JPWO2022138355A5

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Publication number: JPWO2022138355A5
Application number: JP2022572212A
Authority: JP
Filing date: 2021-12-15
Publication date: 2023-08-22

Description

本発明の一形態に係る多層基板は、
複数の絶縁体層が上下方向に積層された構造を有している積層体と、
前記絶縁体層の上主面又は下主面に設けられており、かつ、第１信号が伝送される第１導体層と、
前記第１導体層が設けられている前記絶縁体層の前記上主面又は前記下主面と同じ前記絶縁体層の同一主面に設けられており、かつ、前記第１信号より高い周波数を有する第２信号が伝送される第２導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記上下方向に見て、前記第２導体層と重なるように、前記第１導体層及び前記第２導体層より上に設けられている、グランド導体層である上導体層と、
を備えており、
前記第２導体層の前記上下方向の厚みは、前記第１導体層の前記上下方向の厚みより小さく、
前記上導体層と前記第１導体層との間隔より、前記上導体層と前記第２導体層との間隔の方が大きい。

本発明の一形態に係る多層基板の製造方法は、
複数の絶縁体層が上下方向に積層された構造を有している積層体と、
前記絶縁体層の上主面又は下主面に設けられており、かつ、第１信号が伝送される第１導体層と、
前記第１導体層が設けられている前記絶縁体層の前記上主面又は前記下主面と同じ前記絶縁体層の同一主面に設けられており、かつ、前記第１信号より高い周波数を有する第２信号が伝送される第２導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記上下方向に見て、前記第２導体層と重なるように、前記第１導体層及び前記第２導体層より上に設けられている、グランド導体層である上導体層と、
を備えており、
前記第２導体層の前記上下方向の厚みは、前記第１導体層の前記上下方向の厚みより小さく、
前記上導体層と前記第１導体層との間隔より、前記上導体層と前記第２導体層との間隔の方が大きく、
前記複数の絶縁体層は、第１絶縁体層及び第２絶縁体層を含んでおり、
前記第１絶縁体層及び前記第２絶縁体層は、前記上導体層より下、かつ、前記第１導体層及び前記第２導体層より上において、互いに隣接するように上から下へとこの順に並ぶように積層されており、
前記複数の絶縁体層は、第３絶縁体層を更に含んでおり、
前記第１導体層及び前記第２導体層は、前記第３絶縁体層に設けられており、
前記第３絶縁体層の材料は、前記第１絶縁体層の材料と同じであり、
前記第２絶縁体層は、前記第１絶縁体層と前記第３絶縁体層とを接合する接着層である、多層基板の製造方法であり、
前記複数の絶縁体層の材料は熱可塑性樹脂を含んでいて、
前記上下方向の厚みの異なる前記第１導体層及び前記第２導体層が前記上主面又は前記下主面のいずれか一方に設けられた前記第３絶縁体層を準備する準備工程と、
前記第３絶縁体層を含む前記複数の絶縁体層を前記上下方向に積層した後に、前記複数の絶縁体層に加熱処理及び加圧処理を施す圧着工程と、
を備える。
また、本発明の一形態に係る多層基板の製造方法は、
複数の絶縁体層が上下方向に積層された構造を有している積層体と、
前記絶縁体層の上主面又は下主面に設けられており、かつ、第１信号が伝送される第１導体層と、
前記第１導体層が設けられている前記絶縁体層の前記上主面又は前記下主面と同じ前記絶縁体層の同一主面に設けられており、かつ、前記第１信号より高い周波数を有する第２信号が伝送される第２導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記上下方向に見て、前記第２導体層と重なるように、前記第１導体層及び前記第２導体層より上に設けられている、グランド導体層である上導体層と、
を備えており、
前記第２導体層の前記上下方向の厚みは、前記第１導体層の前記上下方向の厚みより小さく、
前記上導体層と前記第１導体層との間隔より、前記上導体層と前記第２導体層との間隔の方が大きく、
前記複数の絶縁体層は、第１絶縁体層及び第２絶縁体層を含んでおり、
前記第１絶縁体層及び前記第２絶縁体層は、前記上導体層より下、かつ、前記第１導体層及び前記第２導体層より上において、互いに隣接するように上から下へとこの順に並ぶように積層されており、
前記複数の絶縁体層は、第３絶縁体層を更に含んでおり、
前記第１導体層及び前記第２導体層は、前記第３絶縁体層に設けられており、
前記第３絶縁体層の材料は、前記第１絶縁体層の材料と同じであり、
前記第２絶縁体層は、前記第１絶縁体層と前記第３絶縁体層とを接合する接着層である、多層基板の製造方法であり、
前記上下方向の厚みの異なる前記第１導体層及び前記第２導体層が前記上主面又は前記下主面のいずれか一方に設けられた前記第３絶縁体層を準備する準備工程と、
前記第１絶縁体層、導体層が設けられていない接着層である前記第２絶縁体層、及び、前記第３絶縁体層を上から下へとこの順に並べて積層した後に、前記第１絶縁体層、前記第２絶縁体層及び前記第３絶縁体層に加熱処理及び加圧処理を施す圧着工程と、
を備える。

図１は、多層基板１０の分解斜視図である。図２は、図１のＡ－Ａにおける多層基板１０の断面図である。図３は、多層基板１０を備える電子機器１の左面図である。図４は、多層基板１０の製造時における断面図である。図５は、多層基板１０の製造時における断面図である。図６は、多層基板１０の製造時における断面図である。図７は、多層基板１０の製造時における断面図である。図８は、多層基板１０の製造時における断面図である。図９は、多層基板１０ａの断面図である。図１０は、多層基板１０ｂの断面図である。図１１は、多層基板１０ｃの断面図である。図１２は、多層基板１０ｃの製造時における断面図である。図１３は、多層基板１０ｃの製造時における断面図である。図１４は、多層基板１０ｄの断面図である。図１５は、多層基板１０ｅの断面図である。

（実施形態）
［多層基板１０の構造］
以下に、本発明の実施形態に係る多層基板１０の構造について図面を参照しながら説明する。図１は、多層基板１０の分解斜視図である。なお、図１では、複数の層間接続導体の内の代表的な層間接続導体ｖ３～ｖ６にのみ参照符号を付した。図２は、図１のＡ－Ａにおける多層基板１０の断面図である。

第１導体層２２ａは、積層体１２（本体）に設けられている。第１導体層２２ａは、複数の絶縁体層の内の絶縁体層１６ｂに設けられている。第１導体層２２ａは、絶縁体層１６ｂの上主面又は下主面に設けられている。本実施形態では、第１導体層２２ａは、絶縁体層１６ｂの上主面に設けられている。第１導体層２２ａは、線形状を有している。第１導体層２２ａは、前後方向に延びている。第１導体層２２ａには、第１信号が伝送される。第１信号は、例えば、０ＭＨｚ～数十ＭＨｚの周波数を有する信号である。第１信号は、例えば、電源として機能する直流信号である。また、第１信号は、例えば、１３．５６ＭＨｚの周波数を有する高周波信号である。

ここで、図２に示すように、第２導体層２２ｂの上下方向の厚みＴｂは、第１導体層２２ａの上下方向の厚みＴａより小さい。厚みＴａは、例えば、１７μｍ以上３５μｍ以下である。厚みＴｂは、例えば、６μｍ以上１２μｍ以下である。また、第２導体層２２ｂの上下方向の厚みＴｂは、上導体層２４の上下方向の厚みＴｃ及び下導体層２６の上下方向の厚みＴｄと略等しい。すなわち、第１導体層２２ａの上下方向の厚みＴａは、上導体層２４の上下方向の厚みＴｃ及び下導体層２６の上下方向の厚みＴｄより大きい。第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂが以上の構造を有することにより、第１導体層２２ａと上導体層２４との上下方向における距離Ｄａは、第２導体層２２ｂと上導体層２４との上下方向における距離Ｄｂより小さい。

層間接続導体ｖ５は、信号端子２８ｃと第２導体層２２ｂとを電気的に接続している。具体的には、層間接続導体ｖ５は、絶縁体層１６ａを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ５の上端は、信号端子２８ｃに接続されている。層間接続導体ｖ５の下端は、第２導体層２２ｂの前端部に接続されている。これにより、信号端子２８ｃは、第２導体層２２ｂと電気的に接続されている。第２信号は、信号端子２８ｃを介して、第２導体層２２ｂに入出力する。

なお、信号端子２８ｂ，２８ｄ及び層間接続導体ｖ４，ｖ６は、信号端子２８ａ，２８ｃ及び層間接続導体ｖ３，ｖ５と前後対称な構造を有する。従って、信号端子２８ｂ，２８ｄ及び層間接続導体ｖ４，ｖ６の説明を省略する。

次に、図１に示すように、層間接続導体ｖ１～ｖ６を形成する。層間接続導体ｖ１～ｖ６は、絶縁体層１６ａ～１６ｃに貫通孔を形成し、貫通孔にメッキ処理を施すことにより作製される。

最後に、絶縁体層１６ａの上主面及び絶縁体層１６ｃの下主面のそれぞれに保護層２０ａ及び２０ｂを印刷により形成する。以上の工程を経て、多層基板１０が完成する。

しかしながら、多層基板１０では、第２導体層２２ｂには、第１信号より高い周波数を有する第２信号が伝送される。このような第２導体層２２ｂでは、第２導体層２２ｂの伝送損失を低減するために、第２導体層２２ｂに生じる特性インピーダンスを所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）に近づける必要がある。そのため、第２導体層２２ｂに生じる特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスに近づくように、第２導体層２２ｂの左右方向の線幅及び第２導体層２２ｂと上導体層２４との上下方向における距離Ｄｂが設計される。ここで、前記のように第１導体層２２ａの上下方向の厚みＴａ及び第２導体層２２ｂの上下方向の厚みＴｂを大きくすると、第２導体層２２ｂと上導体層２４との上下方向における距離Ｄｂが設計値より小さくなってしまう。その結果、第２導体層２２ｂと上導体層２４との間に発生する容量値が設計値より大きくなり、第２導体層２２ｂに生じる特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスから変動する。よって、第２導体層２２ｂに生じる伝送損失を低減することが難しい。

次に、第１導体層２２ｂ（導体箔の一部）にエッチング処理を施すことにより、第２導体層２２ｂの上下方向の厚みＴｂを第１導体層２２ａの上下方向の厚みＴａより小さくする（エッチング工程）。より詳細には、第１導体層２２ａにマスク（図示せず）を形成する。そして、第２導体層２２ｂにのみエッチング処理を施す。なお、第１変形例に係る多層基板１０の製造方法のその他の工程は、実施形態に係る多層基板１０の製造方法と同じであるので説明を省略する。第１変形例に係る多層基板１０の製造方法によっても、多層基板１０を得ることができる。

また、多層基板１０ａにおいても、第１導体層２２ａと上導体層２４との上下方向における距離Ｄａは、第２導体層２２ｂと上導体層２４との上下方向における距離Ｄｂより小さい。

積層体１２は、絶縁体層１６ａ（第１絶縁体層）、絶縁体層１６ｂ（第３絶縁体層）及び絶縁体層１８（第２絶縁体層）を含んでいる。絶縁体層１６ａ（第１絶縁体層）及び絶縁体層１８（第２絶縁体層）は、上導体層２４より下、かつ、第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂより上において、互いに隣接するように上から下へとこの順に並ぶように積層されている。絶縁体層１６ｂは、絶縁体層１８の下に設けられている。絶縁体層１６ａと絶縁体層１８との境界は、上導体層２４の下主面と第１導体層２２ａの下主面及び第２導体層２２ｂの下主面との中間に位置する。絶縁体層１６ｂ（第３絶縁体層）の材料は、絶縁体層１６ａ（第１絶縁体層）の材料と同じである。「絶縁体層１６ｂの材料が絶縁体層１６ａの材料と同じである。」とは、製造ばらつきによる誤差を許容する意味である。絶縁体層１８の材料は、絶縁体層１６ａ，１６ｂの材料と異なる。絶縁体層１８（第２絶縁体層）は、絶縁体層１６ａ（第１絶縁体層）と絶縁体層１６ｂ（第３絶縁体層）とを接合する接着層である。また、絶縁体層１８（第２絶縁体層）の誘電率は、絶縁体層１６ａ（第１絶縁体層）の誘電率より低い。更に、絶縁体層１８（第２絶縁体層）の誘電正接は、絶縁体層１６ａ（第１絶縁体層）の誘電正接より低い。これらの条件を満足する絶縁体層１８の材料は、例えば、フッ素系樹脂である。ただし、絶縁体層１８の材料は、エポキシ樹脂や、アクリル樹脂等であってもよい。

第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂは、絶縁体層１６ｂ（第３絶縁体層）に設けられている。本変形例では、第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂは、絶縁体層１６ｂ（第３絶縁体層）の上主面に設けられている。上導体層２４は、絶縁体層１６ａ（第１絶縁体層）に設けられている。本変形例では、上導体層２４は、絶縁体層１６ａ（第１絶縁体層）の上主面に設けられている。下導体層２６は、絶縁体層１６ｂ（第３絶縁体層）の下主面に設けられている。多層基板１０ｃのその他の構造は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。

まず、上下方向の厚みの異なる第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂが上主面又は下主面のいずれか一方に設けられた絶縁体層１６ｂ（第３絶縁体層）を準備する（準備工程）。本変形例では、上下方向の厚みの異なる第１導体層２２ａ及び第２導体層２２ｂが上主面に設けられた絶縁体層１６ｂ（第３絶縁体層）を準備する。より詳細には、図１２に示すように、絶縁体層１６ｂに導体箔を形成する（導体箔準備工程）。本変形例では、絶縁体層１６ｂの上主面及び下主面のそれぞれに銅箔１２２，１２６を張り付ける。

次に、絶縁体層１６ａ（第１絶縁体層）、導体層が設けられていない接着層である絶縁体層１８（第２絶縁体層）、及び、絶縁体層１６ｂ（第３絶縁体層）を上から下へとこの順に並べて積層する。具体的には、絶縁体層１６ｂの上主面に接着層である絶縁体層１８を形成する（接着層形成工程）。接着層形成工程では、例えば、液体状の樹脂を絶縁体層１６ｂの上主面に塗布する。更に、絶縁体層１８の上に絶縁体層１６ａを配置する（配置工程）。その後、絶縁体層１６ａ（第１絶縁体層）、絶縁体層１６ｂ（第３絶縁体層）及び絶縁体層１８（接着層）に加熱処理及び加圧処理を施す（圧着工程）。これにより、絶縁体層１８が接着層と機能して、絶縁体層１６ａと絶縁体層１６ｂとが接合される。なお、絶縁体層１６ａの上に更に絶縁体層を積層する場合には、接着層形成工程、配置工程及び圧着工程を繰り返す。

次に、図１１に示すように、層間接続導体ｖ１～ｖ６を形成する。層間接続導体ｖ１～ｖ６は、絶縁体層１６ａ，１８，１６ｂｃに貫通孔を形成し、貫通孔にメッキ処理を施すことにより作製される。

なお、実施形態に係る多層基板１０の製造方法及び第５変形例に係る多層基板１０ｃの製造方法において、メッキ工程の後にパターニング工程を行ってもよい。

Claims

複数の絶縁体層が上下方向に積層された構造を有している積層体と、
前記絶縁体層の上主面又は下主面に設けられており、かつ、第１信号が伝送される第１導体層と、
前記第１導体層が設けられている前記絶縁体層の前記上主面又は前記下主面と同じ前記絶縁体層の同一主面に設けられており、かつ、前記第１信号より高い周波数を有する第２信号が伝送される第２導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記上下方向に見て、前記第２導体層と重なるように、前記第１導体層及び前記第２導体層より上に設けられている、グランド導体層である上導体層と、
を備えており、
前記第２導体層の前記上下方向の厚みは、前記第１導体層の前記上下方向の厚みより小さく、
前記上導体層と前記第１導体層との間隔より、前記上導体層と前記第２導体層との間隔の方が大きい、
多層基板。
前記複数の絶縁体層の一部である絶縁体層は前記第１導体層及び前記第２導体層より下方向にもあり、
前記第１導体層及び前記第２導体層より下方向に、グランド導体層である下導体層が設けられており、
前記上下方向から見て、前記第２導体層は前記上導体層及び前記下導体層と重なる、
請求項１に記載の多層基板。
前記複数の絶縁体層の一部である絶縁体層は前記第１導体層及び前記第２導体層より下方向にもあり、
前記第１導体層及び前記第２導体層は、前記複数の絶縁体層のうち２つの絶縁体層に共に接する、
請求項１又は請求項２に記載の多層基板。
前記積層体に設けられており、かつ、前記上下方向に見て、前記第２導体層と重なるように、前記第１導体層及び前記第２導体層より下に設けられている下導体層を、
更に備えている、
請求項１に記載の多層基板。
前記複数の絶縁体層は、第１絶縁体層及び第２絶縁体層を含んでおり、
前記第１絶縁体層及び前記第２絶縁体層は、前記上導体層より下、かつ、前記第１導体層及び前記第２導体層より上において、互いに隣接するように上から下へとこの順に並ぶように積層されており、
前記第２絶縁体層の誘電率は、前記第１絶縁体層の誘電率より低い、
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の多層基板。
前記複数の絶縁体層は、第１絶縁体層及び第２絶縁体層を含んでおり、
前記第１絶縁体層及び前記第２絶縁体層は、前記上導体層より下、かつ、前記第１導体層及び前記第２導体層より上において、互いに隣接するように上から下へとこの順に並ぶように積層されており、
前記第２絶縁体層の誘電正接は、前記第１絶縁体層の誘電正接より低い、
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の多層基板。
前記複数の絶縁体層は、第３絶縁体層を更に含んでおり、
前記第１導体層及び前記第２導体層は、前記第３絶縁体層に設けられており、
前記第３絶縁体層の材料は、前記第１絶縁体層の材料と同じであり、
前記第２絶縁体層は、前記第１絶縁体層と前記第３絶縁体層とを接合する接着層である、
請求項５又は請求項６のいずれかに記載の多層基板。
前記上導体層は、前記第１絶縁体層に設けられている、
請求項７に記載の多層基板。
前記第１導体層と前記第２導体層との間に設けられているグランド導体層を、
更に備えている、
請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の多層基板。
前記第１信号は、電源として機能する直流信号である、
請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の多層基板。
前記第２導体層と前記上導体層との前記上下方向における距離は、前記第１導体層と前記上導体層との前記上下方向における距離より大きい、
請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載の多層基板。
前記上導体層は、前記上下方向に見て、前記第１導体層と重なっている、
請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載の多層基板。
前記上導体層は、グランド導体層である、
請求項１ないし請求項１２のいずれかに記載の多層基板。
絶縁材料を材料とする本体と、
前記本体に設けられており、かつ、第１信号が伝送される第１導体層と、
前記本体に設けられており、前記第１信号より高い周波数を有する第２信号が伝送される第２導体層と、
前記本体に設けられており、かつ、上下方向に見て、前記第２導体層と重なるように、前記第１導体層及び前記第２導体層より上に設けられている上導体層と、
を備えており、
前記第１信号が伝送される伝送方向に直交する直交方向に見て、前記第２導体層は、前記第１導体層に重なっており、
前記第２導体層の前記上下方向の厚みは、前記第１導体層の前記上下方向の厚みより小さい、
多層基板。
複数の絶縁体層が上下方向に積層された構造を有している積層体と、
前記絶縁体層の上主面又は下主面に設けられており、かつ、第１信号が伝送される第１導体層と、
前記第１導体層が設けられている前記絶縁体層の前記上主面又は前記下主面と同じ前記絶縁体層の同一主面に設けられており、かつ、前記第１信号より高い周波数を有する第２信号が伝送される第２導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記上下方向に見て、前記第２導体層と重なるように、前記第１導体層及び前記第２導体層より上に設けられている、グランド導体層である上導体層と、
を備えており、
前記第２導体層の前記上下方向の厚みは、前記第１導体層の前記上下方向の厚みより小さく、
前記上導体層と前記第１導体層との間隔より、前記上導体層と前記第２導体層との間隔の方が大きく、
前記複数の絶縁体層は、第１絶縁体層及び第２絶縁体層を含んでおり、
前記第１絶縁体層及び前記第２絶縁体層は、前記上導体層より下、かつ、前記第１導体層及び前記第２導体層より上において、互いに隣接するように上から下へとこの順に並ぶように積層されており、
前記複数の絶縁体層は、第３絶縁体層を更に含んでおり、
前記第１導体層及び前記第２導体層は、前記第３絶縁体層に設けられており、
前記第３絶縁体層の材料は、前記第１絶縁体層の材料と同じであり、
前記第２絶縁体層は、前記第１絶縁体層と前記第３絶縁体層とを接合する接着層である、多層基板の製造方法であり、
前記複数の絶縁体層の材料は熱可塑性樹脂を含んでいて、
前記上下方向の厚みの異なる前記第１導体層及び前記第２導体層が前記上主面又は前記下主面のいずれか一方に設けられた前記第３絶縁体層を準備する準備工程と、
前記第３絶縁体層を含む前記複数の絶縁体層を前記上下方向に積層した後に、前記複数の絶縁体層に加熱処理及び加圧処理を施す圧着工程と、
を備える、
多層基板の製造方法。
複数の絶縁体層が上下方向に積層された構造を有している積層体と、
前記絶縁体層の上主面又は下主面に設けられており、かつ、第１信号が伝送される第１導体層と、
前記第１導体層が設けられている前記絶縁体層の前記上主面又は前記下主面と同じ前記絶縁体層の同一主面に設けられており、かつ、前記第１信号より高い周波数を有する第２信号が伝送される第２導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記上下方向に見て、前記第２導体層と重なるように、前記第１導体層及び前記第２導体層より上に設けられている、グランド導体層である上導体層と、
を備えており、
前記第２導体層の前記上下方向の厚みは、前記第１導体層の前記上下方向の厚みより小さく、
前記上導体層と前記第１導体層との間隔より、前記上導体層と前記第２導体層との間隔の方が大きく、
前記複数の絶縁体層は、第１絶縁体層及び第２絶縁体層を含んでおり、
前記第１絶縁体層及び前記第２絶縁体層は、前記上導体層より下、かつ、前記第１導体層及び前記第２導体層より上において、互いに隣接するように上から下へとこの順に並ぶように積層されており、
前記複数の絶縁体層は、第３絶縁体層を更に含んでおり、
前記第１導体層及び前記第２導体層は、前記第３絶縁体層に設けられており、
前記第３絶縁体層の材料は、前記第１絶縁体層の材料と同じであり、
前記第２絶縁体層は、前記第１絶縁体層と前記第３絶縁体層とを接合する接着層である、多層基板の製造方法であり、
前記上下方向の厚みの異なる前記第１導体層及び前記第２導体層が前記上主面又は前記下主面のいずれか一方に設けられた前記第３絶縁体層を準備する準備工程と、
前記第１絶縁体層、導体層が設けられていない接着層である前記第２絶縁体層、及び、前記第３絶縁体層を上から下へとこの順に並べて積層した後に、前記第１絶縁体層、前記第２絶縁体層及び前記第３絶縁体層に加熱処理及び加圧処理を施す圧着工程と、
を備えている、
多層基板の製造方法。
前記準備工程は、
導体箔を前記第３絶縁体層に形成する導体箔形成工程と、
前記導体箔の一部にメッキ処理を施すことにより、前記第１導体層の前記上下方向の厚みを前記第２導体層の前記上下方向の厚みより大きくするメッキ工程と、
を含んでいる、
請求項１５又は請求項１６に記載の多層基板の製造方法。
前記準備工程は、
導体箔を前記第３絶縁体層に形成する導体箔形成工程と、
前記導体箔の一部にエッチング処理を施すことにより、前記第２導体層の上下方向の厚みを前記第１導体層の上下方向の厚みより小さくするエッチング工程と、
を含んでいる、
請求項１５又は請求項１６に記載の多層基板の製造方法。
前記準備工程では、前記上下方向の厚みの異なる前記第１導体層及び前記第２導体層を前記第３絶縁体層の前記上主面又は前記下主面のいずれかに貼り付ける、
請求項１５又は請求項１６のいずれかに記載の多層基板の製造方法。
前記多層基板は、
前記積層体に設けられており、かつ、前記上下方向に見て、前記第２導体層と重なるように、前記第１導体層及び前記第２導体層より上に設けられている前記上導体層と、
を備えており、
前記第２導体層の前記上下方向の厚みは、前記第１導体層の前記上下方向の厚みより小さい、
請求項１５ないし請求項１９のいずれかに記載の多層基板の製造方法。