JPWO2020137819A5

JPWO2020137819A5 -

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Publication number: JPWO2020137819A5
Application number: JP2020563173A
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Filing date: 2019-12-19
Publication date: 2022-11-16

Description

炭化水素基としては、直鎖または分岐のアルキル基、直鎖または分岐のアルケニル基、直鎖または分岐のアルキニル基、水素原子がアルキル基で置換してもよいベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環等が挙げられ、炭素数が好ましくは１～１８、より好ましくは１～１０である。具体的には、直鎖または分岐のアルキル基としては、特に限定されないが、例えば、メチル基、ベンジル基、α，α－ジメチルベンジル基、エタン－１－イル基、プロパン－１－イル基、１－メチルエタン－１－イル基、ブタン－１－イル基、ブタン－２－イル基、２－メチルプロパン－１－イル基、２－メチルプロパン－２－イル基、ペンタン－１－イル基、ペンタン－２－イル基、ヘキサン－１－イル基、ヘプタン－１－イル基、オクタン－１－イル基、１，１，３，３－テトラメチルブタン－１－イル基、ノナン－１－イル基、デカン－１－イル基、ウンデカン－１－イル基、ドデカン－１－イル基、トリデカン－１－イル基、テトラデカン－１－イル基、ペンタデカン－１－イル基、ヘキサデカン－１－イル基、ヘプタデカン－１－イル基、オクタデカン－１－イル基等が挙げられる。直鎖または分岐のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロパ－１－エン－１－イル基、アリル基、イソプロペニル基、ブタ－１－エン－１－イル基、ブタ－２－エン－１－イル基、ブタ－３－エン－１－イル基、２－メチルプロパ－２－エン－１－イル基、１－メチルプロパ－２－エン－１－イル基、ペンタ－１－エン－１－イル基、ペンタ－２－エン－１－イル基、ペンタ－３－エン－１－イル基、ペンタ－４－エン－１－イル基、３－メチルブタ－２－エン－１－イル基、３－メチルブタ－３－エン－１－イル基、ヘキサ－１－エン－１－イル基、ヘキサ－２－エン－１－イル基、ヘキサ－３－エン－１－イル基、ヘキサ－４－エン－１－イル基、ヘキサ－５－エン－１－イル基、４－メチルペンタ－３－エン－１－イル基、ヘプタ－１－エン－１－イル基、ヘプタ－６－エン－１－イル基、オクタ－１－エン－１－イル基、オクタ－７－エン－１－イル基、ノナ－１－エン－１－イル基、ノナ－８－エン－１－イル基、デカ－１－エン－１－イル基、デカ－９－エン－１－イル基、ウンデカ－１－エン－１－イル基、ウンデカ－１０－エン－１－イル基、ドデカ－１－エン－１－イル基、ドデカ－１１－エン－１－イル基、トリデカ－１－エン－１－イル基、トリデカ－１２－エン－１－イル基、テトラデカ－１－エン－１－イル基、テトラデカ－１３－エン－１－イル基、ペンタデカ－１－エン－１－イル基、ペンタデカ－１４－エン－１－イル基、ヘキサデカ－１－エン－１－イル基、ヘキサデカ－１５－エン－１－イル基、ヘプタデカ－１－エン－１－イル基、ヘプタデカ－１６－エン－１－イル基、オクタデカ－１－エン－１－イル基、オクタデカ－９－エン－１－イル基、オクタデカ－１７－エン－１－イル基等が挙げられる。直鎖または分岐のアルキニル基としては、例えば、エチニル、プロパ－１－イン－１－イル基、プロパ－２－イン－１－イル基、ブタ－１－イン－１－イル基、ブタ－３－イン－１－イル基、１－メチルプロパ－２－イン－１－イル基、ペンタ－１－イン－１－イル基、ペンタ－４－イン－１－イル基、ヘキサ－１－イン－１－イル基、ヘキサ－５－イン－１－イル基、ヘプタ－１－イン－１－イル基、ヘプタ－６－イン－１－イル基、オクタ－１－イン－１－イル基、オクタ－７－イン－１－イル基、ノナ－１－イン－１－イル基、ノナ－８－イン－１－イル基、デカ－１－イン－１－イル基、デカ－９－イン－１－イル基、ウンデカ－１－イン－１－イル基、ウンデカ－１０－イン－１－イル基、ドデカ－１－イン－１－イル基、ドデカ－１１－イン－１－イル基、トリデカ－１－イン－１－イル基、トリデカ－１２－イン－１－イル基、テトラデカ－１－イン－１－イル基、テトラデカ－１３－イン－１－イル基、ペンタデカ－１－イン－１－イル基、ペンタデカ－１４－イン－１－イル基、ヘキサデカ－１－イン－１－イル基、ヘキサデカ－１５－イン－１－イル基、ヘプタデカ－１－イン－１－イル基、ヘプタデカ－１６－イン－１－イル基、オクタデカ－１－イン－１－イル基、オクタデカ－１７－イン－１－イル基等が挙げられる。これらの中でも、炭素数１～１８の直鎖または分岐のアルキル基が好ましく、炭素数１～１０の直鎖または分岐のアルキル基がより好ましい。また、それらの炭化水素基の水素原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子と置換してもよい。
芳香族基は、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環等の芳香環を含み、炭素数が好ましくは６～１８、より好ましくは６～１４である。１価の芳香族基としては、特に限定されないが、例えば、フェニル基、２－メチルフェニル基、３－メチルフェニル基、４－メチルフェニル基、２，４－ジメチルフェニル基、２，５－ジメチルフェニル基、３，４－ジメチルフェニル基、３，５－ジメチルフェニル基、２，４，５－トリメチルフェニル基、２，４，６－トリメチルフェニル基、４－ビフェニル基、２－メトキシフェニル基、３－メトキシフェニル基、４－メトキシフェニル基、２－エトキシフェニル基、３－エトキシフェニル基、４－エトキシフェニル基、２－クロロフェニル基、２－フルオロフェニル基、４－フルオロフェニル基、２－トリフルオロメチルフェニル基、４－トリフルオロメチルフェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、１－アントラセニル基、２－アントラセニル基、９－アントラセニル基等が挙げられる。２価の芳香族基としては、特に限定されないが、例えば、１，４－フェニレン基、１，３－フェニレン基、１，２－フェニレン基、１，８－ナフチレン基、２，７－ナフチレン基、２，６－ナフチレン基、１，４－ナフチレン基、１，３－ナフチレン基、９，１０－アントラセニレン基、１，８－アントラセニレン基、２，７－アントラセニレン基、２，６－アントラセニレン基、１，４－アントラセニレン基、１，３－アントラセニレン基等が挙げられる。

酸素含有基は、芳香環基または脂環式基を含む場合には炭素数が好ましくは６～１８、より好ましくは６～１４であり、さらに好ましくは６～１２、芳香環基または脂環式基を含まない場合には炭素数が好ましくは０～１８である。酸素含有基としては、特に限定されないが、例えば、ヒドロキシ基、アルコキシ基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｉｓｏ－ブトキシ基、ｔ－ブトキシ基、ｓｅｃ－ペンチルオキシ基、ｉｓｏ－ペンチルオキシ基、ｔ－ペンチルオキシ基、１－ヘキシルオキシ基、２－ヘキシルオキシ基、３－ヘキシルオキシ基、１－ヘプチルオキシ基、２－ヘプチルオキシ基、３－ヘプチルオキシ基、４－ヘプチルオキシ基、１－オクチルオキシ基、２－オクチルオキシ基、３－オクチルオキシ基、４－オクチルオキシ基、１－ノニルオキシ基、２－ノニルオキシ基、３－ノニルオキシ基、４－ノニルオキシ基、５－ノニルオキシ基、１－デシルオキシ基、２－デシルオキシ基、３－デシルオキシ基、４－デシルオキシ基、５－デシルオキシ基、１－ウンデシルオキシ基、１－ドデシルオキシ基、１－トリデシルオキシ基、１－テトラデシルオキシ基、１－ペンタデシルオキシ基、１－ヘキサデシルオキシ基、１－ヘプタデシルオキシ基、１－オクタデシルオキシ基、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、ナフトキシ基、フェニルメトキシ基、フェニルエトキシ基、アセトキシ基、アセチル基、アルデヒド基、カルボキシ基、尿素基、ウレタン基、アミド基、イミド基、エーテル基、カルボニル基、エステル基、オキサゾール基、モルホリン基、カルバメート基、カルバモイル基、ポリオキシエチレン基等が挙げられる。これらの中でもヒドロキシ基、炭素数１～１８のアルコキシ基、炭素数１～１８のエーテル基、炭素数１～１８のエステル基、炭素数１～２０のポリオキシエチレン基が好ましい。

（式（２）で表される、チオシクロヘキシル環基（－Ｓ－Ｃｙ－…）を有する２－フェニルベンゾトリアゾール誘導体）
式（２）におけるｍ個のＲ^1bの組み合わせのうち好ましい例を挙げると次のとおりである。
エ－１ｍ＝０で、Ｃｙに置換基Ｒ^1bはなく、ＣｙにおけるＲ^1bに置換し得る部分はすべて水素原子である。
エ－２ｍ個のＲ^1bは、それぞれ独立に炭素数１～１８の炭化水素基であり、炭化水素基は、好ましくは炭素数１～１８の直鎖または分岐のアルキル基であり、ｍ＝１～５である。
エ－３エ－２において、ｍ＝１～３である。
エ－４エ－３において、Ｒ^1bは、それぞれ独立に少なくとも一つは炭素数３～８の分岐アルキル基である。
エ－５エ－３において、ｍ＝１で、Ｒ^1bは、炭素数１～１８（好ましくは炭素数１～１０）の直鎖または分岐のアルキル基である。
エ－６エ－５において、ｍ＝１で、Ｒ^1bは、炭素数１～１０の直鎖または分岐のアルキル基であり、当該アルキル基は、好ましくは炭素数１～８、より好ましくは炭素数２～８、さらに好ましくは炭素数３～８、一層好ましくは炭素数３～５、特に好ましくは炭素数４～５、ことさら好ましくは炭素数４である。
エ－７エ－２～６のいずれかにおいて、ＰｈＢｚＴ^1b－Ｓ－に対してＲ^1bの少なくとも一つはパラ位に有する。
エ－８エ－３において、ｍ＝２で、Ｒ^1bは、それぞれ独立に炭素数１～１８（好ましくは炭素数１～１０）の直鎖または分岐のアルキル基である。
エ－９エ－８において、ｍ＝２で、Ｒ^1bは、それぞれ独立に炭素数１～１０の直鎖または分岐のアルキル基であり、当該アルキル基の各炭素数は、好ましくは１～５、より好ましくは１～４、さらに好ましくは炭素数１であり、および／またはアルキル基の総炭素数は、好ましくは２～１２、より好ましくは２～１０、さらに好ましくは２～５、特に好ましくは２である。
エ－１０エ－８、９のいずれかにおいて、ＰｈＢｚＴ^1b－Ｓ－に対してｍ＝２のＲ^1bはオルト、パラ位もしくはオルト、メタ位に有する。
エ－１１エ－２からエ－１０のいずれかにおいて、Ｒ^1bは、三級炭素および／または四級炭素を有する炭化水素基であり、好ましくは分岐のアルキル基である。
エ－１２エ－１において、ｍ個のＲ^1bは、それぞれ独立に炭素数１～１８の直鎖または分岐のアルキル基を持つアルコキシ基であり、好ましくは炭素数１～８の直鎖のアルキル基を持つアルコキシ基、より好ましくは炭素数１～４の直鎖のアルキル基を持つアルコキシ基である。また、好ましくはｍ＝１～３、より好ましくはｍ＝１～２、特に好ましくはｍ＝１である。
エ－１３エ－１２において、ｍ＝１であり、アルコキシ基はＰｈＢｚＴ^1b－Ｓ－に対してメタ位に有する
エ－１４エ－１において、ｍ個のＲ^1bはヒドロキシ基であり、好ましくはｍ＝１～３、より好ましくはｍ＝１～２、特に好ましくはｍ＝１である。
エ－１５エ－１４において、ｍ＝１で、ヒドロキシ基はＰｈＢｚＴ^1b－Ｓ－に対してパラ位に有する。

本発明の紫外線吸収剤は、上記に挙げた耐熱性の点での変色や重量減少の好ましい各水準と、上記の透過率の差が３８０、３９０、４００ｎｍにおいて、少なくともいずれかが６％以下、より好ましくは、いずれの波長も６％以下、さらに好ましくは、いずれも４％以下、一層好ましくは、いずれも２％以下とする耐光性を組み合わせた耐久性に優れたものが好適に使用できる。このような例も包含する本発明の一態様における紫外線吸収剤は、耐光性に優れ長期の使用において紫外線に暴露しても劣化せず、長期間に渡って紫外線吸収能を発揮し、さらには有機樹脂の劣化を抑制する。また、耐熱性にも優れ、本発明の高耐光性紫外線吸収剤を添加した有機材料、無機材料などを製造、加工、または粉砕（微粒子化）、分散する際、さらに加工後、実使用する際に長時間（一定時間一定温度）で高温環境に置かれたり、変色や重量減少率が少ない。このように本発明の一態様では製造から使用時において、ブリードアウトせず、紫外線吸収能を保持し、耐光性、耐熱性、耐久性に優れ、さらには、有機及び無機材料と親和性（密着性）がよく、外観に優れた部材、有機、無機材料が得られることができる紫外線吸収剤が提供される。

本発明の紫外線吸収剤を含む有機樹脂組成物の耐熱性、つまり長時間（一定時間一定温度）で加熱した際の透過率の減少の観点から、有機樹脂としては、熱可塑性樹脂（重合体、共重合体）および熱硬化性樹脂（重合体、共重合体）が好ましい。特に限定されないが、例えば、熱可塑性樹脂の重合体の中でも、（メタ）アクリル系樹脂（ポリメタクリル酸メチル樹脂）、エステル系樹脂（ポリエチレンテレフタレート）、ポリカーボネート系樹脂（ポリカーボネート）、スチレン系樹脂（ポリスチレン）が好ましく、熱可塑性樹脂の共重合体の中でも、アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン系共重合体（アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン共重合体）が好ましい。熱硬化性樹脂の重合体の中でも、尿素系樹脂（尿素樹脂）、メラミン系樹脂（メラミン樹脂）が好ましい。熱硬化性樹脂の共重合体の中でも、アクリルメラミン系樹脂（アクリルメラミン樹脂）があげられる。より好ましくは熱可塑性樹脂の重合体と熱硬化性樹脂の共重合体を用いることができる。特に熱可塑性樹脂が好ましく、例えば、ポリカーボネート系樹脂（ポリカーボネート）、（メタ）アクリル系樹脂（ポリメタクリル酸メチル樹脂）が使用できる。

無機材料としては、特に限定されないが、例えば、ゾルゲル法によるシリカ質材料、ガラス、水ガラス、低融点ガラス、石英、シリコン樹脂、アルコキシシラン、シランカップリング剤、金属、金属酸化物、鉱物、無機化合物等が挙げられる。ガラスとしては、特に限定されないが、例えば、酸化珪素、無アルカリガラス、ソーダガラス等が挙げられる。
水ガラスとしては、特に限定されないが、水溶性アルカリ金属塩の水溶液、例えば、珪酸ソーダ、珪酸カリウム等が挙げられる。低融点ガラスとしては、特に限定されないが、例えば、主成分として酸化鉛（ＰｂＯ）と無水ほう酸（Ｂ₂Ｏ₃）とを含むガラス等が挙げられる。シリコン樹脂としては、特に限定されないが、例えば、メチルシリコン樹脂、メチルフェニルシリコン樹脂、およびエポキシ樹脂、アルキッド樹脂、ポリエステル樹脂等で変性された有機樹脂変性シリコン樹脂等が挙げられる。アルコキシシランとしては、例えば、ジメチルジメトキシシラン、メチルフェニルジメトキシシラン、メチルビニルジメトキシシラン、３－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３，３，３－トリフロロプロピルメチルジメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。シランカップリング剤としては、特に限定されないが、例えば、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－イソシアネートプロピルトリエトキシシランＮ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－トリエトキシシリル－Ｎ－（１，３－ジメチル－ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、３－イソシアネートプロピルエトキシシラン等が挙げられる。金属としては、特に限定されないが、例えば、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｇａ、Ｃｅ、Ｖ、Ｐ、Ｓｂ等が挙げられる。金属酸化物としては、特に限定されないが、例えば、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化セリウム、酸化鉄、酸化錫、酸化インジウム、酸化アンチモン等が挙げられる。鉱物としては、例えばスメクタイト、ベントナイト、ヘクトライト、モンモリロナイト等が挙げられる。

上記紫外線吸収剤a、bにおける(2)組成物において、任意成分として、特に限定されないが、酸化防止剤、耐熱安定剤、耐候安定剤、光安定化剤、顔料、染料、充填剤、可塑剤、帯電防止剤、核剤、湿潤剤、防腐剤、防カビ剤、消泡剤、安定化剤、抗酸化剤、キレート剤等の添加剤、水、有機溶媒等の溶媒を含んでいてもよい。

上記紫外線遮蔽膜を有するガラスは、ＣＩＥ標準のＣ光源からの透過光がＬ^*ａ^*ｂ^*表色系により表示して、－１５以上０以下のａ^*と１２以下のｂ^*とを有しうる。ａ^*は－１２以上－７以下、例えば－９以上－８以下であってもよく、ｂ^*は１０以下、例えば５～１０であってもよい。また、上記紫外線遮蔽膜を有するガラスは、ＣＩＥ標準のＣ光源についての透過光の日本工業規格（ＪＩＳ）Ｋ７３７３：２００６に規定された黄色度ＹＩが１４以下でありうる。黄色度ＹＩは１０以下、さらには８以下であってもよい。また、上記紫外線遮蔽膜を有するガラスは、ＣＩＥ標準のＣ光源についての透過光の主波長は、５６０ｎｍ以下でありうる。主波長は、５５５ｎｍ以下、例えば５５０～５５５ｎｍの範囲にあってもよい。上記紫外線遮蔽膜を有するガラスは、ＪＩＳＴ７３３０の青色光障害関数に基づくブルーライトのカット率は、４１％以下、好ましくは３７％以下、特に好ましくは３６％以下でありうる。ここでブルーライトカット率としては、太陽光の青色光による網膜損傷に関する実効放射強度（以下、太陽光の実効放射強度）に対する、ガラスを透過させることにより減少した当該実効放射強度の比、を百分率で表示した値として定義することができる。具体的には、以下の方法で求めることができる。ＪＩＳＴ７３３０：２０００の付属書Ａに記載の青色光障害関数に関する重み関数について波長３８０～５５０ｎｍをまで和分し、太陽光の実効放射強度を求める。つぎに上記波長域の各波長におけるガラスの分光透過率と重み関数の積の総和をとり、当該ガラスを透過した光の当該実効放射強度（以下、透過光の実効放射強度）を求める。透過光の実効放射強度の、太陽光の実効放射強度に対する比をとり、その値を１から減算して百分率に換算することができる。

また、モル吸光係数は、３５０～３９０ｎｍの波長領域の吸収ピーク（最大吸収波長：λ _max）の吸光度を読み取り、下記式で求めた（表４）。
モル吸光係数：ε _max（L/(mol・cm）＝Ａ：吸光度／[ｃ：モル濃度（mol/L）×l：セルの光路長（cm）]

表６より、本発明の化合物１，２，６，９，１７を含む熱可塑性樹脂／重合体の（メタ）アクリル系樹脂のポリメタクリル酸メチル樹脂フィルム、エステル系樹脂のポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリカーボネート系樹脂のポリカーボネートフィルム、スチレン系樹脂のポリスチレンフィルム、熱可塑性樹脂／共重合体のアクリロニトリル－ブタジエン－スチレン系共重合体のＡＢＳ樹脂フィルム、熱硬化性樹脂／重合体の尿素系樹脂の尿素樹脂フィルム、メラミン系樹脂のメラミン樹脂フィルムの溶出量は１０．０ｗｔ％以下で、試験後、酷く外観を損なうことなく、良好な結果であった。さらに、熱可塑性樹脂／重合体の中でもポリメタクリル酸メチル樹脂フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリカーボネート、熱硬化性樹脂／重合体の中でも尿素樹脂フィルムは１．０ｗｔ％未満で特に良好な結果が得られた。一方で、熱硬化性樹脂／共重合体のアクリルメラミン樹脂フィルムは、試験後のフィルムは白濁し、９５％以上の溶出量が確認された。

７．無機材料（ガラス質）の紫外線遮蔽膜を含むガラスの耐光性評価
<１>耐光性評価サンプルの作製
本発明の紫外線吸収剤である化合物２、６、７、９、１６、１９、２１および比較例２の化合物２２（TINUVIN360、2,2'-メチレンビス[6-(ベンゾトリアゾール-2-イル)-4-tert-オクチルフェノール] 、チバスペシャリティケミカルズ株式会社製）は、ペイントコンディショナーを用い、ジルコニアビーズと共に混合して粉砕して平均粒径１００ｎｍの微粒子とした。この紫外線吸収剤微粒子１０質量％の水分散液と純水、エチルアルコール、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、シランカップリング剤であるグリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＧＰＴＭＳ；３－グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン）、ポリオール化合物であるトリエチレングリコール（ＴＥＧ）、ポリエーテル化合物であるポリエーテルリン酸エステル系ポリマー（日本ルーブリゾール製ソルスパース４１０００）、ＩＴＯ微粒子分散液（ＩＴＯ微粒子を４０質量％含むエチルアルコール溶液；三菱マテリアル製；平均粒径（公称）１００ｎｍ以下）、濃塩酸（３５質量％）を混合、攪拌し、紫外線遮蔽膜の膜形成溶液を得た。膜形成溶液は、各成分の濃度（含有率）が表１０の値となるように調製した。比較例３の化合物２３（Uvinul3050、2,2',4,4'-テトラヒドロキシベンゾフェノン、ＢＡＳＦジャパン株式会社製、）は、予めエチルアルコールに溶かして膜形成溶液に添加した。ＴＥＧ及びソルスパースは有機化合物Ｃに相当する。また、実施例によっては、有機化合物Ｃとして、ソルビトールポリグリシジルエーテル（ナガセケムテックス株式会社製デナコールＥＸ－６１４）を用いた。ソルビトールポリグリシジルエーテルは、ポリエポキシ化合物であり、膜中ではグリシジル基の反応によって生成したヒドロキシ基を有するポリオール化合物となる。ただし実施例５２～５４では、加熱乾燥工程におけるオーブンの温度を１８０℃として有機化合物Ａの融点よりも高くしたために、有機化合物Ａが溶解して膜に添加された。次いで、洗浄したソーダ石灰珪酸塩ガラス基板（市販のＵＶカットグリーンガラス１００×１００ｍｍ、厚さ３．１ｍｍ）上に、湿度３０％、室温下でこの形成溶液をフローコート法にて塗布した。そのまま室温で約５分程度乾燥した後、予め表１０のオーブン温度に昇温したオーブンに投入して１５分加熱し、その後冷却して、紫外線遮蔽膜を形成した。この加熱における、膜つきガラスの温度と紫外線吸収剤の融点の関係を表１０に示した。実施例４１～５１、５５、５６、比較例２は、膜つきガラスの温度が紫外線吸収剤の融点より低く、この加熱において、膜つきガラスの温度は紫外線吸収剤の融点を上回ることはなかった。なお、用いたＵＶカットグリーンガラスは、波長３８０ｎｍにおける光線透過率（Ｔ３８０）が４０％、波長５５０ｎｍにおける光線透過率（Ｔ５５０）が７７％である。このＵＶカットグリーンガラスは、Ｆｅ₂Ｏ₃に換算した全酸化鉄を０．９質量％程度含有している。実施例５２～５４は、加熱乾燥工程におけるオーブンの温度を１８０℃として紫外線吸収剤の融点よりも高くしたために、紫外線吸収剤が溶解して膜に添加された。比較例２は、エチルアルコール溶液として膜形成溶液に添加したため、紫外線吸収剤が溶解して膜に添加された。

Claims

次式（１）～（４）のいずれかで表わされるチオアリール環基またはチオシクロヘキシル環基を有する２－フェニルベンゾトリアゾール誘導体からなる高耐光性紫外線吸収剤。

（式中、ＰｈＢｚＴ^1aは置換基を有していてもよい、チオアリール環基（－Ｓ－Ｘ^1a－…）が結合した２－フェニルベンゾトリアゾール骨格を示し、Ｘ^1aはフェニル環またはナフチル環の残基を示し、ｌ個のＲ^1aはそれぞれ独立に炭素数１～１８の炭化水素基、炭素数１～１８のアルコキシ基、またはヒドロキシ基を示し、ｌは０～５の整数を示す。）

（式中、ＰｈＢｚＴ^1bは置換基を有していてもよい、チオシクロヘキシル環基（－Ｓ－Ｃｙ－…）が結合した２－フェニルベンゾトリアゾール骨格を示し、Ｃｙはシクロヘキシル環残基を示し、ｍ個のＲ^1bはそれぞれ独立に炭素数１～１８の炭化水素基、炭素数１～１８のアルコキシ基、またはヒドロキシ基を示し、ｍは０～５の整数を示す。）

（式中、ＰｈＢｚＴ^1cおよびＰｈＢｚＴ^2cはそれぞれ独立に置換基を有していてもよい、チオアリール環基（－Ｓ－Ａ^1c－Ｓ－）が結合した２－フェニルベンゾトリアゾール骨格を示し、Ａ^1cは次式：

（式中、Ｘ^1cとＸ^2cはそれぞれ独立にフェニル環またはナフチル環の残基を示し、ｎ個のＲ^1cとｐ個のＲ^2cはそれぞれ独立に炭素数１～１８の炭化水素基、炭素数１～１８のアルコキシ基、またはヒドロキシ基を示し、ｎとｐは０～４の整数を示し、Ａ^2cは芳香族基、不飽和基、窒素含有基、硫黄含有基、酸素含有基、リン含有基、脂環式基、およびハロゲン原子から選ばれる１価もしくは２価の基で、水素原子が置換されるか、両端の少なくともいずれかが中断されるか、または炭素－炭素結合が中断されていてもよい炭素数１～２０の２価の炭化水素基、２価の芳香族基、またはスルフィド基－Ｓ－を示し、ｑは０または１の整数を示す。）で表される基であるか、あるいはフェニル環またはナフチル環残基を示す。）

（式中、ＰｈＢｚＴ^1dおよびＰｈＢｚＴ^2dはそれぞれ独立に置換基を有していてもよい、ベンゾトリアゾール骨格のフェニル部位にチオアリール環基（－Ｓ－Ｘ^1d－…または－Ｓ－Ｘ^2d－…）が結合し、２位のフェニル骨格ＰｈにＡ^1dが結合した２－フェニルベンゾトリアゾール骨格を示し、Ｘ^1dとＸ^2dはそれぞれ独立にフェニル環またはナフチル環の残基を示し、ｒ個のＲ^1dとｓ個のＲ^2dはそれぞれ独立に炭素数１～１８の炭化水素基、炭素数１～１８のアルコキシ基、またはヒドロキシ基を示し、ｒとｓは０～５の整数を示す。Ａ^1dは芳香族基、不飽和基、窒素含有基、硫黄含有基、酸素含有基、リン含有基、脂環式基、およびハロゲン原子から選ばれる１価もしくは２価の基で、水素原子が置換されるか、両端の少なくともいずれかが中断されるか、または炭素－炭素結合が中断されていてもよい炭素数１～２０の２価の炭化水素基を示す。）
前記２－フェニルベンゾトリアゾール誘導体は、前記式（１）、（３）、（４）のいずれかで表わされるものであり、前記式（１）、（３）、（４）においてＸ^1a、Ｘ^1c、Ｘ^2c、Ｘ^1d、Ｘ^2dはフェニル環の残基を示し、ｌ、ｎ、ｐ、ｒ、ｓは０である、請求項１に記載の高耐光性紫外線吸収剤。
前記２－フェニルベンゾトリアゾール誘導体は、前記式（１）、（３）のいずれかで表わされるものであり、前記式（１）、（３）においてＸ^1a、Ｘ^1c、Ｘ^2cはフェニル環の残基を示し、ｌ、ｎ、ｐは０であり、２－フェニルベンゾトリアゾール骨格のうちベンゾトリアゾール骨格におけるフェニル部位にチオアリール環基を有し、かつ２位のフェニル骨格Ｐｈにヒドロキシ基、メチル基を有する、請求項２に記載の高耐光性紫外線吸収剤。
前記２－フェニルベンゾトリアゾール誘導体は、前記式（１）、（３）、（４）のいずれかで表わされるものであり、前記式（１）、（３）、（４）においてＸ^1a、Ｘ^1c、Ｘ^2c、Ｘ^1d、Ｘ^2dはフェニル環の残基を示し、ｌ、ｎ、ｐ、ｒ、ｓ個のＲ^1a、Ｒ^1c、Ｒ^2c、Ｒ^1d、Ｒ^2dはそれぞれ独立に炭素数１～１８の炭化水素基を示し、ｌ、ｎ、ｐ、ｒ、ｓは１～５の整数を示す、請求項１に記載の高耐光性紫外線吸収剤。
前記式（１）、（３）、（４）においてＸ^1a、Ｘ^1c、Ｘ^2c、Ｘ^1d、Ｘ^2dはフェニル環の残基を示し、ｌ、ｎ、ｐ、ｒ、ｓ個のＲ^1a、Ｒ^1c、Ｒ^2c、Ｒ^1d、Ｒ^2dはそれぞれ独立に少なくとも一つは炭素数３～８の分岐アルキル基を示し、ｌ、ｎ、ｐ、ｒ、ｓは１～３の整数を示す、請求項４に記載の高耐光性紫外線吸収剤。
前記式（１）、（３）、（４）においてＸ^1a、Ｘ^1c、Ｘ^2c、Ｘ^1d、Ｘ^2dはフェニル環の残基を示し、ｌ、ｎ、ｐ、ｒ、ｓ個のＲ^1a、Ｒ^1c、Ｒ^2c、Ｒ^1d、Ｒ^2dはそれぞれ独立に炭素数１～１８の直鎖または分岐のアルキル基を示し、ｌ、ｎ、ｐ、ｒ、ｓは１の整数を示す、請求項４に記載の高耐光性紫外線吸収剤。
前記式（１）、（３）、（４）においてＸ^1a、Ｘ^1c、Ｘ^2c、Ｘ^1d、Ｘ^2dはフェニル環の残基を示し、ｌ、ｎ、ｐ、ｒ、ｓ個のＲ^1a、Ｒ^1c、Ｒ^2c、Ｒ^1d、Ｒ^2dはそれぞれ独立に炭素数１～１８の直鎖または分岐のアルキル基を示し、ｌ、ｎ、ｐ、ｒ、ｓは２の整数を示す、請求項４に記載の高耐光性紫外線吸収剤。
前記式（１）、（３）、（４）においてＸ^1a、Ｘ^1c、Ｘ^2c、Ｘ^1d、Ｘ^2dはフェニル環の残基を示し、ｌ、ｎ、ｐ、ｒ、ｓ個のＲ^1a、Ｒ^1c、Ｒ^2c、Ｒ^1d、Ｒ^2dはそれぞれ独立に炭素数１～１８の三級炭素および／または四級炭素を有する炭化水素基を示し、ｌ、ｎ、ｐ、ｒ、ｓは１～５の整数を示す、請求項４～７のいずれか一項に記載の高耐光性紫外線吸収剤。
前記２－フェニルベンゾトリアゾール誘導体は、前記式（１）、（３）、（４）のいずれかで表わされるものであり、前記式（１）、（３）、（４）においてＸ^1a、Ｘ^1c、Ｘ^2c、Ｘ^1d、Ｘ^2dはフェニル環の残基を示し、ｌ、ｎ、ｐ、ｒ、ｓ個のＲ^1a、Ｒ^1c、Ｒ^2c、Ｒ^1d、Ｒ^2dはそれぞれ独立に炭素数１～１８の直鎖または分岐のアルキル基を持つアルコキシ基を示し、ｌ＝１～３である、請求項１に記載の高耐光性紫外線吸収剤。
前記２－フェニルベンゾトリアゾール誘導体は、前記式（１）、（３）、（４）のいずれかで表わされるものであり、前記式（１）、（３）、（４）においてＸ^1a、Ｘ^1c、Ｘ^2c、Ｘ^1d、Ｘ^2dはフェニル環の残基を示し、ｌ、ｎ、ｐ、ｒ、ｓ個のＲ^1a、Ｒ^1c、Ｒ^2c、Ｒ^1d、Ｒ^2dはヒドロキシ基を示し、ｌ＝１～３である、請求項１に記載の高耐光性紫外線吸収剤。
前記２－フェニルベンゾトリアゾール誘導体は、前記式（１）、（３）、（４）のいずれかで表わされるものであり、前記式（１）、（３）、（４）においてＸ^1a、Ｘ^1c、Ｘ^2c、Ｘ^1d、Ｘ^2dはナフチル環の残基を示す、請求項１に記載の高耐光性紫外線吸収剤。
前記２－フェニルベンゾトリアゾール誘導体は、前記式（２）で表わされるものであり、前記式（２）において、ｍは０である、請求項１に記載の高耐光性紫外線吸収剤。
前記２－フェニルベンゾトリアゾール誘導体は、前記式（２）で表わされるものであり、前記式（２）において、Ｒ^1bはそれぞれ独立に炭素数１～１８の炭化水素基を示す、請求項１に記載の高耐光性紫外線吸収剤。
前記２－フェニルベンゾトリアゾール誘導体は、前記式（３）で表わされるものであり、前記式（３）においてＸ^1cとＸ^2cはフェニル環の残基を示し、ｑは１であり、Ａ^2cはスルフィド基－Ｓ－を示す、請求項１に記載の高耐光性紫外線吸収剤。
前記２－フェニルベンゾトリアゾール誘導体は、前記式（３）で表わされるものであり、前記式（３）においてＸ^1cとＸ^2cはフェニル環の残基を示し、ｑは１であり、Ａ^2cは炭素数１～８の炭化水素基を示す、請求項１に記載の高耐光性紫外線吸収剤。
前記２－フェニルベンゾトリアゾール誘導体は、前記式（３）で表わされるものであり、前記式（３）においてＸ^1cとＸ^2cはフェニル環の残基を示し、ｑは０である、請求項１に記載の高耐光性紫外線吸収剤。
ｌ、ｎ、ｐ、ｒ、ｓ個のＲ^1a、Ｒ^1c、Ｒ^2c、Ｒ^1d、Ｒ^2dはそれぞれ独立に炭素数１～１８の直鎖または分岐のアルキル基を示し、ｌ、ｎ、ｐ、ｒ、ｓは１～３の整数を示す耐熱性紫外線吸収剤である、請求項１に記載の高耐光性紫外線吸収剤。
ｌ、ｎ、ｐ、ｒ、ｓ個のＲ^1a、Ｒ^1c、Ｒ^2c、Ｒ^1d、Ｒ^2dはそれぞれ独立に炭素数２～８の直鎖または分岐のアルキル基を示し、ｌ、ｎ、ｐ、ｒ、ｓは１～３の整数を示す耐熱性紫外線吸収剤である、請求項１に記載の高耐光性紫外線吸収剤。
下記の条件で測定したとき、３８０、３９０、４００ｎｍの波長の透過率の差(ΔＴｕｖ)のうち少なくともいずれかが６％以下である、請求項１～１８のいずれか一項に記載の高耐光性紫外線吸収剤：
＜透過率の差の測定条件＞
ソーダガラスにアクリル樹脂と紫外線吸収剤の質量比０．６～３．４：０．１、膜厚２～５０μｍで塗膜したサンプルを、波長３００～４００ｎｍ、照度４２Ｗ／ｍ²、ブラックパネル温度６３℃の条件で７０時間、紫外線を照射し、照射前（Ｔ₁ｕｖ）、照射後（Ｔ₂ｕｖ）の紫外－可視透過スペクトルの透過率より、下記式で算出する。
１２０℃で４８時間加熱後の重量変化率が０．０３重量％未満の耐熱性紫外線吸収剤である、請求項１～１９のいずれか一項に記載の高耐光性紫外線吸収剤。
請求項１～２０のいずれか一項に記載の高耐光性紫外線吸収剤と、有機樹脂とを含む、有機樹脂組成物。
有機樹脂が熱可塑性樹脂の重合体または共重合体である、請求項２１に記載の有機樹脂組成物。
有機樹脂が熱硬化性樹脂の重合体または共重合体である、請求項２１に記載の有機樹脂組成物。
ガラス用の紫外線遮蔽膜または紫外線遮蔽膜形成用組成物に使用される紫外線吸収剤であって、
次式（１）～（６）のいずれかで表わされるチオアリール環基、チオシクロヘキシル環基、チオアルキル基、またはチオアルキレン基を有する２－フェニルベンゾトリアゾール誘導体からなる紫外線吸収剤。

（式中、ＰｈＢｚＴ^1aは置換基を有していてもよい、チオアリール環基（－Ｓ－Ｘ^1a－…）が結合した２－フェニルベンゾトリアゾール骨格を示し、Ｘ^1aはフェニル環またはナフチル環の残基を示し、ここでＸ^1aはｌ個のＲ^1a以外にも置換基を有していてもよく、ｌ個のＲ^1aはそれぞれ独立に芳香族基、不飽和基、窒素含有基、硫黄含有基、酸素含有基、リン含有基、脂環式基、およびハロゲン原子から選ばれる１価もしくは２価の基で、炭素鎖の水素原子が置換されるか、炭素鎖の基端が中断されるか、または炭素－炭素結合が中断されていてもよい、炭素数１～１８の炭化水素基もしくは炭素数１～１８のアルコキシ基、またはヒドロキシ基を示し、ｌは０～５の整数を示す。）

（式中、ＰｈＢｚＴ^1bは置換基を有していてもよい、チオシクロヘキシル環基（－Ｓ－Ｃｙ－…）が結合した２－フェニルベンゾトリアゾール骨格を示し、Ｃｙはシクロヘキシル環残基を示し、ここでＣｙはｍ個のＲ^1b以外にも置換基を有していてもよく、ｍ個のＲ^1bはそれぞれ独立に芳香族基、不飽和基、窒素含有基、硫黄含有基、酸素含有基、リン含有基、脂環式基、およびハロゲン原子から選ばれる１価もしくは２価の基で、炭素鎖の水素原子が置換されるか、炭素鎖の基端が中断されるか、または炭素－炭素結合が中断されていてもよい、炭素数１～１８の炭化水素基もしくは炭素数１～１８のアルコキシ基、またはヒドロキシ基を示し、ｍは０～５の整数を示す。）

（式中、ＰｈＢｚＴ^1cおよびＰｈＢｚＴ^2cはそれぞれ独立に置換基を有していてもよい、チオアリール環基またはチオアルキレン基（－Ｓ－Ａ^1c－Ｓ－）が結合した２－フェニルベンゾトリアゾール骨格を示し、Ａ^1cは次式：

（式中、Ｘ^1cとＸ^2cはそれぞれ独立にフェニル環またはナフチル環の残基を示し、ここでＸ^1cとＸ^2cはｎ個のＲ^1cとｐ個のＲ^2c以外にも置換基を有していてもよく、ｎ個のＲ^1cとｐ個のＲ^2cはそれぞれ独立に芳香族基、不飽和基、窒素含有基、硫黄含有基、酸素含有基、リン含有基、脂環式基、およびハロゲン原子から選ばれる１価もしくは２価の基で、炭素鎖の水素原子が置換されるか、炭素鎖の基端が中断されるか、または炭素－炭素結合が中断されていてもよい、炭素数１～１８の炭化水素基もしくは炭素数１～１８のアルコキシ基、またはヒドロキシ基を示し、ｎとｐは０～４の整数を示し、Ａ^2cは芳香族基、不飽和基、窒素含有基、硫黄含有基、酸素含有基、リン含有基、脂環式基、およびハロゲン原子から選ばれる１価もしくは２価の基で、水素原子が置換されるか、両端の少なくともいずれかが中断されるか、または炭素－炭素結合が中断されていてもよい炭素数１～２０の２価の炭化水素基、２価の芳香族基、またはスルフィド基－Ｓ－を示し、ｑは０または１の整数を示す。）で表される基であるか、あるいはフェニル環残基、ナフチル環残基、または芳香族基、不飽和基、窒素含有基、硫黄含有基、酸素含有基、リン含有基、脂環式基、およびハロゲン原子から選ばれる１価もしくは２価の基で、水素原子が置換されるか、両端の少なくともいずれかが中断されるか、または炭素－炭素結合が中断されていてもよい炭素数１～２２の直鎖または分岐のアルキレン基を示す。）

（式中、ＰｈＢｚＴ^1dおよびＰｈＢｚＴ^2dはそれぞれ独立に置換基を有していてもよい、ベンゾトリアゾール骨格のフェニル部位にチオアリール環基（－Ｓ－Ｘ^1d－…または－Ｓ－Ｘ^2d－…）が結合し、２位のフェニル骨格ＰｈにＡ^1dが結合した２－フェニルベンゾトリアゾール骨格を示し、Ｘ^1dとＸ^2dはそれぞれ独立にフェニル環またはナフチル環の残基を示し、ここでＸ^1dとＸ^2dはｒ個のＲ^1dとｓ個のＲ^2d以外にも置換基を有していてもよく、ｒ個のＲ^1dとｓ個のＲ^2dはそれぞれ独立に芳香族基、不飽和基、窒素含有基、硫黄含有基、酸素含有基、リン含有基、脂環式基、およびハロゲン原子から選ばれる１価もしくは２価の基で、炭素鎖の水素原子が置換されるか、炭素鎖の基端が中断されるか、または炭素－炭素結合が中断されていてもよい炭素数１～１８の炭化水素基もしくは炭素数１～１８のアルコキシ基、またはヒドロキシ基を示し、ｒとｓは０～５の整数を示す。Ａ^1dは芳香族基、不飽和基、窒素含有基、硫黄含有基、酸素含有基、リン含有基、脂環式基、およびハロゲン原子から選ばれる１価もしくは２価の基で、水素原子が置換されるか、両端の少なくともいずれかが中断されるか、または炭素－炭素結合が中断されていてもよい炭素数１～２０の２価の炭化水素基を示す。）

（式中、ＰｈＢｚＴ^1eは置換基を有していてもよい、チオアルキル基（－Ｓ－Ｙ^1e）が結合した２－フェニルベンゾトリアゾール骨格を示し、Ｙ^1eは芳香族基、不飽和基、窒素含有基、硫黄含有基、酸素含有基、リン含有基、脂環式基、およびハロゲン原子から選ばれる１価もしくは２価の基で、水素原子が置換されるか、基端が中断されるか、または炭素－炭素結合が中断されていてもよい炭素数１～２２の直鎖または分岐のアルキル基を示す。）

（式中、ＰｈＢｚＴ^1fおよびＰｈＢｚＴ^2fはそれぞれ独立に置換基を有していてもよい、ベンゾトリアゾール骨格のフェニル部位にチオアルキル基（－Ｓ－Ｙ^1fまたは－Ｓ－Ｙ^2f）が結合し、２位のフェニル骨格ＰｈにＡ^1fが結合した２－フェニルベンゾトリアゾール骨格を示し、Ｙ^1fとＹ^2fはそれぞれ独立に芳香族基、不飽和基、窒素含有基、硫黄含有基、酸素含有基、リン含有基、脂環式基、およびハロゲン原子から選ばれる１価もしくは２価の基で、水素原子が置換されるか、基端が中断されるか、または炭素－炭素結合が中断されていてもよい炭素数１～２２の直鎖または分岐のアルキル基を示す。Ａ^1fは芳香族基、不飽和基、窒素含有基、硫黄含有基、酸素含有基、リン含有基、脂環式基、およびハロゲン原子から選ばれる１価もしくは２価の基で、水素原子が置換されるか、両端の少なくともいずれかが中断されるか、または炭素－炭素結合が中断されていてもよい炭素数１～２０の２価の炭化水素基を示す。）
前記２－フェニルベンゾトリアゾール誘導体は、前記式（１）、（２）、（３）、（４）、（５）、（６）のいずれかで表わされるものであり、Ｒ^1a、Ｒ^1b、Ｒ^1c、Ｒ^2c、Ｒ^1d、Ｒ^2d、Ｙ^1e、Ｙ^1f、Ｙ^2fはそれぞれ独立に炭素数１～１８の直鎖または分岐のアルキル基を示す、請求項２４に記載の紫外線吸収剤。
前記２－フェニルベンゾトリアゾール誘導体は、前記式（１）、（３）、（４）のいずれかで表わされるものであり、前記式（１）、（３）、（４）において、Ｘ^1a、Ｘ^1c、Ｘ^2c、Ｘ^1d、Ｘ^2dはフェニル環の残基を示す、請求項２４または２５に記載の紫外線吸収剤。
前記２－フェニルベンゾトリアゾール誘導体は、前記式（１）、（３）、（４）のいずれかで表わされるものであり、前記式（１）、（３）、（４）において、Ｒ^1a、Ｒ^1c、Ｒ^2c、Ｒ^1d、Ｒ^2dはそれぞれ独立に少なくとも一つは炭素数３～８の直鎖または分岐のアルキル基を示す、請求項２４～２６のいずれか一項に記載の紫外線吸収剤。
前記２－フェニルベンゾトリアゾール誘導体は、前記式（１）、（３）、（４）のいずれかで表わされるものであり、前記式（１）、（３）、（４）において、Ｒ^1a、Ｒ^1c、Ｒ^2c、Ｒ^1d、Ｒ^2dはそれぞれ独立に少なくとも一つは炭素数３～８の三級もしくは四級炭素を有するアルキル基を示す、請求項２４～２７のいずれか一項に記載の紫外線吸収剤。
前記２－フェニルベンゾトリアゾール誘導体は、前記式（１）、（３）、（４）のいずれかで表わされるものであり、前記式（１）、（３）、（４）においてＸ^1a、Ｘ^1c、Ｘ^2c、Ｘ^1d、Ｘ^2dのｌ、ｎ、ｐ、ｒ、ｓは０を示す、請求項２４に記載の紫外線吸収剤。
前記２－フェニルベンゾトリアゾール誘導体は、前記式（１）、（３）、（４）のいずれかで表わされるものであり、前記式（１）、（３）、（４）において、Ｒ^1a、Ｒ^1c、Ｒ^2c、Ｒ^1d、Ｒ^2dはそれぞれ独立に炭素数１～１８の直鎖または分岐のアルキル基を持つアルコキシ基、ヒドロキシ基、またはハロゲン原子を示す、請求項２４に記載の紫外線吸収剤。
前記２－フェニルベンゾトリアゾール誘導体は、前記式（１）、（２）、（３）、（４）、（５）、（６）のいずれかで表わされるものであり、前記式（１）、（３）、（４）においてＸ^1a、Ｘ^1c、Ｘ^2c、Ｘ^1d、Ｘ^2dは、置換基がＲ^1a、Ｒ^1b、Ｒ^1c、Ｒ^2c、Ｒ^1d、Ｒ^2dのみであり、前記式（５）、（６）においてＹ^1e、Ｙ^1f、Ｙ^2fは置換基を有さない、請求項２４～３０のいずれか一項に記載の紫外線吸収剤。
前記式（１）、（２）、（３）、（４）、（５）、（６）において、チオアリール環基またはチオシクロヘキシル環基、チオアルキル基またはチオアルキレン基は、ベンゾトリアゾール骨格のフェニル部位に結合する、請求項２４～３１のいずれか一項４に記載の紫外線吸収剤。
前記２－フェニルベンゾトリアゾール誘導体は、前記式（１）、（３）、（４）のいずれかで表わされるものであり、前記式（１）、（３）、（４）において、２－フェニルベンゾトリアゾール骨格の２位のフェニル骨格Ｐｈにヒドロキシ基、メチル基を有する、請求項３２に記載の紫外線吸収剤。
前記式（１）、（３）、（４）において、２位のフェニル骨格Ｐｈにヒドロキシ基、ｔ－ブチル基、メチル基を有する、請求項３３に記載の紫外線吸収剤。
ガラス用の紫外線遮蔽膜または紫外線遮蔽膜形成用組成物に使用される紫外線吸収剤であって、前記式（１）～（６）で表わされる紫外線吸収剤および有機化合物Ｂとして前記式（１）～（６）以外の紫外線吸収剤を含有する前記紫外線遮蔽膜または紫外線遮蔽膜形成用組成物に使用される、請求項２４～３４のいずれか一項に記載の紫外線吸収剤。
前記有機化合物Ｂが、平均粒径が１５０ｎｍ以下の微粒子の形態である、請求項３５に記載のガラス用の紫外線遮蔽膜または紫外線遮蔽膜形成用組成物に使用される紫外線吸収剤。
平均粒径が１５０ｎｍ以下の微粒子の形態である、請求項２４～３６のいずれか一項に記載の紫外線吸収剤。
ガラス用の紫外線遮蔽膜または紫外線遮蔽膜形成用組成物に使用される紫外線吸収剤であって、前記紫外線吸収剤が含まれる紫外線遮蔽膜付きガラスのＩＳＯ１３８３７（convention A）に従って算出したＴ_UV４００が２％以下であり、ＣＩＥ標準のＡ光源を用いて測定する可視光透過率ＹＡが７０％以上であるガラスに使用される、請求項２４～３７のいずれか一項に記載の紫外線吸収剤。
前記紫外線遮蔽膜付きガラスにおいて、ＣＩＥ標準のＣ光源からの透過光がＬ^*ａ^*ｂ^*表色系により表示して、－１５以上０以下のａ^*と１２以下のｂ^*とを有するガラスに使用される、請求項２４～３８のいずれか一項に記載の紫外線吸収剤。
前記紫外線遮蔽膜付きガラスにおいて、ＣＩＥ標準のＣ光源からの透過光のＪＩＳＫ７３７３：２００６に規定された黄色度ＹＩが１４以下であるガラスに使用される、請求項２４～３９のいずれか一項に記載の紫外線吸収剤。
前記紫外線遮蔽膜付きガラスにおいて、波長２９５～４５０ｎｍ、照度７６ｍＷ／ｃｍ²の紫外線を１００時間照射した後の紫外線透過率Ｔ_UV４００から前記紫外線を照射する前の紫外線透過率Ｔ_UV４００を差し引いた差分ΔＴ_UV４００が２％以下であるガラスに使用される、請求項２４～４０のいずれか一項に記載の紫外線吸収剤。
ガラスの紫外線遮蔽膜形成用組成物に使用される紫外線吸収剤であって、
前記紫外線遮蔽膜形成用組成物が、酸化ケイ素前駆体と、微粒子の形状の前記紫外線吸収剤とを含む、請求項２４～４１のいずれか一項に記載の紫外線吸収剤。
前記微粒子の平均粒径が１５０ｎｍ以下である、請求項４２に記載の紫外線吸収剤。
ガラス用の紫外線遮蔽膜形成用の微粒子分散組成物に使用される紫外線吸収剤であって、
前記紫外線吸収剤が前記式（１）～（６）で表わされ、前記微粒子の平均粒径が１５０ｎｍ以下である、請求項２４～４３のいずれか一項に記載の紫外線吸収剤。
前記ガラスが輸送機材用ガラスである、請求項２４～４４のいずれか一項に記載の紫外線吸収剤。