JPWO2019055354A5

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Publication number: JPWO2019055354A5
Application number: JP2020515134A
Authority: JP
Publication date: 2022-12-21
Anticipated expiration: 2038-09-10

Description

ボンディングシート１１０の開口部１３０内に配置された耐エッチングコンポーネント１２５は、プラズマプロセスに対する特定の腐食耐性を有することが可能であり、この耐性は、ボンディング材１１５の腐食耐性と少なくとも同等である。耐エッチングコンポーネント１２５は、バルクセラミック材料及び／又は１つ以上の耐プラズマ材でコーティングされた要素を含んでよい。幾つかの実施形態では、耐エッチングコンポーネント１２５は、耐プラズマコーティング（例えば、酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）、フッ化イットリウム（ＹＦ_３）、オキシフッ化イットリウム（ＹＯＦ））がコーティングされたポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ＦＦＫＭ、及びＰＥＥＫディスク等であってよい。コーティングされたＰＥＥＫディスクは、比較的低温（例えば、２５℃）での薄膜堆積プロセスにより形成可能である。幾つかの実施形態では、例えば、ボンディング材１１５がＦＦＫＭを含む場合には、耐エッチングコンポーネント１２５が省略されてよい。これは、プラズマプロセスに対するＦＦＫＭの耐性が十分なので耐エッチングコンポーネントの追加が不要な為である。そのような実施形態では、ＦＦＫＭを含み、熱伝導粒子が埋め込まれているボンディングシートが単独で、半導体デバイス同士をボンディングする為に使用されてよい。

Claims

半導体コンポーネントとともに使用されるボンディングシートであって、
第１の半導体コンポーネントに貼り付けられるように構成された第１の面と、
第２の半導体コンポーネントに貼り付けられるように構成された第２の面と、
前記ボンディングシートの第１の領域に配置された耐エッチング材であって、
セラミック材料、
酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）、フッ化イットリウム（ＹＦ_３）、及びオキシフッ化イットリウム（ＹＯＦ）の少なくとも１つでコーティングされた要素、
フルオロエラストマ（ＦＫＭ）、
又は、これらの組み合わせを含む前記耐エッチング材と、
前記ボンディングシートの第２の領域に配置されたボンディング材であって、シリコンベースのポリマーを含む前記ボンディング材と、
前記第２の領域の前記ボンディング材に埋め込まれた複数の熱伝導要素であって、プラズマプロセスに曝されたときに分解してガスになるように構成されている有機充填材を含む前記複数の熱伝導要素と、
を含み、
個々の第１の領域が、個々の第２の領域と明確に分けられていて、前記個々の第２の領域に近接して配置されている、
ボンディングシート。
前記ボンディング材は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）及びフルオロエラストマ（ＦＫＭ）の少なくとも一方を含み、
前記耐エッチング材はポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を含む、
請求項１に記載のボンディングシート。
前記ボンディングシートは、
厚さが約２００ミクロン未満であり、
前記ボンディングシートの長さ全体の平坦度が約２０ミクロン未満であり、
伸びの仕様が約２０％未満である、
請求項１に記載のボンディングシート。
更に、
熱伝導率が約０．３Ｗ／ｍ・Ｋ未満であり、
前記ボンディングシートの表面全体にわたる温度差が、約-６０℃から約１８０℃の温度範囲において約２℃以下であるような熱均一性を有する、
請求項１に記載のボンディングシート。
前記ボンディング材はポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）を含む、請求項１に記載のボンディングシート。
前記ボンディング材はフルオロエラストマ（ＦＫＭ）を含む、請求項１に記載のボンディングシート。
前記第１の領域は、前記ボンディングシート中の、前記耐エッチング材が充填された開口部に対応し、前記開口部の少なくとも一部の直径が互いに異なり、前記開口部の少なくとも一部は、前記第１の半導体コンポーネント、前記第２の半導体コンポーネント、又はその両方の上にある形状物と一直線に並ぶように位置決めされる、請求項１に記載のボンディングシート。
前記熱伝導要素は、前記ボンディング材中に懸濁している粒子を含み、前記粒子は、シリカ粒子及び窒化ホウ素（ＢＮ）の少なくとも一方を含む、請求項１に記載のボンディングシート。
前記熱伝導要素は、前記ボンディングシートの前記ボンディング材の少なくとも約２０％を含む、請求項８に記載のボンディングシート。
前記耐エッチング材の前記要素はポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を含む、請求項１に記載のボンディングシート。
前記耐エッチング材は、酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）、フッ化イットリウム（ＹＦ_３）、及びオキシフッ化イットリウム（ＹＯＦ）のうちの少なくとも１つを含む耐プラズマコーティングを含む、請求項１０に記載のボンディングシート。
前記第１及び第２の領域のそれぞれは、前記ボンディングシート全体を貫通して前記第１の面から前記第２の面に延びており、前記ボンディングシートの最も外側の表面は、前記耐エッチング材と前記ボンディング材とが交互に並ぶ、請求項１に記載のボンディングシート。
１つ以上の接着促進剤を更に含む、請求項１に記載のボンディングシート。
１つ以上の半導体コンポーネントを互いに対して貼り付けるデバイスであって、
ボンディングシートであって、
第１の半導体コンポーネントに貼り付けられるように構成された第１の面と、
前記第１の面の反対側にあって、第２の半導体コンポーネントに貼り付けられるように構成された第２の面と、
前記ボンディングシートのほぼ厚さ全体にわたるボンディング材と、
前記ボンディングシートを貫通して前記第１の面から前記第２の面に延びる開口部内に配置された耐エッチング材であって、
ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、
酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）、フッ化イットリウム（ＹＦ_３）、及びオキシフッ化イットリウム（ＹＯＦ）でコーティングされた要素、
又は、パーフルオロエラストマ（ＦＦＫＭ）を含む前記耐エッチング材と、
前記ボンディング材に埋め込まれた複数の熱伝導要素であって、プラズマプロセスに曝されたときに分解してガスになるように構成されている熱伝導要素と、
を含む前記ボンディングシート
を含むデバイス。
前記耐エッチング材は、前記ボンディングシートの第１の領域に配置されており、
前記ボンディング材は、前記ボンディングシートの、前記第１の領域とは別の第２の領域に配置されている、
請求項１４に記載のデバイス。
前記ボンディング材は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）及びフルオロエラストマ（ＦＫＭ）の少なくとも一方を含み、
前記耐エッチング材はポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を含み、
前記熱伝導要素は有機充填材を含む、
請求項１４に記載のデバイス。
前記ボンディング材はパーフルオロエラストマ（ＦＦＫＭ）を含む、請求項１４に記載のデバイス。
厚さが約２００ミクロン未満であり、
熱伝導率が約０．３Ｗ／ｍ・Ｋ未満であり、
前記ボンディングシートの長さ全体の平坦度が約２０ミクロン未満であり、
伸びの仕様が約２０％未満である、
請求項１４に記載のデバイス。
ボンディングシートの製造方法であって、
ボンディング材を含むボンディングシートに複数の開口部を形成するステップであって、前記開口部は前記ボンディングシートを少なくとも部分的に貫通して延び、前記ボンディング材は前記ボンディング材中に複数の熱伝導要素を含む、前記形成するステップと、
前記ボンディングシートの前記開口部に耐エッチング材を充填するステップであって、前記耐エッチング材はポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）又はパーフルオロエラストマ（ＦＦＫＭ）の少なくとも一方を含む、前記充填するステップと、
を含む方法。