JPWO2017073321A1 - 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents
固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2017073321A1 JPWO2017073321A1 JP2017547718A JP2017547718A JPWO2017073321A1 JP WO2017073321 A1 JPWO2017073321 A1 JP WO2017073321A1 JP 2017547718 A JP2017547718 A JP 2017547718A JP 2017547718 A JP2017547718 A JP 2017547718A JP WO2017073321 A1 JPWO2017073321 A1 JP WO2017073321A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refractive index
- wall
- film
- solid
- imaging device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 98
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 21
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 71
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 20
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 20
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 3
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000013041 optical simulation Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229920001909 styrene-acrylic polymer Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 1
- 210000004204 blood vessel Anatomy 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 210000004761 scalp Anatomy 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
Description
1.固体撮像装置の光路混色の問題について
2.固体撮像装置の概略構成例
3.第1の実施の形態の画素構造(第1の壁を備える構成例)
4.第1の実施の形態に係る画素構造の製造方法
5.第1の実施の形態の画素構造の変形例
6.第2の実施の形態の画素構造(第1の壁と第2の壁を備える第1構成例)
7.第2の実施の形態に係る画素構造の製造方法
8.第2の実施の形態の画素構造の変形例
9.第3の実施の形態の画素構造(第1の壁と第2の壁を備える第2構成例)
10.第3の実施の形態に係る画素構造の製造方法
11.第3の実施の形態の画素構造の変形例
12.第1の壁と第2の壁の作用効果
13.電子機器への適用例
初めに、図1乃至図3を参照して、CMOSイメージセンサ等の固体撮像装置が抱えている光路混色の問題について説明する。
図4は、本技術を適用した固体撮像装置の概略構成を示している。
図5は、固体撮像装置1の画素2の構造として採用される第1の実施の形態の画素構造を示す断面図である。
図7を参照して、第1の実施の形態に係る画素2の製造方法(第1の製造方法)について説明する。
図8は、第1の実施の形態に係る画素構造の変形例を示す画素2の断面図である。図8では、図5に対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は省略する。
図9は、固体撮像装置1の画素2の構造として採用される第2の実施の形態の画素構造を示す断面図である。
図11を参照して、第2の実施の形態に係る画素2の製造方法(第2の製造方法)について説明する。
図12は、第2の実施の形態に係る画素構造の第1の変形例を示す画素2の断面図である。図12では、図9に対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は適宜省略する。
図14は、固体撮像装置1の画素2の構造として採用される第3の実施の形態の画素構造を示す断面図である。
図16を参照して、第3の実施の形態に係る画素2の製造方法(第3の製造方法)について説明する。
図17は、第3の実施の形態に係る画素構造の変形例を示す画素2の断面図である。図17では、図14に対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は適宜省略する。
図18は、上述した第1及び第2の実施の形態の画素構造を、図1に示した画素間遮光膜301のみを形成した画素構造と比較して検証した光学シミュレーション結果を示している。
本技術は、固体撮像装置への適用に限られるものではない。即ち、本技術は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に固体撮像装置を用いる複写機など、画像取込部(光電変換部)に固体撮像装置を用いる電子機器全般に対して適用可能である。固体撮像装置は、ワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
図20は、上述の固体撮像装置1をイメージセンサとして使用する使用例を示す図である。
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
(1)
2次元配列された画素と画素の間に、画素を分離する第1の壁を備え、
前記第1の壁は、最下層の遮光膜と、屈折率が前記遮光膜よりも低い低屈折率膜の少なくとも2層を含む
固体撮像装置。
(2)
前記遮光膜は、金属膜で構成されている
前記(1)に記載の固体撮像装置。
(3)
前記低屈折率膜は、第1低屈折率膜と第2低屈折率膜との積層により構成され、
前記第2低屈折率膜、その下層の前記第1低屈折率膜、最下層の前記遮光膜の順に、屈折率が高くなる
前記(1)または(2)に記載の固体撮像装置。
(4)
前記第1低屈折率膜と第2低屈折率膜は、無機膜または有機膜で形成される
前記(3)に記載の固体撮像装置。
(5)
前記第1の壁は、隣りのカラーフィルタと同じ高さで形成されている
前記(1)乃至(4)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(6)
前記第1の壁は、腐食を防止する保護膜で覆われている
前記(1)乃至(5)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(7)
前記第1の壁の上側に、画素を分離する第2の壁をさらに備える
前記(1)乃至(6)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(8)
前記第2の壁は、各画素のオンチップレンズの間に設けられている
前記(7)に記載の固体撮像装置。
(9)
前記第2の壁の断面形状は、トップ幅が広くボトム幅が狭い逆台形形状である
前記(7)または(8)に記載の固体撮像装置。
(10)
前記第2の壁は、無機膜または有機膜で形成される
前記(7)乃至(9)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(11)
前記第2の壁の屈折率は、隣りの層の屈折率よりも低い
前記(7)乃至(10)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(12)
前記第2の壁は、オンチップレンズと同一の材料を用いて形成されている
前記(7)乃至(11)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(13)
前記オンチップレンズの屈折率は、1.60乃至2.00の範囲である
前記(1)乃至(12)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(14)
各画素では、半導体基板に形成された光電変換部の上側に、カラーフィルタ、高屈折率層、及び、オンチップレンズが、その順で積層されており、
前記カラーフィルタ、前記高屈折率層、及び、前記オンチップレンズは、前記半導体基板側から前記オンチップレンズ側へ進むにつれて、屈折率が順に高くなるように形成されている
前記(1)乃至(13)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(15)
2次元配列された画素と画素の間に、画素を分離する第1の壁を形成し、
前記第1の壁は、最下層の遮光膜と、屈折率が前記遮光膜よりも低い低屈折率膜の少なくとも2層を含む
固体撮像装置の製造方法。
(16)
2次元配列された画素と画素の間に、画素を分離する第1の壁を備え、
前記第1の壁は、最下層の遮光膜と、屈折率が前記遮光膜よりも低い低屈折率膜の少なくとも2層を含む固体撮像装置
を備える電子機器。
Claims (16)
- 2次元配列された画素と画素の間に、画素を分離する第1の壁を備え、
前記第1の壁は、最下層の遮光膜と、屈折率が前記遮光膜よりも低い低屈折率膜の少なくとも2層を含む
固体撮像装置。 - 前記遮光膜は、金属膜で構成されている
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記低屈折率膜は、第1低屈折率膜と第2低屈折率膜との積層により構成され、
前記第2低屈折率膜、その下層の前記第1低屈折率膜、最下層の前記遮光膜の順に、屈折率が高くなる
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記第1低屈折率膜と第2低屈折率膜は、無機膜または有機膜で形成される
請求項3に記載の固体撮像装置。 - 前記第1の壁は、隣りのカラーフィルタと同じ高さで形成されている
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記第1の壁は、腐食を防止する保護膜で覆われている
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記第1の壁の上側に、画素を分離する第2の壁をさらに備える
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記第2の壁は、各画素のオンチップレンズの間に設けられている
請求項7に記載の固体撮像装置。 - 前記第2の壁の断面形状は、トップ幅が広くボトム幅が狭い逆台形形状である
請求項7に記載の固体撮像装置。 - 前記第2の壁は、無機膜または有機膜で形成される
請求項7に記載の固体撮像装置。 - 前記第2の壁の屈折率は、隣りの層の屈折率よりも低い
請求項7に記載の固体撮像装置。 - 前記第2の壁は、オンチップレンズと同一の材料を用いて形成されている
請求項7に記載の固体撮像装置。 - 前記オンチップレンズの屈折率は、1.60乃至2.00の範囲である
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 各画素では、半導体基板に形成された光電変換部の上側に、カラーフィルタ、高屈折率層、及び、オンチップレンズが、その順で積層されており、
前記カラーフィルタ、前記高屈折率層、及び、前記オンチップレンズは、前記半導体基板側から前記オンチップレンズ側へ進むにつれて、屈折率が順に高くなるように形成されている
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 2次元配列された画素と画素の間に、画素を分離する第1の壁を形成し、
前記第1の壁は、最下層の遮光膜と、屈折率が前記遮光膜よりも低い低屈折率膜の少なくとも2層を含む
固体撮像装置の製造方法。 - 2次元配列された画素と画素の間に、画素を分離する第1の壁を備え、
前記第1の壁は、最下層の遮光膜と、屈折率が前記遮光膜よりも低い低屈折率膜の少なくとも2層を含む固体撮像装置
を備える電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021103791A JP7218399B2 (ja) | 2015-10-26 | 2021-06-23 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015209550 | 2015-10-26 | ||
JP2015209550 | 2015-10-26 | ||
PCT/JP2016/080219 WO2017073321A1 (ja) | 2015-10-26 | 2016-10-12 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021103791A Division JP7218399B2 (ja) | 2015-10-26 | 2021-06-23 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017073321A1 true JPWO2017073321A1 (ja) | 2018-08-16 |
JP6903584B2 JP6903584B2 (ja) | 2021-07-14 |
Family
ID=58630260
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017547718A Active JP6903584B2 (ja) | 2015-10-26 | 2016-10-12 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP2021103791A Active JP7218399B2 (ja) | 2015-10-26 | 2021-06-23 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021103791A Active JP7218399B2 (ja) | 2015-10-26 | 2021-06-23 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US10636826B2 (ja) |
JP (2) | JP6903584B2 (ja) |
WO (1) | WO2017073321A1 (ja) |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017073321A1 (ja) * | 2015-10-26 | 2017-05-04 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
CN106330313B (zh) * | 2016-09-05 | 2017-11-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 对盒基板、显示面板及显示装置 |
KR102175480B1 (ko) * | 2016-09-30 | 2020-11-06 | 후지필름 가부시키가이샤 | 구조체, 컬러 필터, 고체 촬상 소자, 화상 표시 장치, 구조체의 제조 방법 및 유기물층 형성용 조성물 |
US10269844B2 (en) * | 2017-06-27 | 2019-04-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Structure and formation method of light sensing device |
JP2019087545A (ja) * | 2017-11-01 | 2019-06-06 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
US10535698B2 (en) * | 2017-11-28 | 2020-01-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Image sensor with pad structure |
JP2019125757A (ja) * | 2018-01-19 | 2019-07-25 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、製造方法、および電子機器 |
KR102498582B1 (ko) * | 2018-02-26 | 2023-02-14 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 파티션 패턴들을 가진 이미지 센서 |
US12009378B2 (en) | 2018-06-29 | 2024-06-11 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus |
KR102593949B1 (ko) * | 2018-07-25 | 2023-10-27 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
KR102662144B1 (ko) * | 2018-09-07 | 2024-05-07 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
KR102569741B1 (ko) * | 2018-10-31 | 2023-08-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디지털 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 디지털 엑스레이 검출기 |
CN111198382B (zh) * | 2018-11-16 | 2022-07-12 | 精準基因生物科技股份有限公司 | 飞时测距传感器以及飞时测距方法 |
JP2020085666A (ja) * | 2018-11-26 | 2020-06-04 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 生体由来物質検出用チップ、生体由来物質検出装置及び生体由来物質検出システム |
JP7310130B2 (ja) * | 2018-12-17 | 2023-07-19 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
WO2020137285A1 (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-02 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子および撮像素子の製造方法 |
KR20200084719A (ko) * | 2019-01-03 | 2020-07-13 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
CN109817642B (zh) * | 2019-01-22 | 2020-12-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 |
US20220085081A1 (en) * | 2019-01-31 | 2022-03-17 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging device and electronic apparatus |
US11245823B2 (en) * | 2019-08-13 | 2022-02-08 | Omnivision Technologies, Inc. | Fully buried color filter array of image sensor |
US11289523B2 (en) * | 2019-09-06 | 2022-03-29 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor with reduced petal flare |
KR20210048059A (ko) | 2019-10-23 | 2021-05-03 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
US11329086B2 (en) * | 2019-12-27 | 2022-05-10 | Omnivision Technologies, Inc. | Method and structure to improve image sensor crosstalk |
KR20220140733A (ko) * | 2020-02-18 | 2022-10-18 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 수광 장치, 수광 장치의 제조 방법 및 측거 모듈 |
US11569285B2 (en) * | 2020-05-12 | 2023-01-31 | Visera Technologies Company Limited | Solid-state imaging device having a waveguide partition grid with variable grid widths |
KR20220014951A (ko) * | 2020-07-29 | 2022-02-08 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
JP7494728B2 (ja) | 2020-12-23 | 2024-06-04 | Toppanホールディングス株式会社 | 固体撮像素子および製造方法 |
WO2022202151A1 (ja) * | 2021-03-26 | 2022-09-29 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出装置及び電子機器 |
JP2023002902A (ja) * | 2021-06-23 | 2023-01-11 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
US20230121884A1 (en) * | 2021-10-18 | 2023-04-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor and method of fabricating the same |
KR20230089689A (ko) * | 2021-12-14 | 2023-06-21 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
JP2023150251A (ja) * | 2022-03-31 | 2023-10-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出装置及び電子機器 |
WO2023203919A1 (ja) * | 2022-04-20 | 2023-10-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2024085173A (ja) * | 2022-12-14 | 2024-06-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
JP2024094103A (ja) | 2022-12-27 | 2024-07-09 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出装置および電子機器 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008192951A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2012124377A (ja) * | 2010-12-09 | 2012-06-28 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP2013251292A (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-12 | Panasonic Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2014225667A (ja) * | 2013-05-16 | 2014-12-04 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司VisEra Technologies Company Limited | Bsi型cmosイメージセンサ |
JP2015185844A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司VisEra Technologies Company Limited | ソリッドステート撮像装置とその製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100561003B1 (ko) | 2003-09-30 | 2006-03-16 | 동부아남반도체 주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
JP2010010478A (ja) | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Fujifilm Corp | 光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び撮像装置 |
JP2011258728A (ja) | 2010-06-08 | 2011-12-22 | Sharp Corp | 固体撮像素子および電子情報機器 |
US8742525B2 (en) | 2011-03-14 | 2014-06-03 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
JP2012227478A (ja) | 2011-04-22 | 2012-11-15 | Panasonic Corp | 固体撮像装置 |
JP2013229446A (ja) | 2012-04-25 | 2013-11-07 | Sharp Corp | 固体撮像素子及び固体撮像の製造方法 |
TW201415613A (zh) | 2012-08-02 | 2014-04-16 | Sony Corp | 固體攝像裝置、固體攝像裝置之製造方法及電子機器 |
KR102034482B1 (ko) | 2013-03-04 | 2019-10-21 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이의 형성 방법 |
JP6465545B2 (ja) | 2013-09-27 | 2019-02-06 | ソニー株式会社 | 撮像素子およびその製造方法ならびに電子機器 |
US9991303B2 (en) | 2015-03-16 | 2018-06-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Image sensor device structure |
WO2017073321A1 (ja) * | 2015-10-26 | 2017-05-04 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
-
2016
- 2016-10-12 WO PCT/JP2016/080219 patent/WO2017073321A1/ja active Application Filing
- 2016-10-12 US US15/767,950 patent/US10636826B2/en active Active
- 2016-10-12 JP JP2017547718A patent/JP6903584B2/ja active Active
-
2020
- 2020-04-24 US US16/858,178 patent/US11532659B2/en active Active
- 2020-07-21 US US16/934,792 patent/US10910423B2/en active Active
-
2021
- 2021-06-23 JP JP2021103791A patent/JP7218399B2/ja active Active
-
2022
- 2022-09-23 US US17/951,812 patent/US20230079834A1/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008192951A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2012124377A (ja) * | 2010-12-09 | 2012-06-28 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP2013251292A (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-12 | Panasonic Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2014225667A (ja) * | 2013-05-16 | 2014-12-04 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司VisEra Technologies Company Limited | Bsi型cmosイメージセンサ |
JP2015185844A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司VisEra Technologies Company Limited | ソリッドステート撮像装置とその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10636826B2 (en) | 2020-04-28 |
US20180301491A1 (en) | 2018-10-18 |
US20230079834A1 (en) | 2023-03-16 |
JP6903584B2 (ja) | 2021-07-14 |
US20200350352A1 (en) | 2020-11-05 |
US10910423B2 (en) | 2021-02-02 |
JP2021158374A (ja) | 2021-10-07 |
WO2017073321A1 (ja) | 2017-05-04 |
US11532659B2 (en) | 2022-12-20 |
JP7218399B2 (ja) | 2023-02-06 |
US20200251514A1 (en) | 2020-08-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7218399B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 | |
JP6987950B2 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 | |
JP7375852B2 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 | |
JP6103301B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 | |
JP6721511B2 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 | |
JP6885344B2 (ja) | 固体撮像装置およびその駆動方法、並びに電子機器 | |
JP6108172B2 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 | |
JP5845856B2 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 | |
JP2016096234A (ja) | 固体撮像素子および電子機器 | |
US9595551B2 (en) | Solid-state imaging device and electronic apparatus | |
WO2016194620A1 (ja) | 固体撮像装置および電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190926 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201207 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210601 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210623 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6903584 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |