JPWO2015114786A1 - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
発光装置(10)は、基板(100)、発光素子(102)、端子(112,132)、及び保護膜(140)を備えている。発光素子(102)は基板(100)に形成されており、有機層(120)を有している。端子(112,132)は基板(100)に形成されており、発光素子(102)に接続している。保護膜(140)は発光素子(102)及び端子(112,132)を覆っている。そして、端子(112,132)の表面には、導電繊維が位置している。例えば、端子(112,132)の表面は、導電繊維を含む導電繊維層(150)で形成されている。
Description
本発明は、発光装置に関する。
近年は、有機EL素子を光源として利用した発光装置の開発が進んでいる。有機EL素子は、発光層として有機層を用いているため、封止構造が必要になっている。一般的には、有機EL素子は、ガラスや金属などで形成された封止部材を用いて封止されている。そして、有機EL素子に接続する端子は、この封止部材の外部に配置されている。
なお、特許文献1には、液晶表示パネルの端子と半導体ユニットの端子とを、導電粒子を介して接続させることが記載されている。詳細には、半導体ユニットの端子は、熱硬化性の絶縁被膜で覆われている。そして導電粒子は、この絶縁被膜を突き破っている。
また特許文献2には、液晶表示装置の端子と外部配線とを、導電粒子を介して接続させることが記載されている。詳細には、液晶表示装置の端子は、無機絶縁層で覆われている。そして導電粒子は、この無機絶縁層を突き破っている。なお、無機絶縁層の形成方法としては、スパッタリング法及びCVD法が例示されている。
さらに特許文献3には、互いに隣り合う太陽電池セルを、接続部材を用いて接続することが記載されている。ここで、太陽電池セルの端子と接続部材は、導電性粒子を用いて接続されている。詳細には、太陽電池セルの端子は、絶縁層で覆われている。そして導電性粒子は、この絶縁層を突き破っている。なお、絶縁層の材料としては、ポリイミドやポリアミドイミドなどの有機材料、及びシリカやアルミナなどの無機材料が例示されている。そして絶縁層の形成方法としては、塗装、溶射、ディッピング、スパッタリング、蒸着、スプレー法などが例示されている。
近年は、絶縁膜を成膜することにより有機EL素子を封止することが検討されている。絶縁膜を成膜する場合、有機EL素子の端子の上にも絶縁膜が形成されてしまう。このため、端子を外部配線などの導通部材に接続するためには、工夫が必要になる。
本発明が解決しようとする課題としては、絶縁膜を成膜することにより有機EL素子を封止する場合において、端子を外部配線などの導通部材に接続しやすくすることが一例として挙げられる。
請求項1に記載の発明は、基板と、
前記基板に形成され、有機層を有する発光素子と、
前記発光素子に電気的に接続する端子と、
前記発光素子及び前記端子を覆う保護膜と、
を備え、
前記端子の表面には導電繊維が位置している発光装置である。
前記基板に形成され、有機層を有する発光素子と、
前記発光素子に電気的に接続する端子と、
前記発光素子及び前記端子を覆う保護膜と、
を備え、
前記端子の表面には導電繊維が位置している発光装置である。
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係る発光装置10の構成を示す断面図である。本実施形態に係る発光装置10は、例えば照明装置やディスプレイであり、基板100、発光素子102、端子112,132、及び保護膜140を備えている。発光素子102は基板100に形成されており、有機層120を有している。端子112,132は基板100に形成されており、発光素子102に接続している。保護膜140は発光素子102及び端子112,132を覆っている。そして、端子112,132の表面には、導電繊維が位置している。本図に示す例では、端子112,132の表面は、導電繊維を含む導電繊維層150で形成されている。以下、詳細に説明する。
図1は、第1の実施形態に係る発光装置10の構成を示す断面図である。本実施形態に係る発光装置10は、例えば照明装置やディスプレイであり、基板100、発光素子102、端子112,132、及び保護膜140を備えている。発光素子102は基板100に形成されており、有機層120を有している。端子112,132は基板100に形成されており、発光素子102に接続している。保護膜140は発光素子102及び端子112,132を覆っている。そして、端子112,132の表面には、導電繊維が位置している。本図に示す例では、端子112,132の表面は、導電繊維を含む導電繊維層150で形成されている。以下、詳細に説明する。
基板100は、たとえばガラス基板や樹脂基板などの透明基板である。基板100は、可撓性を有していてもよい。この場合、基板100の厚さは、例えば10μm以上1000μm以下である。この場合においても、基板100は無機材料及び有機材料のいずれで形成されていてもよい。基板100は、例えば矩形などの多角形である。
発光素子102は、第1電極110と第2電極130の間に有機層120を挟んだ構成を有している。第1電極110及び第2電極130のうち少なくとも一方は透光性の電極になっている。また、残りの電極は、例えばAl、Mg、Au、Ag、Pt、Sn、Zn、及びInからなる第1群の中から選択される金属、又はこの第1群から選択される金属の合金からなる金属層によって形成されている。透光性の電極の材料は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)やIZO(Indium Zinc Oxide)等の無機材料、またはポリチオフェン誘導体などの導電性高分子、又は銀もしくは炭素からなるナノワイヤを利用した網目状電極である。例えば、ボトムエミッション型の発光素子102であって、基板100の上に第1電極110、有機層120、及び第2電極130をこの順に積層した構成を有している場合、第1電極110は透光性の電極になっており、第2電極130は、Alなど光を反射する電極になっている。また、トップエミッション型の発光素子102であって、基板100の上に第1電極110、有機層120、及び第2電極130をこの順に積層した構成を有している場合、第1電極110はAlなど光を反射する電極になっており、第2電極130は透光性の電極になっている。また、両方の電極(第1電極110、第2電極130)を透光性の電極として、透光型の発光装置としても良い(デュアルエミッション型)。
有機層120は、例えば、正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層をこの順に積層させた構成を有している。正孔輸送層と第1電極110の間に正孔注入層が形成されていてもよい。また、電子輸送層と第2電極130の間に電子注入層が形成されていてもよい。有機層120の層は、塗布法によって形成されても蒸着法によって形成されてもよく、一部を塗布法、残りを蒸着法で形成しても良い。なお、有機層120は蒸着材料を用いて蒸着法で形成してもよく、また、塗布材料を用いて、インクジェット法、印刷法、スプレー法で形成してもよい。
基板100のうち発光素子102が形成されている面には、端子112,132が形成されている。端子112は第1電極110に接続しており、端子132は第2電極130に接続している。詳細には、第1電極110の一部の上には、有機層120が形成されておらず、端子112となっている。また端子132は、第1電極110と同一の層を有している。なお、基板100には、絶縁層160が形成されている。絶縁層160は、発光素子102を絶縁区画している。絶縁層160は、有機層120及び第2電極130より前に形成されている。絶縁層160は、ポリイミドや酸化珪素、窒化珪素などの材料で形成されている。
なお、第1電極110のうち端子112となる部分の上には、第1電極110よりも低抵抗な材料の層(例えば金属層)が形成されていてもよい。
保護膜140は、成膜法、例えばALD(Atomic Layer Deposition)法又はCVD法を用いて形成されている。ALD法で形成されている場合、保護膜140は、例えば酸化アルミニウムなどの酸化金属膜によって形成されており、その膜厚は、例えば10nm以上200nm以下、好ましくは、50nm以上100nm以下である。CVD法で形成されている場合、保護膜140は、酸化シリコン膜などの無機絶縁膜によって形成されており、その膜厚は、例えば0.1μm以上10μm以下である。保護膜140が設けられることにより、発光素子102は水分等から保護される。保護膜140は、スパッタリング法で形成されても良い。この場合、保護膜140は、SiO2又はSiNなどの絶縁膜によって形成される。その場合、膜厚は10nm以上1000nm以下である。
そして、端子112,132の表層には、導電繊維層150が形成されている。本図に示す例では、端子112,132と導電繊維層150の間には他の層は存在しておらず、また、導電繊維層150と保護膜140の間にも他の層は存在していない。ただし、端子112,132と導電繊維層150の間に他の層が存在していてもよいし、導電繊維層150と保護膜140の間に他の層が存在していてもよい。導電繊維層150の厚さは、例えば0.1nm以上500nm以下である。
図2は、端子112及び導電繊維層150の拡大図の第1例である。端子132及び導電繊維層150の積層構造も、本図に示す構造と同様である。導電繊維層150は、溶媒中に複数の導電繊維152を混ぜたものであり、スピンコート、スリットコート、ダイコート、インクジェットなどにより成膜したのち、焼成することで網目状電極を形成する。また、フォトプロセスによるパターニングを組み合わせることもできる。導電繊維152は、例えば金属(例えば銀)や炭素などの導電体からなるナノワイヤであり、太さは0.1から10nm程度である。導電繊維152として、ナノワイヤの他に、ナノチューブ、ナノパーティクル、フレーク状のグラファイトなどがある。そして、導電繊維層150の表面には、導電繊維152折り重なるように網目を形成して、数十〜数百nmの凹凸が形成されている。導電繊維層150は、端子112,132の一部とみなすこともできる。このため、端子112,132の表面には、導電繊維152に起因して凹凸が形成されている、ということもできる。そして、保護膜140には、この凹凸に起因してクラックが形成されている。このクラックは、端子112,132を加熱及び冷却することにより、形成される。そして、このクラックから、導電繊維152が露出している。言い換えると、導電繊維152は、保護膜140を突き破っている。
図3は、端子112及び導電繊維層150の拡大図の第2例である。端子132及び導電繊維層150の積層構造も、本図に示す構造と同様である。本図に示す例において、導電繊維層150は、導電繊維152によって形成されている。このような構造は、例えば導電繊維152が混入された揮発性の溶媒を塗布(例えばインクジェット)することにより、実現できる。
次に、発光装置10の製造方法について説明する。まず、基板100上に第1電極110及び端子132を形成する。第1電極110及び端子132は、例えばスパッタリング法を用いて形成される。次いで、第1電極110と端子132の間に絶縁層160を形成する。次いで、第1電極110上に有機層120を形成する。さらに、第2電極130を、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成する。
次いで、端子112,132の上に、導電繊維層150を形成する。導電繊維層150は、例えばインクジェット法などの塗布法を用いて形成される。なお、第2電極130は、導電繊維層150を形成した後に形成されても良い。
次いで、保護膜140を形成する。第2電極130は、例えばスパッタリング法を用いて形成され、保護膜140は、例えばALD法又はCVD法を用いて形成される。
図4は、端子112に導電部材200を接続する方法を説明するための断面図である。導電部材200は、例えばリードフレームで形成された部材であり、発光装置10を回路基板に接続している。この回路基板には、例えば発光装置10の制御回路の少なくとも一部が形成されている。そして、端子112と導電部材200は、導電性接着層300を用いて接続されている。導電性接着層300は、導通部材310を有している。
上記したように、保護膜140のうち端子112の上に位置する部分には、クラックが形成されている。導電性接着層300を用いる場合、導電性接着層300に含まれる導通部材310(例えば導電粒子)が保護膜140を突き破り、端子112と導電部材200を接続する。このとき、端子112は、導電繊維152を介して導通部材310に導通する。ここで保護膜140にはクラックが入っているため、導通部材310が保護膜140を突き破りやすくなる。
なお、図4を用いて説明した内容は、端子132にもあてはまる。
以上、本実施形態によれば、発光素子102は保護膜140によって封止されている。保護膜140は成膜法を用いて形成されるため、発光素子102の端子112,132も保護膜140で覆われる。ここで、端子112,132の表面には導電繊維152が位置している。このため、保護膜140のうち端子112,132の上に位置する部分にはクラックが入りやすい。保護膜140にクラックが入ると、導通部材310が保護膜140を突き破りやすくなる。従って、導電性接着層300を用いて導電部材200と第1電極110とを接続しやすくなる。導電部材200と第2電極130との接続についても同様である。
(第2の実施形態)
図5は、第2の実施形態に係る発光装置10の構成を示す断面図であり、第1の実施形態における図4に対応している。本実施形態に係る発光装置10は、導電部材200及び導電性接着層300の代わりにボンディングワイヤ210を用いている点を除いて、第1の実施形態に係る発光装置10と同様の構成である。
図5は、第2の実施形態に係る発光装置10の構成を示す断面図であり、第1の実施形態における図4に対応している。本実施形態に係る発光装置10は、導電部材200及び導電性接着層300の代わりにボンディングワイヤ210を用いている点を除いて、第1の実施形態に係る発光装置10と同様の構成である。
ボンディングワイヤ210は、例えば超音波振動法を用いて端子112,132に接続される。ここで、保護膜140のうち端子112,132の上に位置する部分にはクラックが入っている。このため、ボンディングワイヤ210のうち摩擦熱で溶融した部分は保護膜140内のクラックに浸透し、端子112,132に接続する。また、超音波振動の際に、保護膜140のうち端子112,132の上に位置する部分は、除去されることもある。この場合、ボンディングワイヤ210と端子112,132の接続面積は広くなる。
本実施形態によっても、端子112,132の表面には導電繊維152が位置しているため、保護膜140のうち端子112,132の上に位置する部分にはクラックが入りやすい。このため、ボンディングワイヤ210は端子112,132に接続しやすくなる。
(実施例1)
図6は、実施例1に係る発光装置10の構成を示す平面図である。図7は図6のA−A断面図である。なお、図6では、説明のため、第2電極130、保護膜140、導電部材200、導電性接着層300、導通部材310、及び端子132の図示を省略しているが、これらの構成は実施形態と同様である。
図6は、実施例1に係る発光装置10の構成を示す平面図である。図7は図6のA−A断面図である。なお、図6では、説明のため、第2電極130、保護膜140、導電部材200、導電性接着層300、導通部材310、及び端子132の図示を省略しているが、これらの構成は実施形態と同様である。
本実施例において、発光装置10は複数の発光素子102を有している。隣り合う発光素子102の間には、絶縁層160が形成されている。そして、複数の発光素子102のそれぞれに対して端子112が形成されている。複数の端子112は、互いに並んで、基板100の縁に配置されている。そして、複数の端子112のそれぞれの上に、導電繊維152が配置されている。そして、図7に示すように、導電性接着層300は、複数の端子112に跨って形成されている。
また、端子112は、第1電極110と同一の材料から形成されている層113と、この層よりも低抵抗な材料(例えば金属)からなる層111をこの順に積層した構成を有している。端子132も、同様の構成を有している。
なお、端子132に導電部材200を接続する方法も、図2及び図3を用いて説明した通りである。
図7に示す例では、複数の端子112には一つの導電部材200が接続されている。ただし、図8に示すように、複数の端子112は、互いに異なる導電部材200に接続していてもよい。
また、図9に示すように、導電繊維152を有する導電繊維層150は、複数の端子112に跨って形成されていてもよい。
本実施例によっても、端子112,132の表層には、導電繊維152が位置している。このため、保護膜140のうち端子112,132の上に位置する部分にはクラックが入りやすい。このため、導通部材310が保護膜140を突き破りやすくなる。従って、導電性接着層300を用いて導電部材200と第1電極110とを接続しやすくなる。
なお、本実施例において、導電性接着層300及び導電部材200の代わりに、第2の実施形態に示したボンディングワイヤ210を用いても良い。また、図3と同様に、導電繊維層150は導電繊維152のみで形成されていても良い。
(実施例2)
図10は、実施例2に係る発光装置10の構成を示す平面図であり、実施例1における図6に対応している。本実施例において、発光装置10はディスプレイであり、マトリクス状に配置された複数の発光素子102を有している。
図10は、実施例2に係る発光装置10の構成を示す平面図であり、実施例1における図6に対応している。本実施例において、発光装置10はディスプレイであり、マトリクス状に配置された複数の発光素子102を有している。
詳細には、複数の第1電極110が互いに平行に延在しており、かつ、複数の第2電極130が、互いに平行かつ第1電極110と交わる方向(例えば直交する方向)に延在している。そして、第1電極110と第2電極130の交点のそれぞれに、発光素子102が形成されている。具体的には、絶縁層160は、複数の第1電極110の上に跨って形成されている。絶縁層160のうち、第1電極110と第2電極130の交点に位置する部分には開口が形成されている。そして、この開口内には、有機層120が設けられている。
端子112は複数の第1電極110のそれぞれに設けられており、また、端子132は複数の第2電極130のそれぞれに設けられている。複数の端子112,132は、いずれも基板100の縁に沿って配置されている。本図に示す例では、複数の端子112,132は、いずれも基板100の同一の辺に沿って配置されている。ただし、端子112と端子132は、基板100のうち互いに異なる辺に沿って配置されていてもよい。
そして、複数の端子112,132の上には、導電繊維152が配置されている。本図に示す例において、導電繊維152を有する導電繊維層150の配置は図8に示した例と同様である。
その他の構成は、実施例1と同様である。
本実施例においても、端子112,132の表面には、導電繊維152が位置している。従って、導電性接着層300を用いて導電部材200と第1電極110とを接続しやすくなる。
なお、本実施例において、導電性接着層300及び導電部材200の代わりに、第2の実施形態に示したボンディングワイヤ210を用いても良い。また、図3と同様に、導電繊維層150は導電繊維152のみで形成されていても良い。
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
Claims (7)
- 基板と、
前記基板に形成され、有機層を有する発光素子と、
前記発光素子に電気的に接続する端子と、
前記発光素子及び前記端子を覆う保護膜と、
を備え、
前記端子の表面には導電繊維が位置している発光装置。 - 請求項1に記載の発光装置において、
前記保護膜は、酸化金属膜である発光装置。 - 請求項2に記載の発光装置において、
前記端子の表面は凹凸を有しており、
前記保護膜は、前記端子と重なる部分にクラックを有している発光装置。 - 請求項3に記載の発光装置において、
前記導電繊維は前記保護膜を突き破っている発光装置。 - 請求項4に記載の発光装置において、
前記保護膜の上に位置していて前記端子と重なる導電部材と、
厚さ方向において一部が前記保護膜と重なり、前記導電部材を前記端子に接続する導電粒子と、
を備える発光装置。 - 請求項4に記載の発光装置において、
前記保護膜の上に位置していて前記端子に接続するボンディングワイヤを備える発光装置。 - 請求項5又は6に記載の発光装置において、
前記端子は、
導電層と、
前記導電層の上に形成され、前記導電繊維を含む導電繊維層と、を備える発光装置。
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