JPWO2018043496A1 - 弾性波装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
3A〜3D…第1〜第4の帯域通過型フィルタ
4…アンテナ端子
5,6…第1,第2の端子
7…圧電基板
8…グラウンド端子
9A,9B…第1,第2のIDT電極
15A,15B…反射器
16A,16B…第1,第2の誘電体膜
21…弾性波装置
23A〜23D…第1〜第4の帯域通過型フィルタ
39B…第2のIDT電極
46B…第2の誘電体膜
56A,56B…第1,第2の誘電体膜
56Aa,56Ba…第1の層
56Ab,56Bb…第2の層
61…弾性波装置
63A,63B…第1,第2の帯域通過型フィルタ
S1〜S3,S11〜S13,S21,S31,S32,S61,Sa,Sb,P11,P31,P32…弾性波共振子
D1,D2,D11,D21,D22,D31…縦結合共振子型弾性波フィルタ
L…インダクタ
Claims (20)
- 圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられた複数の第1のIDT電極と、前記複数の第1のIDT電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第1の誘電体膜と、を有し、かつ第1の送信帯域及び第1の受信帯域を含む第1の通信バンドのうち、前記第1の送信帯域または前記第1の受信帯域を通過帯域とする、第1の帯域通過型フィルタと、
前記圧電基板上に設けられた複数の第2のIDT電極と、前記複数の第2のIDT電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第2の誘電体膜と、を有し、かつ前記第1の通信バンドとは異なる第2の送信帯域及び第2の受信帯域を含む第2の通信バンドのうち、前記第2の送信帯域または前記第2の受信帯域を通過帯域とする、第2の帯域通過型フィルタと、
を備え、
前記第1,第2のIDT電極、または前記第1,第2の誘電体膜の少なくとも一方が、同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、
前記第1の通信バンドにおいて、前記第1の送信帯域の前記第1の受信帯域に最も近い端部の周波数をTx1とし、前記第1の受信帯域の前記第1の送信帯域に最も近い端部の周波数をRx1とし、前記第1の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をf1とし、前記第2の通信バンドにおいて、前記第2の送信帯域の前記第2の受信帯域に最も近い端部の周波数をTx2とし、前記第2の受信帯域の前記第2の送信帯域に最も近い端部の周波数をRx2とし、前記第2の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をf2としたときに、|Tx1−Rx1|/f1>|Tx2−Rx2|/f2であり、
前記複数の第1のIDT電極のデューティの加重平均値が、前記複数の第2のIDT電極のデューティの加重平均値よりも大きい、弾性波装置。 - 全ての前記第1のIDT電極のデューティが、全ての前記第2のIDT電極のデューティよりも大きい、請求項1に記載の弾性波装置。
- 圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられた複数の第1のIDT電極と、前記複数の第1のIDT電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第1の誘電体膜と、を有し、かつ第1の送信帯域及び第1の受信帯域を含む第1の通信バンドのうち、前記第1の送信帯域または前記第1の受信帯域を通過帯域とする、第1の帯域通過型フィルタと、
前記圧電基板上に設けられた複数の第2のIDT電極と、前記複数の第2のIDT電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第2の誘電体膜と、を有し、かつ前記第1の通信バンドとは異なる第2の送信帯域及び第2の受信帯域を含む第2の通信バンドのうち、前記第2の送信帯域または前記第2の受信帯域を通過帯域とする、第2の帯域通過型フィルタと、
を備え、
前記第1,第2のIDT電極、または前記第1,第2の誘電体膜の少なくとも一方が、同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、
前記第1の通信バンドにおいて、前記第1の送信帯域の前記第1の受信帯域に最も近い端部の周波数をTx1とし、前記第1の受信帯域の前記第1の送信帯域に最も近い端部の周波数をRx1とし、前記第1の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をf1とし、前記第2の通信バンドにおいて、前記第2の送信帯域の前記第2の受信帯域に最も近い端部の周波数をTx2とし、前記第2の受信帯域の前記第2の送信帯域に最も近い端部の周波数をRx2とし、前記第2の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をf2としたときに、|Tx1−Rx1|/f1>|Tx2−Rx2|/f2であり、
前記第1の通信バンドにおいて、前記第1の送信帯域及び前記第1の受信帯域のうち前記第1の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が高域側に位置しており、
前記第2の通信バンドにおいて、前記第2の送信帯域及び前記第2の受信帯域のうち前記第2の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が高域側に位置しており、
前記第1の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第1の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕に配置されている弾性波共振子のうちの少なくとも1つである、第1の弾性波共振子を有し、
前記第2の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第2の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕に配置されている弾性波共振子のうちの少なくとも1つである、第2の弾性波共振子を有し、
前記第1の弾性波共振子が有する前記第1のIDT電極のデューティの加重平均値が、前記第2の弾性波共振子が有する前記第2のIDT電極のデューティの加重平均値よりも大きい、弾性波装置。 - 全ての前記第1の弾性波共振子が有する前記第1のIDT電極のデューティが、全ての前記第2の弾性波共振子が有する前記第2のIDT電極のデューティよりも大きい、請求項3に記載の弾性波装置。
- 圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられた複数の第1のIDT電極と、前記複数の第1のIDT電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第1の誘電体膜と、を有し、かつ第1の送信帯域及び第1の受信帯域を含む第1の通信バンドのうち、前記第1の送信帯域または前記第1の受信帯域を通過帯域とする、第1の帯域通過型フィルタと、
前記圧電基板上に設けられた複数の第2のIDT電極と、前記複数の第2のIDT電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第2の誘電体膜と、を有し、かつ前記第1の通信バンドとは異なる第2の送信帯域及び第2の受信帯域を含む第2の通信バンドのうち、前記第2の送信帯域または前記第2の受信帯域を通過帯域とする、第2の帯域通過型フィルタと、
を備え、
前記第1,第2のIDT電極、または前記第1,第2の誘電体膜の少なくとも一方が、同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、
前記第1の通信バンドにおいて、前記第1の送信帯域の前記第1の受信帯域に最も近い端部の周波数をTx1とし、前記第1の受信帯域の前記第1の送信帯域に最も近い端部の周波数をRx1とし、前記第1の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をf1とし、前記第2の通信バンドにおいて、前記第2の送信帯域の前記第2の受信帯域に最も近い端部の周波数をTx2とし、前記第2の受信帯域の前記第2の送信帯域に最も近い端部の周波数をRx2とし、前記第2の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をf2としたときに、|Tx1−Rx1|/f1>|Tx2−Rx2|/f2であり、
前記第1の通信バンドにおいて、前記第1の送信帯域及び前記第1の受信帯域のうち前記第1の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が低域側に位置しており、
前記第2の通信バンドにおいて、前記第2の送信帯域及び前記第2の受信帯域のうち前記第2の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が低域側に位置しており、
前記第1の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第1の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕とグラウンド電位との間に接続されている弾性波共振子のうちの少なくとも1つである、第3の弾性波共振子を有し、
前記第2の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第2の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕とグラウンド電位との間に接続されている弾性波共振子のうちの少なくとも1つである、第4の弾性波共振子を有し、
前記第3の弾性波共振子が有する前記第1のIDT電極のデューティの加重平均値が、前記第4の弾性波共振子が有する前記第2のIDT電極のデューティの加重平均値よりも大きい、弾性波装置。 - 全ての前記第3の弾性波共振子が有する前記第1のIDT電極のデューティが、全ての前記第4の弾性波共振子が有する前記第2のIDT電極のデューティよりも大きい、請求項5に記載の弾性波装置。
- 圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられた複数の第1のIDT電極と、前記複数の第1のIDT電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第1の誘電体膜と、を有し、かつ第1の送信帯域及び第1の受信帯域を含む第1の通信バンドのうち、前記第1の送信帯域または前記第1の受信帯域を通過帯域とする、第1の帯域通過型フィルタと、
前記圧電基板上に設けられた複数の第2のIDT電極と、前記複数の第2のIDT電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第2の誘電体膜と、を有し、かつ前記第1の通信バンドとは異なる第2の送信帯域及び第2の受信帯域を含む第2の通信バンドのうち、前記第2の送信帯域または前記第2の受信帯域を通過帯域とする、第2の帯域通過型フィルタと、
を備え、
前記第1,第2のIDT電極、または前記第1,第2の誘電体膜の少なくとも一方が、同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、
前記第1の通信バンドにおいて、前記第1の送信帯域の前記第1の受信帯域に最も近い端部の周波数をTx1とし、前記第1の受信帯域の前記第1の送信帯域に最も近い端部の周波数をRx1とし、前記第1の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をf1とし、前記第2の通信バンドにおいて、前記第2の送信帯域の前記第2の受信帯域に最も近い端部の周波数をTx2とし、前記第2の受信帯域の前記第2の送信帯域に最も近い端部の周波数をRx2とし、前記第2の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をf2としたときに、|Tx1−Rx1|/f1>|Tx2−Rx2|/f2であり、
前記第1の通信バンドにおいて、前記第1の送信帯域及び前記第1の受信帯域のうち前記第1の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が高域側に位置しており、
前記第2の通信バンドにおいて、前記第2の送信帯域及び前記第2の受信帯域のうち前記第2の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が低域側に位置しており、
前記第1の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第1の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕に配置されている弾性波共振子のうちの少なくとも1つである、第1の弾性波共振子を有し、
前記第2の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第2の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕とグラウンド電位との間に接続されている弾性波共振子のうちの少なくとも1つである、第4の弾性波共振子を有し、
前記第1の弾性波共振子が有する前記第1のIDT電極のデューティの加重平均値が、前記第4の弾性波共振子が有する前記第2のIDT電極のデューティの加重平均値よりも大きい、弾性波装置。 - 全ての前記第1の弾性波共振子が有する前記第1のIDT電極のデューティが、全ての前記第4の弾性波共振子が有する前記第2のIDT電極のデューティよりも大きい、請求項7に記載の弾性波装置。
- 圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられた複数の第1のIDT電極と、前記複数の第1のIDT電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第1の誘電体膜と、を有し、かつ第1の送信帯域及び第1の受信帯域を含む第1の通信バンドのうち、前記第1の送信帯域または前記第1の受信帯域を通過帯域とする、第1の帯域通過型フィルタと、
前記圧電基板上に設けられた複数の第2のIDT電極と、前記複数の第2のIDT電極を覆うように前記圧電基板上に設けられた第2の誘電体膜と、を有し、かつ前記第1の通信バンドとは異なる第2の送信帯域及び第2の受信帯域を含む第2の通信バンドのうち、前記第2の送信帯域または前記第2の受信帯域を通過帯域とする、第2の帯域通過型フィルタと、
を備え、
前記第1,第2のIDT電極、または前記第1,第2の誘電体膜の少なくとも一方が、同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、
前記第1の通信バンドにおいて、前記第1の送信帯域の前記第1の受信帯域に最も近い端部の周波数をTx1とし、前記第1の受信帯域の前記第1の送信帯域に最も近い端部の周波数をRx1とし、前記第1の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をf1とし、前記第2の通信バンドにおいて、前記第2の送信帯域の前記第2の受信帯域に最も近い端部の周波数をTx2とし、前記第2の受信帯域の前記第2の送信帯域に最も近い端部の周波数をRx2とし、前記第2の帯域通過型フィルタの通過帯域の中心周波数をf2としたときに、|Tx1−Rx1|/f1>|Tx2−Rx2|/f2であり、
前記第1の通信バンドにおいて、前記第1の送信帯域及び前記第1の受信帯域のうち前記第1の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が低域側に位置しており、
前記第2の通信バンドにおいて、前記第2の送信帯域及び前記第2の受信帯域のうち前記第2の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも、他方の通過帯域が高域側に位置しており、
前記第1の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第1の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕とグラウンド電位との間に接続されている弾性波共振子のうちの少なくとも1つである、第3の弾性波共振子を有し、
前記第2の帯域通過型フィルタが、入力端及び出力端を有し、前記第2の帯域通過型フィルタの前記入力端及び前記出力端を接続している直列腕に配置されている弾性波共振子のうちの少なくとも1つである、第2の弾性波共振子を有し、
前記第3の弾性波共振子が有する前記第1のIDT電極のデューティの加重平均値が、前記第2の弾性波共振子が有する前記第2のIDT電極のデューティの加重平均値よりも大きい、記載の弾性波装置。 - 全ての前記第3の弾性波共振子が有する前記第1のIDT電極のデューティが、全ての前記第2の弾性波共振子が有する前記第2のIDT電極のデューティよりも大きい、請求項9に記載の弾性波装置。
- 前記第1,第2の帯域通過型フィルタが受信フィルタである、請求項1〜10のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記第1,第2の帯域通過型フィルタが送信フィルタである、請求項1〜10のいずれかの1項に記載の弾性波装置。
- 前記第1,第2のIDT電極が同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなり、前記第1,第2の誘電体膜が同じ膜厚であり、かつ同じ材料からなる、請求項1〜12のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記第1,第2のIDT電極及び前記第1,第2の誘電体膜の少なくとも一方が多層膜構造である、請求項1〜13のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 請求項1または2に記載の弾性波装置の製造方法であって、
前記圧電基板を用意する工程と、
前記圧電基板上に前記複数の第1のIDT電極を形成する、第1のIDT電極形成工程と、
前記圧電基板上に前記複数の第2のIDT電極を形成する、第2のIDT電極形成工程と、
前記複数の第1のIDT電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第1の誘電体膜を積層する、第1の誘電体膜形成工程と、
前記複数の第2のIDT電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第2の誘電体膜を積層する、第2の誘電体膜形成工程と、
を備え、
前記第2のIDT電極形成工程において、前記複数の第1のIDT電極のデューティの加重平均値よりもデューティの加重平均値が小さい前記複数の第2のIDT電極を形成し、
前記第1,第2のIDT電極形成工程、または前記第1,第2の誘電体膜形成工程の少なくとも一方を、同じ材料を用いて同時に行い、
前記第1,第2の帯域通過型フィルタの周波数調整を同時に行う工程をさらに備える、弾性波装置の製造方法。 - 請求項3または4に記載の弾性波装置の製造方法であって、
前記圧電基板を用意する工程と、
前記圧電基板上に前記複数の第1のIDT電極を形成する、第1のIDT電極形成工程と、
前記圧電基板上に前記複数の第2のIDT電極を形成する、第2のIDT電極形成工程と、
前記複数の第1のIDT電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第1の誘電体膜を積層する、第1の誘電体膜形成工程と、
前記複数の第2のIDT電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第2の誘電体膜を積層する、第2の誘電体膜形成工程と、
を備え、
前記第2のIDT電極形成工程において、前記第1の弾性波共振子が有する前記第1のIDT電極のデューティの加重平均値よりもデューティの加重平均値が小さい、前記第2の弾性波共振子が有する前記第2のIDT電極を形成し、
前記第1,第2のIDT電極形成工程、または前記第1,第2の誘電体膜形成工程の少なくとも一方を、同じ材料を用いて同時に行い、
前記第1,第2の帯域通過型フィルタの周波数調整を同時に行う工程をさらに備える、弾性波装置の製造方法。 - 請求項5または6に記載の弾性波装置の製造方法であって、
前記圧電基板を用意する工程と、
前記圧電基板上に前記複数の第1のIDT電極を形成する、第1のIDT電極形成工程と、
前記圧電基板上に前記複数の第2のIDT電極を形成する、第2のIDT電極形成工程と、
前記複数の第1のIDT電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第1の誘電体膜を積層する、第1の誘電体膜形成工程と、
前記複数の第2のIDT電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第2の誘電体膜を積層する、第2の誘電体膜形成工程と、
を備え、
前記第2のIDT電極形成工程において、前記第3の弾性波共振子が有する前記第1のIDT電極のデューティの加重平均値よりもデューティの加重平均値が小さい、前記第4の弾性波共振子が有する前記第2のIDT電極を形成し、
前記第1,第2のIDT電極形成工程、または前記第1,第2の誘電体膜形成工程の少なくとも一方を、同じ材料を用いて同時に行い、
前記第1,第2の帯域通過型フィルタの周波数調整を同時に行う工程をさらに備える、弾性波装置の製造方法。 - 請求項7または8に記載の弾性波装置の製造方法であって、
前記圧電基板を用意する工程と、
前記圧電基板上に前記複数の第1のIDT電極を形成する、第1のIDT電極形成工程と、
前記圧電基板上に前記複数の第2のIDT電極を形成する、第2のIDT電極形成工程と、
前記複数の第1のIDT電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第1の誘電体膜を積層する、第1の誘電体膜形成工程と、
前記複数の第2のIDT電極を覆うように、前記圧電基板上に前記第2の誘電体膜を積層する、第2の誘電体膜形成工程と、
を備え、
前記第2のIDT電極形成工程において、前記第1の弾性波共振子が有する前記第1のIDT電極のデューティの加重平均値よりもデューティの加重平均値が小さい、前記第4の弾性波共振子が有する前記第2のIDT電極を形成し、
前記第1,第2のIDT電極形成工程、または前記第1,第2の誘電体膜形成工程の少なくとも一方を、同じ材料を用いて同時に行い、
前記第1,第2の帯域通過型フィルタの周波数調整を同時に行う工程をさらに備える、弾性波装置の製造方法。 - 前記第1のIDT電極形成工程及び前記第2のIDT電極形成工程を同時に行い、かつ前記第1の誘電体膜形成工程及び前記第2の誘電体膜形成工程を同時に行う、請求項15〜18のいずれか1項に記載の弾性波装置の製造方法。
- 前記第1,第2のIDT電極形成工程及び前記第1,第2の誘電体膜形成工程のうち同時に行う工程を、堆積法により行う、請求項15〜19のいずれか1項に記載の弾性波装置の製造方法。
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