JPWO2018087800A1 - 半導体モジュールおよび半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は本実施の形態1における半導体モジュール100の斜視図である。また、図2は、図1の線分A1−A1に沿った半導体モジュール100の断面図である。図1および図2に示すように、半導体モジュール100は、リードフレーム3と、リードフレーム3に接合された半導体素子1を備える。
本実施の形態1に係る半導体モジュール100は、リードフレーム3と、リードフレーム3に接合された半導体素子1と、を備え、リードフレーム3は、第1接合構造11と、第2接合構造12と、を備え、第1接合構造11は、リードフレーム3の第1の辺S1に配置され、第2接合構造12は、リードフレーム3の第1の辺S1と対向する第2の辺S2に配置され、第1接合構造11は、リードフレーム3が存在しない部分である空隙部分11bを有し、第2接合構造12は、リードフレーム3が存在しない部分である空隙部分12bを有し、第1接合構造11と第2接合構造12とを重ねたと仮定した場合、第1接合構造11および第2接合構造12は、互いの空隙部分11b,12bの少なくとも一部を相互に補完する形状である。
図5は、実施の形態1の変形例における半導体モジュール101の断面図である。また、図6は、実施の形態1の変形例における半導体装置111の断面図である。図5に示すように、半導体モジュール101の第2接合部21は、接合に利用されない空隙部分12cを有する。つまり、図6に示すように、接合に利用されない空隙部分12cには第1接合構造11の実態部分により補完されない。
図7は本実施の形態2における半導体モジュール200の斜視図である。また、図8は、図7の線分B1−B1に沿った半導体モジュール200の断面図である。半導体モジュール200は、第1接合構造21および第2接合構造22の形状以外は、半導体モジュール100(図1および図2)と同じ構成である。
本実施の形態2における半導体モジュール200において、第1接合構造21は貫通穴21cを備え、第2接合構造22は穴22cを備え、第1接合構造21と第2接合構造22とを重ねたと仮定した場合、貫通穴21cと穴22cが直線上に配置される。
図11は本実施の形態3における半導体モジュール300の斜視図である。また、図12は、図11の線分C1−C1に沿った半導体モジュール300の断面図である。半導体モジュール300は、第1接合構造31および第2接合構造32の形状以外は、半導体モジュール100(図1および図2)と同じ構成である。
本実施の形態3における半導体モジュール300において、第1接合構造31はオス型の継手を備え、第2接合構造32はメス型の継手を備え、第1接合構造31と前記第2接合構造32とを重ねたと仮定した場合、オス型の継手とメス型の継手が嵌合する。
図15は本実施の形態4における半導体モジュール400の斜視図である。また、図16は、図15の線分D1−D1に沿った半導体モジュール400の断面図である。半導体モジュール400は、第1接合構造41および第2接合構造42の形状以外は、半導体モジュール100(図1および図2)と同じ構成である。
本実施の形態4における半導体モジュール400において、第1接合構造41はリードフレーム3の主面に対して垂直方向に陥没した凹部41cを備え、第2接合構造42はリードフレーム3の主面に対して垂直方向に突出した凸部42cを備え、第1接合構造41と第2接合構造42とを重ねたと仮定した場合、凹部41cと凸部42cが嵌合する。
図19は本実施の形態5における半導体モジュール500の斜視図である。また、図20は、図19の線分E−Eに沿った半導体モジュール500の断面図である。半導体モジュール500は、半導体モジュール100(図1および図2)に対して絶縁部材4をさらに備える。
本実施の形態5における半導体モジュール500は、絶縁部材4をさらに備え、絶縁部材4は、リードフレーム3の半導体素子1が接合された面と反対側の面に配置される。
図21は実施の形態5の変形例における半導体モジュール501の斜視図である。また、図22は、図21の線分F−Fに沿った半導体モジュール501の断面図である。半導体モジュール501は、半導体モジュール500(図19および図20)に対して冷却器5をさらに備える。
実施の形態5の変形例における半導体モジュール501は、冷却器5をさらに備え、冷却器5は、絶縁部材4のリードフレーム3が配置された面と反対側の面に接合される。
図23は本実施の形態6における半導体モジュール600の斜視図である。半導体モジュール600は、半導体モジュール100(図1および図2)に対して電極端子6をさらに備える。電極端子6はリードフレーム3に電気的に接合されている。つまり、電極端子6はリードフレーム3を介して半導体素子1の主電極と接続される。電極端子6は半導体モジュール600の外部との電気的接続に利用される。
実施の形態6における半導体モジュール600は、電極端子6をさらに備え、電極端子6はリードフレーム3に電気的に接合されている。従って、電極端子6を介して半導体モジュール103を外部と電気的に接続することが可能である。
図24は本実施の形態6の変形例における半導体モジュール601の斜視図である。半導体モジュール601において、電極端子6の先端に穴6aが設けられている。それ以外の構成は半導体モジュール600(図23)と同じである。
実施の形態6の変形例における半導体モジュール601において、電極端子6の先端に外部配線接続用の穴6aが設けられている。従って、穴6aにネジ留めするなどにより、電極端子6に外部配線を容易に接続することが可能である。
図25は実施の形態7の変形例における半導体モジュール700の斜視図である。また、図26は、図25の線分G−Gに沿った半導体モジュール700の断面図である。半導体モジュール700は、半導体モジュール100(図1および図2)に対してヒートパイプをさらに備える。
本実施の形態7における半導体モジュール700において、リードフレーム3にヒートパイプが内蔵されている。リードフレーム3にヒートパイプを内蔵することにより、リードフレーム3の熱伝導効率を向上させることが可能である。
図27は実施の形態7の変形例における半導体モジュール701の斜視図である。半導体モジュール701において、電極端子6の先端の上面には絶縁部材8が配置されている。それ以外の構成は半導体モジュール700(図25および図26)と同じである。
実施の形態7の変形例における半導体モジュール701において、リードフレーム3から電極端子6にかけてヒートパイプが内蔵されていて、電極端子6に絶縁部材8が配置される。
図28は、本実施の形態8における半導体装置800の斜視図である。また、図29は、半導体装置800内部の斜視図、即ち、半導体装置800の封止樹脂15を取り除いた状態の斜視図である。
本実施の形態8における半導体装置800において、複数の半導体モジュール100のそれぞれにおいて、少なくともリードフレーム3の半導体素子1が搭載された側の面および半導体素子1が樹脂封止されている。互いに連結した複数の半導体モジュール100を樹脂封止することにより、複数の半導体モジュール100の連結が強化され、かつ、複数の半導体モジュール100を外部環境から保護することが可能となる。
Claims (18)
- リードフレーム(3)と、
前記リードフレーム(3)に接合された半導体素子(1)と、
を備え、
前記リードフレーム(3)は、
第1接合構造(11)と、
第2接合構造(12)と、
を備え、
前記第1接合構造(11)は、前記リードフレームの第1の辺(S1)に配置され、
前記第2接合構造(12)は、前記リードフレーム(3)の前記第1の辺(S1)と対向する第2の辺(S2)に配置され、
前記第1接合構造(11)は、前記リードフレーム(3)が存在しない部分である空隙部分(11b)を有し、
前記第2接合構造(12)は、前記リードフレーム(3)が存在しない部分である空隙部分(12b)を有し、
前記第1接合構造(11)と前記第2接合構造(12)とを重ねたと仮定した場合、前記第1接合構造(11)および前記第2接合構造(12)は、互いの前記空隙部分(11b,12b)の少なくとも一部を相互に補完する形状である、
半導体モジュール。 - 前記第1接合構造(21)は貫通穴(21c)を備え、
前記第2接合構造(22)は穴(22c)を備え、
前記第1接合構造(21)と前記第2接合構造(22)とを重ねたと仮定した場合、前記貫通穴(21c)と前記穴(22)が直線上に配置される、
請求項1に記載の半導体モジュール。 - 前記第1接合構造(31)はオス型の継手を備え、
前記第2接合構造(32)はメス型の継手を備え、
前記第1接合構造(31)と前記第2接合構造(32)とを重ねたと仮定した場合、前記オス型の継手と前記メス型の継手が嵌合する、
請求項1に記載の半導体モジュール。 - 前記オス型の継手および前記メス型の継手は蟻形継手である、
請求項3に記載の半導体モジュール。 - 前記第1接合構造(41)は前記リードフレーム(3)の主面に対して垂直方向に陥没した凹部(41c)を備え、
前記第2接合構造(42)は前記リードフレーム(3)の主面に対して垂直方向に突出した凸部(42c)を備え、
前記第1接合構造(41)と前記第2接合構造(42)とを重ねたと仮定した場合、前記凸部(42c)と前記凹部(41c)が嵌合する、
請求項1に記載の半導体モジュール。 - 前記リードフレーム(3)は、銅又はアルミニウムを含む、
請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の半導体モジュール。 - 絶縁部材(4)をさらに備え、
前記絶縁部材(4)は、前記リードフレーム(3)の前記半導体素子(1)が接合された面と反対側の面に配置される、
請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の半導体モジュール。 - 冷却器(5)をさらに備え、
前記冷却器(5)は、前記絶縁部材(4)の前記リードフレーム(3)が配置された面と反対側の面に接合される、
請求項7に記載の半導体モジュール。 - 電極端子(6)をさらに備え、
前記電極端子(6)は前記リードフレーム(3)に電気的に接合されている、
請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の半導体モジュール。 - 前記電極端子(6)の先端に外部配線接続用の穴(6a)が設けられている、
請求項9に記載の半導体モジュール。 - 前記リードフレーム(3)にヒートパイプが内蔵されている、
請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の半導体モジュール。 - 前記リードフレーム(3)から前記電極端子(6)にかけてヒートパイプが内蔵されていて、
前記電極端子に絶縁部材(8)が配置される、
請求項9に記載の半導体モジュール。 - 前記半導体素子(1)は、ワイドバンドギャップ半導体を含む、
請求項1から請求項12のいずれか一項に記載の半導体モジュール。 - 請求項1から請求項13のいずれか一項に記載の半導体モジュールを複数備え、
複数の前記半導体モジュールにおいて、互いに隣接する一方の前記半導体モジュールの前記第1の辺(S1)と、互いに隣接する他方の前記半導体モジュールの前記第2の辺(S2)とが対向するように配置され、
互いに隣接する一方の前記半導体モジュールの前記第1接合構造(11)と、互いに隣接する他方の前記半導体モジュールの前記第2接合構造(12)とが電気的に接合されている、
半導体装置。 - 互いに隣接する一方の前記半導体モジュールの前記第1接合構造(11)と、互いに隣接する他方の前記半導体モジュールの前記第2接合構造(12)とが、はんだ接合により電気的に接合されている、
請求項14に記載の半導体装置。 - 互いに隣接する一方の前記半導体モジュールの前記第1接合構造(21)と、互いに隣接する他方の前記半導体モジュールの前記第2接合構造(22)とがネジ留めされることにより電気的に接合されている、
請求項14に記載の半導体装置。 - 互いに隣接する一方の前記半導体モジュールの第1接合構造(31,41)と、互いに隣接する他方の前記半導体モジュールの前記第2接合構造(32,42)とが嵌合することにより電気的に接合されている、
請求項14に記載の半導体装置。 - 複数の前記半導体モジュールのそれぞれにおいて、少なくとも前記リードフレーム(3)の前記半導体素子(1)が搭載された側の面および前記半導体素子(1)が樹脂封止されている、
請求項14から請求項17のいずれか一項に記載の半導体装置。
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