JPWO2020121898A1 - 流路付きプレート - Google Patents
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Abstract
本発明にかかる流路付きプレートは、不活性ガスを流通させる流路が形成される本体部と、本体部の流路の形成面を覆うカバーと、を備え、本体部の流路には、該流路の開口に埋設される埋設部材が設けられ、埋設部材は、流路に固定される埋設部と、埋設部に保持され、本体部の内部から外部に不活性ガスを流通させる流通部と、を有し、流通部には、複数の貫通孔が設けられ、埋設部材と流路とは、絶縁性の接着剤によって固定され、すべての貫通孔を含む円のうち最小の円の径に対する、埋設部の外周のなす径の比が、１．２以上である。
Description
本発明は、例えば冷却用のガスを放出する流路付きプレートに関するものである。
従来、産業用、自動車用などに用いる半導体を製造する半導体製造装置や、液晶ディスプレイを製造する液晶製造装置においては、ワークを保持するためのプレートに冷却機能を備えた熱交換板が用いられることが知られている。熱交換板は、金属やセラミックス複合体からなり、加温用または冷却用の媒体が移動する流路や、熱交換板から外部に不活性ガスを放出する孔部が形成されている（例えば、特許文献１を参照）。特許文献１では、孔部に多孔質体を設け、この多孔質体を経由して外部に不活性ガスを放出している。
図８は、従来の熱交換板の要部の構成を示す断面図であって、多孔質体配設位置近傍において発生するアーキングについて説明する断面図である。従来の熱交換板は、不活性ガスを流通する孔部１１０が形成された本体部１００を備える。孔部１１０には、多孔質体１２０Ａを保持する保持部１２０が設けられる。保持部１２０および多孔質体１２０Ａは、セラミックによって形成されている。また、保持部１２０は、溶射によって本体部１００に固定されている。多孔質体１２０Ａの外周部、ならびに本体部１００および保持部１２０は、溶射膜１３０によってカバーされている。
例えばエッチングを行う際、上述した熱交換板によって温度調整がなされる一方、アーキング現象によって保持部１２０や多孔質体１２０Ａが破壊されてしまうことがあった。具体的には、溶射膜１３０を経由して本体部１００に到達する経路Ｙ１や、多孔質体１２０Ａを経由して本体部１００に到達する経路Ｙ２を通って過電圧が入り込んで、保持部１２０や多孔質体１２０Ａが破壊されてしまう。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、アーキング現象の発生を抑制することができる流路付きプレートを提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる流路付きプレートは、不活性ガスを流通させる流路が形成される本体部と、前記本体部の前記流路の形成面を覆うカバーと、を備え、前記本体部の前記流路には、該流路の開口に埋設される埋設部材が設けられ、前記埋設部材は、前記流路に固定される埋設部と、前記埋設部に保持され、前記本体部の内部から外部に前記不活性ガスを流通させる流通部と、を有し、前記流通部には、複数の貫通孔が設けられ、すべての前記貫通孔を含む円のうち最小の円の径に対する、前記埋設部の外周のなす径の比が、１．２以上であることを特徴とする。
また、本発明にかかる流路付きプレートは、上記の発明において、前記埋設部材は、絶縁性の接着剤によって前記本体部に固定されることを特徴とする。
また、本発明にかかる流路付きプレートは、上記の発明において、前記埋設部は、外形が、外部に露出している側からその反対側に向かって径が小さくなる形状をなすことを特徴とする。
また、本発明にかかる流路付きプレートは、上記の発明において、前記流路は、前記開口が段付きの孔形状をなし、前記埋設部は、外形が、前記開口の形状に応じた凸形状をなすことを特徴とする。
また、本発明にかかる流路付きプレートは、上記の発明において、前記流通部は、多孔質セラミックスからなることを特徴とする。
また、本発明にかかる流路付きプレートは、上記の発明において、前記埋設部材は、絶縁性を有することを特徴とする。
また、本発明にかかる流路付きプレートは、上記の発明において、前記埋設部には、前記流通部と前記流路との間を連通する第２の貫通孔が形成され、前記第２の貫通孔の形成領域と、前記流通部における前記複数の貫通孔の形成領域とは、貫通方向からみて互いに異なる位置に配置されることを特徴とする。
また、本発明にかかる流路付きプレートは、上記の発明において、前記カバーは、前記埋設部の一部を覆っていることを特徴とする。
本発明によれば、アーキング現象の発生を抑制することができるという効果を奏する。
以下、本発明を実施するための形態を図面と共に詳細に説明する。なお、以下の実施の形態により本発明が限定されるものではない。また、以下の説明において参照する各図は、本発明の内容を理解し得る程度に形状、大きさ、および位置関係を概略的に示してあるに過ぎない。すなわち、本発明は各図で例示された形状、大きさ、および位置関係のみに限定されるものではない。
（実施の形態）
図１は、本発明の一実施の形態にかかる熱交換板の構造を示す部分断面図である。図２は、本発明の一実施の形態にかかる熱交換板の要部の構成を説明する模式図である。図２の（ａ）は、熱交換板の埋設部材１３を示す平面図である。図２の（ｂ）は、図１に示す領域Ｒを拡大した断面図である。図１に示す熱交換板１は、円板状の本体部１０と、本体部１０の一方の面（ここでは上面）を覆うカバー２０と、を備える。熱交換板１は、不活性ガスを流通させる流路が内部に形成された流路付きプレートである。
図１は、本発明の一実施の形態にかかる熱交換板の構造を示す部分断面図である。図２は、本発明の一実施の形態にかかる熱交換板の要部の構成を説明する模式図である。図２の（ａ）は、熱交換板の埋設部材１３を示す平面図である。図２の（ｂ）は、図１に示す領域Ｒを拡大した断面図である。図１に示す熱交換板１は、円板状の本体部１０と、本体部１０の一方の面（ここでは上面）を覆うカバー２０と、を備える。熱交換板１は、不活性ガスを流通させる流路が内部に形成された流路付きプレートである。
本体部１０は、アルミニウム、又はアルミニウム合金、チタニウム、チタニウム合金、ステンレススチール、ニッケル合金等からなる円板状をなす。本体部１０には、熱交換を促す媒体を流通させる流路１１と、対象の部材との間における熱交換を促す不活性ガスを流通させ、外部に放出する流路１２とが形成されている。媒体は、例えば水等の液体や、気体である。
カバー２０は、溶射によって本体部１０の上面を覆う溶射膜であり、流路１２の開口形成面に設けられる。
熱交換板１では、図示しない媒体流入口から媒体を導入して流路１１に流通させ、図示しない媒体放出口から媒体を放出する。熱交換板１では、熱源から伝達された熱を、本体部１０およびカバー２０を介して外部に放出するか、または、熱源から伝達された熱を吸収した媒体が流路から放出される。
また、熱交換板１では、図示しない不活性ガス導入口から不活性ガスを導入し、不活性ガスが流路１２を流通して外部に放出される。不活性ガスは、対象の部材に接触して、該部材を冷却する。
また、熱交換板１では、図示しない不活性ガス導入口から不活性ガスを導入し、不活性ガスが流路１２を流通して外部に放出される。不活性ガスは、対象の部材に接触して、該部材を冷却する。
流路１２は、一端が不活性ガス導入口に繋がり、本体部１０内で流路を形成する流路部１２１と、流路部１２１の他端に設けられる開口部１２２とを有する。開口部１２２の径は、流路部１２１の他端の径より大きい。このため、流路１２は、開口近傍において、段付きの孔形状をなしている。
流路１２には、流路１２の開口に埋設される埋設部材１３が設けられる。埋設部材１３は、流路１２に埋設される埋設部１３１と、埋設部１３１に保持される流通部１３２とを有する。
埋設部１３１は、セラミックからなり、気孔率が２０％以下の緻密体を用いて形成される。埋設部１３１の気孔率は、１５％以下であることが好ましい。埋設部１３１は、外形が凸状をなし、開口部１２２に収容されている。セラミックは、絶縁性のセラミックが用いられる。
流通部１３２は、多孔質セラミックスであり、一方から他方（図２の上下方向）に気体等の媒体を流通させる。流通部１３２を構成する多孔質セラミックスには、一方と他方とを貫通し、媒体を流通する複数の貫通孔が形成される。
流通部１３２は、多孔質セラミックスであり、一方から他方（図２の上下方向）に気体等の媒体を流通させる。流通部１３２を構成する多孔質セラミックスには、一方と他方とを貫通し、媒体を流通する複数の貫通孔が形成される。
埋設部１３１と、開口部１２２との間には、接着剤１４が設けられ、該接着剤１４によって固定されている。接着剤１４は、絶縁性材料を用いてなる。
ここで、埋設部１３１の外周のなす径（外径）をｄ1、流通部１３２の外周のなす径（外径）をｄ2としたとき、外径ｄ2に対する外径ｄ1の比（ｄ1／ｄ2）は、１．２以上であり、好ましくは１．５以上である。本実施の形態では、上記の比率の範囲において、流通部１３２の外径、すなわち不活性ガスの放出量を調整することが可能である。ここで、流通部１３２の外周のなす円（図２に示す円Ｑ1）は、流通部１３２に形成される、すべての貫通孔を含む円のうち最小の円に相当する。
また、流路１２における埋設部材１３の沿面距離は、開口部１２２および流路部１２１が形成する段部に沿った距離となるため、従来（例えば図８参照）と比して長い距離となっている。
以上説明したように、本実施の形態にかかる熱交換板１は、流路１２における沿面距離を確保し、流路１２と埋設部材１３とを絶縁性の接着剤１４によって固定するようにしたので、上述した経路Ｙ１、Ｙ２を経由した過電圧が本体部１０に入り込むことが抑制され、その結果、アーキング現象の発生を抑制することができる。
なお、上述した実施の形態では、埋設部１３１が凸状をなす例を説明したが、外周面が、例えば本体部１０から露出する露出面に対して傾斜した傾斜面をなすようにしてもよい。外周面が傾斜面をなす場合、埋設部材（埋設部）は、錐状をなす。本実施の形態にかかる熱交換板１は、凸形状や傾斜面のように、外形が、外部に露出している側からその反対側に向かって径が小さくなる形状をなすものであれば適用可能である。このほか、埋設部１３１は、円筒状をなすものであってもよい。
また、上述した実施の形態において、流路部１２１に段部を形成して、埋設部１３１を支持する構成としてもよいし、この段部と埋設部１３１とが接触しない構成としてもよい。埋設部１３１が流路部１２１の段部と接触しておらず、この段部と埋設部１３１との間に空間（空気層）が存在している方が、過電圧の入り込みを抑制するという観点で好ましい。
また、上述した実施の形態において、埋設部材１３を一様な径で延びる柱状として、埋設部材１３の一部（例えば図２に示す流路部進入部分）が流路部１２１に進入しない構成としてもよい。
（変形例１）
図３は、本発明の実施の形態の変形例１にかかる熱交換板の要部の構成を説明する模式図である。図３の（ａ）は、熱交換板の埋設部材１５を示す平面図である。図３の（ｂ）は、図１に示す領域Ｒに対応する領域を拡大した断面図である。変形例１にかかる熱交換板は、上述した熱交換板１の埋設部材１３に代えて埋設部材１５を備える。埋設部材以外の構成は、上述した熱交換板１と同じであるため説明を省略する。
図３は、本発明の実施の形態の変形例１にかかる熱交換板の要部の構成を説明する模式図である。図３の（ａ）は、熱交換板の埋設部材１５を示す平面図である。図３の（ｂ）は、図１に示す領域Ｒに対応する領域を拡大した断面図である。変形例１にかかる熱交換板は、上述した熱交換板１の埋設部材１３に代えて埋設部材１５を備える。埋設部材以外の構成は、上述した熱交換板１と同じであるため説明を省略する。
埋設部材１５は、流路１２に埋設される埋設部１５１と、埋設部１５１に保持される流通部１５２とを有する。
埋設部１５１は、セラミックからなり、気孔率が２０％以下の緻密体を用いて形成される。埋設部１５１は、中空円板状をなし、開口部１２２に収容されている。
流通部１５２は、多孔質セラミックスであり、一方から他方に気体等の媒体を流通させる。流通部１５２を構成する多孔質セラミックスには、一方と他方とを貫通し、媒体を流通する複数の貫通孔が形成される。
埋設部１５１は、セラミックからなり、気孔率が２０％以下の緻密体を用いて形成される。埋設部１５１は、中空円板状をなし、開口部１２２に収容されている。
流通部１５２は、多孔質セラミックスであり、一方から他方に気体等の媒体を流通させる。流通部１５２を構成する多孔質セラミックスには、一方と他方とを貫通し、媒体を流通する複数の貫通孔が形成される。
埋設部１５１と、開口部１２２との間には、絶縁性の接着剤１４が設けられ、該接着剤１４によって固定されている。
ここで、埋設部１５１の外周のなす径（外径）をｄ3、流通部１５２のカバー２０から露出している部分の外周のなす径（外径）をｄ4としたとき、外径ｄ4に対する外径ｄ3の比（ｄ3／ｄ4）は、１．２以上であり、好ましくは１．５以上である。ここで、流通部１５２のカバー２０から露出している部分の外周のなす円（図３に示す円Ｑ2）は、流通部１５２に形成され、一方から他方に貫通しているすべての貫通孔を含む円のうち最小の円に相当する。
また、流路１２における埋設部材１５の沿面距離は、開口部１２２の内壁に沿った距離となるため、従来（例えば図８参照）と比して長い距離となっている。
以上説明したように、本変形例１にかかる熱交換板は、流路１２における沿面距離を確保し、流路１２と埋設部材１５とを絶縁性の接着剤１４によって固定するようにしたので、上述した経路Ｙ１を経由した過電圧が本体部１０に入り込むことが抑制され、その結果、アーキング現象の発生を抑制することができる。また、埋設部１５１（流通部１５２）と流路部１２１との間に空間（空気層）を存在させることによって、埋設部１５１と流路部１２１とが接触している場合と比して、上述した経路Ｙ２を経由した過電圧が本体部１０に入り込むことを抑制できる。
なお、上述した変形例１では、埋設部１５１が中空円板状をなす例を説明したが、外周面が、環状をなす側の面に対して傾斜した傾斜面をなすようにしてもよい。外周面が傾斜面をなす場合、埋設部材（埋設部）は、錐状をなす。
（変形例２）
図４は、本発明の実施の形態の変形例２にかかる熱交換板の要部の構成を説明する模式図である。図４の（ａ）は、熱交換板の埋設部材１６を示す平面図である。図４の（ｂ）は、図１に示す領域Ｒに対応する領域を拡大した断面図である。変形例２にかかる熱交換板は、上述した熱交換板１の埋設部材１３に代えて埋設部材１６を備える。埋設部材以外の構成は、上述した熱交換板１と同じであるため説明を省略する。
図４は、本発明の実施の形態の変形例２にかかる熱交換板の要部の構成を説明する模式図である。図４の（ａ）は、熱交換板の埋設部材１６を示す平面図である。図４の（ｂ）は、図１に示す領域Ｒに対応する領域を拡大した断面図である。変形例２にかかる熱交換板は、上述した熱交換板１の埋設部材１３に代えて埋設部材１６を備える。埋設部材以外の構成は、上述した熱交換板１と同じであるため説明を省略する。
埋設部材１６は、流路１２に埋設される埋設部１６１と、埋設部１６１に保持され、不活性ガスを流通させる流通部１６２とを有する。
埋設部材１６は、セラミックからなり、気孔率が２０％以下の緻密体を用いて形成される。流通部１６２には、外部と流路部１２１とを連通する複数の貫通孔１６３が形成される。複数の貫通孔１６３は、例えば、円環状に配列されてなる。
埋設部材１６は、セラミックからなり、気孔率が２０％以下の緻密体を用いて形成される。流通部１６２には、外部と流路部１２１とを連通する複数の貫通孔１６３が形成される。複数の貫通孔１６３は、例えば、円環状に配列されてなる。
埋設部１６１は、段付き形状をなして延びる中空円柱状である。流通部１６２は、貫通孔１６３が形成される基部と、基部の中央部から埋設部１６１の延伸方向に沿って延びる延在部とを有する。なお、流通部１６２が延在部を有しない構成としてもよい。
埋設部１６１と開口部１２２との間には、絶縁性の接着剤１４が設けられ、該接着剤１４によって固定されている。また、埋設部１６１と流通部１６２とは、例えば、それぞれを作製した後、一体焼結して接触部分を接合（結合）させて固着される。なお、公知の固着方法によって埋設部１６１と流通部１６２とを固着させてもよい。
ここで、埋設部１６１の外周のなす径（外径）をｄ5、複数の貫通孔１６３に外接する円（貫通孔１６３の形成領域）のなす径（外径）をｄ6としたとき、外径ｄ6に対する外径ｄ5の比（ｄ5／ｄ6）は、１．２以上であり、好ましくは１．５以上である。ここでいう「複数の貫通孔１６３に外接する円」とは、すべての貫通孔１６３を含む円のうち最小の円をさす。
また、流路１２における埋設部材１６の沿面距離は、開口部１２２の内壁に沿った距離となるため、従来（例えば図８参照）と比して長い距離となっている。
以上説明したように、本変形例２にかかる熱交換板は、流路１２における沿面距離を確保し、流路１２と埋設部材１６とを絶縁性の接着剤１４によって固定するようにしたので、上述した経路Ｙ１を経由した過電圧が本体部１０に入り込むことが抑制され、その結果、アーキング現象の発生を抑制することができる。また、流通部１６２と流路部１２１との間に埋設部１６１が存在しているため、流通部１６２と流路部１２１とが接触している場合と比して、上述した経路Ｙ２を経由した過電圧が本体部１０に入り込むことを抑制できる。
（変形例３）
図５は、本発明の実施の形態の変形例３にかかる熱交換板の要部の構成を説明する模式図である。図５の（ａ）は、熱交換板の埋設部材１７を示す平面図である。図５の（ｂ）は、図１に示す領域Ｒに対応する領域を拡大した断面図である。変形例３にかかる熱交換板は、上述した熱交換板１の埋設部材１３に代えて埋設部材１７を備える。埋設部材以外の構成は、上述した熱交換板１と同じであるため説明を省略する。
図５は、本発明の実施の形態の変形例３にかかる熱交換板の要部の構成を説明する模式図である。図５の（ａ）は、熱交換板の埋設部材１７を示す平面図である。図５の（ｂ）は、図１に示す領域Ｒに対応する領域を拡大した断面図である。変形例３にかかる熱交換板は、上述した熱交換板１の埋設部材１３に代えて埋設部材１７を備える。埋設部材以外の構成は、上述した熱交換板１と同じであるため説明を省略する。
埋設部材１７は、流路１２に埋設される埋設部１７１と、埋設部１７１に保持され、不活性ガスを流通させる流通部１７２とを有する。
埋設部材１７は、セラミックからなり、気孔率が２０％以下の緻密体を用いて形成される。埋設部１７１には、一端側と他端側とを連通する貫通孔１７３（第２の貫通孔）が形成される。流通部１７２には、外部と流路部１２１とを連通する複数の貫通孔１７４が形成される。複数の貫通孔１７４は、例えば、円環状に配列されてなる。流通部１７２は、貫通孔１７３を介して外部と流路部１２１とを連通する。
埋設部材１７は、セラミックからなり、気孔率が２０％以下の緻密体を用いて形成される。埋設部１７１には、一端側と他端側とを連通する貫通孔１７３（第２の貫通孔）が形成される。流通部１７２には、外部と流路部１２１とを連通する複数の貫通孔１７４が形成される。複数の貫通孔１７４は、例えば、円環状に配列されてなる。流通部１７２は、貫通孔１７３を介して外部と流路部１２１とを連通する。
埋設部１７１は、段付き形状をなして延びる中空円柱状である。埋設部１７１は、流通部１７２を保持する穴、および貫通孔１７３が形成される基部１７１ａと、基部１７１ａの中央部から埋設部１７１の延伸方向に沿って筒状に延びる延在部１７１ｂとを有する。なお、埋設部１７１が延在部１７１ｂを有しない構成としてもよい。
埋設部１７１と開口部１２２との間には、絶縁性の接着剤１４が設けられ、該接着剤１４によって固定されている。また、埋設部１７１と流通部１７２とは、例えば、それぞれを作製した後、一体焼結して接触部分を接合（結合）させて固着される。なお、公知の固着方法によって埋設部１７１と流通部１７２とを固着させてもよい。
また、貫通孔１７３の形成位置と、各貫通孔１７４の形成位置とは、互いにずれた位置に形成される。すなわち、貫通孔１７３と貫通孔１７４とは、孔の中心軸（貫通方向の中心軸）が一致しない位置に形成される。さらに言うと、貫通孔１７３と貫通孔１７４とは、中心軸方向からみたときに、開口領域が互いに重複しない位置に形成される。
ここで、埋設部１７１の外周のなす径（外径）をｄ7、複数の貫通孔１７４に外接する円（貫通孔１７４の形成領域）のなす径（外径）をｄ8としたとき、外径ｄ8に対する外径ｄ7の比（ｄ7／ｄ8）は、１．２以上であり、好ましくは１．５以上である。ここでいう「複数の貫通孔１７４に外接する円」とは、すべての貫通孔１７４を含む円のうち最小の円をさす。
また、流路１２における埋設部材１７の沿面距離は、開口部１２２の内壁に沿った距離となるため、従来（例えば図８参照）と比して長い距離となっている。
以上説明したように、本変形例３にかかる熱交換板は、流路１２における沿面距離を確保し、流路１２と埋設部材１７とを絶縁性の接着剤１４によって固定するようにしたので、上述した経路Ｙ１を経由した過電圧が本体部１０に入り込むことが抑制され、その結果、アーキング現象の発生を抑制することができる。また、流通部１７２と流路部１２１との間に埋設部１７１が存在しているため、流通部１７２と流路部１２１とが接触している場合と比して、上述した経路Ｙ２を経由した過電圧が本体部１０に入り込むことを抑制できる。
（変形例４）
図６は、本発明の実施の形態の変形例４にかかる熱交換板の要部の構成を説明する模式図である。図６は、図１に示す領域Ｒに対応する領域を拡大した断面図である。変形例４にかかる熱交換板は、上述した熱交換板１の埋設部材１３に代えて埋設部材１７Ａを備える。また、変形例４では、上述した流路１２に代えて流路１２Ａが形成される。埋設部材および流路以外の構成は、上述した熱交換板１と同じであるため説明を省略する。
図６は、本発明の実施の形態の変形例４にかかる熱交換板の要部の構成を説明する模式図である。図６は、図１に示す領域Ｒに対応する領域を拡大した断面図である。変形例４にかかる熱交換板は、上述した熱交換板１の埋設部材１３に代えて埋設部材１７Ａを備える。また、変形例４では、上述した流路１２に代えて流路１２Ａが形成される。埋設部材および流路以外の構成は、上述した熱交換板１と同じであるため説明を省略する。
流路１２Ａは、一端が不活性ガス導入口に繋がり、本体部１０内で流路を形成する流路部１２１Ａと、流路部１２１Ａの他端に設けられる開口部１２２Ａとを有する。開口部１２２Ａの径は、流路部１２１Ａの他端の径より大きい。このため、流路１２Ａは、開口近傍において、段付きの孔形状をなしている。
流路１２Ａには、流路１２Ａの開口に埋設される埋設部材１７Ａが設けられる。
埋設部材１７Ａは、セラミックからなり、気孔率が２０％以下の緻密体を用いて形成される。埋設部材１７Ａは、流路１２Ａに埋設される埋設部１７１Ａと、埋設部１７１Ａに保持され、不活性ガスを流通させる流通部１７２とを有する。流通部１７２は、上述した変形例３と同じであるため、説明を省略する。
埋設部１７１Ａには、一端側と他端側とを連通する貫通孔１７３（第２の貫通孔）が形成される。
埋設部材１７Ａは、セラミックからなり、気孔率が２０％以下の緻密体を用いて形成される。埋設部材１７Ａは、流路１２Ａに埋設される埋設部１７１Ａと、埋設部１７１Ａに保持され、不活性ガスを流通させる流通部１７２とを有する。流通部１７２は、上述した変形例３と同じであるため、説明を省略する。
埋設部１７１Ａには、一端側と他端側とを連通する貫通孔１７３（第２の貫通孔）が形成される。
埋設部１７１Ａは、中空円柱状をなす。埋設部１７１Ａは、流通部１７２を保持する穴、および貫通孔１７３が形成される基部１７１ａと、基部１７１ａの中央部から埋設部１７１Ａの延伸方向に沿って筒状に延びる延在部１７１ｃとを有する。なお、埋設部１７１Ａが延在部１７１ｃを有しない構成としてもよい。
埋設部１７１Ａは、流路部１２１Ａと開口部１２２Ａとが形成する段部に載置され、開口部１２２Ａに収容される。
埋設部１７１Ａは、流路部１２１Ａと開口部１２２Ａとが形成する段部に載置され、開口部１２２Ａに収容される。
埋設部１７１Ａと開口部１２２との間には、絶縁性の接着剤１４が設けられ、該接着剤１４によって固定されている。また、埋設部１７１Ａと流通部１７２とは、例えば、それぞれを作製した後、一体焼結して接触部分を接合（結合）させて固着される。なお、公知の固着方法によって埋設部１７１Ａと流通部１７２とを固着させてもよい。
また、変形例３と同様に、貫通孔１７３の形成位置と、各貫通孔１７４の形成位置とは、互いにずれた位置に形成される。
ここで、埋設部１７１Ａの外周のなす径（外径）と、複数の貫通孔１７４に外接する円（貫通孔１７４の形成領域）のなす径（外径）との比（上述したｄ7／ｄ8に相当）は、１．２以上であり、好ましくは１．５以上である。
また、流路１２Ａにおける埋設部材１７Ａの沿面距離は、開口部１２２の内壁に沿った距離となるため、従来（例えば図８参照）と比して長い距離となっている。
以上説明したように、本変形例４にかかる熱交換板は、流路１２Ａにおける沿面距離を確保し、流路１２Ａと埋設部材１７Ａとを絶縁性の接着剤１４によって固定するようにしたので、上述した経路Ｙ１を経由した過電圧が本体部１０に入り込むことが抑制され、その結果、アーキング現象の発生を抑制することができる。また、流通部１７２と流路部１２１との間に埋設部１７１Ａが存在しているため、流通部１７２と流路部１２１とが接触している場合と比して、上述した経路Ｙ２を経由した過電圧が本体部１０に入り込むことを抑制できる。
また、本変形例４にかかる熱交換板は、埋設部材１７Ａの埋設部１７１Ａが円柱状をなしているため、段付き形状をなす構成（例えば、変形例３（図５参照））と比して作製コストを低減することができる。
（変形例５）
図７は、本発明の実施の形態の変形例５にかかる熱交換板の要部の構成を説明する断面図である。図７は、図１に示す領域Ｒに対応する領域を拡大した断面図に対応する。変形例５にかかる熱交換板は、上述した熱交換板１の埋設部材１３に代えて埋設部材１３Ａを備える。埋設部材以外の構成は、上述した熱交換板１と同じであるため説明を省略する。
図７は、本発明の実施の形態の変形例５にかかる熱交換板の要部の構成を説明する断面図である。図７は、図１に示す領域Ｒに対応する領域を拡大した断面図に対応する。変形例５にかかる熱交換板は、上述した熱交換板１の埋設部材１３に代えて埋設部材１３Ａを備える。埋設部材以外の構成は、上述した熱交換板１と同じであるため説明を省略する。
埋設部材１３Ａは、流路１２に埋設される埋設部１３１Ａと、埋設部１３１Ａに保持される流通部１３２とを有する。流通部１３２の構成は上述した実施の形態と同じであるため、説明を省略する。
埋設部１３１Ａは、セラミックからなり、気孔率が２０％以下の緻密体を用いて形成される。埋設部１３１Ａは、中空円板状をなし、開口部１２２に収容されている。埋設部１３１Ａの表面のうち、本体部１０から露出する側の表面には、カバー２０の厚さに応じた切欠き部１３１ａが、埋設部１３１Ａの外縁に沿って形成される。
埋設部１３１Ａは、切欠き部１３１ａがカバー２０に覆われている。埋設部１３１Ａは、カバー２０によって本体部１０に固定されている。
ここで、流通部１３２のカバー２０から露出している部分の外周のなす径（外径）に対する、埋設部１３１Ａの外周のなす径（外径）の比は、１．２以上であり、好ましくは１．５以上である。
以上説明したように、本変形例５にかかる熱交換板は、流路１２における沿面距離を確保し、流路１２と埋設部材１３Ａとを、接着剤１４ではなく、溶射膜であるカバー２０によって固定するようにした。本変形例５においても、実施の形態と同様の効果を得ることができる。
なお、上述した変形例５では、埋設部１３１Ａに切欠き部１３１ａを設けて、その切欠き部１３１ａにカバー２０を被せる例を説明したが、実施の形態のような切欠き部１３１ａを有しない埋設部１３１の一部をカバー２０が覆う構成としてもよい。
また、上述した実施の形態および変形例では、対象の部材を冷却する例を説明したが、熱交換板が対象の部材を温めるための熱交換を促すようにしてもよい。熱交換板が対象の部材を温める場合、熱交換板には、温水等の媒体が流路１１に流通し、温風等の熱を与えるガスが流路１２を流通する。
また、上述した実施の形態および変形例では、対象の部材を冷却する不活性ガスを放出する熱交換板を例に説明したが、吸着している部材を引き離す際に用いる圧力調整用の不活性ガスを放出させてもよい。このように、本発明は、目的に応じた不活性ガスを放出する流路付きプレートとして用いることができる。
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含みうるものであり、請求の範囲により特定される技術的思想を逸脱しない範囲内において種々の設計変更等を施すことが可能である。
以上説明したように、本発明に係る流路付きプレートは、アーキング現象の発生を抑制するのに好適である。
１ 熱交換板
１０ 本体部
１１、１２ 流路
１３、１３Ａ、１５〜１７、１７Ａ 埋設部材
１４ 接着剤
２０ カバー
１３１、１３１Ａ、１５１、１６１、１７１、１７１Ａ 埋設部
１３２、１５２、１６２、１７２ 流通部
１６３、１７４ 貫通孔
１０ 本体部
１１、１２ 流路
１３、１３Ａ、１５〜１７、１７Ａ 埋設部材
１４ 接着剤
２０ カバー
１３１、１３１Ａ、１５１、１６１、１７１、１７１Ａ 埋設部
１３２、１５２、１６２、１７２ 流通部
１６３、１７４ 貫通孔
Claims (8)
- 不活性ガスを流通させる流路が形成される本体部と、
前記本体部の前記流路の形成面を覆うカバーと、
を備え、
前記本体部の前記流路には、該流路の開口に埋設される埋設部材が設けられ、
前記埋設部材は、
前記流路に固定される埋設部と、
前記埋設部に保持され、前記本体部の内部から外部に前記不活性ガスを流通させる流通部と、
を有し、
前記流通部には、複数の貫通孔が設けられ、
すべての前記貫通孔を含む円のうち最小の円の径に対する、前記埋設部の外周のなす径の比が、１．２以上である
ことを特徴とする流路付きプレート。 - 前記埋設部材は、絶縁性の接着剤によって前記本体部に固定される
ことを特徴とする請求項１に記載の流路付きプレート。 - 前記埋設部は、外形が、外部に露出している側からその反対側に向かって径が小さくなる形状をなす
ことを特徴とする請求項１または２に記載の流路付きプレート。 - 前記流路は、前記開口が段付きの孔形状をなし、
前記埋設部は、外形が、前記開口の形状に応じた凸形状をなす
ことを特徴とする請求項３に記載の流路付きプレート。 - 前記流通部は、多孔質セラミックスからなる
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の流路付きプレート。 - 前記埋設部材は、絶縁性を有する
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の流路付きプレート。 - 前記埋設部には、前記流通部と前記流路との間を連通する第２の貫通孔が形成され、
前記第２の貫通孔の形成領域と、前記流通部における前記複数の貫通孔の形成領域とは、貫通方向からみて互いに異なる位置に配置される
ことを特徴とする請求項１に記載の流路付きプレート。 - 前記カバーは、前記埋設部の一部を覆っている
ことを特徴とする請求項１に記載の流路付きプレート。
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Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003338492A (ja) * | 2002-05-21 | 2003-11-28 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2006344766A (ja) * | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2009218517A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Tohoku Univ | シャワープレートの製造方法、シャワープレートおよびプラズマ処理装置 |
| JP3154629U (ja) * | 2009-08-04 | 2009-10-22 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック |
| JP2010123712A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Nihon Ceratec Co Ltd | 静電チャックおよびその製造方法 |
| JP2014209615A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-11-06 | Toto株式会社 | 静電チャック |
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Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2559123Y2 (ja) * | 1992-03-31 | 1998-01-14 | 株式会社神戸製鋼所 | 真空アーク蒸着装置 |
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| JP2003338492A (ja) * | 2002-05-21 | 2003-11-28 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2006344766A (ja) * | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2009218517A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Tohoku Univ | シャワープレートの製造方法、シャワープレートおよびプラズマ処理装置 |
| JP2010123712A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Nihon Ceratec Co Ltd | 静電チャックおよびその製造方法 |
| JP3154629U (ja) * | 2009-08-04 | 2009-10-22 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック |
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