JPWO2017056686A1 - 電力変換装置 - Google Patents
電力変換装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2017056686A1 JPWO2017056686A1 JP2017542975A JP2017542975A JPWO2017056686A1 JP WO2017056686 A1 JPWO2017056686 A1 JP WO2017056686A1 JP 2017542975 A JP2017542975 A JP 2017542975A JP 2017542975 A JP2017542975 A JP 2017542975A JP WO2017056686 A1 JPWO2017056686 A1 JP WO2017056686A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor plate
- conductor
- circuit
- terminal
- power converter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
- H01L23/3675—Cooling facilitated by shape of device characterised by the shape of the housing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/165—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/53—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M7/537—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/0601—Structure
- H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/401—Disposition
- H01L2224/40135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/40137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/401—Disposition
- H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/40245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
Description
以下、図1〜図8を参照して、本発明の電力変換装置の実施形態1を説明する。電力変換装置は、ハイブリッド自動車、電気自動車等の車両用、または電車や船舶、航空機用、さらには工場の設備等の産業用として用いられる。電力変換装置は、インバータ回路を内蔵し、直流電力を交流電力に変換して回転電機に供給する。また、回転電機からの交流電力を直流電力に変換する。電力変換回路は、コンデンサモジュールを内蔵する。コンデンサモジュールは、電力変換装置のIGBTのスイッチング動作によって生じる直流電圧の変動を抑制する平滑回路を構成するものである。インバータ回路は、複数個、例えば、3個のパワー半導体モジュールを備えており、各パワー半導体モジュールは3相ブリッジ回路を構成するように接続される。
なお、上下アーム直列回路の上アーム回路と下アーム回路の接続部である第一交流導体板320には、交流端子320Dが接続される。交流端子320Dは、図示はしないが、交流バスバーを介して交流出力端子に接続され、発生した交流電力はモータジェネレータの固定子巻線に供給される。
体部に近づけることができる。部材間の熱膨張係数差が低減することにより、使用環境時の温度上昇に伴って発生する熱応力が低下する。これにより、回路体302、すなわち、パワー半導体モジュールの寿命をのばすことが可能となる。なお、以下では、直流正・負極導体板315、319、第一・第二交流導体板320、318を、適宜、単に導体板315、319、320、318という。
中継導体部700は、図3に図示されるように、正極側バスバー703と負極側バスバー704とを封止樹脂710にインサート成形して形成されている。正極側バスバー703と負極側バスバー704とは、封止樹脂710の厚さ方向に離間して配置されており、絶縁されている。図示の例では、正極側バスバー703が回路体302に対面するように配置され、負極側バスバー704は、回路体302とは反対側の面に向けて配置されている。
水冷式の電力変換装置299は、電力変換装置300、すなわちパワーモジュールと冷却用筐体400とを備える。
冷却用筐体400は、ケース304と同様な金属部材により形成されている。冷却用筐体400には、電力変換装置300が収容される収容部403と、底部405と、収容部403と底部405との間に設けられた段部404が形成されている。段部404は、ケース304の底部304aの周縁部を保持する。段部404には、環状に形成された溝406が形成されている。溝406内には、Oリング408が嵌入される。電力変換装置300は、Oリング408を圧縮した状態で、冷却用筐体400の段部404上に固定される。冷却用筐体400の底部405の内面405aから段部404までの長さは、フィン305の長さより、少し、大きくされている。すなわち、底部405の内面405aから段部404までの間が冷却流路407とされており、冷却流路407内における、フィン305の周囲およびフィン305同士の間隙を、冷却水等の冷媒が流れる。これにより、回路体302に内蔵されたIGBT328、330およびダイオード156、166が冷却される。
(1)回路体302を構成する直流正極端子315Dと直流負極端子319Dとを、近接して平行に配置した。また、上・下アーム回路の導体板315、318、320、319を、ループ形状の経路を形成するように配置した。これにより、上・下アーム回路を流れるリカバリ電流100がループ形状の経路を流れる。この回路体302を、金属製のケース304の底部304a上に配置し、回路体302上に、中継導体部700を配置した。このため、回路体302の上・下アーム回路を流れるリカバリ電流100を、回路体302の上下両面に配置されたケース304および中継導体部700に誘起される渦電流101により打ち消すことができる。リカバリ電流100を上・下アーム回路の上下両面から打ち消すので、回路体302の内部回路のインダクタンスの低減効果を大きくすることができる。
図9(A)は、本発明による電力変換装置300の実施形態2の分解斜視図であり、図9(B)は、図9(A)に示された電力変換装置を上方から観た、中継導体部700を透過した状態で示す平面図である。実施形態2は、中継導体部700が、上アーム回路を構成するIGBT328とダイオード156とを挟持する導体板315、318側のみを覆う構造を有している。換言すれば、実施形態2の電力変換装置では、下アーム回路を構成するIGBT330とダイオード166とを挟持する導体板320、319、および中間接続部329は、中継導体部700から露出している。実施形態2における他の構造は、実施形態1と同様であり、対応する部材に同一の符号を付して説明を省略する。
従って、実施形態1の効果(1)〜(5)と同様な効果を奏する。
図11は、本発明による電力変換装置の実施形態3の断面図であり、図12は、図11に図示された電力変換装置を上方から観た平面図である。実施形態3の電力変換装置299は、制御基板200を備えている。但し、図12には、制御基板200は、図示が省略されている。水冷式の電力変換装置299は、3つのパワーモジュール300と、4つのコンデンサ500と、制御基板200とを筐体600内に収容した構造を有する。筐体600は、下部筐体600aと上部筐体600bとを有する。パワーモジュール300は、実施形態1の電力変換装置300としてのパワーモジュールとほぼ同様な構造を有している。しかし、実施形態3における水冷式の電力変換装置299では、中継導体部700Aは、3つのパワーモジュール300に共通に1つ設けられている。中継導体部700Aの正極側バスバー703は、各パワーモジュール300の直流正極端子315D(図1参照)および各コンデンサ500の正極側の端子502に接続されている。同様に、中継導体部700Aの負極側バスバー704は、各パワーモジュール300の直流負極端子319D(図1参照)および各コンデンサ500の負極側の端子502に接続されている。各コンデンサ500は、実施形態1のコンデンサ90(図7(B)参照)に対応する。
図13は、本発明による電力変換装置の実施形態4を示し、上方から観た平面図である。 実施形態4の電力変換装置299は、パワーモジュール300が、インバータ直列回路3相を内蔵した6in1構造を有する。換言すれば、パワーモジュール300は、上下アーム直列回路3相分を一纏めにした構造を有する。IGBT328とダイオード156を導体板315、318間に介装した各上アーム回路と、IGBT330とダイオード166を導体板320、319間に介装した各下アーム回路とは、直線状に配列された状態で中間接続部329により接続され、パワー半導体モジュール301を構成している。3つのパワー半導体モジュール301は、長手方向に平行に配列された状態で封止樹脂303により封止されている。このように、実施形態4のパワーモジュール300は、上下アーム直列回路が1つのパワー半導体モジュール301とされ(2in1)、3つのパワー半導体モジュール301が一纏めにされた6in1構造となっている。
図15は、本発明による電力変換装置の実施形態5の断面図である。実施形態5の電力変換装置299は、パワーモジュール300とコンデンサ500とを積層した構造を有する。筐体600は、下部筐体600aと上部筐体600bとを有する。筐体600の高さ方向の中間部に中段仕切り部606を有する。中段仕切り部606は、下部筐体600aと一体に形成されている。中段仕切り部606の一端側に、下部筐体600aと上部筐体600bとを連通する開口部607が形成されている。コンデンサ500は、中段仕切り部606の下方に形成されたコンデンサ収容部602内に収容されている。パワーモジュール300は、中段仕切り部606の上方に形成されたパワーモジュール収容部601内に配置されている。中段仕切り部606には、ケース304のフィン305が収容される冷却流路407が形成されている。
実施形態5における他の構成については、他の実施形態における対応する部材と同一の符号を付して説明を省略する。
300 電力変換装置(パワーモジュール)
301 パワー半導体モジュール
302 回路体
304 ケース(金属製部材)
315 直流正極導体板(導体部)
315D 直流正極端子(端子)
319 直流負極導体板(導体部)
319D 直流負極端子(端子)
318 第二交流導体板(導体部)
320 第一交流導体板(導体部)
320D 交流端子(端子)
328、330 IGBT(スイッチング素子)
400 冷却用筐体
500 コンデンサ
600 筐体(金属製部材)
700、700A 中継導体部(中継導体部材)
703 正極側バスバー(中継導体板)
704 負極側バスバー(中継導体板)
709 交流バスバー(中継導体板)
710 封止樹脂(樹脂)
Claims (7)
- 電力変換回路の上アーム回路を構成する第1スイッチング素子と、前記電力変換回路の下アーム回路を構成する第2スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子および前記第2スイッチング素子に電流を伝達する複数の導体部と、を有する回路体と、
金属製部材と、
前記回路体を挟んで前記金属製部材と対向して配置され、前記導体部のいずれかと接続される端子に電気的に接続された中継導体板と、を備え、
前記金属製部材と前記中継導体板には、前記第1スイッチング素子または前記第2スイッチング素子のスイッチング動作に応じて前記導体部に流れるリカバリ電流によって渦電流がそれぞれ誘起される電力変換装置。 - 請求項1に記載された電力変換装置において、
前記金属製部材は、冷媒と接触する放熱部材を有する電力変換装置。 - 請求項1または2に記載された電力変換装置において、
前記導体部は、
前記第1スイッチング素子を挟んで互いに対向する第1導体板及び第2導体板と、
前記第2スイッチング素子を挟んで互いに対向する第3導体板及び第4導体板と、
前記第2導体板と前記第3導体板を接続する中間接続部とにより構成され、
前記金属製部材は、前記第1導体板または前記第2導体板の一方と、前記第3導体板または前記第4導体板の一方と、前記中間接続部とに対向して配置され、
前記中継導体板は、少なくとも前記第1導体板または前記第2導体板の他方に対向して配置されている電力変換装置。 - 請求項3に記載された電力変換装置において、
前記中継導体板は、さらに、前記第3導体板または前記第4導体板の他方と、前記中間接続部とに対向して配置されている電力変換装置。 - 請求項1に記載された電力変換装置において、
さらに、電圧を平滑化するためのコンデンサを備え、
前記中継導体板は、前記回路体および前記コンデンサに接続されている電力変換装置。 - 請求項5に記載された電力変換装置において、
前記端子は、直流正極端子および直流負極端子を含み、
前記中継導体板は、
前記直流正極端子および前記コンデンサに接続される正極バスバーと、
前記直流負極端子および前記コンデンサに接続される負極バスバーと、
前記正極バスバーと前記負極バスバーとを相互に絶縁した状態で封止する封止樹脂とを備える電力変換装置。 - 請求項1に記載された電力変換装置において、
前記端子は交流端子を含み、
前記中継導体板は、前記交流端子に接続される交流バスバーである電力変換装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015192509 | 2015-09-30 | ||
JP2015192509 | 2015-09-30 | ||
PCT/JP2016/072574 WO2017056686A1 (ja) | 2015-09-30 | 2016-08-02 | 電力変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017056686A1 true JPWO2017056686A1 (ja) | 2018-04-26 |
JP6591556B2 JP6591556B2 (ja) | 2019-10-16 |
Family
ID=58424120
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017542975A Active JP6591556B2 (ja) | 2015-09-30 | 2016-08-02 | 電力変換装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10367426B2 (ja) |
EP (1) | EP3358736B1 (ja) |
JP (1) | JP6591556B2 (ja) |
CN (1) | CN107969163B (ja) |
WO (1) | WO2017056686A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11515223B2 (en) * | 2018-08-29 | 2022-11-29 | Rohm Co., Ltd. | Package structure, semiconductor device, and formation method for package structure |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109451779B (zh) * | 2016-07-08 | 2020-10-16 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及电力转换装置 |
KR101950442B1 (ko) * | 2017-04-28 | 2019-02-20 | 엘에스산전 주식회사 | 서브모듈 |
JP6740959B2 (ja) * | 2017-05-17 | 2020-08-19 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 回路装置 |
US11482476B2 (en) * | 2018-09-05 | 2022-10-25 | Hitachi Astemo, Ltd. | Power semiconductor device with an element installation conductor |
CN111327208B (zh) | 2018-12-14 | 2022-06-03 | 台达电子工业股份有限公司 | 具散热机制的逆变器装置 |
DE102019220010A1 (de) * | 2019-12-18 | 2021-06-24 | Zf Friedrichshafen Ag | Halbbrückenmodul eines Traktionsinverters einer Leistungselektronik eines Elektrofahrzeugs oder Hybridfahrzeugs |
JP2023014524A (ja) * | 2021-07-19 | 2023-01-31 | 株式会社 日立パワーデバイス | パワー半導体モジュール及びそれを用いた電力変換装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012064609A (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-29 | Hitachi Ltd | 半導体パワーモジュール及び電力変換装置 |
JP2013027218A (ja) * | 2011-07-25 | 2013-02-04 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 電力変換装置 |
JP2013162690A (ja) * | 2012-02-07 | 2013-08-19 | Toshiba Corp | Vvvfインバータ及び車両制御装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1117083A (ja) * | 1997-06-26 | 1999-01-22 | Sony Corp | Emi対策機能付き放熱装置 |
US6810230B2 (en) * | 2000-09-29 | 2004-10-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electromagnetic induction image heating device and image forming apparatus |
JP4275614B2 (ja) * | 2004-12-10 | 2009-06-10 | 三菱電機株式会社 | 車両用回転電機 |
JP4586087B2 (ja) | 2008-06-30 | 2010-11-24 | 株式会社日立製作所 | パワー半導体モジュール |
JP4988665B2 (ja) | 2008-08-06 | 2012-08-01 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体装置および半導体装置を用いた電力変換装置 |
JP5481148B2 (ja) * | 2009-10-02 | 2014-04-23 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体装置、およびパワー半導体モジュール、およびパワー半導体モジュールを備えた電力変換装置 |
JP5782995B2 (ja) * | 2011-10-31 | 2015-09-24 | 富士電機株式会社 | インバータ装置 |
JP6003624B2 (ja) * | 2012-12-26 | 2016-10-05 | 株式会社明電舎 | 半導体モジュール |
DE112014006144B4 (de) * | 2014-01-09 | 2023-03-30 | Hitachi Astemo, Ltd. | Verfahren zum Herstellen einer Leistungshalbleitervorrichtung, Leistungshalbleitervorrichtung und Leistungswandler, der diese verwendet |
-
2016
- 2016-08-02 US US15/762,313 patent/US10367426B2/en active Active
- 2016-08-02 EP EP16850863.8A patent/EP3358736B1/en active Active
- 2016-08-02 WO PCT/JP2016/072574 patent/WO2017056686A1/ja active Application Filing
- 2016-08-02 JP JP2017542975A patent/JP6591556B2/ja active Active
- 2016-08-02 CN CN201680049198.XA patent/CN107969163B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012064609A (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-29 | Hitachi Ltd | 半導体パワーモジュール及び電力変換装置 |
JP2013027218A (ja) * | 2011-07-25 | 2013-02-04 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 電力変換装置 |
JP2013162690A (ja) * | 2012-02-07 | 2013-08-19 | Toshiba Corp | Vvvfインバータ及び車両制御装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11515223B2 (en) * | 2018-08-29 | 2022-11-29 | Rohm Co., Ltd. | Package structure, semiconductor device, and formation method for package structure |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3358736A4 (en) | 2019-05-15 |
US20180278172A1 (en) | 2018-09-27 |
EP3358736A1 (en) | 2018-08-08 |
EP3358736B1 (en) | 2021-04-21 |
CN107969163B (zh) | 2020-03-06 |
WO2017056686A1 (ja) | 2017-04-06 |
CN107969163A (zh) | 2018-04-27 |
US10367426B2 (en) | 2019-07-30 |
JP6591556B2 (ja) | 2019-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6591556B2 (ja) | 電力変換装置 | |
US10177676B2 (en) | Power converter | |
US9729044B2 (en) | Power conversion device having two serially-connected switching elements | |
KR101522089B1 (ko) | 반도체 장치 | |
US10186980B2 (en) | Power conversion device with staggered power semiconductor modules | |
JP5289348B2 (ja) | 車載用電力変換装置 | |
JP5206822B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5830480B2 (ja) | 配線板およびそれを用いた電力変換装置 | |
US10027246B2 (en) | Power semiconductor module and electric power conversion device | |
WO2019123818A1 (ja) | 電力変換装置 | |
WO2015072105A1 (ja) | パワーモジュール | |
JPWO2016158259A1 (ja) | 電力変換装置 | |
CN111095760B (zh) | 电力转换装置 | |
WO2020184053A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP2007042796A (ja) | 電力用半導体素子及びインバータ装置 | |
JP2014096412A (ja) | 半導体モジュール | |
JP2019062739A (ja) | 電力変換装置 | |
WO2023210098A1 (ja) | 電力変換装置 | |
JP7069885B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN114144965A (zh) | 电路装置 | |
JP2022130754A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181002 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181115 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190423 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190723 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20190731 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190910 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190918 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6591556 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |