JPWO2020153066A1 - ドライエッチング方法、ドライエッチング剤、及びその保存容器 - Google Patents
ドライエッチング方法、ドライエッチング剤、及びその保存容器 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2020153066A1 JPWO2020153066A1 JP2020567430A JP2020567430A JPWO2020153066A1 JP WO2020153066 A1 JPWO2020153066 A1 JP WO2020153066A1 JP 2020567430 A JP2020567430 A JP 2020567430A JP 2020567430 A JP2020567430 A JP 2020567430A JP WO2020153066 A1 JPWO2020153066 A1 JP WO2020153066A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- dry etching
- gas
- fluorine
- volume
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 131
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 30
- -1 nitrile compound Chemical class 0.000 claims abstract description 28
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 49
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 12
- 229910000617 Mangalloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 9
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VPAYJEUHKVESSD-UHFFFAOYSA-N trifluoroiodomethane Chemical compound FC(F)(F)I VPAYJEUHKVESSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 29
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 26
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 21
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 13
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 12
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004813 Perfluoroalkoxy alkane Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 229920011301 perfluoro alkoxyl alkane Polymers 0.000 description 2
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QZRGKCOWNLSUDK-UHFFFAOYSA-N Iodochlorine Chemical compound ICl QZRGKCOWNLSUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910000043 hydrogen iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 150000005837 radical ions Chemical class 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C19/00—Acyclic saturated compounds containing halogen atoms
- C07C19/08—Acyclic saturated compounds containing halogen atoms containing fluorine
- C07C19/16—Acyclic saturated compounds containing halogen atoms containing fluorine and iodine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/02—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an alkali metal hydroxide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
- H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C17/00—Preparation of halogenated hydrocarbons
- C07C17/093—Preparation of halogenated hydrocarbons by replacement by halogens
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C17/00—Preparation of halogenated hydrocarbons
- C07C17/361—Preparation of halogenated hydrocarbons by reactions involving a decrease in the number of carbon atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C19/00—Acyclic saturated compounds containing halogen atoms
- C07C19/08—Acyclic saturated compounds containing halogen atoms containing fluorine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
Description
(保存容器での保存)
図1は、一時的に精製後のCF3Iを保管するために実施例・比較例で用いた保存容器10容器の概略図である。保存容器として、内容積10Lのマンガン鋼製耐圧容器10を作製した。そこに、予め精製して99.99体積%以上に高純度化したCF3I 1000gを封入した。次に、CF3Iに対して、CF3C≡Nを2体積ppm含ませた。
添加剤がエッチング特性に及ぼす影響について調査するため、CF3IとCF3C≡Nとの混合ガスを用いたエッチング試験を実施した。図2は、実施例・比較例で用いた反応装置20の概略図である。チャンバー21内には、ウエハを保持する機能を有し、ステージとしても機能する下部電極24と、上部電極25と、圧力計22が設置されている。また、チャンバー21上部には、ガス導入口26が接続されている。チャンバー21内は圧力を調整可能であると共に、高周波電源(13.56MHz)23によりドライエッチング剤を励起させることができる。これにより、下部電極24上に設置した試料28に対し励起させたドライエッチング剤を接触させ、試料28をエッチングすることができる。ドライエッチング剤を導入した状態で、高周波電源23から高周波電力を印加すると、プラズマ中のイオンと電子の移動速度の差から、上部電極25と下部電極24の間に自己バイアス電圧と呼ばれる直流電圧が発生させることができるように構成されている。チャンバー21内のガスはガス排出ライン27を経由して排出される。
つぎに、SiO2膜を有するシリコンウエハA上に付着した金属の量を測定した。測定においては、JIS K0160:2009に規定された方法を用いて測定した。即ち、ふっ化水素酸をプラスチック製ビーカーに入れてVPD(気相分解)容器と呼ばれるPFA(ペルフルオロアルコキシフッ素樹脂)製の容器内に置き,エッチング後のSiO2成膜ウエハをVPD容器内に設置したウェーハスタンドに置いた。次に、VPD容器を閉じ、ふっ化水素酸蒸気で前記ウエハ上の酸化膜を10分間分解した。酸化物を分解した後のウエハの表面に、100μLの走査溶液(超純水)を滴下し、ウエハの表面全体を走査した。走査後,走査した液滴全体を乾燥し、再び超純水で溶解したのち、ICP−MS(誘導結合プラズマ質量分析計)で分析した。得られた分析値は溶解液量と、ウエハの表面積から、ウエハ1cm2あたりの金属原子数に換算した。その結果、鉄の分析値は、6.5×1011atms/cm2であった。
前述のエッチング試験を行ったのち、ウエハA〜Cを一度取り出し、エッチング形状評価用のウエハDを、ステージ上に設置した。ウエハDは、シリコンウエハ上に膜厚200nmのSiO2膜を成膜したのち、直径100nmの円形のホール状の開口部を有したフォトレジスト膜300nmを塗布して得られる。エッチング試験の項目に記載した方法で、5分間のエッチングを行ったのち、断面SEM写真を撮影し、そのエッチング形状を観察した。その結果、肩落ちやボウイングといったエッチング形状異常のない、エッチングができていることを確認した。
CF3IにCF3C≡Nを加えて得られた、CF3C≡Nの含有量25体積ppmのCF3Iを使用した以外は実施例1と同じ条件で保存試験サンプルを作製した。また、エッチング試験も実施例1と同様に行った。エッチング形状についても実施例1と同様に評価したところ、肩落ちやボウイングといったエッチング形状異常のない、エッチングができていることを確認した。
CF3IにCF3C≡Nを加えて得られた、CF3C≡Nの含有量129体積ppmのCF3Iを使用した以外は実施例1と同じ条件で保存試験サンプルを作製した。また、エッチング試験も実施例1と同様に行った。エッチング形状についても実施例1と同様に評価したところ、肩落ちやボウイングといったエッチング形状異常のない、エッチングができていることを確認した。
CF3IにCF3C≡Nを加えて得られた、CF3C≡Nの含有量1231体積ppm(約0.1体積%)のCF3Iを使用した以外は実施例1と同じ条件で保存試験サンプルを作製した。また、エッチング試験も実施例1と同様に行った。エッチング形状についても実施例1と同様に評価したところ、肩落ちやボウイングといったエッチング形状異常のない、エッチングができていることを確認した。
CF3IにCF3C≡Nを加えて得られた、CF3C≡Nの含有量7927体積ppm(約0.8体積%)のCF3Iを使用した以外は実施例1と同じ条件で保存試験サンプルを作製した。また、エッチング試験も実施例1と同様に行った。エッチング形状についても実施例1と同様に評価したところ、肩落ちやボウイングといったエッチング形状異常のない、エッチングができていることを確認した。
CF3IにCF3C≡Nを加えて得られた、CF3C≡Nの含有量9328体積ppm(約0.9体積%)のCF3Iを使用した以外は実施例1と同じ条件で保存試験サンプルを作製した。また、エッチング試験も実施例1と同様に行った。エッチング形状についても実施例1と同様に評価したところ、肩落ちやボウイングといったエッチング形状異常のない、エッチングができていることを確認した。
CF3IにCF3CF2C≡Nを加えて得られた、CF3CF2C≡Nの含有量235体積ppmのCF3Iを使用した以外は実施例1と同じ条件で保存試験サンプルを作製した。また、エッチング試験も実施例1と同様に行った。エッチング形状についても実施例1と同様に評価したところ、肩落ちやボウイングといったエッチング形状異常のない、エッチングができていることを確認した。
精製して得られた、CF3C≡Nの含有量0.1体積ppm未満のCF3Iを使用した以外は実施例1と同じ条件で保存試験サンプルを作製した。また、エッチング試験も実施例1と同様に行った。エッチング形状についても実施例1と同様に評価したところ、肩落ちやボウイングといったエッチング形状異常のない、エッチングができていることを確認した。
CF3IにCF3C≡Nを加えて得られた、CF3C≡Nの含有量25936体積ppm(約2.6体積%)のCF3Iを使用した以外は実施例1と同じ条件で保存試験サンプルを作製した。また、エッチング試験も実施例1と同様に行った。エッチング形状についても実施例1と同様に評価したところ、肩落ちやボウイングといったエッチング形状異常はなかったが、SiO2/PR選択比の低下にともない、フォトレジストのエッチング量が実施例1から6に比べて多かった。
CF3IにCF3C≡Nを加えて得られた、CF3C≡Nの含有量111608体積ppm(約11体積%)のCF3Iを使用した以外は実施例1と同じ条件で保存試験サンプルを作製した。また、エッチング試験も実施例1と同様に行った。エッチング形状についても実施例1と同様に評価したところ、ボウイングはなかったが、SiO2/PR選択比の低下にともない、フォトレジストのエッチング量が実施例1から6に比べて大幅に増加し、一部のパターンにおいて、肩落ちが見られた。
CF3C≡Nの代わりにCF3C≡CHを28体積ppm含むCF3Iを使用した以外は実施例1と同じ条件で試験を実施した。また、エッチング試験も実施例1と同様に行った。エッチング形状についても実施例1と同様に評価したところ、肩落ちやボウイングといったエッチング形状異常のない、エッチングができていることを確認した。
CF3C≡Nの代わりに、フッ素を含まないCH3C≡Nを8523体積ppm含むCF3Iを使用した以外は実施例1と同じ条件で試験を実施した。また、エッチング試験も実施例1と同様に行った。エッチング形状についても実施例1と同様に評価したところ、肩落ちやボウイングといったエッチング形状異常はなかったが、SiO2/PR選択比の低下にともない、フォトレジストのエッチング量が実施例1から6に比べて多かった。
11: テストピース
12: バルブ
13: 蓋
14: 耐圧容器
20: 反応装置
21: チャンバー
22: 圧力計
23: 高周波電源
24: 下部電極
25: 上部電極
26: ガス導入口
27: ガス排出ライン
28: 試料
Claims (9)
- ドライエッチング剤をプラズマ化する工程と、
プラズマ化したドライエッチング剤を用いて、シリコン酸化物又はシリコン窒化物をエッチングする工程と、を有し、
前記ドライエッチング剤が、CF3Iと、炭素数2又は3の含フッ素直鎖ニトリル化合物とを、CF3Iに対する前記含フッ素直鎖ニトリル化合物の濃度が1体積ppm以上1体積%以下で含む、ドライエッチング方法。 - 前記炭素数2又は3含フッ素直鎖ニトリル化合物が、CF3C≡N又はCF3CF2C≡Nであることを特徴とする請求項1に記載のドライエッチング方法。
- 前記エッチング剤が添加ガスを含み、
前記添加ガスが、O2、O3、CO、CO2、COCl2、COF2、CF2(OF)2、CF3OF、NO2、NO、F2、NF3、Cl2、Br2、I2、及びYFn(式中YはCl、Br、または、Iを示しnは整数を表し、1≦n≦7である。)からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスであることを特徴とする請求項1又は2に記載のドライエッチング方法。 - 前記エッチング剤が添加ガスを含み、
前記添加ガスが、H2、HF、HI、HBr、HCl、NH3、CF4、CF3H、CF2H2、CFH3、C2F6、C2F4H2、C2F5H、C3F8、C3F7H、C3F6H2、C3F5H3、C3F4H4、C3F3H5、C3F5H、C3F3H、C3ClF3H、C4F8、C4F6、C5F8、C5F10、C3F6、C3HF5、C3H2F4、及び、C3H3F3からなる群から選ばれる少なくとも1種のガスであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のドライエッチング方法。 - さらに、前記ドライエッチング剤が不活性ガスを含み、
前記不活性ガスがN2、He、Ar、Ne、Kr及びXeからなる群より選ばれることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のドライエッチング方法。 - CF3Iと、炭素数2又は3の含フッ素直鎖ニトリル化合物とを、CF3Iに対する前記含フッ素直鎖ニトリル化合物の濃度が1体積ppm以上1体積%以下で含むドライエッチング剤。
- 請求項6に記載のドライエッチング剤が充填され密閉された保存容器。
- CF3Iと、炭素数2又は3の含フッ素直鎖ニトリル化合物とを、CF3Iに対する前記含フッ素直鎖ニトリル化合物の濃度が1体積ppm以上1体積%以下で含む混合物が、充填され密閉された保存容器。
- 前記保存容器の材質が、マンガン鋼又はステンレス鋼であることを特徴とする請求項7又は8に記載の保存容器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023187736A JP2024016143A (ja) | 2019-01-23 | 2023-11-01 | ドライエッチング方法、ドライエッチング剤、及びその保存容器 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019008990 | 2019-01-23 | ||
JP2019008990 | 2019-01-23 | ||
PCT/JP2019/049999 WO2020153066A1 (ja) | 2019-01-23 | 2019-12-20 | ドライエッチング方法、ドライエッチング剤、及びその保存容器 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023187736A Division JP2024016143A (ja) | 2019-01-23 | 2023-11-01 | ドライエッチング方法、ドライエッチング剤、及びその保存容器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020153066A1 true JPWO2020153066A1 (ja) | 2021-12-02 |
Family
ID=71735737
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020567430A Pending JPWO2020153066A1 (ja) | 2019-01-23 | 2019-12-20 | ドライエッチング方法、ドライエッチング剤、及びその保存容器 |
JP2023187736A Pending JP2024016143A (ja) | 2019-01-23 | 2023-11-01 | ドライエッチング方法、ドライエッチング剤、及びその保存容器 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023187736A Pending JP2024016143A (ja) | 2019-01-23 | 2023-11-01 | ドライエッチング方法、ドライエッチング剤、及びその保存容器 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220115240A1 (ja) |
JP (2) | JPWO2020153066A1 (ja) |
KR (1) | KR20210114509A (ja) |
CN (1) | CN113330539A (ja) |
SG (1) | SG11202107622UA (ja) |
TW (1) | TWI824098B (ja) |
WO (1) | WO2020153066A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6956288B2 (ja) * | 2020-04-30 | 2021-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、プラズマ処理装置、及びエッチングガス組成物 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20170110336A1 (en) * | 2016-12-31 | 2017-04-20 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges CLuadeq | Methods for minimizing sidewall damage during low k etch processes |
WO2017159544A1 (ja) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | 日本ゼオン株式会社 | ドライエッチング用組成物およびドライエッチング用組成物充填済み容器 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3336975B2 (ja) | 1998-03-27 | 2002-10-21 | 日本電気株式会社 | 基板処理方法 |
CN1930415A (zh) * | 2004-03-10 | 2007-03-14 | 大见忠弘 | 气体制造设备、气体供给容器及电子器件制造用气体 |
US6977316B1 (en) | 2004-12-08 | 2005-12-20 | Honeywell International Inc. | Direct one-step synthesis of trifluoromethyl iodide |
JP4826235B2 (ja) * | 2005-12-01 | 2011-11-30 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 半導体表面処理剤 |
US20080191163A1 (en) * | 2007-02-09 | 2008-08-14 | Mocella Michael T | Laser-Assisted Etching Using Gas Compositions Comprising Unsaturated Fluorocarbons |
JP2009123866A (ja) | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法、および被エッチング膜の加工方法 |
KR101970858B1 (ko) * | 2012-03-14 | 2019-04-19 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물 및 반도체 기판의 제조 방법 |
US9659788B2 (en) * | 2015-08-31 | 2017-05-23 | American Air Liquide, Inc. | Nitrogen-containing compounds for etching semiconductor structures |
US10607850B2 (en) * | 2016-12-30 | 2020-03-31 | American Air Liquide, Inc. | Iodine-containing compounds for etching semiconductor structures |
US10347498B2 (en) * | 2016-12-31 | 2019-07-09 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Methods of minimizing plasma-induced sidewall damage during low K etch processes |
-
2019
- 2019-12-20 KR KR1020217026264A patent/KR20210114509A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-12-20 SG SG11202107622UA patent/SG11202107622UA/en unknown
- 2019-12-20 CN CN201980090097.0A patent/CN113330539A/zh active Pending
- 2019-12-20 WO PCT/JP2019/049999 patent/WO2020153066A1/ja active Application Filing
- 2019-12-20 JP JP2020567430A patent/JPWO2020153066A1/ja active Pending
- 2019-12-20 US US17/424,211 patent/US20220115240A1/en active Pending
-
2020
- 2020-01-09 TW TW109100724A patent/TWI824098B/zh active
-
2023
- 2023-11-01 JP JP2023187736A patent/JP2024016143A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017159544A1 (ja) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | 日本ゼオン株式会社 | ドライエッチング用組成物およびドライエッチング用組成物充填済み容器 |
US20170110336A1 (en) * | 2016-12-31 | 2017-04-20 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges CLuadeq | Methods for minimizing sidewall damage during low k etch processes |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202037759A (zh) | 2020-10-16 |
CN113330539A (zh) | 2021-08-31 |
SG11202107622UA (en) | 2021-08-30 |
US20220115240A1 (en) | 2022-04-14 |
TWI824098B (zh) | 2023-12-01 |
KR20210114509A (ko) | 2021-09-23 |
JP2024016143A (ja) | 2024-02-06 |
WO2020153066A1 (ja) | 2020-07-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6997237B2 (ja) | 3d nandフラッシュメモリを製造する方法 | |
JP7227135B2 (ja) | 半導体構造エッチング用ヨウ素含有化合物 | |
JP6871233B2 (ja) | シリコン含有膜をエッチングするための方法 | |
US9728422B2 (en) | Dry etching method | |
US4465552A (en) | Method of selectively etching silicon dioxide with SF6 /nitriding component gas | |
CN111052318A (zh) | 用于蚀刻多个堆叠层的化学过程 | |
JP2021503172A (ja) | 3d nand及びdram応用のための−nh2官能基を含有するヒドロフルオロカーボン | |
JP6788177B2 (ja) | ドライエッチング方法、ドライエッチング剤及び半導体装置の製造方法 | |
JP6544215B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
JP2024016143A (ja) | ドライエッチング方法、ドライエッチング剤、及びその保存容器 | |
WO2012124726A1 (ja) | エッチングガスおよびエッチング方法 | |
EP1042799A1 (en) | Hydrofluorocarbon etching compounds with reduced global warming impact | |
WO2020195559A1 (ja) | ドライエッチング方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
CN110036460B (zh) | 干式蚀刻剂组合物及干式蚀刻方法 | |
TW201715020A (zh) | 乾式蝕刻方法及乾式蝕刻劑 | |
JP2009266884A (ja) | プラズマ成膜装置のクリーニング方法 | |
WO2023234305A1 (ja) | エッチング方法 | |
WO2023074511A1 (ja) | エッチングガス及びそれを用いたエッチング方法 | |
WO2018230373A1 (ja) | プラズマ処理装置のシーズニング方法及びプラズマエッチング方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220914 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230509 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230705 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20230705 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20230816 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231101 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20231110 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20231201 |