 등의 유입을 효과적으로 막을 수 있게 된다. 이러한 웨이퍼 뒷면 세척수 분사수단(28)과 가스 공급라인(29)은 도면에 도시한 바와 같이 웨이퍼 뒷면 덮개부(27) 내에 형성하면 된다. 그러나 이런 방법 외에 링(26)쪽을 통과하여 웨이퍼(21)와 웨이퍼 뒷면 덮개부(27) 사이에 형성된 공간(A) 내부로 인입하여 형성하는 방법도 가능하다.
따라서 본 고안의 작동은, 웨이퍼 상의 포토레지스트 현상을 위해 안착부(22)에 웨이퍼(21)를 안착시킨 후, 회전시켜 도포액 분사수단(24)로 현상액을 분사하여 웨이퍼(21) 상에 도포한다. 그리고 일정시간이 지난 후, 웨이퍼 상면 세척수 분사 수단(25)과 웨이퍼 뒷면 세척수 분사 라인(28)을 통해 순수(DI)를 분사하므로써 웨이퍼의 상면과 뒷면을 린스하여 준다. 이중으로 형성된 링(26)은 웨이퍼(21)와 근버한 간격을 유지하므로써 웨이퍼 전면에 도포된 현상액이나 세척수가 웨이퍼 뒷면으로 유입될 시에 그 액체들과의 표면장력을 이용하여 유입을 방지하는 역할을 하게 된다. 그리고 질소를 웨이퍼와 웨이퍼 뒷면 덮개부 사이에 형성된 공간(A)으로 불어 넣으므로서 그 공간의 압력이 상승되고 또한 질소 가스가 웨이퍼(21)와 링(26)사이의 간격으로 배출되므로서 웨이퍼 뒷면으로 세척수 및 현상액 등의 액체가 유입되는 것을 방지하게 된다.
상술한 바와 같이 본 고안은 2개 이상의 개수로 형성되는 링과 웨이퍼 뒷면에 인위적으로 공간을 형성하여 그 공간으로 가스를 불어 넣으므로써 도포 공정시 웨이퍼 뒷면으로 유입되어 웨이퍼 뒷면을 오염시키는 현상액 및 세척수를 효과적으로 막을 수 있어서, 웨이퍼 뒷면 오염 예방에 더 효과적이다.

Claims (5)

  1. 웨이퍼 뒷면을 세척하기 위한 세척수 분사수단을 가지고 웨이퍼를 회전시켜 웨이퍼 상면에 도포액을 도포하는 반도체 제조 장치의 회전 도포 장치에 있어서, 상기 웨이퍼 뒷면에 소정 간격을 두고 형성된 웨이퍼 뒷면 덮개부와, 상기 웨이퍼 뒷면 덮개부에 형성되되, 상기 웨이퍼 뒷면 모서리 부위와 대응되는 위치에 웨이퍼와 근접한 거리를 두고 형성되어 상기 웨이퍼 뒷면과 웨이퍼 뒷면 덮개부 사이에 일정한 공간을 형성하는 링과, 상기 웨이퍼와 웨이퍼 뒷면 덮개부 사이의 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급라인을 포함하여 이루어진 반도체 제조 장치의 회전 도포 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 도포액은 현상액이고, 웨이퍼에 도포된 현상을 세척하기 위해 웨이퍼 상면으로 세척수를 분사하는 웨이퍼 상면 세척수 분사수단이 형성된 것이 특징인 반도체 제조 장치의 회전 도포 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 링은 2개 이상 형성되는 것이 특징인 반도체 제조 장치의 회전 도포 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 가스 공급라인을 통해 공급되는 가스는 N2인 것이 특징인 반도체 제조 장치의 회전 도포 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼의 회전은 회전수단에 회전축이 연결되어 회전하는 안착부에 안착되어 회전하고, 상기 안착부와 상기 웨이퍼 뒷면 덮개부는 밀착 회전대우된 것이 특징인 반도체 웨이퍼 회전 도포 장치.
KR2019950027950U 1995-10-06 1995-10-06 반도체 제조 장치의 회전 도포 장치 KR0129712Y1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019950027950U KR0129712Y1 (ko) 1995-10-06 1995-10-06 반도체 제조 장치의 회전 도포 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019950027950U KR0129712Y1 (ko) 1995-10-06 1995-10-06 반도체 제조 장치의 회전 도포 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970019728U KR970019728U (ko) 1997-05-26
KR0129712Y1 true KR0129712Y1 (ko) 1999-02-01

Family

ID=19425413

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019950027950U KR0129712Y1 (ko) 1995-10-06 1995-10-06 반도체 제조 장치의 회전 도포 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0129712Y1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100862703B1 (ko) * 2007-01-31 2008-10-10 세메스 주식회사 지지부재 및 상기 지지부재를 구비하는 기판 처리 장치 및방법

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1708249A2 (en) * 2005-03-31 2006-10-04 Kaijo Corporation Cleaning device and cleaning method
KR100904816B1 (ko) * 2007-12-04 2009-06-25 주식회사 동부하이텍 웨이퍼 후면 식각 장비 및 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100862703B1 (ko) * 2007-01-31 2008-10-10 세메스 주식회사 지지부재 및 상기 지지부재를 구비하는 기판 처리 장치 및방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR970019728U (ko) 1997-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5887605A (en) Apparatus for cleaning semiconductor wafers
KR0175278B1 (ko) 웨이퍼 세정장치
KR100563843B1 (ko) 기판세정장치 및 기판세정방법
KR100466297B1 (ko) 반도체 제조 장치
JPH08124846A (ja) 処理方法及び処理装置
KR0129712Y1 (ko) 반도체 제조 장치의 회전 도포 장치
KR20090057797A (ko) 기판 세정 장치
JP2002143749A (ja) 回転塗布装置
KR100189778B1 (ko) 웨이퍼세정장치
KR200211252Y1 (ko) 반도체 웨이퍼 현상장치
KR100308207B1 (ko) 반도체현상설비의나이프에지링과이너컵및웨이퍼오염방지장치
KR100454637B1 (ko) 매엽식 반도체 웨이퍼용 약액 분사노즐
KR20080062221A (ko) 기판 처리 장치
JPH06291102A (ja) 基板の洗浄装置
KR100217326B1 (ko) 반도체 제조설비에서 스피너장치
KR20000066966A (ko) 반도체 웨이퍼의 세정장치
KR200148602Y1 (ko) 웨이퍼 코팅장비의 웨이퍼 후면 세척장치
JP2564065B2 (ja) 回転塗布方法およびその装置
KR0172269B1 (ko) 공정액 분사노즐 조립체
KR0140088Y1 (ko) 반도체 제조장비의 레지스트 현상장치
JPH10289857A (ja) 現像方法及び現像装置
KR20000020585U (ko) 반도체 코팅장비의 웨이퍼 세정장치
KR0110483Y1 (ko) 웨이퍼 현상장비의 웨이퍼이면 오염방지장치
JPH11274125A (ja) 洗浄処理装置
JP3191379B2 (ja) ウェハ乾燥装置と半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090727

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee