JPWO2021020510A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2021020510A5 JPWO2021020510A5 JP2021535425A JP2021535425A JPWO2021020510A5 JP WO2021020510 A5 JPWO2021020510 A5 JP WO2021020510A5 JP 2021535425 A JP2021535425 A JP 2021535425A JP 2021535425 A JP2021535425 A JP 2021535425A JP WO2021020510 A5 JPWO2021020510 A5 JP WO2021020510A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boundary
- silicon
- pseudo
- single crystal
- silicon ingot
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 24
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000001887 electron backscatter diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
Description
そして、ここでは、例えば、欠陥が生じにくいシリコンインゴットＩｎ１ｂの製造に適したシリコンインゴットＩｎ１ｂの上記構成を採用することで、欠陥の低減によってシリコンインゴットＩｎ１ｂの品質が向上し得る。ここで、第１境界Ｂ１ａ、第２境界Ｂ２ｂ、第３境界Ｂ３、第４境界Ｂ４、第５境界Ｂ５、第６境界Ｂ６、第７境界Ｂ７および第８境界Ｂ８のそれぞれにおける各種の対応粒界の存在および各種の対応粒界の存在比率は、例えば、ＥＢＳＤ法などを用いた測定で確認され得る。また、第１境界Ｂ１ａ、第２境界Ｂ２ｂ、第３境界Ｂ３、第４境界Ｂ４、第５境界Ｂ５、第６境界Ｂ６、第７境界Ｂ７および第８境界Ｂ８のそれぞれがＸＹ平面に沿った仮想的な断面において曲がっている状態は、例えば、シリコンインゴットＩｎ１ｂをＸＹ平面に沿ってワイヤーソーなどで切断し、その切断面をフッ酸などでエッチングした後に、光学顕微鏡で観察することで確認され得る。
＜１－４－３．第２変形例に係るシリコンブロックの構成＞
上記シリコンブロックＢｋ１ａは、例えば、図２４（ａ）および図２４（ｂ）で示されるように、第２Ａ擬似単結晶領域Ａｍ２Ａの代わりに、第３方向としての＋Ｙ方向において順に隣接している、第２Ａ擬似単結晶領域Ａｍ２Ａｂと、第３Ａ中間領域Ａｃ３Ａと、第４Ａ擬似単結晶領域Ａｍ４Ａと、を有する、第２変形例に係るシリコンブロックＢｋ１ｂとされてもよい。シリコンブロックＢｋ１ｂは、例えば、上述した第２変形例に係るシリコンインゴットＩｎ１ｂの製造方法によって製造され得るシリコンインゴットＩｎ１ｂから、比較的欠陥が存在している状態になりやすいシリコンインゴットＩｎ１ｂの外周部分をワイヤーソー装置などで切除することで製造され得る。
上記シリコンブロックＢｋ１ａは、例えば、図２４（ａ）および図２４（ｂ）で示されるように、第２Ａ擬似単結晶領域Ａｍ２Ａの代わりに、第３方向としての＋Ｙ方向において順に隣接している、第２Ａ擬似単結晶領域Ａｍ２Ａｂと、第３Ａ中間領域Ａｃ３Ａと、第４Ａ擬似単結晶領域Ａｍ４Ａと、を有する、第２変形例に係るシリコンブロックＢｋ１ｂとされてもよい。シリコンブロックＢｋ１ｂは、例えば、上述した第２変形例に係るシリコンインゴットＩｎ１ｂの製造方法によって製造され得るシリコンインゴットＩｎ１ｂから、比較的欠陥が存在している状態になりやすいシリコンインゴットＩｎ１ｂの外周部分をワイヤーソー装置などで切除することで製造され得る。
ところで、シリコンブロックＢｋ１ｂは、例えば、第２方向としての＋Ｘ方向に並んでいる、３つ以上の擬似単結晶領域と、これらの３つ以上の擬似単結晶領域のうちの隣り合う２つの擬似単結晶領域の間のそれぞれに位置している第１Ａ中間領域Ａｃ１Ａｂと同様な中間領域とを含んでいてもよい。また、シリコンブロックＢｋ１ｂは、例えば、第３方向としての＋Ｙ方向に並んでいる、３つ以上の擬似単結晶領域と、これらの３つ以上の擬似単結晶領域のうちの隣り合う２つの擬似単結晶領域の間のそれぞれに位置している第２Ａ中間領域Ａｃ２Ａと同様な中間領域とを含んでいてもよい。これにより、例えば、さらなるシリコンブロックＢｋ１ｂの大型化が可能となる。
このような構成は、例えば、次のようにして実現され得る。まず、鋳型１２１の底部１２１ｂ上の中央よりも第２方向としての＋Ｘ方向にずれた位置に第１中間種結晶部Ｃｓ１を配置する。次に、鋳型１２１内で底部１２１ｂ側から上方（＋Ｚ方向）に向けてシリコン融液ＭＳ１の一方向凝固を行わせる際に、鋳型１２１の周囲からの加熱状態などを適宜調整することで、シリコン融液ＭＳ１と固体状態のシリコンとの境界が第１方向としての＋Ｚ方向に張り出すような凸形状とされる。このような構成が採用されれば、シリコン融液ＭＳ１の一方向凝固が行われる際に、例えば、底部１２１ｂ側から上方に向けて伝播している転位の上方に第２境界Ｂ２が形成されるようにシリコン融液ＭＳ１が凝固し得る。このとき、例えば、上方に向けた転位の伝播が第２境界Ｂ２によってブロックされ得る。また、例えば、転位が比較的発生しやすい鋳型１２１内の周辺に近づくように第２境界Ｂ２が斜行するようにシリコン融液ＭＳ１が凝固することによって、上方に向けた転位の伝播が第２境界Ｂ２でブロックされやすくなる。これにより、例えば、製造されるシリコンインゴットＩｎ１における欠陥が低減され、シリコンインゴットＩｎ１の品質が向上し得る。また、例えば、シリコンインゴットＩｎ１から切り出されるシリコンブロックＢｋ１の品質も向上し得る。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019141352 | 2019-07-31 | ||
| JP2019141352 | 2019-07-31 | ||
| PCT/JP2020/029233 WO2021020510A1 (ja) | 2019-07-31 | 2020-07-30 | シリコンのインゴット、シリコンのブロック、シリコンの基板および太陽電池 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2021020510A1 JPWO2021020510A1 (ja) | 2021-02-04 |
| JPWO2021020510A5 true JPWO2021020510A5 (ja) | 2022-04-18 |
| JP7329051B2 JP7329051B2 (ja) | 2023-08-17 |
Family
ID=74229120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021535425A Active JP7329051B2 (ja) | 2019-07-31 | 2020-07-30 | シリコンのインゴット、シリコンのブロック、シリコンの基板および太陽電池 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220389612A1 (ja) |
| EP (1) | EP4006212A4 (ja) |
| JP (1) | JP7329051B2 (ja) |
| CN (1) | CN114207194B (ja) |
| WO (1) | WO2021020510A1 (ja) |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007004631A1 (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-11 | Tohoku University | 粒界性格制御多結晶の作製方法 |
| EP1974077A2 (en) | 2006-01-20 | 2008-10-01 | BP Corporation North America Inc. | Methods and apparatuses for manufacturing monocrystalline cast silicon and monocrystalline cast silicon bodies for photovoltaics |
| US9133565B2 (en) * | 2011-10-14 | 2015-09-15 | Sino-American Silicon Products Inc. | Crystalline silicon ingot and method of fabricating the same |
| GB2502102A (en) * | 2012-05-16 | 2013-11-20 | Rec Wafer Norway As | Improved production of monocrystalline silicon |
| JP6047424B2 (ja) * | 2013-02-27 | 2016-12-21 | 京セラ株式会社 | シリコンインゴットの製造方法 |
| FR3005967B1 (fr) * | 2013-05-27 | 2017-06-02 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un lingot de silicium dote de joints de grains symetriques |
| JP6224703B2 (ja) * | 2013-05-30 | 2017-11-01 | 京セラ株式会社 | シリコンインゴットの製造方法およびシリコンインゴット |
| CN104152992A (zh) * | 2014-08-06 | 2014-11-19 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种籽晶的铺设方法、准单晶硅片的制备方法及准单晶硅片 |
| JP6590145B2 (ja) * | 2015-03-16 | 2019-10-16 | 国立大学法人名古屋大学 | シリコンインゴット及びその製造方法並びに種結晶 |
| CN104911691B (zh) * | 2015-04-15 | 2017-11-28 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种籽晶的铺设方法、准单晶硅片的制备方法及准单晶硅片 |
| JP7007483B2 (ja) | 2018-07-20 | 2022-01-24 | 京セラ株式会社 | シリコンのインゴット、シリコンのブロック、シリコンの基板、シリコンのインゴットの製造方法、および太陽電池 |
| JP7201815B2 (ja) | 2019-07-18 | 2023-01-10 | 京セラ株式会社 | シリコンのインゴット、シリコンのブロック、シリコンの基板、シリコンのインゴットの製造方法および太陽電池 |
-
2020
- 2020-07-30 CN CN202080053214.9A patent/CN114207194B/zh active Active
- 2020-07-30 EP EP20848653.0A patent/EP4006212A4/en active Pending
- 2020-07-30 JP JP2021535425A patent/JP7329051B2/ja active Active
- 2020-07-30 US US17/630,851 patent/US20220389612A1/en active Pending
- 2020-07-30 WO PCT/JP2020/029233 patent/WO2021020510A1/ja unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI390667B (zh) | 具不同高度之基板鰭片 | |
| US5281834A (en) | Non-silicon and silicon bonded structure and method of manufacture | |
| WO2019012866A1 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
| TWI490378B (zh) | 用於生產矽錠的方法 | |
| KR100994320B1 (ko) | 단결정 실리콘의 제조 방법, 단결정 실리콘 웨이퍼의 제조방법, 단결정 실리콘 제조용 종결정, 단결정 실리콘 잉곳및 단결정 실리콘 웨이퍼 | |
| WO2012124596A1 (ja) | 多結晶シリコンウエハ | |
| JP2004053850A (ja) | デバイスチップの製造方法 | |
| TW201414887A (zh) | 從坩堝中的種晶生長矽鑄錠的系統和方法及其中所使用的種晶的製造 | |
| JPWO2021020510A5 (ja) | ||
| JP5630665B2 (ja) | 結晶シリコンインゴット及びその製造方法 | |
| JP6590145B2 (ja) | シリコンインゴット及びその製造方法並びに種結晶 | |
| KR20150010964A (ko) | 잉곳 연삭을 위한 시스템 및 방법 | |
| TW201226640A (en) | Method for producing silicon single crystal ingot | |
| US7470624B2 (en) | Integrated assist features for epitaxial growth bulk/SOI hybrid tiles with compensation | |
| KR20060016777A (ko) | 실리콘 에피택셜 웨이퍼 및 실리콘 에피택셜 웨이퍼 제조방법 | |
| JP2020107745A5 (ja) | ||
| JP2015515751A (ja) | 太陽電池製造におけるインゴットの切断方法 | |
| JP6368715B2 (ja) | 融液からの結晶シート用装置及び方法 | |
| US20100027122A1 (en) | Metal Mold, Optical Device, Metal Mold for Forming Optical Device, and Process for Manufacturing the Same | |
| JP4675550B2 (ja) | 一方向凝固シリコンインゴット及びこの製造方法並びにシリコン板及び太陽電池用基板 | |
| JP6500763B2 (ja) | 双晶欠陥発生領域の除去方法およびシリコンウェーハの製造方法 | |
| TW201446454A (zh) | 將固體原材料製成之固體塊倒圓的方法，以及以此種方法製成的固體產品 | |
| US20070128875A1 (en) | Dry etch release method for micro-electro-mechanical systems (MEMS) | |
| JPH1190923A (ja) | マルチワイヤソーによる切断方法 | |
| KR100375173B1 (ko) | 단결정 잉곳의 제조 방법 및 이 단결정 잉곳을 이용한웨이퍼 제조방법 |