JPWO2016133047A1 - 磁性体薄膜形成用スパッタリングターゲット - Google Patents
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- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title abstract description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 56
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 54
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 40
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 36
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 13
- 238000010828 elution Methods 0.000 abstract 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 155
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 15
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 10
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 10
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 8
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 7
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910020599 Co 3 O 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020707 Co—Pt Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Co—Cr Chemical class 0.000 description 1
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KPSZQYZCNSCYGG-UHFFFAOYSA-N [B].[B] Chemical compound [B].[B] KPSZQYZCNSCYGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 238000002354 inductively-coupled plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- YWXYYJSYQOXTPL-SLPGGIOYSA-N isosorbide mononitrate Chemical compound [O-][N+](=O)O[C@@H]1CO[C@@H]2[C@@H](O)CO[C@@H]21 YWXYYJSYQOXTPL-SLPGGIOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
- C22C19/07—Alloys based on nickel or cobalt based on cobalt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C32/00—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/12—Metallic powder containing non-metallic particles
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
Description
1)Coを含有する合金と、ホウ素及び/又はホウ素の酸化物とを含むスパッタリングターゲットであって、水に溶けだす酸化ホウ素(B2O3)中の金属ホウ素の量が7000μg/m2以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
2)ホウ素を0.5at%以上15at%以下含有することを特徴とする上記1)記載のスパッタリングターゲット。
3)Ti、Si、Co、Cr、Mnから選択した一種以上の元素を構成成分とする酸化物を含有することを特徴とする上記1)又は2)記載のスパッタリングターゲット。
4)Ti、V、Mn、Zr、Nb、Mo、Ta、W、Ru、Ptから選択した1元素以上の金属を含有し、前記金属元素の総含有量が0.5at%以上30at%以下であることを特徴とする上記1)〜3)のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット。
本発明は、水に溶けだす酸化ホウ素(B2O3)中の金属ホウ素が7000μg/m2以下であることを特徴とする。ここで、水に溶けだす金属ホウ素の量は、ターゲットの粉砕粉1.0gあたりの酸化ホウ素中の金属ホウ素の水への浸出量(μg/g)を測定し、この浸出量を粉砕粉の比表面積(m2/g)で除した値(μg/m2)と定義する。なお、粉末の比表面積が大きくなる(粒径が小さくなる)ほど、金属ホウ素の水への浸出量が多くなるため、規格化のため比表面積で除している。
次に、この粉砕粉1gを、常温の水50〜100ccに浸す。B2O3の溶解度は0.028g/ccであるため、水50cc以上であれば、B2O3は飽和しない。一方、水100cc超であると、B濃度が薄くなり分析しにくくなる。このようにして浸出させた水に対して、ICP(日立ハイテクサイエンス社製 SPS3500DD)を用いて、水に溶けだした酸化ホウ素(B2O3)中の金属ホウ素の量を測定することができる。
また、非磁性材料として公知の酸化物を含有することができ、例えば、Ti、Si、Co、Cr、Mnから選択した一種以上の元素を構成成分とする酸化物が挙げられる。
なお、例えば、TiBO3粉末は、Ti2O3粉末とB2O3粉末とを混合、合成、粉砕したものを使用することができる。同様に、CrBO3、Co2B2O5、Co3B2O6、Mn3B2O6粉末についても、Cr2O3、CoO、MnO粉末とB2O3粉末とを混合、合成、粉砕したものを使用することができる。
金属粉末として、Co粉末、Cr粉末、Pt粉末を、非磁性材粉末として、Co3TiB2O8粉末、SiO2粉末、CoO粉末を、用意した。Co3TiB2O8粉末については、予め、CoO粉末、TiO2粉末とB2O3粉末を混合、合成、粉砕したものを使用した。そして、これらの粉末を以下の組成比で2000g秤量した。
組成(at%):Co−1.17Cr−11.72Pt−3.13B−1.56Ti−3.13Si−20.31O
金属粉末として、Co粉末、Pt粉末を、非磁性材粉末として、CrBO3粉末、TiBO3粉末、TiO2粉末、Co3O4粉末を用意した。CrBO3粉末については予め、Cr2O3粉末、B2O3粉末を混合、合成、粉砕したもの、TiBO3粉末については、Ti2O3粉末とB2O3粉末を混合、合成、粉砕したものを使用した。そして、これらの粉末を以下の組成比で2000g秤量した。その後、秤量した粉末を実施例1と同様の方法を用いて混合した後、ホットプレスして、得られた焼結体を切削加工したスパッタリングターゲットを得た。
組成(at%):Co−1.19Cr−11.90Pt−3.17B−2.38Ti−15.87O
金属粉末として、Co粉末、Cr粉末、Pt粉末を、非磁性材粉末として、CrBO3粉末、Mn3B2O6粉末、CoO粉末、SiO2粉末を用意した。Mn3B2O6粉末については、予め、MnO粉末、B2O3粉末を混合、合成、粉砕したものを使用した。そして、これらの粉末を以下の組成比で2000g秤量した。その後、秤量した粉末を実施例1と同様の方法を用いて混合した後、ホットプレスして、得られた焼結体を切削加工したスパッタリングターゲットを得た。
組成(at%):Co−3.2Cr−12.4Pt−3.20B−2.40Mn−1.60Si−18.40O
金属粉末として、Co粉末、Pt粉末を、非磁性材粉末として、B2O3粉末、Cr2O3粉末、CoO粉末、SiO2粉末を用意した。そして、これらの粉末を以下の組成比で2000g秤量した。その後、秤量した粉末を実施例1と同様の方法を用いて混合した後、1300℃でホットプレスして、得られた焼結体を切削加工したスパッタリングターゲットを得た。
組成(at%):Co−6.25Cr−7.81Pt−2.34B−0.78Si−18.75O
金属粉末として、Co粉末、Pt粉末、B粉末を、非磁性材粉末として、TiO2粉末、SiO2粉末、CoO粉末を用意した。そして、これらの粉末を以下の組成比で2000g秤量した。その後、秤量した粉末を実施例1と同様の方法を用いて混合した後、ホットプレスして、得られた焼結体を切削加工したスパッタリングターゲットを得た。
組成(at%):Co−15.57Pt−3.28B−4.92Ti−1.64Si−18.03O
金属粉末として、Co粉末、Pt粉末、B粉末を、非磁性材粉末として、TiO2粉末、SiO2粉末、Co3O4粉末を用意した。そして、これらの粉末を以下の組成比で2000g秤量した。その後、秤量した粉末を実施例1と同様の方法を用いて混合した後、ホットプレスして、得られた焼結体を切削加工したスパッタリングターゲットを得た。
組成(at%):Co−14.75Pt−4.92B−2.46Ti−1.64Si−14.75O
金属粉末として、Co粉末、Pt粉末、B粉末を、非磁性材粉末として、CrBO3粉末、TiO2粉末、SiO2粉末、CoO粉末を用意した。そして、これらの粉末を以下の組成比で2000g秤量した。その後、秤量した粉末を実施例1と同様の方法を用いて混合した後、ホットプレスして、得られた焼結体を切削加工したスパッタリングターゲットを得た。
組成(at%):Co−1.14Cr−11.36Pt−4.55B−1.52Ti−3.03Si−21.97O
金属粉末として、Co粉末、Pt粉末を、非磁性材粉末として、B2O3粉末、SiO2粉末、Cr2O3粉末、CoO粉末を用意した。そして、これらの粉末を以下の組成比で2000g秤量した。その後、秤量した粉末を実施例1と同様の方法を用いて混合した後、ホットプレスして、得られた焼結体を切削加工したスパッタリングターゲットを得た。
組成(at%):Co−6.25Cr−7.81Pt−2.34B−0.78Si−18.75O
Claims (4)
- Coを含有する合金と、ホウ素及び/又はホウ素の酸化物とを含むスパッタリングターゲットであって、水に溶けだす酸化ホウ素(B2O3)中の金属ホウ素が7000μg/m2以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
- ホウ素及び/又はホウ素の酸化物を0.5at%以上、15at%以下含有することを特徴とする請求項1記載のスパッタリングターゲット。
- Ti、Si、Co、Cr、Mnから選択した一種以上の元素を構成成分とする酸化物を含有することを特徴とする請求項1又は2記載のスパッタリングターゲット。
- Ti、V、Mn、Zr、Nb、Mo、Ta、W、Ru、Ptから選択した1元素以上の金属を含有し、前記金属元素の総含有量が0.5at%以上30at%以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015031027 | 2015-02-19 | ||
JP2015031027 | 2015-02-19 | ||
PCT/JP2016/054300 WO2016133047A1 (ja) | 2015-02-19 | 2016-02-15 | 磁性体薄膜形成用スパッタリングターゲット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016133047A1 true JPWO2016133047A1 (ja) | 2017-11-09 |
JP6445126B2 JP6445126B2 (ja) | 2018-12-26 |
Family
ID=56688870
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017500665A Active JP6445126B2 (ja) | 2015-02-19 | 2016-02-15 | 磁性体薄膜形成用スパッタリングターゲット |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6445126B2 (ja) |
CN (1) | CN108026631B (ja) |
MY (1) | MY184033A (ja) |
SG (1) | SG11201706389UA (ja) |
WO (1) | WO2016133047A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10971181B2 (en) | 2016-11-01 | 2021-04-06 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Sputtering target for magnetic recording media |
CN112739846A (zh) * | 2018-09-25 | 2021-04-30 | Jx金属株式会社 | 溅射靶以及用于制造溅射靶的粉体 |
CN110171972B (zh) * | 2019-01-04 | 2021-10-22 | 南京汇聚新材料科技有限公司 | 一种低温烧结陶瓷材料 |
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JP2012117147A (ja) * | 2010-11-12 | 2012-06-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | コバルト酸化物が残留したスパッタリングターゲット |
WO2014178310A1 (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-06 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 焼結体、同焼結体からなる磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11158607A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-15 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ZnO系焼結体およびその製法 |
-
2016
- 2016-02-15 MY MYPI2017702985A patent/MY184033A/en unknown
- 2016-02-15 JP JP2017500665A patent/JP6445126B2/ja active Active
- 2016-02-15 SG SG11201706389UA patent/SG11201706389UA/en unknown
- 2016-02-15 WO PCT/JP2016/054300 patent/WO2016133047A1/ja active Application Filing
- 2016-02-15 CN CN201680006176.5A patent/CN108026631B/zh active Active
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JP2006351164A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Heraeus Inc | スパッタターゲット、磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法 |
JP2012117147A (ja) * | 2010-11-12 | 2012-06-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | コバルト酸化物が残留したスパッタリングターゲット |
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Publication number | Publication date |
---|---|
SG11201706389UA (en) | 2017-09-28 |
WO2016133047A1 (ja) | 2016-08-25 |
MY184033A (en) | 2021-03-17 |
CN108026631A (zh) | 2018-05-11 |
JP6445126B2 (ja) | 2018-12-26 |
CN108026631B (zh) | 2020-02-28 |
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