JPWO2020166194A1 - 撮像装置 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 103
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 103
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 31
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 25
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000013041 optical simulation Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
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- H—ELECTRICITY
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
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- H—ELECTRICITY
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
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- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Multimedia (AREA)
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
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Abstract
Description
[1−1.撮像装置の構成]
以下、実施の形態1に係る撮像装置の構成について、図面を参照しながら説明する。
図6Aから図6Fは、撮像装置1の製造方法の一例を示す模式図である。
図7は、参考例の撮像装置の一例である撮像装置1Bの拡大断面図であり、図8は、実施の形態1に係る撮像装置1の拡大断面図である。参考例の撮像装置1Bは、第1遮光層30を備えない点で実施の形態1に係る撮像装置1と異なる。
[2−1.撮像装置の構成]
以下、実施の形態1に係る撮像装置1から、その構成の一部が変更されて構成される実施の形態2に係る撮像装置の構成について説明する。
上記構成の撮像装置1Aは、実施の形態1に係る撮像装置1に比べて、さらに、第2遮光層30Aを備える。これにより、撮像装置1Aでは、第2側面42Aに向かって封止層10を透過した光も、第2側面42Aに入射する前に、第2遮光層30Aにより遮光又は減光される。このため、撮像装置1Aでは、撮像装置1に比べて、さらに、第2側面42Aで反射又は屈折することによる迷光の発生が抑制される。従って、実施の形態2に係る撮像装置1Aによると、実施の形態1に係る撮像装置1よりも、さらに、撮像する画像におけるフレアの発生を抑制することができる。
以下、実施の形態1に係る撮像装置1から、その構成の一部が変更されて構成される変形例に係る撮像装置1Cの構成について説明する。
10 封止層
20、20C モールド
30、30C 第1遮光層
30A 第2遮光層
40、40A、40B 樹脂層
41、41B 第1側面
42、42A、42B 第2側面
45、45A 第1部分
50 半導体基板
51 画素領域
52 周辺領域
60 基板
70、70A、70B、70C、70D はんだレジスト
80、80A、80B、80C、80D はんだボール
101R、101G、101B 第1受光素子
102R、102G、102B 第2受光素子
201R、201G、201B 第1画素
202R、202G、202B 第2画素
Claims (12)
- 複数の画素が配置される画素領域と、前記画素領域を囲む周辺領域と、を含む半導体基板と、
第1曲面を有する第1側面と、前記第1側面よりも前記画素領域から遠くに位置する第2側面と、を有し、かつ前記周辺領域上に位置する樹脂層と、
前記樹脂層の上に位置する封止層と、
前記樹脂層と前記封止層との間に位置し、平面視において、前記第1曲面の少なくとも一部を覆う第1遮光層と、
を備える撮像装置。 - 前記第1遮光層は、平面視において前記第1曲面の全部を覆う、
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記第1曲面は、前記樹脂層の内側へ凹んでいる、
請求項1又は請求項2に記載の撮像装置。 - 前記第2側面は第2曲面を有し、
前記樹脂層と前記封止層との間に位置し、平面視において前記第2曲面の少なくとも一部を覆う第2遮光層を備える、
請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の撮像装置。 - 前記第2遮光層は、平面視において、前記第2曲面の全部を覆う、
請求項4に記載の撮像装置。 - 前記第2曲面は、前記樹脂層の内側へ凹んでいる、
請求項4又は請求項5に記載の撮像装置。 - 前記樹脂層は、前記封止層と直接接する第1部分を有する、
請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の撮像装置。 - 前記第2側面は第2曲面を有し、
前記樹脂層と前記封止層との間に位置し、平面視において前記第2曲面の少なくとも一部を覆う第2遮光層を備え、
前記樹脂層は、平面視において前記第1曲面と前記第2曲面との間に位置し、前記封止層と直接接する第1部分を有する、
請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の撮像装置。 - 前記複数の画素は、第1受光素子を含む第1画素と、第2受光素子を含む第2画素と、を含み、
平面視において、前記第1受光素子の大きさは前記第2受光素子の大きさと異なる、
請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の撮像装置。 - 前記樹脂層の前記第2側面と接するモールドをさらに備える、
請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の撮像装置。 - 前記第1遮光層の幅は前記樹脂層の高さより大きい、
請求項10に記載の撮像装置。 - 前記第1遮光層の幅は前記樹脂層の高さの2倍より大きい、
請求項10に記載の撮像装置。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019025142 | 2019-02-15 | ||
JP2019025142 | 2019-02-15 | ||
JP2019200141 | 2019-11-01 | ||
JP2019200141 | 2019-11-01 | ||
PCT/JP2019/049112 WO2020166194A1 (ja) | 2019-02-15 | 2019-12-16 | 撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020166194A1 true JPWO2020166194A1 (ja) | 2021-12-09 |
JP7519583B2 JP7519583B2 (ja) | 2024-07-22 |
Family
ID=72044752
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020572102A Active JP7519583B2 (ja) | 2019-02-15 | 2019-12-16 | 撮像装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210327935A1 (ja) |
JP (1) | JP7519583B2 (ja) |
CN (1) | CN113169131B (ja) |
WO (1) | WO2020166194A1 (ja) |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4018820B2 (ja) * | 1998-10-12 | 2007-12-05 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置および信号読出し方法 |
JP2001345391A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-12-14 | Canon Inc | 電子部品及びその製造方法 |
JP2002222935A (ja) * | 2001-01-25 | 2002-08-09 | Canon Inc | 固体撮像装置およびその製造方法、固体撮像システム |
JP5030360B2 (ja) | 2002-12-25 | 2012-09-19 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
JP5061580B2 (ja) * | 2006-11-02 | 2012-10-31 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
KR20090048920A (ko) * | 2007-11-12 | 2009-05-15 | 삼성전자주식회사 | 카메라 모듈 및 이를 구비한 전자 기기 |
JP2009251366A (ja) | 2008-04-08 | 2009-10-29 | Konica Minolta Opto Inc | 撮像レンズの製造方法、撮像レンズ及び撮像装置 |
JP5930263B2 (ja) | 2011-02-18 | 2016-06-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5875313B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2016-03-02 | キヤノン株式会社 | 電子部品および電子機器ならびにこれらの製造方法。 |
JP2013080825A (ja) * | 2011-10-04 | 2013-05-02 | Nikon Corp | 撮像装置の製造方法 |
JP2013127613A (ja) * | 2011-11-18 | 2013-06-27 | Fujifilm Corp | 赤外線遮光性組成物、赤外線遮光膜、パターン形成方法及び固体撮像素子 |
JP2017032798A (ja) * | 2015-07-31 | 2017-02-09 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | レンズ付き基板、積層レンズ構造体、カメラモジュール、並びに、製造装置および方法 |
JP2017208468A (ja) * | 2016-05-19 | 2017-11-24 | キヤノン株式会社 | 電子部品 |
-
2019
- 2019-12-16 JP JP2020572102A patent/JP7519583B2/ja active Active
- 2019-12-16 WO PCT/JP2019/049112 patent/WO2020166194A1/ja active Application Filing
- 2019-12-16 CN CN201980078665.5A patent/CN113169131B/zh active Active
-
2021
- 2021-06-28 US US17/359,715 patent/US20210327935A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113169131A (zh) | 2021-07-23 |
JP7519583B2 (ja) | 2024-07-22 |
WO2020166194A1 (ja) | 2020-08-20 |
CN113169131B (zh) | 2024-06-04 |
US20210327935A1 (en) | 2021-10-21 |
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