JPWO2015037534A1 - Functional film manufacturing apparatus and manufacturing method - Google Patents

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Abstract

本発明の課題は、剥離放電による膜欠陥が少ない機能性フィルムの製造装置及び製造方法を提供することである。本発明の機能性フィルムの製造装置は、長尺のフィルムを搬送し、当該フィルム上に機能性層を薄膜として形成する製造装置であって、前記フィルムを搬送する複数のローラーと、前記複数のローラーにより搬送されるフィルム上に機能性層を連続的に形成する成膜部と、前記複数のローラーのうち、少なくとも１つのローラーにより前記フィルムが送り出されて前記ローラーから前記フィルムが剥離する位置において、前記フィルムを除電する一又は複数の除電装置と、を備えることを特徴とする。The subject of this invention is providing the manufacturing apparatus and manufacturing method of a functional film with few film | membrane defects by peeling discharge. The functional film manufacturing apparatus of the present invention is a manufacturing apparatus that transports a long film and forms a functional layer as a thin film on the film, and includes a plurality of rollers that transport the film, and the plurality of rollers. At a position where the film is sent out by at least one of the plurality of rollers and the film is peeled off from the roller by continuously forming a functional layer on the film conveyed by the roller And one or a plurality of static eliminators for neutralizing the film.

Description

本発明は、機能性フィルムの製造装置及び製造方法に関する。より詳細には、膜欠陥が少ない機能性層を形成可能な機能性フィルムの製造装置及び製造方法に関する。   The present invention relates to a functional film manufacturing apparatus and a manufacturing method. More specifically, the present invention relates to a functional film manufacturing apparatus and a manufacturing method capable of forming a functional layer with few film defects.

従来、フィルム上に機能性層が形成された機能性フィルムが利用されている。
食品、医薬品、電子デバイス等の包装材として用いられているガスバリアー性フィルムも、機能性フィルムの１つである。ガスバリアー性フィルムは、フィルム上に形成されたガスバリアー層が、大気中の水、酸素等のガスを遮蔽して内容物の劣化を防ぐ。
このような機能性フィルムは、生産性の向上を図るため、長尺のフィルムを搬送しながら、連続的に、フィルム上に機能性層を薄膜として形成することにより、製造されている。Conventionally, a functional film having a functional layer formed on a film has been used.
A gas barrier film used as a packaging material for foods, pharmaceuticals, electronic devices and the like is also one of functional films. In the gas barrier film, a gas barrier layer formed on the film shields gas such as water and oxygen in the atmosphere to prevent deterioration of contents.
Such a functional film is manufactured by continuously forming a functional layer as a thin film on a film while conveying a long film in order to improve productivity.

製造過程においては異常放電が生じることがあり、その対策として除電装置が設置されることがある。
例えば、成膜方法が電子ビームを用いた真空蒸着法である場合、成膜後のフィルムが２次電子によって負に帯電しやすい。この帯電によって、巻取り時に異常放電が生じることがあるため、巻取りの直前の位置に除電装置が配置されている（例えば、特許文献１参照。）。An abnormal discharge may occur in the manufacturing process, and a static eliminator may be installed as a countermeasure.
For example, when the film formation method is a vacuum deposition method using an electron beam, the film after film formation is easily negatively charged by secondary electrons. Since this discharge may cause abnormal discharge during winding, a static eliminator is disposed at a position immediately before winding (see, for example, Patent Document 1).

また、長尺のフィルムをローラーにより搬送する際、ローラーとフィルムが接触すると、ローラーとフィルム間で電荷が少なからず移動し、電気的な偏りが生じて帯電する。この帯電によって、成膜前のフィルム上に異物が付着することを防ぐため、成膜直前の位置に除電装置を配置してフィルムを除電することも行われている（例えば、特許文献２参照。）。   Further, when a long film is conveyed by a roller, when the roller and the film come into contact with each other, an electric charge moves not less than between the roller and the film, and an electric bias is generated to be charged. In order to prevent foreign matter from adhering to the film before film formation due to this electrification, the film is neutralized by disposing a charge removal device at a position immediately before film formation (see, for example, Patent Document 2). ).

しかしながら、異常放電は、フィルムがローラーから剥離した瞬間にも起こり得る。いわゆる剥離放電である。そのため、上記特許文献１及び２のように、成膜直前又は巻き取り直前の位置において除電を行っても、その前後に配置されているローラーによって剥離放電が生じることがあるという問題が判明した。
さらに、フィルムが樹脂製である場合、有機化合物が主成分であり、耐熱性が低いため、剥離放電によって局所的に溶解して、形状が変化することも判明した。このように損傷したフィルム上に機能性層を形成しても、均一に形成することができず、膜欠陥が生じてしまう。
機能性層が既に形成されたフィルムを搬送して、さらに機能性層を積層する場合には、機能性層は薄膜であるがために、剥離放電によって破壊されやすく、やはり膜欠陥となってしまうという問題も判明した。However, abnormal discharge can also occur at the moment when the film peels from the roller. This is so-called peeling discharge. Therefore, as in Patent Documents 1 and 2, it has been found that even when static elimination is performed at a position immediately before film formation or immediately before winding, peeling discharge may occur due to the rollers arranged before and after that.
Furthermore, when the film is made of a resin, it has also been found that since the organic compound is the main component and the heat resistance is low, the film is locally dissolved by peeling discharge to change the shape. Even if the functional layer is formed on the damaged film as described above, it cannot be formed uniformly and a film defect occurs.
When transporting a film in which a functional layer has already been formed and further laminating a functional layer, the functional layer is a thin film, so it is easily destroyed by peeling discharge, and also becomes a film defect. The problem was also found.

フィルム上に導電性材料を塗布して剥離放電を抑える方法もあるが、フィルムの導電性が高まるために電気が流れやすく、アーク放電が起きやすくなってしまう。局所的に発生するアーク放電に起因して膜欠陥が生じるため、膜欠陥を減らすことはできない。
また、機能性層を形成するためプラズマ放電をする場合、フィルム上に塗布された導電性材料の層においてジュール熱が生じて高温化するため、フィルムが変形するという問題がある。上述のように、変形したフィルム上には均一な機能性層を形成することができず、膜欠陥が生じてしまう。There is also a method for suppressing peeling discharge by applying a conductive material on the film, but since the conductivity of the film is increased, electricity easily flows and arc discharge is likely to occur. Since film defects occur due to locally generated arc discharge, the film defects cannot be reduced.
In addition, when plasma discharge is performed to form a functional layer, there is a problem that the film is deformed because Joule heat is generated in the layer of the conductive material applied on the film to increase the temperature. As described above, a uniform functional layer cannot be formed on the deformed film, resulting in film defects.

特開２００３−３０１２６０号公報JP 2003-301260 A 特開２０１２−８２４６４号公報JP 2012-82464 A

本発明は上記問題・状況に鑑みてなされ、その解決課題は、剥離放電による膜欠陥が少ない機能性フィルムの製造装置及び製造方法を提供することである。   This invention is made | formed in view of the said problem and the situation, and the solution subject is providing the manufacturing apparatus and manufacturing method of a functional film with few film | membrane defects by peeling discharge.

本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討する過程において、剥離放電が生じる位置において除電すると、剥離放電による膜欠陥を効果的に減らすことができることを見出し、本発明に至った。
すなわち、本発明に係る課題は、以下の手段によって解決される。In order to solve the above-mentioned problems, the present inventor has found that, in the process of examining the cause of the above-mentioned problem, etc., by removing charge at a position where peeling discharge occurs, it is possible to effectively reduce film defects due to peeling discharge. It came to.
That is, the subject concerning this invention is solved by the following means.

１．長尺のフィルムを搬送し、当該フィルム上に機能性層を薄膜として形成する機能性フィルムの製造装置であって、
前記フィルムを搬送する複数のローラーと、
前記複数のローラーにより搬送されるフィルム上に機能性層を連続的に形成する成膜部と、
前記複数のローラーのうち、少なくとも１つのローラーにより前記フィルムが送り出されて前記ローラーから前記フィルムが剥離する位置において、前記フィルムを除電する一又は複数の除電装置と、
を備えることを特徴とする機能性フィルムの製造装置。1. It is a functional film manufacturing apparatus that conveys a long film and forms a functional layer as a thin film on the film,
A plurality of rollers for conveying the film;
A film forming unit that continuously forms a functional layer on the film conveyed by the plurality of rollers;
Among the plurality of rollers, one or a plurality of static elimination devices that neutralize the film at a position where the film is sent out by at least one roller and the film is peeled off from the rollers;
An apparatus for producing a functional film, comprising:

２．前記複数のローラーが、少なくとも１層の機能性層が既に形成されているフィルムを搬送し、
前記複数のローラーのうち、少なくともローラー表面が前記フィルム上の機能性層と対面するローラーにより送り出されて前記ローラーから前記フィルムが剥離する位置において、前記フィルムを除電するように、前記一又は複数の除電装置が配置されていることを特徴とする第１項に記載の機能性フィルムの製造装置。2. The plurality of rollers convey a film in which at least one functional layer is already formed,
Among the plurality of rollers, at least one roller surface is fed by a roller that faces the functional layer on the film and the film is peeled off from the roller so that the film is neutralized. The apparatus for producing a functional film according to item 1, wherein a static eliminator is disposed.

３．前記除電装置の除電方式が、電気力線放射方式又は紫外光電離方式であることを特徴とする第１項又は第２項に記載の機能性フィルムの製造装置。   3. 3. The functional film manufacturing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the static elimination method of the static elimination device is an electric field line radiation method or an ultraviolet photoionization method.

４．前記複数のローラーが、対向配置された一対のローラーを含み、
前記成膜部が、前記一対のローラー間に機能性層の原料ガスを供給するとともに電圧を印加して、プラズマを生成させ、当該機能性層の原料成分を前記フィルム上に堆積させることを特徴とする第１項から第３項までのいずれか一項に記載の機能性フィルムの製造装置。4). The plurality of rollers includes a pair of rollers arranged to face each other,
The film forming unit supplies a functional layer raw material gas between the pair of rollers and applies a voltage to generate plasma, thereby depositing the raw material component of the functional layer on the film. The manufacturing apparatus of the functional film as described in any one of 1st term | claim to 3rd term.

５．前記機能性層が、ガスバリアー層であることを特徴とする第１項から第４項までのいずれか一項に記載の機能性フィルムの製造装置。   5). The functional film manufacturing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the functional layer is a gas barrier layer.

６．長尺のフィルムを搬送し、当該フィルム上に機能性層を薄膜として形成する機能性フィルムの製造方法であって、
複数のローラーにより前記フィルムを搬送して、当該フィルム上に機能性層を連続的に形成し、前記複数のローラーのうち、少なくとも１つのローラーにより前記フィルムが送り出されて前記ローラーから前記フィルムが剥離する位置において、前記フィルムを除電することを特徴とする機能性フィルムの製造方法。6). A method for producing a functional film that conveys a long film and forms a functional layer as a thin film on the film,
The film is transported by a plurality of rollers, and a functional layer is continuously formed on the film. The film is fed out by at least one of the plurality of rollers, and the film is peeled off from the rollers. A method for producing a functional film, wherein the film is neutralized at a position where the film is removed.

７．前記複数のローラーにより、少なくとも１層の機能性層が既に形成されているフィルムを搬送し、
前記複数のローラーのうち、少なくともローラー表面が前記フィルム上の機能性層と対面するローラーにより送り出されて前記ローラーから前記フィルムが剥離する位置において、前記フィルムを除電することを特徴とする第６項に記載の機能性フィルムの製造方法。7). The plurality of rollers conveys a film in which at least one functional layer has already been formed,
Item 6: The film is neutralized at a position where at least a roller surface of the plurality of rollers is fed by a roller facing a functional layer on the film and the film is peeled off from the roller. A method for producing the functional film described in 1.

８．前記除電時の除電方式が、電気力線放射方式又は紫外光電離方式であることを特徴とする第６項又は第７項に記載の機能性フィルムの製造方法。   8). 8. The method for producing a functional film according to item 6 or 7, wherein the static elimination method at the time of static elimination is an electric field line radiation method or an ultraviolet photoionization method.

９．前記複数のローラーが、対向配置された一対のローラーを含み、
前記一対のローラー間に機能性層の原料ガスを供給するとともに電圧を印加して、プラズマを生成させ、当該機能性層の原料成分を前記フィルム上に堆積させることを特徴とする第６項から第８項までのいずれか一項に記載の機能性フィルムの製造方法。9. The plurality of rollers includes a pair of rollers arranged to face each other,
The raw material gas for the functional layer is supplied between the pair of rollers and a voltage is applied to generate plasma to deposit the raw material component of the functional layer on the film. The method for producing a functional film according to any one of items up to 8.

１０．前記機能性層が、ガスバリアー層であることを特徴とする第６項から第９項までのいずれか一項に記載の機能性フィルムの製造方法。   10. The method for producing a functional film according to any one of Items 6 to 9, wherein the functional layer is a gas barrier layer.

本発明の上記手段により、剥離放電による膜欠陥が少ない機能性フィルムの製造装置及び製造方法を提供できる。
本発明の効果の発現機構ないし作用機構は、以下のとおりである。
ローラーによりフィルムが送り出され、ローラーからフィルムが剥離する位置においてフィルムを除電することにより、ローラーからフィルムが剥離する際に生じる剥離放電を抑えることができる。その結果、剥離放電に起因するフィルムの溶融及び機能性層の損傷を抑えることができ、膜欠陥を減らすことができる。By the above means of the present invention, it is possible to provide a functional film production apparatus and production method with few film defects due to peeling discharge.
The expression mechanism or action mechanism of the effect of the present invention is as follows.
When the film is sent out by the roller and the film is neutralized at a position where the film is peeled off from the roller, peeling discharge generated when the film is peeled off from the roller can be suppressed. As a result, film melting and functional layer damage caused by peeling discharge can be suppressed, and film defects can be reduced.

本実施の形態に係る機能性フィルムの製造装置の概略構成を示す正面図。The front view which shows schematic structure of the manufacturing apparatus of the functional film which concerns on this Embodiment. 機能性フィルムの一例としてのガスバリアー性フィルムを示す断面図。Sectional drawing which shows the gas barrier film as an example of a functional film. 他の実施の形態に係る機能性フィルムの製造装置の概略構成を示す正面図。The front view which shows schematic structure of the manufacturing apparatus of the functional film which concerns on other embodiment. 比較例に係る機能性フィルムの製造装置に配置された除電装置の位置を示す正面図。The front view which shows the position of the static elimination apparatus arrange | positioned at the manufacturing apparatus of the functional film which concerns on a comparative example.

本発明の機能性フィルムの製造装置及び製造方法は、複数のローラーにより長尺のフィルムを搬送して、当該フィルム上に機能性層を連続的に形成し、前記複数のローラーのうち、少なくとも１つのローラーにより前記フィルムが送り出されて前記ローラーから前記フィルムが剥離する位置において、前記フィルムを除電することを特徴とする。この特徴は請求項１から請求項１０までの各請求項に係る発明に共通の技術的特徴である。   The functional film manufacturing apparatus and the manufacturing method of the present invention convey a long film by a plurality of rollers, continuously form a functional layer on the film, and at least one of the plurality of rollers. The film is neutralized at a position where the film is fed out by two rollers and the film is peeled off from the roller. This feature is a technical feature common to the inventions according to claims 1 to 10.

本発明の実施態様としては、少なくとも１層の機能性層が既に形成されているフィルムを搬送する場合、機能性層の損傷を抑える観点から、前記複数のローラーのうち、少なくともローラー表面が前記フィルム上の機能性層と対面するローラーにより送り出されて前記ローラーから前記フィルムが剥離する位置において、前記フィルムを除電することが好ましい。これにより、フィルム上に既に形成されている機能性層の損傷を効果的に抑えることができる。   As an embodiment of the present invention, when conveying a film in which at least one functional layer is already formed, from the viewpoint of suppressing damage to the functional layer, at least the roller surface of the plurality of rollers is the film. It is preferable that the film is neutralized at a position where the film is fed from a roller facing the upper functional layer and peeled off from the roller. Thereby, damage to the functional layer already formed on the film can be effectively suppressed.

本発明の実施態様としては、減圧下においても効果的な除電が可能であることから、前記除電時の除電方式が、電気力線放射方式又は紫外光電離方式であることが好ましい。   As an embodiment of the present invention, since effective static elimination is possible even under reduced pressure, it is preferable that the static elimination method at the static elimination is an electric field line radiation method or an ultraviolet photoionization method.

本発明の機能性フィルムの製造装置及び製造方法は、ローラーにより搬送されるフィルム上に機能性層を連続的に形成できるのであれば、真空蒸着法、マグネトロンスパッター法、イオンプレーティング法、プラズマ化学気相成長（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）法、原子層堆積（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）法等であることができる。   As long as the functional film can be continuously formed on the film transported by a roller, the functional film production apparatus and production method of the present invention can be used in vacuum deposition, magnetron sputtering, ion plating, plasma chemistry, and the like. It can be a vapor deposition (CVD) method, an atomic layer deposition (ALD) method, or the like.

なかでも、一対のローラー間に、機能性層の原料ガスを供給するとともに電圧を印加してプラズマを生成させ、フィルム上に機能性層の原料成分を堆積させるプラズマＣＶＤ法が、機能性層内における原子の組成比の調整が容易となり、好ましい。
成膜レートを向上させる観点から、一対のローラー間に磁場を形成することがより好ましい。Among them, the plasma CVD method in which the raw material gas of the functional layer is supplied between a pair of rollers and a voltage is applied to generate plasma to deposit the raw material components of the functional layer on the film is used in the functional layer. Adjustment of the composition ratio of atoms in is easy and preferable.
From the viewpoint of improving the film formation rate, it is more preferable to form a magnetic field between the pair of rollers.

さらに、対向配置された一対のローラーが、機能性層が形成される面が対向するようにフィルムを搬送する対向ローラー型のプラズマＣＶＤ法が好ましい。対向ローラー型のプラズマＣＶＤ法は、対向する一対のローラー間においてプラズマを生成するため、フィルムが直接プラズマに曝される。剥離による電荷に加え、プラズマによっても電荷を帯びやすくなり、剥離放電が生じやすいため、剥離位置でのフィルムの除電を行うことにより効果的に膜欠陥を減らすことが可能となる。また、搬送方向上流のローラーにより原料成分を堆積させた後、搬送方向下流のローラーにより原料成分をさらに堆積させることができ、成膜レートがさらに向上する。   Furthermore, a counter-roller type plasma CVD method is preferred in which the pair of rollers arranged opposite to each other conveys the film so that the surfaces on which the functional layers are formed face each other. In the opposed roller type plasma CVD method, plasma is generated between a pair of opposed rollers, so that the film is directly exposed to the plasma. In addition to the charge due to peeling, the plasma is easily charged and peeling discharge is likely to occur. Therefore, it is possible to effectively reduce film defects by performing static elimination of the film at the peeling position. Moreover, after depositing the raw material component by the roller upstream in the transport direction, the raw material component can be further deposited by the roller downstream in the transport direction, and the film formation rate is further improved.

以下、本発明の機能性フィルムの製造装置及び製造方法の実施の形態として、対向ローラー型のプラズマＣＶＤ法を用いた例を説明する。
なお、本願において、「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。Hereinafter, an example using a counter-roller type plasma CVD method will be described as an embodiment of the functional film production apparatus and production method of the present invention.
In addition, in this application, "-" is used in the meaning which includes the numerical value described before and behind that as a lower limit and an upper limit.

〔機能性フィルムの製造装置〕
図１は、機能性層を薄膜として形成するために対向ローラー型のプラズマＣＶＤ法を用いた機能性フィルムの製造装置Ａの概略構成を示している。
図１に示すように、機能性フィルムの製造装置Ａは、真空チャンバーａ１、真空ポンプａ２、真空チャンバーａ１内に配置された複数のローラー１１〜１６、成膜部２０及び複数の除電装置３１〜３７を備えて構成されている。[Functional film production equipment]
FIG. 1 shows a schematic configuration of a functional film manufacturing apparatus A using a counter-roller type plasma CVD method in order to form a functional layer as a thin film.
As shown in FIG. 1, the functional film manufacturing apparatus A includes a vacuum chamber a1, a vacuum pump a2, a plurality of rollers 11 to 16, a film forming unit 20, and a plurality of static elimination devices 31 to 31 disposed in the vacuum chamber a1. 37.

製造装置Ａは、各ローラー１１〜１６により長尺のフィルム１を搬送し、搬送されるフィルム１上に成膜部２０により機能性層を連続的に形成する。
長尺のフィルム１は、機能性フィルムの基板であり、１層以上の機能性層が既に形成されていてもよい。The manufacturing apparatus A conveys the long film 1 by each roller 11-16, and forms a functional layer continuously by the film-forming part 20 on the film 1 conveyed.
The long film 1 is a functional film substrate, and one or more functional layers may already be formed.

真空チャンバーａ１は、機能性層の形成時、真空ポンプａ２によって内部の圧力が減圧下に調整される。減圧下とは、真空チャンバーａ１内の圧力が、０．０１〜２０Ｐａの範囲内にあるこという。   In the vacuum chamber a1, the internal pressure is adjusted under reduced pressure by the vacuum pump a2 when the functional layer is formed. Under reduced pressure means that the pressure in the vacuum chamber a1 is in the range of 0.01 to 20 Pa.

ローラー１１は、アンワインダーとも呼ばれ、フィルム１のロール体を巻き出す。
各ローラー１２〜１５は、ガイドローラーとも呼ばれ、巻き出されたフィルム１を成膜部２０へ、成膜部２０からローラー１６へと連続的に搬送する。
ローラー１６は、ワインダーとも呼ばれ、成膜されたフィルム１を巻き取る。The roller 11 is also called an unwinder and unwinds the roll body of the film 1.
Each of the rollers 12 to 15 is also referred to as a guide roller, and continuously conveys the unwound film 1 to the film forming unit 20 and from the film forming unit 20 to the roller 16.
The roller 16 is also called a winder and winds up the film 1 formed.

各ローラー１１〜１６としては、従来公知のローラーを使用することができ、例えば金属製又は合金製のローラーを用いることができる。ローラー表面には、コート層が設けられていてもよい。   As each roller 11-16, a conventionally well-known roller can be used, for example, a metal or alloy roller can be used. A coat layer may be provided on the roller surface.

成膜部２０は、プラズマＣＶＤ法によりフィルム１上に機能性層を薄膜として形成する。
成膜部２０は、図１に示すように、対向配置された一対のローラー２１及び２２と、一対のローラー２１及び２２間に原料ガスを供給するガス供給部２４と、一対のローラー２１及び２２に接続された電源２５と、を備えている。The film forming unit 20 forms a functional layer as a thin film on the film 1 by a plasma CVD method.
As shown in FIG. 1, the film forming unit 20 includes a pair of opposed rollers 21 and 22, a gas supply unit 24 that supplies a source gas between the pair of rollers 21 and 22, and a pair of rollers 21 and 22. And a power supply 25 connected to.

一対のローラー２１及び２２は、成膜部２０においてフィルム１を搬送するローラーであり、一対の電極としても機能する。
また、各ローラー２１及び２２は、図１に示すように磁場発生装置２３を内蔵している。
磁場発生装置２３は、各ローラー２１及び２２の回転によって回転しないように、各ローラー２１及び２２内に固定されている。磁場発生装置２３としては、通常の永久磁石を用いることが好ましい。The pair of rollers 21 and 22 are rollers that transport the film 1 in the film forming unit 20 and also function as a pair of electrodes.
Each of the rollers 21 and 22 has a built-in magnetic field generator 23 as shown in FIG.
The magnetic field generator 23 is fixed in each roller 21 and 22 so as not to rotate due to the rotation of each roller 21 and 22. As the magnetic field generator 23, it is preferable to use a normal permanent magnet.

一対のローラー２１及び２２は、電源２５により電圧が印加されると、一対のローラー２１及び２２間に放電空間を形成する。ガス供給部２４により放電空間内に原料ガス及び反応用ガスが供給されると、原料ガスのプラズマが生成され、放電空間に面するフィルム１上に原料成分が堆積する。一対のローラー２１及び２２は、それぞれ内蔵する磁場発生装置２３により磁場を形成しているので、プラズマはこの磁場の磁力線に沿って生成される。すなわち、放電空間における電場と磁場によって、電子が放電空間内に閉じ込められ、高密度のプラズマが生成されるため、成膜レートが向上する。   The pair of rollers 21 and 22 forms a discharge space between the pair of rollers 21 and 22 when a voltage is applied by the power supply 25. When the source gas and the reaction gas are supplied into the discharge space by the gas supply unit 24, plasma of the source gas is generated, and the source components are deposited on the film 1 facing the discharge space. Since the pair of rollers 21 and 22 form a magnetic field by the built-in magnetic field generator 23, plasma is generated along the magnetic field lines of the magnetic field. That is, electrons are confined in the discharge space by the electric field and magnetic field in the discharge space, and high-density plasma is generated, so that the film formation rate is improved.

また、各ローラー２１及び２２は、回転軸が同一平面上において平行となるように対向配置され、機能性層が形成される面が対向するようにフィルムを搬送する。そのため、搬送方向上流のローラー２１によりフィルム１上に機能性層を形成した後、搬送方向下流のローラー２２によりフィルム１上にさらに機能性層を形成することができ、成膜レートをより向上させることができる。   Moreover, each roller 21 and 22 is opposingly arranged so that a rotating shaft may become parallel on the same plane, and conveys a film so that the surface in which a functional layer is formed opposes. Therefore, after the functional layer is formed on the film 1 by the roller 21 upstream in the transport direction, the functional layer can be further formed on the film 1 by the roller 22 downstream in the transport direction, thereby further improving the film formation rate. be able to.

各ローラー２１及び２２は、薄膜を効率良く形成する観点から、直径が同一であることが好ましい。
各ローラー２１及び２２の直径としては、放電条件の最適化、真空チャンバーａ１内のスペース削減等の観点から、直径φが１００〜１０００ｍｍの範囲内であることが好ましく、１００〜７００ｍｍの範囲内であることがより好ましい。
直径φが１００ｍｍ以上であれば、十分な大きさの放電空間を形成することができ、生産性の低下を防ぐことができる。また、短時間の放電で十分な層厚を得ることができ、放電時にフィルム１に加えられる熱量を抑えて、残留応力を抑えることができる。直径φが１０００ｍｍ以下であれば、放電空間の均一性を維持することができ、装置設計において実用的である。The rollers 21 and 22 preferably have the same diameter from the viewpoint of efficiently forming a thin film.
The diameter of each of the rollers 21 and 22 is preferably in the range of 100 to 1000 mm, and in the range of 100 to 700 mm, from the viewpoint of optimization of discharge conditions, space reduction in the vacuum chamber a1, and the like. More preferably.
When the diameter φ is 100 mm or more, a sufficiently large discharge space can be formed, and a reduction in productivity can be prevented. In addition, a sufficient layer thickness can be obtained by short-time discharge, the amount of heat applied to the film 1 during discharge can be suppressed, and residual stress can be suppressed. If the diameter φ is 1000 mm or less, the uniformity of the discharge space can be maintained, which is practical in device design.

ガス供給部２４は、一対のローラー２１及び２２間に形成された放電空間に、機能性層の原料ガスを供給する。例えば、ケイ素化合物を酸化させてケイ素酸化物からなるガスバリアー層を形成する場合、ガス供給部２４は、ケイ素化合物のガスと酸素ガスを原料ガスとして供給する。
ガス供給部２４は、必要に応じて、原料ガスの供給にキャリアガスを用いることができ、プラズマの生成を促進するためにプラズマ生成用ガスを供給することもできる。キャリアガスとしては、例えばヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン、クリプトン等の希ガス、窒素ガス等が挙げられ、プラズマ生成用ガスとしては水素等が挙げられる。The gas supply unit 24 supplies the source gas of the functional layer to the discharge space formed between the pair of rollers 21 and 22. For example, when a gas barrier layer made of silicon oxide is formed by oxidizing a silicon compound, the gas supply unit 24 supplies a silicon compound gas and an oxygen gas as source gases.
The gas supply unit 24 can use a carrier gas to supply the raw material gas as needed, and can also supply a plasma generation gas to promote the generation of plasma. Examples of the carrier gas include rare gases such as helium, argon, neon, xenon, and krypton, nitrogen gas, and examples of the plasma generating gas include hydrogen.

電源２５は、一対のローラー２１及び２２に電力を供給する。
電源２５としては、プラズマ生成用として従来公知の電源を用いることができるが、各ローラー２１及び２２の極性を交互に反転させることができる交流電源が、成膜レートを向上させることができ、好ましい。
電源２５が一対のローラー２１及び２２に供給する電力量としては、０．１〜１０．０ｋＷの範囲内とすることができる。０．１ｋＷ以上であれば、パーティクルの発生を抑えることができる。また、１０．０ｋＷ以下であれば、発生する熱量を抑えることができ、温度上昇によるフィルム１の皴の発生を抑えることができる。また、交流電源とする場合、交流の周波数は、５０Ｈｚ〜５００ｋＨｚの範囲内であることが好ましい。The power supply 25 supplies power to the pair of rollers 21 and 22.
As the power source 25, a conventionally known power source can be used for plasma generation. However, an AC power source capable of alternately reversing the polarities of the rollers 21 and 22 can improve the film formation rate, and is preferable. .
The amount of power that the power supply 25 supplies to the pair of rollers 21 and 22 can be in the range of 0.1 to 10.0 kW. If it is 0.1 kW or more, the generation of particles can be suppressed. Moreover, if it is 10.0 kW or less, the emitted heat amount can be suppressed and generation | occurrence | production of the wrinkle of the film 1 by a temperature rise can be suppressed. Moreover, when setting it as alternating current power supply, it is preferable that the frequency of alternating current exists in the range of 50 Hz-500 kHz.

除電装置３１〜３７は、フィルム１が、各ローラー１１〜１５、２１及び２２により送り出され、各ローラー１１〜１５、２１及び２２から剥離する位置において、フィルム１を除電する。
図１には、剥離放電が生じ得るすべてのローラー１１〜１５、２１及び２２に対応して７つの除電装置３１〜３７を備えた例を示している。製造装置Ａは、少なくとも１つのローラーに対して除電装置が設けられるのであれば、各ローラー１１〜１５、２１及び２２のうちの一部に対応して、除電装置３１〜３７のうちの一部のみ備えることもできる。The neutralization devices 31 to 37 neutralize the film 1 at positions where the film 1 is fed by the rollers 11 to 15, 21 and 22 and peels from the rollers 11 to 15, 21 and 22.
FIG. 1 shows an example in which seven static elimination devices 31 to 37 are provided corresponding to all the rollers 11 to 15, 21, and 22 in which peeling discharge can occur. If the static elimination apparatus is provided with respect to at least 1 roller, the manufacturing apparatus A will correspond to a part of each roller 11-15, 21, and 22, and it will be a part of static elimination apparatus 31-37. Can also be prepared.

フィルム１上に１層以上の機能性層が既に設けられている場合、複数のローラー１１〜１５、２１及び２２のうち、少なくともローラー１１、１３及び１４に対応して配置された３つの除電装置３１、３４及び３５を備えることが好ましい。
ローラー１１、１３及び１４は、ローラー表面がフィルム１上の機能性層と対面するローラーであり、剥離放電が生じると機能性層が損傷しやすい。よって、少なくともローラー１１、１３及び１４により送り出され、剥離する位置において除電し、機能性層の損傷を抑えることが好ましい。なかでも、ローラー１１はフィルム１が最初に剥離するローラーであり、電荷を帯びて最も剥離放電が生じやすいため、ローラー１１から剥離する位置においてフィルム１の除電を行う除電装置３１を備えることがより好ましい。When one or more functional layers are already provided on the film 1, among the plurality of rollers 11 to 15, 21 and 22, three static elimination devices arranged corresponding to at least the rollers 11, 13 and 14 Preferably, 31, 34 and 35 are provided.
The rollers 11, 13 and 14 are rollers whose roller surfaces face the functional layer on the film 1, and when the peeling discharge occurs, the functional layer is easily damaged. Therefore, it is preferable that the functional layer is prevented from being damaged by discharging at least at the position where it is fed by the rollers 11, 13 and 14 and peeled off. Among them, the roller 11 is a roller from which the film 1 is peeled off first, and since it is charged and most likely to cause a peeling discharge, it is preferable to include a static eliminating device 31 that performs static elimination on the film 1 at a position where the film 11 is peeled off. preferable.

各除電装置３１〜３７の除電方式としては、電気力線放射方式、紫外光電離方式、Ｘ線電離方式、コロナ放電方式、自己放電式等を用いることができる。なかでも、送風が不要な電気力線放射線方式又は紫外光電離方式が、減圧下においても効果的な除電が可能であることから、好ましい。   As a charge removal method for each of the charge removal devices 31 to 37, an electric force line radiation method, an ultraviolet photoionization method, an X-ray ionization method, a corona discharge method, a self-discharge method, or the like can be used. Among them, the electric field line radiation method or the ultraviolet photoionization method that does not require air blowing is preferable because it enables effective static elimination even under reduced pressure.

電気力線放射方式は、電源により放電電極に高電圧を印加して、帯電体に向けて電気力線を放射することにより、帯電体を除電する。電気力線放射方式の場合、除電装置３１〜３７として、例えば特開２００１−１４８２９７号公報等に記載の除電装置を用いることができる。   In the electric field line radiation method, a charged voltage is discharged by applying a high voltage to a discharge electrode from a power source and radiating electric field lines toward the charged body. In the case of the electric field line radiation method, for example, a static eliminator described in JP 2001-148297 A can be used as the static eliminators 31 to 37.

紫外光電離方式は、重水素ランプ等の光源によりイオン化用のガスに紫外光を照射し、生成されたイオンにより帯電体を除電する。紫外光電離方式の場合、除電装置３１〜３７として、例えば特開２００７−１２４６７号公報等に記載の除電装置を用いることができる。   In the ultraviolet photoionization method, an ionizing gas is irradiated with ultraviolet light from a light source such as a deuterium lamp, and a charged body is neutralized by generated ions. In the case of the ultraviolet photoionization method, for example, a static elimination device described in JP 2007-12467 A can be used as the static elimination devices 31 to 37.

Ｘ線電離方式は、Ｘ線管により軟Ｘ線を照射して生成されたイオンにより、帯電体を除電する。   In the X-ray ionization method, the charged body is neutralized by ions generated by irradiating soft X-rays with an X-ray tube.

コロナ放電方式は、針状の放電電極と対向電極間に交流電圧を印加し、放電電極の尖端部にコロナ放電を生じさせて生成されたイオンにより、帯電体を除電する。   In the corona discharge method, an AC voltage is applied between a needle-like discharge electrode and a counter electrode, and a charged body is neutralized by ions generated by causing a corona discharge at the tip of the discharge electrode.

自己放電方式は、針状の放電電極を帯電体に近接させることにより、電極先端部にコロナ放電を生じさせ、帯電体を除電する。自己放電方式の除電装置３１〜３７としては、ステンレス、カーボン等の繊維束が用いられた除電紐等を用いることができる。   In the self-discharge method, a needle-like discharge electrode is brought close to a charged body, thereby causing a corona discharge at the tip of the electrode and discharging the charged body. As the self-discharge type neutralization devices 31 to 37, a neutralization string using fiber bundles such as stainless steel and carbon can be used.

除電装置３１〜３７は、剥離放電を効果的に抑える観点から、各ローラー１１〜１５、２１及び２２によりフィルム１が送り出されて各ローラー１１〜１５、２１及び２２からフィルム１が剥離する位置から１５０ｍｍ以内の範囲に設置されていることが好ましい。   From the viewpoint of effectively suppressing the peeling discharge, the static elimination devices 31 to 37 are sent from the positions where the film 1 is fed by the rollers 11 to 15, 21 and 22 and the film 1 is peeled from the rollers 11 to 15, 21 and 22. It is preferable to be installed within a range of 150 mm or less.

上記製造装置Ａは、機能性層を形成後、各ローラー１１〜１６、２１及び２２の回転方向を逆転させて、フィルム１の搬送方向を逆方向とし、機能性層をさらに形成して１層以上の機能性層をフィルム１上に形成することができる。   The manufacturing apparatus A, after forming the functional layer, reverses the rotation direction of each of the rollers 11 to 16, 21 and 22 to reverse the transport direction of the film 1, further forms the functional layer and forms one layer. The above functional layer can be formed on the film 1.

〔機能性フィルムの製造方法〕
次に、上記製造装置Ａによる機能性フィルムの製造方法の詳細を説明する。[Method for producing functional film]
Next, the detail of the manufacturing method of the functional film by the said manufacturing apparatus A is demonstrated.

最初に、フィルム１のロール体をローラー１１にセットする。ローラー１１からフィルム１を一部巻き出して各ローラー１２〜１５、２１及び２２に架け渡し、ローラー１６により巻き取る。   First, the roll body of the film 1 is set on the roller 11. A part of the film 1 is unwound from the roller 11, is laid over each of the rollers 12 to 15, 21 and 22, and is taken up by the roller 16.

その後、真空ポンプａ２により排気を行い、真空チャンバーａ１内を減圧する。
十分に減圧されると、各ローラー１１〜１６、２１及び２２により、フィルム１の搬送を開始する。Thereafter, the vacuum pump a2 is evacuated to reduce the pressure in the vacuum chamber a1.
When the pressure is sufficiently reduced, conveyance of the film 1 is started by the rollers 11 to 16, 21 and 22.

フィルム１の搬送速度（ライン速度ともいう。）は、原料ガスの種類や真空チャンバーａ１内の圧力等に応じて適宜調整することができる。
フィルム１の搬送速度は、実用的には０．２５〜１００ｍ／ｍｉｎの範囲内であり、０．５〜３０ｍ／ｍｉｎの範囲内とすることが好ましい。０．２５ｍ／ｍｉｎ以上であれば、熱に起因してフィルム１に皺が生じることを防止でき、１００ｍ／ｍｉｎ以下であれば、形成する機能性層の厚さを所望の範囲内とすることが容易になる。
生産性向上の観点からは、搬送速度は５ｍ／ｍｉｎ以上であることが好ましく、１０ｍ／ｍｉｎ以上であることが好ましい。搬送速度が高速化するほど剥離放電が生じやすく、除電の必要性が高まる。The conveyance speed (also referred to as a line speed) of the film 1 can be appropriately adjusted according to the type of source gas, the pressure in the vacuum chamber a1, and the like.
The conveyance speed of the film 1 is practically in the range of 0.25 to 100 m / min, and preferably in the range of 0.5 to 30 m / min. If it is 0.25 m / min or more, wrinkles can be prevented from occurring in the film 1 due to heat, and if it is 100 m / min or less, the thickness of the functional layer to be formed is within a desired range. Becomes easier.
From the viewpoint of improving productivity, the conveyance speed is preferably 5 m / min or more, and preferably 10 m / min or more. As the conveying speed increases, peeling discharge is more likely to occur, and the need for static elimination increases.

フィルム１の搬送を開始すると、成膜部２０が一対のローラー２１及び２２間に機能性層の原料ガスを供給するとともに電圧を印加し、プラズマを生成させる。原料ガスは、必要に応じて、原料ガスを搬送するためのキャリアガス、プラズマ放電用ガス等とともに供給され得る。これにより、ローラー２１により搬送される際、フィルム１の表面上に機能性層の原料成分が堆積される。フィルム１は、ローラー１３及び１４により順次搬送され、ローラー２２により搬送される際、さらに機能性層の原料成分が堆積されて、機能性層が薄膜として形成される。
機能性層が形成されたフィルム１は、ローラー１５により搬送されて、ローラー１６により巻き取られる。When the conveyance of the film 1 is started, the film forming unit 20 supplies the functional layer material gas between the pair of rollers 21 and 22 and applies a voltage to generate plasma. The raw material gas can be supplied together with a carrier gas for conveying the raw material gas, a plasma discharge gas, or the like, if necessary. Thereby, when the roller 21 conveys, the raw material component of a functional layer is deposited on the surface of the film 1. The film 1 is sequentially conveyed by the rollers 13 and 14, and when the film 1 is conveyed by the roller 22, the raw material components of the functional layer are further deposited to form the functional layer as a thin film.
The film 1 on which the functional layer is formed is conveyed by the roller 15 and wound up by the roller 16.

フィルム１の搬送中、フィルム１が各ローラー１１〜１５、２１及び２２により送り出されて各ローラー１１〜１５、２１及び２２からフィルム１が剥離する位置において、除電装置３１〜３７がフィルム１を除電する。除電により、各ローラー１１〜１５、２１及び２２との接触によって帯電したフィルム１が、各ローラー１１〜１５、２１及び２２から剥離する際に生じる剥離放電を抑えることができ、剥離放電に起因する膜欠陥を減らすことができる。   In the position where the film 1 is fed by the rollers 11 to 15, 21 and 22 and the film 1 is peeled off from the rollers 11 to 15, 21 and 22, the static eliminators 31 to 37 remove the film 1 while the film 1 is being transported. To do. By eliminating the static electricity, the film 1 charged by contact with each of the rollers 11 to 15, 21 and 22 can suppress the peeling discharge generated when peeling from each of the rollers 11 to 15, 21 and 22, resulting in the peeling discharge. Film defects can be reduced.

１層以上の機能性層が既に設けられたフィルム１上にさらに機能性層を形成する場合も、同様の手順で機能性層を形成することができる。
フィルム１の搬送方向を逆にしてさらに機能性層を形成する場合も、ローラー１１〜１６、２１及び２２による搬送順が逆になり、ローラー２２により原料成分が堆積された後、ローラー２１によりさらに堆積される以外は、同様の手順とすることができる。When a functional layer is further formed on the film 1 on which one or more functional layers are already provided, the functional layer can be formed by the same procedure.
When the functional layer is further formed by reversing the conveyance direction of the film 1, the conveyance order by the rollers 11 to 16, 21 and 22 is reversed, and after the raw material components are deposited by the roller 22, further by the roller 21. A similar procedure can be followed except that it is deposited.

上記製造装置Ａにより製造することができる機能性フィルムとしては、ガスバリアー層が形成されたガスバリアー性フィルムの他、絶縁層が形成された絶縁性フィルム、基板に対して屈折率差を有する薄膜が積層された反射フィルム等が挙げられる。なかでも、ガスバリアー層は、膜欠陥が多いと当該膜欠陥を通して水、酸素等のガスが浸透し、ガスバリアー性能が著しく低下するため、膜欠陥が少ない製造装置Ａは、ガスバリアー性フィルムの形成に好適である。
以下、機能性フィルムの一例として、ガスバリアー性フィルムについて説明する。The functional film that can be manufactured by the manufacturing apparatus A includes a gas barrier film having a gas barrier layer, an insulating film having an insulating layer, and a thin film having a refractive index difference with respect to the substrate. A reflective film in which is laminated. Among them, when the gas barrier layer has many film defects, gas such as water and oxygen penetrates through the film defects, and the gas barrier performance is remarkably deteriorated. Therefore, the manufacturing apparatus A with few film defects is a gas barrier film. Suitable for formation.
Hereinafter, a gas barrier film will be described as an example of a functional film.

〔ガスバリアー性フィルム〕
図２は、ガスバリアー性フィルムＦの概略構成を示している。
ガスバリアー性フィルムＦは、図２に示すように、フィルム１と、当該フィルム１上に形成されたガスバリアー層２とを備えて構成されている。[Gas barrier film]
FIG. 2 shows a schematic configuration of the gas barrier film F.
As shown in FIG. 2, the gas barrier film F includes a film 1 and a gas barrier layer 2 formed on the film 1.

（フィルム）
フィルム１は、可撓性を有する基板である。
フィルム１としては、フィルム状に成形された樹脂、ガラス、金属等を用いることができる。なかでも、樹脂が好ましく、透明性が高い樹脂であることが好ましい。樹脂の透明性が高く、フィルム１の透明性が高いと、透明性が高いガスバリアー性フィルムＦを得ることができ、有機ＥＬ（Electro luminescence）素子等の電子デバイスに好ましく用いることができる。(the film)
The film 1 is a flexible substrate.
As the film 1, a resin, glass, metal, or the like formed into a film shape can be used. Especially, resin is preferable and it is preferable that it is resin with high transparency. When the transparency of the resin is high and the transparency of the film 1 is high, a highly transparent gas barrier film F can be obtained, and can be preferably used for an electronic device such as an organic EL (Electroluminescence) element.

フィルム１として用いることができる樹脂としては、例えばメタクリル酸エステル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアリレート、ポリスチレン（ＰＳ）、芳香族ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルイミド等が挙げられる。なかでも、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）等が、コスト及び入手の容易性から好ましい。
フィルム１は、上記樹脂が２以上積層された積層フィルムであってもよい。Examples of the resin that can be used as the film 1 include methacrylate ester, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), polyarylate, polystyrene (PS), aromatic polyamide, and polyether ether ketone. , Polysulfone, polyethersulfone, polyimide (PI), polyetherimide and the like. Of these, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC) and the like are preferable from the viewpoint of cost and availability.
The film 1 may be a laminated film in which two or more of the above resins are laminated.

樹脂製のフィルム１は、従来公知の一般的な製造方法により製造することが可能である。例えば、材料となる樹脂を押出機により溶融し、環状ダイ又はＴダイにより押し出して急冷することにより、実質的に無定形で配向していない未延伸の樹脂基材を製造することができる。また、材料となる樹脂を溶剤に溶解し、無端の金属樹脂支持体上に流延（キャスト）して乾燥、剥離することにより、実質的に無定形で配向していない未延伸フィルムを、フィルム１として得ることができる。   The resin film 1 can be manufactured by a conventionally known general manufacturing method. For example, an unstretched resin base material that is substantially amorphous and not oriented can be produced by melting a resin as a material with an extruder, extruding it with an annular die or a T-die, and quenching. In addition, an unstretched film that is substantially amorphous and not oriented can be obtained by dissolving a resin as a material in a solvent, casting (casting) on an endless metal resin support, drying, and peeling. 1 can be obtained.

上記未延伸フィルムを、フィルムの搬送（ＭＤ：Machine Direction）方向又は搬送方向と直交する幅（ＴＤ：Transverse Direction）方向に延伸し、得られた延伸フィルムをフィルム１とすることもできる。延伸方法としては、一軸延伸、テンター式逐次二軸延伸、テンター式同時二軸延伸、チューブラー式同時二軸延伸等の公知の方法が挙げられる。延伸倍率は、原料となる樹脂に合わせて適宜選択することできるが、搬送方向及び幅方向ともに、それぞれ２〜１０倍の範囲内が好ましい。   The unstretched film may be stretched in the film transport (MD) direction or the width (TD) direction orthogonal to the transport direction, and the resulting stretched film may be the film 1. Examples of the stretching method include known methods such as uniaxial stretching, tenter sequential biaxial stretching, tenter simultaneous biaxial stretching, and tubular simultaneous biaxial stretching. Although a draw ratio can be suitably selected according to resin used as a raw material, both the conveyance direction and the width direction are preferably in the range of 2 to 10 times.

フィルム１は、上述した未延伸フィルムでもよく、延伸フィルムでもよい。強度向上及び熱膨張抑制の点からは延伸フィルムが好ましい。延伸によってフィルム１の位相差等の光学的な機能を調整できるので、調整が必要な場合は延伸フィルムを用いることが好ましい。   The film 1 may be the above-described unstretched film or a stretched film. A stretched film is preferable from the viewpoint of strength improvement and thermal expansion suppression. Since optical functions such as retardation of the film 1 can be adjusted by stretching, it is preferable to use a stretched film when adjustment is necessary.

フィルム１は、寸法安定性を得るため、弛緩処理、オフライン熱処理等が施されていてもよい。
弛緩処理は、延伸工程において熱固定した後、幅方向へ延伸するテンター内、又はテンターを出た後の巻取りまでの工程で行われることが好ましい。弛緩処理は、処理温度が８０〜２００℃の範囲内で行われることが好ましく、１００〜１８０℃の範囲内で行われることがより好ましい。
オフライン熱処理の方法としては、特に限定されないが、例えば複数のローラー群によるローラー搬送方法、空気をフィルムに吹き付けて浮揚させるエアー搬送等により搬送させる方法（具体的には、複数のスリットから加熱空気をフィルム面の片面又は両面に吹き付ける方法）、赤外線ヒーター等による輻射熱を利用する方法、フィルムを自重で垂れ下がらせ、下方で巻き取る等の搬送方法等を挙げることができる。熱処理の搬送張力は、できるだけ低くして熱収縮を促進することで、良好な寸法安定性が得られる。処理温度としては（Ｔｇ＋５０）〜（Ｔｇ＋１５０）℃の温度範囲が好ましい。ここでいうＴｇとは、フィルム１のガラス転移温度をいう。In order to obtain dimensional stability, the film 1 may be subjected to relaxation treatment, off-line heat treatment, and the like.
The relaxation treatment is preferably carried out in the tenter extending in the width direction after being heat-set in the stretching step, or in the step up to winding after exiting the tenter. The relaxation treatment is preferably performed at a treatment temperature in the range of 80 to 200 ° C, and more preferably in the range of 100 to 180 ° C.
The off-line heat treatment method is not particularly limited, but for example, a roller transport method using a plurality of roller groups, a method of transporting air by blowing air on a film, etc. (specifically, heated air from a plurality of slits) A method of spraying on one or both sides of the film surface), a method of using radiant heat by an infrared heater or the like, a conveying method of hanging the film under its own weight and winding it down. Good dimensional stability can be obtained by lowering the conveyance tension of the heat treatment as much as possible to promote thermal shrinkage. As the treatment temperature, a temperature range of (Tg + 50) to (Tg + 150) ° C. is preferable. Tg here refers to the glass transition temperature of the film 1.

フィルム１は、厚さが５〜５００μｍの範囲内であることが好ましく、２５〜２５０μｍの範囲内であることがより好ましい。   The film 1 preferably has a thickness in the range of 5 to 500 μm, and more preferably in the range of 25 to 250 μm.

フィルム１は、フィルム１上に形成されるガスバリアー層２との密着性を高めるため、表面上にクリアハードコート層が形成されていてもよい。
クリアハードコート層としては、熱硬化型樹脂、活性エネルギー線硬化型樹脂硬化型樹脂等の硬化性樹脂を用いることができる。なかでも、成形が容易なことから、活性エネルギー線硬化型樹脂が好ましい。The film 1 may have a clear hard coat layer formed on the surface in order to improve the adhesion with the gas barrier layer 2 formed on the film 1.
As the clear hard coat layer, a curable resin such as a thermosetting resin or an active energy ray curable resin curable resin can be used. Of these, active energy ray-curable resins are preferred because they are easy to mold.

熱硬化型樹脂としては、特に制限はなく、例えばエポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ビニルベンジル樹脂等の種々の熱硬化性樹脂が挙げられる。   There is no restriction | limiting in particular as a thermosetting resin, For example, various thermosetting resins, such as an epoxy resin, cyanate ester resin, a phenol resin, a bismaleimide-triazine resin, a polyimide resin, an acrylic resin, a vinylbenzyl resin, are mentioned.

エポキシ樹脂としては、平均して１分子当り２個以上のエポキシ基を有するものであればよく、具体的には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、リン含有エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、芳香族グリシジルアミン型エポキシ樹脂（具体的には、テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン、トリグリシジル−ｐ−アミノフェノール、ジグリシジルトルイジン、ジグリシジルアニリン等）、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン構造を有するエポキシ樹脂、ビスフェノールのジグリシジルエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジルエーテル化物、フェノール類のグリシジルエーテル化物、アルコール類のジグリシジルエーテル化物、これらエポキシ樹脂のアルキル置換体、ハロゲン化物又は水素添加物等が挙げられる。これらは１種又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。   As an epoxy resin, those having an average of two or more epoxy groups per molecule may be used. Specifically, bisphenol A type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, biphenyl aralkyl type epoxy resin, and naphthol type epoxy are used. Resin, naphthalene type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phosphorus-containing epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, aromatic glycidylamine type epoxy resin (specifically, tetraglycidyldiaminodiphenylmethane, triglycidyl-p-aminophenol, Diglycidyl toluidine, diglycidyl aniline, etc.), alicyclic epoxy resin, aliphatic chain epoxy resin, phenol novolac epoxy resin, cresol novolac epoxy resin, bisphenol A novolac epoxy resin Epoxy resin having a butadiene structure, phenol aralkyl type epoxy resin, epoxy resin having a dicyclopentadiene structure, diglycidyl etherified product of bisphenol, diglycidyl etherified product of naphthalenediol, glycidyl etherified product of phenol, diglycidyl ether of alcohol And alkyl-substituted products, halides or hydrogenated products of these epoxy resins. These may be used alone or in combination of two or more.

活性エネルギー線硬化型樹脂は、紫外線、電子線等の活性線の照射により架橋反応等を経て硬化する樹脂である。
活性エネルギー線硬化型樹脂としては、紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂等が代表的なものとして挙げられ、なかでも紫外線硬化型樹脂が好ましい。The active energy ray-curable resin is a resin that is cured through a crosslinking reaction or the like by irradiation with active rays such as ultraviolet rays and electron beams.
Typical examples of the active energy ray curable resin include an ultraviolet curable resin, an electron beam curable resin, and the like, and among them, an ultraviolet curable resin is preferable.

紫外線硬化型樹脂としては、例えば紫外線硬化型ウレタンアクリレート系樹脂、紫外線硬化型ポリエステルアクリレート系樹脂、紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹脂、紫外線硬化型ポリオールアクリレート系樹脂、紫外線硬化型エポキシ樹脂等を挙げることができる。   Examples of the ultraviolet curable resin include an ultraviolet curable urethane acrylate resin, an ultraviolet curable polyester acrylate resin, an ultraviolet curable epoxy acrylate resin, an ultraviolet curable polyol acrylate resin, and an ultraviolet curable epoxy resin. it can.

紫外線硬化型アクリルウレタン系樹脂は、一般にポリエステルポリオールにイソシアネートモノマー又はプレポリマーを反応させて得られた生成物に、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート等のヒドロキシ基を有するアクリレート系のモノマーを反応させることによって、容易に得ることができる。例えば、特開昭５９−１５１１１０号に記載の樹脂を用いることができる。   The UV curable acrylic urethane resin generally has a hydroxyl group such as 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate and the like obtained by reacting a polyester polyol with an isocyanate monomer or a prepolymer. It can be easily obtained by reacting an acrylate monomer having For example, a resin described in JP-A-59-151110 can be used.

紫外線硬化型ポリエステルアクリレート系樹脂としては、一般にポリエステルポリオールに２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシアクリレート系のモノマーを反応させると容易に形成される樹脂を挙げることができる。例えば、特開昭５９−１５１１１２号に記載の樹脂を用いることができる。   Examples of the UV curable polyester acrylate resin include resins that are easily formed when 2-hydroxyethyl acrylate and 2-hydroxy acrylate monomers are generally reacted with polyester polyol. For example, a resin described in JP-A-59-151112 can be used.

紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹脂の具体例としては、エポキシアクリレートをオリゴマーとし、これに反応性希釈剤、光反応開始剤を添加し、反応させて生成する樹脂を挙げることができ、特開平１−１０５７３８号に記載の樹脂を用いることができる。   Specific examples of the ultraviolet curable epoxy acrylate resin include resins formed by reacting epoxy acrylate as an oligomer and adding a reactive diluent and a photoinitiator to the oligomer. The resin described in No. 105738 can be used.

紫外線硬化型ポリオールアクリレート系樹脂としては、例えば多官能アクリレート樹脂等が挙げられる。ここで、多官能アクリレート樹脂とは、分子中に２個以上のアクリロイルオキシ基又はメタクロイルオキシ基を有する化合物である。   Examples of ultraviolet curable polyol acrylate resins include polyfunctional acrylate resins. Here, the polyfunctional acrylate resin is a compound having two or more acryloyloxy groups or methacryloyloxy groups in the molecule.

多官能アクリレート樹脂のモノマーとしては、例えばエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールエタントリアクリレート、テトラメチロールメタントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタグリセロールトリアクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、グリセリントリアクリレート、ジペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、トリス（アクリロイルオキシエチル）イソシアヌレート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、トリメチロールエタントリメタクリレート、テトラメチロールメタントリメタクリレート、テトラメチロールメタンテトラメタクリレート、ペンタグリセロールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、グリセリントリメタクリレート、ジペンタエリスリトールトリメタクリレート、ジペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールペンタメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート等が挙げられる。これらの化合物は、それぞれ単独又は２種以上を混合して用いられる。また、上記モノマーの２量体、３量体等のオリゴマーであってもよい。   Examples of the monomer of the polyfunctional acrylate resin include ethylene glycol diacrylate, diethylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, neopentyl glycol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolethane triacrylate, and tetramethylolmethanetriacrylate. Acrylate, tetramethylol methane tetraacrylate, pentaglycerol triacrylate, pentaerythritol diacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, glycerin triacrylate, dipentaerythritol triacrylate, dipentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, Dipenta Lithritol hexaacrylate, tris (acryloyloxyethyl) isocyanurate, ethylene glycol dimethacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate, neopentyl glycol dimethacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, trimethylolethane trimethacrylate, Tetramethylol methane trimethacrylate, tetramethylol methane tetramethacrylate, pentaglycerol trimethacrylate, pentaerythritol dimethacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate, glycerin trimethacrylate, dipentaerythritol trimethacrylate, dipentaerythritol teto Methacrylate, dipentaerythritol penta methacrylate, dipentaerythritol hexa methacrylate. These compounds are used alone or in admixture of two or more. Moreover, oligomers, such as a dimer and a trimer of the said monomer, may be sufficient.

使用可能な紫外線硬化型樹脂の市販品としては、例えばアデカオプトマーＫＲ・ＢＹシリーズ：ＫＲ−４００、ＫＲ−４１０、ＫＲ−５５０、ＫＲ−５６６、ＫＲ−５６７、ＢＹ−３２０Ｂ（以上、旭電化社製）；コーエイハードＡ−１０１−ＫＫ、Ａ−１０１−ＷＳ、Ｃ−３０２、Ｃ−４０１−Ｎ、Ｃ−５０１、Ｍ−１０１、Ｍ−１０２、Ｔ−１０２、Ｄ−１０２、ＮＳ−１０１、ＦＴ−１０２Ｑ８、ＭＡＧ−１−Ｐ２０、ＡＧ−１０６、Ｍ−１０１−Ｃ（以上、広栄化学社製）；セイカビームＰＨＣ２２１０（Ｓ）、ＰＨＣ Ｘ−９（Ｋ−３）、ＰＨＣ２２１３、ＤＰ−１０、ＤＰ−２０、ＤＰ−３０、Ｐ１０００、Ｐ１１００、Ｐ１２００、Ｐ１３００、Ｐ１４００、Ｐ１５００、Ｐ１６００、ＳＣＲ９００（以上、大日精化工業社製）；ＫＲＭ７０３３、ＫＲＭ７０３９、ＫＲＭ７１３０、ＫＲＭ７１３１、ＵＶＥＣＲＹＬ２９２０１、ＵＶＥＣＲＹＬ２９２０２（以上、ダイセル・ユーシービー社製）；ＲＣ−５０１５、ＲＣ−５０１６、ＲＣ−５０２０、ＲＣ−５０３１、ＲＣ−５１００、ＲＣ−５１０２、ＲＣ−５１２０、ＲＣ−５１２２、ＲＣ−５１５２、ＲＣ−５１７１、ＲＣ−５１８０、ＲＣ−５１８１（以上、ＤＩＣ社製）；オーレックスＮｏ．３４０クリヤ（以上、中国塗料社製）；サンラッドＨ−６０１、ＲＣ−７５０、ＲＣ−７００、ＲＣ−６００、ＲＣ−５００、ＲＣ−６１１、ＲＣ−６１２（以上、三洋化成工業社製）；ＳＰ−１５０９、ＳＰ−１５０７（以上、昭和高分子社製）；ＲＣＣ−１５Ｃ（グレース・ジャパン社製）、アロニックスＭ−６１００、Ｍ−８０３０、Ｍ−８０６０（以上、東亞合成社製）、紫光ＵＶ−１７００Ｂ（日本合成化学社製）等が挙げられる。   Examples of commercially available UV-curable resins that can be used include Adekaoptomer KR / BY series: KR-400, KR-410, KR-550, KR-566, KR-567, BY-320B (above, Asahi Denka) Manufactured by Koei Hard; A-101-KK, A-101-WS, C-302, C-401-N, C-501, M-101, M-102, T-102, D-102, NS- 101, FT-102Q8, MAG-1-P20, AG-106, M-101-C (manufactured by Guangei Chemical Co., Ltd.); Seika Beam PHC2210 (S), PHC X-9 (K-3), PHC2213, DP- 10, DP-20, DP-30, P1000, P1100, P1200, P1300, P1400, P1500, P1600, SCR900 (above, manufactured by Dainichi Seika Kogyo Co., Ltd.) KRM7033, KRM7039, KRM7130, KRM7131, UVECRYL29201, UVECRYL29202 (above, manufactured by Daicel UCB); RC-5015, RC-5016, RC-5020, RC-5031, RC-5100, RC-5102, RC-5120 RC-5122, RC-5152, RC-5171, RC-5180, RC-5181 (manufactured by DIC); 340 clear (above, manufactured by China Paint Co., Ltd.); Sunrad H-601, RC-750, RC-700, RC-600, RC-500, RC-611, RC-612 (above, manufactured by Sanyo Chemical Industries); SP -1509, SP-1507 (above, Showa Polymer Co., Ltd.); RCC-15C (Grace Japan), Aronix M-6100, M-8030, M-8060 (above, Toagosei Co., Ltd.), Purple UV -1700B (manufactured by Nippon Synthetic Chemical).

紫外線硬化型樹脂は、硬化を促進するために、光重合開始剤とともに用いられることが好ましい。
光重合開始剤としては、光照射によりカチオン重合を開始させるルイス酸を放出するオニウム塩の複塩の一群が特に好ましい。The ultraviolet curable resin is preferably used together with a photopolymerization initiator in order to accelerate curing.
As the photopolymerization initiator, a group of double salts of onium salts that release a Lewis acid that initiates cationic polymerization by light irradiation is particularly preferable.

このようなオニウム塩としては、特に、芳香族オニウム塩をカチオン重合開始剤として使用するのが特に有効であり、なかでも特開昭５０−１５１９９６号、同５０−１５８６８０号等に記載の芳香族ハロニウム塩、特開昭５０−１５１９９７号、同５２−３０８９９号、同５９−５５４２０号、同５５−１２５１０５号等に記載のＶＩＡ族芳香族オニウム塩、特開昭５６−８４２８号、同５６−１４９４０２号、同５７−１９２４２９号等に記載のオキソスルホニウム塩、特公昭４９−１７０４０号等に記載の芳香族ジアゾニウム塩、米国特許第４，１３９，６５５号等に記載のチオピリリウム塩等が好ましい。また、アルミニウム錯体、光分解性ケイ素化合物系重合開始剤等を挙げることができる。上記カチオン重合開始剤と、ベンゾフェノン、ベンゾインイソプロピルエーテル、チオキサントン等の光増感剤を併用することができる。
光重合開始剤の使用量は、紫外線硬化型樹脂に対して２〜３０質量％の範囲内であることが好ましい。As such an onium salt, it is particularly effective to use an aromatic onium salt as a cationic polymerization initiator, and among them, the aromatic compounds described in JP-A Nos. 50-151996, 50-158680, etc. Halonium salts, group VIA aromatic onium salts described in JP-A-50-151997, 52-30899, 59-55420, 55-125105, etc., JP-A-56-8428, 56- The oxosulfonium salts described in JP-A Nos. 149402 and 57-192429, the aromatic diazonium salts described in JP-B-49-17040, the thiopyrylium salts described in US Pat. No. 4,139,655, and the like are preferable. Moreover, an aluminum complex, a photodegradable silicon compound type | system | group polymerization initiator, etc. can be mentioned. The cationic polymerization initiator can be used in combination with a photosensitizer such as benzophenone, benzoin isopropyl ether, or thioxanthone.
It is preferable that the usage-amount of a photoinitiator exists in the range of 2-30 mass% with respect to ultraviolet curable resin.

クリアハードコート層は、フィルム１との密着性を向上させるため、フィルム１表面に真空紫外線を照射するか、コロナ放電によって表面処理した後、クリアハードコート層の塗布液を塗布して硬化させることにより、形成することができる。
塗布方法としては、グラビアコーター、ディップコーター、リバースコーター、ワイヤーバーコーター、ダイコーター等を用いた塗布法、インクジェット法等のウェットプロセスを用いることができる。
クリアハードコート層の塗布液は、ウェット膜厚として０．１〜４０．０μｍの範囲内で塗布することが適当であり、好ましくは０．５〜３０．０μｍの範囲内である。また、乾燥後の層厚としては、０．１〜３０．０μｍの範囲内が好ましく、より好ましくは１〜１０μｍの範囲内である。In order for the clear hard coat layer to improve the adhesion to the film 1, the surface of the film 1 is irradiated with vacuum ultraviolet rays or subjected to surface treatment by corona discharge, and then the clear hard coat layer is applied and cured. Can be formed.
As a coating method, a wet process such as a coating method using a gravure coater, a dip coater, a reverse coater, a wire bar coater, a die coater, or the like, or an inkjet method can be used.
The clear hard coat layer coating solution is suitably applied within a range of 0.1 to 40.0 μm as a wet film thickness, and preferably within a range of 0.5 to 30.0 μm. The layer thickness after drying is preferably in the range of 0.1 to 30.0 μm, more preferably in the range of 1 to 10 μm.

紫外線硬化型樹脂の硬化時に用いる光源としては、紫外線を発生する光源であれば制限なく使用できる。例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、カーボンアーク灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ等を用いることができる。照射条件はそれぞれのランプによって異なるが、活性エネルギー線の照射量は、好ましくは５〜１００ｍＪ／ｃｍ2の範囲内であり、特に好ましくは２０〜８０ｍＪ／ｃｍ2の範囲内である。As the light source used for curing the ultraviolet curable resin, any light source that generates ultraviolet light can be used without limitation. For example, a low pressure mercury lamp, a medium pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, a carbon arc lamp, a metal halide lamp, a xenon lamp, or the like can be used. Irradiation conditions vary depending on each lamp, but the irradiation amount of active energy rays is preferably in the range of 5 to 100 mJ / cm 2 , particularly preferably in the range of 20 to 80 mJ / cm 2 .

（ガスバリアー層）
ガスバリアー層２は、ガスバリアー性を有する。
具体的には、ガスバリアー層２は、ＪＩＳ−Ｋ−７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ２・２４時間）以下のガスバリアー性を示すことが好ましい。また、ＪＩＳ−Ｋ−７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０−３ｍｌ／（ｍ２・２４時間・ａｔｍ）以下であり、水蒸気透過度が１×１０−５ｇ／（ｍ２・２４時間）以下であるガスバリアー性を示すことが好ましい。(Gas barrier layer)
The gas barrier layer 2 has gas barrier properties.
Specifically, the gas barrier layer 2 has a water vapor permeability (25 ± 0.5 ° C., relative humidity 90 ± 2% RH) measured by a method according to JIS-K-7129-1992, 0.01 g. It is preferable to exhibit a gas barrier property of / (m 2 · 24 hours) or less. Moreover, the oxygen permeability measured by the method based on JIS-K-7126-1987 is 1 × 10 −3 ml / (m 2 · 24 hours · atm) or less, and the water vapor permeability is 1 × 10 −5. It is preferable that the gas barrier property is not more than g / (m 2 · 24 hours).

ガスバリアー層２の材料としては、ガスバリアー性フィルムＦが用いられた電子デバイスの性能劣化をもたらす水、酸素等のガスの浸入を抑制する機能を有する材料であればよい。ガスバリアー層２の材料としては、例えば酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等の無機ケイ素化合物、有機ケイ素化合物等を用いることができる。   The material of the gas barrier layer 2 may be any material that has a function of suppressing the ingress of gas such as water and oxygen that causes performance deterioration of the electronic device using the gas barrier film F. Examples of the material for the gas barrier layer 2 include inorganic silicon compounds such as silicon oxide, silicon oxynitride, silicon dioxide, and silicon nitride, and organic silicon compounds.

なかでも、ガスバリアー層２は、有機ケイ素化合物が気化されたガスを酸化又は窒化させて形成されていることが好ましい。
有機ケイ素化合物としては、例えばヘキサメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、ビニルトリメチルシラン、メチルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシラン、フェニルシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。なかでも、取扱いを容易とし、優れたガスバリアー性を得る観点から、ヘキサメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンが好ましい。
これらの有機ケイ素化合物は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。Especially, it is preferable that the gas barrier layer 2 is formed by oxidizing or nitriding a gas in which an organosilicon compound is vaporized.
Examples of the organosilicon compounds include hexamethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, vinyltrimethylsilane, methyltrimethylsilane, hexamethyldisilane, methylsilane, dimethylsilane, trimethylsilane, diethylsilane, and propylsilane. , Phenylsilane, vinyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, octamethylcyclotetrasiloxane and the like. Among these, hexamethyldisiloxane and 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane are preferable from the viewpoint of easy handling and obtaining excellent gas barrier properties.
These organosilicon compounds can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

例えば、原料ガスとして、ヘキサメチルジシロキサン（有機ケイ素化合物：ＨＭＤＳＯ：（ＣＨ３）６Ｓｉ２Ｏ）及び酸素（Ｏ２）を用いた場合、一対のローラー２１及び２２によって形成された放電領域では下記の反応式に示す反応が起こり、二酸化ケイ素が生成される。
（ＣＨ３）６Ｓｉ２Ｏ＋１２Ｏ２→６ＣＯ２＋９Ｈ２Ｏ＋２ＳｉＯ２ For example, when hexamethyldisiloxane (organosilicon compound: HMDSO: (CH 3 ) 6 Si 2 O) and oxygen (O 2 ) are used as the source gas, in the discharge region formed by the pair of rollers 21 and 22 The reaction shown in the following reaction formula occurs to produce silicon dioxide.
(CH 3 ) 6 Si 2 O + 12O 2 → 6CO 2 + 9H 2 O + 2SiO 2

上記反応において、ヘキサメチルジシロキサン１モルを完全酸化するのに必要な酸素量は１２モルである。ここで、酸素ガスのガス流量を、完全酸化に必要な酸素のモル数以下のガス流量に制御して、非完全反応を遂行させると、完全に酸化されなかったヘキサメチルジシロキサン中の炭素原子や水素原子をガスバリアー層２中に取り込むことができる。これにより、ガスバリアー層２中の原子組成比を調整することが可能となる。   In the above reaction, the amount of oxygen required to completely oxidize 1 mol of hexamethyldisiloxane is 12 mol. Here, when the gas flow rate of oxygen gas is controlled to a gas flow rate equal to or less than the number of moles of oxygen necessary for complete oxidation, and a non-complete reaction is performed, carbon atoms in hexamethyldisiloxane that have not been completely oxidized are obtained. And hydrogen atoms can be taken into the gas barrier layer 2. Thereby, the atomic composition ratio in the gas barrier layer 2 can be adjusted.

〔他の実施の形態〕
上述したプラズマＣＶＤ法以外の成膜方法であっても、製造装置Ａと同様にして除電装置を設けることにより、剥離放電による膜欠陥を減らすことが可能である。[Other Embodiments]
Even with a film forming method other than the above-described plasma CVD method, it is possible to reduce film defects due to peeling discharge by providing a static eliminator similarly to the manufacturing apparatus A.

図３は、マグネトロンスパッター法を用いた場合の機能性フィルムの製造装置Ｂの概略構成を示している。
図３に示すように、製造装置Ｂは、複数のローラー１１〜１６、除電装置３４及び３５、成膜部４を備えて構成されている。なお、製造装置Ｂにおいて、製造装置Ａと同じ構成部分には、同じ符号を付している。FIG. 3 shows a schematic configuration of the functional film manufacturing apparatus B when the magnetron sputtering method is used.
As shown in FIG. 3, the manufacturing apparatus B includes a plurality of rollers 11 to 16, static elimination apparatuses 34 and 35, and a film forming unit 4. In the manufacturing apparatus B, the same components as those in the manufacturing apparatus A are denoted by the same reference numerals.

成膜部４は、マグネトロンスパッター法により機能性層を薄膜として形成する。成膜部４は、図３に示すように、ローラー４１、マグネットを内蔵するカソード４２、ガス供給部４３等を備えて構成されている。
ローラー４１は、フィルム１を搬送するローラーであり、ヒーターを内蔵してフィルム１を加熱する。
カソード４２は、ローラー４１の周面に対向する位置に配置され、図示しないホルダーによりターゲットＴが取り付けられている。The film forming unit 4 forms the functional layer as a thin film by magnetron sputtering. As shown in FIG. 3, the film forming unit 4 includes a roller 41, a cathode 42 incorporating a magnet, a gas supply unit 43, and the like.
The roller 41 is a roller that conveys the film 1 and heats the film 1 with a built-in heater.
The cathode 42 is disposed at a position facing the peripheral surface of the roller 41, and a target T is attached by a holder (not shown).

成膜部４は、ローラー４１により搬送されるフィルム１と、ターゲットＴとして配置された機能性層の原料タブレットとの間に、ガス供給部４３により、酸素等の原料ガスとアルゴンガス等の不活性ガスとを供給する。また、成膜部４は、ローラー４１によりフィルム１を加熱し、図示しない電源によりカソード４２に電圧を印加する。これにより、アルゴンイオンが生成され、生成されたアルゴンイオンの衝突によって飛び出したターゲットＴがフィルム１上に堆積し、酸素等の原料ガスと反応して機能性層が形成される。   The film forming unit 4 is configured so that a gas supply unit 43 is provided between the film 1 transported by the roller 41 and the functional layer raw material tablet arranged as the target T, so that a raw material gas such as oxygen and an argon gas are not present. Supply active gas. The film forming unit 4 heats the film 1 with a roller 41 and applies a voltage to the cathode 42 with a power source (not shown). Thereby, argon ions are generated, and the target T jumping out by the collision of the generated argon ions is deposited on the film 1 and reacts with a source gas such as oxygen to form a functional layer.

除電装置３４及び３５は、それぞれローラー１３及び１４によりフィルム１が送り出され、剥離する位置において、フィルム１を除電する。これにより、剥離放電を抑え、剥離放電に起因する機能性層の膜欠陥を減らす。
なお、図３には、機能性層が既に形成されているフィルム１の除電に好ましい配置例として、除電装置３４及び３５のみの配置例を示したが、製造装置Ａと同様に、剥離放電が生じ得るすべてのローラー１１〜１５及び４１に対応して、６つの除電装置を配置することもできる。The neutralization devices 34 and 35 neutralize the film 1 at the position where the film 1 is sent out by the rollers 13 and 14 and peeled off. Thereby, peeling discharge is suppressed and the film defect of the functional layer resulting from peeling discharge is reduced.
FIG. 3 shows an arrangement example of only the static elimination devices 34 and 35 as a preferable arrangement example for static elimination of the film 1 on which the functional layer has already been formed. Corresponding to all the possible rollers 11 to 15 and 41, six static elimination devices can also be arranged.

他の成膜方法、例えば真空蒸着法、イオンプレーティング法等の場合も、成膜部４の構成がそれぞれの成膜方法に応じた構成となるのみで、製造装置Ａ又は製造装置Ｂと同様にして一又は複数の除電装置を配置することにより、膜欠陥を減らすことができる。   In the case of other film forming methods such as a vacuum deposition method and an ion plating method, the structure of the film forming unit 4 is only the structure corresponding to each film forming method, and is the same as the manufacturing apparatus A or the manufacturing apparatus B. Thus, by arranging one or a plurality of static eliminators, film defects can be reduced.

以下、実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」又は「％」の表示が用いられるが、特に断りが無い限り「質量部」又は「質量％」を表す。   EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto. In addition, although the display of "part" or "%" is used in an Example, unless there is particular notice, it represents "mass part" or "mass%".

〔機能性フィルムの製造装置Ｋ０〕
図１に示す製造装置Ａと同様の構成の機能性フィルムの製造装置Ｋ０を作製した。製造装置Ｋ０には、電気力線放射方式の除電装置ＥＳＴ−Ｕ（クリーンテクノス社製）を用いた。[Functional film manufacturing equipment K0]
A functional film manufacturing apparatus K0 having the same configuration as the manufacturing apparatus A shown in FIG. 1 was produced. As the manufacturing apparatus K0, an electric field line radiation type static eliminator EST-U (manufactured by Clean Technos) was used.

〔機能性フィルムの製造装置Ｋ１〕
図１に示す製造装置Ａの各除電装置３１〜３７のうち、ローラー１１に対応する除電装置３１のみを配置したこと以外は、製造装置Ａと同様の構成の機能性フィルムの製造装置Ｋ１を作製した。製造装置Ｋ１には、電気力線放射方式の除電装置ＥＳＴ−Ｕを用いた。[Functional film manufacturing apparatus K1]
A functional film manufacturing apparatus K1 having the same configuration as that of the manufacturing apparatus A is manufactured except that only the static eliminating apparatus 31 corresponding to the roller 11 is arranged among the static eliminating apparatuses 31 to 37 of the manufacturing apparatus A shown in FIG. did. As the manufacturing apparatus K1, an electric field line radiation type static eliminator EST-U was used.

〔機能性フィルムの製造装置Ｋ２〕
図１に示す製造装置Ａの各除電装置３１〜３７のうち、ローラー１１、１３及び１４に対応する除電装置３１、３３及び３４のみを配置したこと以外は、製造装置Ａと同様の構成の機能性フィルムの製造装置Ｋ２を作製した。製造装置Ｋ２には、製造装置Ｋ１と同じ電気力線放射方式の除電装置ＥＳＴ−Ｕを用いた。[Functional film manufacturing equipment K2]
Functions of the same configuration as the manufacturing apparatus A except that only the static eliminating apparatuses 31, 33, and 34 corresponding to the rollers 11, 13, and 14 are arranged among the static eliminating apparatuses 31 to 37 of the manufacturing apparatus A shown in FIG. Production device K2 was produced. As the manufacturing apparatus K2, the same electric field line radiation neutralization apparatus EST-U as the manufacturing apparatus K1 was used.

〔機能性フィルムの製造装置Ｋ３〕
上記製造装置Ｋ２に用いられた電気力線放射方式の除電装置を、紫外光電離方式の除電装置Ｌ１０７０６（浜松ホトニクス社製）に変更したこと以外は、製造装置Ｋ２と同様の構成の機能性フィルムの製造装置Ｋ３を作製した。[Functional film manufacturing equipment K3]
A functional film having the same configuration as that of the manufacturing apparatus K2, except that the electric field line radiation neutralization device used in the manufacturing apparatus K2 is changed to an ultraviolet photoionization neutralization apparatus L10706 (manufactured by Hamamatsu Photonics). The manufacturing apparatus K3 was manufactured.

〔機能性フィルムの製造装置Ｋ４〕
マグネトロンスパッター法を用いた製造装置として、図３に示す製造装置Ｂと同様の構成の機能性フィルムの製造装置Ｋ４を作製し、ローラー１１に対応する除電装置を追加して、製造装置Ｋ２と同様にローラー１１、１３及び１４に対応する３つの除電装置を配置した。製造装置Ｋ４には、製造装置Ｋ１と同じ電気力線放射方式の除電装置ＥＳＴ−Ｕを用いた。[Functional film manufacturing equipment K4]
As a manufacturing apparatus using a magnetron sputtering method, a functional film manufacturing apparatus K4 having the same configuration as that of the manufacturing apparatus B shown in FIG. 3 is manufactured, and a static eliminator corresponding to the roller 11 is added, similar to the manufacturing apparatus K2. Three static eliminating devices corresponding to the rollers 11, 13 and 14 were arranged. As the manufacturing apparatus K4, the same electric field radiation type static eliminator EST-U as the manufacturing apparatus K1 was used.

〔機能性フィルムの製造装置Ｋ５〕
上記製造装置Ｋ１に設置された除電装置をすべて取り外し、機能性フィルムの製造装置Ｋ５とした。[Functional film production equipment K5]
All the static eliminators installed in the manufacturing apparatus K1 were removed, and the functional film manufacturing apparatus K5 was obtained.

〔機能性フィルムの製造装置Ｋ６〕
上記製造装置Ｋ４に設置された除電装置をすべて取り外し、機能性フィルムの製造装置Ｋ６とした。[Functional film manufacturing equipment K6]
All the static eliminators installed in the production apparatus K4 were removed, and the functional film production apparatus K6 was obtained.

〔機能性フィルムの製造装置Ｋ７〕
上記製造装置Ｋ１に設置された除電装置をすべて取り外し、成膜直前の位置に除電装置を配置したこと以外は、製造装置Ｋ１と同様の構成の製造装置Ｋ７を作製した。図４における除電装置Ｘ１は、製造装置Ｋ７に配置された除電装置の配置位置を示している。製造装置Ｋ７の除電装置として、製造装置Ｋ１と同じ電気力線放射方式の除電装置ＥＳＴ−Ｕを用い、ガスバリアー層が形成されるフィルムの面と反対側の面に対向するように配置した。[Functional film manufacturing equipment K7]
A manufacturing apparatus K7 having the same configuration as that of the manufacturing apparatus K1 was manufactured except that all the static eliminators installed in the manufacturing apparatus K1 were removed and the static eliminator was disposed at a position immediately before film formation. The static elimination apparatus X1 in FIG. 4 has shown the arrangement position of the static elimination apparatus arrange | positioned at the manufacturing apparatus K7. The static eliminator EST-U of the same electric field line radiation method as that of the manufacturing apparatus K1 was used as the static eliminator of the manufacturing apparatus K7, and was arranged so as to face the surface opposite to the film surface on which the gas barrier layer was formed.

〔機能性フィルムの製造装置Ｋ８〕
上記製造装置Ｋ１に設置された除電装置をすべて取り外し、巻き取り直前の位置に除電装置を配置したこと以外は、製造装置Ｋ１と同様の構成の製造装置Ｋ８を作製した。図４における除電装置Ｘ２は、製造装置Ｋ８に配置された除電装置の配置位置を示している。製造装置Ｋ８の除電装置として、製造装置Ｋ１と同じ電気力線放射方式の除電装置ＥＳＴ−Ｕを用い、ガスバリアー層が形成されるフィルムの面と反対側の面に対向するように配置した。[Functional film manufacturing equipment K8]
A manufacturing apparatus K8 having the same configuration as that of the manufacturing apparatus K1 was manufactured except that all the static eliminators installed in the manufacturing apparatus K1 were removed and the static eliminator was disposed at a position immediately before winding. The static elimination apparatus X2 in FIG. 4 has shown the arrangement position of the static elimination apparatus arrange | positioned at the manufacturing apparatus K8. The static eliminator EST-U of the same electric field line radiation method as that of the manufacturing apparatus K1 was used as the static eliminator of the manufacturing apparatus K8, and was disposed so as to face the surface opposite to the film surface on which the gas barrier layer was formed.

〔ガスバリアー性フィルム１〕
基板として、透明な２軸延伸ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムＫＥＬ８６Ｗ（帝人デュポンフィルム社製、長さ１００ｍ、幅０．３５ｍ、厚さ１２５μｍ）を準備した。
このフィルムの表面に、コロナ放電装置ＡＧＩ−０８０（春日電機社製）を用いてコロナ処理を施した。コロナ処理時、コロナ放電装置の放電電極とフィルムの表面との間隙を１ｍｍに設定し、処理出力を６００ｍＷ／ｃｍ２の条件として、１０秒間のコロナ放電を行った。[Gas barrier film 1]
A transparent biaxially stretched polyethylene terephthalate (PET) film KEL86W (manufactured by Teijin DuPont Films, length 100 m, width 0.35 m, thickness 125 μm) was prepared as a substrate.
The surface of this film was subjected to corona treatment using a corona discharge device AGI-080 (manufactured by Kasuga Denki Co., Ltd.). During the corona treatment, the gap between the discharge electrode of the corona discharge device and the surface of the film was set to 1 mm, and the treatment output was 600 mW / cm 2 , and a corona discharge was performed for 10 seconds.

フィルムのコロナ処理された面に、ポリウレタンアクリレート及びアクリル酸エステルを主成分とした紫外線硬化型樹脂含有塗布液（紫光ＵＶ−１７００Ｂ、日本合成化学社製）を、湿式コーターを用いて、乾燥後の膜厚が４μｍになるように塗布した。塗布後、８０℃で３分間の乾燥を行った。乾燥した塗膜に、大気下で高圧水銀ランプを使用して１．０Ｊ／ｃｍ２の活性線を照射して硬化させ、クリアハードコート層を形成した。On the corona-treated surface of the film, an ultraviolet curable resin-containing coating liquid (purple light UV-1700B, manufactured by Nippon Synthetic Chemical Co., Ltd.) mainly composed of polyurethane acrylate and acrylate is dried using a wet coater. Application was performed so that the film thickness was 4 μm. After application, drying was performed at 80 ° C. for 3 minutes. The dried coating film was cured by irradiation with actinic radiation of 1.0 J / cm 2 using a high-pressure mercury lamp in the atmosphere to form a clear hard coat layer.

上記クリアハードコート層を有するフィルムのロール体を機能性フィルムの製造装置Ｋ１にセットした。製造装置Ｋ１により、フィルムを巻き出して搬送速度１０ｍ／ｍｉｎで搬送し、搬送中に除電装置により除電した。また、製造装置Ｋ１により、フィルムのクリアハードコート層上に、厚さ３００ｎｍの酸炭化ケイ素ＳｉＯＣ膜をガスバリアー層として連続的に形成して、ガスバリアー性フィルム１を得た。ガスバリアー性フィルム１の製造における成膜条件及び除電条件は、次のとおりである。   The roll body of the film which has the said clear hard-coat layer was set to the manufacturing apparatus K1 of a functional film. The film was unwound and transported at a transport speed of 10 m / min by the manufacturing apparatus K1, and the charge was removed by the static eliminator during transport. In addition, a gas barrier film 1 was obtained by continuously forming a silicon oxycarbide SiOC film having a thickness of 300 nm as a gas barrier layer on the clear hard coat layer of the film by the production apparatus K1. The film formation conditions and the charge removal conditions in the production of the gas barrier film 1 are as follows.

（成膜条件）
原料ガス１：ヘキサメチルジシロキサン（有機ケイ素化合物：ＨＭＤＳＯ：（ＣＨ３）６Ｓｉ２Ｏ）
原料ガス１の供給量：５０ｓｃｃｍ（Standard Cubic Centimeter per Minute）
原料ガス２：酸素（Ｏ２）ガス
原料ガス２の供給量：５００ｓｃｃｍ
真空チャンバー内の真空度：３Ｐａ
電源による印加電力：１．５ｋＷ
電源の周波数：８０ｋＨｚ(Deposition conditions)
Source gas 1: hexamethyldisiloxane (organosilicon compound: HMDSO: (CH 3 ) 6 Si 2 O)
Source gas 1 supply: 50 sccm (Standard Cubic Centimeter per Minute)
Source gas 2: Oxygen (O 2 ) gas Supply amount of source gas 2: 500 sccm
Degree of vacuum in the vacuum chamber: 3Pa
Power applied by the power supply: 1.5 kW
Power supply frequency: 80 kHz

（除電条件）
印加電圧：±９ｋＶ
除電装置の設置位置：フィルムがローラーにより送り出されてローラーからフィルムが剥離する位置から８０ｍｍ離れた位置(Static elimination conditions)
Applied voltage: ± 9kV
Installation position of the static eliminator: Position 80 mm away from the position where the film is fed by the roller and peeled off from the roller

〔ガスバリアー性フィルム２〕
上記ガスバリアー性フィルム１の製造において、クリアハードコート層を有するフィルムを、長さ及び厚さが同じポリイミド（ＰＩ）フィルムに代えたこと以外は同様にして、ガスバリアー性フィルム２を製造した。[Gas barrier film 2]
In the production of the gas barrier film 1, the gas barrier film 2 was produced in the same manner except that the film having the clear hard coat layer was replaced with a polyimide (PI) film having the same length and thickness.

〔ガスバリアー性フィルム３〕
上記ガスバリアー性フィルム１を機能性フィルムの製造装置Ｋ１にセットし、搬送速度１０ｍ／ｍｉｎで搬送して、搬送中に除電装置により除電した。また、製造装置Ｋ１により、ガスバリアー性フィルム１において既に形成されているガスバリアー層上に、さらに厚さ３００ｎｍの酸炭化ケイ素ＳｉＯＣ膜をガスバリアー層として連続的に形成し、２層のガスバリアー層が積層されたガスバリアー性フィルム３を得た。ガスバリアー性フィルム３における２層目のガスバリアー層の成膜条件及び除電条件は、１層目のガスバリアー層の形成時と同じである。[Gas barrier film 3]
The gas barrier film 1 was set in the functional film manufacturing apparatus K1, transported at a transport speed of 10 m / min, and neutralized by a static eliminator during transport. In addition, a silicon oxycarbide SiOC film having a thickness of 300 nm is continuously formed as a gas barrier layer on the gas barrier layer already formed in the gas barrier film 1 by the manufacturing apparatus K1, thereby forming a two-layer gas barrier. A gas barrier film 3 in which layers were laminated was obtained. The film-forming conditions and charge-removing conditions for the second gas barrier layer in the gas barrier film 3 are the same as those for forming the first gas barrier layer.

〔ガスバリアー性フィルム４〕
上記ガスバリアー性フィルム１を機能性フィルムの製造装置Ｋ２にセットし、搬送速度１０ｍ／ｍｉｎで搬送して、搬送中に除電装置により除電した。また、製造装置Ｋ２により、ガスバリアー性フィルム１において既に形成されているガスバリアー層上に、さらに厚さ３００ｎｍの酸炭化ケイ素ＳｉＯＣ膜をガスバリアー層として連続的に形成し、２層のガスバリアー層が積層されたガスバリアー性フィルム４を得た。ガスバリアー性フィルム４における２層目のガスバリアー層の成膜条件及び除電条件は、１層目のガスバリアー層の成膜条件及び除電と同じである。[Gas barrier film 4]
The gas barrier film 1 was set in a functional film production apparatus K2, and conveyed at a conveyance speed of 10 m / min. In addition, a silicon oxide oxycarbide SiOC film having a thickness of 300 nm is continuously formed as a gas barrier layer on the gas barrier layer already formed in the gas barrier film 1 by the manufacturing apparatus K2, thereby forming a two-layer gas barrier. A gas barrier film 4 in which layers were laminated was obtained. The film formation conditions and charge removal conditions for the second gas barrier layer in the gas barrier film 4 are the same as the film formation conditions and charge removal for the first gas barrier layer.

〔ガスバリアー性フィルム５〕
上記ガスバリアー性フィルム１を機能性フィルムの製造装置Ｋ３にセットし、搬送速度１０ｍ／ｍｉｎで搬送して、搬送中に除電装置により除電した。また、製造装置Ｋ３により、ガスバリアー性フィルム１のガスバリアー層上に、さらに厚さ３００ｎｍの酸炭化ケイ素ＳｉＯＣ膜をガスバリアー層として連続的に形成し、２層のガスバリアー層が積層されたガスバリアー性フィルム５を得た。ガスバリアー性フィルム５における２層目のガスバリアー層の成膜条件は、１層目のガスバリアー層の成膜条件と同じである。[Gas barrier film 5]
The gas barrier film 1 was set in a functional film production apparatus K3, conveyed at a conveyance speed of 10 m / min, and neutralized by a static eliminator during conveyance. In addition, a 300 nm thick silicon oxycarbide SiOC film was continuously formed as a gas barrier layer on the gas barrier layer of the gas barrier film 1 by the manufacturing apparatus K3, and two gas barrier layers were laminated. A gas barrier film 5 was obtained. The deposition conditions for the second gas barrier layer in the gas barrier film 5 are the same as the deposition conditions for the first gas barrier layer.

２層目のガスバリアー層の形成時における除電条件は、下記のとおりである。
（除電条件）
真空紫外光の照射強度：３０Ｗ
除電装置の設置位置：フィルムのローラーとの剥離位置から８０ｍｍ離れた位置
除電時、２層目のガスバリアー層とローラーの剥離位置におけるフィルムに向けて紫外光を照射し、紫外光の照射位置に不活性ガスを供給して、０．１〜２０Ｐａの減圧下となるように調整した。The conditions for static elimination at the time of forming the second gas barrier layer are as follows.
(Static elimination conditions)
Vacuum ultraviolet light irradiation intensity: 30W
Installation position of static eliminator: Position that is 80 mm away from the film peeling position with the roller At the time of static elimination, irradiate the film at the peeling position of the second gas barrier layer and the roller with ultraviolet light, and at the ultraviolet light irradiation position An inert gas was supplied to adjust the pressure to 0.1 to 20 Pa.

〔ガスバリアー性フィルム６〕
上記ガスバリアー性フィルム１と同様にして、クリアハードコート層を有するフィルムを作製した。
上記クリアハードコート層を有するフィルムを機能性フィルムの製造装置Ｋ４にセットし、搬送速度１０ｍ／ｍｉｎで搬送して、搬送中に除電装置により除電した。また、製造装置Ｋ４により、フィルムのクリアハードコート層上に、ガスバリアー層として厚さ３００ｎｍの酸炭化ケイ素ＳｉＯＣ膜をガスバリアー層として連続的に形成し、ガスバリアー性フィルム６を得た。[Gas barrier film 6]
In the same manner as the gas barrier film 1, a film having a clear hard coat layer was produced.
The film having the clear hard coat layer was set in a functional film production apparatus K4, conveyed at a conveyance speed of 10 m / min, and neutralized by a static eliminator during conveyance. Further, a 300 nm thick silicon oxycarbide SiOC film was continuously formed as a gas barrier layer as a gas barrier layer on the clear hard coat layer of the film by the production apparatus K4, whereby a gas barrier film 6 was obtained.

ガスバリアー層は、下記成膜条件により形成した。除電条件は、ガスバリアー性フィルム１の製造時と同じ条件である。
（成膜条件）
ターゲット：ＳｉＣ
原料ガス：Ｏ２
不活性ガス：Ａｒ
ガス供給量：原料ガスと不活性ガスの流量体積比が８：１となるように供給
チャンバー内の圧力：０．２Ｐａ
ターゲットへの印加電力：２Ｗ／ｃｍ２ The gas barrier layer was formed under the following film formation conditions. The static elimination conditions are the same as those during the production of the gas barrier film 1.
(Deposition conditions)
Target: SiC
Source gas: O 2
Inert gas: Ar
Gas supply amount: Supply so that the flow volume ratio of the source gas and the inert gas is 8: 1. Pressure in the chamber: 0.2 Pa
Applied power to target: 2 W / cm 2

〔ガスバリアー性フィルム７〕
上記ガスバリアー性フィルム１と同様にして、クリアハードコート層を有するフィルムを作製した。
上記クリアハードコート層を有するフィルムを機能性フィルムの製造装置Ｋ０にセットし、搬送速度１０ｍ／ｍｉｎで搬送して、搬送中に除電装置により除電した。除電条件は、上記ガスバリアー性フィルム１と同じ除電条件である。また、製造装置Ｋ０により、フィルムのクリアハードコート層上に、ガスバリアー層として厚さ３００ｎｍの酸炭化ケイ素ＳｉＯＣ膜をガスバリアー層として連続的に形成した。
次に、製造装置Ｋ０におけるフィルムの搬送方向を逆方向とし、先に形成されたガスバリアー層上に、さらに厚さ３００ｎｍの酸炭化ケイ素ＳｉＯＣ膜をガスバリアー層として連続的に形成し、２層のガスバリアー層が積層されたガスバリアー性フィルム７を得た。ガスバリアー性フィルム７における２層目のガスバリアー層の成膜条件及び除電条件は、１層目のガスバリアー層の成膜条件及び除電条件と同じである。[Gas barrier film 7]
In the same manner as the gas barrier film 1, a film having a clear hard coat layer was produced.
The film having the clear hard coat layer was set in the functional film production apparatus K0, conveyed at a conveyance speed of 10 m / min, and neutralized by a static eliminator during conveyance. The static elimination conditions are the same as those for the gas barrier film 1. In addition, a 300 nm thick silicon oxycarbide SiOC film was continuously formed as a gas barrier layer on the clear hard coat layer of the film by the manufacturing apparatus K0.
Next, the film transport direction in the manufacturing apparatus K0 is reversed, and a 300 nm thick silicon oxycarbide SiOC film is continuously formed as a gas barrier layer on the previously formed gas barrier layer. A gas barrier film 7 having a gas barrier layer laminated thereon was obtained. The film formation conditions and charge removal conditions of the second gas barrier layer in the gas barrier film 7 are the same as the film formation conditions and charge removal conditions of the first gas barrier layer.

〔ガスバリアー性フィルム８及び９〕
上記ガスバリアー性フィルム３の製造において、除電装置の設置位置の条件を、フィルムのローラーとの剥離位置からそれぞれ１５０ｎｍ及び１６０ｍｍ離れた位置に変更して除電を行った以外は、ガスバリアー性フィルム３と同様にして、ガスバリアー性フィルム８及び９を製造した。[Gas barrier films 8 and 9]
In the production of the gas barrier film 3, the gas barrier film 3 was used except that the conditions of the installation position of the static elimination device were changed to positions 150 nm and 160 mm apart from the film peeling position, respectively. In the same manner, gas barrier films 8 and 9 were produced.

〔ガスバリアー性フィルム２１〜２４〕
上記ガスバリアー性フィルム１、２及び３の製造において、製造装置Ｋ１に代えて機能性フィルムの製造装置Ｋ５によりガスバリアー層を形成したこと以外は、各ガスバリアー性フィルム１、２及び３と同様にして、各ガスバリアー性フィルム２１〜２３を製造した。
また、上記ガスバリアー性フィルム６の製造において、製造装置Ｋ４に代えて機能性フィルムの製造装置Ｋ６によりガスバリアー層を形成したこと以外は、ガスバリアー性フィルム６と同様にして、ガスバリアー性フィルム２４を製造した。[Gas barrier films 21 to 24]
In the production of the gas barrier films 1, 2, and 3, the same as each of the gas barrier films 1, 2, and 3, except that the gas barrier layer was formed by the functional film production apparatus K5 instead of the production apparatus K1. Thus, gas barrier films 21 to 23 were produced.
In the production of the gas barrier film 6, the gas barrier film is the same as the gas barrier film 6 except that the gas barrier layer is formed by the functional film production apparatus K 6 instead of the production apparatus K 4. 24 was produced.

〔ガスバリアー性フィルム２５〕
上記ガスバリアー性フィルム１を機能性フィルムの製造装置Ｋ７にセットし、搬送速度１０ｍ／ｍｉｎで搬送して、搬送中に除電装置により除電した。また、ガスバリアー性フィルム１のガスバリアー層上に、さらに酸炭化ケイ素ＳｉＯＣからなる厚さ３００ｎｍのガスバリアー層を連続的に形成し、２層のガスバリアー層が積層されたガスバリアー性フィルム２５を得た。２層目のガスバリアー層の成膜条件及び除電条件は、１層目のガスバリアー層の成膜条件及び除電条件と同じである。[Gas barrier film 25]
The gas barrier film 1 was set in a functional film production apparatus K7, and conveyed at a conveyance speed of 10 m / min. Further, a gas barrier film 25 in which a gas barrier layer made of silicon oxycarbide SiOC and having a thickness of 300 nm is continuously formed on the gas barrier layer of the gas barrier film 1 and two gas barrier layers are laminated. Got. The film formation conditions and charge removal conditions for the second gas barrier layer are the same as the film formation conditions and charge removal conditions for the first gas barrier layer.

〔ガスバリアー性フィルム２６〕
上記ガスバリアー性フィルム３の製造において、製造装置Ｋ１を機能性フィルムの製造装置Ｋ８に代えたこと以外は、ガスバリアー性フィルム３と同様にしてガスバリアー性フィルム２６を製造した。[Gas barrier film 26]
In the production of the gas barrier film 3, the gas barrier film 26 was produced in the same manner as the gas barrier film 3 except that the production apparatus K1 was replaced with the functional film production apparatus K8.

〔評価〕
各ガスバリアー性フィルム１〜９及び２１〜２６に対し、下記評価を行った。[Evaluation]
The following evaluation was performed with respect to each gas barrier film 1-9 and 21-26.

（欠陥数）
各ガスバリアー性フィルム１〜９及び２１〜２６においてガスバリアー層を形成するごとに、ＣＮＣ画像測定システムＮＥＸＩＶ ＶＭＲ−３２０（ニコン社製）を用いて、ガスバリアー層の欠陥数を求めた。具体的には、撮影した画像のうち、１０ｃｍ×１０ｃｍの範囲内で、直径３００μｍ以上の大きさの欠陥を画像処理により検出し、１ｍ２あたりの欠陥の個数を計算した。２層目のガスバリアー層の撮影画像からは、１層目のガスバリアー層における欠陥も検出されることがあるため、２層目のガスバリアー層の撮影画像において検出された欠陥数から１層目のガスバリアー層の撮影画像において検出された欠陥数を差し引いた欠陥数を、２層目のガスバリアー層の欠陥数とした。(Number of defects)
Each time a gas barrier layer was formed in each of the gas barrier films 1 to 9 and 21 to 26, the number of defects in the gas barrier layer was determined using a CNC image measurement system NEXIV VMR-320 (manufactured by Nikon Corporation). Specifically, a defect having a diameter of 300 μm or more was detected by image processing within a range of 10 cm × 10 cm in the photographed image, and the number of defects per 1 m 2 was calculated. Since defects in the first gas barrier layer may also be detected from the photographed image of the second gas barrier layer, one layer is determined from the number of defects detected in the photographed image of the second gas barrier layer. The number of defects obtained by subtracting the number of defects detected in the captured image of the eye gas barrier layer was defined as the number of defects in the second gas barrier layer.

１層目及び２層目のガスバリアー層のそれぞれの欠陥数を下記のようにランク評価した。
Ａ：欠陥数（個数／ｍ２）が０以上２００未満であり、ガスバリアー性が高く、高品質のガスバリアー性フィルムとして使用できる
Ｂ：欠陥数（個数／ｍ２）が２００以上５００未満であり、十分なガスバリアー性を示し、ガスバリアー性フィルムとして使用できる
Ｃ：欠陥数（個数／ｍ２）が５００以上１０００未満であり、ガスバリアー性が低く、ガスバリアー性フィルムとして使用できない
Ｄ：欠陥数（個数／ｍ２）が１０００以上であり、ガスバリアー性が非常に低く、ガスバリアー性フィルムとして使用できないThe number of defects in each of the first and second gas barrier layers was evaluated as follows.
A: The number of defects (number / m 2 ) is 0 or more and less than 200 and has high gas barrier properties and can be used as a high-quality gas barrier film. B: The number of defects (number / m 2 ) is 200 or more and less than 500 Yes, it exhibits a sufficient gas barrier property and can be used as a gas barrier film C: The number of defects (number / m 2 ) is 500 or more and less than 1000, the gas barrier property is low, and it cannot be used as a gas barrier film D: The number of defects (number / m 2 ) is 1000 or more, the gas barrier property is very low, and it cannot be used as a gas barrier film.

（溶融の有無）
１層目のガスバリアー層の形成時には、剥離放電によってフィルムが溶融する可能性があるため、ガスバリアー層が１層のみ形成されたガスバリアー性フィルム１、２、６、２１、２２及び２４については、フィルムの溶融の有無を評価した。
具体的には、上記欠陥数の評価時に膜欠陥が検出された位置において、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）によりフィルムの断面を観察し、フィルムの溶融の有無を確認した。
なお、２層目のガスバリアー層の形成時には、剥離放電の影響を受けるのはフィルムではなく１層目のガスバリアー層であるため、２層目のガスバリアー層を形成した場合にはフィルムの溶融の有無は評価しなかった。(With or without melting)
When the first gas barrier layer is formed, the film may be melted by peeling discharge, so that the gas barrier films 1, 2, 6, 21, 22, and 24 in which only one gas barrier layer is formed are used. Evaluated the presence or absence of melting of the film.
Specifically, the cross section of the film was observed with a transmission electron microscope (TEM) at the position where the film defect was detected when the number of defects was evaluated, and the presence or absence of melting of the film was confirmed.
When the second gas barrier layer is formed, it is not the film but the first gas barrier layer that is affected by the peeling discharge, so when the second gas barrier layer is formed, The presence or absence of melting was not evaluated.

下記表１は各製造装置Ｋ０〜Ｋ８の一覧を示し、下記表２は各ガスバリアー性フィルム１〜９及び２１〜２６の評価結果を示している。
なお、表２において、ＣＨＣ−ＰＥＴは、クリアハードコート層を有するポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを表す。また、ＰＩはポリイミドフィルムを表す。Table 1 below shows a list of manufacturing apparatuses K0 to K8, and Table 2 below shows evaluation results of the gas barrier films 1 to 9 and 21 to 26.
In Table 2, CHC-PET represents a polyethylene terephthalate (PET) film having a clear hard coat layer. PI represents a polyimide film.

Figure 2015037534
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Figure 2015037534
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表１に示すように、比較例に係る製造装置Ｋ５〜Ｋ８によりガスバリアー層を形成すると、ガスバリアー性の低下を引き起こす膜欠陥が発生し、フィルムの溶融も確認されている。
これに対し、本発明に係る製造装置Ｋ０〜Ｋ４によれば、ガスバリアー性フィルムとして十分に使用できる程度に膜欠陥を少なく抑えている。また、フィルムの溶融も無い。この結果から、ローラーからフィルムが剥離する位置においてフィルムを除電することにより、剥離放電の発生が効果的に抑えられ、剥離放電に起因する膜欠陥及びフィルムの溶融が低減していることが分かる。
また、ガスバリアー性フィルム１、２１及び２４を比較すると、プラズマＣＶＤ法はマグネトロンスパッター法に比べて除電しない場合の膜欠陥が多いが、剥離位置において除電することにより大幅に膜欠陥を減らすことができており、除電の効果が特に高いことが分かる。As shown in Table 1, when the gas barrier layer is formed by the manufacturing apparatuses K5 to K8 according to the comparative examples, film defects that cause a decrease in gas barrier properties are generated, and melting of the film is also confirmed.
On the other hand, according to the manufacturing apparatus K0-K4 which concerns on this invention, the film defect is restrained fewly to such an extent that it can fully be used as a gas barrier film. There is no melting of the film. From this result, it can be understood that by removing the film at the position where the film peels from the roller, the occurrence of the peeling discharge is effectively suppressed, and the film defects and the melting of the film due to the peeling discharge are reduced.
Further, when comparing the gas barrier films 1, 21 and 24, the plasma CVD method has more film defects when the charge removal is not performed than the magnetron sputtering method, but the film defects can be greatly reduced by removing the charges at the peeling position. It can be seen that the neutralization effect is particularly high.

本発明は、ローラーによりフィルムを搬送してフィルム上に機能性層を連続して形成する製造技術に利用することができる。   INDUSTRIAL APPLICATION This invention can be utilized for the manufacturing technique which conveys a film with a roller and forms a functional layer continuously on a film.

Ａ 機能性フィルムの製造装置
ａ１ 真空チャンバー
１１〜１６ ローラー
２０ 成膜部
２１、２２ ローラー
２３ 磁場発生装置
２４ ガス供給部
２５ 電源
３１〜３７ 除電装置
Ｂ 機能性フィルムの製造装置
４ 成膜部
４１ ローラー
４２ カソード
４３ ガス供給部
Ｔ ターゲットA Functional Film Manufacturing Device a1 Vacuum Chamber 11-16 Roller 20 Film Forming Units 21, 22 Roller 23 Magnetic Field Generator 24 Gas Supply Unit 25 Power Supply 31-37 Charger B Functional Film Manufacturing Device 4 Film Forming Unit 41 Roller 42 Cathode 43 Gas supply part T Target

Claims (10)

長尺のフィルムを搬送し、当該フィルム上に機能性層を薄膜として形成する機能性フィルムの製造装置であって、
前記フィルムを搬送する複数のローラーと、
前記複数のローラーにより搬送されるフィルム上に機能性層を連続的に形成する成膜部と、
前記複数のローラーのうち、少なくとも１つのローラーにより前記フィルムが送り出されて前記ローラーから前記フィルムが剥離する位置において、前記フィルムを除電する一又は複数の除電装置と、
を備えることを特徴とする機能性フィルムの製造装置。It is a functional film manufacturing apparatus that conveys a long film and forms a functional layer as a thin film on the film,
A plurality of rollers for conveying the film;
A film forming unit that continuously forms a functional layer on the film conveyed by the plurality of rollers;
Among the plurality of rollers, one or a plurality of static elimination devices that neutralize the film at a position where the film is sent out by at least one roller and the film is peeled off from the rollers;
An apparatus for producing a functional film, comprising: 前記複数のローラーが、少なくとも１層の機能性層が既に形成されているフィルムを搬送し、
前記複数のローラーのうち、少なくともローラー表面が前記フィルム上の機能性層と対面するローラーにより送り出されて前記ローラーから前記フィルムが剥離する位置において、前記フィルムを除電するように、前記一又は複数の除電装置が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の機能性フィルムの製造装置。The plurality of rollers convey a film in which at least one functional layer is already formed,
Among the plurality of rollers, at least one roller surface is fed by a roller that faces the functional layer on the film and the film is peeled off from the roller so that the film is neutralized. The functional film manufacturing apparatus according to claim 1, wherein a static eliminator is disposed. 前記除電装置の除電方式が、電気力線放射方式又は紫外光電離方式であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の機能性フィルムの製造装置。   The functional film manufacturing apparatus according to claim 1, wherein a static elimination method of the static elimination device is an electric field line radiation method or an ultraviolet photoionization method. 前記複数のローラーが、対向配置された一対のローラーを含み、
前記成膜部が、前記一対のローラー間に機能性層の原料ガスを供給するとともに電圧を印加して、プラズマを生成させ、当該機能性層の原料成分を前記フィルム上に堆積させることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の機能性フィルムの製造装置。The plurality of rollers includes a pair of rollers arranged to face each other,
The film forming unit supplies a functional layer raw material gas between the pair of rollers and applies a voltage to generate plasma, thereby depositing the raw material component of the functional layer on the film. The apparatus for producing a functional film according to any one of claims 1 to 3. 前記機能性層が、ガスバリアー層であることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の機能性フィルムの製造装置。   The said functional layer is a gas barrier layer, The manufacturing apparatus of the functional film as described in any one of Claim 1- Claim 4 characterized by the above-mentioned. 長尺のフィルムを搬送し、当該フィルム上に機能性層を薄膜として形成する機能性フィルムの製造方法であって、
複数のローラーにより前記フィルムを搬送して、当該フィルム上に機能性層を連続的に形成し、前記複数のローラーのうち、少なくとも１つのローラーにより前記フィルムが送り出されて前記ローラーから前記フィルムが剥離する位置において、前記フィルムを除電することを特徴とする機能性フィルムの製造方法。A method for producing a functional film that conveys a long film and forms a functional layer as a thin film on the film,
The film is transported by a plurality of rollers, and a functional layer is continuously formed on the film. The film is fed out by at least one of the plurality of rollers, and the film is peeled off from the rollers. A method for producing a functional film, wherein the film is neutralized at a position where the film is removed. 前記複数のローラーにより、少なくとも１層の機能性層が既に形成されているフィルムを搬送し、
前記複数のローラーのうち、少なくともローラー表面が前記フィルム上の機能性層と対面するローラーにより送り出されて前記ローラーから前記フィルムが剥離する位置において、前記フィルムを除電することを特徴とする請求項６に記載の機能性フィルムの製造方法。The plurality of rollers conveys a film in which at least one functional layer has already been formed,
7. The film is neutralized at a position where at least a roller surface of the plurality of rollers is fed by a roller facing a functional layer on the film and the film is peeled off from the roller. A method for producing the functional film described in 1. 前記除電時の除電方式が、電気力線放射方式又は紫外光電離方式であることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の機能性フィルムの製造方法。   The method for producing a functional film according to claim 6 or 7, wherein the static elimination method at the time of static elimination is an electric field line radiation method or an ultraviolet photoionization method. 前記複数のローラーが、対向配置された一対のローラーを含み、
前記一対のローラー間に機能性層の原料ガスを供給するとともに電圧を印加して、プラズマを生成させ、当該機能性層の原料成分を前記フィルム上に堆積させることを特徴とする請求項６から請求項８までのいずれか一項に記載の機能性フィルムの製造方法。The plurality of rollers includes a pair of rollers arranged to face each other,
The raw material gas for the functional layer is supplied between the pair of rollers and a voltage is applied to generate plasma to deposit the raw material components of the functional layer on the film. The manufacturing method of the functional film as described in any one of Claim 8. 前記機能性層が、ガスバリアー層であることを特徴とする請求項６から請求項９までのいずれか一項に記載の機能性フィルムの製造方法。   The method for producing a functional film according to any one of claims 6 to 9, wherein the functional layer is a gas barrier layer.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6471623B2 (en) * 2015-06-18 2019-02-20 コニカミノルタ株式会社 Film forming apparatus and film forming method
JP6710908B2 (en) * 2015-07-24 2020-06-17 凸版印刷株式会社 Gas barrier laminate, wavelength conversion sheet and backlight unit
JP6778624B2 (en) * 2017-01-31 2020-11-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Board processing equipment, board processing system and board processing method
JP6858641B2 (en) * 2017-05-24 2021-04-14 住友化学株式会社 Method of manufacturing a laminate
EP3760759A4 (en) * 2018-03-30 2021-04-21 JFE Steel Corporation Surface treatment facility

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6447856A (en) * 1987-08-17 1989-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacture of thin metallic film
JPH089782B2 (en) * 1989-03-17 1996-01-31 松下電器産業株式会社 Thin film manufacturing method
JPH11238595A (en) * 1997-11-27 1999-08-31 Toray Ind Inc Static eliminator and static eliminating method
JP2000054151A (en) * 1998-08-03 2000-02-22 Toppan Printing Co Ltd Vacuum film forming device
JP2004256885A (en) * 2003-02-27 2004-09-16 Sumitomo Bakelite Co Ltd Vacuum film-forming apparatus for film, and plastic film manufactured with the use of it
JP2006043965A (en) * 2004-08-02 2006-02-16 Canon Anelva Corp Takeup type surface treatment apparatus and surface treatment method
JP4569813B2 (en) * 2004-12-07 2010-10-27 東洋紡績株式会社 Vacuum deposition equipment
JP4826907B2 (en) * 2006-09-25 2011-11-30 凸版印刷株式会社 Winding type vacuum deposition method and apparatus
JP5056114B2 (en) * 2007-03-29 2012-10-24 東レ株式会社 Sheet thin film forming apparatus and method for manufacturing sheet with thin film
JP2012082464A (en) * 2010-10-08 2012-04-26 Sumitomo Chemical Co Ltd Plasma cvd film-forming apparatus, film-forming method, gas-barrier laminated film
JP5873705B2 (en) * 2011-12-13 2016-03-01 三菱伸銅株式会社 Method for producing metal-deposited film

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