KR0129712Y1 - 반도체 제조 장치의 회전 도포 장치 - Google Patents
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Abstract
본 고안은 웨이퍼 뒷면으로 유입되는 오염액을 효과적으로 방지하기 위한 반도체 제조장치의 회전 도포 장치에 관한 것으로, 웨이퍼 뒷면에 소정 간격을 두고 형성된 웨이퍼 뒷면 덮개부와, 웨이퍼 뒷면 덮개부에 형성되되 웨이퍼 뒷면 모서리 부위와 대응되는 위치에 웨이퍼와 근접한 거리를 두고 형성되어 웨이퍼 뒷면과 웨이퍼 뒷면 덮개부 사이에 일정한 공간을 형성하는 링과, 웨이퍼와 웨이퍼 뒷면 덮개부 사이의 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급라인을 포함하여 이루어진다.
Description
제1도는 종래의 반도체 제조 장치의 회전 도포 장치를 도시한 도면.
제2도는 본 고안의 반도체 제조 장치의 회전 도포 장치를 도시한 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
21 : 웨이퍼 22 : 안착부
22 : 회전축 23 : 회전수단
24 : 도포액 분사수단 25 : 웨이퍼 상면 세척수 분사수단
26 : 링 27 : 웨이퍼 뒷면 덮개부
28 : 웨이퍼 뒷면 세척수 분사수단 29 : 가스 공급라인
본 고안은 반도체 제조 장치의 회전 도포 장치에 관한 것으로, 특히 웨이퍼 뒷면의 오염 방지에 적당하도록 한 반도체 제조 장치의 회전 도포 장치에 관한 것이다.
웨이퍼를 회전시켜 웨이퍼 상면에 도포액을 도포하는 방식은 포토레지스 도포와 현상액 도포 등에서 사용되고 있다.
제1도는 종래의 반도체 제조 장치의 호전 도포 장치 중 현상액 도포장치를 도시한 도면으로, 도면을 참조하여 종래의 장치를 간단히 설명하면,
웨이퍼(11)가 안착되고, 회전축(12')이 회전수단(13) 즉, 모터와 연결되어 안착된 웨이퍼 (11)를 회전시키는 안착부(12)가 있다. 도면부호(14)는 안착부(12)에 안착된 웨이퍼(11) 상면으로 현상액을 분사하는 현상액 분사 노즐을 나타내고, 도면부호(15)는 웨이퍼 상면 세척수 분사 노즐을 나타낸다.
도면부호(16)는 링을 나타낸 것으로 웨이퍼(11)와 근접한 간격을 갖으므로써 웨이퍼 뒷면으로 현상액이나 세척수 등과 같은 액체가 유입되는 것을 방지하는 역할을 하게 되며, 이러한 링(16)을 지지하기 위해 링 받침부(17)가 형성된다.
도면부호(18)는 웨이퍼 뒷면 세척수 분사 라인이며, 링 받침부(17)에 형성된 형태이다.
종래 장치의 동작은, 웨이퍼(11) 상의 포토레지스트 현상을 위해 안착부(12)에 웨이퍼(11)를 안착시킨 후, 회전시켜 현상액 분사 노즐(14)로 현상액을 분사하여 웨이퍼 상에 도포한다. 그리고 일정시간이 지난 후, 웨이퍼 상면 세척수 분사 노즐(15)과 웨이퍼 뒷면 세척수 분사 라인(18)을 통해 순수(DI)를 분사하므로써 웨이퍼(11)의 상면과 뒷면을 린스하여 준다. 링(16)은 웨이퍼(11)와 근접한 간격을 유지하므로써 웨이퍼 전면에 도포된 현상액이나 세척수가 웨이퍼 뒷면으로 유입될 시에 그 액체들과의 표면장력을 이용하여 유입을 방지하는 역할을 하게 된다.
그런데 종래의 장치는 단지 하나의 링(16)으로 액체의 웨이퍼 뒷면 유입을 방지하고 있으므로써 유입되려는 현상액 및 세척수 등의 액체를 효과적으로 막지 못하고 있으며, 따라서 웨이퍼 뒷면으로 분사되는 세척수의 위치 즉, 웨이퍼 뒷면 모서리 부근보다 안쪽으로 유입되는 경우가 발생하여 웨이퍼 뒷면을 오염을 효과적으로 방지하지 못하는 문제점이 있다.
이와 같은 종래 장치의 문제점을 해결하기 위해, 본 발명의 웨이퍼 뒷면을 세척하기 위한 세척수 분사수단을 가지고 웨이퍼를 회전시켜 웨이퍼 상면에 도포액을 도포하는 반도체 제조 장치의 회전 도포 장치는, 웨이퍼 뒷면에 소정 간격을 두고 형성된 웨이퍼 뒷면 덮개부와, 웨이퍼 뒷면 덮개부에 형성되되 웨이퍼 뒷면 모서리 부위와 대응되는 위치에 웨이퍼와 근접한 거리를 두고 형성되어 웨이퍼 뒷면과 웨이퍼 뒷면 덮개부 사이에 일정한 공간을 형상하는 링과, 웨이퍼와 웨이퍼 뒷면 덮개부 사이의 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급라인을 포함하여 이루어진다.
여기서 도포액은 현상액이고 웨이퍼에 도포된 현상액을 세척하기 위해 웨이퍼 상면으로 세척수를 분사하는 웨이퍼 상면 세척수 분사수단이 형성된 것이 특징이며, 링은 2개 이상 형성되고, 가스 공급라인을 통해 공급되는 가스는 N2 인 것이 특징이며, 웨이퍼의 회전은 회전수단에 회전축이 연결되어 회전하는 안착부에 안착되어 회전하고 안착부와 웨이퍼 뒷면 덮개부는 밀착 회전대우된 것이 특징이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 고안의 일실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
제2도는 본 고안에 따른 일실시예를 도시한 도면으로써 현상액 도포장치를 나타내고 있다.
도시한 바와 같이, 웨이퍼(21)가 안착되고 회전축(22')이 회전수단(23) 즉, 모터와 연결되어 안착된 웨이퍼(21)를 회전시키는 안착부(22)가 있다. 이 안착부(22)는 웨이퍼(21)를 흡착하는 방식을 택하고 있다. 도포액 분사수단(24)은 안착된 웨이퍼(21) 상면으로 현상액을 분사하도록 형성된다. 본 실시예와 같이 현상액 도포장치인 경우는 웨이퍼에 도포된 현상액을 세척하기 위해 웨이퍼 상면으로 세척수를 분사하는 웨이퍼 상면 세척수 분사수단(25)이 형성된다. 그러나 포토레지스트 도포장치인 경우는 상면 세척수 분사수단이 형성되지 않을 수 있다.
도면부호(26)는 링을 도시한 것으로써, 안착된 웨이퍼 뒷면 모서리 부위와 대응되는 위치에 웨이퍼(21)와 근접한 간격, 약 1mm 내지 2mm 정도를 갖으므로써 웨이퍼 뒷면을 타고 흐르는 현상액 및 세척수가 링(26)과 접하여 표면장력이 생김으로써 액체가 유입되는 것을 방지하는 역할을 하는 데, 2개 이상으로 형성하면 2개 이상의 부위에서 표면장력이 생김으로써 더 효과적으로 액체의 유입을 막을 수 있다. 이 링(26)이 부착 형성되고 안착부(22)의 회전축(22')과 밀착 회전대우되어 웨이퍼(21)와 사이에 일정 공간(도면에서 'A'로 표시)을 형성하는 웨이퍼 뒷면 덮개부가 도면부호(27)로 나타내져 있다. 이 웨이퍼 뒷면 덮개부(27)와 안착부의 회전축(22')과 밀착을 위해 그 사이에 밀봉부(도시안함)를 설치하여 실링을 하여도 된다.
안착된 웨이퍼 뒷면 모서리 부위로 세척수를 분사하도록 웨이퍼 뒷면 세척수 분사수단(28)이 형성된다. 이 분사수단(28)은 노즐을 형태로써 형성하면 된다. 또 본 고안에서는 웨이퍼(21)와 웨이퍼 뒷면 덮개부(27) 사이에 형성된 공간(A)으로 가스를 공급하여 공간의 압력을 상승시키는 가스 공급라인(29)이 형성되는데, 분사되는 가스로는 N2와 같은 퍼지 가스가 적당하며 그 공간의 압력을 상승시키므로써 웨이퍼 뒷면으로 유입되는 액체 오염물 즉, 현상액 같은 도포액 및 세척수 등의 유입을 효과적으로 막을 수 있게 된다. 이러한 웨이퍼 뒷면 세척수 분사수단(28)과 가스 공급라인(29)은 도면에 도시한 바와 같이 웨이퍼 뒷면 덮개부(27) 내에 형성하면 된다. 그러나 이런 방법 외에 링(26)쪽을 통과하여 웨이퍼(21)와 웨이퍼 뒷면 덮개부(27) 사이에 형성된 공간(A) 내부로 인입하여 형성하는 방법도 가능하다.
따라서 본 고안의 작동은, 웨이퍼 상의 포토레지스트 현상을 위해 안착부(22)에 웨이퍼(21)를 안착시킨 후, 회전시켜 도포액 분사수단(24)로 현상액을 분사하여 웨이퍼(21) 상에 도포한다. 그리고 일정시간이 지난 후, 웨이퍼 상면 세척수 분사 수단(25)과 웨이퍼 뒷면 세척수 분사 라인(28)을 통해 순수(DI)를 분사하므로써 웨이퍼의 상면과 뒷면을 린스하여 준다. 이중으로 형성된 링(26)은 웨이퍼(21)와 근버한 간격을 유지하므로써 웨이퍼 전면에 도포된 현상액이나 세척수가 웨이퍼 뒷면으로 유입될 시에 그 액체들과의 표면장력을 이용하여 유입을 방지하는 역할을 하게 된다. 그리고 질소를 웨이퍼와 웨이퍼 뒷면 덮개부 사이에 형성된 공간(A)으로 불어 넣으므로서 그 공간의 압력이 상승되고 또한 질소 가스가 웨이퍼(21)와 링(26)사이의 간격으로 배출되므로서 웨이퍼 뒷면으로 세척수 및 현상액 등의 액체가 유입되는 것을 방지하게 된다.
상술한 바와 같이 본 고안은 2개 이상의 개수로 형성되는 링과 웨이퍼 뒷면에 인위적으로 공간을 형성하여 그 공간으로 가스를 불어 넣으므로써 도포 공정시 웨이퍼 뒷면으로 유입되어 웨이퍼 뒷면을 오염시키는 현상액 및 세척수를 효과적으로 막을 수 있어서, 웨이퍼 뒷면 오염 예방에 더 효과적이다.
Claims (5)
- 웨이퍼 뒷면을 세척하기 위한 세척수 분사수단을 가지고 웨이퍼를 회전시켜 웨이퍼 상면에 도포액을 도포하는 반도체 제조 장치의 회전 도포 장치에 있어서, 상기 웨이퍼 뒷면에 소정 간격을 두고 형성된 웨이퍼 뒷면 덮개부와, 상기 웨이퍼 뒷면 덮개부에 형성되되, 상기 웨이퍼 뒷면 모서리 부위와 대응되는 위치에 웨이퍼와 근접한 거리를 두고 형성되어 상기 웨이퍼 뒷면과 웨이퍼 뒷면 덮개부 사이에 일정한 공간을 형성하는 링과, 상기 웨이퍼와 웨이퍼 뒷면 덮개부 사이의 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급라인을 포함하여 이루어진 반도체 제조 장치의 회전 도포 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 도포액은 현상액이고, 웨이퍼에 도포된 현상을 세척하기 위해 웨이퍼 상면으로 세척수를 분사하는 웨이퍼 상면 세척수 분사수단이 형성된 것이 특징인 반도체 제조 장치의 회전 도포 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 링은 2개 이상 형성되는 것이 특징인 반도체 제조 장치의 회전 도포 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 가스 공급라인을 통해 공급되는 가스는 N2인 것이 특징인 반도체 제조 장치의 회전 도포 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼의 회전은 회전수단에 회전축이 연결되어 회전하는 안착부에 안착되어 회전하고, 상기 안착부와 상기 웨이퍼 뒷면 덮개부는 밀착 회전대우된 것이 특징인 반도체 웨이퍼 회전 도포 장치.
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