JPWO2018142706A1 - 撮像システム、撮像装置、及び制御装置 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 301
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 262
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 41
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 67
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 66
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims description 66
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 29
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 abstract description 83
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 86
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 57
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 31
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 30
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 24
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 15
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 15
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 12
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 11
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 11
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229920005994 diacetyl cellulose Polymers 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 2
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/68—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to defects
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/65—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to reset noise, e.g. KTC noise related to CMOS structures by techniques other than CDS
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/709—Circuitry for control of the power supply
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/778—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/79—Arrangements of circuitry being divided between different or multiple substrates, chips or circuit boards, e.g. stacked image sensors
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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Abstract
Description
1.固体撮像装置の構成例
1.1.概略構成
1.2.機能構成
1.3.単位画素の回路構成
1.4.駆動制御
2.第1の実施形態
2.1.構成
2.2.駆動制御
2.3.変形例
2.4.評価
3.第2の実施形態
3.1.構成
3.2.駆動制御
3.3.露光時間の制約と垂直ブランク期間との関係
3.4.評価
4.応用例
4.1.移動体への応用例1
4.2.移動体への応用例2
5.むすび
本実施形態に係る固体撮像装置の一構成例について以下に説明する。
図1に、本開示の一実施形態に係る固体撮像装置の構成の一例として、CMOS固体撮像装置の概略構成を示す。このCMOS固体撮像装置は、各実施の形態の固体撮像装置に適用される。
続いて、図3を参照して、本開示の一実施形態に係る固体撮像装置の機能構成の一例について説明する。図3は、本開示の一実施形態に係る固体撮像装置の一部の機能構成の一例を示すブロック図である。図3に示される固体撮像装置1は、例えば、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサやCCD(Charge Coupled Device)イメージセンサ等の、被写体を撮像し、撮像画像のデジタルデータを得る撮像素子である。
続いて、図6を参照して、単位画素の回路構成の一例について説明する。図6は、本開示の一実施形態に係る単位画素の回路構成の一例を示した図である。図6に示すように、本開示の一実施形態に係る単位画素2は、光電変換素子(例えばフォトダイオード)PDと、4つの画素トランジスタとを含む。4つの画素トランジスタは、例えば、転送トランジスタTr11、リセットトランジスタTr12、増幅トランジスタTr13、及び選択トランジスタTr14である。これらの画素トランジスタは、例えば、nチャネルのMOSトランジスタにより構成され得る。
続いて、本開示の一実施形態に係る固体撮像装置1の駆動制御の一例として、画素の駆動と、当該画素から供給される画素信号をデジタル信号に変換するADCの駆動と、についてそれぞれ説明する。
まず、図7を参照して、画素2の駆動について説明する。図7は、本開示の一実施形態に係る固体撮像装置1の駆動制御の一例について示した概略的なタイミングチャートであり、画素2の駆動制御の一例について示している。
続いて、本開示の第1の実施形態について説明する。本実施形態では、固体撮像装置1の各画素2に含まれる光電変換素子PDの状態(例えば、飽和特性)を認識することで、当該光電変換素子PDの故障検出を可能とする仕組みの一例について説明する。なお、以降の説明において、本実施形態に係る固体撮像装置1を、他の実施形態に係る固体撮像装置1と区別するために、「固体撮像装置1a」と称する場合がある。
まず、図9及び図10を参照して、本実施形態に係る固体撮像装置1aの概略的な構成の一例について説明する。図9及び図10は、本実施形態に係る固体撮像装置1aの概略的な構成の一例を示したブロック図である。なお、本説明では、当該固体撮像装置1aの構成について、図1〜図8を参照して説明した固体撮像装置1と異なる部分に着目して説明し、当該固体撮像装置1と実質的に同様の部分については詳細な説明は省略する。
続いて、本実施形態に係る固体撮像装置1aの駆動制御の一例として、特に、各画素2に含まれる光電変換素子PDの状態を認識し、ひいては当該光電変換素子PDの異常を検出するための制御の一例について説明する。なお、本説明では、図6に示すように、画素2が所謂4トランジスタ構成の場合を例に、固体撮像装置1aの駆動制御の一例について説明する。例えば、図11は、本実施形態に係る固体撮像装置1aの駆動制御の一例について示した概略的なタイミングチャートであり、画素2に含まれる光電変換素子PDの状態を認識するための制御の一例について示している。
続いて、本実施形態に係る固体撮像装置1の変形例について説明する。本変形例では、画素2が所謂共有画素構造を構成する場合の一例について説明する。
まず、図16を参照して、共有画素構造を構成する場合の単位画素の回路構成の一例について説明する。前述したように、共有画素構造は、複数のフォトダイオードと、複数の転送トランジスタと、共有する1つのフローティングディフージョンと、共有する1つずつの他の画素トランジスタとから構成される。例えば、図16は、本実施形態の変形例に係る固体撮像装置における単位画素の回路構成の一例を示した図であり、1つの画素に対して高感度のフォトダイオード(PD1)と、低感度のフォトダイオード(PD2)と、画素内容量(FC)とを配置した7トランジスタ構成の一例を示している。なお、本説明では、本実施形態に変形例に係る固体撮像装置を、前述した実施形態に係る固体撮像装置1aと区別するため、「固体撮像装置1c」と称する場合がある。また、本実施形態の変形例に係る固体撮像装置1cの画素、即ち、共有画素構造を構成する画素を、前述した実施形態に係る固体撮像装置1aの画素2と区別する場合に、「画素2c」または「単位画素2c」と称する場合がある。
続いて、本変形例に係る固体撮像装置における駆動制御の一例にとして、特に、各画素2に含まれる光電変換素子PD1及びPD2の状態を認識し、ひいては当該光電変換素子PD1及びPD2の異常を検出するための制御の一例について説明する。
以上説明したように、本実施形態に係る固体撮像装置では、複数の画素のうち少なくとも一部の画素の光電変換素子に電荷が注入されるように当該画素への電源電圧の印加を制御し、その後に、当該光電変換素子から注入された当該電荷に応じた画素信号が読み出されるように当該画素への駆動信号の供給を制御する。以上のような構成に基づき、本実施形態に係る固体撮像装置は、上記少なくとも一部の画素の光電変換素子からの電荷に応じた画素信号の読み出し結果に応じて、当該画素の状態を認識する。
続いて、本開示の第2の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。本実施形態では、固体撮像装置1が、画像(特に、動画像)の撮像期間中に、故障検出等のような各種試験をより効率的に実行するための仕組みの一例について説明する。なお、以降の説明において、本実施形態に係る固体撮像装置1を、他の実施形態に係る固体撮像装置1と区別する場合ために、「固体撮像装置1d」と称する場合がある。
まず、図21を参照して、本実施形態に係る固体撮像装置1dの概略的な構成の一例について説明する。図21は、本実施形態に係る固体撮像装置1dの概略的な構成の一例を示したブロック図である。なお、本説明では、当該固体撮像装置1aの構成について、図1〜図8を参照して説明した固体撮像装置1と異なる部分に着目して説明し、当該固体撮像装置1と実質的に同様の部分については詳細な説明は省略する。
続いて、本実施形態に係る固体撮像装置1dの駆動制御の一例として、特に、当該固体撮像装置1dの所定の試験が実行されるタイミングの制御に着目して説明する。例えば、図24は、本実施形態に係る固体撮像装置1dの駆動制御の一例について示した概略的なタイミングチャートであり、当該固体撮像装置1dの所定の試験が実行されるタイミングの制御の一例について示している。図24において、横軸は時間方向を示しており、縦軸は2次元配列された画素2の行方向の位置を示している。なお、本説明では、本実施形態に係る固体撮像装置1dの特徴をよりわかりやすくするために、各画素2が単位フレーム期間(即ち、1垂直同期期間)中に、露光と、当該露光結果の読み出しと、を複数回実行する場合に着目して、当該固体撮像装置1dの駆動制御について説明する。
続いて、図27を参照して、本実施形態に係る固体撮像装置1dにおける、露光時間の制約と垂直ブランク期間VBLKとの関係について、具体的な例を挙げて説明する。図27は、本実施形態に係る固体撮像装置1dにおける露光時間の制約と垂直ブランク期間との関係について説明するためのタイミングチャートである。なお、図27に示す例では、図24に示す例と同様に、単位フレーム期間中に互いに露光時間の異なる第1の露光(Long exposure)、第2の露光(Middle exposure)、及び第3の露光(Short exposure)が順次実行される場合の一例を示している。また、図27における横軸及び縦軸は、図24における横軸及び縦軸と同様である。
以上説明したように、本実施形態に係る固体撮像装置は、所定のフレームレートに応じた単位フレーム期間中の、少なくとも一部の画素による露光や、当該露光結果に基づく画素信号の読み出しが行われていないBIST期間に所定の試験を実行する。当該BIST期間は、少なくとも一部の画素(例えば、ある行の画素)による1回以上の露光が実行される単位フレーム期間における最後の露光の結果に基づく画素信号の読み出しが終了した後に開始される。また、当該BIST期間は、当該単位フレーム期間の次のフレーム期間における最初の露光が開始される前に終了する。
次に、図28を参照して、フロントカメラECUと撮像素子のハードウェアの構成について説明する。フロントカメラECUと撮像素子のハードウェアは、下チップ1091、および上チップ1092が積層された構成からなる。尚、図28の右部は、下チップ1091のハードウェア構成であるフロアプランを表しており、図28の左部は、上チップ1092のハードウェア構成であるフロアプランを表している。
続いて、本開示に係る固体撮像装置の応用例について説明する。
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
続いて、移動体に適用される撮像装置を利用して実現される制御のより具体的な一例について説明する。
・FCW(Pedestrian Detection for Forward Collision Warning)
・AEB(Automatic Emergency Braking)
・Vehicle Detection for FCW/AEB
・LDW(Lane Departure Warning)
・TJP(Traffic Jam Pilot)
・LKA(Lane Keeping Aid)
・VO ACC(Vision Only Adaptive Cruise Control)
・VO TSR(Vision Only Traffic Sign Recognition)
・IHC(Intelligent Head Ramp Control)
以上、添付図面を参照しながら本開示の好適な実施形態について詳細に説明したが、本開示の技術的範囲はかかる例に限定されない。本開示の技術分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。
(1)
入射光を光電変換する光電変換素子を有する複数の画素と、
前記複数の画素それぞれに対して駆動信号を供給する駆動回路と、
前記画素に対して電源電圧を印可する電源と、
前記複数の画素のうち少なくとも一部の画素の前記光電変換素子に電荷が注入されるように当該画素への前記電源電圧の印加を制御し、その後に、当該光電変換素子から注入された前記電荷に応じた画素信号が読み出されるように当該画素への前記駆動信号の供給を制御する制御部と、
前記少なくとも一部の画素の前記光電変換素子からの前記電荷に応じた前記画素信号の読み出し結果に応じて、当該光電変換素子の状態を認識する認識部と、
を備える、撮像装置。
(2)
前記画素は、前記光電変換素子の電荷をフローティングディフュージョンに転送する転送トランジスタと、前記フローティングディフュージョンの電荷に対応する信号を出力する増幅トランジスタと、前記フローティングディフュージョンの電位を制御するリセットトランジスタと、の少なくとも3つのトランジスタを有し、
前記フローティングディフュージョンの電位が0Vに制御されることで、前記光電変換素子に対して前記電荷が注入される、
前記(1)に記載の撮像装置。
(3)
前記制御部は、
前記画素に印加される電圧を0Vに制御した状態で、前記リセットトランジスタ及び前記転送トランジスタを導通状態に制御することで、前記光電変換素子に前記電荷が注入されるように制御し、
前記光電変換素子への前記電荷の注入後に、前記転送トランジスタを非導通状態に制御した状態で、前記画素に対して前記電源電圧を印可することで、前記フローティングディフュージョンの電位を制御し、
その後、当該転送トランジスタを導通状態に制御することで、前記光電変換素子から注入された前記電荷が読み出されるように制御する、
前記(2)に記載の撮像装置。
(4)
前記画素は、前記増幅トランジスタからの信号の出力を選択的に切り替える選択トランジスタを有し、
前記制御部は、前記光電変換素子に対して前記電荷を注入する場合には、前記選択トランジスタが非導通状態となるように制御し、当該光電変換素子から注入された前記電荷に応じた前記画素信号を読み出す場合には、当該選択トランジスタが導通状態となるように制御する、
前記(2)または(3)に記載の撮像装置。
(5)
前記画素は、前記光電変換素子として、第1の光電変換素子と、当該第1の光電変換素子とは感度の異なる第2の光電変換素子と、を備え、
前記制御部は、前記複数の画素のうち少なくとも一部の画素の前記第1の光電変換素子及び前記第2の光電変換素子のそれぞれに電荷が注入されるように当該画素への前記電源電圧の印加を制御し、その後に、当該第1の光電変換素子及び当該第2の光電変換素子それぞれに注入された前記電荷が時分割で読み出されるように当該画素への前記駆動信号の供給を制御し、
前記認識部は、前記第1の光電変換素子及び前記第2の光電変換素子それぞれからの注入された前記電荷に応じた前記画素信号の読み出し結果に応じて、当該第1の光電変換素子及び当該第2の光電変換素子それぞれの状態を認識する、
前記(1)に記載の撮像装置。
(6)
前記画素は、前記第2の光電変換素子が生成した電荷を蓄積する電荷蓄積部を備え、
前記制御部は、
前記少なくとも一部の画素について、前記第1の光電変換素子及び前記第2の光電変換素子のそれぞれに電荷が注入された後に、
前記第1の光電変換素子から、当該第1の光電変換素子に注入された前記電荷に応じた第1の画素信号のリセットレベルを読み出すための第1のプリデータ相が読み出され、当該第1のプリデータ相の読み出し後に、当該第1の画素信号のデータレベルを読み出すための第1のデータ相を読み出されるように制御し、
その後に、前記第2の光電変換素子から、当該第2の光電変換素子に注入された前記電荷に応じた第2の画素信号のデータレベルを読み出すための第2のデータ相が読み出され、当該だ2のデータ相の読み出し後に、当該第2の画素信号のリセットレベルを読み出すための第2のプリデータ相が読み出されるように制御する、
前記(5)に記載の撮像装置。
(7)
前記電源である第1の電源とは異なり、前記駆動回路に対して電圧を印可する第2の電源を備える、前記(1)〜(6)のいずれか一項に記載の撮像装置。
(8)
前記光電変換素子の状態の認識結果に応じた情報が所定の出力先に出力されるように制御する出力制御部を備える、前記(1)〜(7)のいずれか一項に記載の撮像装置。
(9)
前記光電変換素子の状態の認識結果に応じて、対応する前記画素から出力される画素信号を補正する補正処理部を備える、前記(1)〜(8)のいずれか一項に記載の撮像装置。
(10)
入射光を光電変換する光電変換素子を有する複数の画素のうち少なくとも一部の画素の前記光電変換素子に電荷が注入されるように当該画素への電圧の印加を制御し、その後に、当該光電変換素子から注入された前記電荷に応じた画素信号が読み出されるように当該画素への駆動信号の供給を制御する制御部と、
前記少なくとも一部の画素の前記光電変換素子からの前記電荷に応じた前記画素信号の読み出し結果に基づき、当該光電変換素子の状態を認識する認識部と、
を備える、制御装置。
(11)
前記光電変換素子の状態の認識結果に応じた情報が、所定の出力部に提示されるように制御する出力制御部を備える、前記(10)に記載の制御装置。
(12)
前記光電変換素子の状態の認識結果に応じて、前記複数の画素からの前記画素信号の読み出し結果に基づく画像を補正する補正処理部を備える、前記(10)または(11)に記載の制御装置。
(13)
コンピュータが、
入射光を光電変換する光電変換素子を有する複数の画素のうち少なくとも一部の画素の前記光電変換素子に電荷が注入されるように当該画素への電圧の印加を制御し、その後に、当該光電変換素子から注入された前記電荷に応じた画素信号が読み出されるように当該画素への駆動信号の供給を制御することと、
前記少なくとも一部の画素の前記光電変換素子からの前記電荷に応じた前記画素信号の読み出し結果に基づき、当該光電変換素子の状態を認識することと、
を含む、制御方法。
2、2c 画素
2a ダミー画素
3 画素アレイ部
4 アドレスレコーダ
5 画素タイミング駆動回路
6 カラム信号処理回路
7 センサコントローラ
8 アナログ電位生成回路
101 制御部
111 画素アレイ部
112 選択部
114 定電流回路部
121、122 画素
131、132、133 スイッチ
141 比較器
143 カウンタ
152 ノード
153 カウンタ
161、162 MOSトランジスタ
211 センサデータユニット
221 センサデータユニット
401 DSP
Claims (22)
- 車両に搭載され、前記車両の周辺領域を撮像して画像を生成する撮像装置と、
前記車両に搭載され、前記車両を制御する機能に関する処理を実行する処理装置と、を備え、
前記撮像装置は、入射光を光電変換する光電変換素子を有する画素と、
前記画素に対して駆動信号を供給する駆動回路と、
前記画素に対して電源電圧を印可する電源と、
前記画素の前記光電変換素子に電荷が注入されるように当該画素への前記電源電圧の印加を制御し、その後に、当該光電変換素子から注入された前記電荷に応じた画素信号が読み出されるように当該画素への前記駆動信号の供給を制御する制御部と、
前記画素の前記光電変換素子からの前記電荷に応じた前記画素信号の読み出し結果に応じて、当該光電変換素子の状態を認識する認識部と、
前記光電変換素子の状態の認識結果に応じた情報を出力する出力部と、を備え、
前記処理装置は、前記認識結果に基づいて、前記車両を制御する機能を制限する撮像システム。 - 前記画素は、前記光電変換素子の電荷をフローティングディフュージョンに転送する転送トランジスタと、前記フローティングディフュージョンの電荷に対応する信号を出力する増幅トランジスタと、前記フローティングディフュージョンの電位を制御するリセットトランジスタと、の少なくとも3つのトランジスタを有し、
前記フローティングディフュージョンの電位が所定電位以下に制御されることで、前記光電変換素子に対して前記電荷が注入される、
請求項1に記載の撮像システム。 - 前記制御部は、
前記画素に印加される電圧を所定電位以下に制御した状態で、前記リセットトランジスタ及び前記転送トランジスタを導通状態に制御することで、前記光電変換素子に前記電荷が注入されるように制御し、
前記光電変換素子への前記電荷の注入後に、前記転送トランジスタを非導通状態に制御した状態で、前記画素に対して前記電源電圧を印可することで、前記フローティングディフュージョンの電位を制御し、
その後、当該転送トランジスタを導通状態に制御することで、前記光電変換素子から注入された前記電荷が読み出されるように制御する、
請求項2に記載の撮像システム。 - 前記画素は、前記増幅トランジスタからの信号の出力を選択的に切り替える選択トランジスタを有し、
前記制御部は、前記光電変換素子に対して前記電荷を注入する場合には、前記選択トランジスタが非導通状態となるように制御し、当該光電変換素子から注入された前記電荷に応じた前記画素信号を読み出す場合には、当該選択トランジスタが導通状態となるように制御する、
請求項2に記載の撮像システム。 - 前記画素は、前記光電変換素子として、第1の光電変換素子と、当該第1の光電変換素子とは感度の異なる第2の光電変換素子と、を備え、
前記制御部は、前記画素の前記第1の光電変換素子及び前記第2の光電変換素子のそれぞれに電荷が注入されるように当該画素への前記電源電圧の印加を制御し、その後に、当該第1の光電変換素子及び当該第2の光電変換素子それぞれに注入された前記電荷が時分割で読み出されるように当該画素への前記駆動信号の供給を制御し、
前記認識部は、前記第1の光電変換素子及び前記第2の光電変換素子それぞれからの注入された前記電荷に応じた前記画素信号の読み出し結果に応じて、当該第1の光電変換素子及び当該第2の光電変換素子それぞれの状態を認識する、
請求項1に記載の撮像システム。 - 前記画素は、前記第2の光電変換素子が生成した電荷を蓄積する電荷蓄積部を備え、
前記制御部は、
前記画素について、前記第1の光電変換素子及び前記第2の光電変換素子のそれぞれに電荷が注入された後に、
前記第1の光電変換素子から、当該第1の光電変換素子に注入された前記電荷に応じた第1の画素信号のリセットレベルを読み出すための第1のプリデータ相が読み出され、当該第1のプリデータ相の読み出し後に、当該第1の画素信号のデータレベルを読み出すための第1のデータ相を読み出されるように制御し、
その後に、前記第2の光電変換素子から、当該第2の光電変換素子に注入された前記電荷に応じた第2の画素信号のデータレベルを読み出すための第2のデータ相が読み出され、当該だ2のデータ相の読み出し後に、当該第2の画素信号のリセットレベルを読み出すための第2のプリデータ相が読み出されるように制御する、
請求項5に記載の撮像システム。 - 前記電源である第1の電源とは異なり、前記駆動回路に対して電圧を印可する第2の電
源を備える、請求項1に記載の撮像システム。 - 前記認識結果に応じて、対応する前記画素から出力される画素信号を補正する補正処理部を備える、請求項1に記載の撮像システム。
- 前記画素は、第1の基板に配置され、
前記駆動回路、前記電源および前記制御部は、前記第1の基板と積層される第2の基板に配置される、請求項1に記載の撮像システム。 - 入射光を光電変換する光電変換素子を有する画素と、
前記画素に対して駆動信号を供給する駆動回路と、
前記画素に対して電源電圧を印可する電源と、
前記画素の前記光電変換素子に電荷が注入されるように当該画素への前記電源電圧の印加を制御し、その後に、当該光電変換素子から注入された前記電荷に応じた画素信号が読み出されるように当該画素への前記駆動信号の供給を制御する制御部と、
前記画素の前記光電変換素子からの前記電荷に応じた前記画素信号の読み出し結果に応じて、当該光電変換素子の状態を認識する認識部と、
を備える、撮像装置。 - 前記画素は、前記光電変換素子の電荷をフローティングディフュージョンに転送する転送トランジスタと、前記フローティングディフュージョンの電荷に対応する信号を出力する増幅トランジスタと、前記フローティングディフュージョンの電位を制御するリセットトランジスタと、の少なくとも3つのトランジスタを有し、
前記フローティングディフュージョンの電位が所定電位以下に制御されることで、前記光電変換素子に対して前記電荷が注入される、
請求項10に記載の撮像装置。 - 前記制御部は、
前記画素に印加される電圧を所定電位以下に制御した状態で、前記リセットトランジスタ及び前記転送トランジスタを導通状態に制御することで、前記光電変換素子に前記電荷が注入されるように制御し、
前記光電変換素子への前記電荷の注入後に、前記転送トランジスタを非導通状態に制御した状態で、前記画素に対して前記電源電圧を印可することで、前記フローティングディフュージョンの電位を制御し、
その後、当該転送トランジスタを導通状態に制御することで、前記光電変換素子から注入された前記電荷が読み出されるように制御する、
請求項11に記載の撮像装置。 - 前記画素は、前記増幅トランジスタからの信号の出力を選択的に切り替える選択トランジスタを有し、
前記制御部は、前記光電変換素子に対して前記電荷を注入する場合には、前記選択トランジスタが非導通状態となるように制御し、当該光電変換素子から注入された前記電荷に応じた前記画素信号を読み出す場合には、当該選択トランジスタが導通状態となるように制御する、
請求項11に記載の撮像装置。 - 前記画素は、前記光電変換素子として、第1の光電変換素子と、当該第1の光電変換素子とは感度の異なる第2の光電変換素子と、を備え、
前記制御部は、前記画素の前記第1の光電変換素子及び前記第2の光電変換素子のそれぞれに電荷が注入されるように当該画素への前記電源電圧の印加を制御し、その後に、当該第1の光電変換素子及び当該第2の光電変換素子それぞれに注入された前記電荷が時分割で読み出されるように当該画素への前記駆動信号の供給を制御し、
前記認識部は、前記第1の光電変換素子及び前記第2の光電変換素子それぞれからの注入された前記電荷に応じた前記画素信号の読み出し結果に応じて、当該第1の光電変換素子及び当該第2の光電変換素子それぞれの状態を認識する、
請求項10に記載の撮像装置。 - 前記画素は、前記第2の光電変換素子が生成した電荷を蓄積する電荷蓄積部を備え、
前記制御部は、
前記画素について、前記第1の光電変換素子及び前記第2の光電変換素子のそれぞれに電荷が注入された後に、
前記第1の光電変換素子から、当該第1の光電変換素子に注入された前記電荷に応じた第1の画素信号のリセットレベルを読み出すための第1のプリデータ相が読み出され、当該第1のプリデータ相の読み出し後に、当該第1の画素信号のデータレベルを読み出すための第1のデータ相を読み出されるように制御し、
その後に、前記第2の光電変換素子から、当該第2の光電変換素子に注入された前記電荷に応じた第2の画素信号のデータレベルを読み出すための第2のデータ相が読み出され、当該だ2のデータ相の読み出し後に、当該第2の画素信号のリセットレベルを読み出すための第2のプリデータ相が読み出されるように制御する、
請求項14に記載の撮像装置。 - 前記電源である第1の電源とは異なり、前記駆動回路に対して電圧を印可する第2の電源を備える、請求項10に記載の撮像装置。
- 前記光電変換素子の状態の認識結果に応じた情報が所定の出力先に出力されるように制御する出力制御部を備える、請求項10に記載の撮像装置。
- 前記光電変換素子の状態の認識結果に応じて、対応する前記画素から出力される画素信号を補正する補正処理部を備える、請求項10に記載の撮像装置。
- 前記画素は、第1の基板に配置され、
前記駆動回路、前記電源および前記制御部は、前記第1の基板と積層される第2の基板に配置される、請求項10に記載の撮像装置。 - 入射光を光電変換する光電変換素子を有する画素の前記光電変換素子に電荷が注入されるように当該画素への電圧の印加を制御し、その後に、当該光電変換素子から注入された前記電荷に応じた画素信号が読み出されるように当該画素への駆動信号の供給を制御する制御部と、
前記画素の前記光電変換素子からの前記電荷に応じた前記画素信号の読み出し結果に基づき、当該光電変換素子の状態を認識する認識部と、
を備える、制御装置。 - 前記光電変換素子の状態の認識結果に応じた情報が、所定の出力部に提示されるように制御する出力制御部を備える、請求項20に記載の制御装置。
- 前記光電変換素子の状態の認識結果に応じて、前記画素からの前記画素信号の読み出し結果に基づく画像を補正する補正処理部を備える、請求項21に記載の制御装置。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017016475 | 2017-02-01 | ||
JP2017016475 | 2017-02-01 | ||
JP2017206334 | 2017-10-25 | ||
JP2017206334 | 2017-10-25 | ||
PCT/JP2017/040154 WO2018142706A1 (ja) | 2017-02-01 | 2017-11-07 | 撮像システム、撮像装置、及び制御装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018142706A1 true JPWO2018142706A1 (ja) | 2019-11-21 |
JP7071292B2 JP7071292B2 (ja) | 2022-05-18 |
Family
ID=63040483
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018565945A Active JP7071292B2 (ja) | 2017-02-01 | 2017-11-07 | 撮像システム、撮像装置、及び制御装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11025846B2 (ja) |
EP (1) | EP3579548B1 (ja) |
JP (1) | JP7071292B2 (ja) |
CN (1) | CN110235434B (ja) |
WO (1) | WO2018142706A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020017810A (ja) * | 2018-07-24 | 2020-01-30 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
JP7234832B2 (ja) * | 2019-07-03 | 2023-03-08 | 株式会社デンソー | 電子制御装置 |
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Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7804052B2 (en) * | 2007-06-08 | 2010-09-28 | Aptina Imaging Corp. | Methods and apparatuses for pixel testing |
DE102010001918B4 (de) | 2010-02-15 | 2017-05-18 | Robert Bosch Gmbh | Bildwandler |
TWI467746B (zh) * | 2010-12-15 | 2015-01-01 | Sony Corp | 半導體元件及其製造方法與電子裝置 |
WO2014002732A1 (ja) * | 2012-06-27 | 2014-01-03 | オリンパスメディカルシステムズ株式会社 | 撮像装置および撮像システム |
CN105191288B (zh) * | 2012-12-31 | 2018-10-16 | 菲力尔***公司 | 异常像素检测 |
JP6148530B2 (ja) * | 2013-05-02 | 2017-06-14 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
JP6548372B2 (ja) * | 2014-01-28 | 2019-07-24 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子およびそれを用いた測距装置、撮像装置 |
JP6273979B2 (ja) * | 2014-04-01 | 2018-02-07 | 株式会社デンソー | 制御装置、又は、制御システム |
CN107113387B (zh) * | 2014-11-12 | 2020-09-18 | 索尼公司 | 固态成像装置及电子设备 |
CN107409179B (zh) | 2015-03-16 | 2020-06-16 | 索尼公司 | 固态成像装置、固态成像装置的驱动方法和电子设备 |
JP2016225799A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | オリンパス株式会社 | 撮像装置、及び撮像装置の制御方法 |
-
2017
- 2017-11-07 WO PCT/JP2017/040154 patent/WO2018142706A1/ja unknown
- 2017-11-07 US US16/480,368 patent/US11025846B2/en active Active
- 2017-11-07 JP JP2018565945A patent/JP7071292B2/ja active Active
- 2017-11-07 EP EP17895104.2A patent/EP3579548B1/en active Active
- 2017-11-07 CN CN201780084529.8A patent/CN110235434B/zh active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3579548A4 (en) | 2020-02-26 |
WO2018142706A1 (ja) | 2018-08-09 |
JP7071292B2 (ja) | 2022-05-18 |
US20190387188A1 (en) | 2019-12-19 |
EP3579548A1 (en) | 2019-12-11 |
EP3579548B1 (en) | 2021-09-22 |
CN110235434A (zh) | 2019-09-13 |
CN110235434B (zh) | 2022-03-18 |
US11025846B2 (en) | 2021-06-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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