JPWO2020185360A5 - - Google Patents

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JPWO2020185360A5
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Claims (20)

  1. 処理チャンバ用のシャワーヘッドアセンブリであって、
    支持特徴を備えた支持構造、及び
    少なくとも約50W/(mK)の熱伝導率を有し、かつ約100μm未満の平均直径を有する複数のポアを備えた多孔性プレートであって、該多孔性プレートのエッジの少なくとも一部が前記支持特徴上にある、多孔性プレート
    を含む、シャワーヘッドアセンブリ。
  2. 前記複数のポアが、前記多孔性プレートの第1の表面から第2の表面まで延びる複数の連続した経路を形成する、請求項1に記載のシャワーヘッドアセンブリ。
  3. 前記多孔性プレートが、少なくとも約200mmの直径を有する円形形状を有している、請求項1に記載のシャワーヘッドアセンブリ。
  4. 前記複数のポアの数が、前記多孔性プレートの立方インチあたり少なくとも約60ポアである、請求項1に記載のシャワーヘッドアセンブリ。
  5. 前記多孔性プレートの熱伝導率が少なくとも約75W/(mK)である、請求項1に記載のシャワーヘッドアセンブリ。
  6. 前記複数のポアが約50μm未満の平均直径を有する、請求項1に記載のシャワーヘッドアセンブリ。
  7. 前記支持構造がクランププレートをさらに含み、前記多孔性プレートの前記エッジの少なくとも一部が、前記クランププレートと前記支持特徴との間に保持される、請求項1に記載のシャワーヘッドアセンブリ。
  8. 前記多孔性プレートが、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、及びモリブデンのうちの1つを含む、請求項1に記載のシャワーヘッドアセンブリ。
  9. 処理チャンバであって、
    基板を支持するように構成された基板支持体、
    前記処理チャンバの内部にガスを流すように構成されたシャワーヘッドアセンブリであって、該シャワーヘッドアセンブリが、
    支持特徴を備えた支持構造と、
    少なくとも約50W/(mK)の熱伝導率を有し、かつ約100μm未満の直径を有する複数のポアを備えた多孔性プレートであって、該多孔性プレートのエッジの少なくとも一部が前記支持特徴上にある、多孔性プレートと
    を備えている、シャワーヘッドアセンブリ、及び
    プロセスガスを前記シャワーヘッドアセンブリに供給するように構成されたガス供給源
    を含む、処理チャンバ。
  10. 前記複数のポアが、前記多孔性プレートの第1の表面から第2の表面まで延びる複数の連続した経路を形成する、請求項9に記載の処理チャンバ。
  11. 前記多孔性プレートが、少なくとも約200mmの直径を有する円形形状を有している、請求項9に記載の処理チャンバ。
  12. 前記複数のポアの数が、前記多孔性プレートの立方インチあたり少なくとも約60ポアである、請求項9に記載の処理チャンバ。
  13. 前記多孔性プレートの熱伝導率が少なくとも約75W/(mK)である、請求項9に記載の処理チャンバ。
  14. 前記複数のポアが約50μm未満の平均直径を有する、請求項9に記載の処理チャンバ。
  15. 前記支持構造がクランププレートをさらに含み、前記多孔性プレートの前記エッジの少なくとも一部が前記クランププレートと前記支持特徴との間に保持される、請求項9に記載の処理チャンバ。
  16. 前記多孔性プレートが、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、及びモリブデンのうちの1つを含む、請求項9に記載の処理チャンバ。
  17. 処理チャンバのシャワーヘッドアセンブリのための多孔性プレートであって、該多孔性プレートが、
    不規則なパターンに従って配置された複数のポアと、
    前記複数のポアから形成された複数の連続した経路と
    を備え、前記複数の連続した経路が、前記多孔性プレートの第1の表面から第2の表面まで延び、
    前記多孔性プレートが少なくとも約50W/(mK)の熱伝導率を有する、多孔性プレート。
  18. 前記複数のポアが、約100μm未満の平均直径を有する、請求項17に記載の多孔性プレート。
  19. 前記複数の連続した経路の数が、前記多孔性プレートの立方インチあたり少なくとも約60ポアである、請求項17に記載の多孔性プレート。
  20. 前記複数のポアが約50μm未満の平均直径を有する、請求項17に記載の多孔性プレート。
JP2021551898A 2019-03-08 2020-02-18 処理チャンバ用の多孔性シャワーヘッド Pending JP2022523541A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR950020993A (ko) 1993-12-22 1995-07-26 김광호 반도체 제조장치
JPH1027784A (ja) * 1996-05-08 1998-01-27 Tokyo Electron Ltd 減圧処理装置
US6182603B1 (en) 1998-07-13 2001-02-06 Applied Komatsu Technology, Inc. Surface-treated shower head for use in a substrate processing chamber
JP2003007682A (ja) * 2001-06-25 2003-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置用の電極部材
US20050081788A1 (en) * 2002-03-15 2005-04-21 Holger Jurgensen Device for depositing thin layers on a substrate
JP4312063B2 (ja) * 2004-01-21 2009-08-12 日本エー・エス・エム株式会社 薄膜製造装置及びその方法
US20050279384A1 (en) * 2004-06-17 2005-12-22 Guidotti Emmanuel P Method and processing system for controlling a chamber cleaning process
JP5010234B2 (ja) * 2006-10-23 2012-08-29 北陸成型工業株式会社 ガス放出孔部材を一体焼結したシャワープレートおよびその製造方法
JP2008205219A (ja) * 2007-02-20 2008-09-04 Masato Toshima シャワーヘッドおよびこれを用いたcvd装置
CN100577866C (zh) * 2007-02-27 2010-01-06 中微半导体设备(上海)有限公司 应用于等离子体反应室中的气体喷头组件、其制造方法及其翻新再利用的方法
US20090226614A1 (en) * 2008-03-04 2009-09-10 Tokyo Electron Limited Porous gas heating device for a vapor deposition system
EP2362001A1 (en) * 2010-02-25 2011-08-31 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Method and device for layer deposition
KR101249999B1 (ko) * 2010-08-12 2013-04-03 주식회사 디엠에스 화학기상증착 장치
WO2012054206A2 (en) 2010-10-19 2012-04-26 Applied Materials, Inc. Quartz showerhead for nanocure uv chamber
EP2654799B1 (en) * 2010-12-23 2017-11-08 Nektar Therapeutics Polymer-sunitinib conjugates
US20120312234A1 (en) * 2011-06-11 2012-12-13 Tokyo Electron Limited Process gas diffuser assembly for vapor deposition system
US9449795B2 (en) 2013-02-28 2016-09-20 Novellus Systems, Inc. Ceramic showerhead with embedded RF electrode for capacitively coupled plasma reactor
US10741365B2 (en) 2014-05-05 2020-08-11 Lam Research Corporation Low volume showerhead with porous baffle
US10378107B2 (en) * 2015-05-22 2019-08-13 Lam Research Corporation Low volume showerhead with faceplate holes for improved flow uniformity
KR20180063345A (ko) * 2015-10-26 2018-06-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 반도체 제조의 웨이퍼 처리를 위한 고 생산성 pecvd 툴
CN208098420U (zh) * 2018-02-11 2018-11-16 佛山华派机械科技有限公司 一种板状叠加式多孔喷头

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