JPWO2017068619A1 - レーザ装置管理システム - Google Patents

レーザ装置管理システム Download PDF

Info

Publication number
JPWO2017068619A1
JPWO2017068619A1 JP2017546285A JP2017546285A JPWO2017068619A1 JP WO2017068619 A1 JPWO2017068619 A1 JP WO2017068619A1 JP 2017546285 A JP2017546285 A JP 2017546285A JP 2017546285 A JP2017546285 A JP 2017546285A JP WO2017068619 A1 JPWO2017068619 A1 JP WO2017068619A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
control unit
data
control
information
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017546285A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6671387B2 (ja
Inventor
峰岸　裕司
裕司 峰岸
五十嵐　豊
豊 五十嵐
太田　毅
毅 太田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Gigaphoton Inc
Original Assignee
Gigaphoton Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gigaphoton Inc filed Critical Gigaphoton Inc
Publication of JPWO2017068619A1 publication Critical patent/JPWO2017068619A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6671387B2 publication Critical patent/JP6671387B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G03F7/70725—Stages control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F21/00—Security arrangements for protecting computers, components thereof, programs or data against unauthorised activity
    • G06F21/60—Protecting data
    • G06F21/62—Protecting access to data via a platform, e.g. using keys or access control rules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02—Constructional details
    • H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
    • H01S3/036—Means for obtaining or maintaining the desired gas pressure within the tube, e.g. by gettering, replenishing; Means for circulating the gas, e.g. for equalising the pressure within the tube
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08004—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection
    • H01S3/08009—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection using a diffraction grating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/136—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/137—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling devices placed within the cavity for stabilising of frequency
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22—Gases
    • H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2221/00—Indexing scheme relating to security arrangements for protecting computers, components thereof, programs or data against unauthorised activity
    • G06F2221/21—Indexing scheme relating to G06F21/00 and subgroups addressing additional information or applications relating to security arrangements for protecting computers, components thereof, programs or data against unauthorised activity
    • G06F2221/2141—Access rights, e.g. capability lists, access control lists, access tables, access matrices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Software Systems (AREA)
  • Computer Security & Cryptography (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Bioethics (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本開示によるレーザ装置管理システムは、第１のアクセス権限によってアクセス可能となるようにアクセス制限された第１の情報と、第２のアクセス権限によってアクセス可能となるようにアクセス制限された第２の情報と、第１のアクセス権限及び第２のアクセス権限の双方によってアクセス可能となるようにアクセス制限された第３の情報とを格納するように構成されたサーバと、ウエハ露光を行う露光装置に向けてパルスレーザ光を出力するレーザ出力部と、第１の情報、第２の情報、及び第３の情報をサーバに保存する制御を行う制御部とを含むレーザ装置とを備え、第２の情報は、互いに対応付けられた、露光装置におけるウエハ露光関連情報とレーザ装置におけるレーザ制御関連情報とを含んでもよい。

Description

本開示は、レーザ装置管理システムに関する。
半導体集積回路の微細化、高集積化につれて、半導体露光装置においては解像力の向上が要請されている（半導体露光装置を以下、単に「露光装置」という）。このため、露光用光源から出力される光の短波長化が進められている。露光用光源には、従来の水銀ランプに代わってガスレーザ装置が用いられている。現在、露光用のガスレーザ装置としては、波長２４８ｎｍの紫外線を出力するＫｒＦエキシマレーザ装置並びに、波長約１９３．４ｎｍの紫外線を出力するＡｒＦエキシマレーザ装置が用いられている。
現在の露光技術としては、露光装置側の投影レンズとウエハ間の間隙を液体で満たして、当該間隙の屈折率を変えることによって、露光用光源の見かけの波長を短波長化する液浸露光が実用化されている。ＡｒＦエキシマレーザ装置を露光用光源として用いて液浸露光が行われた場合は、ウエハには水中における波長１３４ｎｍの紫外光が照射される。この技術をＡｒＦ液浸露光という。ＡｒＦ液浸露光はＡｒＦ液浸リソグラフィーとも呼ばれる。
ＫｒＦ、ＡｒＦエキシマレーザ装置の自然発振におけるスペクトル線幅は約３５０〜４００ｐｍと広いため、露光装置側の投影レンズによってウエハ上に縮小投影されるレーザ光（紫外線光）の色収差が発生して解像力が低下する。そこで色収差が無視できる程度となるまでガスレーザ装置から出力されるレーザ光のスペクトル線幅を狭帯域化する必要がある。スペクトル線幅はスペクトル幅とも呼ばれる。このためガスレーザ装置のレーザ共振器内には狭帯域化素子を有する狭帯域化モジュール（Line Narrow Module）が設けられ、この狭帯域化モジュールによりスペクトル幅の狭帯域化が実現されている。なお、狭帯域化素子はエタロンやグレーティング等であってもよい。このようにスペクトル幅が狭帯域化されたレーザ装置を狭帯域化レーザ装置という。
特開２００３−２５８３３７号公報 特開２００３−２８３００７号公報 特表２００３−５０３８６１号公報 特開２００１−１３５８８３号公報 特開２００２−８４０２６号公報 国際公開第２０１５／０６８２０５号 国際公開第２０１４／０３０６４５号
概要
本開示によるレーザ装置管理システムは、第１のアクセス権限によってアクセス可能となるようにアクセス制限された第１の情報と、第２のアクセス権限によってアクセス可能となるようにアクセス制限された第２の情報と、第１のアクセス権限及び第２のアクセス権限の双方によってアクセス可能となるようにアクセス制限された第３の情報とを格納するように構成されたサーバと、ウエハ露光を行う露光装置に向けてパルスレーザ光を出力するレーザ出力部と、第１の情報、第２の情報、及び第３の情報をサーバに保存する制御を行う制御部とを含むレーザ装置とを備え、第２の情報は、互いに対応付けられた、露光装置におけるウエハ露光関連情報とレーザ装置におけるレーザ制御関連情報とを含んでもよい。
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、比較例に係るレーザ装置管理システムの一構成例を概略的に示す。 図２は、バースト運転によってレーザ装置が出力するパルスレーザ光の出力タイミングの一例を模式的に示す。 図３は、スキャン露光の概要を模式的に示す。 図４は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムの一構成例を概略的に示す。 図５は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるサーバのデータ領域とアクセス権限との関係の一例を模式的に示す。 図６は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるウエハデータ収集制御部による第２のデータ領域へのデータの書き込み制御の流れの一例を示すフローチャートである。 図７は、サーバの第２のデータ領域に格納される第２の情報のデータ例を概略的に示す。 図８は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるレーザ制御部による第３のデータ領域へのデータの書き込み制御の流れの一例を示すフローチャートである。 図９は、サーバの第３のデータ領域に格納される第３の情報のデータ例を概略的に示す。 図１０は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるレーザ制御部による第１のデータ領域へのデータの書き込み制御の流れの一例を示すフローチャートである。 図１１は、サーバの第１のデータ領域に格納される第１の情報のデータ例を概略的に示す。 図１２は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるビーム計測に関わる部分の一構成例を概略的に示す。 図１３は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるビーム計測制御部のビーム計測に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。 図１４は、図１３に示したフローチャートにおけるステップＳ４０３の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。 図１５は、ビーム計測制御部によるビームプロファイルの計算方法の一例を概略的に示す。 図１６は、図１３に示したフローチャートにおけるステップＳ４０４の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。 図１７は、ビーム計測制御部によるビームポインティングの計算方法の一例を概略的に示す。 図１８は、図１３に示したフローチャートにおけるステップＳ４０５の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。 図１９は、ビーム計測制御部によって計算される偏光成分のピーク強度の一例を概略的に示す。 図２０は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるエネルギ制御に関わる部分の一構成例を概略的に示す。 図２１は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるエネルギ制御部のエネルギ制御に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。 図２２は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるスペクトル制御に関わる部分の一構成例を概略的に示す。 図２３は、狭帯域化モジュール及びスペクトル可変部の一構成例を概略的に示す。 図２４は、狭帯域化モジュール及びスペクトル可変部の一構成例を概略的に示す。 図２５は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるスペクトル制御部の波長制御に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。 図２６は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるスペクトル制御部のスペクトル線幅制御に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。 図２７は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるガス制御に関わる部分の一構成例を概略的に示す。 図２８は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるガス制御部のガス圧制御に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。 図２９は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるガス制御部の部分ガス交換制御に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。 図３０は、図２９に示したフローチャートにおけるステップＳ７１９の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。 図３１は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおける消費電力の計測に関わる部分の一構成例を概略的に示す。 図３２は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおける冷却水流量の計測に関わる部分の一構成例を概略的に示す。 図３３は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるレーザ制御部のエコロジー計測に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。 図３４は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるレーザ制御部のエラーログ取得に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。 図３５は、第１の実施形態の変形例に係るレーザ装置管理システムにおけるサーバのデータ領域とアクセス権限との関係の一例を模式的に示す。 図３６は、第２の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるサーバの設定に関するシーケンス図である。 図３７は、第２の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるサーバのデータ領域における情報範囲の設定の一例を模式的に示す。 図３８は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるモニタモジュールの一構成例を概略的に示す。 図３９は、図３８に示したモニタモジュールのスペクトル計測器によって計測されるスペクトル線幅の一例を模式的に示す。 図４０は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるパルスパワーモジュールの一構成例を概略的に示す。 図４１は、制御部のハードウエア環境の一例を示す。
実施形態
＜内容＞
＜１．比較例＞（レーザ装置管理システム）（図１〜図３）
１．１ 構成
１．２ 動作
１．３ 課題
＜２．第１の実施形態＞（サーバを備えたレーザ装置管理システム）
２．１ サーバを備えたレーザ装置管理システムの概要（図４〜図１１）
２．１．１ 構成
２．１．２ 動作
２．１．３ 作用・効果
２．２ ビーム計測システム（図１２〜図１９）
２．２．１ 構成
２．２．２ 動作
２．３ エネルギ制御システム（図２０〜図２１）
２．４ スペクトル制御システム（図２２〜図２６）
２．４．１ 構成
２．４．２ 動作
２．５ ガス制御システム（図２７〜図３０）
２．６ その他の制御システム（図３１〜図３４）
２．６．１ 構成
２．６．２ 動作
２．７ 変形例（図３５）
＜３．第２の実施形態＞（ユーザによる設定変更機能を有するレーザ装置管理システム）（図３６〜図３７）
３．１ 構成、及び動作
３．２ 作用・効果
＜４．第３の実施形態＞（各部の具体例）
４．１ モニタモジュールの具体例（図３８〜図３９）
４．１．１ 構成
４．１．２ 動作
４．２ パルスパワーモジュールの具体例（図４０）
４．２．１ 構成
４．２．２ 動作
＜５．制御部のハードウエア環境＞（図４１）
＜６．その他＞
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
＜１．比較例＞
［１．１ 構成］（レーザ装置管理システム）
図１は、本開示の実施形態に対する比較例に係るレーザ装置管理システムの一構成例を概略的に示している。
なお、本明細書において、レーザ光の光路軸方向はＺ方向であってもよい。Ｚ方向に略直交する２つの方向は、Ｈ方向とＶ方向とであってもよい。Ｈ方向は、図１の紙面に略直交する方向であってもよい。
比較例に係るレーザ装置管理システムは、レーザ装置１０１と、第１の端末１１１と、第２の端末１１２とを備えてもよい。第２の端末１１２は、レーザ装置１０１及び露光装置４のユーザによって操作されるＰＣ（パーソナルコンピュータ）等の端末であってもよい。第１の端末１１１は、レーザ装置１０１のレーザメーカによって操作されるＰＣ等の端末であってもよい。
レーザ装置１０１は、露光装置４に向けてパルスレーザ光Ｌｐを出力するレーザ出力部を備えてもよい。レーザ出力部は、レーザガスが供給されるレーザチャンバ２０と、狭帯域化モジュール（ＬＮＭ）１０と、ＯＣ（出力結合器：outcoupler）としての出力結合ミラー３５とを含んでいてもよい。
露光装置４は、ウエハ露光を行う装置であってもよい。ウエハ露光は、スキャン露光を行うことを含んでもよい。「スキャン露光」とは、パルスレーザ光Ｌｐをスキャンさせながらウエハの露光領域を露光する方法のことであってもよい。
レーザ装置１０１は、露光装置４におけるウエハ露光に合わせてバースト運転がなされてもよい。「バースト運転」とは、スキャン露光に合わせて狭帯域化したパルスレーザ光Ｌｐを連続して発振するバースト期間と、発振休止する発振休止期間とを交互に繰り返す運転のことであってもよい。
ここで、レーザ装置管理システムの構成を説明するのに先だって、バースト運転、及びウエハ露光の概要を説明する。図２は、バースト運転によってレーザ装置１０１が出力するパルスレーザ光Ｌｐの出力タイミングの一例を模式的に示している。図３は、スキャン露光の概要を模式的に示している。
図２において、１つの縦の線はパルスレーザ光Ｌｐの１パルス分を示している。図２に示すように、レーザ装置１０１は、最初に調整発振を行い、所定期間の間隔を空けた後、１枚目のウエハ露光（Ｗａｆｅｒ＃１）のためのバースト運転を行ってもよい。調整発振は、ウエハにはパルスレーザ光Ｌｐを照射しないものの、調整用のパルスレーザ光Ｌｐを出力する発振を行うことであってもよい。パルスレーザ光Ｌｐは、例えば数百〜数ｋＨｚ程度の所定の周波数で出力されてもよい。ウエハ露光時には、バースト期間と発振休止期間とを繰り返すバースト運転を行うのが一般的であり得る。調整発振においても、バースト運転が行われてもよい。図２において、パルスが密集している区間は、所定期間連続してパルスレーザ光Ｌｐを出力するバースト期間であってもよい。また、図２において、パルスが存在していない区間は、発振休止期間であってもよい。なお、調整発振では、パルスの各連続出力期間の長さは一定である必要はなく、調整のため、各連続出力期間の長さを異ならせて連続出力動作を行うようにしてもよい。
調整発振を行った後、比較的大きな間隔時間を空けて、露光装置４において１枚目のウエハ露光（Ｗａｆｅｒ＃１）が行われてもよい。ウエハ露光は、図３に示したように、ウエハを複数の所定の露光領域に分割して、各露光領域をスキャン露光することにより行われてもよい。すなわち、ウエハ露光では、ウエハの第１の所定の露光領域を１回目のスキャン露光（Ｓｃａｎ＃１）で露光し、次いで、第２の所定の露光領域を２回目のスキャン露光（Ｓｃａｎ＃２）で露光するというステップを繰り返してもよい。１回のスキャン露光中は、複数のパルスレーザ光Ｌｐ（Ｐｕｌｓｅ＃１，Ｐｕｌｓｅ＃２，…）が連続的にレーザ装置１０１から出力され得る。第１の所定の露光領域のスキャン露光（Ｓｃａｎ＃１）が終了したら、所定間隔を空けて第２の所定の露光領域のスキャン露光（Ｓｃａｎ＃２）が行われてもよい。このスキャン露光を順次、繰り返し、１枚目のウエハの全露光領域をスキャン露光し終えたら、再度、調整発振を行った後、２枚目のウエハのウエハ露光（Ｗａｆｅｒ＃２）が行われてもよい。
レーザ装置管理システムは、以上のようなウエハ露光を行う際のレーザ装置１０１における各種のデータを収集して管理するシステムであってもよい。
図１に戻り、再び、レーザ装置管理システムの構成を説明する。
レーザ装置１０１は、レーザ制御部２と、ウエハデータ収集制御部３と、エネルギ制御部６と、スペクトル制御部７と、ビーム計測制御部８と、ガス制御部９とを、さらに含んでいてもよい。レーザ装置１０１は、モニタモジュール（ＭＭ）３０と、ビーム計測器（ＢＰＭ）４０と、充電器９０と、レーザガス供給装置９１と、レーザガス排気装置９２とを、さらに含んでいてもよい。
レーザチャンバ２０は、ウインドウ２１，２２と、１対の放電電極２３，２４と、電気絶縁部材２５と、クロスフローファン（ＣＦＦ）２６と、モータ２７と、パルスパワーモジュール（ＰＰＭ）２８とを含んでいてもよい。
電気絶縁部材２５は、例えばアルミナセラミックスであってもよい。パルスパワーモジュール２８は、スイッチ２９を含み、電気絶縁部材２５の図示しないフィードフルーを介して、放電電極２３と接続されていてもよい。放電電極２４は、接地されたレーザチャンバ２０と接続されていてもよい。
狭帯域化モジュール１０と出力結合ミラー３５は光共振器を構成してもよい。この共振器の光路上に１対の放電電極２３，２４の放電領域が配置されるように、レーザチャンバ２０が配置されてもよい。出力結合ミラー３５には、レーザチャンバ２０内で発生したレーザ光の一部を反射し、一部を透過する多層膜がコートされていてもよい。
狭帯域化モジュール１０は、グレーティング１１と、プリズム１２と、プリズム１２を回転させる回転ステージ１４とを含んでいてもよい。
プリズム１２は、レーザチャンバ２０から出力されたレーザ光のビームがプリズム１２でビーム拡大されてグレーティング１１に所定の角度で入射するように配置されてもよい。
回転ステージ１４は、プリズム１２が回転した時に、グレーティング１１へのビームの入射角度が変化するように配置されていてもよい。グレーティング１１は、ビームの入射角度と回折角度とが同じ角度となるようにリトロー配置されてもよい。
充電器９０とパルスパワーモジュール２８は、後述する図４０に示すパルスパワーモジュール２８の容量Ｃ０の充電コンデンサ６１２を充電するように互いに電気的に接続されていてもよい。充電器９０は、充電電圧Ｖを示す充電電圧データＤｖをエネルギ制御部６から受信してもよい。
レーザ制御部２には、露光装置４の露光装置制御部５から発光トリガ信号Ｓｔｒが入力されてもよい。エネルギ制御部６には、レーザ制御部２を介して発光トリガ信号Ｓｔｒが入力されてもよい。エネルギ制御部６とパルスパワーモジュール２８は、発光トリガ信号Ｓｔｒに同期して、スイッチ２９がオン／オフされるように電気的に接続されていてもよい。
モニタモジュール３０は、ビームスプリッタ３１，３２と、パルスエネルギ計測器３３と、スペクトル計測器３４とを含んでいてもよい。
ビームスプリッタ３１は、出力結合ミラー３５から出力されたパルスレーザ光Ｌｐの光路上に配置されていてもよい。ビームスプリッタ３２は、ビームスプリッタ３１で反射されたパルスレーザ光Ｌｐの光路上に配置されていてもよい。ビームスプリッタ３２は、反射光がパルスエネルギ計測器３３に入射し、透過光がスペクトル計測器３４に入射するように配置されていてもよい。
パルスエネルギ計測器３３は、後述する図３８に示すように、集光レンズ３３１と光センサ３３２とを含んでいてもよい。光センサ３３２は高速の紫外光に耐性があるフォトダイオードであってもよい。
スペクトル計測器３４は、後述する図３８に示すように、エタロンを含む分光器であってもよい。
ビーム計測器４０は、偏光計測器４１と、ビームポインティング計測器４２と、ビームプロファイル計測器４３と、ビームスプリッタ４４とを含んでいてもよい。ビームスプリッタ４４は、出力結合ミラー３５から出力されたパルスレーザ光Ｌｐの光路上に配置されていてもよい。
ビーム計測制御部８は、ビーム計測器４０で計測された画像データに基づいてビーム計測関連データＤｂを計算してもよい。ビーム計測制御部８とレーザ制御部２との間、及びビーム計測制御部８とレーザ制御部２との間には、ビーム計測関連データＤｂをレーザ制御部２とウエハデータ収集制御部３とに送信する信号ラインが設けられていてもよい。
スペクトル制御部７と狭帯域化モジュール１０の回転ステージ１４との間には、回転ステージ１４の回転ステージ角度θを制御するためのステージ角度制御信号Ｓθを、回転ステージ１４に送信する信号ラインが設けられていてもよい。回転ステージ１４の回転ステージ角度θは、スペクトル計測器３４で検出された波長λに基づいて制御されてもよい。
また、スペクトル制御部７とレーザ制御部２との間、及びスペクトル制御部７とウエハデータ収集制御部３との間には、スペクトル計測器３４による計測結果に基づくスペクトル制御関連データＤλｃをレーザ制御部２とウエハデータ収集制御部３とに送信する信号ラインが設けられていてもよい。
エネルギ制御部６と充電器９０との間には、充電電圧Ｖを示す充電電圧データＤｖを充電器９０に送信する信号ラインが設けられていてもよい。充電電圧Ｖは、パルスエネルギ計測器３３によって計測されたパルスエネルギＥに基づいて制御されてもよい。充電電圧Ｖは、パルスパワーモジュール２８の後述の図４０に示す充電コンデンサ６１０を充電する電圧であってもよい。
エネルギ制御部６とレーザ制御部２との間、及びエネルギ制御部６とウエハデータ収集制御部３との間には、パルスエネルギ計測器３３による計測結果に基づくエネルギ制御関連データＤｅｇをレーザ制御部２とウエハデータ収集制御部３とに送信する信号ラインが設けられていてもよい。
ガス制御部９とレーザ制御部２との間には、ガス制御関連データＤｇｓをレーザ制御部２に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
レーザガス供給装置９１は、ガス制御部９からの制御信号に基づいて、レーザガスとして、Ａｒ＋Ｎｅ混合ガスと、Ａｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスとをそれぞれ、レーザチャンバ２０内に供給できるように構成されていてもよい。レーザガス供給装置９１は、Ａｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスを供給するガスボンベ９３と、Ａｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスを供給するガスボンベ９４とに接続されていてもよい。レーザガス供給装置９１は、ガスボンベ９３からのＡｒ＋Ｎｅ混合ガスの供給を制御するバルブと、ガスボンベ９４からのＡｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスの供給を制御するバルブとを含んでいてもよい。
レーザガス排気装置９２は、ガス制御部９からの制御信号によってレーザチャンバ２０内のレーザガスを排気できるように構成されていてもよい。レーザガス排気装置９２は、排気を制御するバルブと、排気ポンプと、排気ガス中のＦ2ガスをトラップするハロゲンフィルタとを含んでいてもよい。
ウエハデータ収集制御部３は、記憶部５２を含んでいてもよい。記憶部５２には、ウエハ毎データＤｗａ、スキャン毎データＤｓｃ、及びパルス毎データＤｐｕが格納されてもよい。記憶部５２に格納されたウエハ毎データＤｗａ、スキャン毎データＤｓｃ、及びパルス毎データＤｐｕは、第２の端末１１２から参照可能であってもよい。
レーザ制御部２は、記憶部５１を含んでいてもよい。記憶部５１には、各種データＤｅｔｃと各種パラメータＰｅｔｃのデータとが格納されてもよい。記憶部５１に格納された各種データＤｅｔｃと各種パラメータＰｅｔｃのデータは、第１の端末１１１から参照可能であってもよい。
レーザ制御部２とガス制御部９との間には、ガス制御を行うためのガス制御パラメータＰｇｓをガス制御部９に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
レーザ制御部２とエネルギ制御部６との間には、エネルギ制御を行うための目標パルスエネルギＥｔのデータをエネルギ制御部６に送信する信号ラインが設けられていてもよい。また、レーザ制御部２とエネルギ制御部６との間には、発光トリガ信号Ｓｔｒをエネルギ制御部６に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
レーザ制御部２とスペクトル制御部７との間には、スペクトル制御を行うための目標波長λｔのデータをスペクトル制御部７に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
レーザ制御部２とビーム計測器４０との間には、発光トリガ信号Ｓｔｒをビーム計測器４０に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
レーザ制御部２とレーザチャンバ２０のモータ２７との間には、クロスフローファン２６の回転数ωを制御するための回転数データＤωをモータ２７に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
露光装置制御部５とレーザ制御部２との間には、各種目標データＤｔをレーザ制御部２に送信する信号ラインが設けられていてもよい。各種目標データＤｔには、目標パルスエネルギＥｔと目標波長λｔとが含まれていてもよい。
［１．２ 動作］
レーザ制御部２は、露光装置制御部５から、各種目標データＤｔと発光トリガ信号Ｓｔｒとを受信してもよい。
（エネルギ制御）
レーザ制御部２は、エネルギ制御部６に、目標パルスエネルギＥｔのデータと、発光トリガ信号Ｓｔｒとを送信してもよい。エネルギ制御部６は、充電電圧データＤｖを、充電器９０に送信してもよい。また、エネルギ制御部６は、発光トリガ信号Ｓｔｒに同期して、パルスパワーモジュール２８のスイッチ２９にオン信号を送信してもよい。これにより、レーザチャンバ２０において、１対の放電電極２３，２４間に高電圧が印加され、１対の放電電極２３，２４間の放電領域においてレーザガスが絶縁破壊して、放電が生成され得る。その結果、レーザチャンバ２０内においてレーザガスが励起され、光共振器を構成する狭帯域化モジュール１０と出力結合ミラー３５との間でレーザ発振が起こり得る。出力結合ミラー３５からは、レーザ発振によるパルスレーザ光Ｌｐが出力され得る。
出力結合ミラー３５から出力されたパルスレーザ光Ｌｐは、ビームスプリッタ３１とビームスプリッタ３２とによって一部がパルスエネルギＥを検出するためのサンプル光として、パルスエネルギ計測器３３に入射し得る。
パルスエネルギ計測器３３では、出力結合ミラー３５から出力されたパルスレーザ光ＬｐのパルスエネルギＥを検出し得る。パルスエネルギ計測器３３は、検出したパルスエネルギＥのデータを、エネルギ制御部６に送信してもよい。
エネルギ制御部６は、パルスエネルギＥと目標パルスエネルギＥｔとの差ΔＥに基づいて、次のパルスの充電電圧Ｖを計算して、充電器９０に充電電圧Ｖを示す充電電圧データＤｖを送信してもよい。その結果、出力結合ミラー３５から出力されるパルスレーザ光ＬｐのパルスエネルギＥは目標パルスエネルギＥｔに近づき得る。
ここで、エネルギ制御部６は、レーザ制御部２とウエハデータ収集制御部３とにエネルギ制御関連データＤｅｇを送信してもよい。エネルギ制御関連データＤｅｇは、例えば、目標パルスエネルギＥｔと、計測されたパルスエネルギＥと、充電電圧Ｖとを含むデータであってもよい。
（スペクトル制御）
レーザ制御部２は、スペクトル制御部７に、目標波長λｔのデータと、発光トリガ信号Ｓｔｒとを送信してもよい。スペクトル制御部７は、モニタモジュール３０のスペクトル計測器３４によって、出力結合ミラー３５から出力されたパルスレーザ光Ｌｐの波長λとスペクトル線幅Δλとを計測してもよい。
スペクトル制御部７は、計測された波長λと目標波長λｔとの差δλに基づいて、δλが０に近づくように、狭帯域化モジュール１０の回転ステージ１４にステージ角度制御信号Ｓθを送信してもよい。ステージ角度制御信号Ｓθによって、回転ステージ１４の回転ステージ角度θが制御され得る。その結果、出力結合ミラー３５から出力されるパルスレーザ光Ｌｐの波長λは目標波長λｔに近づき得る。
ここで、スペクトル制御部７は、レーザ制御部２とウエハデータ収集制御部３とにスペクトル制御関連データＤλｃを送信してもよい。スペクトル制御関連データＤλｃは、例えば、目標波長λｔと、計測された波長λと、スペクトル線幅Δλとを含むデータであってもよい。
（ビーム計測制御）
ビーム計測制御部８は、ビームプロファイル計測器４３と、ビームポインティング計測器４２と、偏光計測器４１とのそれぞれにおいて計測された画像データを解析して、ビーム計測関連データＤｂを計算してもよい。
ビーム計測制御部８は、ビームプロファイル計測器４３において計測された画像データに基づいて、例えば、Ｈ方向とＶ方向とのそれぞれのビームプロファイルとして、ビーム幅（Ｂｗｈ，Ｂｗｖ）と、ビーム位置（Ｂｃｈ，Ｂｃｖ）とを計算してもよい。また、ビーム計測制御部８は、ビームポインティング計測器４２において計測された画像データに基づいて、例えば、Ｈ方向とＶ方向とのそれぞれのビームダイバージェンス（Ｂｄｈ，Ｂｄｖ）と、ビームポインティング（Ｂｐｈ，Ｂｐｖ）とを計算してもよい。また、ビーム計測制御部８は、偏光計測器４１において計測された画像データに基づいて、例えば、偏光度Ｐを計算してもよい。
ビーム計測制御部８は、これらの計算データをビーム計測関連データＤｂとして、レーザ制御部２と、ウエハデータ収集制御部３とに送信してもよい。
（ガス制御）
ガス制御部９は、ガス制御として、ガス圧制御と部分ガス交換制御とを行ってもよい。レーザ制御部２は、ガス制御部９にガス制御パラメータＰｇｓを送信してもよい。ガス制御パラメータＰｇｓは、ガス圧制御のためのパラメータと部分ガス交換制御のためのパラメータとを含んでいてもよい。ガス圧制御のためのガス制御パラメータＰｇｓは、例えば、充電電圧Ｖと、最大充電電圧Ｖｍａｘと、最小充電電圧Ｖｍｉｎと、ガス圧可変量ΔＰとを含んでいてもよい。部分ガス交換制御のためのガス制御パラメータＰｇｓは、例えば、部分ガス交換周期Ｔｐｇと、Ａｒ＋Ｎｅ混合ガスの注入係数Ｋｐｇと、Ａｒ＋Ｎｅ＋Ｆ２混合ガスの注入係数Ｋｈｇとを含んでいてもよい。
（ガス圧制御）
ガス制御部９によるガス圧制御は、以下の性質を利用するガス制御方式であってもよい。レーザガス圧が高くなると、絶縁破壊電圧が上昇して、出力結合ミラー３５から出力されるパルスレーザ光ＬｐのパルスエネルギＥが増加し得る。逆にレーザガス圧が低くなると、絶縁破壊電圧が降下して、出力結合ミラー３５から出力されるパルスレーザ光ＬｐのパルスエネルギＥが低下し得る。
ガス制御部９は、レーザチャンバ２０内のガス圧Ｐを圧力センサによって計測してもよい。ガス制御部９は、ガス圧Ｐのデータをレーザ制御部２に送信してもよい。
ガス制御部９は、充電電圧Ｖが最大充電電圧Ｖｍａｘ以上となった場合は、レーザガス供給装置９１を制御して、ガス圧Ｐがガス圧可変量ΔＰだけ増加するように、レーザチャンバ２０内にＡｒ＋Ｎｅ混合ガスを注入してもよい。逆に、ガス制御部９は、充電電圧Ｖが最小充電電圧Ｖｍｉｎ以下となった場合は、レーザガス排気装置９２を制御して、ガス圧Ｐがガス圧可変量ΔＰだけ減少するように、レーザチャンバ２０内のガスを排気してもよい。
（部分ガス交換制御）
ガス制御部９による部分ガス交換制御は、例えば一定周期で、レーザチャンバ２０内にＡｒ＋Ｎｅ混合ガスとＡｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスとを所定量注入した後、それらの注入したガスの量だけレーザチャンバ２０内のガスを排気する制御であってもよい。部分ガス交換制御を行うことによって、放電によるＦ2ガスの低下分がレーザチャンバ２０内に補充され得る。
（データ管理）
レーザ制御部２は、各種データＤｅｔｃと各種パラメータＰｅｔｃのデータとを、定期的、例えば一定時間周期、又は一定ショット数毎に記憶部５１に保存してもよい。各種データＤｅｔｃは、例えば、エネルギ制御関連データＤｅｇ、スペクトル制御関連データＤλｃ、ガス制御関連データＤｇｓ、及びビーム計測関連データＤｂを少なくとも１つ、含んでいてもよい。各種パラメータＰｅｔｃは、各種制御パラメータを少なくとも１つ、含んでいてもよい。
レーザメーカは、第１の端末１１１からレーザ制御部２の記憶部５１を直接参照して、各種データＤｅｔｃと各種パラメータＰｅｔｃのデータとを取り出してもよい。これらのデータのうち、ユーザに開示してもよいデータをユーザに開示してもよい。
ウエハデータ収集制御部３は、図２に示すような露光パターンの発光トリガ信号Ｓｔｒを受信して、トリガ時間間隔を計測することによって、露光装置４におけるウエハ露光関連情報を認識するようにしてもよい。ウエハ露光関連情報は、ウエハ識別情報としてのウエハ番号♯ｗと、スキャン識別情報としてのスキャン番号♯ｓと、パルス識別情報としてのパルス番号♯ｐとを含んでいてもよい。
ウエハデータ収集制御部３は、上記した各種データＤｅｔｃと各種パラメータＰｅｔｃのデータとを、上記したウエハ露光関連情報に関連付けるような計算処理をして、記憶部５２に保存してもよい。
記憶部５２に保存されたデータは、ウエハ毎データＤｗａ、スキャン毎データＤｓｃ、及びパルス毎データＤｐｕとして、ユーザが第２の端末１１２から参照可能であってもよい。
［１．３ 課題］
比較例に係るレーザ装置管理システムでは、レーザ制御部２が取得したデータのうち、ユーザに開示してよいデータのみレーザメーカを介して、ユーザに開示され得る。ユーザに開示されるデータのうち、ウエハ番号♯ｗやスキャン番号＃ｓ等のウエハ露光関連情報は、ウエハデータ収集制御部３において、発光トリガ信号Ｓｔｒのパターンの解析から認識され得る。しかしながら、発光トリガ信号Ｓｔｒのパターンの解析からウエハ番号♯ｗやスキャン番号＃ｓを認識する方法では、調整発振が入ると、誤認識する可能性があり得る。
＜２．第１の実施形態＞（サーバを備えたレーザ装置管理システム）
次に、本開示の第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムについて説明する。なお、以下では上記比較例に係るレーザ装置管理システムの構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
［２．１ サーバを備えたレーザ装置管理システムの概要］
（２．１．１ 構成）
図４は、本開示の第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムの一構成例を概略的に示している。
本実施形態に係るレーザ装置管理システムは、レーザ装置１と、第１の端末１１１と、第２の端末１１２と、サーバ１１０とを備えてもよい。
サーバ１１０は、レーザ装置１と、第１の端末１１１と、第２の端末１１２とのそれぞれに、ＬＡＮ（Local Area Network）やＷＡＮ（Wide Area Network）等のネットワークで接続されてもよい。又は、サーバ１１０は、レーザ装置１内に設置されてもよい。また、サーバ１１０は、半導体工場内に設置されてもよい。
（レーザ装置１の構成）
レーザ装置１は、上記比較例に係るレーザ装置１０１に対して、以下の点が異なっていてもよい。
レーザ制御部２の記憶部５１とサーバ１１０との間には、記憶部５１に保存された各種データＤｅｔｃや各種パラメータＰｅｔｃ等をサーバ１１０に送信、格納するための信号ラインが設けられていてもよい。
ウエハデータ収集制御部３の記憶部５２とサーバ１１０との間には、記憶部５２に保存されたウエハ毎データＤｗａ、スキャン毎データＤｓｃ、及びパルス毎データＤｐｕ等をサーバ１１０に送信、格納するための信号ラインが設けられていてもよい。
ウエハ毎データＤｗａ、スキャン毎データＤｓｃ、及びパルス毎データＤｐｕは、互いに対応付けられた、露光装置４におけるウエハ露光関連情報とレーザ装置１におけるレーザ制御関連情報とを含んでいてもよい。ウエハ露光関連情報は、ウエハ識別情報としてのウエハ番号♯ｗと、スキャン識別情報としてのスキャン番号♯ｓと、パルス識別情報としてのパルス番号♯ｐとを含んでいてもよい。ウエハ露光関連情報に対応付けられるレーザ制御関連情報のデータは、例えば、エネルギ制御関連データＤｅｇ、スペクトル制御関連データＤλｃ、ガス制御関連データＤｇｓ、及びビーム計測関連データＤｂ等の各種制御関連データを少なくとも１つ、含んでいてもよい。
記憶部５２は、ウエハ毎データＤｗａ、スキャン毎データＤｓｃ、及びパルス毎データＤｐｕを一時的に記憶してもよい。ウエハ毎データＤｗａは、ウエハ露光を行う際のウエハ単位のデータであってもよい。スキャン毎データＤｓｃは、スキャン露光を行う際のスキャン単位のデータであってもよい。パルス毎データＤｐｕは、スキャン露光を行う際の各パルスレーザ光単位のデータであってもよい。記憶部５２におけるデータ保存期間は、あらかじめ決められたデフォルトの所定の期間であってもよい。また、記憶部５２におけるデータ保存期間は、サーバ１１０を介して第２の端末１１２から設定、変更可能であってもよい。
サーバ１１０とウエハデータ収集制御部３との間には、記憶部５２におけるデータ保存期間の設定等の設定信号をウエハデータ収集制御部３に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
露光装置制御部５とレーザ制御部２との間には、ウエハ番号♯ｗと、スキャン番号♯ｓと、パルス番号♯ｐとを含むウエハ露光関連情報のデータをレーザ制御部２に送信する信号ラインが設けられていてもよい。レーザ制御部２とウエハデータ収集制御部３との間には、ウエハ露光関連情報をレーザ制御部２を介してウエハデータ収集制御部３が受信するための信号ラインが設けられていてもよい。
ガス制御部９とウエハデータ収集制御部３との間には、ガス制御関連データＤｇｓをウエハデータ収集制御部３に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
レーザチャンバ２０と出力結合ミラー３５との間の光路上には、スペクトル可変部６０が配置されていてもよい。スペクトル可変部６０は、シリンドリカル凹レンズ６１と、シリンドリカル凸レンズ６２と、リニアステージ６３とを含んでもよい。
シリンドリカル凹レンズ６１とシリンドリカル凸レンズ６２は、レーザチャンバ２０と出力結合ミラー３５との間の光路上に配置されていてもよい。シリンドリカル凹レンズ６１とシリンドリカル凸レンズ６２とのレンズ間隔Ｄｘは、リニアステージ６３によって変更可能であってもよい。
スペクトル制御部７とリニアステージ６３との間には、リニアステージ６３のステージ位置Ｘを制御するためのステージ位置制御信号Ｓｘをリニアステージ６３に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
レーザ制御部２とスペクトル制御部７との間には、スペクトル制御を行うための目標波長λｔと目標スペクトル線幅Δλｔとのデータをスペクトル制御部７に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
（サーバ１１０の構成）
図５は、サーバ１１０のデータ領域とアクセス権限との関係の一例を模式的に示している。
サーバ１１０には、ウエハ露光及びレーザ制御に関する各種のログデータが格納されてもよい。ログデータには、互いに異なるアクセス権限によって参照可能となるようにアクセス制限された第１の情報、第２の情報、及び第３の情報が含まれてもよい。
サーバ１１０には、第１の情報を格納する第１のデータ領域１１０Ａと、第２の情報を格納する第２のデータ領域１１０Ｂと、第３の情報を格納する第３のデータ領域１１０Ｃとが設けられていてもよい。
第１のデータ領域１１０Ａは、第１のアクセス権限によってのみアクセス可能となるようにアクセス制限されていてもよい。第１のアクセス権限は、第１の端末１１１を使用するレーザメーカの権限であってもよい。これにより、第１の情報は第１のアクセス権限を有するレーザメーカのみが参照可能であってもよい。レーザ制御部２は、第１の情報を第１のデータ領域１１０Ａに保存する制御を行ってもよい。第１の情報は、レーザ装置１の制御に関する各種制御パラメータのデータを含んでいてもよい。例えば、後述する図１１に示すように、ショット番号に対応付けられた、エネルギ制御パラメータＰｅｇ、スペクトル制御パラメータＰλｃ、及びガス制御パラメータＰｇｓ等の各種制御パラメータのデータを少なくとも１つ、第１の情報として含んでいてもよい。また、第１の情報は、ショット番号に対応付けられた、エコロジー関連パラメータＰｅｃのデータを含んでいてもよい。また、第１の情報は、パルスレーザ光Ｌｐのショット番号、トータルショット数のデータ、ビーム計測制御パラメータ等のデータを含んでいてもよい。
第２のデータ領域１１０Ｂは、第２のアクセス権限によってのみアクセス可能となるようにアクセス制限されていてもよい。第２のアクセス権限は、第２の端末１１２を使用するユーザの権限であってもよい。これにより、第２の情報は第２のアクセス権限を有するユーザのみが参照可能であってもよい。ウエハデータ収集制御部３は、第２の情報を第２のデータ領域１１０Ｂに保存する制御を行ってもよい。第２の情報は、後述する図７に示すように、互いに対応付けられたウエハ露光関連情報とレーザ制御関連情報とを含んでいてもよい。ウエハ露光関連情報は、上記したように、例えば、ウエハ番号♯ｗと、スキャン番号♯ｓと、パルス番号♯ｐとを含んでいてもよい。ウエハ露光関連情報に対応付けられるレーザ制御関連情報のデータは、上記したように、例えば、エネルギ制御関連データＤｅｇ、スペクトル制御関連データＤλｃ、ガス制御関連データＤｇｓ、及びビーム計測関連データＤｂ等の各種制御関連データを少なくとも１つ、含んでいてもよい。
第３のデータ領域１１０Ｃは、第１のアクセス権限及び第２のアクセス権限の双方によってアクセス可能となるようにアクセス制限されていてもよい。これにより、第３の情報は第１のアクセス権限を有するレーザメーカと第２のアクセス権限を有するユーザとの双方が参照可能であってもよい。レーザ制御部２は、第３の情報を第３のデータ領域１１０Ｃに保存する制御を行ってもよい。第３の情報は、レーザ装置１に関するログデータを含んでいてもよい。第３の情報は、互いに対応付けられた、パルスレーザ光Ｌｐのショット番号とレーザ制御関連情報とを、ログデータとして含んでいてもよい。例えば、第３の情報は、後述する図９に示すように、ショット番号に対応付けられた、エネルギ制御関連データＤｅｇ、スペクトル制御関連データＤλｃ、ガス制御関連データＤｇｓ、及びビーム計測関連データＤｂ等の各種制御関連データを少なくとも１つ、含んでいてもよい。また、第３の情報は、ショット番号に対応付けられた、エコロジー関連データＤｅｃを含んでいてもよい。また、第３の情報は、パルスレーザ光Ｌｐのショット番号、トータルショット数のデータを含んでいてもよい。また、第３の情報は、後述する図３４に示すように、エラーログのデータを含んでいてもよい。
その他の構成は、上記比較例に係るレーザ装置管理システムと略同様であってもよい。
（２．１．２ 動作）
（データ管理）
ウエハデータ収集制御部３は、露光装置制御部５から送信されたウエハ番号♯ｗ、及びスキャン番号♯ｓ等のウエハ露光関連情報に同期して、上記した各種制御関連データを受信してもよい。ウエハデータ収集制御部３は、受信したウエハ露光関連情報と各種制御関連データとを互いに対応付けして、ウエハ毎データＤｗａ、スキャン毎データＤｓｃ、及びパルス毎データＤｐｕとして一時的に記憶部５２に保存してもよい。
ウエハデータ収集制御部３は、一時記憶したウエハ毎データＤｗａ、スキャン毎データＤｓｃ、及びパルス毎データＤｐｕを第２の情報として、ユーザのみが参照可能なサーバ１１０の第２のデータ領域１１０Ｂに書き込んでもよい。
レーザ制御部２は、エネルギ制御関連データＤｅｇと、スペクトル制御関連データＤλｃと、ガス制御関連データＤｇｓと、ビーム計測関連データＤｂと、エコロジー関連データＤｅｃと、エラーログとを、定期的、例えば、一定時間周期、又は、一定ショット数毎に記憶部５１に保存してもよい。レーザ制御部２は、記憶部５１に保存したそれらのデータを、定期的、例えば、一定時間周期、又は、一定ショット数毎に、第３の情報として、ユーザとレーザメーカとの双方が参照可能なサーバ１１０の第３のデータ領域１１０Ｃに書き込んでもよい。
また、レーザ制御部２は、ビーム計測制御パラメータ、エネルギ制御パラメータＰｅｇ、スペクトル制御パラメータＰλｃ、及びガス制御パラメータＰｇｓ、並びにエコロジー関連パラメータＰｅｃのデータを、定期的、例えば、一定時間周期、又は、一定ショット数毎に記憶部５１に保存してもよい。レーザ制御部２は、記憶部５１に保存したそれらのパラメータのデータを、定期的、例えば、一定時間周期、又は、一定ショット数毎に、第１の情報として、レーザメーカのみが参照可能なサーバ１１０の第１のデータ領域１１０Ａに書き込んでもよい。
（スペクトル線幅制御）
レーザ制御部２は、スペクトル制御部７に、目標スペクトル線幅Δλｔのデータと、発光トリガ信号Ｓｔｒとを送信してもよい。スペクトル制御部７は、モニタモジュール３０のスペクトル計測器３４によって、出力結合ミラー３５から出力されたパルスレーザ光Ｌｐのスペクトル線幅Δλを計測してもよい。
スペクトル制御部７は、計測されたスペクトル線幅Δλと目標スペクトル線幅Δλｔとの差ΔΔλに基づいて、ΔΔλが０に近づくように、スペクトル可変部６０のリニアステージ６３にステージ位置制御信号Ｓｘを送信してもよい。ステージ位置制御信号Ｓｘによって、リニアステージ６３のステージ位置Ｘが制御され得る。その結果、出力結合ミラー３５から出力されるパルスレーザ光Ｌｐのスペクトル線幅Δλは目標スペクトル線幅Δλｔに近づき得る。
ここで、スペクトル制御部７は、レーザ制御部２とウエハデータ収集制御部３とに、目標スペクトル線幅Δλｔと、計測されたスペクトル線幅Δλとを含むスペクトル制御関連データＤλｃを送信してもよい。
（ガス制御）
ガス制御部９は、ウエハデータ収集制御部３とレーザ制御部２との双方に、ガス制御関連データＤｇｓを送信してもよい。ガス制御部９は、例えば、ウエハデータ収集制御部３に、ガス制御関連データＤｇｓとして、レーザチャンバ２０のガス圧Ｐのデータを送信してもよい。
（第２のデータ領域１１０Ｂへのデータの書き込み制御）
図６は、ウエハデータ収集制御部３による第２のデータ領域１１０Ｂへのデータの書き込み制御の流れの一例を示すフローチャートである。
ウエハデータ収集制御部３は、図２に示したようなウエハ露光毎のバースト期間の先頭を検出してもよい。バースト期間の先頭の検出は、スキャンの先頭を検出したか否かを判断することによって行ってもよい（ステップＳ１０１）。例えば、ウエハデータ収集制御部３は、レーザ制御部２を介して露光装置制御部５から最初のスキャン番号（Ｓｃａｎ＃１）を受信することによってスキャンの先頭を検出してもよい。また、ウエハデータ収集制御部３は、発振休止期間を計測して、所定期間以上、例えば０．１ｓ以上の発振休止期間後の先頭パルスを検出することによって、バースト期間の先頭を検出してもよい。
ウエハデータ収集制御部３は、スキャンの先頭を検出していないと判断した場合（ステップＳ１０１；Ｎ）には、ステップＳ１０１の処理を繰り返してもよい。
一方、スキャンの先頭を検出したと判断した場合（ステップＳ１０１；Ｙ）には、ウエハデータ収集制御部３は、次に、レーザ制御部２を介して露光装置制御部５から受信したウエハ番号♯ｗと、スキャン番号♯ｓと、パルス番号♯ｐとの読み込みを行ってもよい（ステップＳ１０２）。
次に、ウエハデータ収集制御部３は、ステップＳ１０３〜Ｓ１０６の処理を、少なくとも１つ行ってもよい。ウエハデータ収集制御部３は、ステップＳ１０３の処理として、ビーム計測関連データＤｂの収集と解析を行ってもよい。ウエハデータ収集制御部３は、ステップＳ１０４の処理として、エネルギ制御関連データＤｅｇの収集と解析を行ってもよい。ウエハデータ収集制御部３は、ステップＳ１０５の処理として、スペクトル制御関連データＤλｃの収集と解析を行ってもよい。ウエハデータ収集制御部３は、ステップＳ１０６の処理として、ガス制御関連データＤｇｓの収集と解析を行ってもよい。
次に、ウエハデータ収集制御部３は、バースト期間の終了を検出してもよい。バースト期間の終了の検出は、スキャンの終了を検出したか否かを判断することによって行ってもよい（ステップＳ１０７）。例えば、ウエハデータ収集制御部３は、露光装置制御部５から有効なスキャン番号が送信されなくなった場合にスキャンの終了を検出してもよい。また、ウエハデータ収集制御部３は、発振休止期間を計測して、所定期間以上、例えば０．１ｓ以上の発振休止期間を検出することによって、バースト期間の終了を検出してもよい。
ウエハデータ収集制御部３は、スキャンの終了を検出していないと判断した場合（ステップＳ１０７；Ｎ）には、ステップＳ１０７の処理を繰り返してもよい。
一方、スキャンの終了を検出したと判断した場合（ステップＳ１０７；Ｙ）には、ウエハデータ収集制御部３は、収集、解析したデータを、ユーザのみが参照可能なサーバ１１０の第２のデータ領域１１０Ｂに書き込んでもよい（ステップＳ１０８）。ウエハデータ収集制御部３が収集、解析したデータには、ウエハ番号♯ｗと、スキャン番号♯ｓと、パルス番号♯ｐとが含まれていてもよい。ウエハデータ収集制御部３が収集、解析したデータには、パルス毎の、ビーム計測関連データＤｂ、エネルギ制御関連データＤｅｇ、スペクトル制御関連データＤλｃ、及びガス制御関連データＤｇｓが含まれていてもよい。ここで、図７に、サーバ１１０の第２のデータ領域１１０Ｂに書き込まれたデータの一例を示す。
次に、ウエハデータ収集制御部３は、データの収集を中止するか否かを判断してもよい（ステップＳ１０９）。ウエハデータ収集制御部３は、データの収集を中止しないと判断した場合（ステップＳ１０９；Ｎ）には、ステップＳ１０１の処理に戻ってもよい。一方、データの収集を中止すると判断した場合（ステップＳ１０９；Ｙ）には、ウエハデータ収集制御部３は、データの収集の処理を終了してもよい。
（第３のデータ領域１１０Ｃへのデータの書き込み制御）
図８は、レーザ制御部２による第３のデータ領域１１０Ｃへのデータの書き込み制御の流れの一例を示すフローチャートである。
レーザ制御部２は、パルス数のカウンタ値Ｎの初期値を０に設定してもよい（ステップＳ２０１）。次に、レーザ制御部２は、レーザ発振したか否かを判断してもよい（ステップＳ２０２）。レーザ制御部２は、例えば、露光制御装置５からの発光トリガ信号Ｓｔｒに基づいて、レーザ発振したか否かを判断してもよい。
レーザ制御部２は、レーザ発振していないと判断した場合（ステップＳ２０２；Ｎ）には、ステップＳ２０２の処理を繰り返してもよい。
一方、レーザ発振したと判断した場合（ステップＳ２０２；Ｙ）には、レーザ制御部２は、次に、パルス数のカウンタ値ＮをＮ＋１に設定してもよい（ステップＳ２０３）。
次に、レーザ制御部２は、パルス数のカウンタ値Ｎが、所定のショット数Ｎｉに達したか否かを判断してもよい（ステップＳ２０４）。ここで、所定のショット数Ｎｉは、例えば、パルス数の値として１００００００や、６００００００であってもよい。レーザ制御部２は、所定のショット数Ｎｉに達していないと判断した場合（ステップＳ２０４；Ｎ）には、ステップＳ２０２の処理に戻ってもよい。
一方、所定のショット数Ｎｉに達したと判断した場合（ステップＳ２０４；Ｙ）には、レーザ制御部２は、次に、ステップＳ２０５〜Ｓ２０９の処理を、少なくとも１つ行ってもよい。
レーザ制御部２は、ステップＳ２０５の処理として、エコロジー関連データＤｅｃの収集と解析を行ってもよい。レーザ制御部２は、ステップＳ２０６の処理として、ビーム計測関連データＤｂの収集と解析を行ってもよい。レーザ制御部２は、ステップＳ２０７の処理として、エネルギ制御関連データＤｅｇの収集と解析を行ってもよい。レーザ制御部２は、ステップＳ２０８の処理として、スペクトル制御関連データＤλｃの収集と解析を行ってもよい。レーザ制御部２は、ステップＳ２０９の処理として、ガス制御関連データＤｇｓの収集と解析を行ってもよい。
次に、レーザ制御部２は、トータルショット数のデータの読み込みを行ってもよい（ステップＳ２１０）。ここで、トータルショット数は、レーザ装置１が設置されてからのトータルのショット数であってもよい。レーザ装置１は、トータルのショット数をカウントするためのカウンタを備えていてもよい。
次に、レーザ制御部２は、収集、解析したデータを、ユーザとレーザメーカとの双方が参照可能なサーバ１１０の第３のデータ領域１１０Ｃに書き込んでもよい（ステップＳ２１１）。レーザ制御部２が収集、解析したデータには、トータルショット数のデータが含まれていてもよい。さらに、レーザ制御部２が収集、解析したデータには、互いに対応付けられた、パルスレーザ光Ｌｐのショット番号とレーザ制御関連情報とが含まれていてもよい。例えば、ショット毎の、ビーム計測関連データＤｂ、エネルギ制御関連データＤｅｇ、スペクトル制御関連データＤλｃ、及びガス制御関連データＤｇｓが含まれていてもよい。ここで、図９に、サーバ１１０の第３のデータ領域１１０Ｃに書き込まれたデータの一例を示す。図７のデータ例と比較して分かるように、第３のデータ領域１１０Ｃに書き込まれるデータには、ウエハ番号♯ｗやスキャン番号♯ｓ等のウエハ露光関連情報は含まれていなくともよい。
次に、レーザ制御部２は、データの収集を中止するか否かを判断してもよい（ステップＳ２１２）。レーザ制御部２は、データの収集を中止しないと判断した場合（ステップＳ２１２；Ｎ）には、ステップＳ１０１の処理に戻ってもよい。一方、データの収集を中止すると判断した場合（ステップＳ２１２；Ｙ）には、レーザ制御部２は、データの収集の処理を終了してもよい。
（第１のデータ領域１１０Ａへのデータの書き込み制御）
図１０は、レーザ制御部２による第１のデータ領域１１０Ａへのデータの書き込み制御の流れの一例を示すフローチャートである。
レーザ制御部２は、パルス数のカウンタ値Ｎの初期値を０に設定してもよい（ステップＳ３０１）。次に、レーザ制御部２は、レーザ発振したか否かを判断してもよい（ステップＳ３０２）。レーザ制御部２は、例えば、露光制御装置５からの発光トリガ信号Ｓｔｒに基づいて、レーザ発振したか否かを判断してもよい。
レーザ制御部２は、レーザ発振していないと判断した場合（ステップＳ３０２；Ｎ）には、ステップＳ３０２の処理を繰り返してもよい。
一方、レーザ発振したと判断した場合（ステップＳ３０２；Ｙ）には、レーザ制御部２は、次に、パルス数のカウンタ値ＮをＮ＋１に設定してもよい（ステップＳ３０３）。
次に、レーザ制御部２は、パルス数のカウンタ値Ｎが、所定のショット数Ｎｉに達したか否かを判断してもよい（ステップＳ３０４）。ここで、所定のショット数Ｎｉは、例えば、パルス数の値として１００００００や、６００００００であってもよい。レーザ制御部２は、所定のショット数Ｎｉに達していないと判断した場合（ステップＳ３０４；Ｎ）には、ステップＳ３０２の処理に戻ってもよい。
一方、所定のショット数Ｎｉに達したと判断した場合（ステップＳ３０４；Ｙ）には、レーザ制御部２は、次に、トータルショット数のデータの読み込みを行ってもよい（ステップＳ３０５）。ここで、トータルショット数は、レーザ装置１が設置されてからのトータルのショット数であってもよい。レーザ装置１は、トータルのショット数をカウントするためのカウンタを備えていてもよい。
次に、レーザ制御部２は、トータルショット数のデータと、各種パラメータとを、レーザメーカのみが参照可能なサーバ１１０の第１のデータ領域１１０Ａに書き込んでもよい（ステップＳ３０６）。第１のデータ領域１１０Ａに書き込む各種パラメータには、例えば、ショット毎の、ビーム計測制御パラメータ、エネルギ制御パラメータＰｅｇ、スペクトル制御パラメータＰλｃ、及びガス制御パラメータＰｇｓ、並びにエコロジー関連パラメータＰｅｃが含まれていてもよい。ここで、図１１に、サーバ１１０の第１のデータ領域１１０Ａに書き込まれたデータの一例を示す。
次に、レーザ制御部２は、データの収集を中止するか否かを判断してもよい（ステップＳ３０７）。レーザ制御部２は、データの収集を中止しないと判断した場合（ステップＳ３０７；Ｎ）には、ステップＳ３０１の処理に戻ってもよい。一方、データの収集を中止すると判断した場合（ステップＳ３０７；Ｙ）には、レーザ制御部２は、データの収集の処理を終了してもよい。
その他の動作は、上記比較例に係るレーザ装置管理システムと略同様であってもよい。
（２．１．３ 作用・効果）
本実施形態のレーザ装置管理システムによれば、レーザ装置１の内部、又は半導体工場内に配置されたサーバ１１０に、ユーザのみが参照可能な第２のデータ領域１１０Ｂが設けられ、その第２のデータ領域１１０Ｂにウエハ番号♯ｗやスキャン番号♯ｓ等に関連するデータが書き込まれ得る。この場合において、ウエハ番号♯ｗやスキャン番号♯ｓ等のウエハ露光関連情報は、ウエハデータ収集制御部３において発光トリガ信号Ｓｔｒのパターンを解析することなく、露光装置制御部５から取得され得る。このため、調整発振があったとしても、発光トリガ信号Ｓｔｒのパターンを解析してスキャン番号♯ｓ等を認識する場合に比べて、スキャン番号♯ｓ等を誤認識する可能性が低下し得る。
また、サーバ１１０にユーザとレーザメーカとの双方が参照可能な第３のデータ領域１１０Ｃを設け、その第３のデータ領域１１０Ｃに、ウエハ番号♯ｗやスキャン番号♯ｓ等に関連付けせずに各種制御関連データ等を書き込むようにしたので、ユーザとレーザメーカとの双方が必要とするデータを容易に取得し得る。
また、サーバ１１０にレーザメーカのみが参照可能な第１のデータ領域１１０Ａを設け、その第１のデータ領域１１０Ａに、ウエハ番号♯ｗやスキャン番号♯ｓ等に関連付けせずに各種パラメータ等のデータを書き込むようにしたので、レーザメーカが必要とするデータのみを容易に取得し得る。
［２．２ ビーム計測システム］
（２．２．１ 構成）
図１２は、レーザ装置管理システムにおけるビーム計測に関わる部分の一構成例を概略的に示している。
ビーム計測器４０は、偏光計測器４１と、ビームポインティング計測器４２と、ビームプロファイル計測器４３と、ビームサンプル部４５とを含んでいてもよい。
ビームサンプル部４５は、ビームスプリッタ４４を含んでいてもよい。ビームスプリッタ４４は、Ｐ偏光とＳ偏光との反射率が略一致するように多層膜のコーティングがされていてもよい。
ビームプロファイル計測器４３は、イメージセンサ４３１と、ビームスプリッタ４３２と、転写光学系４３３とを含んでいてもよい。
ビームスプリッタ４３２は、Ｐ偏光とＳ偏光との反射率が略一致するように多層膜のコーティングがされていてもよい。転写光学系４３３は、倍率Ｍの、組レンズであってもよい。イメージセンサ４３１の受光面は、ビームがＭ倍に転写される位置に配置されていてもよい。
ビームポインティング計測器４２は、イメージセンサ４２１と、ビームスプリッタ４２２と、集光光学系４２３とを含んでいてもよい。
ビームスプリッタ４２２は、Ｐ偏光とＳ偏光との反射率が略一致するように多層膜のコーティングがされていてもよい。集光光学系４２３は、焦点距離ｆの凸レンズであってもよい。イメージセンサ４２１の受光面は、集光光学系４２３の焦点面に配置されていてもよい。
偏光計測器４１は、イメージセンサ４１１と、高反射ミラー４１２と、集光光学系４１３と、ローションプリズム４１４とを含んでいてもよい。
高反射ミラー４１２は、Ｐ偏光とＳ偏光との反射率が略一致するように多層膜のコーティングがされていてもよい。ローションプリズム４１４は、ＭｇＦ2結晶を含むプリズムであって、高反射ミラー４１２と集光光学系４１３との間の光路上に配置されてもよい。集光光学系４１３は、焦点距離ｆの凸レンズであってもよい。イメージセンサ４１１の受光面は、集光光学系４１３の焦点面に配置されていてもよい。
（２．２．２ 動作）
ビーム計測制御部８は、露光装置制御部５からの発光トリガ信号Ｓｔｒをレーザ制御部２を介して受信してもよい。この発光トリガ信号Ｓｔｒに基づいて、イメージセンサ４１１，４２１，４３１にシャッタ信号Ｓｈｔを送信して、イメージセンサ４１１，４２１，４３１からの画像データを受信してもよい。
ビーム計測制御部８は、ビームプロファイル計測器４３におけるイメージセンサ４３１の画像データと転写光学系４３３の倍率Ｍとに基づいて、ビームプロファイルを計算してもよい。ビーム計測制御部８は、例えば、Ｈ方向とＶ方向とのそれぞれのビームプロファイルとして、ビーム幅（Ｂｗｈ，Ｂｗｖ）と、ビーム位置（Ｂｃｈ，Ｂｃｖ）とを計算してもよい。
また、ビーム計測制御部８は、ビームポインティング計測器４２におけるイメージセンサ４２１の画像データと集光光学系４２３の焦点距離ｆに基づいて、例えば、Ｈ方向とＶ方向とのそれぞれのビームダイバージェンス（Ｂｄｈ，Ｂｄｖ）と、ビームポインティング（Ｂｐｈ，Ｂｐｖ）とを計算してもよい。
また、ビーム計測制御部８は、偏光計測器４１におけるイメージセンサ４１１の画像データに基づいて、例えば、偏光度Ｐを計算してもよい。
ビーム計測制御部８は、これらの計算データをビーム計測関連データＤｂとして、レーザ制御部２と、ウエハデータ収集制御部３とに送信してもよい。
図１３は、ビーム計測制御部８のビーム計測に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。
ビーム計測制御部８は、図２に示したようなウエハ露光毎のバースト期間の先頭を検出したか否かを判断してもよい（ステップＳ４０１）。ビーム計測制御部８は、バースト期間の先頭を検出していないと判断した場合（ステップＳ４０１；Ｎ）には、ステップＳ４０１の処理を繰り返してもよい。
一方、バースト期間の先頭を検出したと判断した場合（ステップＳ４０１；Ｙ）には、ビーム計測制御部８は、次に、ビーム計測器４０における各イメージセンサ４１１，４２１，４３１からの画像データを取得し、図示しない記憶部に記憶してもよい（ステップＳ４０２）。
次に、ビーム計測制御部８は、ビームプロファイル計測器４３のイメージセンサ４３１からの画像データの読み出しと、ビームプロファイルデータの計算及び出力とを行ってももよい（ステップＳ４０３）。
次に、ビーム計測制御部８は、ビームポインティング計測器４２のイメージセンサ４２１からの画像データの読み出しと、ビームポインティングデータの計算及び出力とを行ってももよい（ステップＳ４０４）。
次に、ビーム計測制御部８は、偏光計測器４１のイメージセンサ４１１からの画像データの読み出しと、偏光データの計算及び出力とを行ってももよい（ステップＳ４０５）。
次に、ビーム計測制御部８は、バースト期間の終了を検出したか否かを判断してもよい（ステップＳ４０６）。ビーム計測制御部８は、バースト期間の終了を検出していないと判断した場合（ステップＳ４０６；Ｎ）には、ステップＳ４０２の処理に戻ってもよい。
一方、バースト期間の終了を検出したと判断した場合（ステップＳ４０６；Ｙ）には、ビーム計測制御部８は、次に、ビーム計測を中止するか否かを判断してもよい（ステップＳ４０７）。
ビーム計測制御部８は、ビーム計測を中止しないと判断した場合（ステップＳ４０７；Ｎ）には、ステップＳ４０１の処理に戻ってもよい。一方、ビーム計測を中止すると判断した場合（ステップＳ４０７；Ｙ）には、ビーム計測制御部８は、ビーム計測の処理を終了してもよい。
図１４は、図１３に示したフローチャートにおけるステップＳ４０３の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。
ビーム計測制御部８は、図示しない記憶部から、ビームプロファイル計測器４３のイメージセンサ４３１の画像データにおける各ピクセルデータを読み出してもよい（ステップＳ４１１）。次に、ビーム計測制御部８は、各ピクセルデータに基づいて、ビームプロファイルデータとして、Ｈ方向のビーム幅Ｂｗｈと、Ｖ方向のビーム幅Ｂｗｖと、Ｈ方向のビーム位置Ｂｃｈと、Ｖ方向のビーム位置Ｂｃｖとを計算してもよい（ステップＳ４１２）。
次に、ビーム計測制御部８は、計算したビームプロファイルデータを、レーザ制御部２と、ウエハデータ収集制御部３とに送信してもよい（ステップＳ４１３）。その後、図１３のステップＳ４０４の処理を行ってもよい。
図１５は、ビーム計測制御部８によるビームプロファイルの計算方法の一例を概略的に示している。図１５には、イメージセンサ４３１で取得された画像データを模式的に示す。
ビームのピーク強度に対しＶ方向において光強度が１／ｅ2となる位置をＶ１，Ｖ２とした場合、Ｈ方向のビーム位置Ｂｃｈは、ビームにおけるＶ方向の中心位置として、Ｂｃｖ＝（Ｖ１＋Ｖ２）／（２Ｍ）と計算され得る。
また、ビームのピーク強度に対し、Ｈ方向において光強度が１／ｅ2となる位置をＨ１，Ｈ２とした場合、Ｖ方向のビーム位置Ｂｃｖは、ビームにおけるＨ方向の中心位置として、Ｂｃｈ＝（Ｈ１＋Ｈ２）／（２Ｍ）と計算され得る。
なお、ビーム計測制御部８は、ビームプロファイルの中心位置（Ｂｃｈ，Ｂｃｖ）を、画像データの重心の位置から求めてもよい。また、ビーム計測制御部８は、ビーム幅（Ｂｗｈ，Ｂｗｖ）を、ピーク値に対して光強度が一定の割合、例えば５％〜１０％となる領域の幅として算出してもよい。
図１６は、図１３に示したフローチャートにおけるステップＳ４０４の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。
ビーム計測制御部８は、図示しない記憶部から、ビームポインティング計測器４２のイメージセンサ４２１の画像データにおける各ピクセルデータを読み出してもよい（ステップＳ４２１）。次に、ビーム計測制御部８は、Ｈ方向の集光幅Ｗｈと、Ｖ方向の集光幅Ｗｖと、Ｈ方向の集光位置Ｐｐｈと、Ｖ方向の集光位置Ｐｐｖとを計算してもよい（ステップＳ４２２）。なお、集光幅、及び集光位置は、ビームポインティング計測器４２の集光光学系４２３によるビームの集光幅、及び集光位置であってもよい。
次に、ビーム計測制御部８は、Ｈ方向とＶ方向とのそれぞれのビームダイバージェンス（Ｂｄｈ，Ｂｄｖ）と、ビームポインティング（Ｂｐｈ，Ｂｐｖ）とを以下のように、計算してもよい（ステップＳ４２３）。
Ｈ方向のビームダイバージェンスＢｄｈ＝ｆ・Ｗｈ、
Ｖ方向のビームダイバージェンスＢｄｖ＝ｆ・Ｗｖ、
Ｈ方向のポインティングＢｐｈ＝ｆ・Ｐｐｈ、
Ｖ方向のポインティングＢｐｖ＝ｆ・Ｐｐｖ
ただし、ｆは、ビームポインティング計測器４２の集光光学系４２３の焦点距離であってもよい。
次に、ビーム計測制御部８は、計算したビームポインティングデータを、レーザ制御部２と、ウエハデータ収集制御部３とに送信してもよい（ステップＳ４２４）。その後、図１３のステップＳ４０５の処理を行ってもよい。
図１７は、ビーム計測制御部８によるビームポインティングの計算方法の一例を概略的に示している。図１７には、イメージセンサ４２１で取得された画像データを模式的に示す。
ビーム計測制御部８は、Ｈ方向及びＶ方向におけるポインティング（Ｂｐｈ、Ｂｐｖ）を、イメージセンサ４２１で取得された画像データに基づいて、ビームの重心の位置を算出することにより計算してもよい。また、ビーム計測制御部８は、Ｈ方向及びＶ方向におけるビームダイバージェンス（Ｂｄｈ、Ｂｄｖ）を、ピーク値に対して光強度が一定の割合、例えば、１／ｅ2となる領域の幅として計算してもよい。また、ビーム計測制御部８は、ビームダイバージェンス（Ｂｄｈ、Ｂｄｖ）を、ピーク値に対して光強度が一定の割合、例えば５％〜１０％となる領域の幅として算出してもよい。
図１８は、図１３に示したフローチャートにおけるステップＳ４０５の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。
ビーム計測制御部８は、図示しない記憶部から、偏光計測器４１のイメージセンサ４１１の画像データにおける各ピクセルデータを読み出してもよい（ステップＳ４３１）。次に、ビーム計測制御部８は、Ｖ方向の偏光成分のピーク強度Ｐｖと、Ｈ方向の偏光成分のピーク強度Ｐｈとを計算してもよい（ステップＳ４３２）。
次に、ビーム計測制御部８は、偏光度Ｐを以下のように、計算してもよい（ステップＳ４３３）
Ｐ＝（Ｐｈ−Ｐｖ）／（Ｐｈ＋Ｐｖ）
次に、ビーム計測制御部８は、計算した偏光度Ｐを示す偏光データを、レーザ制御部２と、ウエハデータ収集制御部３とに送信してもよい（ステップＳ４３４）。その後、図１３のステップＳ４０６の処理を行ってもよい。
図１９は、偏光成分のピーク強度Ｐｖ，Ｐｈの一例を概略的に示している。図１９には、イメージセンサ４１１で取得された画像データを模式的に示す。
なお、Ｖ方向の偏光成分における光強度を積分した値、及びＨ方向の偏光成分における光強度を積分した値をピーク強度Ｐｖ，Ｐｈとして求めてもよい。
［２．３ エネルギ制御システム］
図２０は、レーザ装置管理システムにおけるエネルギ制御に関わる部分の一構成例を概略的に示している。図２１は、エネルギ制御部６のエネルギ制御に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。
エネルギ制御部６は、エネルギ制御パラメータＰｅｇの設定と読み込みとを行ってもよい（ステップＳ５０１）。ここで、エネルギ制御部６は、充電電圧Ｖの初期値をＶ＝Ｖ０に設定してもよい。また、エネルギ制御部６は、レーザ制御部２を介してパルスエネルギ係数Ｖｋの読み込みを行ってもよい。
次に、エネルギ制御部６は、レーザ制御部２を介して、露光装置制御部５からの目標パルスエネルギＥｔの読み込みを行ってもよい（ステップＳ５０２）。
次に、エネルギ制御部６は、レーザ発振したか否かを判断してもよい（ステップＳ５０３）。エネルギ制御部６は、例えば、露光制御装置５からの発光トリガ信号Ｓｔｒに基づいて、レーザ発振したか否かを判断してもよい。又は、エネルギ制御部６は、例えば、パルスエネルギ計測器３３で検出されたパルスエネルギＥに基づいて、レーザ発振したか否かを判断してもよい。
エネルギ制御部６は、レーザ発振していないと判断した場合（ステップＳ５０３；Ｎ）には、ステップＳ５０３の処理を繰り返してもよい。
一方、レーザ発振したと判断した場合（ステップＳ５０３；Ｙ）には、エネルギ制御部６は、次に、パルスエネルギ計測器３３によってパルスエネルギＥの計測を行ってもよい（ステップＳ５０４）。
次に、エネルギ制御部６は、ウエハデータ収集制御部３とレーザ制御部２とに、計測されたパルスエネルギＥと充電電圧Ｖとのデータを送信してもよい（ステップＳ５０５）。
次に、エネルギ制御部６は、計測されたパルスエネルギＥと目標パルスエネルギＥｔとの差ΔＥ（＝Ｅ−Ｅｔ）の計算をしてもよい（ステップＳ５０６）。
次に、エネルギ制御部６は、ΔＥに基づいて、以下の式のように、次の充電電圧Ｖを計算してもよい（ステップＳ５０７）。パルスエネルギ係数Ｖｋは、ΔＥを充電電圧Ｖの変化量に変換する比例係数であってもよい。
Ｖ＝Ｖ＋Ｖｋ・ΔＥ
次に、エネルギ制御部６は、計算した充電電圧Ｖを示す充電電圧データＤｖを充電器９０に送信することにより、充電器９０に充電電圧Ｖを設定してもよい（ステップＳ５０８）。
次に、エネルギ制御部６は、目標パルスエネルギＥｔを変更するか否かを判断してもよい（ステップＳ５０９）。エネルギ制御部６は、目標パルスエネルギＥｔを変更すると判断した場合（ステップＳ５０９；Ｙ）には、ステップＳ５０２の処理に戻ってもよい。
一方、目標パルスエネルギＥｔを変更しないと判断した場合（ステップＳ５０９；Ｎ）には、エネルギ制御部６は、次に、エネルギ制御を終了するか否かを判断してもよい（ステップＳ５１０）。
エネルギ制御部６は、エネルギ制御を終了しないと判断した場合（ステップＳ５１０；Ｎ）には、ステップＳ５０３の処理に戻ってもよい。一方、エネルギ制御を終了すると判断した場合（ステップＳ５１０；Ｙ）には、エネルギ制御部６は、エネルギ制御の処理を終了してもよい。
［２．４ スペクトル制御システム］
（２．４．１ 構成）
図２２は、レーザ装置管理システムにおけるスペクトル制御に関わる部分の一構成例を概略的に示している。図２３及び図２４は、狭帯域化モジュール１０及びスペクトル可変部６０の一構成例を概略的に示している。なお、図２３はＶ方向から見た構成例、図２４はＨ方向から見た構成例を示している。
スペクトル可変部６０のシリンドリカル凹レンズ６１は、シリンドリカル平凹レンズであってもよい。シリンドリカル凸レンズ６２は、シリンドリカル平凸レンズであってもよい。シリンドリカル凸レンズ６２における出力結合ミラー３５側のレンズ面には、部分反射膜（ＰＲ膜）６４が設けられていてもよい。
シリンドリカル凹レンズ６１は、ホルダ６６によって保持されていてもよい。シリンドリカル凸レンズ６２は、ホルダ６５によって保持されていてもよい。リニアステージ６３は、ホルダ６６を介してシリンドリカル凹レンズ６１に取り付けられていてもよい。
（２．４．２ 動作）
図２５は、スペクトル制御部７の波長制御に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。
スペクトル制御部７は、波長制御のためのスペクトル制御パラメータＰλｃの設定と読み込みとを行ってもよい（ステップＳ６０１）。ここで、スペクトル制御部７は、狭帯域化モジュール１０の回転ステージ１４の回転ステージ角度θの初期値をθ＝θ０に設定してもよい。また、スペクトル制御部７は、レーザ制御部２を介して波長係数λｋの読み込みを行ってもよい。
次に、スペクトル制御部７は、レーザ制御部２を介して、露光装置制御部５からの目標波長λｔの読み込みを行ってもよい（ステップＳ６０２）。
次に、スペクトル制御部７は、レーザ発振したか否かを判断してもよい（ステップＳ６０３）。スペクトル制御部７は、レーザ発振していないと判断した場合（ステップＳ６０３；Ｎ）には、ステップＳ６０３の処理を繰り返してもよい。
一方、レーザ発振したと判断した場合（ステップＳ６０３；Ｙ）には、スペクトル制御部７は、次に、スペクトル計測器３４によって波長λの計測を行ってもよい（ステップＳ６０４）。
次に、スペクトル制御部７は、ウエハデータ収集制御部３とレーザ制御部２とに、計測された波長λのデータを送信してもよい（ステップＳ６０５）。
次に、スペクトル制御部７は、計測された波長λと目標波長λｔとの差δλ（＝λ−λｔ）の計算をしてもよい（ステップＳ６０６）。
次に、スペクトル制御部７は、δλに基づいて、以下の式のように、次の回転ステージ角度θを計算してもよい（ステップＳ６０７）。波長係数λｋは、δλを回転ステージ角度θの変化量に変換する比例係数であってもよい。
θ＝θ＋λｋ・δλ
次に、スペクトル制御部７は、回転ステージ角度がθとなるように、ステージ角度制御信号Ｓθを、狭帯域化モジュール１０の回転ステージ１４に送信してもよい（ステップＳ６０８）。
次に、スペクトル制御部７は、目標波長λｔを変更するか否かを判断してもよい（ステップＳ６０９）。スペクトル制御部７は、目標波長λｔを変更すると判断した場合（ステップＳ６０９；Ｙ）には、ステップＳ６０２の処理に戻ってもよい。
一方、目標波長λｔを変更しないと判断した場合（ステップＳ６０９；Ｎ）には、スペクトル制御部７は、次に、波長制御を終了するか否かを判断してもよい（ステップＳ６１０）。
スペクトル制御部７は、波長制御を終了しないと判断した場合（ステップＳ６１０；Ｎ）には、ステップＳ６０３の処理に戻ってもよい。一方、波長制御を終了すると判断した場合（ステップＳ６１０；Ｙ）には、スペクトル制御部７は、波長制御の処理を終了してもよい。
図２６は、スペクトル制御部７のスペクトル線幅制御に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。
スペクトル制御部７は、スペクトル線幅制御のためのスペクトル制御パラメータＰλｃの設定と読み込みとを行ってもよい（ステップＳ６１１）。ここで、スペクトル制御部７は、スペクトル可変部６０のリニアステージ６３の位置Ｘの初期値をＸ＝Ｘ０に設定してもよい。また、スペクトル制御部７は、レーザ制御部２を介してスペクトル線幅係数Δλｋの読み込みを行ってもよい。
次に、スペクトル制御部７は、レーザ制御部２を介して、露光装置制御部５からの目標スペクトル線幅Δλｔの読み込みを行ってもよい（ステップＳ６１２）。
次に、スペクトル制御部７は、レーザ発振したか否かを判断してもよい（ステップＳ６１３）。スペクトル制御部７は、レーザ発振していないと判断した場合（ステップＳ６１３；Ｎ）には、ステップＳ６１３の処理を繰り返してもよい。
一方、レーザ発振したと判断した場合（ステップＳ６１３；Ｙ）には、スペクトル制御部７は、次に、スペクトル計測器３４によってスペクトル線幅Δλの計測を行ってもよい（ステップＳ６１４）。
次に、スペクトル制御部７は、ウエハデータ収集制御部３とレーザ制御部２とに、計測されたスペクトル線幅Δλのデータを送信してもよい（ステップＳ６１５）。
次に、スペクトル制御部７は、計測されたスペクトル線幅Δλと目標スペクトル線幅Δλｔとの差ΔΔλ（＝Δλ−Δλｔ）の計算をしてもよい（ステップＳ６１６）。
次に、スペクトル制御部７は、Δλに基づいて、以下の式のように、次のリニアステージ６３の位置Ｘを計算してもよい（ステップＳ６１７）。スペクトル線幅係数Δλｋは、Δλを位置Ｘの変化量に変換する比例係数であってもよい。
Ｘ＝Ｘ＋Δλｋ・Δλ
次に、スペクトル制御部７は、リニアステージ６３の位置がＸとなるように、ステージ位置制御信号Ｓｘを、スペクトル可変部６０のリニアステージ６３に送信してもよい（ステップＳ６１８）。
次に、スペクトル制御部７は、目標スペクトル線幅Δλｔを変更するか否かを判断してもよい（ステップＳ６１９）。スペクトル制御部７は、目標スペクトル線幅Δλｔを変更すると判断した場合（ステップＳ６１９；Ｙ）には、ステップＳ６１２の処理に戻ってもよい。
一方、目標スペクトル線幅Δλｔを変更しないと判断した場合（ステップＳ６１９；Ｎ）には、スペクトル制御部７は、次に、スペクトル線幅制御を終了するか否かを判断してもよい（ステップＳ６２０）。
スペクトル制御部７は、スペクトル線幅制御を終了しないと判断した場合（ステップＳ６２０；Ｎ）には、ステップＳ６１３の処理に戻ってもよい。一方、スペクトル線幅制御を終了すると判断した場合（ステップＳ６２０；Ｙ）には、スペクトル制御部７は、スペクトル線幅制御の処理を終了してもよい。
［２．５ ガス制御システム］
図２７は、レーザ装置管理システムにおけるガス制御に関わる部分の一構成例を概略的に示している。図２８は、レーザ装置管理システムにおけるガス制御部９のガス圧制御に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。
（ガス圧制御）
ガス制御部９は、ガス圧制御のためのガス制御パラメータＰｇｓの読み込みを行ってもよい（ステップＳ７０１）。ここで、ガス制御部９は、ガス圧制御のためのガス制御パラメータＰｇｓとして、レーザ制御部２を介して、最小充電電圧Ｖｍｉｎと、最大充電電圧Ｖｍａｘと、ガス圧可変量ΔＰとの読み込みを行ってもよい。
次に、ガス制御部９は、圧力センサによって計測されたレーザチャンバ２０内のガス圧Ｐの読み込みを行ってもよい（ステップＳ７０２）。
次に、ガス制御部９は、ウエハデータ収集制御部３とレーザ制御部２とに、計測されたガス圧Ｐのデータを送信してもよい（ステップＳ７０３）。
次に、ガス制御部９は、レーザ制御部２を介して充電電圧Ｖのデータを受信してもよい（ステップＳ７０４）。
次に、ガス制御部９は、充電電圧Ｖの値を、最小充電電圧Ｖｍｉｎ及び最大充電電圧Ｖｍａｘと比較してもよい（ステップＳ７０５）。Ｖｍａｘ≧Ｖ≧Ｖｍｉｎの場合には、ガス制御部９は、ガス圧制御を終了するか否かを判断してもよい（ステップＳ７０９）。
また、Ｖ＞Ｖｍａｘの場合には、ガス制御部９は、レーザガス供給装置９１を制御して、ガス圧Ｐがガス圧可変量ΔＰだけ増加するように、レーザチャンバ２０内にＡｒ＋Ｎｅ混合ガスを注入してもよい（ステップＳ７０６）。次に、ガス制御部９は、Ａｒ＋Ｎｅ混合ガスがΔＰ消費されたことを示すデータをレーザ制御部２に送信してもよい（ステップＳ７０７）。レーザ制御部２は、このΔＰを積算することによって、ガス圧制御によるＡｒ＋Ｎｅ混合ガスのトータルの消費量を計算し得る。その後、ガス制御部９は、ガス圧制御を終了するか否かを判断してもよい（ステップＳ７０９）。
また、Ｖ＜Ｖｍｉｎの場合には、ガス制御部９は、レーザガス排気装置９２を制御して、ガス圧Ｐがガス圧可変量ΔＰだけ減少するように、レーザチャンバ２０内のガスを排気してもよい（ステップＳ７０８）。その後、ガス制御部９は、ガス圧制御を終了するか否かを判断してもよい（ステップＳ７０９）。
ガス制御部９は、ガス圧制御を終了しないと判断した場合（ステップＳ７０９；Ｎ）には、ステップＳ７０２の処理に戻ってもよい。一方、ガス圧制御を終了すると判断した場合（ステップＳ７０９；Ｙ）には、ガス制御部９は、ガス圧制御の処理を終了してもよい。
（部分ガス交換制御）
図２９は、ガス制御部９の部分ガス交換制御に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。
ガス制御部９は、部分ガス交換制御のためのガス制御パラメータＰｇｓの読み込みを行ってもよい（ステップＳ７１１）。ここで、ガス制御部９は、部分ガス交換制御のためのガス制御パラメータＰｇｓとして、部分ガス交換周期Ｔｐｇと、Ａｒ＋Ｎｅ混合ガスの注入係数Ｋｐｇと、Ａｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスの注入係数Ｋｈｇとの読み込みを行ってもよい。Ｋｐｇは、単位発振パルス当たりのＡｒ＋Ｎｅガスの注入量であってもよい。Ｋｈｇは、単位発振パルス当たりのＡｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスの注入量であってもよい。
次に、ガス制御部９は、パルス数のカウンタ値Ｎの初期値をＮ＝０に設定してもよい（ステップＳ７１２）。次に、ガス制御部９は、タイマＴをリセットスタートさせてもよい（ステップＳ７１３）。
次に、ガス制御部９は、レーザ発振したか否かを判断してもよい（ステップＳ７１４）。ガス制御部９は、レーザ発振していないと判断した場合（ステップＳ７１４；Ｎ）には、ステップＳ７１４の処理を繰り返してもよい。
一方、レーザ発振したと判断した場合（ステップＳ７１４；Ｙ）には、ガス制御部９は、次に、パルス数のカウンタ値ＮをＮ＋１に設定してもよい（ステップＳ７１５）。
次に、ガス制御部９は、タイマＴの値が部分ガス交換周期Ｔｐｇに達したか否かを判断してもよい（ステップＳ７１６）。これにより、ガス制御部９は、部分ガス交換周期Ｔｐｇにおけるレーザ発振のパルス数を計測してもよい。ガス制御部９は、タイマＴの値が部分ガス交換周期Ｔｐｇに達していないと判断した場合（ステップＳ７１６；Ｎ）には、ステップＳ７１４の処理に戻ってもよい。
一方、タイマＴの値が部分ガス交換周期Ｔｐｇに達したと判断した場合（ステップＳ７１６；Ｙ）には、ガス制御部９は、次に、圧力センサによって計測されたレーザチャンバ２０内のガス圧Ｐの読み込みを行ってもよい（ステップＳ７１７）。
次に、ガス制御部９は、ウエハデータ収集制御部３とレーザ制御部２とに、計測されたガス圧Ｐのデータを送信してもよい（ステップＳ７１８）。
次に、ガス制御部９は、後述の図３０に示す部分ガス交換の処理を行ってもよい（ステップＳ７１９）。
ガス制御部９は、次に、部分ガス交換制御を終了するか否かを判断してもよい（ステップＳ７２０）。ガス制御部９は、部分ガス交換制御を終了しないと判断した場合（ステップＳ７２０；Ｎ）には、ステップＳ７１２の処理に戻ってもよい。一方、部分ガス交換制御を終了すると判断した場合（ステップＳ７２０；Ｙ）には、ガス制御部９は、部分ガス交換制御の処理を終了してもよい。
図３０は、図２９に示したフローチャートにおけるステップＳ７１９の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。
ガス制御部９は、Ａｒ＋Ｎｅ混合ガスの注入係数Ｋｐｇと、部分ガス交換周期Ｔｐｇにおけるレーザ発振のパルス数Ｎとから、ΔＰｐｇ（＝Ｋｐｇ・Ｎ）の計算をしてもよい（ステップＳ７２１）。
次に、ガス制御部９は、ガス圧ＰがΔＰｐｇだけ増加するように、レーザチャンバ２０内にＡｒ＋Ｎｅ混合ガスを注入してもよい（ステップＳ７２２）。
次に、ガス制御部９は、Ａｒ＋Ｎｅ混合ガスがΔＰｐｇ消費されたことを示すデータをレーザ制御部２に送信してもよい（ステップＳ７２３）。レーザ制御部２は、このΔＰｐｇを積算することによって、ガス圧制御によるＡｒ＋Ｎｅ混合ガスのトータルの消費量を計算し得る。
次に、ガス制御部９は、Ａｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスの注入係数Ｋｈｇと、部分ガス交換周期Ｔｐｇにおけるレーザ発振のパルス数Ｎとから、ΔＰｈｇ（＝Ｋｈｇ・Ｎ）の計算をしてもよい（ステップＳ７２４）。
次に、ガス制御部９は、ガス圧ＰがΔＰｈｇだけ増加するように、レーザチャンバ２０内にＡｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスを注入してもよい（ステップＳ７２５）。
次に、ガス制御部９は、Ａｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスがΔＰｈｇ消費されたことを示すデータをレーザ制御部２に送信してもよい（ステップＳ７２６）。レーザ制御部２は、このΔＰｈｇを積算することによって、ガス圧制御によるＡｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスのトータルの消費量を計算し得る。
次に、ガス制御部９は、ガス圧Ｐが（ΔＰｐｇ＋ΔＰｈｇ）だけ減少するように、レーザチャンバ２０内のガスを排気してもよい（ステップＳ７２７）。その後、ガス制御部９は、図２９のステップＳ７２０の処理を行ってもよい。
［２．６ その他の制御システム］
（２．６．１ 構成）
（電力ラインシステム）
図３１は、レーザ装置管理システムにおける消費電力の計測に関わる部分の一構成例を概略的に示している。
レーザ装置１における消費電力は、レーザ装置１に供給される大元のＡＣライン５０１に電力計５０２を配置して計測してもよい。ＡＣライン５０１は、充電器９０と、モータ２７と、その他の各種装置５０３とに接続されてもよい。その他の各種装置５０３は、例えば、電装系や、各種制御部が含まれていてもよい。
また、消費電力は各部の制御パラメータから計算によって求めてもよい。
例えば、レーザチャンバ２０における放電の消費電力Ｗｐは、充電電圧Ｖと後述の図４０に示す充電コンデンサ６１０の容量Ｃ０と、繰り返し周波数Ｒｅｐとから、以下のように求められ得る。
Ｗｐ＝（１／２）Ｃ０・Ｖ2・Ｒｅｐ
クロスフローファン２６の消費電力Ｗｃは、クロスフローファン２６の回転数と、レーザチャンバ２０内のガス圧Ｐとから、以下のように求められ得る。
Ｗｃ＝（α・Ｐ＋β）・（ω／ω０）３
Ｗｃ：クロスフローファン２６のｋＷ数、α：ガス圧係数、Ｐ：ガス圧、β：オフセット定数、ω：回転数、ω０：基準の回転数（αとβを求めた時の回転数）
その他は、一定消費電力Ｗｏとして計算してもよい。従って、消費電力Ｗ＝Ｗｐ＋Ｗｃ＋Ｗｏとして近似的に計算してもよい。
（冷却水ラインシステム）
図３２は、レーザ装置管理システムにおける冷却水流量の計測に関わる部分の一構成例を概略的に示している。
冷却水５１０は、主に充電器９０、パルスパワーモジュール２８、レーザチャンバ２０の熱交換器５１６、及びモータ２７等の冷却水ラインに流されてもよい。それぞれの冷却水ラインに流量計５１１，５１２，５１３，５１４を配置して、それらの冷却水流量Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４の総和からトータルの冷却水量Ｆを計算してもよい。
冷却水５１０の入口には、流量調節バルブ５１５が設けられていてもよい。
その他、上記した例に限らず、冷却水入口、又は冷却水出口に冷却水流量計を配置して、流量を計測してもよい。
（２．６．２ 動作）
（エコロジー計測の制御動作）
図３３は、レーザ制御部２によるエコロジー計測に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。
レーザ制御部２は、エコロジー計測のためのエコロジー関連パラメータＰｅｃの読み込みを行ってもよい（ステップＳ８０１）。ここで、レーザ制御部２は、エコロジー計測のためのエコロジー関連パラメータＰｅｃとして、エコロジー計測する計測周期Ｔｅｃｏｋの読み込みを行ってもよい。
次に、レーザ制御部２は、計測周期のタイマ（Ｔｅｃｏ）をリセットスタートさせてもよい（ステップＳ８０２）。
次に、レーザ制御部２は、ガス制御部９から受信したデータから、レーザチャンバ２０内に注入されたＡｒ＋Ｎｅ混合ガスのトータル圧ＰAr+Neと、レーザチャンバ２０内に注入されたＡｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスのトータル圧ＰAr+Ne+F2とを計算してもよい（ステップＳ８０３）。
次に、レーザ制御部２は、Ａｒ＋Ｎｅ混合ガス消費量ＱAr+Neと、Ａｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガス消費量ＱAr+Ne+F2とを、レーザチャンバ体積をＶｏ、大気圧を１０１３ｈｐａとして、以下の式のように計算してもよい（ステップＳ８０４）。
ＱAr+Ne＝Ｖｏ・ＰAr+Ne／１０１３、
ＱAr+Ne+F2＝Ｖｏ・ＰAr+Ne+F2／１０１３
次に、レーザ制御部２は、電力計５０２による消費電力Wの計測値の読み込みを行ってもよい（ステップＳ８０５）。次に、レーザ制御部２は、これまでの消費電力Wを積算して、これまでの消費電力量Wｈを計算してもよい（ステップＳ８０６）。
次に、レーザ制御部２は、各流量計５１１，５１２，５１３，５１４による流量Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４の計測値の読み込みを行ってもよい（ステップＳ８０７）。
次に、レーザ制御部２は、以下の式のように、流量Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４の総和から、トータルの冷却水流量Ｆの計算を行ってもよい（ステップＳ８０８）。
Ｆ＝Ｆ１＋Ｆ２＋Ｆ３＋Ｆ４
次に、レーザ制御部２は、これまでのトータルの冷却水流量Ｆを積算して、これまでのトータルの冷却水使用量Ｌの計算を行ってもよい（ステップＳ８０９）。
次に、レーザ制御部２は、計測時刻とトータルショット数とのデータの読み込みを行ってもよい（ステップＳ８１０）。
次に、レーザ制御部２は、計測時刻とトータルショット数とにおけるエコロジー関連データ（ＱAr+Ne、ＱAr+Ne+F2、Ｗ、Ｗｈ、Ｌ）を、サーバ１１０の第３のデータ領域１１０Ｃに書き込んでもよい（ステップＳ８１１）。
次に、レーザ制御部２は、計測周期のタイマ（Ｔｅｃｏ）の値が、計測周期Ｔｅｃｏｋに達したか否かを判断してもよい（ステップＳ８１２）。レーザ制御部２は、計測周期Ｔｅｃｏｋに達していないと判断した場合（ステップＳ８１２；Ｎ）には、ステップＳ８１２の処理を繰り返してもよい。
一方、計測周期Ｔｅｃｏｋに達したと判断した場合（ステップＳ８１２；Ｙ）には、レーザ制御部２は、エコロジー計測を終了するか否かを判断してもよい（ステップＳ８１３）。
レーザ制御部２は、エコロジー計測を終了しないと判断した場合（ステップＳ８１３；Ｎ）には、ステップＳ８０２の処理に戻ってもよい。一方、エコロジー計測を終了すると判断した場合（ステップＳ８１３；Ｙ）には、レーザ制御部２は、エコロジー計測の処理を終了してもよい。
（エラーログ取得の制御動作）
図３４は、レーザ制御部２のエラーログ取得に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。
レーザ制御部２は、エラーログ取得のためのエラーパラメータの初期設定を行ってもよい（ステップＳ９０１）。エラーログ取得のためのエラーパラメータには、エネルギ制御エラーパラメータΔＥｍａｘｌ，ΔＥｍｉｎｌと、スペクトル制御エラーパラメータδλｍａｘｌ，δλｍｉｎｌと、スペクトル制御エラーパラメータΔΔλｍａｘｌ，ΔΔλｍｉｎｌと、ガス制御エラーパラメータＶｍａｘｌ，Ｖｍｉｎｌとが含まれていてもよい。
ここで、ΔＥｍａｘｌは、目標パルスエネルギＥｔとの差ΔＥ（＝Ｅ−Ｅｔ）の最大限界値であってもよい。ΔＥｍｉｎｌは、目標パルスエネルギＥｔとの差ΔＥの最小限界値であってもよい。δλｍａｘｌは、目標波長λｔとの差δλ（＝λ−λｔ）の最大限界値であってもよい。δλｍｉｎｌは、目標波長λｔとの差δλの最小限界値であってもよい。ΔΔλｍａｘｌは、目標スペクトル線幅Δλｔとの差ΔΔλ（＝Δλ−Δλｔ）の最大限界値であってもよい。ΔΔλｍｉｎｌは、目標スペクトル線幅Δλｔとの差ΔΔλの最小限界値であってもよい。Ｖｍａｘｌは、充電電圧Ｖの最大限界値であってもよい。Ｖｍｉｎｌは、充電電圧Ｖの最小限界値であってもよい。
次に、レーザ制御部２は、目標パルスエネルギＥｔとの差ΔＥの読み込みを行ってもよい（ステップＳ９０２）。
次に、レーザ制御部２は、ΔＥｍｉｎｌ≦ΔＥ≦ΔＥｍａｘの条件を満足するか否かを判断してもよい（ステップＳ９０３）。レーザ制御部２は、ΔＥｍｉｎｌ≦ΔＥ≦ΔＥｍａｘの条件を満足していないと判断した場合（ステップＳ９０３；Ｎ）には、エネルギ制御エラーが生じているものとして、エラーログデータを取得してもよい（ステップＳ９０４）。その後、ステップＳ９１１の処理を行ってもよい。
一方、ΔＥｍｉｎｌ≦ΔＥ≦ΔＥｍａｘの条件を満足していると判断した場合（ステップＳ９０３；Ｙ）には、レーザ制御部２は、次に、δλｍｉｎｌ≦δλ≦δλｍａｘｌの条件を満足するか否かを判断してもよい（ステップＳ９０５）。
レーザ制御部２は、δλｍｉｎｌ≦δλ≦δλｍａｘｌの条件を満足していないと判断した場合（ステップＳ９０５；Ｎ）には、スペクトル制御エラーが生じているものとして、エラーログデータを取得してもよい（ステップＳ９０６）。その後、ステップＳ９１１の処理を行ってもよい。
一方、δλｍｉｎｌ≦δλ≦δλｍａｘｌの条件を満足していると判断した場合（ステップＳ９０５；Ｙ）には、レーザ制御部２は、次に、ΔΔλｍｉｎｌ≦ΔΔλ≦ΔΔλｍａｘｌの条件を満足するか否かを判断してもよい（ステップＳ９０７）。
レーザ制御部２は、ΔΔλｍｉｎｌ≦ΔΔλ≦ΔΔλｍａｘｌの条件を満足していないと判断した場合（ステップＳ９０７；Ｎ）には、スペクトル制御エラーが生じているものとして、エラーログデータを取得してもよい（ステップＳ９０８）。その後、ステップＳ９１１の処理を行ってもよい。
一方、ΔΔλｍｉｎｌ≦ΔΔλ≦ΔΔλｍａｘｌの条件を満足していると判断した場合（ステップＳ９０７；Ｙ）には、レーザ制御部２は、次に、Ｖｍｉｎｌ≦Ｖ≦Ｖｍａｘｌの条件を満足するか否かを判断してもよい（ステップＳ９０９）。
レーザ制御部２は、Ｖｍｉｎｌ≦Ｖ≦Ｖｍａｘｌの条件を満足していないと判断した場合（ステップＳ９０９；Ｎ）には、ガス制御エラーが生じているものとして、エラーログデータを取得してもよい（ステップＳ９１０）。その後、ステップＳ９１１の処理を行ってもよい。
一方、Ｖｍｉｎｌ≦Ｖ≦Ｖｍａｘｌの条件を満足していると判断した場合（ステップＳ９０９；Ｙ）には、レーザ制御部２は、次に、エラーログ取得の処理を終了するか否かを判断してもよい（ステップＳ９１４）。レーザ制御部２は、エラーログ取得の処理を終了しないと判断した場合（ステップＳ９１４；Ｎ）には、ステップＳ９０２の処理に戻ってもよい。一方、エラーログ取得の処理を終了すると判断した場合（ステップＳ９１４；Ｙ）には、レーザ制御部２は、データのエラーログ取得の処理を終了してもよい。
また、レーザ制御部２は、ステップＳ９１１の処理として、エラーログデータ取得時の時刻の読み込みを行ってもよい。次に、レーザ制御部２は、レーザ装置設置時からのトータルショット数の読み込みを行ってもよい（ステップＳ９１２）。次に、レーザ制御部２は、サーバ１１０の第１のデータ領域１１０Ａ、又は第３のデータ領域１１０Ｃに、時刻と、トータルショット数と、エラーログデータとを書き込みしてもよい（ステップＳ９１３）。その後、エラーログ取得の処理を終了してもよい。
［２．７ 変形例］
以上の説明では、レーザ装置１がＡｒＦエキシマレーザである例を示したが、この例に限定されることなく、例えば、ＫｒＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＦ等のエキシマレーザであってもよい。また、レアガスとバッファガスとの混合ガスと、レアガスとバッファガスとハロゲンガスとの混合ガスとをレーザチャンバ２０内に所定量入れることによって、レーザガスを生成してもよい。
また、以上の説明では、レーザ装置１がシングルチャンバ方式である例を示したが、この例に限定されない。例えば、出力結合ミラー３５とモニタモジュール３０との間の光路上にもう１台、レーザチャンバと光共振器とを配置した増幅器を含むレーザ装置であってもよい。
また、以上の説明では、レーザメーカとユーザとが、別々の端末から、サーバ１１０にアクセスする例を示したが、この例には限定されない。
例えば、図３５に示したように、１台の端末１１３に、レーザメーカの権限である第１のアクセス権限と、ユーザの権限である第２のアクセス権限とが設定されていてもよい。例えば、端末１１３としての１台のＰＣに、ＩＤとパスワードとを用いて第１のアクセス権限と第２のアクセス権限とが設定されていてもよい。
また、レーザ装置１とは別体として端末を設けるのではなく、例えば、レーザ装置１にコンソールパネルのような操作部を設け、操作部を操作する権限として、第１のアクセス権限と第２のアクセス権限とを設定してもよい。そして、レーザ装置１に設けられた操作部を介して、第１のアクセス権限又は第２のアクセス権限によってサーバ１１０にアクセスするようにしてもよい。
＜３．第２の実施形態＞（ユーザによる設定変更機能を有するレーザ装置管理システム）
次に、本開示の第２の実施形態に係るレーザ装置管理システムについて説明する。なお、以下では上記比較例、若しくは上記第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムの構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
［３．１ 構成、及び動作］
図３６は、本開示の第２の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるサーバ１１０の設定に関するシーケンス図を示している。図３７は、サーバ１１０のデータ領域における情報範囲の設定の一例を模式的に示している。
（データ保存期間の設定）
ウエハデータ収集制御部３の記憶部５２におけるデータの保存期間は、サーバ１１０を介して第２の端末１１２から設定、変更可能であってもよい（図３６のＴ１０１、Ｔ１０２）。ウエハデータ収集制御部３は、保存期間外のデータを記憶部５２から消去してもよい（図３６のＴ１０３）。なお、データの消去は、新しく受信したデータ等により上書きすることも含んでもよい。
（情報範囲の設定）
図３７に示したように、サーバ１１０の第１のデータ領域１１０Ａに格納される第１の情報の範囲は、第１の端末１１１から第１のアクセス権限によって変更可能であってもよい。第１の情報の範囲が変更されるのに伴って、第１のアクセス権限及び第２のアクセス権限の双方によってアクセス可能となる第３の情報の範囲が変更されてもよい。例えば、エコロジー関連パラメータＰｅｃ等の各種制御パラメータの１つを、第１のアクセス権限によって、第３の情報に含めるような変更を行ってもよい。
また、サーバ１１０の第２のデータ領域１１０Ｂに格納される第２の情報の範囲は、第２の端末１１２から第２のアクセス権限によって変更可能であってもよい。第２の情報の範囲が変更されるのに伴って、第１のアクセス権限及び第２のアクセス権限の双方によってアクセス可能となる第３の情報の範囲が変更されてもよい。例えば、第３の情報に含まれていたエコロジー関連データＤｅｃを、ウエハ露光関連情報に対応付けした上で、第２の情報に含めるような変更を、第２のアクセス権限によって行ってもよい。
第１の情報の範囲、及び第２の情報の範囲は、第１の端末１１１から第１のアクセス権限によってデフォルトの範囲に設定されてもよい（図３６のＴ１０４）。その後、第２の情報の範囲は、第２の端末１１２から第２のアクセス権限によって変更されてもよい（図３６のＴ１０５）。
その他の構成、及び動作は、上記比較例、又は上記第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムと略同様であってもよい。
［３．２ 作用・効果］
本実施形態のレーザ装置管理システムによれば、ユーザのみが参照可能な第２の情報の範囲を、ユーザ自身によって任意の範囲に変更し得る。また、ウエハデータ収集制御部３の記憶部５２におけるデータの保存期間をユーザ自身によって任意の期間に変更し得る。これにより、ユーザのみが参照可能な第２の情報の安全性を高めることが可能となり得る。
その他の作用・効果は、上記第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムと略同様であってもよい。
＜４．第３の実施形態＞（各部の具体例）
次に、本開示の第３の実施形態として、上記第１又は第２の実施形態のレーザ装置管理システムにおける各部の具体例を説明する。なお、以下では上記比較例、上記第１又は第２の実施形態に係るレーザ装置管理システムの構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
［４．１ モニタモジュールの具体例］
（４．１．１ 構成）
図３８は、上記第１又は第２の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるモニタモジュール３０の一構成例を概略的に示している。図３８には、モニタモジュール３０におけるスペクトル計測器３４を、モニタエタロン分光器とした場合の構成例を模式的に示している。
モニタモジュール３０は、ビームスプリッタ３１，３２と、パルスエネルギ計測器３３と、スペクトル計測器３４とを備えてもよい。
スペクトル計測器３４は、拡散素子３４１と、モニタエタロン３４２と、集光レンズ３４３と、イメージセンサ３４４とを含んでいてもよい。イメージセンサ３４４は、フォトダイオードアレイであってもよい。集光レンズ３４３の焦点距離はｆであってもよい。
パルスエネルギ計測器３３は、集光レンズ３３１と、光センサ３３２とを含んでいてもよい。光センサ３３３は、高速の紫外光に耐性があるフォトダイオードであってもよい。光センサ３３２は、集光レンズ３３１の略集光位置に配置されてもよい。
ビームスプリッタ３１は、出力結合ミラー３５から出力されたパルスレーザ光Ｌｐの光路上に配置されていてもよい。ビームスプリッタ３２は、ビームスプリッタ３１で反射されたパルスレーザ光Ｌｐの光路上に配置されていてもよい。ビームスプリッタ３２は、反射光がパルスエネルギ計測器３３に入射し、透過光がスペクトル計測器３４に入射するように配置されていてもよい。
（４．１．２ 動作）
出力結合ミラー３５から出力されたパルスレーザ光Ｌｐは、ビームスプリッタ３１とビームスプリッタ３２とによって一部がパルスエネルギＥを検出するためのサンプル光として、パルスエネルギ計測器３３に入射し得る。パルスエネルギ計測器３３に入射したサンプル光は、集光レンズ３３１によって光センサ３３２のセンサ面上に集光され得る。これにより、パルスエネルギ計測器３３では、出力結合ミラー３５から出力されるパルスレーザ光ＬｐのパルスエネルギＥを検出し得る。パルスエネルギ計測器３３は検出したパルスエネルギＥのデータを、エネルギ制御部６に送信してもよい。
一方、ビームスプリッタ３２を透過した光は、まず、拡散素子３４１に入射してもよい。拡散素子３４１は、入射した光を散乱させてもよい。この散乱光は、モニタエタロン３４２に入射してもよい。モニタエタロン３４２を透過した光は、集光レンズ３４３に入射し、集光レンズ３４３の焦点面上に干渉縞を生成し得る。
イメージセンサ３４４は、集光レンズ３４３の焦点面に配置されてもよい。イメージセンサ３４４は、焦点面上の干渉縞を検出してもよい。この干渉縞の半径ｒの２乗は、パルスレーザ光Ｌｐの波長λと比例関係にあり得る。そのため、検出した干渉縞からパルスレーザ光Ｌｐのスペクトルプロファイルとしてのスペクトル線幅Δλと中心波長とを検出し得る。スペクトル線幅Δλと中心波長は、検出した干渉縞から図示しない情報処理装置によって求めてもよいし、スペクトル制御部７で算出してもよい。
干渉縞の半径ｒと波長λの関係は、以下の（１）式で近似され得る。
λ＝λｃ＋αｒ2 ……（１）
ただし、
α：比例定数、
ｒ：干渉縞の半径、
λｃ：干渉縞の中央の光強度が最大となった時の波長
とする。
図３９は、スペクトル計測器３４によって計測されるスペクトル線幅Δλの一例を模式的に示している。
上記（１）式から、干渉縞を光強度と波長λの関係のスペクトル波形に変換した後、Ｅ９５をスペクトル線幅Δλとして計算してもよい。また、スペクトル波形の半値全幅をスペクトル線幅Δλとしてもよい。
（その他）
なお、本実施形態では、波長λの計測とスペクトル線幅Δλの計測とを１つのモニタエタロン３４２で行う例を示したがこの例に限定されない。例えば、分解能の異なるモニタエタロンを複数個配置して、干渉縞をそれぞれ複数のラインセンサで計測してもよい。この場合、集光レンズ３４３の焦点距離を長くし、ＦＳＲ（Free Spectral Range）が小さく、分解能の高いモニタエタロンを用いて、スペクトル線幅Δλを計測してもよい。
また、干渉縞の波形や干渉縞のピーク光量のデータを、所定ショット数毎に計測して、レーザメーカのみが参照可能なサーバ１１０の第１のデータ領域に保存しておいてもよい。
［４．２ パルスパワーモジュール２８の具体例］
（４．２．１ 構成）
図４０は、上記第１又は第２の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるパルスパワーモジュール２８の一構成例を概略的に示している。
パルスパワーモジュール２８は、充電コンデンサ６１０と、半導体スイッチ６２１と、トランスＴＣ１と、磁気スイッチＭＳ１，ＭＳ２，ＭＳ３と、コンデンサ６１１，６１２，６１３とを含んでもよい。
充電コンデンサ６１０の容量はＣ０であってもよい。コンデンサ６１１の容量はＣ１であってもよい。コンデンサ６１２の容量はＣ２であってもよい。コンデンサ６１３の容量はＣ３であってもよい。
パルスパワーモジュール２８は、充電器９０及びレーザチャンバ２０に電気的に接続されてもよい。パルスパワーモジュール２８及び充電器９０は、レーザ制御部２に電気的に接続されてもよい。
レーザチャンバ２０において、放電電極２３は、電流導入端子６０１を介してパルスパワーモジュール２８に電気的に接続されてもよい。放電電極２４は、電極ホルダ６０２を介してパルスパワーモジュール２８に電気的に接続されてもよい。
（４．２．２ 動作）
充電器９０は、レーザ制御部２から充電電圧Ｖの信号を受信すると、充電コンデンサ６１０に充電電圧Ｖを印加してもよい。充電電圧Ｖによって充電コンデンサ６１０に蓄えられるエネルギは、充電コンデンサ６１０の容量をＣ０とすると、（１／２）Ｃ０・Ｖ2であってもよい。レーザチャンバ２０における１パルス当たりの放電のエネルギＥｄは、Ｅｄ＝（１／２）Ｃ０・Ｖ2であってもよい。放電の消費電力Ｗｐは、パルスの繰り返し周波数をＲｅｐとすると。Ｗｐ＝Ｒｅｐ・（１／２）Ｃ０・Ｖ2であってもよい。
レーザ制御部２は、パルスパワーモジュール２８の半導体スイッチ６２１に発振トリガＴｒ１を送信することによって、パルスパワーモジュール２８にパルス電圧を生じさせてもよい。
パルスパワーモジュール２８におけるトランスＴＣ１、磁気スイッチＭＳ１，ＭＳ２，ＭＳ３、及びコンデンサ６１１，６１２，６１３は、磁気パルス圧縮回路を形成してもよい。パルスパワーモジュール２８における磁気パルス圧縮回路によって、パルス電圧のパルス幅は、圧縮されてもよい。
パルス幅が圧縮されたパルス電圧は、レーザチャンバ２０における電流導入端子６０１及び電極ホルダ６０２に印加されてもよい。これにより、電流導入端子６０１及び電極ホルダ６０２を介して、パルス電圧が放電電極２３と放電電極２４との間に印加されてもよい。放電電極２３と放電電極２４との間に印加されたパルス電圧によって、放電電極２３と放電電極２４との間に供給されたレーザガスに放電を生じさせてもよい。このレーザガスの放電によってパルスレーザ光Ｌｐを生じさせてもよい。
放電電極２３と放電電極２４との間に供給されるレーザガスは、クロスフローファン２６によってレーザチャンバ２０内で循環させられてもよい。クロスフローファン２６によって循環させられるレーザガスは、熱交換器５１６によって冷却させられてもよい。
その他の構成、及び動作等は、上記比較例、上記第１又は第２の実施形態に係るレーザ装置管理システムと略同様であってもよい。
＜５．制御部のハードウエア環境＞
当業者は、汎用コンピュータ又はプログラマブルコントローラにプログラムモジュール又はソフトウエアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャーなどを含む。
図４１は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウエア環境を示すブロック図である。図４１の例示的なハードウエア環境１００は、処理ユニット１０００と、ストレージユニット１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とを含んでもよいが、ハードウエア環境１００の構成は、これに限定されない。
処理ユニット１０００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１００１と、メモリ１００２と、タイマ１００３と、画像処理ユニット（ＧＰＵ）１００４とを含んでもよい。メモリ１００２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）とを含んでもよい。ＣＰＵ１００１は、市販のプロセッサのいずれでもよい。デュアルマイクロプロセッサや他のマルチプロセッサアーキテクチャが、ＣＰＵ１００１として使用されてもよい。
図４１におけるこれらの構成物は、本開示において記載されるプロセスを実行するために、相互に接続されていてもよい。
動作において、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５に保存されたプログラムを読み込んで、実行してもよい。また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５からプログラムと一緒にデータを読み込んでもよい。また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５にデータを書き込んでもよい。ＣＰＵ１００１は、ストレージユニット１００５から読み込んだプログラムを実行してもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１によって実行されるプログラム及びＣＰＵ１００１の動作に使用されるデータを、一時的に保管する作業領域であってもよい。タイマ１００３は、時間間隔を計測して、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に計測結果を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、ストレージユニット１００５から読み込まれるプログラムに従って、画像データを処理し、処理結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。
パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、回転ステージ１４、リニアステージ６３、レーザ制御部２、ウエハデータ収集制御部３、露光装置制御部５、エネルギ制御部６、スペクトル制御部７、ビーム計測制御部８、及びガス制御部９等の、処理ユニット１０００と通信可能なパラレルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらパラレルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、レーザ制御部２、ウエハデータ収集制御部３、露光装置制御部５、エネルギ制御部６、スペクトル制御部７、ビーム計測制御部８、及びガス制御部９等の、処理ユニット１０００と通信可能な複数のシリアルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれら複数のシリアルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して、各種センサや、イメージセンサ４１１，４２１，４３１、イメージセンサ３４４、及び光センサ３３２等のアナログデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらアナログデバイスとの間の通信を制御したり、通信内容のＡ／Ｄ、Ｄ／Ａ変換を行ってもよい。
ユーザインターフェイス１０１０は、操作者が処理ユニット１０００にプログラムの停止や、割込みルーチンの実行を指示できるように、処理ユニット１０００によって実行されるプログラムの進捗を操作者に表示してもよい。
例示的なハードウエア環境１００は、本開示における露光装置制御部５、及びレーザ制御部２等の構成に適用されてもよい。当業者は、それらのコントローラが分散コンピューティング環境、すなわち、通信ネットワークを介して繋がっている処理ユニットによってタスクが実行される環境において実現されてもよいことを理解するだろう。本開示において、露光装置制御部５、及びレーザ制御部２等は、イーサネット（登録商標）やインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムモジュールは、ローカル及びリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。
＜６．その他＞
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

Claims (12)

  1. 第１のアクセス権限によってアクセス可能となるようにアクセス制限された第１の情報と、第２のアクセス権限によってアクセス可能となるようにアクセス制限された第２の情報と、前記第１のアクセス権限及び前記第２のアクセス権限の双方によってアクセス可能となるようにアクセス制限された第３の情報とを格納するように構成されたサーバと、
    ウエハ露光を行う露光装置に向けてパルスレーザ光を出力するレーザ出力部と、前記第１の情報、前記第２の情報、及び前記第３の情報を前記サーバに保存する制御を行う制御部とを含むレーザ装置と
    を備え、
    前記第２の情報は、互いに対応付けられた、前記露光装置におけるウエハ露光関連情報と前記レーザ装置におけるレーザ制御関連情報とを含む
    レーザ装置管理システム。
  2. 前記第１の情報は、前記レーザ装置の制御に関する制御パラメータのデータを含む
    請求項１に記載のレーザ装置管理システム。
  3. 前記レーザ出力部は、レーザガスが供給されるレーザチャンバを含み、
    前記制御パラメータは、
    前記パルスレーザ光のパルスエネルギの制御に関するエネルギ制御パラメータ、
    前記パルスレーザ光の波長の制御に関するスペクトル制御パラメータ、
    及び、前記レーザガスの制御に関するガス制御パラメータのうちの少なくとも１つを含む
    請求項２に記載のレーザ装置管理システム。
  4. 前記第３の情報は、前記レーザ装置に関するログデータを含む
    請求項１に記載のレーザ装置管理システム。
  5. 前記ログデータは、互いに対応付けられた、前記パルスレーザ光のショット番号と前記レーザ制御関連情報とを含む
    請求項４に記載のレーザ装置管理システム。
  6. 前記ログデータは、前記パルスレーザ光のトータルショット数のデータを含む
    請求項４に記載のレーザ装置管理システム。
  7. 前記レーザ出力部は、レーザガスが供給されるレーザチャンバを含み、
    前記レーザ制御関連情報は、
    前記パルスレーザ光のビームのプロファイル及びポインティングのデータを含むビーム計測関連データ、
    前記パルスレーザ光のパルスエネルギの制御に関するエネルギ制御関連データ、
    前記パルスレーザ光の波長の制御に関するスペクトル制御関連データ、
    及び、前記レーザガスの制御に関するガス制御関連データのうちの少なくとも１つを含む
    請求項１に記載のレーザ装置管理システム。
  8. 前記ウエハ露光は、スキャン露光を行うことを含み、
    前記ウエハ露光関連情報は、前記ウエハ露光が行われるウエハに関するウエハ識別情報と、前記スキャン露光に関するスキャン識別情報とを含む
    請求項１に記載のレーザ装置管理システム。
  9. 前記レーザ装置は、前記第２の情報を所定の期間経過後に消去する記憶部を含む
    請求項１に記載のレーザ装置管理システム。
  10. 前記所定の期間は、前記第２のアクセス権限によって設定される
    請求項９に記載のレーザ装置管理システム。
  11. 前記第２の情報の範囲は、前記第２のアクセス権限によって変更可能である
    請求項１に記載のレーザ装置管理システム。
  12. 前記第１の情報の範囲は、前記第１のアクセス権限によって変更可能である
    請求項１に記載のレーザ装置管理システム。
JP2017546285A 2015-10-19 2015-10-19 レーザ装置管理システム Active JP6671387B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2015/079421 WO2017068619A1 (ja) 2015-10-19 2015-10-19 レーザ装置管理システム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2017068619A1 true JPWO2017068619A1 (ja) 2018-08-16
JP6671387B2 JP6671387B2 (ja) 2020-03-25

Family

ID=58557070

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017546285A Active JP6671387B2 (ja) 2015-10-19 2015-10-19 レーザ装置管理システム

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10394133B2 (ja)
JP (1) JP6671387B2 (ja)
CN (1) CN108028506B (ja)
WO (1) WO2017068619A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110799902B (zh) * 2017-08-29 2022-12-23 极光先进雷射株式会社 数据分析装置、半导体制造***、数据分析方法和半导体制造方法
WO2019102613A1 (ja) * 2017-11-27 2019-05-31 ギガフォトン株式会社 エキシマレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法
CN112771737B (zh) * 2018-11-08 2023-09-12 极光先进雷射株式会社 激光***和电子器件的制造方法
WO2022085146A1 (ja) * 2020-10-22 2022-04-28 ギガフォトン株式会社 レーザ装置、及び電子デバイスの製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002043219A (ja) * 2000-04-25 2002-02-08 Gigaphoton Inc レーザ装置管理システム
JP2002373847A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Canon Inc 露光装置および露光方法
JP2007172041A (ja) * 2005-12-19 2007-07-05 Internatl Business Mach Corp <Ibm> リソース・コンテンツのアクセス制御方法、システム、およびプログラム
JP2008134894A (ja) * 2006-11-29 2008-06-12 Kyocera Mita Corp データ管理装置
WO2014030645A1 (ja) * 2012-08-23 2014-02-27 ギガフォトン株式会社 光源装置及びデータ処理方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW376542B (en) * 1997-03-04 1999-12-11 Canon Kk Exposure unit, exposure system and device manufacturing method
US6442182B1 (en) 1999-02-12 2002-08-27 Lambda Physik Ag Device for on-line control of output power of vacuum-UV laser
US6735236B2 (en) 1999-09-03 2004-05-11 Cymer, Inc. High power gas discharge laser with line narrowing unit
JP2002084026A (ja) 2000-06-16 2002-03-22 Lambda Physik Ag Ｆ２レーザ
JP2003258337A (ja) 2002-03-06 2003-09-12 Komatsu Ltd レーザ装置用筐体の洗浄方法
JP2003283007A (ja) 2002-03-20 2003-10-03 Komatsu Ltd レーザ装置の筐体パージ機構
JP6275737B2 (ja) 2013-11-05 2018-02-07 ギガフォトン株式会社 レーザ装置及び非一過性のコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002043219A (ja) * 2000-04-25 2002-02-08 Gigaphoton Inc レーザ装置管理システム
JP2002373847A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Canon Inc 露光装置および露光方法
JP2007172041A (ja) * 2005-12-19 2007-07-05 Internatl Business Mach Corp <Ibm> リソース・コンテンツのアクセス制御方法、システム、およびプログラム
JP2008134894A (ja) * 2006-11-29 2008-06-12 Kyocera Mita Corp データ管理装置
WO2014030645A1 (ja) * 2012-08-23 2014-02-27 ギガフォトン株式会社 光源装置及びデータ処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10394133B2 (en) 2019-08-27
CN108028506B (zh) 2020-06-26
CN108028506A (zh) 2018-05-11
JP6671387B2 (ja) 2020-03-25
WO2017068619A1 (ja) 2017-04-27
US20180196347A1 (en) 2018-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6671387B2 (ja) レーザ装置管理システム
US9841684B2 (en) Light source apparatus and data processing method
CN108352673B (zh) 窄带化激光装置和谱线宽度计测装置
CN112771444B (zh) 激光***和电子器件的制造方法
US10151640B2 (en) Light beam measurement device, laser apparatus, and light beam separator
CN111316512B (zh) 准分子激光装置和电子器件的制造方法
JP2022133383A (ja) レーザ装置、及びレーザ装置管理システム、並びにレーザ装置の管理方法
CN109891689B (zh) 激光装置
US9647411B2 (en) Method of controlling wavelength of laser beam and laser apparatus
US11353857B2 (en) Data analyzer, semiconductor manufacturing system, data analysis method, and semiconductor manufacturing method
WO2018047280A1 (ja) レーザ装置
WO2015125286A1 (ja) レーザチャンバ
CN111194510B (zh) 准分子激光装置和电子器件的制造方法
JPWO2015049741A1 (ja) レーザ装置
CN115720624A (zh) 标准具中测量误差的确定

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20180906

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180910

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20180928

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190528

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20190726

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190917

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200218

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200303

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6671387

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250