JPWO2017159589A1 - 有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法 - Google Patents
有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2017159589A1 JPWO2017159589A1 JP2018505905A JP2018505905A JPWO2017159589A1 JP WO2017159589 A1 JPWO2017159589 A1 JP WO2017159589A1 JP 2018505905 A JP2018505905 A JP 2018505905A JP 2018505905 A JP2018505905 A JP 2018505905A JP WO2017159589 A1 JPWO2017159589 A1 JP WO2017159589A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- organic
- electronic device
- organic electronic
- sealing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 40
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 title abstract description 17
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 123
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims abstract description 102
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 87
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 87
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims abstract description 47
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims abstract description 47
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract description 47
- 125000005370 alkoxysilyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 33
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 211
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims description 67
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 claims description 65
- -1 aromatic vinyl compound Chemical class 0.000 claims description 63
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 46
- CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N carbon carbon Chemical compound C.C CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 claims description 19
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 16
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 13
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 13
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 13
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 7
- 238000007872 degassing Methods 0.000 claims description 6
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 claims description 5
- 239000013032 Hydrocarbon resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920006270 hydrocarbon resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 13
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 13
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 12
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 12
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 10
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 10
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 9
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 9
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 9
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 8
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 8
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 7
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-pentene Chemical compound CC(C)CC=C WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 6
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 6
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 1-octene Chemical compound CCCCCCC=C KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 5
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 5
- ZGEGCLOFRBLKSE-UHFFFAOYSA-N 1-Heptene Chemical compound CCCCCC=C ZGEGCLOFRBLKSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 1-hexene Chemical compound CCCCC=C LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004902 Softening Agent Substances 0.000 description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 4
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N pentene Chemical compound CCCC=C YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 239000004711 α-olefin Substances 0.000 description 4
- 125000004191 (C1-C6) alkoxy group Chemical group 0.000 description 3
- DMWVYCCGCQPJEA-UHFFFAOYSA-N 2,5-bis(tert-butylperoxy)-2,5-dimethylhexane Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)CCC(C)(C)OOC(C)(C)C DMWVYCCGCQPJEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 3
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N 1-decene Chemical compound CCCCCCCCC=C AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CRSBERNSMYQZNG-UHFFFAOYSA-N 1-dodecene Chemical compound CCCCCCCCCCC=C CRSBERNSMYQZNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 1-nonene Chemical compound CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SDJHPPZKZZWAKF-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylbuta-1,3-diene Chemical compound CC(=C)C(C)=C SDJHPPZKZZWAKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C=C KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001157 Fourier transform infrared spectrum Methods 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MGNZXYYWBUKAII-UHFFFAOYSA-N cyclohexa-1,3-diene Chemical compound C1CC=CC=C1 MGNZXYYWBUKAII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- LDLDYFCCDKENPD-UHFFFAOYSA-N ethenylcyclohexane Chemical compound C=CC1CCCCC1 LDLDYFCCDKENPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N n-Octanol Natural products CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VAMFXQBUQXONLZ-UHFFFAOYSA-N n-alpha-eicosene Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCCC=C VAMFXQBUQXONLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- 229920000428 triblock copolymer Polymers 0.000 description 2
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical group CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LTQBNYCMVZQRSD-UHFFFAOYSA-N (4-ethenylphenyl)-trimethoxysilane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=C(C=C)C=C1 LTQBNYCMVZQRSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003837 (C1-C20) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N (E)-1,3-pentadiene Chemical compound C\C=C\C=C PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N 0.000 description 1
- CTPYJEXTTINDEM-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(1-tert-butylperoxypropan-2-yl)benzene Chemical compound CC(C)(C)OOCC(C)C1=CC=CC=C1C(C)COOC(C)(C)C CTPYJEXTTINDEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTZVZZJJVJQZHV-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-4-ethenylbenzene Chemical compound ClC1=CC=C(C=C)C=C1 KTZVZZJJVJQZHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940106006 1-eicosene Drugs 0.000 description 1
- FIKTURVKRGQNQD-UHFFFAOYSA-N 1-eicosene Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCC=CC(O)=O FIKTURVKRGQNQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OUSXYCTXXLYBGJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2,4-di(propan-2-yl)benzene Chemical compound CC(C)C1=CC=C(C=C)C(C(C)C)=C1 OUSXYCTXXLYBGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEVVKKAVYQFQNV-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2,4-dimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=C(C=C)C(C)=C1 OEVVKKAVYQFQNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NVZWEEGUWXZOKI-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2-methylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C=C NVZWEEGUWXZOKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZHGRUMIRATHIU-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3-methylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C=C)=C1 JZHGRUMIRATHIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWVTWJNGILGLAT-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-fluorobenzene Chemical compound FC1=CC=C(C=C)C=C1 JWVTWJNGILGLAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZEMDSNVUUOCIED-UHFFFAOYSA-N 1-phenyl-4-[4-[4-(4-phenylphenyl)phenyl]phenyl]benzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZEMDSNVUUOCIED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEDJMOONZLUIMC-UHFFFAOYSA-N 1-tert-butyl-4-ethenylbenzene Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(C=C)C=C1 QEDJMOONZLUIMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- CISIJYCKDJSTMX-UHFFFAOYSA-N 2,2-dichloroethenylbenzene Chemical compound ClC(Cl)=CC1=CC=CC=C1 CISIJYCKDJSTMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylpropan-2-ylperoxy)propan-2-ylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C)(C)OOC(C)(C)C1=CC=CC=C1 XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POXIZPBFFUKMEQ-UHFFFAOYSA-N 2-cyanoethenylideneazanide Chemical group [N-]=C=[C+]C#N POXIZPBFFUKMEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YAQDPWONDFRAHF-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-2-(2-methylpentan-2-ylperoxy)pentane Chemical compound CCCC(C)(C)OOC(C)(C)CCC YAQDPWONDFRAHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIISIZOQPWZPPS-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylperoxypropan-2-ylbenzene Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)C1=CC=CC=C1 BIISIZOQPWZPPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOYKFSOCSXVQAN-UHFFFAOYSA-N 3-[diethoxy(methyl)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOC(=O)C(C)=C DOYKFSOCSXVQAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOC(=O)C(C)=C URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FSWNZCWHTXTQBY-UHFFFAOYSA-N 4,6-dimethylhept-1-ene Chemical compound CC(C)CC(C)CC=C FSWNZCWHTXTQBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 4-Methylstyrene Chemical compound CC1=CC=C(C=C)C=C1 JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTKZHEXXFWCYCH-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butyl-2-ethenyl-1-methylbenzene Chemical compound CC1=CC=C(C(C)(C)C)C=C1C=C UTKZHEXXFWCYCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRUWJENAYHTDQG-UHFFFAOYSA-N 4H-pyran Chemical compound C1C=COC=C1 MRUWJENAYHTDQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQHJESKHUUVSIC-UHFFFAOYSA-N antimony lead Chemical compound [Sb].[Pb] QQHJESKHUUVSIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- JRXXLCKWQFKACW-UHFFFAOYSA-N biphenylacetylene Chemical group C1=CC=CC=C1C#CC1=CC=CC=C1 JRXXLCKWQFKACW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012661 block copolymerization Methods 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N cis-cyclohexene Natural products C1CCC=CC1 HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N di-tert-butyl peroxide Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)C LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003244 diene elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229940069096 dodecene Drugs 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N ethene;prop-1-ene Chemical group C=C.CC=C HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBGQQKKTDDNCSG-UHFFFAOYSA-N ethenyl-diethoxy-methylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(C=C)OCC MBGQQKKTDDNCSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLNAFSPCNATQPQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C=C ZLNAFSPCNATQPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=C[CH]C=CC3=CC2=C1 RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005340 laminated glass Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002560 nitrile group Chemical group 0.000 description 1
- SJYNFBVQFBRSIB-UHFFFAOYSA-N norbornadiene Chemical compound C1=CC2C=CC1C2 SJYNFBVQFBRSIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- HDBWAWNLGGMZRQ-UHFFFAOYSA-N p-Vinylbiphenyl Chemical compound C1=CC(C=C)=CC=C1C1=CC=CC=C1 HDBWAWNLGGMZRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- PMJHHCWVYXUKFD-UHFFFAOYSA-N piperylene Natural products CC=CC=C PMJHHCWVYXUKFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 1
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- UMFJXASDGBJDEB-UHFFFAOYSA-N triethoxy(prop-2-enyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC=C)(OCC)OCC UMFJXASDGBJDEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFRDHGNFBLIJIY-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(prop-2-enyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CC=C LFRDHGNFBLIJIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000009461 vacuum packaging Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/10—Materials in mouldable or extrudable form for sealing or packing joints or covers
- C09K3/1006—Materials in mouldable or extrudable form for sealing or packing joints or covers characterised by the chemical nature of one of its constituents
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F297/00—Macromolecular compounds obtained by successively polymerising different monomer systems using a catalyst of the ionic or coordination type without deactivating the intermediate polymer
- C08F297/02—Macromolecular compounds obtained by successively polymerising different monomer systems using a catalyst of the ionic or coordination type without deactivating the intermediate polymer using a catalyst of the anionic type
- C08F297/04—Macromolecular compounds obtained by successively polymerising different monomer systems using a catalyst of the ionic or coordination type without deactivating the intermediate polymer using a catalyst of the anionic type polymerising vinyl aromatic monomers and conjugated dienes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/10—Materials in mouldable or extrudable form for sealing or packing joints or covers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/151—Copolymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2200/00—Chemical nature of materials in mouldable or extrudable form for sealing or packing joints or covers
- C09K2200/06—Macromolecular organic compounds, e.g. prepolymers
- C09K2200/0615—Macromolecular organic compounds, e.g. prepolymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
- C09K2200/0632—Polystyrenes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2200/00—Chemical nature of materials in mouldable or extrudable form for sealing or packing joints or covers
- C09K2200/06—Macromolecular organic compounds, e.g. prepolymers
- C09K2200/0645—Macromolecular organic compounds, e.g. prepolymers obtained otherwise than by reactions involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2200/00—Chemical nature of materials in mouldable or extrudable form for sealing or packing joints or covers
- C09K2200/06—Macromolecular organic compounds, e.g. prepolymers
- C09K2200/068—Containing also other elements than carbon, oxygen or nitrogen in the polymer main chain
- C09K2200/0685—Containing silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
Description
しかしながら、上記の封止材には、基材との接着性が劣るために基材との界面からの水分の侵入防止が不十分であったり、極性基を有することにより水分バリアー性が不十分であったりして、外部から侵入する水分による有機機能素子の劣化を防止する機能が不十分であるという問題がある。
(1)有機エレクトロニクスデバイスに、アルコキシシリル基を有する変性炭化水素系軟質樹脂からなるシート状の封止材を接着一体化させる有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法であって、
工程[1]:前記有機エレクトロニクスデバイスとシート状の封止材を重ねて積層物を得る工程、
工程[2]:得られた積層物を樹脂製の袋内部に収容し、前記の袋内を脱気した後、前記の積層物を収容した袋を密封する工程、及び、
工程[3]:前記の密封した袋を、0.1MPa以上の加圧下に置くことで、積層物を接着一体化する工程、
を有することを特徴とする有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法。
(2)有機エレクトロニクスデバイスが、有機EL素子を備える有機エレクトロニクスデバイスであることを特徴とする(1)に記載の有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法。
(3)アルコキシシリル基を有する変性炭化水素系軟質樹脂が、
芳香族ビニル化合物を主成分とする重合体ブロックと、鎖状共役ジエン化合物を主成分とする重合体ブロックとからなる、ブロック共重合体を水素化したブロック共重合体水素化物(i)及びポリオレフィン系樹脂(ii)
から選ばれる少なくとも1種の炭化水素系樹脂に、アルコキシシリル基が導入されてなる変性炭化水素系軟質樹脂であることを特徴とする(1)又は(2)に記載の有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法。
芳香族ビニル化合物由来の構造単位を主成分とする、少なくとも2つの重合体ブロック(A)と、鎖状共役ジエン化合物由来の構造単位を主成分とする、少なくとも1つの重合体ブロック(B)とからなるブロック共重合体(C)であって、全重合体ブロック(A)のブロック共重合体(C)全体に占める重量分率をwAとし、全重合体ブロック(B)のブロック共重合体(C)全体に占める重量分率をwBとしたときに、wAとwBとの比wA:wBが20:80〜60:40であるブロック共重合体(C)の、主鎖及び側鎖の炭素−炭素不飽和結合及び芳香環の炭素−炭素不飽和結合の90%以上を水素化したブロック共重合体水素化物(ia)であることを特徴とする(3)に記載の有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法。
(5)前記樹脂製の袋が、ポリプロピレンからなる層を少なくとも一層有する、単層又は多層のシートから構成されたものであることを特徴とする(1)〜(4)のいずれかに記載の有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法。
本発明の方法によれば、曲面形状をした有機エレクトロニクスデバイスであっても容易に封止することができる。
本発明の有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法は、有機機能素子の優れた封止性能を有する樹脂からなる封止材を用いた、耐久性に優れた有機エレクトロニクスデバイス封止体の工業的な製造方法として有用である。
また、本発明の製造方法によって製造された有機エレクトロニクスデバイス封止体は耐久性に優れる。
工程[1]:有機エレクトロニクスデバイスとシート状の封止材を重ねて積層物を得る工程
工程[2]:得られた積層物を樹脂製の袋内部に収容し、前記の袋内を脱気した後、前記の積層物を収容した袋を密封する工程
工程[3]:前記の密封した袋を、0.1MPa以上の加圧下に置くことで、積層物を接着一体化する工程
本発明で使用する有機エレクトロニクスデバイスは、デバイスの機能を発現する有機機能素子として、有機EL素子、有機半導体素子等の有機機能素子、及び、封止能を有する基板を有する。
本発明の製造方法によれば、かかる基板と封止材とで、有機機能素子を封止した形態を有する有機エレクトロニクスデバイスが得られる。
図1は、本発明の製造方法で使用する有機EL素子等の構成要素を含む、有機エレクトロニクスデバイスを構成する組立体を概略的に示す斜視図である。
第1の電極層102、発光層104、及び第2の電極層105は、発光素子を構成し、第1及び第2の電極層に通電することにより発光層を発光させることができる。
例えば、基板の材料の例としては、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、脂環式オレフィンポリマー、等の柔軟性のある透明プラスチックからなるフレキシブル基板;石英、ソーダガラス、無機アルカリガラス、等のガラス基板;等を挙げることができる。
第1及び第2の電極層を構成する材料は特に限定されず、有機EL素子の電極として用いられる既知の材料を適宜選択することができる。第1及び第2の電極層は、どちらか一方を陽極とし、他方を陰極とすることができる。第1の電極層及び第2の電極層の一方を透明電極、他方を反射電極とすることにより、透明電極側からの出光を達成することができる。
また、第1の電極層及び第2の電極層の両方を透明電極とすることもできる。透明電極の材料の例としては、金属薄膜、ITO(酸化インジウムスズ)、IZO(酸化インジウム−酸化亜鉛)、SnO2、ZnO−Al、ZnO−Ga等を挙げることができる。
第1の電極層及び第2の電極層の間には、発光層に加えてホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層、ガスバリア層、等の任意の層をさらに有することもできる。これらの層も発光素子の構成要素となりうる。
陽極/正孔輸送層/発光層/陰極の構成、
陽極/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極の構成、
陽極/正孔注入層/発光層/陰極の構成、
陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極の構成、
陽極/正孔輸送層/発光層/電子注入層/等電位面形成層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極の構成、
陽極/正孔輸送層/発光層/電子注入層/電荷発生層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極の構成、
等が挙げられる。
正孔注入層及び正孔輸送層の材料の例としては、フタロシアニン系、アリールアミン系、及びポリチオフェン系の材料を挙げることができる。
電子注入層及び電子輸送層の材料の例としては、アルミ錯体及びフッ化リチウムを挙げることができる。
等電位面形成層及び電荷発生層の材料の例としては、ITO、IZO、SnO2等の透明電極や、Ag、Al等の金属薄膜を挙げることができる。
組立体100はさらに、電極層へ通電するための配線等の任意の構成要素を有しうる。
図3において、有機エレクトロニクスデバイス封止体20は、組立体100と、組立体100の上面101U側に設けられた仮封止層152と、仮封止層152上に設けられた封止材層151とを含む。
仮封止層152の厚みは、0.2〜1μm程度である。
仮封止層152は、発光層104及び第2の電極層105と同様の減圧環境下の条件において、蒸着等の成膜方法により形成することができる。
発光層104、第2の電極層105、及び仮封止層152を減圧環境下において連続的に設けることにより、発光層の劣化を効果的に抑制することができる。また、これらを減圧環境下から取り出した後に封止材層151で封止することにより、デバイスの使用環境下に耐えうる封止体を得ることができる。
これにより、製造時における素子の劣化が少なく、且つその状態が使用環境下においても長期間維持されるデバイスを得ることができる。
図4において、有機エレクトロニクスデバイス封止体30は、組立体100と、組立体100の上面101U側に設けられた仮封止層152と、仮封止層152上に設けられた吸着剤層153と、吸着剤層153上に設けられた封止材層151とを含む。
吸着剤層153を設けることにより、封止性をさらに強固なものとすることができる。例えば、封止材層151から僅かに放出されうるガス成分を吸着し、発光層104等の層の劣化をさらに防止することができる。
図5において、有機エレクトロニクスデバイス封止体40は、組立体100と、組立体100の上面101U側に設けられた封止材層151、及びさらにその上面の保護層154を含む。かかる構造を有することにより、発光層104が、基板101及び封止材層151と保護層154により封止される。さらに、封止材層151が前記の本発明で使用するアルコキシシリル基を有する炭化水素系軟質樹脂からなる封止材であるため、水分バリアー性が優れる。
その結果、良好な封止が達成され、デバイスの耐久性が高まる。さらに、封止材の軟質性能により、組立体100の凹凸がカバーされ、その結果デバイスの強度を高めることができる。
図6は、本発明の製造方法によって製造される、樹脂封止された有機半導体等の構成要素を含む有機エレクトロニクスデバイス封止体のさらに別の例を、概略的に示す縦断面図である。
有機エレクトロニクスデバイス封止体50を構成する要素の材料、厚み、及び製造方法については、特に限定されず既知のものを採用することができる。
また、ドーピング等で導電率を向上させた公知の導電性ポリマー、例えば導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン(ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体等)を導電材料として用いることもできる。これらの中でも、クロム及びモリブデンが好ましく、クロムがより好ましい。
ゲート電極502は、たとえば、上述した導電性材料を、スパッタリング法等により基板501上に形成し、次いで、エッチング処理を行なうことにより、基板501上に所定パターンで形成される。
半導体層506は、たとえば、上述した有機半導体の層を、塗布法やCVD法等により、ゲート電極絶縁層503上に形成し、次いで、所定のパターン形状となるようにパターンニングすることにより、形成される。
本発明で使用する封止材は、アルコキシシリル基を有する変性炭化水素系軟質樹脂からなるシート状の封止材である。
アルコキシシリル基を有する変性炭化水素系軟質樹脂は、炭化水素系軟質樹脂に、有機過酸化物の存在下で、エチレン性不飽和シラン化合物を反応させることにより、アルコキシシリル基が導入されたものである。炭化水素系軟質樹脂にアルコキシシリル基を導入することにより、炭化水素系軟質樹脂にガラス基板やプラスチック基板に対する強固な接着性が付与される。
上記範囲の貯蔵弾性率G’を有する柔軟な樹脂を封止材として用いることにより、素子の封止を達成し、且つ、デバイスの凹凸をカバーし、デバイスの強度を高めることができる。
本発明で使用する封止材の原料となる炭化水素系軟質樹脂は、芳香族ビニル化合物由来の構造単位を主成分とする重合体ブロック〔重合体ブロック(A)〕と、鎖状共役ジエン化合物由来の構造単位を主成分とする重合体ブロック〔重合体ブロック(B)〕とからなる、ブロック共重合体〔ブロック共重合体(C)〕を水素化したブロック共重合体水素化物(i)、及び、ポリオレフィン系樹脂(ii)から選ばれる少なくとも1種の炭化水素系軟質樹脂である。
ブロック共重合体水素化物(i)は、ブロック共重合体(C)を水素化して得られる高分子である。
ブロック共重合体(C)中の重合体ブロック(A)の数は、通常3個以下、好ましくは2個であり、重合体ブロック(B)の数は、通常2個以下、好ましくは1個である。
ブロック共重合体(C)のブロックの形態は、鎖状型ブロックでもラジアル型ブロックでも良いが、鎖状型ブロックであるものが、機械的強度に優れ、好ましい。ブロック共重合体(C)の最も好ましい形態は、重合体ブロック(B)の両端に重合体ブロック(A)が結合した、(A)−(B)−(A)型のトリブロック共重合体である。
複数の重合体ブロック(A)同士は、互いに同一であっても、相異なっていても良い。また、重合体ブロック(B)が複数有る場合には、重合体ブロック(B)同士は、互いに同一であっても、相異なっていても良い。
ブロック共重合体(C)は、wAとwBとの比wA:wBが20:80〜60:40、好ましくは25:75〜55:45、より好ましくは30:70〜50:50のものである。比wA:wBがこの範囲にあれば良好な封止性と耐熱性を有する封止材が得られる。
その含有量は通常5重量%以下、好ましくは3重量%以下、より好ましくは1重量%以下である。
重合体ブロック(A)中の芳香族ビニル化合物由来の構造単位が少なすぎると、封止材の耐熱性が低下するおそれがある。
共重合できる鎖状共役ジエン及びその他のビニル化合物としては、後述する重合体ブロック(B)の構造単位となる鎖状共役ジエン及びその他のビニル化合物と同様のものがあげられる。
鎖状共役ジエン化合物由来の構造単位が上記範囲にあると、封止材の接着性が優れる。
ブロック共重合体水素化物(i)が、上記のブロック共重合体(C)の主鎖及び側鎖の炭素−炭素不飽和結合のみを水素化して得られる高分子である場合、その水素化率は通常90%以上、好ましくは97%以上、より好ましくは99%以上である。水素化率が高いほど、耐酸化劣化性や耐光性の良好な封止材が得られる。
また、ブロック共重合体水素化物(i)が、上記のブロック共重合体(C)の主鎖及び側鎖の炭素−炭素不飽和結合並びに芳香環の炭素−炭素不飽和結合を水素化して得られる高分子である場合、主鎖及び側鎖の炭素−炭素不飽和結合の水素化率は、通常90%以上、好ましくは97%以上、より好ましくは99%以上であり、芳香環の炭素−炭素不飽和結合の水素化率は、通常90%以上、好ましくは97%以上、より好ましくは99%以上である。
また、ブロック共重合体(C)の全不飽和結合(主鎖及び側鎖の炭素−炭素不飽和結合及び芳香環の炭素−炭素不飽和結合)の水素化率は、通常90%以上、好ましくは97%以上、より好ましくは99%以上である。水素化率が高いほど、耐酸化劣化性や耐光性の良好な封止材が得られる。
ブロック共重合体水素化物(i)の水素化率は、ブロック共重合体水素化物(ia)の1H−NMRを測定することにより求めることができる。
また、芳香族ビニル化合物由来の構造単位を主成分とする重合体ブロックと鎖状共役ジエン化合物由来の構造単位を主成分とする重合体ブロックの、主鎖及び側鎖の芳香族性及び非芳香族性の炭素−炭素不飽和結合を水素化したブロック共重合体水素化物(ia)は、例えば、WO1996/34896号パンフレット、WO2003/018656号パンフレット、WO2012/043708号パンフレット、等に記載された方法に従って製造することができる。
また、ブロック共重合体水素化物(i)の分子量分布(Mw/Mn)は、好ましくは3以下、より好ましくは2以下、特に好ましくは1.5以下にする。Mw及びMw/Mnが上記範囲となるようにすると、封止性と機械的強度が良好な封止材が得られる。
ポリオレフィン系樹脂(ii)としては、エチレン及び/又は炭素数3〜10のα−オレフィンを重合して得られる、融点が90℃以上140℃以下である(共)重合体を用いることができる。
炭素数3〜10のα−オレフィンとしては、プロピレン、1−ブテン、1−ペンテン、1−ヘキセン、1−ヘプテン、1−オクテン、4−メチル−1−ペンテン、ビニルシクロヘキサン、等が挙げられる。これらは一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。
また、エチレン及び炭素数3〜10のα−オレフィンからなる群より選択される1種類以上のオレフィンを用いて製造された市販のポリオレフィンの中から、融点が90℃以上140℃以下、好ましくは100℃以上130℃以下のものを選んで使用することができる。
融点が90℃未満のポリオレフィンを用いる場合には、有機エレクトロニクスデバイスの封止材としての耐熱性が劣るものとなり、140℃を超えるポリオレフィンを用いる場合は、本発明の有機エレクトロニクスデバイスの封止方法では封止性が劣るものとなるおそれがある。
アルコキシシリル基を有する変性炭化水素系軟質樹脂は、ブロック共重合体水素化物(i)及び/又はポリオレフィン系樹脂(ii)に、有機過酸化物の存在下で、エチレン性不飽和シラン化合物を反応させることにより製造することができる。
アルコキシシリル基の導入量が多過ぎると、得られる変性炭化水素系軟質樹脂を保存中に微量の水分等で分解されたアルコキシシリル基同士の架橋が進み、ゲル化したり、溶融成形時の流動性が低下したりして、封止材としての接着性が低下するおそれがある。また、アルコキシシリル基の導入量が少な過ぎると、封止材とした場合に、有機エレクトロニクスデバイスの素子や基板に対する接着性が低下するおそれがある。
エチレン性不飽和シラン化合物の使用量は、炭化水素系軟質樹脂100重量部に対して、通常0.1重量部以上、好ましくは0.2重量部以上、より好ましくは0.5重量部以上で、通常10重量部以下、好ましくは5重量部以下、より好ましくは3重量部以下である。また、通常0.1重量部以上10重量部以下、好ましくは0.2重量部以上5重量部以下、より好ましくは0.5重量部以上3重量部以下である。
過酸化物の使用量は、炭化水素系軟質樹脂100重量部に対して、通常0.05重量部以上2重量部以下、好ましくは0.1重量部以上1重量部以下、より好ましくは0.2重量部以上0.5重量部以下である。
二軸混練機による混練温度は、通常180℃以上220℃以下、好ましくは185℃以上210℃以下、より好ましくは190℃以上200℃以下である。
加熱混練時間は、通常0.1分から10分、好ましくは0.2分から5分、より好ましくは0.3分から2分程度である。温度、滞留時間が上記範囲になるようにして、連続的に混練、押出しをすればよい。
製造されたアルコキシシリル基を有する変性炭化水素系軟質樹脂の形態は限定されるものではないが、通常はペレット形状にして、その後の封止材の製造に供することができる。
本発明で使用する封止材は、上述した変性炭化水素系軟質樹脂を主要成分とするものである。本発明で使用する封止材中における変性炭化水素系軟質樹脂の含有量は、封止材に対して、通常70重量%以上、好ましくは75重量%以上、より好ましくは80重量%以上である。
配合できる添加剤としては、接着温度の低下及び素子や基材との接着性等を調整するための軟化剤、耐久性を高めるための酸化防止剤や光安定剤等が挙げられる。
これらの中でも、特に透明性、耐光性を維持し、軟化効果に優れている点で、低分子量のポリイソブチレン水素化物、低分子量のポリイソプレン水素化物が好ましい。
これらの酸化防止剤や光安定剤は、それぞれ1種単独で、あるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。
シートの厚みを上記の範囲とすることにより、十分な封止機能と、基板上の素子や異物等による凹凸かカバーされ、均等な厚みの有機エレクトロニクスデバイス封止体を得ることができる。
ここで、「長尺」とは、シートの幅方向に対して、少なくとも5倍程度以上の長さを有するものをいい、好ましくは10倍もしくはそれ以上の長さを有し、例えばロール状に巻回されて保管又は運搬される程度の長さを有するものをいう。
本発明の有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法における工程[1]は、有機エレクトロニクスデバイスと、シート状の封止材を重ねて積層物を作製する工程である。
積層物は、樹脂封止される前の有機エレクトロニクスデバイスの有機機能素子が配置された面に、有機機能素子が完全に覆われるようにシート状の封止材を重ねることにより得ることができる。封止材の上には、さらにバリアー層としての透明ガラスシートや透明プラスチックシート等を重ねて配置することもできる。
本発明の有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法における工程[2]は、工程[1]で作製した積層物を樹脂製の袋内部に収容し、前記の樹脂製の袋内を脱気した後、前記の積層物を収容した樹脂製の袋を密封する工程である。
これらの中でも、PP単層、PET層/接着層/PP層、NY層/接着層/PP層、等の、ヒートシール性に優れるPPからなる層を少なくとも一層有する、単層又は多層のシートで構成されたものが、耐熱性が高く、有機エレクトロニクスデバイスの成形温度を高くすることができるため好ましく、NY層/接着層/PP層が、耐突き刺し性にも優れるため特に好ましい。
多層構造の場合の各層の厚みは特別な制限は無く、適宜選択すれば良い。
例えば、本発明の方法によれば、有機機能素子を曲面形状のガラス基板や厚みが0.2mm以下の薄膜ガラス基板等に搭載した有機エレクトロニクスデバイスを成形する場合には、厚みが100μm以下の薄手の樹脂製の袋を使用することにより、ガラス基板の割れを効果的に防止することができる。
本発明において、「積層物を袋内部に収容する」態様としては、樹脂製の袋の開口部から、積層物を袋中に入れる態様、1枚の樹脂製シートの上に積層物を置き、その上にもう1枚の樹脂製シートを被せた後、2枚の樹脂製シートの外周部を、開口部を残してヒートシールすることにより、結果として積層物を袋内部に収容した状態とする態様、1枚の樹脂製シートの上に積層物を置き、積層物が内部に収容されるように、前記樹脂シートを折りたたみ、外周部を、開口部を残してヒートシールすることにより、結果として積層物を袋内部に収容した状態とする態様等が挙げられる。
本発明の有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法における工程[3]は、工程[2]で作製した積層物を収容して密封した袋を、加圧加熱して積層物を接着一体化し、封止材で封止された有機エレクトロニクスデバイスを製造する工程である。
この範囲の圧力であれば、例えば、合わせガラスの製造用等に販売されているオートクレーブが利用できるため好ましい。
また、加圧又は加圧加熱する時間は、条件等にもよるが、通常10〜100分、好ましくは15〜70分、より好ましくは20〜40分である。
加圧又は加圧加熱する方法は特に限定されないが、オートクレーブ、加熱加圧硬化装置、蒸気滅菌装置等を使用する方法が好ましい。これらの加圧装置を使用する場合、一度に多数の有機エレクトロニクスデバイスを装置内に充填して封止処理が可能であるため、工業的な生産性にも優れる。
また、製品の移送、流通、販売等の過程では、封止材で封止された有機エレクトロニクスデバイス封止体を保護するための包装を省略して、樹脂製の袋に密封したままで取り扱うこともでき、経費削減にも有効である。
以下の説明において、量を表す「%」及び「部」は、特に断らない限り重量基準である。
(1)重量平均分子量(Mw)及び分子量分布(Mw/Mn)
ブロック共重合体及びブロック共重合体水素化物の分子量は、THFを溶離液とするGPCによる標準ポリスチレン換算値として38℃において測定した。測定装置として、東ソー社製、HLC8020GPCを用いた。
(2)水素化率
ブロック共重合体水素化物の主鎖、側鎖及び芳香環の水素化率は、1H−NMRスペクトルを測定して算出した。
作製した有機ELデバイス封止体を非点灯状態で、温度85℃、湿度85%の環境下で、1,000時間保存した。その後常温常湿(23℃、湿度50%)環境に戻して、通電して点灯させ、出光面のダークスポットを観察し、下記の評価基準に従って評価した。
ダークスポットが無いか、ダークスポットがあってもその径が50μm未満のものしかない場合を、良好(◎)と評価した。
ダークスポットが少数(10個/cm2未満)あるが、径50μm以上200μm未満の場合を、許容(○)と評価した。
径50μm以上200μm未満であるが、ダークスポットが多数(10個/cm2以上)ある場合、及び、径200μm以上のダークスポットがある場合を、不良(×)と評価した。
白色有機EL素子を備える、仮封止層付き組立体(1)の構造は、概略的には、図5に示す、組立体100と仮封止層152からなる構造とした。但し、第1の電極及び第2の電極の間に、発光層1層のみではなく、正孔輸送層、複数の発光層、電子輸送層及びバッファー層を設けた。
次いで、陽極の上に、4,4'−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(NPB)を蒸着させて、厚さ40nmの正孔輸送層を形成した。
さらに、正孔輸送層の上に、青色発光材料である4,4−ビス(ジフェニルビニレン)−ビフェニル(ADS082)を蒸着させて、厚さ0.05μmの青色発光層を形成した。
次に、青色発光層の上に、赤色発光材料である4−(ジシアノメチレン)−2−t−ブチル−6−(1,1,7,7−テトラメチルジュロリジル−9−エニル)−4H−ピラン(DCJTB)を蒸着させて、厚さ0.05μmの赤色発光層を形成した。
次に、赤色発光層の上に、トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム(Alq3)を蒸着させて、厚さ0.05μmの緑色発光層、及び電子輸送層を形成した。
さらに、電子輸送層の上にLiFを蒸着させて、厚さ0.5nmのバッファー層を形成した。
次に、バッファー層の上にアルミニウムを蒸着させて、第2の電極層105としての、厚さ50nmの陰極(反射電極)を形成した。
そして、形成した層及び基板全体を覆うように窒化ケイ素(SiN)を蒸着させ、厚さ0.3μmの仮封止層152を形成した。
正孔輸送層から仮封止層までの蒸着は、圧力10−4〜10−6Paの条件を維持したまま続けて行った。
以上の操作により、白色有機EL素子を備える、仮封止層付き組立体(1)を作製した。
(変性ブロック共重合体水素化物(ia1−s))
特許文献WO2014/077267号パンフレットに記載された方法を参考にして、スチレン25部、イソプレン50部及びスチレン25部を、この順に重合して製造されたトリブロック共重合体水素化物(ia1)(Mw=48,200、Mw/Mn=1.04、主鎖及び側鎖の炭素−炭素不飽和結合、並びに、芳香環の炭素−炭素不飽和結合の水素化率≒100%)100部に、ビニルトリメトキシシラン1.8部が結合した変性ブロック共重合体水素化物(ia1−s)のペレットを製造した。
サイドフィーダー及び幅400mmのTダイを備えた二軸押出し機(製品名「TEM−37B」、東芝機械社製)、キャストロール及び離形フィルム供給装置を備えたシート引取機を使用し、以下の条件で封止材のシートを作製した。
変性ブロック共重合体水素化物(ia1−s)100部に対して水素化ポリブテン(製品名:パールリーム(登録商標)24、日油社製)15部の割合となるようにサイドフィーダーから水素化ポリブテンを連続的に供給しながら、溶融樹脂温度180℃、Tダイ温度180℃、キャストロール温度40℃の成形条件にて、封止材(1)のシート(厚み20μm)を押出した。一方、キャストロール上に押し出した封止材(1)のシート面には離形用のPETフィルム(厚さ50μm)を供給しながら、封止材(1)のシートと離形性用のPETフィルムを重ねてロールに巻き取り回収した。
(変性ポリオレフィン(ii1−s)
市販のエチレン・オクテン共重合体(製品名「アフィニティー(登録商標)PL1880」、融点100℃、ダウ・ケミカル日本社製)のペレット100部に対してビニルトリメトキシシラン(KBM−1003、信越化学工業社製)2.0部及び2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキサン(製品名[パーヘキサ(登録商標)25B」、日油社製)0.2部を添加した。
この混合物を、二軸押出し機を使用して、樹脂温度200℃、滞留時間80〜90秒で混練し、アルコキシシリル基を有する変性ポリオレフィン(ii1−s)のペレット95部を製造した。
変性ポリオレフィン(ii1−s)のペレットを使用し、変性ポリオレフィン(ii1−s)100部に対して水素化ポリブテン5部の割合とし、溶融樹脂温度150℃、Tダイ温度150℃とする以外は、製造例2と同様にして、封止材(2)のシート(厚み20μm)を押出し、得られた封止材(2)のシートと離形性用のPETフィルムを重ねてロールに巻き取り回収した。
(変性ブロック共重合体水素化物(ip2−s))
市販のブロック共重合体部分水素化物(製品名「タフテック(登録商標)H1051」、スチレン/エチレン・ブチレン比:42/58(重量比)、旭化成ケミカルズ社製)のペレット100部に対して、ビニルトリメトキシシラン2.0部及び2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキサン0.2部を添加し、均一に混合した。
この混合物を、二軸押出し機を使用して、樹脂温度200℃、滞留時間80〜90秒で混練し、アルコキシシリル基を有する変性ブロック共重合体部分水素化物(ip2−s)のペレット95部を製造した。
変性ブロック共重合体部分水素化物(ip2−s)のペレットを使用し、変性ブロック共重合体部分水素化物(ip2−s)100部に対して水素化ポリブテン5部の割合とし、溶融樹脂温度170℃、Tダイ温度170℃とする以外は、製造例2と同様にして、封止材(3)のシート(厚み20μm)を押出し、得られた封止材(3)のシートと離形性用のPETフィルムを重ねてロールに巻き取り回収した。
製造例1で得られた仮封止層付き組立体(1)の仮封止層側の表面に、製造例2で作製した厚さ20μmの封止材(1)のシートを、PETフィルムを剥がして重ねた。その上にさらに保護層として厚み0.7mmのガラスシートを重ねて積層物を得た。
これにより、図5に概略的に示す構造を有し、組立体100、仮封止層152、封止材層151及び保護層154を有する有機ELデバイス封止体(1)を作製した。
製造例3で作製した封止材(2)のシートを使用する以外は、実施例1と同様にして、図5に概略的に示す構造を有し、組立体100、仮封止層152、封止材層151及び保護層154を有する有機ELデバイス封止体(2)を作製した。
実施例1と同様に、製造例1で得られた仮封止層付き組立体(1)、仮封止層側の表面に製造例2で作製した厚さ20μmの封止材(1)のシート、及び、保護層として厚み0.7mmのガラスシートを重ねて積層物を得た。
実施例2と同様に、製造例1で得られた仮封止層付き組立体(1)、仮封止層側の表面に製造例3で作製した厚さ20μmの封止材(2)のシート、及び、保護層として厚み0.7mmのガラスシートを重ねて積層物を得た。
製造例4で作製した封止材(3)のシートを使用する以外は、実施例1と同様にして、図5に概略的に示す構造を有し、組立体100、仮封止層152、封止材層151及び保護層154を有する有機ELデバイス封止体(5)を作製した。
アルコキシシリル基を有する変性炭化水素系軟質樹脂からなる封止材のシートと有機エレクトロニクスデバイスを重ねて、オートクレーブ内で加熱加圧することにより、有機機能素子が封止材のより良好に封止された有機エレクトロニクスデバイス封止体が製造される。
製造された有機エレクトロニクスデバイス封止体は、高温高湿環境に長期保管した後も、機能が維持されている(実施例1〜3)。
同じアルコキシシリル基を有する変性炭化水素系軟質樹脂からなる封止材のシートと有機エレクトロニクスデバイスを重ねて封止しても、有機エレクトロニクスデバイスの封止装置として一般的な真空ラミネータを使用した場合、得られる封止された有機エレクトロニクスデバイス封止体は、高温高湿環境に長期保管すると、有機エレクトロニクスデバイス封止体の端部付近では、ダークスポットが発生し易い(比較例1、2)。
本発明の製造方法によって製造された有機エレクトロニクスデバイス封止体は耐久性に優れる。
20:有機エレクトロニクスデバイス封止体
30:有機エレクトロニクスデバイス封止体
40:有機エレクトロニクスデバイス封止体
50:有機エレクトロニクスデバイス封止体
100:組立体
101:基板
101U:基板の上面
102:第1の電極層
103:エッジカバー層
104:発光層
105:第2の電極層
151:封止材層
152:仮封止層
153:吸着剤層
154:保護層
500:組立体
501:基板
501U:組立体の上面
502:ゲート電極
503:ゲート電極絶縁層
504:ソース電極
505:ドレイン電極
506:半導体層
507:封止用樹脂組成物の層
Claims (5)
- 有機エレクトロニクスデバイスに、アルコキシシリル基を有する変性炭化水素系軟質樹脂からなるシート状の封止材を接着一体化させる有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法であって、
工程[1]:前記有機エレクトロニクスデバイスとシート状の封止材を重ねて積層物を得る工程、
工程[2]:得られた積層物を樹脂製の袋内部に収容し、前記の袋内を脱気した後、前記の積層物を収容した袋を密封する工程、及び、
工程[3]:前記の密封した袋を、0.1MPa以上の加圧下に置くことで、積層物を接着一体化する工程、
を有することを特徴とする有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法。 - 前記有機エレクトロニクスデバイスが、有機EL素子を備える有機エレクトロニクスデバイスであることを特徴とする、請求項1に記載の有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法。
- 前記アルコキシシリル基を有する変性炭化水素系軟質樹脂が、芳香族ビニル化合物を主成分とする重合体ブロックと、鎖状共役ジエン化合物を主成分とする重合体ブロックとからなるブロック共重合体を水素化したブロック共重合体水素化物(i)及びポリオレフィン系樹脂(ii)から選ばれる少なくとも1種の炭化水素系樹脂に、アルコキシシリル基が導入されてなる変性炭化水素系軟質樹脂であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法。
- 前記ブロック共重合体水素化物(i)が、
芳香族ビニル化合物由来の構造単位を主成分とする、少なくとも2つの重合体ブロック(A)と、鎖状共役ジエン化合物由来の構造単位を主成分とする、少なくとも1つの重合体ブロック(B)とからなるブロック共重合体(C)であって、全重合体ブロック(A)のブロック共重合体(C)全体に占める重量分率をwAとし、全重合体ブロック(B)のブロック共重合体(C)全体に占める重量分率をwBとしたときに、wAとwBとの比wA:wBが20:80〜60:40であるブロック共重合体(C)の、主鎖及び側鎖の炭素−炭素不飽和結合及び芳香環の炭素−炭素不飽和結合の90%以上を水素化したブロック共重合体水素化物(ia)であることを特徴とする、請求項3に記載の有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法。 - 前記樹脂製の袋が、ポリプロピレンからなる層を少なくとも一層有する、単層又は多層のシートから構成されたものであることを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016055259 | 2016-03-18 | ||
JP2016055259 | 2016-03-18 | ||
PCT/JP2017/009892 WO2017159589A1 (ja) | 2016-03-18 | 2017-03-13 | 有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017159589A1 true JPWO2017159589A1 (ja) | 2019-01-24 |
Family
ID=59850286
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018505905A Pending JPWO2017159589A1 (ja) | 2016-03-18 | 2017-03-13 | 有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10553818B2 (ja) |
EP (1) | EP3432690B1 (ja) |
JP (1) | JPWO2017159589A1 (ja) |
KR (1) | KR20180121911A (ja) |
CN (1) | CN108781492B (ja) |
WO (1) | WO2017159589A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102641397B1 (ko) | 2018-01-31 | 2024-02-27 | 니폰 제온 가부시키가이샤 | 수지 조성물, 수지 필름 및 유기 일렉트로루미네센스 장치 |
US11976201B2 (en) | 2018-01-31 | 2024-05-07 | Zeon Corporation | Resin film and organic electroluminescent device |
WO2019159830A1 (ja) * | 2018-02-16 | 2019-08-22 | 三井化学株式会社 | 画像表示装置封止材および画像表示装置封止シート |
US11098865B2 (en) | 2020-05-26 | 2021-08-24 | Korea Photonics Technology Institute | Light source, solar cell complex and lighting system including the same |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01134334A (ja) * | 1987-11-19 | 1989-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
JPH02164747A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-25 | Takeda Chem Ind Ltd | 合せガラスの製造法 |
WO2014077267A1 (ja) * | 2012-11-15 | 2014-05-22 | 日本ゼオン株式会社 | 樹脂組成物およびそれからなる成形体 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59133203A (ja) | 1983-01-20 | 1984-07-31 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 重合体の水添方法 |
JPS6079005A (ja) | 1983-10-07 | 1985-05-04 | Asahi Chem Ind Co Ltd | リビングポリマ−の水添方法 |
JPS6128507A (ja) | 1984-07-18 | 1986-02-08 | Asahi Chem Ind Co Ltd | オレフイン性不飽和ポリマ−の水添方法 |
US5612422A (en) | 1995-05-04 | 1997-03-18 | The Dow Chemical Company | Process for hydrogenating aromatic polymers |
JP4255643B2 (ja) * | 2001-02-21 | 2009-04-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
WO2003018656A1 (fr) | 2001-08-22 | 2003-03-06 | Zeon Corporation | Copolymere sequence, procede de fabrication, et article moule |
JP4475084B2 (ja) | 2003-10-03 | 2010-06-09 | Jsr株式会社 | 有機el素子用透明封止材 |
KR20060090692A (ko) | 2003-10-03 | 2006-08-14 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 유기 el 소자용 투명 밀봉재 |
JP2006183002A (ja) | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Hitachi Chem Co Ltd | 硬化性樹脂組成物 |
JP2007115491A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機el装置の製造方法 |
WO2012043708A1 (ja) | 2010-09-29 | 2012-04-05 | 日本ゼオン株式会社 | アルコキシシリル基を有するブロック共重合体水素化物及びその利用 |
US20130244367A1 (en) * | 2010-09-29 | 2013-09-19 | Zeon Corporation | Hydrogenated block copolymer having alkoxysilyl group and use therefor |
JP2013021064A (ja) * | 2011-07-08 | 2013-01-31 | Institute Of National Colleges Of Technology Japan | 有機膜を含んだ積層体の製造方法、積層体 |
JP6121092B2 (ja) * | 2011-09-13 | 2017-04-26 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスパネルおよびその製造方法 |
KR101919294B1 (ko) | 2012-05-02 | 2018-11-15 | 헨켈 아이피 앤드 홀딩 게엠베하 | 경화성 캡슐화제 및 그의 용도 |
KR102078212B1 (ko) * | 2012-05-25 | 2020-02-17 | 니폰 제온 가부시키가이샤 | 합판 유리, 및 블록 공중합체 수소화물을 합판 유리의 접착제로서 사용하는 방법 |
US9822212B2 (en) * | 2012-07-31 | 2017-11-21 | Mitsui Chemicals, Inc. | Polyisocyanate composition, solar cell member covering material, solar cell member with cover layer, microcapsule, and binder for ink |
JP6519178B2 (ja) * | 2012-12-10 | 2019-05-29 | 日本ゼオン株式会社 | 有機エレクトロニクスデバイス封止用樹脂組成物、及び有機エレクトロニクスデバイス |
-
2017
- 2017-03-13 WO PCT/JP2017/009892 patent/WO2017159589A1/ja active Application Filing
- 2017-03-13 US US16/080,750 patent/US10553818B2/en active Active
- 2017-03-13 KR KR1020187026231A patent/KR20180121911A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-03-13 EP EP17766589.0A patent/EP3432690B1/en active Active
- 2017-03-13 CN CN201780014641.4A patent/CN108781492B/zh active Active
- 2017-03-13 JP JP2018505905A patent/JPWO2017159589A1/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01134334A (ja) * | 1987-11-19 | 1989-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
JPH02164747A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-25 | Takeda Chem Ind Ltd | 合せガラスの製造法 |
WO2014077267A1 (ja) * | 2012-11-15 | 2014-05-22 | 日本ゼオン株式会社 | 樹脂組成物およびそれからなる成形体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10553818B2 (en) | 2020-02-04 |
EP3432690A4 (en) | 2019-11-06 |
EP3432690A1 (en) | 2019-01-23 |
WO2017159589A1 (ja) | 2017-09-21 |
CN108781492B (zh) | 2020-06-23 |
US20190067632A1 (en) | 2019-02-28 |
EP3432690B1 (en) | 2024-03-27 |
CN108781492A (zh) | 2018-11-09 |
KR20180121911A (ko) | 2018-11-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI638848B (zh) | 有機電子裝置密封用樹脂組成物及有機電子裝置 | |
JP6673516B2 (ja) | 封止フィルム、有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機半導体デバイス | |
WO2017159589A1 (ja) | 有機エレクトロニクスデバイス封止体の製造方法 | |
JP2007197517A (ja) | 接着性封止組成物、封止フィルム及び有機el素子 | |
KR102579772B1 (ko) | 봉지재, 봉지재의 제조 방법 및 발광 장치의 제조 방법 | |
JP5365891B2 (ja) | 発光素子用樹脂組成物、発光素子用積層体、発光素子 | |
CN106165534A (zh) | 有机电子器件元件封装用树脂组合物、有机电子器件元件封装用树脂片、有机电致发光元件以及图像显示装置 | |
JP2013509694A (ja) | 反応性又は不飽和ポリオレフィンを含有するエッジシーラント組成物 | |
JPWO2008081593A1 (ja) | 発光素子用積層体、及び発光素子 | |
JP2017117721A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 | |
CN106796989B (zh) | 太阳能电池 | |
KR102520986B1 (ko) | 적층체 및 그 제조 방법 | |
JP2013243038A (ja) | 有機半導体素子封止体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200110 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200526 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200703 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200804 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20200930 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201027 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20201209 |