JPWO2018155566A1 - 炭化珪素半導体装置および電力変換装置 - Google Patents
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- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 202
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 201
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 161
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 308
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 58
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 50
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 28
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 16
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 30
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 28
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 19
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 description 2
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
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- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
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- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
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Abstract
Description
まず、本発明の実施の形態1にかかる炭化珪素半導体装置の構成を説明する。
実施の形態1では、第2ウェル領域31上に直接接するように導電性層47が設けられた炭化珪素半導体装置の例を示したが、本実施の形態の炭化珪素半導体装置では、第2ウェル領域31上に絶縁層53を介して導電性層47が設けられている。その他の点については、実施の形態1と同様であるので、詳しい説明は省略する。
実施の形態1では、第2ウェル領域31上に導電性層47が設けられる例を示したが、本実施の形態の炭化珪素半導体装置では、炭化珪素材料の第2導電型の第2ウェル領域31の上層部を低抵抗の第1導電型にして、その層と第2ウェル領域31との間にpn接合を形成する。ここでは、そのn型の層が導電性層47と同様の働きをする。その他の点については、実施の形態1と同様であるので、詳しい説明は省略する。
実施の形態3では、第2ウェル領域31の上層部に低抵抗で第1導電型の炭化珪素導電性層45を形成した例を説明したが、炭化珪素導電性層45は、第2ウェル領域31内に埋め込んで形成してもよい。その他の点については、実施の形態3と同様であるので、詳しい説明は省略する。
実施の形態3では、第2ウェル領域31の上層部に低抵抗で第1導電型の炭化珪素導電性層45を形成した例を説明したが、炭化珪素導電性層45の下面に凹凸があってもよいその他の点については、実施の形態3と同様であるので、詳しい説明は省略する。
実施の形態1〜5の炭化珪素半導体装置の終端領域では、第2ウェル領域31にソース電極80に対してオーミックコンタクトを設けず、第2ウェル領域31にショットキ接続またはpn接続、または絶縁膜を介して容量性結合する領域を設け、この領域に対してソース電極80をオーミック接続させていた。これに加えて、活性領域の第1ウェル領域30と同様に、第2ウェル領域31の平面方向の内部に第1導電型の離間領域を形成し、その離間領域に対してショットキ接続する電極を設けてもよい。その他の点については、実施の形態1〜5と同様であるので、詳しい説明は省略する。
実施の形態1〜6の炭化珪素半導体装置の終端領域では、第2ウェル領域31の平面横方向の不純物濃度については、特に説明しなかったが、第2ウェル領域31のうち、その上部にゲート絶縁膜50を介してゲート電極60を備える箇所の上層部に、他の第2ウェル領域31の不純物濃度より不純物濃度が低い第2導電型の電界緩和層33を備えたことを特徴とする。その他の点については、実施の形態1〜6と同様であるので、詳しい説明は省略する。
実施の形態1〜7の炭化珪素半導体装置の終端領域では、原則として活性領域内の第1ウェル領域30と終端構造の第2ウェル領域31とは離間していて、第2ウェル領域31はソース電極80とオーミック接続されていなものについて主に説明したが、本実施の形態では、終端構造の第2ウェル領域31が補助接続領域34を経由して第1ウェル領域30の一部と接続している。その他の構成については、実施の形態1〜7と同様であるので、詳しい説明は省略する。
実施の形態1〜8では、MOSFET終端領域に形成された第2ウェル領域31が導電性層コンタクトホール91を有することを特徴としていたが、本発明の効果を享受するには、第2ウェル領域31上に導電性層コンタクトホール91が無い場合であっても、第2ウェル領域31近傍に形成された導電性層47がいずれかの箇所でソース電極80とオーミック接続されており、かつ、第2ウェル領域31がソース電極80からみて高抵抗で接続されていればよい。ここで、導電性層47は、ゲートパッド81の下部にある第2ウェル領域31の面積の半分以上の面積を占めるものとする。その他の点は、実施の形態1等と同様であるであるので、詳しい説明は省略する。
実施の形態1〜9では、MOSFET終端領域に形成された第2ウェル領域31上の導電性層47または炭化珪素導電性層45は、ドリフト層20とは直接接触していなかったが、本実施の形態の炭化珪素半導体装置においては、第2ウェル領域31の一部にn型の離間領域があり、その離間領域がその上に形成されている導電性層47とショットキ接続するものである。その他の点は、上記実施の形態と同様であるので、詳しい説明を省略する。
本実施の形態は、上述した実施の形態1〜10にかかる炭化珪素半導体装置を電力変換装置に適用したものである。本発明は特定の電力変換装置に限定されるものではないが、以下、実施の形態11として、三相のインバータに本発明を適用した場合について説明する。
Claims (20)
- 第1導電型の炭化珪素の半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第1導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層の表層に設けられた第2導電型の第1ウェル領域と、
前記第1ウェル領域の表面から深さ方向に貫通して形成された第1導電型の第1離間領域と、
前記第1ウェル領域の表層部に形成された第1導電型のソース領域と、
前記第1離間領域上に設けられ、前記第1離間領域とショットキ接合する第1ショットキ電極と、
前記第1ウェル領域上の第1ウェル領域コンタクトホール内に設けられ、前記第1ウェル領域とオーミック接続するオーミック電極と、
前記第1ウェル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記第1ウェル領域と別に前記ドリフト層の表層に設けられた第2導電型の第2ウェル領域と、
前記第1ウェル領域上の前記ゲート絶縁膜上および前記第2ウェル領域上に設けられた絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記第2ウェル領域の上方に形成され、前記ゲート電極と接続されたゲートパッドと、 前記第2ウェル領域の底面より上部に前記第2ウェル領域とオーミック接続しないように形成された、前記第2ウェル領域よりシート抵抗が低い導電性層と、
前記第1ショットキ電極、前記オーミック電極、および前記導電性層とに接続されたソース電極と、
前記導電性層と前記ソース電極とをオーミック接続させ、前記導電性層と前記第2ウェル領域とをオーミック接続させない導電性層コンタクトホールと
を備えたことを特徴とする炭化珪素半導体装置。 - 第1導電型の炭化珪素の半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第1導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層表層に設けられた第2導電型の第1ウェル領域と、
前記第1ウェル領域の表層部に形成された第1導電型のソース領域と、
前記ソース領域が形成されていない前記第1ウェル領域の表面上に形成された、前記ソース領域より第1導電型の不純物濃度が低い第1導電型のチャネルエピ層と、
前記第1ウェル領域上の第1ウェル領域コンタクトホール内に設けられ、前記第1ウェル領域とオーミック接続するオーミック電極と、
前記第1ウェル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記第1ウェル領域と別に前記ドリフト層の表層に設けられた第2導電型の第2ウェル領域と、
前記第1ウェル領域上の前記ゲート絶縁膜上および前記第2ウェル領域上に設けられた絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記第2ウェル領域の上方に形成され、前記ゲート電極と接続されたゲートパッドと、 前記第2ウェル領域の底面より上部に前記第2ウェル領域とオーミック接続しないように形成された、前記第2ウェル領域よりシート抵抗が低い導電性層と、
前記オーミック電極、および前記導電性層とに接続されたソース電極と、
前記導電性層と前記ソース電極とをオーミック接続させ、前記導電性層と前記第2ウェル領域とをオーミック接続させない導電性層コンタクトホールと
を備えたことを特徴とする炭化珪素半導体装置。 - 第1導電型の炭化珪素の半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第1導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層の表層に設けられた第2導電型の第1ウェル領域と、
前記第1ウェル領域の表面から深さ方向に貫通して形成された第1導電型の第1離間領域と、
前記第1ウェル領域の表層部に形成された第1導電型のソース領域と、
前記第1離間領域上に設けられ、前記第1離間領域とショットキ接合する第1ショットキ電極と、
前記第1ウェル領域上に設けられ、前記第1ウェル領域とオーミック接続するオーミック電極と、
前記第1ウェル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記第1ウェル領域の少なくとも一つとつながって前記ドリフト層の表層に設けられた第2導電型の第2ウェル領域と、
前記第1ウェル領域上の前記ゲート絶縁膜上および前記第2ウェル領域上に設けられた絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記第2ウェル領域の上方に形成され、前記ゲート電極と接続されたゲートパッドと、 前記第2ウェル領域の底面より上部に前記第2ウェル領域とオーミック接続しないように形成され、前記ゲートパッドの下部に形成された第2ウェル領域の半分以上の面積を有し、前記第2ウェル領域よりシート抵抗が低い導電性層と、
前記第1ショットキ電極、前記オーミック電極、および前記導電性層とに接続されたソース電極と
を備え、
前記第2ウェル領域は、前記第1ウェル領域上の第1ウェル領域コンタクトホールを介して前記ソース電極とオーミック接続する炭化珪素半導体装置。 - 第1導電型の炭化珪素の半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第1導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層表層に設けられた第2導電型の第1ウェル領域と、
前記第1ウェル領域の表層部に形成された第1導電型のソース領域と、
前記ソース領域が形成されていない前記第1ウェル領域の表面上に形成された、前記ソース領域より第1導電型の不純物濃度が低い第1導電型のチャネルエピ層と、
前記第1ウェル領域上に設けられ、前記第1ウェル領域とオーミック接続するオーミック電極と、
前記第1ウェル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記第1ウェル領域の少なくとも一つとつながって前記ドリフト層の表層に設けられた第2導電型の第2ウェル領域と、
前記第1ウェル領域上の前記ゲート絶縁膜上および前記第2ウェル領域上に設けられた絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記第2ウェル領域の上方に形成され、前記ゲート電極と接続されたゲートパッドと、 前記第2ウェル領域の底面より上部に前記第2ウェル領域とオーミック接続しないように形成され、前記ゲートパッドの下部に形成された第2ウェル領域の半分以上の面積を有し、前記第2ウェル領域よりシート抵抗が低い導電性層と、
前記オーミック電極、および前記導電性層とに接続されたソース電極と
を備え、
前記第2ウェル領域は、前記第1ウェル領域上の第1ウェル領域コンタクトホールを介して前記ソース電極とオーミック接続する炭化珪素半導体装置。 - 前記第1ウェル領域と前記第2ウェル領域とが離間していることを特徴とする請求項1または2に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記第2ウェル領域は、第2ウェル領域コンタクトホールを介して前記ソース電極とオーミック接続し、前記導電性層コンタクトホールと前記第2ウェル領域コンタクトホールとは、前記第2ウェル領域内の最短経路上で平面方向に10μm以上離れて形成されていることを特徴とする請求項1、2および5のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記第1ウェル領域コンタクトホールは、前記第1ウェル領域内または前記第2ウェル領域内の最短経路上で平面方向に前記導電性層コンタクトホールから10μm以上離れて形成されていることを特徴とする請求項1、2、5および6のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記導電性層が、前記第2ウェル領域上の表層部に形成された第1導電型の炭化珪素からなる炭化珪素導電性層であることを特徴とする、請求項1から7のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記導電性層が、前記第2ウェル領域の表面上に形成され、前記導電性層と前記第2ウェル領域とがショットキ接続していることを特徴とする、請求項1から7のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記導電性層が、前記第2ウェル領域上に絶縁層を介して形成されていることを特徴とする、請求項1から5のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記導電性層が、多結晶シリコンからなることを特徴とする、請求項9または10に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記導電性層が、前記第2ウェル領域を貫通して形成された第1導電型の第5離間領域とショットキ接続していることを特徴とする、請求項9または10に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記導電性層は、前記第2ウェル領域の断面横方向の幅の半分以上の幅に渡って形成されていることを特徴とする請求項1から12のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記第2ウェル領域の平面方向の内部に第1導電型の第4離間領域を有し、前記第4離間領域上に前記第4離間領域とショットキ接続する第3ショットキ電極を備え、第3ショットキ電極が前記ソース電極と接続されていることを特徴とする請求項1から13のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記第3ショットキ電極と、前記導電性層とが前記ソース電極と同じコンタクトホールで接続されていることを特徴とする請求項14に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記導電性層は、前記ゲートパッドまたは前記ゲート電極の下方に形成されている
ことを特徴とする請求項1から15のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記炭化珪素導電性層が前記第2ウェル領域の断面深さ方向の内部に埋め込まれていることを特徴とする請求項8に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記炭化珪素導電性層の下面に凹凸を有することを特徴とする請求項8または17に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記第2ウェル領域上に前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極を有する箇所があり、前記第2ウェル領域の前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向する箇所に、前記第2ウェル領域より不純物濃度が低い電界緩和層を備えたことを特徴とする請求項1から18のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
- 請求項1から19のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置を有し、入力される電力を変換して出力する主変換回路と、
前記炭化珪素半導体装置を駆動する駆動信号を前記炭化珪素半導体装置に出力する駆動回路と、
前記駆動回路を制御する制御信号を前記駆動回路に出力する制御回路と、を備えた電力変換装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020046320A JP6929404B2 (ja) | 2017-02-24 | 2020-03-17 | 炭化珪素半導体装置および電力変換装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017033097 | 2017-02-24 | ||
JP2017033097 | 2017-02-24 | ||
PCT/JP2018/006494 WO2018155566A1 (ja) | 2017-02-24 | 2018-02-22 | 炭化珪素半導体装置および電力変換装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020046320A Division JP6929404B2 (ja) | 2017-02-24 | 2020-03-17 | 炭化珪素半導体装置および電力変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018155566A1 true JPWO2018155566A1 (ja) | 2019-06-27 |
JP6678810B2 JP6678810B2 (ja) | 2020-04-08 |
Family
ID=63253898
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019501420A Active JP6678810B2 (ja) | 2017-02-24 | 2018-02-22 | 炭化珪素半導体装置および電力変換装置 |
JP2020046320A Active JP6929404B2 (ja) | 2017-02-24 | 2020-03-17 | 炭化珪素半導体装置および電力変換装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020046320A Active JP6929404B2 (ja) | 2017-02-24 | 2020-03-17 | 炭化珪素半導体装置および電力変換装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10991822B2 (ja) |
JP (2) | JP6678810B2 (ja) |
CN (2) | CN110337725B (ja) |
DE (1) | DE112018001001T5 (ja) |
WO (1) | WO2018155566A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112018006456T5 (de) | 2017-12-19 | 2020-09-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Siliciumcarbid-Halbleitereinheit und Leistungswandler |
DE112018006450T5 (de) | 2017-12-19 | 2020-09-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Siliciumcarbid-halbleiteranordnung und leistungswandler |
CN111480239B (zh) | 2017-12-19 | 2023-09-15 | 三菱电机株式会社 | 碳化硅半导体装置以及电力变换装置 |
WO2019186853A1 (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-03 | 新電元工業株式会社 | ワイドギャップ半導体装置 |
JP7188210B2 (ja) * | 2019-03-22 | 2022-12-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP7334638B2 (ja) * | 2020-02-07 | 2023-08-29 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
WO2021161436A1 (ja) * | 2020-02-13 | 2021-08-19 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および電力変換装置の製造方法 |
CN111755524B (zh) * | 2020-07-20 | 2022-06-07 | 西安电子科技大学 | 一种肖特基积累层碳化硅横向场效应晶体管及其制作方法 |
CN112164653B (zh) * | 2020-09-25 | 2022-03-29 | 深圳基本半导体有限公司 | 功率器件及其基于自对准工艺的制造方法 |
WO2022061768A1 (zh) * | 2020-09-25 | 2022-03-31 | 深圳基本半导体有限公司 | 功率器件及其制造方法 |
CN112164654B (zh) * | 2020-09-25 | 2022-03-29 | 深圳基本半导体有限公司 | 集成肖特基二极管的功率器件及其制造方法 |
WO2023281669A1 (ja) * | 2021-07-07 | 2023-01-12 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置を用いた電力変換装置 |
WO2023062951A1 (ja) * | 2021-10-14 | 2023-04-20 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
CN117690972A (zh) * | 2024-02-04 | 2024-03-12 | 深圳天狼芯半导体有限公司 | 一种碳化硅功率器件及其制作方法 |
CN117690970A (zh) * | 2024-02-04 | 2024-03-12 | 深圳天狼芯半导体有限公司 | 一种碳化硅功率器件及其制作方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002082553A1 (fr) * | 2001-04-04 | 2002-10-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif semi-conducteur |
WO2010098294A1 (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-02 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
WO2010125819A1 (ja) * | 2009-04-30 | 2010-11-04 | パナソニック株式会社 | 半導体素子、半導体装置および電力変換器 |
WO2011007387A1 (ja) * | 2009-07-15 | 2011-01-20 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置およびその製造方法 |
WO2014162969A1 (ja) * | 2013-04-03 | 2014-10-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2016058498A (ja) * | 2014-09-08 | 2016-04-21 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6115370A (ja) | 1984-06-30 | 1986-01-23 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPH03229469A (ja) | 1990-02-05 | 1991-10-11 | Matsushita Electron Corp | 縦型mos電界効果トランジスタ |
JPH1187698A (ja) * | 1997-09-02 | 1999-03-30 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 高耐圧半導体装置及びこの装置を用いた電力変換器 |
JP2003017701A (ja) | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP4096569B2 (ja) * | 2002-01-31 | 2008-06-04 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置とその製造方法 |
JP2006140372A (ja) | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2009076761A (ja) | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
US8471267B2 (en) * | 2009-09-03 | 2013-06-25 | Panasonic Corporation | Semiconductor device and method for producing same |
US9006819B2 (en) * | 2010-04-06 | 2015-04-14 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor device and method for manufacturing same |
JP5654818B2 (ja) * | 2010-09-27 | 2015-01-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | パワー系半導体装置の製造方法 |
CN103222178A (zh) * | 2010-10-29 | 2013-07-24 | 松下电器产业株式会社 | 逆变器 |
US8969960B2 (en) * | 2011-09-21 | 2015-03-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor device |
WO2013051170A1 (ja) | 2011-10-03 | 2013-04-11 | パナソニック株式会社 | 半導体装置、電力変換器および電力変換器の制御方法 |
KR101638754B1 (ko) | 2012-09-06 | 2016-07-11 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
JP2014175412A (ja) | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Toshiba Corp | 半導体基板及び半導体装置 |
CN103311315B (zh) * | 2013-05-15 | 2015-09-09 | 电子科技大学 | 具有肖特基接触终端的快恢复二极管 |
US9214546B2 (en) * | 2013-05-29 | 2015-12-15 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Silicon carbide switching device with novel overvoltage detection element for overvoltage control |
JP6202944B2 (ja) * | 2013-08-28 | 2017-09-27 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2015176889A (ja) * | 2014-03-13 | 2015-10-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
WO2015178024A1 (ja) * | 2014-05-23 | 2015-11-26 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
JP6379778B2 (ja) * | 2014-07-15 | 2018-08-29 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
CN107534054B (zh) * | 2015-04-22 | 2020-08-18 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 |
JP2018120879A (ja) * | 2015-06-04 | 2018-08-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP6550995B2 (ja) * | 2015-07-16 | 2019-07-31 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
DE112016006723T5 (de) * | 2016-04-11 | 2018-12-20 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitereinrichtung |
JP6627973B2 (ja) * | 2016-06-03 | 2020-01-08 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP6766889B2 (ja) * | 2017-01-17 | 2020-10-14 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
WO2018155553A1 (ja) * | 2017-02-24 | 2018-08-30 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および電力変換装置 |
-
2018
- 2018-02-22 JP JP2019501420A patent/JP6678810B2/ja active Active
- 2018-02-22 DE DE112018001001.5T patent/DE112018001001T5/de active Granted
- 2018-02-22 CN CN201880012296.5A patent/CN110337725B/zh active Active
- 2018-02-22 CN CN202211029076.8A patent/CN115274855A/zh active Pending
- 2018-02-22 US US16/477,119 patent/US10991822B2/en active Active
- 2018-02-22 WO PCT/JP2018/006494 patent/WO2018155566A1/ja active Application Filing
-
2020
- 2020-03-17 JP JP2020046320A patent/JP6929404B2/ja active Active
-
2021
- 2021-03-16 US US17/202,347 patent/US11646369B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002082553A1 (fr) * | 2001-04-04 | 2002-10-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif semi-conducteur |
WO2010098294A1 (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-02 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
WO2010125819A1 (ja) * | 2009-04-30 | 2010-11-04 | パナソニック株式会社 | 半導体素子、半導体装置および電力変換器 |
WO2011007387A1 (ja) * | 2009-07-15 | 2011-01-20 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置およびその製造方法 |
WO2014162969A1 (ja) * | 2013-04-03 | 2014-10-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2016058498A (ja) * | 2014-09-08 | 2016-04-21 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10991822B2 (en) | 2021-04-27 |
JP6678810B2 (ja) | 2020-04-08 |
CN110337725B (zh) | 2022-08-05 |
DE112018001001T5 (de) | 2019-11-14 |
US20210226052A1 (en) | 2021-07-22 |
JP2020096202A (ja) | 2020-06-18 |
WO2018155566A1 (ja) | 2018-08-30 |
US11646369B2 (en) | 2023-05-09 |
US20190371936A1 (en) | 2019-12-05 |
CN110337725A (zh) | 2019-10-15 |
JP6929404B2 (ja) | 2021-09-01 |
CN115274855A (zh) | 2022-11-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
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A621 | Written request for application examination |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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