JPWO2020040092A1 - パターン形成方法及び感放射線性組成物 - Google Patents
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 81
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 title description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 36
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 35
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 15
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical group [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical group [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical group [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical group [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical group [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical group [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical group [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 150000002815 nickel Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 39
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 25
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 7
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 7
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 26
- -1 mesityl group Chemical group 0.000 description 29
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 27
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 19
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 11
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 9
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 9
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 9
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 6
- 229910052731 fluorine Chemical group 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 5
- ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N N-methylformamide Chemical compound CNC=O ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GVOLZAKHRKGRRM-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4] GVOLZAKHRKGRRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CEZIJESLKIMKNL-UHFFFAOYSA-N 1-(4-butoxynaphthalen-1-yl)thiolan-1-ium Chemical compound C12=CC=CC=C2C(OCCCC)=CC=C1[S+]1CCCC1 CEZIJESLKIMKNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 3
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical class C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N cobalt(2+) Chemical compound [Co+2] XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OZLBDYMWFAHSOQ-UHFFFAOYSA-N diphenyliodanium Chemical compound C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1 OZLBDYMWFAHSOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VURFVHCLMJOLKN-UHFFFAOYSA-N diphosphane Chemical compound PP VURFVHCLMJOLKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 3
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- YFSUTJLHUFNCNZ-UHFFFAOYSA-N perfluorooctane-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F YFSUTJLHUFNCNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- WTVXIBRMWGUIMI-UHFFFAOYSA-N trifluoro($l^{1}-oxidanylsulfonyl)methane Chemical group [O]S(=O)(=O)C(F)(F)F WTVXIBRMWGUIMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N triphenylsulfonium Chemical compound C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- FJALTVCJBKZXKY-UHFFFAOYSA-M (7,7-dimethyl-3-oxo-4-bicyclo[2.2.1]heptanyl)methanesulfonate;triphenylsulfanium Chemical compound C1CC2(CS([O-])(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FJALTVCJBKZXKY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- LVEYOSJUKRVCCF-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(diphenylphosphino)propane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)CCCP(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 LVEYOSJUKRVCCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRAJNWYBUCUFBD-UHFFFAOYSA-N 2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dione Chemical compound CC(C)(C)C(=O)CC(=O)C(C)(C)C YRAJNWYBUCUFBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 2,5-hexanedione Chemical compound CC(=O)CCC(C)=O OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-Oxohexane Chemical compound CCCCC(C)=O QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC=N1 BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2-pentanol Chemical compound CC(C)CC(C)O WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N Acetamide Chemical compound CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 2
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- MGNZXYYWBUKAII-UHFFFAOYSA-N cyclohexa-1,3-diene Chemical compound C1CC=CC=C1 MGNZXYYWBUKAII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N cyclohexene Chemical compound C1CCC=CC1 HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LPIQUOYDBNQMRZ-UHFFFAOYSA-N cyclopentene Chemical compound C1CC=CC1 LPIQUOYDBNQMRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N dibutylamine Chemical compound CCCCNCCCC JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N heptan-3-one Chemical compound CCCCC(=O)CC NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical class I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N pentan-2-one Chemical compound CCCC(C)=O XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- RAOIDOHSFRTOEL-UHFFFAOYSA-N tetrahydrothiophene Chemical class C1CCSC1 RAOIDOHSFRTOEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012953 triphenylsulfonium Substances 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- UFADEYDBOXASBQ-UHFFFAOYSA-M (4-cyclohexylphenyl)-diphenylsulfanium;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F.C1CCCCC1C1=CC=C([S+](C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 UFADEYDBOXASBQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HHYVKZVPYXHHCG-UHFFFAOYSA-M (7,7-dimethyl-3-oxo-4-bicyclo[2.2.1]heptanyl)methanesulfonate;diphenyliodanium Chemical compound C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1.C1CC2(CS([O-])(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C HHYVKZVPYXHHCG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N (z)-1-[(z)-octadec-9-enoxy]octadec-9-ene Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCOCCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N 0.000 description 1
- KZPYGQFFRCFCPP-UHFFFAOYSA-N 1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene Chemical compound [Fe+2].C1=CC=C[C-]1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=C[C-]1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KZPYGQFFRCFCPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLLPVDKADBYKLM-UHFFFAOYSA-M 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate;triphenylsulfanium Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VLLPVDKADBYKLM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KZWJWYFPLXRYIL-UHFFFAOYSA-M 1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)F KZWJWYFPLXRYIL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XGCDBGRZEKYHNV-UHFFFAOYSA-N 1,1-bis(diphenylphosphino)methane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)CP(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 XGCDBGRZEKYHNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QFMZQPDHXULLKC-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(diphenylphosphino)ethane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)CCP(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 QFMZQPDHXULLKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Chemical compound CN1CCN(C)C1=O CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BXGYVRIBHDBIJQ-UHFFFAOYSA-M 1-(4-butoxynaphthalen-1-yl)thiolan-1-ium;(7,7-dimethyl-3-oxo-4-bicyclo[2.2.1]heptanyl)methanesulfonate Chemical compound C1CC2(CS([O-])(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C.C12=CC=CC=C2C(OCCCC)=CC=C1[S+]1CCCC1 BXGYVRIBHDBIJQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JQIQJUCEFIYYOJ-UHFFFAOYSA-M 1-(4-butoxynaphthalen-1-yl)thiolan-1-ium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C12=CC=CC=C2C(OCCCC)=CC=C1[S+]1CCCC1 JQIQJUCEFIYYOJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WRMXJRZJMAXZNC-UHFFFAOYSA-M 1-(6-butoxynaphthalen-2-yl)thiolan-1-ium;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F.C1=CC2=CC(OCCCC)=CC=C2C=C1[S+]1CCCC1 WRMXJRZJMAXZNC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJNBJBMSAZNICG-UHFFFAOYSA-N 1-fluorobutane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCC(F)S(O)(=O)=O CJNBJBMSAZNICG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJEGHEMJVNQWOJ-UHFFFAOYSA-N 1-heptoxyheptane Chemical compound CCCCCCCOCCCCCCC UJEGHEMJVNQWOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 1-hexanamine Chemical compound CCCCCCN BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 1-hexoxyhexane Chemical compound CCCCCCOCCCCCC BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOPDRZXCEAKHHW-UHFFFAOYSA-N 1-pentoxypentane Chemical compound CCCCCOCCCCC AOPDRZXCEAKHHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,6,7,8,9,10-octahydropyrimido[1,2-a]azepine Chemical compound C1CCCCN2CCCN=C21 GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNZYDSUXCMLOMM-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethyl-4-(thiolan-1-ium-1-yl)phenol;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound CC1=C(O)C(C)=CC([S+]2CCCC2)=C1.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F GNZYDSUXCMLOMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRCVHLCFMAVQCF-UHFFFAOYSA-M 2-(1-adamantyl)-1,1-difluoroethanesulfonate;triphenylsulfanium Chemical compound C1C(C2)CC3CC2CC1(CC(F)(F)S(=O)(=O)[O-])C3.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 GRCVHLCFMAVQCF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- AHFWIRXJWWWORD-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bicyclo[2.2.1]heptanyl)-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonic acid Chemical compound C1CC2C(C(F)(F)C(F)(F)S(=O)(=O)O)CC1C2 AHFWIRXJWWWORD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXQLQPYQYYECNB-UHFFFAOYSA-M 2-(adamantane-1-carbonyloxy)-1,1,3,3,3-pentafluoropropane-1-sulfonate;triphenylsulfanium Chemical compound C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1C(C2)CC3CC2CC1(C(=O)OC(C(F)(F)S(=O)(=O)[O-])C(F)(F)F)C3 HXQLQPYQYYECNB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-4-heptanone Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(C)C PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKLIEUWPBXKNFS-UHFFFAOYSA-M 2-carboxyphenolate;triphenylsulfanium Chemical compound OC1=CC=CC=C1C([O-])=O.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KKLIEUWPBXKNFS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZVUNTIMPQCQCAQ-UHFFFAOYSA-N 2-dodecanoyloxyethyl dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OCCOC(=O)CCCCCCCCCCC ZVUNTIMPQCQCAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNKAANHOVFZAMR-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxycyclohexanecarboxylic acid Chemical compound OC1CCCCC1C(O)=O SNKAANHOVFZAMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFODJWLTZZIPDU-UHFFFAOYSA-N 2-morpholin-4-ylethyl dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OCCN1CCOCC1 AFODJWLTZZIPDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 2-octanone Chemical compound CCCCCCC(C)=O ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCC(=O)CC1 VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMILGIZTAZXMTM-UHFFFAOYSA-N 4-propylmorpholine Chemical compound CCCN1CCOCC1 NMILGIZTAZXMTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRRKZXMKAWXOLN-UHFFFAOYSA-M 6-(adamantane-1-carbonyloxy)-1,1,2,2-tetrafluorohexane-1-sulfonate;triphenylsulfanium Chemical compound C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1C(C2)CC3CC2CC1(C(=O)OCCCCC(F)(F)C(F)(F)S(=O)(=O)[O-])C3 YRRKZXMKAWXOLN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYDLMMLFFFDFJJ-UHFFFAOYSA-N CS(C(C=C1)=CC=C1[S+](C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1)(=O)=O.FC(C(C(C(F)(F)F)(F)F)(F)F)F.S Chemical compound CS(C(C=C1)=CC=C1[S+](C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1)(=O)=O.FC(C(C(C(F)(F)F)(F)F)(F)F)F.S OYDLMMLFFFDFJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910021580 Cobalt(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N Diethyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OCC OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQZGPSLYZOOYQP-UHFFFAOYSA-N Diisoamyl ether Chemical compound CC(C)CCOCCC(C)C AQZGPSLYZOOYQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Natural products OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical class C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine Chemical compound CN(C)CCN(C)C KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N N,N‐diethylformamide Chemical compound CCN(CC)C=O SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N N-methylacetamide Chemical compound CNC(C)=O OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGEGHDBEHXKFPX-UHFFFAOYSA-N N-methylthiourea Natural products CNC(N)=O XGEGHDBEHXKFPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JABXMSSGPHGCII-UHFFFAOYSA-N acetic acid;propane-1,2-diol Chemical compound CC(O)=O.CC(O)CO JABXMSSGPHGCII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- DJBAOXYQCAKLPH-UHFFFAOYSA-M bis(4-tert-butylphenyl)iodanium;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F.C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1[I+]C1=CC=C(C(C)(C)C)C=C1 DJBAOXYQCAKLPH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L cobalt dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Co+2] GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZBYYWKJVSFHYJL-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+);diacetate;tetrahydrate Chemical compound O.O.O.O.[Co+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O ZBYYWKJVSFHYJL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000003950 cyclic amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000003997 cyclic ketones Chemical class 0.000 description 1
- CGZZMOTZOONQIA-UHFFFAOYSA-N cycloheptanone Chemical compound O=C1CCCCCC1 CGZZMOTZOONQIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IIRFCWANHMSDCG-UHFFFAOYSA-N cyclooctanone Chemical compound O=C1CCCCCCC1 IIRFCWANHMSDCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005265 dialkylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001983 dialkylethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- XXTZHYXQVWRADW-UHFFFAOYSA-N diazomethanone Chemical class [N]N=C=O XXTZHYXQVWRADW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 description 1
- 150000001989 diazonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N diethyl oxalate Chemical compound CCOC(=O)C(=O)OCC WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZBQIPPOMKBLAS-UHFFFAOYSA-N diethylazanide Chemical compound CC[N-]CC UZBQIPPOMKBLAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBCSQFQVDXIOJL-UHFFFAOYSA-N diethylazanide;hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4].CC[N-]CC.CC[N-]CC.CC[N-]CC.CC[N-]CC VBCSQFQVDXIOJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N dimethyl carbonate Chemical compound COC(=O)OC IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BEPAFCGSDWSTEL-UHFFFAOYSA-N dimethyl malonate Chemical compound COC(=O)CC(=O)OC BEPAFCGSDWSTEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKIUAMUSENSFQQ-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide Chemical compound C[N-]C QKIUAMUSENSFQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORPDKMPYOLFUBA-UHFFFAOYSA-M diphenyliodanium;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F ORPDKMPYOLFUBA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SBQIJPBUMNWUKN-UHFFFAOYSA-M diphenyliodanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1 SBQIJPBUMNWUKN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- GTKHNOIDTQESEF-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+) propan-2-ol propan-2-olate Chemical compound CC(C)O.CC(C)O[Hf](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C GTKHNOIDTQESEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- YUWFEBAXEOLKSG-UHFFFAOYSA-N hexamethylbenzene Chemical compound CC1=C(C)C(C)=C(C)C(C)=C1C YUWFEBAXEOLKSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 150000003903 lactic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043265 methyl isobutyl ketone Drugs 0.000 description 1
- MGJXBDMLVWIYOQ-UHFFFAOYSA-N methylazanide Chemical compound [NH-]C MGJXBDMLVWIYOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFWSQSCIDYBUOU-UHFFFAOYSA-N methylcyclopentadiene Chemical compound CC1=CC=CC1 NFWSQSCIDYBUOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGEGHDBEHXKFPX-NJFSPNSNSA-N methylurea Chemical compound [14CH3]NC(N)=O XGEGHDBEHXKFPX-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 150000002762 monocarboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- DAZXVJBJRMWXJP-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylethylamine Chemical compound CCN(C)C DAZXVJBJRMWXJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- RCLLINSDAJVOHP-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n',n'-dimethylprop-2-enehydrazide Chemical compound CCN(N(C)C)C(=O)C=C RCLLINSDAJVOHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNVRJGIVDSQCOP-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n-methylethanamine Chemical compound CCN(C)CC GNVRJGIVDSQCOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJQAMHYHNCADNR-UHFFFAOYSA-N n-methylpropanamide Chemical compound CCC(=O)NC QJQAMHYHNCADNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- SJYNFBVQFBRSIB-UHFFFAOYSA-N norbornadiene Chemical compound C1=CC2C=CC1C2 SJYNFBVQFBRSIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- WQIQNKQYEUMPBM-UHFFFAOYSA-N pentamethylcyclopentadiene Chemical compound CC1C(C)=C(C)C(C)=C1C WQIQNKQYEUMPBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N pentamethylene Natural products C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 150000004714 phosphonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229920000083 poly(allylamine) Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000259 polyoxyethylene lauryl ether Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- ZGSOBQAJAUGRBK-UHFFFAOYSA-N propan-2-olate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] ZGSOBQAJAUGRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 1
- 150000003902 salicylic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 125000001935 tetracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C12)* 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005270 trialkylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M triphenylsulfonium triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003672 ureas Chemical class 0.000 description 1
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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Abstract
解像性及び感度に優れるパターン形成方法の提供を目的とする。本発明は、基板に直接又は間接に、下記式(1)で表される錯体及び有機溶媒を含有する感放射線性組成物を塗工する工程と、上記塗工工程により形成された膜を紫外線、遠紫外線、極端紫外線又は電子線で露光する工程と、上記露光工程後の上記膜を現像する工程とを備えるパターン形成方法である。下記式(1)中、Mは、亜鉛原子、コバルト原子、ニッケル原子、ハフニウム原子、ジルコニウム原子、チタン原子、鉄原子、クロム原子、マンガン原子又はインジウム原子である。Lは、下記式(2)で表される化合物に由来する配位子である。下記式(2)中、R1及びR2は、それぞれ独立して、−C(=O)−RA、−C(=O)−ORB又は−CNである。
Description
本発明は、パターン形成方法及び感放射線性組成物に関する。
リソグラフィーによる微細加工に用いられる一般的な感放射線性組成物は、紫外線、遠紫外線(例えばArFエキシマレーザー光、KrFエキシマレーザー光等)、極端紫外線等の電磁波や、電子線等の荷電粒子線などの露光により露光部に酸を発生させ、この酸を触媒とする化学反応により露光部及び未露光部で現像液に対する溶解速度に差を生じさせ、基板上にパターンを形成する。形成されたパターンは、基板加工におけるマスク等として用いることができる。
かかる感放射線性組成物には、加工技術の微細化に伴ってレジスト性能を向上させることが要求されている。この要求に対し、組成物に用いられる重合体、酸発生剤、その他の成分の種類、分子構造等が検討され、さらにその組み合わせについても詳細に検討されている(特開平11−125907号公報、特開平8−146610号公報及び特開2000−298347号公報参照)。
また、最近では、特に極端紫外線又は電子線に対する感度を向上させることが要求され、この要求に対して、感放射線性組成物の成分として、金属酸化物を主成分とする粒子を用いることが検討されている。このような粒子は、極端紫外線等を吸収して二次電子を発生し、この二次電子の作用により酸発生剤等からの酸の発生を促進することによって、感度を向上させることができると考えられる。
しかし、このような粒子を含有する感放射線性組成物を用いるパターン形成方法によっても、未だ要求される解像性及び感度のレベルには到達していない。
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、解像性及び感度に優れるパターン形成方法及び感放射線性組成物を提供することにある。
上記課題を解決するためになされた発明は、基板に直接又は間接に、下記式(1)で表される錯体及び有機溶媒を含有する感放射線性組成物を塗工する工程と、上記塗工工程により形成された膜を紫外線、遠紫外線、極端紫外線又は電子線で露光する工程と、上記露光工程後の上記膜を現像する工程とを備えるパターン形成方法である。
(上記式(1)中、Mは、亜鉛原子、コバルト原子、ニッケル原子、ハフニウム原子、ジルコニウム原子、チタン原子、鉄原子、クロム原子、マンガン原子又はインジウム原子である。mは、上記式(1)の錯体におけるMの原子の数を表し、1〜20の整数である。mが2以上の場合、複数のMは互いに同一又は異なる。Lは、下記式(2)で表される化合物に由来する配位子である。nは、上記式(1)の錯体におけるLの配位子の数を表し、1〜80の整数である。nが2以上の場合、複数のLは互いに同一又は異なる。Qは、L以外の配位子である。pは、上記式(1)の錯体におけるQの配位子の数を表し、0〜40の整数である。pが2以上の場合、複数のQは互いに同一又は異なる。)
(上記式(2)中、R1及びR2は、それぞれ独立して、−C(=O)−RA、−C(=O)−ORB又は−CNである。RA及びRBは、それぞれ独立して、炭素数6〜20のアリール基又はフッ素原子置換若しくは非置換の炭素数1〜20のアルキル基である。R3は、水素原子又は炭素数1〜20の1価の炭化水素基である。)
上記課題を解決するためになされた別の発明は、上記式(1)で表される錯体と、有機溶媒とを含有する感放射線性組成物である。
本発明のパターン形成方法及び感放射線性組成物によれば、高い感度で、高い解像度のパターンを形成することができる。従って、これらは今後ますます微細化が進行すると予想される半導体デバイス、液晶デバイス等の各種電子デバイスのリソグラフィー工程における微細なパターン形成に好適に用いることができる。
<パターン形成方法>
当該パターン形成方法は、基板に直接又は間接に、式(1)で表される錯体(以下、「[A]錯体」ともいう)及び有機溶媒(以下、「[B]有機溶媒」ともいう)を含有する感放射線性組成物(以下、「感放射線性組成物(X)」ともいう)を塗工する工程(以下、「塗工工程」ともいう)と、上記塗工工程により形成された膜を紫外線、遠紫外線、極端紫外線又は電子線で露光する工程(以下、「露光工程」ともいう)と、上記露光工程後の上記膜を現像する工程(以下、「現像工程」ともいう)とを備える。
当該パターン形成方法は、基板に直接又は間接に、式(1)で表される錯体(以下、「[A]錯体」ともいう)及び有機溶媒(以下、「[B]有機溶媒」ともいう)を含有する感放射線性組成物(以下、「感放射線性組成物(X)」ともいう)を塗工する工程(以下、「塗工工程」ともいう)と、上記塗工工程により形成された膜を紫外線、遠紫外線、極端紫外線又は電子線で露光する工程(以下、「露光工程」ともいう)と、上記露光工程後の上記膜を現像する工程(以下、「現像工程」ともいう)とを備える。
当該パターン形成方法によれば、高い感度で、高い解像度のパターンを形成することができる。以下、各工程について説明する。
<塗工工程>
本工程では、基板に直接又は間接に感放射線性組成物(X)を塗工する。これにより膜を形成する。以下、感放射線性組成物(X)について説明する。
本工程では、基板に直接又は間接に感放射線性組成物(X)を塗工する。これにより膜を形成する。以下、感放射線性組成物(X)について説明する。
<感放射線性組成物>
感放射線性組成物(X)は、[A]錯体及び[B]有機溶媒を含有する。感放射線性組成物(X)は、感放射線性酸発生剤(以下、「[C]酸発生剤」ともいう)を含有することが好ましく、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の成分を含有していてもよい。
感放射線性組成物(X)は、[A]錯体及び[B]有機溶媒を含有する。感放射線性組成物(X)は、感放射線性酸発生剤(以下、「[C]酸発生剤」ともいう)を含有することが好ましく、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の成分を含有していてもよい。
当該パターン形成方法は、上記各工程を備え、感放射線性組成物(X)が[A]錯体及び[B]有機溶媒を含有することで、解像性及び感度に優れる。感放射線性組成物(X)が上記構成を有することで上記効果を奏する理由については必ずしも明確ではないが、例えば以下のように推察することができる。すなわち、感放射線性組成物(X)は比較的小さいサイズである[A]錯体を用いてパターンを形成するものであるため、解像性を向上させることができると考えられる。また、[A]錯体は、比較的低いエネルギーによって変質し、現像液に対する溶解度が変化するものであると考えられ、その結果、感放射線性組成物(X)の感度を向上させることができると考えられる。以下、各成分について説明する。
[[A]錯体]
[A]錯体は、下記式(1)で表される錯体である。
[A]錯体は、下記式(1)で表される錯体である。
上記式(1)中、Mは、亜鉛原子、コバルト原子、ニッケル原子、ハフニウム原子、ジルコニウム原子、チタン原子、鉄原子、クロム原子、マンガン原子又はインジウム原子である。mは、上記式(1)の錯体におけるMの原子の数を表し、1〜20の整数である。mが2以上の場合、複数のMは互いに同一又は異なる。Lは、下記式(2)で表される化合物に由来する配位子である。nは、上記式(1)の錯体におけるLの配位子の数を表し、1〜80の整数である。nが2以上の場合、複数のLは互いに同一又は異なる。Qは、L以外の配位子である。pは、上記式(1)の錯体におけるQの配位子の数を表し、0〜40の整数である。pが2以上の場合、複数のQは互いに同一又は異なる。
上記式(2)中、R1及びR2は、それぞれ独立して、−C(=O)−RA、−C(=O)−ORB又は−CNである。RA及びRBは、それぞれ独立して、炭素数6〜20のアリール基又はフッ素原子置換若しくは非置換の炭素数1〜20のアルキル基である。R3は、水素原子又は炭素数1〜20の1価の炭化水素基である。
Mとしては、亜鉛原子、コバルト原子又はハフニウム原子が好ましい。Mを上記金属原子とすることで、解像性及び感度をより向上させることができる。
mとしては、1〜10が好ましく、1〜3がより好ましく、1又は2がさらに好ましく、1が特に好ましい。mを上記範囲とすることで、解像性及び感度をより向上させることができる。
Lを与える上記式(2)で表される化合物(以下、「化合物(2)」ともいう)について、R1及びR2の−C(=O)−RA及び−C(=O)−ORBにおけるRA及びRBで表される炭素数6〜20のアリール基としては、例えばフェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、テトラセニル基、ピレニル基等が挙げられる。
RA又はRBで表される非置換の炭素数1〜20のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基等が挙げられる。
RA又はRBで表されるフッ素原子置換の炭素数1〜20のアルキル基としては、例えば上記RA及びRBとして例示した非置換の炭素数1〜20のアルキル基が有する水素原子の一部又は全部をフッ素原子で置換した基等が挙げられる。
RA及びRBとしては、フッ素原子置換又は非置換のアルキル基が好ましく、フッ素原子置換若しくは非置換の炭素数1〜4のアルキル基がより好ましく、フッ素原子置換若しくは非置換のメチル基、又は非置換のエチル基、プロピル基若しくはブチル基がさらに好ましく、メチル基、エチル基、t−ブチル基又はトリフルオロメチル基が特に好ましい。RA及びRBを上記基とすることで、解像性及び感度をより向上させることができる。
R1及びR2としては、−C(=O)−RA又は−C(=O)−ORBが好ましく、−C(=O)−ORBがより好ましい。R1及びR2を上記基とすることで、解像性及び感度をより向上させることができる。
R3で表される炭素数1〜20の1価の炭化水素基としては、例えばアルキル基、アルケニル基、アルキニル基等の炭素数1〜20の鎖状炭化水素基、単環又は多環の炭素数3〜20の脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基等の炭素数6〜20の芳香族炭化水素基などが挙げられる。
R3としては、水素原子が好ましい。
化合物(2)としては、例えば下記式(2−1)〜(2−15)で表される化合物(以下、「化合物(2−1)〜(2−15)」ともいう)等が挙げられる。
これらの中で、化合物(2−1)、(2−2)、(2−3)、(2−4)又は(2−6)が好ましい。
nとしては、1〜40が好ましく、1〜12がより好ましく、1〜8がさらに好ましく、2〜4が特に好ましい。
Qで表されるL以外の配位子としては、例えば
ヒドロキソ配位子、カルボキシ配位子、アミド配位子、アンモニア等の単座配位子;
ヒドロキシ酸エステル、π結合を有する炭化水素、ジホスフィン等の多座配位子などが挙げられる。
ヒドロキソ配位子、カルボキシ配位子、アミド配位子、アンモニア等の単座配位子;
ヒドロキシ酸エステル、π結合を有する炭化水素、ジホスフィン等の多座配位子などが挙げられる。
アミド配位子としては、例えば無置換アミド配位子(NH2)、メチルアミド配位子(NHMe)、ジメチルアミド配位子(NMe2)、ジエチルアミド配位子(NEt2)、ジプロピルアミド配位子(NPr2)等が挙げられる。
ヒドロキシ酸エステルとしては例えばグリコール酸エステル、乳酸エステル、2−ヒドロキシシクロヘキサン−1−カルボン酸エステル、サリチル酸エステル等が挙げられる。
π結合を有する炭化水素としては、例えば
エチレン、プロピレン等の鎖状オレフィン;
シクロペンテン、シクロヘキセン、ノルボルネン等の環状オレフィン;
ブタジエン、イソプレン等の鎖状ジエン;
シクロペンタジエン、メチルシクロペンタジエン、ペンタメチルシクロペンタジエン、シクロヘキサジエン、ノルボルナジエン等の環状ジエン;
ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサメチルベンゼン、ナフタレン、インデン等の芳香族炭化水素などが挙げられる。
エチレン、プロピレン等の鎖状オレフィン;
シクロペンテン、シクロヘキセン、ノルボルネン等の環状オレフィン;
ブタジエン、イソプレン等の鎖状ジエン;
シクロペンタジエン、メチルシクロペンタジエン、ペンタメチルシクロペンタジエン、シクロヘキサジエン、ノルボルナジエン等の環状ジエン;
ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサメチルベンゼン、ナフタレン、インデン等の芳香族炭化水素などが挙げられる。
ジホスフィンとしては、例えば1,1−ビス(ジフェニルホスフィノ)メタン、1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン、1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン、2,2’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−1,1’−ビナフチル、1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン等が挙げられる。
pとしては、0〜20が好ましく、0〜10がより好ましく、0〜3がさらに好ましく、0が特に好ましい。
[A]錯体としては、例えば下記式(A1)〜(A15)で表される錯体(以下、「錯体(A1)〜(A15)」ともいう)等が挙げられる。
これらの中で、錯体(A1)〜(A8)が好ましい。
[A]錯体としては、紫外線、遠紫外線、極端紫外線又は電子線の照射により[A]錯体の現像液に対する溶解性が低下するものが好ましい。[A]錯体をこのような性質を有するものとすることで、放射線照射前後の現像液に対する溶解性の変化をより大きくすることができ、解像性及び感度をより向上させることができる。また、このような性質の[A]錯体を用いることにより、ネガ型の感放射線性組成物(X)とすることができる。
([A]錯体の合成方法)
[A]錯体は、例えば上記式(1)のMの金属原子にアルコキシドイオン、ハロゲン化物イオン、カルボン酸イオン、ジアルキルアミドイオン等のアニオン配位子が配位している錯体に、上記式(1)のLを与える化合物(2)を加えて配位子交換を行うことにより合成することができる。また、[A]錯体として、市販品を用いることもできる。
[A]錯体は、例えば上記式(1)のMの金属原子にアルコキシドイオン、ハロゲン化物イオン、カルボン酸イオン、ジアルキルアミドイオン等のアニオン配位子が配位している錯体に、上記式(1)のLを与える化合物(2)を加えて配位子交換を行うことにより合成することができる。また、[A]錯体として、市販品を用いることもできる。
[A]錯体の含有量の下限としては、感放射線性組成物(X)における[B]有機溶媒以外の全成分に対して、30質量%が好ましく、50質量%がより好ましく、70質量%がさらに好ましく、90質量%が特に好ましい。上記含有量の上限としては、例えば100質量%であり、99質量%が好ましく、97質量%がより好ましい。[A]錯体の含有量を上記範囲とすることで、感放射線性組成物(X)の解像性及び感度をより向上させることができる。感放射線性組成物(X)は、[A]錯体を1種又は2種以上含有していてもよい。
[[B]有機溶媒]
[B]有機溶媒としては、少なくとも[A]錯体及び必要に応じて含有される[C]酸発生剤等のその他の成分などを溶解又は分散可能な有機溶媒であれば特に限定されない。[B]有機溶媒は1種又は2種以上を用いることができる。
[B]有機溶媒としては、少なくとも[A]錯体及び必要に応じて含有される[C]酸発生剤等のその他の成分などを溶解又は分散可能な有機溶媒であれば特に限定されない。[B]有機溶媒は1種又は2種以上を用いることができる。
[B]有機溶媒としては、例えばアルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒、炭化水素系溶媒等が挙げられる。
アルコール系溶媒としては、例えば
イソプロピルアルコール、4−メチル−2−ペンタノール、n−ヘキサノール等の炭素数1〜18の脂肪族モノアルコール系溶媒;
シクロヘキサノール等の炭素数3〜18の脂環式モノアルコール系溶媒;
1,2−プロピレングリコール等の炭素数2〜18の多価アルコール系溶媒;
1−エトキシ−2−プロパノール等の炭素数3〜19の多価アルコール部分エーテル系溶媒などが挙げられる。
イソプロピルアルコール、4−メチル−2−ペンタノール、n−ヘキサノール等の炭素数1〜18の脂肪族モノアルコール系溶媒;
シクロヘキサノール等の炭素数3〜18の脂環式モノアルコール系溶媒;
1,2−プロピレングリコール等の炭素数2〜18の多価アルコール系溶媒;
1−エトキシ−2−プロパノール等の炭素数3〜19の多価アルコール部分エーテル系溶媒などが挙げられる。
エーテル系溶媒としては、例えば
ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジペンチルエーテル、ジイソアミルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジヘプチルエーテル等のジアルキルエーテル系溶媒;
テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等の環状エーテル系溶媒;
ジフェニルエーテル、アニソール等の芳香環含有エーテル系溶媒などが挙げられる。
ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジペンチルエーテル、ジイソアミルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジヘプチルエーテル等のジアルキルエーテル系溶媒;
テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等の環状エーテル系溶媒;
ジフェニルエーテル、アニソール等の芳香環含有エーテル系溶媒などが挙げられる。
ケトン系溶媒としては、例えば
アセトン、メチルエチルケトン、メチル−n−プロピルケトン、メチル−n−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−iso−ブチルケトン、2−ヘプタノン、エチル−n−ブチルケトン、メチル−n−ヘキシルケトン、ジ−iso−ブチルケトン、トリメチルノナノン等の鎖状ケトン系溶媒:
シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン等の環状ケトン系溶媒:
2,4−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノンなどが挙げられる。
アセトン、メチルエチルケトン、メチル−n−プロピルケトン、メチル−n−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−iso−ブチルケトン、2−ヘプタノン、エチル−n−ブチルケトン、メチル−n−ヘキシルケトン、ジ−iso−ブチルケトン、トリメチルノナノン等の鎖状ケトン系溶媒:
シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン等の環状ケトン系溶媒:
2,4−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノンなどが挙げられる。
アミド系溶媒としては、例えば
N,N’−ジメチルイミダゾリジノン、N−メチルピロリドン等の環状アミド系溶媒;
N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルプロピオンアミド等の鎖状アミド系溶媒などが挙げられる。
N,N’−ジメチルイミダゾリジノン、N−メチルピロリドン等の環状アミド系溶媒;
N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルプロピオンアミド等の鎖状アミド系溶媒などが挙げられる。
エステル系溶媒としては、例えば
酢酸n−ブチル、乳酸エチル等のモノカルボン酸エステル系溶媒;
プロピレングリコールアセテート等の多価アルコールカルボキシレート系溶媒;
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)等の多価アルコール部分エーテルカルボキシレート系溶媒;
シュウ酸ジエチル等の多価カルボン酸ジエステル系溶媒;
ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート等のカーボネート系溶媒などが挙げられる。
酢酸n−ブチル、乳酸エチル等のモノカルボン酸エステル系溶媒;
プロピレングリコールアセテート等の多価アルコールカルボキシレート系溶媒;
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)等の多価アルコール部分エーテルカルボキシレート系溶媒;
シュウ酸ジエチル等の多価カルボン酸ジエステル系溶媒;
ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート等のカーボネート系溶媒などが挙げられる。
炭化水素系溶媒としては、例えば
n−ペンタン、n−ヘキサン等の炭素数5〜12の脂肪族炭化水素系溶媒;
トルエン、キシレン等の炭素数6〜16の芳香族炭化水素系溶媒などが挙げられる。
n−ペンタン、n−ヘキサン等の炭素数5〜12の脂肪族炭化水素系溶媒;
トルエン、キシレン等の炭素数6〜16の芳香族炭化水素系溶媒などが挙げられる。
これらの中で、アルコール系溶媒が好ましく、多価アルコール部分エーテル系溶媒がより好ましく、1−エトキシ−2−プロパノールがさらに好ましい。
[[C]酸発生剤]
[C]酸発生剤は、放射線の照射により酸を発生する成分である。[C]酸発生剤から発生する酸の作用により、感放射線性組成物(X)における[A]錯体の現像液への溶解性等の変化をより促進することができ、その結果、解像性及び感度をより向上させることができる。
[C]酸発生剤は、放射線の照射により酸を発生する成分である。[C]酸発生剤から発生する酸の作用により、感放射線性組成物(X)における[A]錯体の現像液への溶解性等の変化をより促進することができ、その結果、解像性及び感度をより向上させることができる。
[C]酸発生剤としては、例えばオニウム塩化合物、N−スルホニルオキシイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物等が挙げられる。
オニウム塩化合物としては、例えばスルホニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩、ヨードニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩等が挙げられる。
スルホニウム塩としては、例えばトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−イル−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート、4−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、4−メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム1,1,2,2−テトラフルオロ−6−(1−アダマンタンカルボニロキシ)−ヘキサン−1−スルホネート、トリフェニルスルホニウム2−(1−アダマンチル)−1,1−ジフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2−(アダマンタン−1−イルカルボニルオキシ)−1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロパン−1−スルホネート等が挙げられる。
テトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム2−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−イル−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート、1−(6−n−ブトキシナフタレン−2−イル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート等が挙げられる。
ヨードニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム2−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−イル−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムカンファースルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート等が挙げられる。
N−スルホニルオキシイミド化合物としては、例えばN−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−1,8−ナフタルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(ノナフルオロ−n−ブチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(パーフルオロ−n−オクチルスルホニルオキシ)−1,8−ナフタルイミド、N−(パーフルオロ−n−オクチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−イル−1,1,2,2−テトラフルオロエチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−(3−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル)−1,1−ジフルオロエチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(カンファースルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド等が挙げられる。
[C]酸発生剤としては、これらの中で、オニウム塩化合物又はN−スルホニルオキシイミド化合物が好ましく、スルホニウム塩又はN−スルホニルオキシイミド化合物がより好ましく、N−スルホニルオキシイミド化合物がさらに好ましく、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−1,8−ナフタルイミドが特に好ましい。
感放射線性組成物(X)が[C]酸発生剤を含有する場合、[C]酸発生剤の含有量の下限としては、[A]錯体100質量部に対して、0.1質量部が好ましく、1質量部がより好ましく、3質量部がさらに好ましい。上記含有量の上限としては、40質量部が好ましく、20質量部がより好ましく、10質量部がさらに好ましい。
[C]酸発生剤の含有量を上記範囲とすることで、感放射線性組成物(X)の解像性及感度をより向上させることができる。[C]酸発生剤は、1種又は2種以上を用いることができる。
[その他の成分]
その他の成分としては、例えば感放射線性ラジカル発生剤、酸拡散制御剤、界面活性剤等が挙げられる。感放射線性組成物(X)は、その他の成分を1種又は2種以上用いてもよい。
その他の成分としては、例えば感放射線性ラジカル発生剤、酸拡散制御剤、界面活性剤等が挙げられる。感放射線性組成物(X)は、その他の成分を1種又は2種以上用いてもよい。
(感放射線性ラジカル発生剤)
感放射線性ラジカル発生剤は、放射線の照射によりラジカルを発生する成分である。感放射線性ラジカル発生剤としては、公知の化合物を用いることができる。
感放射線性ラジカル発生剤は、放射線の照射によりラジカルを発生する成分である。感放射線性ラジカル発生剤としては、公知の化合物を用いることができる。
感放射線性組成物(X)が感放射線性ラジカル発生剤を含有する場合、感放射線性ラジカル発生剤の含有量は、本発明の効果を損なわない範囲において種々設定することができる。
(酸拡散制御剤)
酸拡散制御剤は、露光により[C]酸発生剤等から生じる酸の膜中における拡散現象を制御し、非露光領域における好ましくない化学反応を抑制する効果を奏する。また、感放射線性組成物(X)の保存安定性がより向上すると共に、解像性がより向上する。さらに、露光から現像処理までの引き置き時間の変動によるパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に優れた感放射線性組成物が得られる。
酸拡散制御剤は、露光により[C]酸発生剤等から生じる酸の膜中における拡散現象を制御し、非露光領域における好ましくない化学反応を抑制する効果を奏する。また、感放射線性組成物(X)の保存安定性がより向上すると共に、解像性がより向上する。さらに、露光から現像処理までの引き置き時間の変動によるパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に優れた感放射線性組成物が得られる。
酸拡散制御剤としては、窒素原子含有化合物、放射線の照射により弱酸を発生する光崩壊性塩基等が挙げられる。
窒素原子含有化合物としては、例えば
n−ヘキシルアミン等のモノアルキルアミン;ジ−n−ブチルアミン等のジアルキルアミン;トリエチルアミン等のトリアルキルアミン;アニリン等の芳香族アミンなどのモノアミン、
エチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン等のジアミン、
ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン等のポリアミン、
ジメチルアミノエチルアクリルアミド等の重合体などのアミン化合物、
ホルムアミド、N−メチルホルムアミド等のアミド基含有化合物、
尿素、メチルウレア等のウレア化合物、
ピリジン、2−メチルピリジン等のピリジン化合物;N−プロピルモルホリン、N−(ウンデシルカルボニルオキシエチル)モルホリン等のモルホリン化合物;ピラジン、ピラゾール等の含窒素複素環化合物、
N−t−ブトキシカルボニルピペリジン、N−t−ブトキシカルボニルイミダゾール等の酸解離性基を有する含窒素複素環化合物などが挙げられる。
n−ヘキシルアミン等のモノアルキルアミン;ジ−n−ブチルアミン等のジアルキルアミン;トリエチルアミン等のトリアルキルアミン;アニリン等の芳香族アミンなどのモノアミン、
エチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン等のジアミン、
ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン等のポリアミン、
ジメチルアミノエチルアクリルアミド等の重合体などのアミン化合物、
ホルムアミド、N−メチルホルムアミド等のアミド基含有化合物、
尿素、メチルウレア等のウレア化合物、
ピリジン、2−メチルピリジン等のピリジン化合物;N−プロピルモルホリン、N−(ウンデシルカルボニルオキシエチル)モルホリン等のモルホリン化合物;ピラジン、ピラゾール等の含窒素複素環化合物、
N−t−ブトキシカルボニルピペリジン、N−t−ブトキシカルボニルイミダゾール等の酸解離性基を有する含窒素複素環化合物などが挙げられる。
光崩壊性塩基としては、露光により分解して酸拡散制御性を失うオニウム塩化合物等が挙げられる。このようなオニウム塩化合物としては、例えばトリフェニルスルホニウム塩、ジフェニルヨードニウム塩等が挙げられる。
光崩壊性塩基としては、例えばトリフェニルスルホニウムサリチレート、トリフェニルスルホニウム10−カンファースルホネート等が挙げられる。
感放射線性組成物(X)が酸拡散制御剤を含有する場合、酸拡散制御剤の含有量の下限としては、感放射線性組成物(X)の[B]有機溶媒以外の全成分に対して、0.1質量%が好ましく、0.3質量%がより好ましく、1質量%がさらに好ましい。上記含有量の上限としては、20質量%が好ましく、10質量%がより好ましく、5質量%がさらに好ましい。
感放射線性組成物(X)が酸拡散制御剤を含有する場合、酸拡散制御剤の含有量の下限としては、[A]錯体100質量部に対して、0.1質量部が好ましく、0.3質量部がより好ましく、1質量部がさらに好ましい。上記含有量の上限としては、20質量部が好ましく、10質量部がより好ましく、5質量部がさらに好ましい。
酸拡散制御剤の含有量を上記範囲とすることで、感放射線性組成物(X)の解像性及び感度をより向上させることができる。
(界面活性剤)
界面活性剤は、塗布性、ストリエーション等を改良する作用を示す成分である。上記界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンn−オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンn−ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤などが挙げられる。また、上記界面活性剤の市販品としては、例えばKP341(信越化学工業(株))、ポリフローNo.75、同No.95(以上、共栄社化学(株))、エフトップEF301、同EF303、同EF352(以上、(株)トーケムプロダクツ)、メガファックF171、同F173(以上、DIC(株))、フロラードFC430、同FC431(以上、住友スリーエム(株))、アサヒガードAG710、サーフロンS−382、同SC−101、同SC−102、同SC−103、同SC−104、同SC−105、同SC−106(以上、旭硝子(株))などが挙げられる。
界面活性剤は、塗布性、ストリエーション等を改良する作用を示す成分である。上記界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンn−オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンn−ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤などが挙げられる。また、上記界面活性剤の市販品としては、例えばKP341(信越化学工業(株))、ポリフローNo.75、同No.95(以上、共栄社化学(株))、エフトップEF301、同EF303、同EF352(以上、(株)トーケムプロダクツ)、メガファックF171、同F173(以上、DIC(株))、フロラードFC430、同FC431(以上、住友スリーエム(株))、アサヒガードAG710、サーフロンS−382、同SC−101、同SC−102、同SC−103、同SC−104、同SC−105、同SC−106(以上、旭硝子(株))などが挙げられる。
[感放射線性組成物の調製方法]
感放射線性組成物(X)は、例えば[A]錯体及び[B]有機溶媒並びに必要に応じて[C]酸発生剤、その他の成分等を所定の割合で混合し、好ましくは、得られた混合物を孔径0.2μm程度のフィルターでろ過することにより調製することができる。感放射線性組成物(X)の固形分濃度の下限としては、0.1質量%が好ましく、0.5質量%がより好ましく、1質量%がさらに好ましく、2質量%が特に好ましい。一方、上記固形分濃度の上限としては、50質量%が好ましく、30質量%がより好ましく、10質量%がさらに好ましく、5質量%が特に好ましい。「固形分濃度」とは、感放射線性組成物における[B]有機溶媒以外の全成分の総和の質量基準の濃度をいう。
感放射線性組成物(X)は、例えば[A]錯体及び[B]有機溶媒並びに必要に応じて[C]酸発生剤、その他の成分等を所定の割合で混合し、好ましくは、得られた混合物を孔径0.2μm程度のフィルターでろ過することにより調製することができる。感放射線性組成物(X)の固形分濃度の下限としては、0.1質量%が好ましく、0.5質量%がより好ましく、1質量%がさらに好ましく、2質量%が特に好ましい。一方、上記固形分濃度の上限としては、50質量%が好ましく、30質量%がより好ましく、10質量%がさらに好ましく、5質量%が特に好ましい。「固形分濃度」とは、感放射線性組成物における[B]有機溶媒以外の全成分の総和の質量基準の濃度をいう。
次に、塗工工程について説明する。具体的には、得られる膜が所望の厚さとなるように感放射線性組成物(X)を塗工して塗工膜を形成した後、必要に応じてプレベーク(PB)によって、塗工膜中の有機溶媒等を揮発させることで膜を形成する。感放射線性組成物(X)を基板に塗工する方法としては、特に限定されないが、例えば回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段を採用できる。上記基板としては、例えばシリコンウエハ、アルミニウムで被覆されたウエハ等が挙げられる。なお、感放射線性組成物の潜在能力を最大限に引き出すため、有機系又は無機系の反射防止膜を基板上に形成してもよい。
本工程で形成する膜の平均厚さの下限としては、1nmが好ましく、5nmがより好ましく、10nmがさらに好ましく、20nmが特に好ましい。一方、上記平均厚さの上限としては、1,000nmが好ましく、200nmがより好ましく、100nmがさらに好ましく、70nmが特に好ましい。
PB温度の下限としては、通常30℃であり、35℃が好ましく、40℃がより好ましい。PB温度の上限としては、通常140℃であり、100℃が好ましい。PB時間の下限としては、通常5秒であり、10秒が好ましい。PB時間の上限としては、通常24時間であり、1時間が好ましく、600秒がより好ましく、300秒がさらに好ましい。
本工程では、環境雰囲気中に含まれる塩基性不純物等の影響を防止するため、例えば形成した膜上に保護膜を設けることもできる。また、後述するように露光工程で液浸露光を行う場合は、液浸媒体と膜との直接的な接触を避けるため、形成した膜上に液浸用保護膜を設けてもよい。
<露光工程>
本工程では、塗工工程により得られた膜を紫外線、遠紫外線、極端紫外線又は電子線で露光する。具体的には、例えば所定のパターンを有するマスクを介して上記膜に放射線を照射する。本工程では、必要に応じ、水等の液浸媒体を介した放射線の照射、つまり液浸露光を採用してもよい。放射線としては、遠紫外線、極端紫外線又は電子線が好ましく、ArFエキシマレーザー光、KrFエキシマレーザー光、極端紫外線又は電子線がより好ましく、極端紫外線又は電子線がさらに好ましい。
本工程では、塗工工程により得られた膜を紫外線、遠紫外線、極端紫外線又は電子線で露光する。具体的には、例えば所定のパターンを有するマスクを介して上記膜に放射線を照射する。本工程では、必要に応じ、水等の液浸媒体を介した放射線の照射、つまり液浸露光を採用してもよい。放射線としては、遠紫外線、極端紫外線又は電子線が好ましく、ArFエキシマレーザー光、KrFエキシマレーザー光、極端紫外線又は電子線がより好ましく、極端紫外線又は電子線がさらに好ましい。
<現像工程>
本工程では、現像液を用い、露光工程後の上記膜を現像する。これにより、所定パターンが形成される。現像液としては例えばアルカリ水溶液、有機溶媒含有液等が挙げられる。すなわち、現像方法としては、アルカリ現像でも有機溶媒現像でもよいが、有機溶媒現像が好ましい。
本工程では、現像液を用い、露光工程後の上記膜を現像する。これにより、所定パターンが形成される。現像液としては例えばアルカリ水溶液、有機溶媒含有液等が挙げられる。すなわち、現像方法としては、アルカリ現像でも有機溶媒現像でもよいが、有機溶媒現像が好ましい。
上記アルカリ水溶液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8−ジアザビシクロ−[5.4.0]−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ−[4.3.0]−5−ノネン等のアルカリ性化合物のうち少なくとも1種を溶解させたアルカリ水溶液などが挙げられる。
上記アルカリ水溶液におけるアルカリ性化合物の含有量の下限としては、0.1質量%が好ましく、0.5質量%がより好ましく、1質量%がさらに好ましい。上記含有量の上限としては、20質量%が好ましく、10質量%がより好ましく、5質量%がさらに好ましい。
上記アルカリ水溶液としては、TMAH水溶液が好ましく、2.38質量%TMAH水溶液がより好ましい。
上記有機溶媒含有液中の有機溶媒としては、例えば感放射線性組成物(X)の[B]有機溶媒として例示した有機溶媒と同様のもの等が挙げられる。これらの中で、アルコール系溶媒、炭化水素系溶媒及びエステル系溶媒からなる群から選ばれる溶媒が好ましく、イソプロピルアルコール、4−メチル−2−ペンタノール、トルエン及び酢酸ブチルからなる群から選ばれる溶媒がより好ましい。
上記有機溶媒含有液における有機溶媒の含有量の下限としては、80質量%が好ましく、90質量%がより好ましく、95質量%がさらに好ましく、99質量%が特に好ましい。上記有機溶媒の含有量を上記範囲とすることで、露光部及び非露光部での現像液に対する溶解速度のコントラストをより向上することができる。なお、上記有機溶媒含有液の有機溶媒以外の成分としては、例えば水、シリコーンオイル等が挙げられる。
上記現像液には、必要に応じて界面活性剤を適当量添加してもよい。上記界面活性剤としては例えばイオン性又は非イオン性のフッ素系界面活性剤、シリコーン系の界面活性剤等を用いることができる。
現像方法としては、例えば現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法(パドル法)、基板表面に現像液を噴霧する方法(スプレー法)、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出しつづける方法(ダイナミックディスペンス法)等が挙げられる。
上記現像後の基板は、水、アルコール等のリンス液を用いてリンスした後、乾燥させることが好ましい。上記リンスの方法としては、例えば一定速度で回転している基板上にリンス液を塗出しつづける方法(回転塗布法)、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、基板表面にリンス液を噴霧する方法(スプレー法)等が挙げられる。
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
感放射線性組成物の調製に用いた[A]錯体について以下に示す。錯体(A−1)〜(A−4)は市販品を用い、錯体(A−5)〜(A−8)は以下の合成例2〜5に示す方法により合成した。
[[A]錯体]
A−1:ハフニウム(IV)テトラアセチルアセトナト(下記式(A−1)で表される化合物)
A−2:亜鉛ジアセチルアセトナト(下記式(A−2)で表される化合物)
A−3:コバルト(II)ジアセチルアセトナト(下記式(A−3)で表される化合物)
A−4:ハフニウム(IV)テトラトリフルオロアセチルアセトナト(下記式(A−4)で表される化合物)
A−5:ハフニウム(IV)テトラ2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナト(下記式(A−5)で表される化合物)
A−6:コバルト(II)ジ2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナト(下記式(A−6)で表される化合物)
A−7:ハフニウム(IV)テトラジメチルマロナト(下記式(A−7)で表される化合物)
A−8:コバルト(II)ジエチルアセトアセトナト(下記式(A−8)で表される化合物)
A−1:ハフニウム(IV)テトラアセチルアセトナト(下記式(A−1)で表される化合物)
A−2:亜鉛ジアセチルアセトナト(下記式(A−2)で表される化合物)
A−3:コバルト(II)ジアセチルアセトナト(下記式(A−3)で表される化合物)
A−4:ハフニウム(IV)テトラトリフルオロアセチルアセトナト(下記式(A−4)で表される化合物)
A−5:ハフニウム(IV)テトラ2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナト(下記式(A−5)で表される化合物)
A−6:コバルト(II)ジ2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナト(下記式(A−6)で表される化合物)
A−7:ハフニウム(IV)テトラジメチルマロナト(下記式(A−7)で表される化合物)
A−8:コバルト(II)ジエチルアセトアセトナト(下記式(A−8)で表される化合物)
[合成例1]
ジルコニウム(IV)テトライソプロポキシド2.7gをメタクリル酸9gに溶解させ、得られた溶液を65℃で2時間加熱した。得られた反応溶液をヘキサンで洗浄した後、乾燥させることで、金属原子と有機酸に由来する配位子とを主に含む粒子(Z−1)を得た。
ジルコニウム(IV)テトライソプロポキシド2.7gをメタクリル酸9gに溶解させ、得られた溶液を65℃で2時間加熱した。得られた反応溶液をヘキサンで洗浄した後、乾燥させることで、金属原子と有機酸に由来する配位子とを主に含む粒子(Z−1)を得た。
[合成例2]
ハフニウム(IV)テトライソプロポキシド・イソプロパノール11.8gをヘキサン70mLに溶解させた。得られた溶液に、2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオン20.8mLを加え、加熱還流条件にて1時間加熱した。減圧濃縮により溶媒を留去後に残った残渣を10mLの加熱したヘキサンに溶解させ、冷却することで錯体(A−5)を得た。
ハフニウム(IV)テトライソプロポキシド・イソプロパノール11.8gをヘキサン70mLに溶解させた。得られた溶液に、2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオン20.8mLを加え、加熱還流条件にて1時間加熱した。減圧濃縮により溶媒を留去後に残った残渣を10mLの加熱したヘキサンに溶解させ、冷却することで錯体(A−5)を得た。
[合成例3]
塩化コバルト(II)2.6gを水15mLに溶解させた後、2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオン8.2mLを添加した。得られた混合物に、エチルアセトアセタート5.2gとメタノール10mLとからなる溶液を添加した。さらに、水酸化ナトリウム0.8gと水15mLとから調製した水酸化ナトリウム水溶液を添加し、室温で3時間撹拌した。析出物をろ取し、水50mLで洗浄することで錯体(A−6)を得た。
塩化コバルト(II)2.6gを水15mLに溶解させた後、2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオン8.2mLを添加した。得られた混合物に、エチルアセトアセタート5.2gとメタノール10mLとからなる溶液を添加した。さらに、水酸化ナトリウム0.8gと水15mLとから調製した水酸化ナトリウム水溶液を添加し、室温で3時間撹拌した。析出物をろ取し、水50mLで洗浄することで錯体(A−6)を得た。
[合成例4]
ハフニウム(IV)テトラジエチルアミド40.5gをジエチルエーテル20mLに溶解後、マロン酸ジメチル0.5gとジエチルエーテル20mLとからなる溶液を1時間かけて滴下した。室温で24時間撹拌した後、減圧濃縮により溶媒を留去させることで錯体(A−7)を得た。
ハフニウム(IV)テトラジエチルアミド40.5gをジエチルエーテル20mLに溶解後、マロン酸ジメチル0.5gとジエチルエーテル20mLとからなる溶液を1時間かけて滴下した。室温で24時間撹拌した後、減圧濃縮により溶媒を留去させることで錯体(A−7)を得た。
[合成例5]
酢酸コバルト(II)4水和物5.0gを水15mLに溶解させた後、エチルアセトアセタート5.2gとメタノール10mLとからなる溶液を添加した。得られた混合物に、トリエチルアミン4.0gとメタノール10mLとからなる溶液を添加し、室温で3時間撹拌した。析出物をろ取し、冷却したメタノール50mLで洗浄することで錯体(A−8)を得た。
酢酸コバルト(II)4水和物5.0gを水15mLに溶解させた後、エチルアセトアセタート5.2gとメタノール10mLとからなる溶液を添加した。得られた混合物に、トリエチルアミン4.0gとメタノール10mLとからなる溶液を添加し、室温で3時間撹拌した。析出物をろ取し、冷却したメタノール50mLで洗浄することで錯体(A−8)を得た。
<感放射線性組成物の調製>
感放射線性組成物の調製に用いた[B]有機溶媒及び[C]酸発生剤を以下に示す。
感放射線性組成物の調製に用いた[B]有機溶媒及び[C]酸発生剤を以下に示す。
[[B]有機溶媒]
B−1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(下記式(B−1)で表される化合物)
B−2:1−エトキシ−2−プロパノール(下記式(B−2)で表される化合物)
B−1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(下記式(B−1)で表される化合物)
B−2:1−エトキシ−2−プロパノール(下記式(B−2)で表される化合物)
[[C]酸発生剤]
C−1:N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−1,8−ナフタルイミド(下記式(C−1)で表される化合物)
C−1:N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−1,8−ナフタルイミド(下記式(C−1)で表される化合物)
[比較例1]
[A]錯体に対応する粒子(Z−1)100質量部、[B]有機溶媒としての(B−1)及び[C]酸発生剤としての(C−1)10質量部を混合し、固形分濃度3質量%の混合液とした。得られた混合液を孔径0.20μmのメンブランフィルターでろ過することで感放射線性組成物(R−1)を調製した。
[A]錯体に対応する粒子(Z−1)100質量部、[B]有機溶媒としての(B−1)及び[C]酸発生剤としての(C−1)10質量部を混合し、固形分濃度3質量%の混合液とした。得られた混合液を孔径0.20μmのメンブランフィルターでろ過することで感放射線性組成物(R−1)を調製した。
[実施例1〜8]
下記表1に示す種類及び配合量の各成分を用いた以外は比較例1と同様に操作して、固形分濃度が3質量%になるように、各感放射線性組成物(R−2)〜(R−9)を調製した。
下記表1に示す種類及び配合量の各成分を用いた以外は比較例1と同様に操作して、固形分濃度が3質量%になるように、各感放射線性組成物(R−2)〜(R−9)を調製した。
<パターンの形成>
[比較例1]
簡易スピンコーターで、シリコンウエハ上に上記比較例1で調製した感放射線性組成物(R−1)をスピンコートし、平均厚さ50nmの膜を形成した。次に、電子線描画装置(JEOL(株)の「JBX−9500FS」)を用いて上記膜に電子線を露光し、パターニングを行った。電子線の露光後、トルエンにより現像した後、乾燥させることでネガ型パターンを形成した。
[比較例1]
簡易スピンコーターで、シリコンウエハ上に上記比較例1で調製した感放射線性組成物(R−1)をスピンコートし、平均厚さ50nmの膜を形成した。次に、電子線描画装置(JEOL(株)の「JBX−9500FS」)を用いて上記膜に電子線を露光し、パターニングを行った。電子線の露光後、トルエンにより現像した後、乾燥させることでネガ型パターンを形成した。
[実施例1〜8]
下記表2に示す各感放射線性組成物を用いた以外は比較例1と同様に操作して各感放射線性組成物を用いたパターン形成を行った。
下記表2に示す各感放射線性組成物を用いた以外は比較例1と同様に操作して各感放射線性組成物を用いたパターン形成を行った。
<評価>
上記形成したパターンを用い、感放射線性組成物の解像性及び感度を下記方法により評価した。評価結果を表2に合わせて示す。
上記形成したパターンを用い、感放射線性組成物の解像性及び感度を下記方法により評価した。評価結果を表2に合わせて示す。
[解像性]
各種線幅のライン・アンド・スペースパターン(1L1S)を作成し、1対1の線幅が保持されていたライン・アンド・スペースパターンの中でライン幅及びスペース幅の合計が最小であったパターンのハーフピッチを限界解像度(nm)とし、解像性の指標とした。限界解像度は、数値が小さいほど解像度に優れることを意味する。
各種線幅のライン・アンド・スペースパターン(1L1S)を作成し、1対1の線幅が保持されていたライン・アンド・スペースパターンの中でライン幅及びスペース幅の合計が最小であったパターンのハーフピッチを限界解像度(nm)とし、解像性の指標とした。限界解像度は、数値が小さいほど解像度に優れることを意味する。
[感度]
線幅100nmのライン部と、隣り合うライン部の間に形成される間隔100nmのスペース部とで構成される1対1の線幅のライン・アンド・スペースパターン(1L1S)を形成する露光量を最適露光量とし、この最適露光量を感度(μC/cm2)とした。感度は、数値が小さいほど高感度であることを意味する。
線幅100nmのライン部と、隣り合うライン部の間に形成される間隔100nmのスペース部とで構成される1対1の線幅のライン・アンド・スペースパターン(1L1S)を形成する露光量を最適露光量とし、この最適露光量を感度(μC/cm2)とした。感度は、数値が小さいほど高感度であることを意味する。
上記表2の結果から分かるように、実施例のパターン形成方法及び感放射線性組成物によれば、高い感度で、解像度の高いパターンを形成することができる。なお、一般的に、電子線露光によれば、極端紫外線露光の場合と同様の傾向を示すことが知られている。従って、実施例のパターン形成方法及び感放射線性組成物によれば、極端紫外線露光の場合においても、解像性及び感度に優れるものと推測される。
本発明のパターン形成方法及び感放射線性組成物によれば、高い感度で、高い解像度のパターンを形成することができる。従って、これらは今後ますます微細化が進行すると予想される半導体デバイス、液晶デバイス等の各種電子デバイスのリソグラフィー工程における微細なパターン形成に好適に用いることができる。
Claims (13)
- 基板に直接又は間接に、下記式(1)で表される錯体及び有機溶媒を含有する感放射線性組成物を塗工する工程と、
上記塗工工程により形成された膜を紫外線、遠紫外線、極端紫外線又は電子線で露光する工程と、
上記露光工程後の上記膜を現像する工程と
を備えるパターン形成方法。
- 上記pが0である請求項1に記載のパターン形成方法。
- 上記Mが亜鉛原子、コバルト原子又はハフニウム原子である請求項1又は請求項2に記載のパターン形成方法。
- 上記Mが亜鉛原子である請求項3に記載のパターン形成方法。
- 上記感放射線性組成物における上記有機溶媒以外の全成分に対する上記錯体の含有量が30質量%以上である請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 上記感放射線性組成物が感放射線性酸発生剤をさらに含有する請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 下記式(1)で表される錯体と、
有機溶媒と
を含有する感放射線性組成物。
- 上記pが0である請求項7に記載の感放射線性組成物。
- 上記Mが亜鉛原子、コバルト原子又はハフニウム原子である請求項7又は請求項8に記載の感放射線性組成物。
- 上記Mが亜鉛原子である請求項9に記載の感放射線性組成物。
- 紫外線、遠紫外線、極端紫外線又は電子線の照射により上記錯体の現像液に対する溶解性が低下する請求項7から請求項10のいずれか1項に記載の感放射線性組成物。
- 上記有機溶媒以外の全成分に対する上記錯体の含有量が30質量%以上である請求項7から請求項11のいずれか1項に記載の感放射線性組成物。
- 感放射線性酸発生剤をさらに含有する請求項7から請求項12のいずれか1項に記載の感放射線性組成物。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201862764983P | 2018-08-20 | 2018-08-20 | |
US62/764,983 | 2018-08-20 | ||
PCT/JP2019/032292 WO2020040092A1 (ja) | 2018-08-20 | 2019-08-19 | パターン形成方法及び感放射線性組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020040092A1 true JPWO2020040092A1 (ja) | 2021-09-02 |
Family
ID=69591376
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020538379A Pending JPWO2020040092A1 (ja) | 2018-08-20 | 2019-08-19 | パターン形成方法及び感放射線性組成物 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210181627A1 (ja) |
JP (1) | JPWO2020040092A1 (ja) |
WO (1) | WO2020040092A1 (ja) |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7312013B2 (en) * | 2001-04-09 | 2007-12-25 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Photoreactive composition |
TWI407250B (zh) * | 2005-11-01 | 2013-09-01 | Fujifilm Corp | 負型含染料之硬化性組成物、彩色濾光片及其製法 |
JP2008058683A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Fujifilm Corp | 染料含有ネガ型硬化性組成物、カラーフィルタおよびその製造方法 |
US20090233225A1 (en) * | 2008-03-12 | 2009-09-17 | Johnson Donald W | Low chlorine epoxy resin formulations |
JP5708522B2 (ja) * | 2011-02-15 | 2015-04-30 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
KR20150118582A (ko) * | 2013-02-12 | 2015-10-22 | 도레이 카부시키가이샤 | 감광성 수지 조성물, 그것을 열경화시켜서 이루어지는 보호막 또는 절연막, 그것을 사용한 터치 패널 및 그 제조 방법 |
JP6311702B2 (ja) * | 2013-03-25 | 2018-04-18 | Jsr株式会社 | 多層レジストプロセス用無機膜形成組成物及びパターン形成方法 |
JP2015018207A (ja) * | 2013-06-12 | 2015-01-29 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | カラーフィルタ用着色組成物及びカラーフィルタ |
CN112147844A (zh) * | 2013-07-04 | 2020-12-29 | 味之素株式会社 | 感光性树脂组合物 |
US9372402B2 (en) * | 2013-09-13 | 2016-06-21 | The Research Foundation For The State University Of New York | Molecular organometallic resists for EUV |
JP5858197B2 (ja) * | 2013-10-16 | 2016-02-10 | 日立化成株式会社 | 導電性繊維を含む積層体、感光性導電フィルム、導電パターンの製造方法、導電パターン基板、及びタッチパネル |
JP6666572B2 (ja) * | 2015-03-05 | 2020-03-18 | Jsr株式会社 | 感放射線性組成物及びパターン形成方法 |
CN108476589B (zh) * | 2016-01-13 | 2021-10-26 | 太阳油墨制造株式会社 | 干膜和印刷电路板 |
KR102378450B1 (ko) * | 2016-03-31 | 2022-03-23 | 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 | 착색 경화성 수지 조성물 |
EP3360933A1 (de) * | 2017-02-08 | 2018-08-15 | Evonik Degussa GmbH | Direkt-strukturierbare formulierungen auf der basis von metalloxid-prekursoren zur herstellung oxidischer schichten |
-
2019
- 2019-08-19 JP JP2020538379A patent/JPWO2020040092A1/ja active Pending
- 2019-08-19 WO PCT/JP2019/032292 patent/WO2020040092A1/ja active Application Filing
-
2021
- 2021-02-16 US US17/176,263 patent/US20210181627A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210181627A1 (en) | 2021-06-17 |
WO2020040092A1 (ja) | 2020-02-27 |
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