JP2009193063A - 表示装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】抵抗素子103と、第1端子及び第2端子を含む容量素子102と、ゲート端子が走査線105に電気的に接続され、ソース端子またはドレイン端子の一方が信号線106に電気的に接続された第1のトランジスタ100と、ゲート端子が第1のトランジスタ100のソース端子またはドレイン端子の他方に接続され、ソース端子またはドレイン端子の一方が電源線107に電気的に接続され、ソース端子またはドレイン端子の他方が容量素子102の第1端子に電気的に接続された第2のトランジスタ101と、第1端子及び第2端子を含み、第1端子が前記第2のトランジスタ101のソース端子またはドレイン端子の他方に抵抗素子103を介して電気的に接続された発光素子104と、を有する。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では本発明の一形態である表示装置について説明する。
本実施の形態では表示装置における画素の他の構成について説明する。
本実施の形態では、表示装置における画素の他の構成について説明する。
本実施の形態では、表示装置における画素の他の構成について説明する。
本実施の形態では、表示装置における画素に用いることができるトランジスタの構成について説明する。
本実施の形態では、本発明の表示装置について説明する。
本実施の形態では、本発明の表示装置を表示部に用いた電子機器について説明する。
101 第2のトランジスタ
102 容量素子
103 抵抗素子
104 発光素子
105 走査線
106 信号線
107 電源線
108 第1の電位供給端子
109 第2の電位供給端子
100 トランジスタ
101 トランジスタ
102 容量素子
102 容量素子
103 抵抗素子
103 抵抗素子
104 発光素子
104 発光素子
105 走査線
106 信号線
107 電源線
108 電位供給端子
109 電位供給端子
200 トランジスタ
201 トランジスタ
202 トランジスタ
203 容量素子
204 抵抗素子
205 発光素子
206 走査線
207 信号線
208 電源線
209 電位供給端子
210 電位供給端子
300 トランジスタ
301 容量素子
302 抵抗素子
303 発光素子
304 走査線
305 信号線
306 電位供給端子
307 電位供給端子
400 トランジスタ
401 トランジスタ
402 容量素子
403 抵抗素子
404 トランジスタ
405 発光素子
406 走査線
407 信号線
408 電源線
409 電位供給端子
410 電位供給端子
500 トランジスタ
501 トランジスタ
502 トランジスタ
503 トランジスタ
504 トランジスタ
505 トランジスタ
506 基板
507 下地膜
508 半導体層
509 低濃度不純物領域
510 不純物領域
511 ゲート絶縁膜
512 ゲート電極
512A ゲート電極
512B ゲート電極
512C ゲート電極
512D ゲート電極
512E ゲート電極
512F ゲート電極
513 絶縁膜
514 絶縁膜
515 サイドウォール
516 配線
600 半導体基板
601 絶縁膜
602 pウェル
603 素子領域
604 素子領域
605 絶縁膜
606 絶縁膜
607 導電膜
608 導電膜
609 ゲート電極
610 ゲート電極
611 素子領域
612 素子領域
613 レジストマスク
614 不純物領域
615 チャネル領域
616 レジストマスク
617 不純物領域
618 チャネル領域
619 絶縁膜
620 配線
700 画素
701 画素部
702 走査線
703 信号線
704 電源線
705 走査線駆動回路
706 信号線駆動回路
707 制御回路
708 電源回路
800 シフトレジスタ
801 レベルシフタ
802 バッファ
803 シフトレジスタ
804 ラッチ回路
805 ラッチ回路
806 レベルシフタ
807 バッファ
901 筐体
902 支持台
903 表示部
904 スピーカー部
905 ビデオ入力端子
911 本体
912 表示部
913 受像部
914 操作キー
915 外部接続ポート
916 シャッターボタン
921 本体
922 筐体
923 表示部
924 キーボード
925 外部接続ポート
926 ポインティングデバイス
931 本体
932 表示部
933 スイッチ
934 操作キー
935 赤外線ポート
941 本体
942 筐体
943 表示部A
944 表示部B
945 読込部
946 操作キー
947 スピーカー部
951 本体
952 表示部
953 アーム部
961 本体
962 表示部
963 筐体
964 外部接続ポート
965 リモコン受信部
966 受像部
967 バッテリー
968 音声入力部
969 操作キー
971 本体
972 筐体
973 表示部
974 音声入力部
975 音声出力部
976 操作キー
977 外部接続ポート
978 アンテナ
980 筐体
981 筐体
982 表示部
983 スピーカー
984 マイクロフォン
985 操作キー
986 ポインティングデバイス
987 カメラ用レンズ
988 外部接続端子
989 イヤホン端子
990 キーボード
991 外部メモリスロット
992 カメラ用レンズ
993 ライト
Claims (15)
- 走査線と、
信号線と、
電源線と、
画素と、を有し、
前記画素は、
抵抗素子と、
第1端子及び第2端子を含む容量素子と、
ゲート端子が前記走査線に電気的に接続され、ソース端子またはドレイン端子の一方が前記信号線に電気的に接続された第1のトランジスタと、
ゲート端子が前記第1のトランジスタのソース端子またはドレイン端子の他方に接続され、ソース端子またはドレイン端子の一方が前記電源線に電気的に接続され、ソース端子またはドレイン端子の他方が前記容量素子の前記第1端子に電気的に接続された第2のトランジスタと、
第1端子及び第2端子を含み、前記第1端子が前記容量素子の前記第1端子に前記抵抗素子を介して電気的に接続された発光素子と、を有する表示装置。 - 走査線と、
信号線と、
電源線と、
画素と、を有し、
前記画素は、
抵抗素子と、
第1端子及び第2端子を含む容量素子と、
ゲート端子が前記走査線に電気的に接続され、ソース端子またはドレイン端子の一方が前記信号線に電気的に接続された第1のトランジスタと、
ゲート端子が前記第1のトランジスタのソース端子またはドレイン端子の他方に接続され、ソース端子またはドレイン端子の一方が前記電源線に電気的に接続され、ソース端子またはドレイン端子の他方が前記容量素子の前記第1端子に電気的に接続された第2のトランジスタと、
ゲート端子が前記第1のトランジスタのソース端子またはドレイン端子の他方に接続され、ソース端子またはドレイン端子の一方が前記電源線に電気的に接続され、ソース端子またはドレイン端子の他方が前記容量素子の前記第1端子に前記抵抗素子を介して電気的に接続された第3のトランジスタと、
第1端子及び第2端子を含み、前記第1端子が前記第3のトランジスタの前記ソース端子または前記ドレイン端子の他方に電気的に接続された発光素子と、を有する表示装置。 - 請求項2において、
前記第2のトランジスタ及び前記第3のトランジスタは、互いに同じ導電型である表示装置。 - 走査線と、
信号線と、
電源線と、
画素と、を有し、
前記画素は、
抵抗素子と、
第1端子及び第2端子を含む容量素子と、
ゲート端子が前記走査線に電気的に接続され、ソース端子またはドレイン端子の一方が前記信号線に電気的に接続されたトランジスタと、
第1端子及び第2端子を含み、第1端子が前記抵抗素子を介して前記容量素子の前記第1端子及び前記トランジスタの前記ソース端子及び前記ドレイン端子の他方に電気的に接続された発光素子と、を有する表示装置。 - 走査線と、
信号線と、
電源線と、
画素と、を有し、
前記画素は、
抵抗素子と、
第1端子及び第2端子を含む容量素子と、
第1端子及び第2端子を含む発光素子と、
ゲート端子が前記走査線に電気的に接続され、ソース端子またはドレイン端子の一方が前記信号線に電気的に接続された第1のトランジスタと、
ゲート端子が前記第1のトランジスタのソース端子またはドレイン端子の他方に電気的に接続され、ソース端子またはドレイン端子の一方が前記電源線に電気的に接続され、ソース端子またはドレイン端子の他方が前記発光素子の前記第1端子に電気的に接続された第2のトランジスタと、
ゲート端子が前記走査線に電気的に接続され、ソース端子またはドレイン端子の一方が前記第1のトランジスタの前記ソース端子またはドレイン端子の他方、及び前記容量素子の前記第1端子に前記抵抗素子を介して電気的に接続され、ソース端子またはドレイン端子の他方が前記容量素子の前記第2端子に電気的に接続された第3のトランジスタと、を有する表示装置。 - 請求項5において、
前記第1のトランジスタ及び前記第3のトランジスタは、互いに異なる導電型である表示装置。 - 請求項5または請求項6において、
前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタは、互いに同じ導電型である表示装置。 - 請求項5乃至請求項7のいずれか一項において、
前記容量素子は、前記第2端子に接地電位が与えられる表示装置。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一項において、
前記画素が有するトランジスタは、微結晶半導体層を含む表示装置。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一項において、
前記容量素子は、第1の電極と、
第2の電極と、
前記第1の電極及び前記第2の電極に挟持された誘電体層を有し、
前記誘電体層に用いられる材料は、比誘電率が8以上の材料である表示装置。 - 請求項1乃至請求項10のいずれか一項において、
前記容量素子における電荷の蓄積時間は、1水平期間より短い表示装置。 - 請求項1乃至請求項11のいずれか一項において、
前記発光素子の発光時間は、1フレーム期間より短い表示装置。 - 請求項1乃至請求項12のいずれか一項において、
前記抵抗素子は、半導体材料を用いて構成される表示装置。 - 請求項1乃至請求項13のいずれか一項において、
前記発光素子は、第1の電極と、
第2の電極と、
前記第1の電極及び前記第2の電極間に電界発光層と、を有し、
前記電界発光層は、ZnO、MgxZ1―XO、ZnS、ZnTe、またはCdSを含む表示装置。 - 請求項1乃至請求項14のいずれか一項に記載の表示装置を表示部に有する電子機器。
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