JPWO2021050176A5 - - Google Patents
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開示の範囲から逸脱することなく、前記の構成および方法において様々な変更をなすことができるので、前記明細書に含まれたおよび添付図面に示されたすべての事項は、例示として解釈され、限定する意味に解釈されるべきではないことが意図される。
なお、上述した本発明は、次の態様を包含していることを確認的に述べておく。
第１態様： 連続チョクラルスキー法による単結晶シリコンインゴットの製造方法であって、
多結晶シリコンの初期投入量をルツボに加えること、前記初期投入量は、さらに窒素源を含む；
前記多結晶シリコンおよび窒素源の初期投入量を含むルツボを加熱して、シリコン融液をルツボにて形成させること、ここでは、前記シリコン融液は、溶融シリコンの初期ボリュームを含み、かつ初期の融液高さレベルを有する；
シリコン種結晶をシリコン融液と接触させること；
前記シリコン種結晶を引いて、ネック部を成長させること、前記シリコン種結晶は前記ネック部の成長中にネック部引上速度にて引かれ、さらに、前記ネック部は、少なくとも約１×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ のネック部窒素濃度を有する；
前記シリコン種結晶を引いて、前記ネック部に隣接する外側に広がる種コーンを成長させること、前記シリコン種結晶は前記外側に広がる種コーンの成長中に種コーン引上速度にて引かれ、さらに、前記外側に広がる種コーンは、少なくとも約１×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ の外側に広がる種コーン窒素濃度を有する；および
前記シリコン種結晶を引いて、外側に広がる種コーンに隣接する前記単結晶シリコンインゴットの本体を成長させること、前記シリコン融液は、前記単結晶シリコンインゴットの本体の成長中に、あるボリュームの溶融シリコンおよび融液高さレベルを含み、さらに、前記単結晶シリコンの本体は、少なくとも約１×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ の本体窒素濃度を有する、を含み、
前記単結晶シリコンインゴットの本体は、初期の可変的な本体引上速度および一定の本体引上速度にて成長させ、前記単結晶シリコンインゴットの本体は、前記単結晶シリコンインゴットの本体長の約２０％未満について、初期の可変的な本体引上速度で成長され、かつ、前記単結晶シリコンインゴットの本体長の少なくとも約３０％の成長について、一定の本体引上速度で成長される；および
さらに、多結晶をルツボへと連続的に供給または定期的に供給し、それにより、前記単結晶シリコンインゴットの本体の成長中に、ルツボにおいて溶融シリコンのボリュームを補充し、それにより、融液高さレベルを維持し、窒素源をルツボへと連続的に供給または定期的に供給し、それにより、窒素量を補充する、前記製造方法。
第２態様： 前記窒素源が窒素の固体源である、上記第１態様に記載の製造方法。
第３態様： 前記窒素源が窒化ケイ素粉末である、上記第１態様に記載の製造方法。
第４態様： 前記窒素源が、その表面上でシリコン窒化膜を有するシリコンウェーハであり、前記シリコンウェーハは所望により砕かれる、上記第１態様に記載の製造方法。
第５態様： 前記窒素源が酸窒化ケイ素ガラスである、上記第１態様に記載の製造方法。
第６態様： 前記窒素源が窒素ガスである、上記第１態様に記載の製造方法。
第７態様： 前記ネック部窒素濃度が、約１×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ ～約１×１０ １５ 原子／ｃｍ ３ 、または約１×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ ～約１．５×１０ １４ 原子／ｃｍ ３ 、または約５×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ ～約１×１０ １４ 原子／ｃｍ ３ である、上記第１態様に記載の製造方法。
第８態様： 前記外側に広がる種コーン窒素濃度が、約１×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ ～約１×１０ １５ 原子／ｃｍ ３ 、または約１×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ ～約１．５×１０ １４ 原子／ｃｍ ３ 、または約５×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ ～約１×１０ １４ 原子／ｃｍ ３ である、上記第１態様に記載の製造方法。
第９態様： 前記窒素源が、単結晶シリコンインゴットの本体の５０ｍｍの軸長当たり、約１ミリグラムの窒素～約１００ミリグラムの窒素、単結晶シリコンインゴットの本体の５０ｍｍの軸長当たり、約１ミリグラムの窒素～約２５ミリグラムの窒素、または単結晶シリコンインゴットの本体の５０ｍｍの軸長当たり、約２ミリグラムの窒素～約１５ミリグラムの窒素の量で、ルツボに連続的に供給されるかまたは定期的に供給される、上記第１態様に記載の製造方法。
第１０態様： 窒化ケイ素は、単結晶シリコンインゴットの本体の５０ｍｍの軸長当たり、約２．５ミリグラムの窒化ケイ素～２５０ミリグラムの窒化ケイ素、または単結晶シリコンインゴットの本体の５０ｍｍの軸長当たり、約５ミリグラムの窒化ケイ素～１００ミリグラムの窒化ケイ素、または単結晶シリコンインゴットの本体の５０ｍｍの軸長当たり、約１０ミリグラムの窒化ケイ素～５０ミリグラムの窒化ケイ素の量で単結晶シリコンインゴットの本体の成長中にルツボに連続的に供給されるかまたは定期的に供給される、上記第１態様に記載の製造方法。
第１１態様： 前記本体窒素濃度が、約１×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ ～約１×１０ １５ 原子／ｃｍ ３ 、または約１×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ ～約１．５×１０ １４ 原子／ｃｍ ３ 、または約５×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ ～約１×１０ １４ 原子／ｃｍ ３ である、上記第１態様に記載の製造方法。
第１２態様： 前記本体窒素濃度が、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも４０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも５０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたり、約５×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ ～約１×１０ １４ 原子／ｃｍ ３ である、上記第１態様に記載の製造方法。
第１３態様： 前記本体窒素濃度が、約１×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ ～約１．５×１０ １４ 原子／ｃｍ ３ 、または約５×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ ～約１×１０ １４ 原子／ｃｍ ３ であり、さらに、本体窒素濃度が、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも４０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも５０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたり、平均本体窒素濃度を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する、上記第１態様に記載の製造方法。
第１４態様： 前記本体窒素濃度が、約５×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ ～約１×１０ １４ 原子／ｃｍ ３ であり、さらに、本体窒素濃度が、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも４０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも５０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたり、平均本体窒素濃度を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する、上記第１態様に記載の製造方法。
第１５態様： 磁界が、前記単結晶シリコンインゴットの本体の成長中に前記シリコン融液に印加される、上記第１態様に記載の製造方法。
第１６態様： 水平磁界が、前記単結晶シリコンインゴットの本体の成長中に前記シリコン融液に印加される、上記第１５態様に記載の製造方法。
第１７態様： 先端磁界が、前記単結晶シリコンインゴットの本体の成長中に前記シリコン融液に印加される、上記第１５態様に記載の製造方法。
第１８態様： 印加された前記磁界が、前記単結晶シリコンインゴットの本体の成長の少なくとも約７０％の間、実質的に一定の融液／固体界面プロファイルを維持する、上記第１５態様に記載の製造方法。
第１９態様： 印加された前記磁界が、前記単結晶シリコンインゴットの本体の成長の約７０％～約９０％の間、実質的に一定の融液／固体界面プロファイルを維持する、上記第１５態様に記載の製造方法。
第２０態様： 前記単結晶シリコンインゴットの本体が、少なくとも１４００ミリメートル長のような、少なくとも１５００ミリメートル長のような少なくとも約１０００ミリメートル長、または少なくとも２０００ミリメートル長、または２２００ミリメートルのような少なくとも２２００ミリメートル長、または少なくとも約３０００ミリメートル長、または少なくとも約４０００ミリメートル長である、上記第１態様に記載の製造方法。
第２１態様： 前記単結晶シリコンインゴットの本体が、少なくとも約２００ミリメートルのような少なくとも約１５０ミリメートル、少なくとも約３００ミリメートル、または少なくとも約４５０ミリメートルの直径を有する、上記第１態様に記載の製造方法
第２２態様： 前記一定の本体引上速度が、約０．４ｍｍ／分～約０．８ｍｍ／分、約０．４ｍｍ／分～約０．７ｍｍ／分、または約０．４ｍｍ／分～約０．６５ｍｍ／分である、上記第１態様に記載の製造方法。
第２３態様： 前記単結晶シリコンインゴットの本体が、前記単結晶シリコンインゴットの本体長の約５％～約２０％について、初期の可変的な本体引上速度で成長される、上記第１態様に記載の製造方法。
第２４態様： 前記単結晶シリコンインゴットの本体が、前記単結晶シリコンインゴットの本体長の少なくとも約５０％の成長中に一定の本体引上速度で成長される、上記第１態様に記載の製造方法。
第２５態様： 前記単結晶シリコンインゴットの本体が、前記単結晶シリコンインゴットの本体長の少なくとも約７０％の成長中に一定の本体引上速度で成長される、上記第１態様に記載の製造方法。
第２６態様： 前記単結晶シリコンインゴットの本体が、前記単結晶シリコンインゴットの本体長の少なくとも約８０％の成長中に一定の本体引上速度で成長される、上記第１態様に記載の製造方法。
第２７態様： 前記単結晶シリコンインゴットの本体が、前記単結晶シリコンインゴットの本体長の少なくとも約９０％の成長中に一定の本体引上速度で成長される、上記第１態様に記載の製造方法。
第２８態様： 前記本体引上速度が、前記単結晶シリコンインゴットの本体長の少なくとも７０％にわたり、凝集した点欠陥を回避するのに十分な一定の臨界引上速度である、上記第１態様に記載の製造方法。
第２９態様： 前記本体引上速度が、前記単結晶シリコンインゴットの本体長の少なくとも９０％にわたり、凝集した点欠陥を回避するのに十分な一定の臨界引上速度である、上記第１態様に記載の製造方法。
第３０態様： 溶融シリコンのボリュームが、前記単結晶シリコンインゴットの本体の少なくとも約９０％の成長中に、約１．０体積％以下変化する、上記第１態様に記載の製造方法。
第３１態様： 溶融シリコンのボリュームが、前記単結晶シリコンインゴットの本体の少なくとも約９０％の成長中に、約０．５体積％以下変化する、上記第１態様に記載の製造方法。
第３２態様： 溶融シリコンのボリュームが、前記単結晶シリコンインゴットの本体の少なくとも約９０％の成長中に、約０．１体積％以下変化する、上記第１態様に記載の製造方法。
第３３態様： 前記融液高さレベルが、前記単結晶シリコンインゴットの本体の少なくとも約９０％の成長中に、約＋／－０．５ミリメートル未満変化する、上記第１態様に記載の製造方法。
第３４態様： 前記単結晶シリコンインゴットの本体が、前記単結晶シリコンインゴットの本体長の少なくとも約７０％にわたる完全シリコンを含む、上記第１態様に記載の製造方法。
第３５態様： 前記単結晶シリコンインゴットの本体が、前記単結晶シリコンインゴットの本体長の少なくとも約８０％にわたる完全シリコンを含む、上記第１態様に記載の製造方法。
第３６態様： 前記単結晶シリコンインゴットの本体が、前記単結晶シリコンインゴットの本体長の少なくとも約９０％にわたる完全シリコンを含む、上記第１態様に記載の製造方法。
第３７態様： 本体部を有する単結晶シリコンインゴットであって、
本体部が、周囲縁、前記周囲縁と平行な軸長を有する中心軸、および前記中心軸から前記周囲縁まで延在する半径を有し、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたる、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたる、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたる本体のいずれかの部分からスライスされたウェーハは、検出不能ＦＰＤ（Seccoエッチング技術によるフローパターン欠陥）およびＤＳＯＤ（電気的ブレークダウン後の直接表面酸化物欠陥粒子カウント）、およびSeccoエッチング技術によるゼロＩ欠陥（Ａ欠陥）により特徴付けられる、前記単結晶シリコンインゴット。
第３８態様： 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたる、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたる、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたる本体のいずれかの部分からスライスされたウェーハが、０．０２６μｍサイズ以下での２０未満のＣＯＰにより特徴付けられる、上記第３７態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
第３９態様： 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも４０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも５０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたり、平均本体酸素濃度を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する本体酸素濃度の格子間酸素をさらに含む、上記第３７態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
第４０態様： 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも４０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも５０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたり、平均本体窒素濃度を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する本体窒素濃度の窒素をさらに含む、上記第３７態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
第４１態様： 前記本体部が、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも４０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも５０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたり、平均本体抵抗率を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する抵抗率を有する、上記第３７態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
第４２態様： 本体部を有する単結晶シリコンインゴットであって、
前記本体部は、周囲縁、前記周囲縁と平行な軸長を有する中心軸、および前記中心軸から前記周囲縁まで延在する半径を有し、前記本体部は、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも４０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも５０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたり、平均本体酸素濃度を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する本体酸素濃度の格子間酸素を含む、前記単結晶シリコンインゴット。
第４３態様： 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも４０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも５０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたり、平均本体窒素濃度を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する本体窒素濃度での窒素をさらに含む、上記第４２態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
第４４態様： 前記本体部が、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも４０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも５０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたり、平均本体抵抗率を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する抵抗率を有する、上記第４２態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
第４５態様： 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたる、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたる、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたる本体のいずれかの部分からスライスされたウェーハが、検出不能ＦＰＤ（Seccoエッチング技術によるフローパターン欠陥）およびＤＳＯＤ（電気的ブレークダウン後の直接表面酸化物欠陥粒子カウント）、およびSeccoエッチング技術によるゼロＩ欠陥（Ａ欠陥）により特徴付けられる、上記第４２態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
第４６態様： 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたる、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたる、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたる本体のいずれかの部分からスライスされたウェーハが、０．０２６μｍサイズ以下での２０未満のＣＯＰにより特徴付けられる、上記第４２態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
第４７態様： 本体部を有する単結晶シリコンインゴットであって、
前記本体部が、周囲縁、前記周囲縁と平行な軸長を有する中心軸、および前記中心軸から前記周囲縁まで延在する半径を有し、本体部が、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも４０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも５０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたり、平均本体窒素濃度を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する本体窒素濃度の窒素を含む、前記単結晶シリコンインゴット。
第４８態様： 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも４０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも５０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたり、平均本体酸素濃度を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する本体酸素濃度の格子間酸素をさらに含む、上記第４７態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
第４９態様： 前記本体部が、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも４０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも５０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたり、平均本体抵抗率を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する抵抗率を有する、上記第４７態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
第５０態様： 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたる、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたる、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたる本体のいずれかの部分からスライスされたウェーハが、検出不能ＦＰＤ（Seccoエッチング技術によるフローパターン欠陥）およびＤＳＯＤ（電気的ブレークダウン後の直接表面酸化物欠陥粒子カウント）、およびSeccoエッチング技術によるゼロＩ欠陥（Ａ欠陥）により特徴付けられる、上記第４７態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
第５１態様： 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたる、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたる、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたる本体のいずれかの部分からスライスされたウェーハが、０．０２６μｍサイズ以下での２０未満のＣＯＰにより特徴付けられる、上記第４７態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
第５２態様： 本体部を有する単結晶シリコンインゴットであって、
前記本体部が、周囲縁、前記周囲縁と平行な軸長を有する中心軸、および前記中心軸から前記周囲縁まで延在する半径を有し、さらに、前記本体部が、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも４０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも５０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたり、平均本体抵抗率を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する抵抗率を有する、前記単結晶シリコンインゴット。
第５３態様： 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも４０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも５０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたり、平均本体酸素濃度を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する本体酸素濃度の格子間酸素をさらに含む、上記第５２態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
第５４態様： 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも４０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも５０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたり、平均本体窒素濃度を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する本体窒素濃度の窒素をさらに含む、上記第５２態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
第５５態様： 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたる、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたる、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたる本体のいずれかの部分からスライスされたウェーハが、検出不能ＦＰＤ（Seccoエッチング技術によるフローパターン欠陥）およびＤＳＯＤ（電気的ブレークダウン後の直接表面酸化物欠陥粒子カウント）、およびSeccoエッチング技術によるゼロＩ欠陥（Ａ欠陥）により特徴付けられる、上記第５２態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
第５６態様： 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたる、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたる、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたる本体のいずれかの部分からスライスされたウェーハが、０．０２６μｍサイズ以下での２０未満のＣＯＰにより特徴付けられる、上記第５２態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
なお、上述した本発明は、次の態様を包含していることを確認的に述べておく。
第１態様： 連続チョクラルスキー法による単結晶シリコンインゴットの製造方法であって、
多結晶シリコンの初期投入量をルツボに加えること、前記初期投入量は、さらに窒素源を含む；
前記多結晶シリコンおよび窒素源の初期投入量を含むルツボを加熱して、シリコン融液をルツボにて形成させること、ここでは、前記シリコン融液は、溶融シリコンの初期ボリュームを含み、かつ初期の融液高さレベルを有する；
シリコン種結晶をシリコン融液と接触させること；
前記シリコン種結晶を引いて、ネック部を成長させること、前記シリコン種結晶は前記ネック部の成長中にネック部引上速度にて引かれ、さらに、前記ネック部は、少なくとも約１×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ のネック部窒素濃度を有する；
前記シリコン種結晶を引いて、前記ネック部に隣接する外側に広がる種コーンを成長させること、前記シリコン種結晶は前記外側に広がる種コーンの成長中に種コーン引上速度にて引かれ、さらに、前記外側に広がる種コーンは、少なくとも約１×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ の外側に広がる種コーン窒素濃度を有する；および
前記シリコン種結晶を引いて、外側に広がる種コーンに隣接する前記単結晶シリコンインゴットの本体を成長させること、前記シリコン融液は、前記単結晶シリコンインゴットの本体の成長中に、あるボリュームの溶融シリコンおよび融液高さレベルを含み、さらに、前記単結晶シリコンの本体は、少なくとも約１×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ の本体窒素濃度を有する、を含み、
前記単結晶シリコンインゴットの本体は、初期の可変的な本体引上速度および一定の本体引上速度にて成長させ、前記単結晶シリコンインゴットの本体は、前記単結晶シリコンインゴットの本体長の約２０％未満について、初期の可変的な本体引上速度で成長され、かつ、前記単結晶シリコンインゴットの本体長の少なくとも約３０％の成長について、一定の本体引上速度で成長される；および
さらに、多結晶をルツボへと連続的に供給または定期的に供給し、それにより、前記単結晶シリコンインゴットの本体の成長中に、ルツボにおいて溶融シリコンのボリュームを補充し、それにより、融液高さレベルを維持し、窒素源をルツボへと連続的に供給または定期的に供給し、それにより、窒素量を補充する、前記製造方法。
第２態様： 前記窒素源が窒素の固体源である、上記第１態様に記載の製造方法。
第３態様： 前記窒素源が窒化ケイ素粉末である、上記第１態様に記載の製造方法。
第４態様： 前記窒素源が、その表面上でシリコン窒化膜を有するシリコンウェーハであり、前記シリコンウェーハは所望により砕かれる、上記第１態様に記載の製造方法。
第５態様： 前記窒素源が酸窒化ケイ素ガラスである、上記第１態様に記載の製造方法。
第６態様： 前記窒素源が窒素ガスである、上記第１態様に記載の製造方法。
第７態様： 前記ネック部窒素濃度が、約１×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ ～約１×１０ １５ 原子／ｃｍ ３ 、または約１×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ ～約１．５×１０ １４ 原子／ｃｍ ３ 、または約５×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ ～約１×１０ １４ 原子／ｃｍ ３ である、上記第１態様に記載の製造方法。
第８態様： 前記外側に広がる種コーン窒素濃度が、約１×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ ～約１×１０ １５ 原子／ｃｍ ３ 、または約１×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ ～約１．５×１０ １４ 原子／ｃｍ ３ 、または約５×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ ～約１×１０ １４ 原子／ｃｍ ３ である、上記第１態様に記載の製造方法。
第９態様： 前記窒素源が、単結晶シリコンインゴットの本体の５０ｍｍの軸長当たり、約１ミリグラムの窒素～約１００ミリグラムの窒素、単結晶シリコンインゴットの本体の５０ｍｍの軸長当たり、約１ミリグラムの窒素～約２５ミリグラムの窒素、または単結晶シリコンインゴットの本体の５０ｍｍの軸長当たり、約２ミリグラムの窒素～約１５ミリグラムの窒素の量で、ルツボに連続的に供給されるかまたは定期的に供給される、上記第１態様に記載の製造方法。
第１０態様： 窒化ケイ素は、単結晶シリコンインゴットの本体の５０ｍｍの軸長当たり、約２．５ミリグラムの窒化ケイ素～２５０ミリグラムの窒化ケイ素、または単結晶シリコンインゴットの本体の５０ｍｍの軸長当たり、約５ミリグラムの窒化ケイ素～１００ミリグラムの窒化ケイ素、または単結晶シリコンインゴットの本体の５０ｍｍの軸長当たり、約１０ミリグラムの窒化ケイ素～５０ミリグラムの窒化ケイ素の量で単結晶シリコンインゴットの本体の成長中にルツボに連続的に供給されるかまたは定期的に供給される、上記第１態様に記載の製造方法。
第１１態様： 前記本体窒素濃度が、約１×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ ～約１×１０ １５ 原子／ｃｍ ３ 、または約１×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ ～約１．５×１０ １４ 原子／ｃｍ ３ 、または約５×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ ～約１×１０ １４ 原子／ｃｍ ３ である、上記第１態様に記載の製造方法。
第１２態様： 前記本体窒素濃度が、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも４０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも５０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたり、約５×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ ～約１×１０ １４ 原子／ｃｍ ３ である、上記第１態様に記載の製造方法。
第１３態様： 前記本体窒素濃度が、約１×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ ～約１．５×１０ １４ 原子／ｃｍ ３ 、または約５×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ ～約１×１０ １４ 原子／ｃｍ ３ であり、さらに、本体窒素濃度が、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも４０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも５０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたり、平均本体窒素濃度を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する、上記第１態様に記載の製造方法。
第１４態様： 前記本体窒素濃度が、約５×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ ～約１×１０ １４ 原子／ｃｍ ３ であり、さらに、本体窒素濃度が、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも４０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも５０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたり、平均本体窒素濃度を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する、上記第１態様に記載の製造方法。
第１５態様： 磁界が、前記単結晶シリコンインゴットの本体の成長中に前記シリコン融液に印加される、上記第１態様に記載の製造方法。
第１６態様： 水平磁界が、前記単結晶シリコンインゴットの本体の成長中に前記シリコン融液に印加される、上記第１５態様に記載の製造方法。
第１７態様： 先端磁界が、前記単結晶シリコンインゴットの本体の成長中に前記シリコン融液に印加される、上記第１５態様に記載の製造方法。
第１８態様： 印加された前記磁界が、前記単結晶シリコンインゴットの本体の成長の少なくとも約７０％の間、実質的に一定の融液／固体界面プロファイルを維持する、上記第１５態様に記載の製造方法。
第１９態様： 印加された前記磁界が、前記単結晶シリコンインゴットの本体の成長の約７０％～約９０％の間、実質的に一定の融液／固体界面プロファイルを維持する、上記第１５態様に記載の製造方法。
第２０態様： 前記単結晶シリコンインゴットの本体が、少なくとも１４００ミリメートル長のような、少なくとも１５００ミリメートル長のような少なくとも約１０００ミリメートル長、または少なくとも２０００ミリメートル長、または２２００ミリメートルのような少なくとも２２００ミリメートル長、または少なくとも約３０００ミリメートル長、または少なくとも約４０００ミリメートル長である、上記第１態様に記載の製造方法。
第２１態様： 前記単結晶シリコンインゴットの本体が、少なくとも約２００ミリメートルのような少なくとも約１５０ミリメートル、少なくとも約３００ミリメートル、または少なくとも約４５０ミリメートルの直径を有する、上記第１態様に記載の製造方法
第２２態様： 前記一定の本体引上速度が、約０．４ｍｍ／分～約０．８ｍｍ／分、約０．４ｍｍ／分～約０．７ｍｍ／分、または約０．４ｍｍ／分～約０．６５ｍｍ／分である、上記第１態様に記載の製造方法。
第２３態様： 前記単結晶シリコンインゴットの本体が、前記単結晶シリコンインゴットの本体長の約５％～約２０％について、初期の可変的な本体引上速度で成長される、上記第１態様に記載の製造方法。
第２４態様： 前記単結晶シリコンインゴットの本体が、前記単結晶シリコンインゴットの本体長の少なくとも約５０％の成長中に一定の本体引上速度で成長される、上記第１態様に記載の製造方法。
第２５態様： 前記単結晶シリコンインゴットの本体が、前記単結晶シリコンインゴットの本体長の少なくとも約７０％の成長中に一定の本体引上速度で成長される、上記第１態様に記載の製造方法。
第２６態様： 前記単結晶シリコンインゴットの本体が、前記単結晶シリコンインゴットの本体長の少なくとも約８０％の成長中に一定の本体引上速度で成長される、上記第１態様に記載の製造方法。
第２７態様： 前記単結晶シリコンインゴットの本体が、前記単結晶シリコンインゴットの本体長の少なくとも約９０％の成長中に一定の本体引上速度で成長される、上記第１態様に記載の製造方法。
第２８態様： 前記本体引上速度が、前記単結晶シリコンインゴットの本体長の少なくとも７０％にわたり、凝集した点欠陥を回避するのに十分な一定の臨界引上速度である、上記第１態様に記載の製造方法。
第２９態様： 前記本体引上速度が、前記単結晶シリコンインゴットの本体長の少なくとも９０％にわたり、凝集した点欠陥を回避するのに十分な一定の臨界引上速度である、上記第１態様に記載の製造方法。
第３０態様： 溶融シリコンのボリュームが、前記単結晶シリコンインゴットの本体の少なくとも約９０％の成長中に、約１．０体積％以下変化する、上記第１態様に記載の製造方法。
第３１態様： 溶融シリコンのボリュームが、前記単結晶シリコンインゴットの本体の少なくとも約９０％の成長中に、約０．５体積％以下変化する、上記第１態様に記載の製造方法。
第３２態様： 溶融シリコンのボリュームが、前記単結晶シリコンインゴットの本体の少なくとも約９０％の成長中に、約０．１体積％以下変化する、上記第１態様に記載の製造方法。
第３３態様： 前記融液高さレベルが、前記単結晶シリコンインゴットの本体の少なくとも約９０％の成長中に、約＋／－０．５ミリメートル未満変化する、上記第１態様に記載の製造方法。
第３４態様： 前記単結晶シリコンインゴットの本体が、前記単結晶シリコンインゴットの本体長の少なくとも約７０％にわたる完全シリコンを含む、上記第１態様に記載の製造方法。
第３５態様： 前記単結晶シリコンインゴットの本体が、前記単結晶シリコンインゴットの本体長の少なくとも約８０％にわたる完全シリコンを含む、上記第１態様に記載の製造方法。
第３６態様： 前記単結晶シリコンインゴットの本体が、前記単結晶シリコンインゴットの本体長の少なくとも約９０％にわたる完全シリコンを含む、上記第１態様に記載の製造方法。
第３７態様： 本体部を有する単結晶シリコンインゴットであって、
本体部が、周囲縁、前記周囲縁と平行な軸長を有する中心軸、および前記中心軸から前記周囲縁まで延在する半径を有し、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたる、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたる、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたる本体のいずれかの部分からスライスされたウェーハは、検出不能ＦＰＤ（Seccoエッチング技術によるフローパターン欠陥）およびＤＳＯＤ（電気的ブレークダウン後の直接表面酸化物欠陥粒子カウント）、およびSeccoエッチング技術によるゼロＩ欠陥（Ａ欠陥）により特徴付けられる、前記単結晶シリコンインゴット。
第３８態様： 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたる、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたる、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたる本体のいずれかの部分からスライスされたウェーハが、０．０２６μｍサイズ以下での２０未満のＣＯＰにより特徴付けられる、上記第３７態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
第３９態様： 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも４０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも５０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたり、平均本体酸素濃度を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する本体酸素濃度の格子間酸素をさらに含む、上記第３７態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
第４０態様： 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも４０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも５０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたり、平均本体窒素濃度を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する本体窒素濃度の窒素をさらに含む、上記第３７態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
第４１態様： 前記本体部が、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも４０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも５０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたり、平均本体抵抗率を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する抵抗率を有する、上記第３７態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
第４２態様： 本体部を有する単結晶シリコンインゴットであって、
前記本体部は、周囲縁、前記周囲縁と平行な軸長を有する中心軸、および前記中心軸から前記周囲縁まで延在する半径を有し、前記本体部は、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも４０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも５０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたり、平均本体酸素濃度を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する本体酸素濃度の格子間酸素を含む、前記単結晶シリコンインゴット。
第４３態様： 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも４０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも５０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたり、平均本体窒素濃度を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する本体窒素濃度での窒素をさらに含む、上記第４２態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
第４４態様： 前記本体部が、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも４０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも５０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたり、平均本体抵抗率を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する抵抗率を有する、上記第４２態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
第４５態様： 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたる、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたる、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたる本体のいずれかの部分からスライスされたウェーハが、検出不能ＦＰＤ（Seccoエッチング技術によるフローパターン欠陥）およびＤＳＯＤ（電気的ブレークダウン後の直接表面酸化物欠陥粒子カウント）、およびSeccoエッチング技術によるゼロＩ欠陥（Ａ欠陥）により特徴付けられる、上記第４２態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
第４６態様： 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたる、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたる、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたる本体のいずれかの部分からスライスされたウェーハが、０．０２６μｍサイズ以下での２０未満のＣＯＰにより特徴付けられる、上記第４２態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
第４７態様： 本体部を有する単結晶シリコンインゴットであって、
前記本体部が、周囲縁、前記周囲縁と平行な軸長を有する中心軸、および前記中心軸から前記周囲縁まで延在する半径を有し、本体部が、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも４０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも５０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたり、平均本体窒素濃度を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する本体窒素濃度の窒素を含む、前記単結晶シリコンインゴット。
第４８態様： 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも４０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも５０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたり、平均本体酸素濃度を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する本体酸素濃度の格子間酸素をさらに含む、上記第４７態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
第４９態様： 前記本体部が、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも４０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも５０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたり、平均本体抵抗率を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する抵抗率を有する、上記第４７態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
第５０態様： 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたる、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたる、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたる本体のいずれかの部分からスライスされたウェーハが、検出不能ＦＰＤ（Seccoエッチング技術によるフローパターン欠陥）およびＤＳＯＤ（電気的ブレークダウン後の直接表面酸化物欠陥粒子カウント）、およびSeccoエッチング技術によるゼロＩ欠陥（Ａ欠陥）により特徴付けられる、上記第４７態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
第５１態様： 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたる、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたる、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたる本体のいずれかの部分からスライスされたウェーハが、０．０２６μｍサイズ以下での２０未満のＣＯＰにより特徴付けられる、上記第４７態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
第５２態様： 本体部を有する単結晶シリコンインゴットであって、
前記本体部が、周囲縁、前記周囲縁と平行な軸長を有する中心軸、および前記中心軸から前記周囲縁まで延在する半径を有し、さらに、前記本体部が、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも４０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも５０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたり、平均本体抵抗率を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する抵抗率を有する、前記単結晶シリコンインゴット。
第５３態様： 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも４０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも５０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたり、平均本体酸素濃度を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する本体酸素濃度の格子間酸素をさらに含む、上記第５２態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
第５４態様： 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも４０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも５０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたり、平均本体窒素濃度を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する本体窒素濃度の窒素をさらに含む、上記第５２態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
第５５態様： 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたる、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたる、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたる本体のいずれかの部分からスライスされたウェーハが、検出不能ＦＰＤ（Seccoエッチング技術によるフローパターン欠陥）およびＤＳＯＤ（電気的ブレークダウン後の直接表面酸化物欠陥粒子カウント）、およびSeccoエッチング技術によるゼロＩ欠陥（Ａ欠陥）により特徴付けられる、上記第５２態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
第５６態様： 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたる、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたる、または単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたる本体のいずれかの部分からスライスされたウェーハが、０．０２６μｍサイズ以下での２０未満のＣＯＰにより特徴付けられる、上記第５２態様に記載の単結晶シリコンインゴット。
Claims (20)
- 本体部を有する単結晶シリコンインゴットであって、
本体部が、周囲縁、前記周囲縁と平行な軸長を有する中心軸、および前記中心軸から前記周囲縁まで延在する半径を有し、単結晶シリコンインゴットの本体が、少なくとも約１０００ミリメートル長であり、単結晶シリコンインゴットの本体が、少なくとも約１５０ミリメートルの直径を有し、さらに、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたる本体のいずれかの部分からスライスされたウェーハは、検出不能ＦＰＤ（Seccoエッチング技術によるフローパターン欠陥）およびＤＳＯＤ（電気的ブレークダウン後の直接表面酸化物欠陥粒子カウント）、およびSeccoエッチング技術によるゼロＩ欠陥（Ａ欠陥）により特徴付けられ、さらに、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたる本体のいずれかの部分からスライスされたウェーハは、０．０２６μｍサイズ以下での２０未満のＣＯＰにより特徴付けられる、前記単結晶シリコンインゴット。 - 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも８０％にわたる本体のいずれかの部分からスライスされたウェーハが、０．０２６μｍサイズ以下での２０未満のＣＯＰにより特徴付けられる、請求項１記載の単結晶シリコンインゴット。
- 約１０ＰＰＭＡ～約３５ＰＰＭＡの本体酸素濃度の格子間酸素をさらに含み、さらに、本体格子間酸素濃度が、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、平均本体酸素濃度を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する、請求項１記載の単結晶シリコンインゴット。
- 少なくとも約１×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ の本体窒素濃度の窒素をさらに含み、さらに、本体窒素濃度が、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、平均本体窒素濃度を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する、請求項１記載の単結晶シリコンインゴット。
- 前記本体部が、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、平均本体抵抗率を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する抵抗率を有する、請求項１記載の単結晶シリコンインゴット。
- 本体部を有する単結晶シリコンインゴットであって、
前記本体部は、周囲縁、前記周囲縁と平行な軸長を有する中心軸、および前記中心軸から前記周囲縁まで延在する半径を有し、単結晶シリコンインゴットの本体が、少なくとも約１０００ミリメートル長であり、単結晶シリコンインゴットの本体が、少なくとも約１５０ミリメートルの直径を有し、さらに、前記本体部が、約１０ＰＰＭＡ～約３５ＰＰＭＡの本体酸素濃度の格子間酸素を含み、さらに、本体格子間酸素濃度が、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、平均本体酸素濃度を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化し、さらに、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたる本体のいずれかの部分からスライスされたウェーハは、０．０２６μｍサイズ以下での２０未満のＣＯＰにより特徴付けられる、前記単結晶シリコンインゴット。 - 少なくとも約１×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ の本体窒素濃度の窒素をさらに含み、さらに、本体窒素濃度が、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、平均本体窒素濃度を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する、請求項６記載の単結晶シリコンインゴット。
- 前記本体部が、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、平均本体抵抗率を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する抵抗率を有する、請求項６記載の単結晶シリコンインゴット。
- 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたる本体のいずれかの部分からスライスされたウェーハが、検出不能ＦＰＤ（Seccoエッチング技術によるフローパターン欠陥）およびＤＳＯＤ（電気的ブレークダウン後の直接表面酸化物欠陥粒子カウント）、およびSeccoエッチング技術によるゼロＩ欠陥（Ａ欠陥）により特徴付けられる、請求項６記載の単結晶シリコンインゴット。
- 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたる、本体のいずれかの部分からスライスされたウェーハが、０．０２６μｍサイズ以下での２０未満のＣＯＰにより特徴付けられる、請求項６記載の単結晶シリコンインゴット。
- 本体部を有する単結晶シリコンインゴットであって、
前記本体部が、周囲縁、前記周囲縁と平行な軸長を有する中心軸、および前記中心軸から前記周囲縁まで延在する半径を有し、単結晶シリコンインゴットの本体が、少なくとも約１０００ミリメートル長であり、単結晶シリコンインゴットの本体が、少なくとも約１５０ミリメートルの直径を有し、さらに、本体部分が、少なくとも約１×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ の本体窒素濃度の窒素を含み、さらに、本体窒素濃度が、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、平均本体窒素濃度を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化し、さらに、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたる本体のいずれかの部分からスライスされたウェーハは、０．０２６μｍサイズ以下での２０未満のＣＯＰにより特徴付けられる、前記単結晶シリコンインゴット。 - 約１０ＰＰＭＡ～約３５ＰＰＭＡの本体酸素濃度の格子間酸素をさらに含み、さらに、本体格子間酸素濃度が、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたり、平均本体酸素濃度を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する、請求項１１記載の単結晶シリコンインゴット。
- 前記本体部が、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、平均本体抵抗率を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する抵抗率を有する、請求項１１記載の単結晶シリコンインゴット。
- 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたる本体のいずれかの部分からスライスされたウェーハが、検出不能ＦＰＤ（Seccoエッチング技術によるフローパターン欠陥）およびＤＳＯＤ（電気的ブレークダウン後の直接表面酸化物欠陥粒子カウント）、およびSeccoエッチング技術によるゼロＩ欠陥（Ａ欠陥）により特徴付けられる、請求項１１記載の単結晶シリコンインゴット。
- 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたる本体のいずれかの部分からスライスされたウェーハが、０．０２６μｍサイズ以下での２０未満のＣＯＰにより特徴付けられる、請求項１１記載の単結晶シリコンインゴット。
- 本体部を有する単結晶シリコンインゴットであって、
前記本体部が、周囲縁、前記周囲縁と平行な軸長を有する中心軸、および前記中心軸から前記周囲縁まで延在する半径を有し、単結晶シリコンインゴットの本体が、少なくとも約１０００ミリメートル長であり、単結晶シリコンインゴットの本体が、少なくとも約１５０ミリメートルの直径を有し、さらに、前記本体部が、約１０００オーム－ｃｍ～約１００，０００オーム－ｃｍの抵抗率を有し、さらに、抵抗率が、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、平均本体抵抗率を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化し、さらに、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたる本体のいずれかの部分からスライスされたウェーハは、０．０２６μｍサイズ以下での２０未満のＣＯＰにより特徴付けられる、前記単結晶シリコンインゴット。 - 約１０ＰＰＭＡ～約３５ＰＰＭＡの本体酸素濃度の格子間酸素をさらに含み、さらに、本体格子間酸素濃度が、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、平均本体酸素濃度を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する、請求項１６記載の単結晶シリコンインゴット。
- 少なくとも約１×１０ １３ 原子／ｃｍ ３ の本体窒素濃度の窒素をさらに含み、さらに、本体窒素濃度が、単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたり、平均本体窒素濃度を２０％以下上回ってかつ２０％以上下回って変化する、請求項１６記載の単結晶シリコンインゴット。
- 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも６０％にわたる本体のいずれかの部分からスライスされたウェーハが、検出不能ＦＰＤ（Seccoエッチング技術によるフローパターン欠陥）およびＤＳＯＤ（電気的ブレークダウン後の直接表面酸化物欠陥粒子カウント）、およびSeccoエッチング技術によるゼロＩ欠陥（Ａ欠陥）により特徴付けられる、請求項１６記載の単結晶シリコンインゴット。
- 単結晶シリコンインゴットの本体軸長の少なくとも７０％にわたる本体のいずれかの部分からスライスされたウェーハが、０．０２６μｍサイズ以下での２０未満のＣＯＰにより特徴付けられる、請求項１６記載の単結晶シリコンインゴット。
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