JPWO2014189114A1 - 有機半導体組成物および有機薄膜トランジスタならびに電子ペーパーおよびディスプレイデバイス - Google Patents

Abstract

本発明は、有機薄膜トランジスタの移動度を大きく低下させることなく、有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性を向上させる有機半導体組成物、および、そのような有機半導体組成物を使用して作製された有機薄膜トランジスタ、ならびに、上記有機薄膜トランジスタを使用した電子ペーパーおよびディスプレイデバイスを提供することを課題とする。本発明の有機半導体組成物は、有機半導体材料（Ａ）と、下記一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｂ）とを含有する。

Description

本発明は、有機半導体組成物および有機薄膜トランジスタならびに電子ペーパーおよびディスプレイデバイスに関する。

軽量化、低コスト化、柔軟化が可能であることから、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイに用いられるＦＥＴ（電界効果トランジスタ）、ＲＦＩＤ（ＲＦタグ）やメモリなどの論理回路を用いる装置等に、有機半導体膜（有機半導体層）を有する有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ）が利用されている。
昨今、有機薄膜トランジスタへの期待が高まるなか、有機薄膜トランジスタには、移動度（特に電界効果移動度）の向上や安定性などが求められている。
このようななか、特許文献１には、有機半導体層の酸化劣化を低減するために、酸化防止剤を含有する組成物で有機半導体層を形成した有機薄膜トランジスタが開示されている。

特開２００５−５５８２号公報

本発明者らが特許文献１に開示される組成物を用いて有機薄膜トランジスタを作製したところ、有機薄膜トランジスタの移動度が大きく低下することが明らかとなった。また、寿命試験を行ったところ、ソース／ドレイン電極間の絶縁信頼性が昨今求められるレベルを満たすものではないことが明らかとなった。

そこで、本発明は、上記実情を鑑みて、有機薄膜トランジスタの移動度を大きく低下させることなく、有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性を向上させる有機半導体組成物、および、そのような有機半導体組成物を使用して作製された有機薄膜トランジスタ、ならびに、上記有機薄膜トランジスタを使用した電子ペーパーおよびディスプレイデバイスを提供することを目的とする。

本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、有機半導体材料に特定の繰り返し単位を含む高分子化合物を配合することで、有機薄膜トランジスタの移動度を大きく低下させることなく、有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性を向上させる有機半導体組成物が得られることを見出し、本発明に至った。すなわち、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。

（１） 有機半導体材料（Ａ）と、後述する一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｂ）とを含有する有機半導体組成物。
（２） 一般式（６）で表される化合物が、後述する一般式（２２）で表される化合物である、上記（１）に記載の有機半導体組成物。
（３） 一般式（８）で表される化合物が、後述する一般式（２３ａ）〜（２３ｄ）からなる群より選択される化合物である、上記（１）または（２）に記載の有機半導体組成物。
（４） 一般式（１）で表される化合物が、後述する一般式（１−６）〜（１−２１）で表される化合物からなる群より選択される化合物である、上記（１）〜（３）のいずれかに記載の有機半導体組成物。
（５） 一般式（５）で表される化合物が、後述する一般式（５１）〜（５４）で表される化合物からなる群より選択される化合物である、上記（１）に記載の有機半導体組成物。
（６） 上記一般式（Ｂ）中、Ｂが、後述する一般式（１）もしくは後述する一般式（６）で表される化合物から水素原子（ただし、水酸基の水素原子を除く）を１個取り去った１価の基、または、後述する一般式（２５）で表される基である、上記（１）に記載の有機半導体組成物。
（７） 高分子化合物（Ｂ）の重量平均分子量が５，０００以上である、（１）〜（６）のいずれかに記載の有機半導体用組成物。
（８） 有機半導体材料（Ａ）の分子量が２０００以下である、（１）〜（７）のいずれかに記載の有機半導体組成物。
（９） 上記（１）〜（８）のいずれかに記載の有機半導体組成物を使用して作製された有機薄膜トランジスタ。
（１０） 上記（９）に記載の有機薄膜トランジスタを使用した電子ペーパー。
（１１） 上記（９）に記載の有機薄膜トランジスタを使用したディスプレイデバイス。

以下に示すように、本発明によれば、有機薄膜トランジスタの移動度を大きく低下させることなく、有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性を向上させる有機半導体組成物、および、そのような有機半導体組成物を使用して作製された有機薄膜トランジスタ、ならびに、上記有機薄膜トランジスタを使用した電子ペーパーおよびディスプレイデバイスを提供することができる。

本発明の有機薄膜トランジスタの一態様の断面模式図である。 本発明の有機薄膜トランジスタの別の一態様の断面模式図である。

［有機半導体組成物（有機半導体用組成物）］
本発明の有機半導体組成物（以下、本発明の組成物ともいう）は、有機半導体材料（Ａ）と、後述する一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｂ）とを含有する。
上述のとおり、本発明の組成物は、後述する一般式（Ｂ）で表される特定の繰り返し単位を含む高分子化合物を含有するため、有機薄膜トランジスタの移動度を大きく低下させることなく、有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性を向上させる有機半導体組成物となると考えらえる。

その理由は明らかではないが、およそ以下のとおりと推測される。
なお、以下では、ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタの場合について詳述する。
有機薄膜トランジスタに電圧を印加すると、電界の作用により電極がイオン化し、有機半導体層の中をイオンが移動（マイグレーション）することがある。このようなマイグレーションが生じると、ソース／ドレイン電極間の絶縁性が低下してしまう。特に、ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタにおいては、マイグレーションは、有機半導体層とゲート絶縁膜との界面付近で顕著に生じるものと考えられる。
ここで、後述するとおり、本発明の組成物に含有される高分子化合物（Ｂ）はマイグレーション防止部位を有する特定の基を側鎖に有する。
本発明の組成物は、このような高分子化合物（Ｂ）を含有するため、有機半導体層中で高分子化合物（Ｂ）が有機半導体材料（Ａ）と相分離して、有機半導体層とゲート絶縁膜との界面に偏在し、マイグレーションを効果的に抑制するものと考えられる。すなわち、高分子化合物（Ｂ）は、マイグレーションが生じる領域に偏在して、良好なマイグレーション抑制剤として機能する。
さらに、上述のとおり、高分子化合物（Ｂ）はゲート絶縁膜との界面に偏在するため、有機薄膜トランジスタの移動度への影響を最小限に抑えることができるものと考えられる。
これらのことは、後述する比較例１および２が示すように、マイグレーション防止部位を有すると考えられる特定の化合物を、高分子に導入することなく単体で配合した場合には、上記のような化合物の偏在が進行しないため、絶縁信頼性の向上の度合いが小さく、また、有機半導体層中に化合物が点在するために有機半導体の結晶化が十分に進行せず、移動度が大きく低下することからも推測される。また、上記の点は、後述する比較例３に示すように、マイグレーション防止部位を有さない高分子を使用した場合には、上記のように高分子の偏在は進行するものの、マイグレーション抑制能がないため、絶縁信頼性の向上の度合いが小さいことからも推測される。
なお、トップコンタクト型などの他の形態の有機薄膜トランジスタにおいても、同様の作用により同様の効果が得られる。

以下、本発明の組成物に含有される各成分について詳述する。

＜有機半導体材料（Ａ）＞
本発明の組成物に含有される有機半導体材料（Ａ）としては、有機薄膜トランジスタ（有機半導体トランジスタ）の有機半導体層として利用される、公知の材料が、利用可能である。具体的には、６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＩＰＳペンタセン）、テトラメチルペンタセン、パーフルオロペンタセン等のペンタセン類、ＴＥＳ−ＡＤＴ、ｄｉＦ−ＴＥＳ−ＡＤＴ等のアントラジチオフェン類、ＤＰｈ−ＢＴＢＴ、Ｃｎ−ＢＴＢＴ等のベンゾチエノベンゾチオフェン類、Ｃｎ−ＤＮＴＴ等のジナフトチエノチオフェン類、ペリキサンテノキサンテン等のジオキサアンタントレン類、ルブレン類、Ｃ６０、ＰＣＢＭ等のフラーレン類、銅フタロシアニン、フッ素化銅フタロシアニン等のフタロシアニン類、Ｐ３ＲＴ、ＰＱＴ、Ｐ３ＨＴ、ＰＱＴ等のポリチオフェン類、ポリ［２，５−ビス（３−ドデシルチオフェン−２−イル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン］（ＰＢＴＴＴ）等のポリチエノチオフェン類等が例示される。
有機半導体材料の分子量は特に制限されないが、有機薄膜トランジスタの移動度の点から、２０００以下が好ましく、１２００以下がより好ましい。
なお、有機半導体材料が重合体の場合、上記分子量は重量平均分子量を意図する。
なお、有機半導体材料が重合体の場合の重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）法で測定されたポリスチレン換算値である。重量平均分子量のＧＰＣ法による測定は、有機半導体材料をテトラヒドロフランに溶解させ、東ソー（株）製高速ＧＰＣ（ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ）を用い、カラムとして、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＺ４０００（ＴＯＳＯＨ製、４．６ｍｍＩ．Ｄ．×１５ｃｍ）を用い、溶離液としてＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いて行う。

＜高分子化合物（Ｂ）＞
本発明の組成物に含有される高分子化合物（Ｂ）は、下記一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物である。高分子化合物（Ｂ）は、側鎖にマイグレーション防止部位を有する特定の基（一般式（Ｂ）中のＢ）を有する。
高分子化合物（Ｂ）は、一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含んでもよい。高分子化合物（Ｂ）中の一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位の割合は、５質量％以上であることが好ましく、１０質量％以上であることがより好ましく、２０質量％以上であることがさらに好ましい。
高分子化合物（Ｂ）に含まれる一般式（Ｂ）で表される複数の繰り返し単位は、同一であっても異なっていてもよい。

一般式（Ｂ）中、Ｒ_Bは、水素原子、または、炭素数１〜４の置換基を有してもよいアルキル基を表す。なかでも、水素原子、メチル基であることが好ましい。

Ｌ_Bは、単結合または２価の有機基を表す。２価の有機基としては、例えば、直鎖状、分岐状若しくは環状の２価の脂肪族炭化水素基（例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基などのアルキレン基）、直鎖状、分岐状若しくは環状の２価の芳香族炭化水素基（例えば、フェニレン基）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ₂−、−ＮＲ₂₂₂−、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＲ₂₂₂−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＳＯ₃−、−ＮＨＣＯＯ−、−ＳＯ₂ＮＲ₂₂₂−、−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−またはこれらを２種以上組み合わせた基（例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基など）などが挙げられる。ここで、Ｒ₂₂₂は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表す。
Ｌ_Bはマイグレーション防止部位の運動性が高く、マイグレーション抑制能により優れる点では、２価の有機基であるほうが好ましい。

Ｌ_Bの好適な態様としては、例えば、下記一般式（Ｂ−１）で表される２価の有機基が挙げられる。

一般式（Ｂ−１）中、Ｚ₂は、単結合、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＲ₂₂₂−）またはエーテル基（−Ｏ−）を表す。Ｒ₂₂₂の定義は上述のとおりである。

一般式（Ｂ−１）中、Ｌ₄は、単結合または２価の有機基を表す。２価の有機基は、直鎖状、分岐状若しくは環状の２価の脂肪族炭化水素基（例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基などのアルキレン基）、直鎖状、分岐状若しくは環状の２価の芳香族炭化水素基（例えば、フェニレン基）、または、これらを組み合わせた基であることが好ましい。上記組み合わせた基は、エーテル基（−Ｏ−）、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＲ₂₂₂−）、ウレタン基（−ＮＨＣＯＯ−）、ウレア基（−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−）を介して組み合わせた基であってもよい。Ｒ₂₂₂の定義は上述のとおりである。
Ｌ₄は、総炭素数が１〜１５であることが好ましい。ここで、総炭素数とは、Ｌ₄に含まれる総炭素原子数を意味する。
Ｌ₄の具体例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、フェニレン基、および、これらの基が、メトキシ基、ヒドロキシル基、塩素原子、臭素原子、フッ素原子等で置換されたもの、さらには、これらを組み合わせた基などが挙げられる。

一般式（Ｂ−１）中、Ｚ₃は、単結合、−ＣＯ₂−、−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＳＯ₃−、−ＣＯＮＲ₂₂₂−、−ＮＨＣＯＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ₂ＮＲ₂₂₂−、または、−ＮＲ₂₂₂−を表す。Ｒ₂₂₂の定義は上述のとおりである。

一般式（Ｂ−１）中、上側の＊（Ｚ₂に隣接する＊）は、一般式（Ｂ）中のＲ_Bが結合する炭素原子との結合位置を表す。
一般式（Ｂ−１）中、下側の＊（Ｚ₃に隣接する＊）は、一般式（Ｂ）中のＢとの結合位置を表す。
すなわち、Ｌ_Bが一般式（Ｂ−１）で表される２価の有機基である場合、一般式（Ｂ）は下記一般式（Ｂ−２）で表される。

一般式（Ｂ−２）中、Ｒ_Bの定義および好適な態様は、上述した一般式（Ｂ）中のＲ_Bと同じである。
一般式（Ｂ−２）中、Ｚ₂、Ｌ₄およびＺ₃の定義、具体例および好適な態様は、それぞれ上述した一般式（Ｂ−１）中のＺ₂、Ｌ₄およびＺ₃と同じである。
一般式（Ｂ−２）中、Ｂの定義および好適な態様は、後述する一般式（Ｂ）中のＢと同じである。

一般式（Ｂ）中、Ｂは、下記一般式（１）〜（８）で表される化合物から水素原子（ただし、水酸基の水素原子を除く）を１個取り去った１価の基、または、下記一般式（２５）で表される基を表す。ここで、「一般式（１）〜（８）で表される化合物から水素原子（ただし、水酸基の水素原子を除く）を１個取り去った１価の基」とは、一般式（１）〜（８）で表される化合物において、化合物の有する水素原子のうち、水酸基の水素原子以外の任意の水素原子を１個取り去った１価の基を表す。Ｂで表される基は、マイグレーション防止部位を有する。

（一般式（１）で表される化合物）
まず、一般式（１）で表される化合物について説明する。
Ｐ−（ＣＲ₁＝Ｙ）_n−Ｑ 一般式（１）

一般式（１）中、ＰおよびＱは、それぞれ独立に、ＯＨ、ＮＲ₂Ｒ₃またはＣＨＲ₄Ｒ₅を表す。ただし、ｎが０であるとき、ＰおよびＱの両方がＣＨＲ₄Ｒ₅であることはなく、ＰおよびＱの両方がＯＨであることもない。Ｙは、ＣＲ₆または窒素原子を表す。

Ｒ₂およびＲ₃は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。
窒素原子に置換可能な基としては窒素原子に置換できる基であれば特に制限されないが、例えば、アルキル基（シクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、複素環基、アルキルおよびアリールスルフィニル基、アルキルおよびアリールスルホニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルバモイル基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、またはこれらの組み合わせなどが挙げられる。

さらに詳しくは、アルキル基〔直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２−エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１．２．２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イル）、さらに環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。〕、アルケニル基〔直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換または無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２．２．２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。〕、アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）、アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、複素環基（好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族の複素環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３から３０の５または６員の芳香族の複素環基である。例えば、２−フラニル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリニル）、アルキルおよびアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、アルキルおよびアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換または無置換の炭素原子でカルボニル基と結合している複素環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２−ピリジルカルボニル、２−フリルカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）を好ましい例として挙げることができる。
上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに置換されていてもよい。

Ｒ₂およびＲ₃で表されるアルキル基は、直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルケニル基を表し、好ましくは炭素数１〜５０、さらに好ましくは炭素数１〜３０、特に好ましくは炭素数１〜２０である。
好ましい例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、シクロプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔ−ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、シクロペンチル、オクチル、２−エチルヘキシル、ノニル、デシル、ドデシル、テトラデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、エイコシル、ドコシル、トリアコンチルなどを挙げることができる。さらに好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチル、２−エチルヘキシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシルであり、特に好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチル、２−エチルヘキシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシルである。
なお、アルキル基には、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−、またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。なお、アルキル基中に上記連結基が含まれる場合、その位置は特に制限されず、末端であってもよい。例えば、−Ｓ−Ｒ_x（Ｒ_x：アルキル基）であってもよい。

Ｒ₂およびＲ₃で表されるアルキル基は、さらに置換基を有していてもよい。
置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、複素環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、複素環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、複素環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基、アルキルおよびアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールおよび複素環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基、またはこれらの組み合わせが挙げられる。

さらに詳しくは、置換基としては、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基〔直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２−エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１．２．２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イル）、さらに環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。〕、

アルケニル基〔直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換または無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２．２．２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。〕、アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）、

アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、複素環基（好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族の複素環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３から３０の５員または６員の芳香族の複素環基である。例えば２−フラニル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリニル）、

シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３から２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）、複素環オキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換の複素環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）、

アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルアミノ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアニリノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０から３０の置換または無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルホニルアミノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）、

メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルチオ基、例えば、メチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）、複素環チオ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換の複素環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０から３０の置換または無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ‘−フェニルカルバモイル）スルファモイル）、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、

アルキルおよびアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換または無置換の炭素原子でカルボニル基と結合している複素環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２−ピリジルカルボニル、２−フリルカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、

カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、アリールおよび複素環アゾ基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリールアゾ基、炭素数３から３０の置換または無置換の複素環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）、シリル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）を表わす。

上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに上記の基で置換されていてもよい。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基などが挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル、アセチルアミノスルホニル、ベンゾイルアミノスルホニル基などが挙げられる。

Ｒ₂およびＲ₃で表されるアルケニル基は、直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルケニル基を表し、好ましくは炭素数２〜５０、さらに好ましくは炭素数２〜３０、特に好ましくは炭素数２〜２０である。好ましい例としては、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２．２．２］オクト−２−エン−４−イルなどを挙げることができる。さらに好ましくは、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イルであり、特に好ましくは、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イルである。
Ｒ₂およびＲ₃で表されるアルケニル基はさらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
なお、アルケニル基には、上記アルキル基と同様に、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。

Ｒ₂およびＲ₃で表されるアルキニル基は、直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルキニル基を表し、好ましくは炭素数２〜５０、さらに好ましくは炭素数２〜３０、特に好ましくは炭素数２〜２０である。好ましい例としては、エチニル、プロパルギルなどを挙げることができる。
Ｒ₂およびＲ₃で表されるアルキニル基はさらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
なお、アルキニル基には、上記アルキル基と同様に、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。

Ｒ₂およびＲ₃で表されるアリール基は、置換または無置換のアリール基を表し、好ましくは炭素数６〜５０、さらに好ましくは炭素数６〜３０、特に好ましくは炭素数６〜２０である。好ましい例としては、フェニル、２−メチルフェニル、３−メチルフェニル、４−メチルフェニル、２−エチルフェニル、４−エチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、２−クロロフェニル、３−クロロフェニル、４−クロロフェニル、２−メトキシフェニル、３−メトキシフェニル、４−メトキシフェニル、２−ベンジルフェニル、４−ベンジルフェニル、２−メチルカルボニルフェニル、４−メチルカルボニルフェニルなどを挙げることができる。
さらに好ましくは、フェニル、２−メチルフェニル、４−メチルフェニル、２−エチルフェニル、４−エチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、２−クロロフェニル、４−クロロフェニル、２−メトキシフェニル、３−メトキシフェニル、４−メトキシフェニル、２−ベンジルフェニル、４−ベンジルフェニルなどを挙げることができ、特に好ましくは、フェニル、２−メチルフェニル、４−メチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、２−クロロフェニル、４−クロロフェニル、２−メトキシフェニル、４−メトキシフェニル、２−ベンジルフェニル、４−ベンジルフェニルなどを挙げることができる。
Ｒ₂およびＲ₃で表されるアリール基はさらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。

Ｒ₄およびＲ₅は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒ₄およびＲ₅で表される置換基としては、前述のＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または、これらを組み合わせた基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ₂およびＲ₃の例を挙げることができる。
Ｒ₄およびＲ₅で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。

Ｒ₁およびＲ₆は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒ₁およびＲ₆で表される置換基としては、前述のＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または、これらを組み合わせた基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ₂およびＲ₃の例を挙げることができる。
Ｒ₁およびＲ₆で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。

ｎは０〜５の整数を表す。ただし、ｎが０であるとき、ＰおよびＱの両者が共にＯＨであることはなく、ＣＨＲ₄Ｒ₅であることもない。ｎが２以上の数を表すとき、（ＣＲ₁＝Ｙ）で表される複数の原子群は、同一であっても異なっていてもよい。

一般式（１）で表される化合物は、鎖状であっても環状であってもよく、環状である場合は、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、またはＲ₆で表される基のうちの少なくとも二つの基が互いに結合して環を形成していてもよい。
なお、二つの基が結合する際には、単結合、二重結合および三重結合のいずれかの結合形式が含まれていてもよい。

一般式（１）で表される化合物は、下記一般式（１−６）〜（１−２１）で表される化合物からなる群から選択される化合物であることが好ましい。

一般式（１−６）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＯＨであり、ＹがＣＲ₆であり、ｎが２であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ₁およびＱに隣接する炭素原子上のＲ₆が互いに結合して二重結合を形成して環を形成した場合の化合物である。
一般式（１−６）において、Ｖ₆は置換基を表す。ａは、１〜４の整数（好ましくは１〜２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。
Ｖ₆で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１−６）に複数のＶ₆が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
以下に、一般式（１−６）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。

一般式（１−７）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＯＨであり、ＹがＣＲ₆であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ₁およびＱに隣接する炭素原子上のＲ₆が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（１−７）において、Ｖ₇は置換基を表す。ａは、１〜４の整数（好ましくは１〜２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。
Ｖ₇で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１−７）に複数のＶ₇が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
以下に、一般式（１−７）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。

一般式（１−８）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがＯＨ、ＱがＮＲ₂Ｒ₃であり、ＹがＣＲ₆であり、ｎが２であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ₁およびＱに隣接する炭素原子上のＲ₆が互いに結合して二重結合を形成して環を形成した場合の一例である。
一般式（１−８）において、Ｖ₈は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数（好ましくは１〜２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ₈で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１−８）に複数のＶ₈が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。

Ｒ₈₁およびＲ₈₂は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ₂およびＲ₃に例示した基を好ましく挙げることができる。

以下に、一般式（１−８）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。

一般式（１−９）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがＯＨ、ＱがＮＲ₂Ｒ₃であり、ＹがＣＲ₆であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ₁およびＱに隣接する炭素原子上のＲ₆が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（１−９）において、Ｖ₉は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数（好ましくは１〜２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ₉で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１−９）に複数のＶ₉が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。

Ｒ₉₁およびＲ₉₂は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ₂およびＲ₃に例示した基を好ましく挙げることができる。

以下に、一般式（１−９）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。

一般式（１−１０）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがＯＨ、ＱがＣＨＲ₄Ｒ₅であり、ＹがＣＲ₆であり、ｎが２であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ₁およびＱに隣接する炭素原子上のＲ₆が互いに結合して二重結合を形成して環を形成した場合の一例である。
一般式（１−１０）において、Ｖ₁₀は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数（好ましくは１〜２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ₁₀で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１−１０）に複数のＶ₁₀が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。

Ｒ₁₀₁およびＲ₁₀₂は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒ₁₀₁およびＲ₁₀₂で表される置換基としては、前述のＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ₂およびＲ₃の例を挙げることができる。
Ｒ₁₀₁およびＲ₁₀₂が置換基を表す場合、これらの基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。

以下に、一般式（１−１０）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。

一般式（１−１１）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがＯＨ、ＱがＣＨＲ₄Ｒ₅であり、ＹがＣＲ₆であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ₁およびＱに隣接する炭素原子上のＲ₆が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（１−１１）において、Ｖ₁₁は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数（好ましくは１〜２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ₁₁で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１−１１）に複数のＶ₁₁が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。

Ｒ₁₁₁およびＲ₁₁₂は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒ₁₁₁およびＲ₁₁₂で表される置換基としては、前述のＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ₂およびＲ₃の例を挙げることができる。
Ｒ₁₁₁またはＲ₁₁₂が置換基を表す場合、これらの基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。

以下に、一般式（１−１１）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。

一般式（１−１２）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＮＲ₂Ｒ₃であり、ＹがＣＲ₆であり、ｎが２であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ₁およびＱに隣接する炭素原子上のＲ₆が互いに結合して二重結合を形成して環を形成した場合の一例である。
一般式（１−１２）において、Ｖ₁₂は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数（好ましくは１〜２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ₁₂で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１−１２）に複数のＶ₁₂が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。

Ｒ₁₂₁、Ｒ₁₂₂、Ｒ₁₂₃およびＲ₁₂₄は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ₂およびＲ₃に例示した基を好ましく挙げることができる。

以下に、一般式（１−１２）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。

一般式（１−１３）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＮＲ₂Ｒ₃であり、ＹがＣＲ₆であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ₁およびＱに隣接する炭素原子上のＲ₆が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（１−１３）において、Ｖ₁₃は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数（好ましくは１〜２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ₁₃で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１−１３）に複数のＶ₁₃が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。

Ｒ₁₃₁、Ｒ₁₃₂、Ｒ₁₃₃およびＲ₁₃₄は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ₂およびＲ₃に例示した基を好ましく挙げることができる。

以下に、一般式（１−１３）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。

一般式（１−１４）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＯＨであり、ＹがＣＲ_６であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ₁およびＱに隣接する炭素原子上のＲ₆が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（１−１４）において、Ｖ₁₄は置換基を表す。ｃは、１〜２の整数（好ましくは１１）を表す。
Ｖ₁₄で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１−１４）に複数のＶ₁₄が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。

以下に、一般式（１−１４）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。

一般式（１−１５）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがＯＨ、ＱがＮＲ₂Ｒ₃であり、ＹがＣＲ₆であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ₁およびＱに隣接する炭素原子上のＲ₆が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（１−１５）において、Ｖ₁₅は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数（好ましくは１〜２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ₁₅で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１−１５）に複数のＶ₁₅が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。

Ｒ₁₅₁およびＲ₁₅₂は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ₂およびＲ₃に例示した基を好ましく挙げることができる。

以下に、一般式（１−１５）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。

一般式（１−１６）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＮＲ₂Ｒ₃であり、ｎが０であり、Ｒ₂およびＲ₃が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（１−１６）において、Ｖ₁₆は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数（好ましくは１〜２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ₁₆で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１−１６）に複数のＶ₁₆が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。

Ｒ₁₆₁およびＲ₁₆₂は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ₂およびＲ₃に例示した基を好ましく挙げることができる。

以下に、一般式（１−１６）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。

一般式（１−１７）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＮＲ₂Ｒ₃であり、ｎが０であり、Ｒ₂およびＲ₃が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（１−１７）において、Ｖ₁₇は置換基を表す。ｄは、０または１を表す。Ｖ₁₇で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１−１７）に複数のＶ₁₇が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。

Ｒ₁₇₁、Ｒ₁₇₂およびＲ₁₇₃は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ₂およびＲ₃に例示した基を好ましく挙げることができる。

以下に、一般式（１−１７）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。

一般式（１−１８）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＯＨであり、ＹがＣＲ₆および窒素原子であり、ｎが３であり、Ｒ₁およびＲ₆が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（１−１８）において、Ｖ₁₈は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数（好ましくは１〜２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ₁₈で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１−１８）に複数のＶ₁₈が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。

Ｒ₁₈₁は、水素原子または置換基を表す。Ｒ₁₈₁で表される置換基としては、前述のＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ₂およびＲ₃の例を挙げることができる。
Ｒ₁₈₁が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。

以下に、一般式（１−１８）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。

一般式（１−１９）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＯＨであり、ＹがＣＲ₆および窒素原子であり、ｎが２であり、Ｒ₁およびＲ₆が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（１−１９）において、Ｖ₁₉は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数（好ましくは１〜２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ₁₉で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１−１９）に複数のＶ₁₉が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。

Ｒ₁₉₁は、水素原子または置換基を表す。Ｒ₁₉₁で表される置換基としては、前述のＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ₂およびＲ₃の例を挙げることができる。
Ｒ₁₉₁が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。

以下に、一般式（１−１９）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。

一般式（１−２０）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＮＲ₂Ｒ₃であり、ｎが０である場合の一例である。
一般式（１−２０）において、Ｒ₂₀₁、Ｒ₂₀₂、Ｒ₂₀₃およびＲ₂₀₄は、それぞれ独立に、水素原子、または、窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ₂およびＲ₃に例示した基を好ましく挙げることができる。

以下に、一般式（１−２０）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。

一般式（１−２１）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがそれぞれＮＲ₂Ｒ₃であり、ＱがＯＨであり、ｎが０である場合の一例である。
一般式（１−２１）において、Ｒ₂₁₁およびＲ₂₁₂は、それぞれ独立に、水素原子、または、窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ₂およびＲ₃に例示した基を好ましく挙げることができる。

以下に、一般式（１−２１）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。

（一般式（２）で表される化合物）
次に、一般式（２）で表される化合物について説明する。
Ｒ₇−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ 一般式（２）

一般式（２）で表される化合物には、アルデヒド体とヘミアセタール体との間に平衡が存在することにより還元性を示す化合物（アルドースなど）や、ロブリー・ドブリュイン−ファン エッケンシュタイン転位反応によるアルドース−ケトース間の異性化によりアルデヒド体を形成しうる化合物（フルクトースなど）も含有する。

一般式（２）中、Ｒ₇はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。
Ｒ₇がアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基を表すとき、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ₂およびＲ₃の例を挙げることができる。
Ｒ₇が複素環基を表すとき、好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族の複素環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３から３０の５または６員の芳香族または、非芳香族の複素環基である。好ましい例としては、２−フラニル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリル、２−ベンゾオキサゾリル、２−イミダゾリル、４−イミダゾリル、トリアゾリル、ベンゾトリアゾリル、チアジアゾリル、ピロリジニル、ピペリジニル、イミダゾリジニル、ピラゾリジニル、モルホリニル、テトラヒドロフラニル、テトラヒドロチエニルなどを挙げることができる。
Ｒ₇としてさらに好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基であり、特に好ましくは、アルキル基、アリール基である。
Ｒ₇で表されるアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または、複素環基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）においてＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。

Ｒ₇で表される基中には、ヒドロキシル基、または、−ＣＯＯ−で表される基が含まれていてもよい。

以下に、一般式（２）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。

（一般式（３）で表される化合物）
次に、一般式（３）で表される化合物について説明する。

一般式（３）中、Ｒ₈、Ｒ₉およびＲ₁₀で表される基は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基および複素環基の好ましい例としては、前述の一般式（１）のＲ₂およびＲ₃の例を挙げることができる。
Ｒ₈、Ｒ₉およびＲ₁₀で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。

以下に、一般式（３）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。

（一般式（４）で表される化合物）
次に、一般式（４）で表される化合物について説明する。

一般式（４）中、Ｒ₁₁およびＲ₁₂は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基および複素環基の好ましい例としては、前述の一般式（１）のＲ₂およびＲ₃の例を挙げることができる。
Ｒ₁₁およびＲ₁₂で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｒ₁₁およびＲ₁₂は、互いに結合して環を形成していてもよい。形成される環には、置換基が含まれていてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。

以下に、一般式（４）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。ここで、Ｍｅはメチル基を表す。

（一般式（５）で表される化合物）
次に、一般式（５）で表される化合物について説明する。
Ｚ−ＳＨ 一般式（５）
一般式（５）中、Ｚは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基および複素環基の好ましい例としては、前述の一般式（１）のＲ₂およびＲ₃の例を挙げることができる。
Ｚで表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。

一般式（５）で表される化合物は、下記一般式（５１）〜（５４）で表される化合物であることが好ましい。

一般式（５１）において、Ｒ₅₁₁は、置換基を表す。
置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。Ｒ₅₁₁で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。

一般式（５２）において、Ｒ₅₂₁およびＲ₅₂₂は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。Ｒ₅₂₁およびＲ₅₂₂は、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ₅₂₃は、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ₂およびＲ₃に例示した基を好ましく挙げることができる。

一般式（５３）において、Ｒ₅₃₁は、水素原子または置換基を表す。置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｒ₅₃₂は、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ₂およびＲ₃に例示した基を好ましく挙げることができる。

一般式（５４）において、Ｒ₅₄₁は窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ₂およびＲ₃に例示した基を好ましく挙げることができる。

（一般式（６）で表される化合物）
次に、一般式（６）で表される化合物について説明する。

一般式（６）中、Ｘ₆₁、Ｘ₆₂およびＸ₆₃は、それぞれ独立に、−ＮＨ−、−Ｎ＝、＝Ｎ−、−ＣＲ_x＝、＝ＣＲ_x−または−Ｓ−を表す。Ｒ_xは、水素原子、−ＮＨ₂または直鎖状もしくは分岐状の炭素数１〜１５のアルキル基を表す。ここで、アルキル基の中の１の炭素原子、または２以上の隣接しない炭素原子は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ₀、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＲ₀＝ＣＲ₀₀−、−Ｃ≡Ｃ−に置換されていてもよい。また、アルキル基の中の１以上の水素原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子または−ＣＮに置換されていてもよい。Ｒ₀およびＲ₀₀は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよく、１以上のヘテロ原子を有してもよいカルビル基もしくはヒドロカルビル基を表す。置換基の具体例および好適な態様は、前述のＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基と同じである。ヘテロ原子としては特に制限されないが、例えば、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子などが挙げられる。Ｘ₆₁、Ｘ₆₂およびＸ₆₃のうち少なくとも１つは−ＣＲ_x＝または＝ＣＲ_x−ではない。

Ｒ₆₁およびＲ₆₂は、それぞれ独立に、フッ素原子、塩素原子、−Ｓｐ−Ｐ、直鎖状もしくは分岐状の炭素数１〜１５のアルキル基、または、置換基（置換基の具体例および好適な態様は、前述のＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基と同じ）を有してもよい炭素数２〜３０の、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、ヘテロアリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニル基もしくはヘテロアリールオキシカルボニル基を表す。ここで、アルキル基の中の１の炭素原子、または２以上の隣接しない炭素原子は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ₀、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＲ₀＝ＣＲ₀₀−、−Ｃ≡Ｃ−に置換されていてもよい。また、アルキル基の中の１以上の水素原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、−ＣＮに置換されていてもよい。Ｒ₀およびＲ₀₀は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよく、１以上のヘテロ原子を有してもよいカルビル基もしくはヒドロカルビル基を表す。置換基の具体例および好適な態様は、前述のＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基と同じである。Ｓｐは、単結合または２価の有機基を表す。２価の有機基の具体例および好適な態様は、上述したＬ_Bと同じである。Ｐは、重合性基または架橋性基を表す。重合性基および架橋性基の具体例としては、メタクリロイル基、アクリロイル基、イタコン酸エステル基、クロトン酸エステル基、イソクロトン酸エステル基、マレイン酸エステル基、スチリル基、ビニル基、アクリルアミド基、メタクリルアミド基などが挙げられる。Ｒ₆₁およびＲ₆₂は、互いに結合して、環原子数５〜７の、芳香環または芳香族複素環を形成してもよい。芳香環および芳香族複素環は、１〜６個の置換基を有してもよい。置換基の具体例および好適な態様は、前述のＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基と同じである。

上記「カルビル基」は、任意の非炭素原子を含まないか（例えば、−Ｃ≡Ｃ−のような）、又はＮ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｅ、Ａｓ、Ｔｅ若しくはＧｅのような少なくとも一つの非炭素原子と随意に結合した少なくとも一つの炭素原子を含む（例えば、カルボニル等）任意の一価若しくは多価有機基部分を指す。上記「ヒドロカルビル基」は、１以上のＨ原子を追加的に含み、随意に、例えば、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｅ、Ａｓ、Ｔｅ若しくはＧｅのような１以上のヘテロ原子を含むカルビル基を指す。

一般式（６）で表される化合物は、下記一般式（２２）で表される化合物であることが好ましい。

一般式（２２）中、Ｒ₂₂₁、Ｒ₂₂₂、Ｒ₂₂₃、およびＲ₂₂₄は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基の具体例は、前述のＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基と同じである。

以下に、一般式（２２）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。

（一般式（７）で表される化合物）
次に、一般式（７）で表される化合物について説明する。

一般式（７）中、Ｒ₇₁およびＲ₇₂は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、または、これらを組み合わせた基を表す。なかでも、Ｒ₇₁は水素原子、アルキル基またはアリール基であることが好ましい。

（一般式（８）で表される化合物）
次に、一般式（８）で表される化合物について説明する。
Ｚ１−Ｓ−Ｓ−Ｚ２ 一般式（８）

一般式（８）中、Ｚ１およびＺ２は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。なかでも、アリール基、ヘテロアリール基であることが好ましい。なお、Ｚ１およびＺ２には、置換基が含まれていてもよい。置換基の具体例および好適な態様は、前述のＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基と同じである。

一般式（８）で表される化合物は、下記一般式（２３ａ）〜（２３ｄ）からなる群より選択される化合物であることが好ましい。

一般式（２３ａ）中、Ｒ₂₃₁は、置換基を表す。置換基の具体例および好適な態様は、前述のＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基と同じである。Ｒ₂₃₁で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。複数あるＲ₂₃₁は、同一であっても異なっていてもよい。

以下に、一般式（２３ａ）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。

一般式（２３ｂ）中、Ｒ₂₃₂およびＲ₂₃₃は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基の具体例および好適な態様は、前述のＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基と同じである。Ｒ₂₃₂およびＲ₂₃₃は、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ₂₃₄は、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ₂およびＲ₃に例示した基を好ましく挙げることができる。複数あるＲ₂₃₂、Ｒ₂₃₃およびＲ₂₃₄は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。

一般式（２３ｃ）中、Ｒ₂₃₅は、水素原子または置換基を表す。置換基の具体例および好適な態様は、前述のＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基と同じである。Ｒ₂₃₆は、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ₂およびＲ₃に例示した基を好ましく挙げることができる。複数あるＲ₂₃₅およびＲ₂₃₆は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。

一般式（２３ｄ）中、Ｒ₂₃₇は、窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ₂およびＲ₃に例示した基を好ましく挙げることができる。複数あるＲ₂₃₇は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。

（一般式（２５）で表される基）
次に、一般式（２５）で表される基について説明する。

一般式（２５）中、Ｒ₂₅₁、Ｒ₂₅₂、Ｒ₂₅₃、およびＲ₂₅₄は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基の例としては、前述のＲ₂およびＲ₃で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。なかでも移動度への影響が少なく、移動度がより優れる点で、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基が好ましい。特にＲ₂₅₂またはＲ₂₅₃のいずれかまたは双方がアルキル基またはアルコキシ基であることが好ましい。なお、アルキル基としてはメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ｔ−アミル基等が好ましく、アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基等が特に好ましい。Ｒ₂₅₂またはＲ₂₅₃のいずれかまたは双方が炭素数２〜５のアルキル基であることがさらに好ましく、エチル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｔ−アミル基であることがさらに好ましく、ｔ−ブチル基であることがもっとも好ましい。
Ｒ₂₅₁およびＲ₂₅₄は、水素原子であることが好ましい。
＊は、結合位置を示す。

上述した一般式（１）〜（８）で表される化合物のうち、取り去られる水素原子は特に制限されないが、マイグレーション抑制能がより優れる点で、一般式（１）〜（４）で表される化合物においてはＲ₁〜Ｒ₁₂で表される基が有する水素原子のいずれか、一般式（５）で表される化合物においてはＺで表される基が有する水素原子のいずれか、一般式（６）で表される化合物においてはＲ₆₁またはＲ₆₂で表される基が有する水素原子のいずれか、一般式（７）で表される化合物においてはＲ₇₁またはＲ₇₂で表される基が有する水素原子のいずれか、一般式（８）においてはＺ１またはＺ２で表される基が有する水素原子のいずれかであることが好ましい。

高分子化合物（Ｂ）の分子量は特に制限されないが、Ｍｗは５，０００以上が好ましく、５０，０００〜１，０００，０００であることがより好ましく、Ｍｎは３０，０００〜５００，０００であることが好ましい。ここで、Ｍｗは重量平均分子量を、Ｍｎは数量平均分子量を意味する。また、分子量の値はＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）法で測定されたポリスチレン換算値である。重量平均分子量および数平均分子量のＧＰＣ法による測定は、ポリマーをテトラヒドロフランに溶解させ、東ソー（株）製高速ＧＰＣ（ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ）を用い、カラムとして、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＺ４０００（ＴＯＳＯＨ製、４．６ｍｍＩ．Ｄ．×１５ｃｍ）を用い、溶離液としてＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いて行ったものである。

（高分子化合物（Ｂ）の合成方法）
以下、本発明の側鎖にマイグレーション防止部位を有する特定の基（一般式（Ｂ）中のＢ）を有する高分子化合物（Ｂ）の合成方法について説明する。
合成方法としては、例えば、下記ｉ）およびｉｉ）が挙げられる。

ｉ）下記一般式（Ｂ１）で表される側鎖にマイグレーション防止部位を有する特定の基（一般式（Ｂ１）中のＢ）を有するモノマーを重合する方法

一般式（Ｂ１）中、Ｒ_B、Ｌ_BおよびＢの定義、具体例および好適な態様は、それぞれ上述した一般式（Ｂ）中のＲ_B、Ｌ_BおよびＢと同じである。

ｉｉ）反応性基を有する高分子化合物に、該高分子化合物中の反応性基と反応しうる基とマイグレーション防止部位を有する特定の基（一般式（Ｂ）中のＢ）とを有する化合物を反応させ、マイグレーション防止部位を有する特定の基を導入する方法

これらの中でも、好ましいのは、合成適性の観点から、ｉ）の方法である。
以上のように、マイグレーション防止部位を有する特定の基は、マイグレーション防止部位を有する特定の基がペンダントされたモノマーを重合することで導入してもよいし、予め合成された反応性基を有するポリマーの一部に付加・置換させることで導入してもよい。

なお、ｉ）の方法において、一般式（Ｂ１）以外のモノマーを共重合成分として含んでいてもよい。本発明の効果を損なわないものであれば、いかなるモノマーも使用することができる。
使用されうるモノマーとしては、具体的には、メチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレートなどの無置換（メタ）アクリル酸エステル類、２，２，２−トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、３，３，３−トリフルオロプロピル（メタ）アクリレート、２−（パーフルオロヘキシル）エチルアクリレート、２−クロロエチル（メタ）アクリレートなどのハロゲン置換（メタ）アクリル酸エステル類、ブチル（メタ）アクリルアミド、イソプロピル（メタ）アクリルアミド、オクチル（メタ）アクリルアミド、２−エチルヘキシルアクリルアミド、ジメチル（メタ）アクリルアミドなどの（メタ）アクリルアミド類、スチレン、α―メチルスチレンなどのスチレン類、Ｎ−ビニルカルバゾール、酢酸ビニル、Ｎ−ビニルアセトアミド、Ｎ−ビニルカプロラクタムなどのビニル化合物類や、その他にジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、２−エチルチオ−エチル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートなどが使用できる。また、上記記載のモノマーを用いて得られたマクロモノマーも使用できる。
なかでも移動度への影響が少なく、移動度がより優れる点から、下記一般式（Ｃ１）で表されるモノマーを好適に使用できる。

一般式（Ｃ１）中、Ｒ_ｃの定義、具体例および好適な態様は上述した一般式（Ｂ）中のＲ_Ｂと同じである。Ｌｃは、単結合、−ＣＯ_２−、−ＣＯＮＲ_２６１−、−ＮＲ_２６１−、−Ｏ−を表す。Ｒ_２６１は水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表す。Ｃはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基を表す。アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基の好ましい例としては、前述の一般式（１）のＲ_２およびＲ_３の例を挙げることができる。

上記ｉｉ）の合成方法において用いられる反応性基を有する高分子化合物は、マイグレーション防止部位を有する特定の基を導入するための反応性基を有するモノマーをラジカル重合することにより合成される。マイグレーション防止部位を有する特定の基を導入するための反応性基を有するモノマーとしては、例えば、反応性基として、カルボキシル基、ヒドロキシル基、エポキシ基、又はイソシアネート基を有するモノマーが挙げられる。
カルボキシル基含有のモノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、安息香酸ビニル、東亞合成製のアロニクスＭ−５３００、Ｍ−５４００、Ｍ−５６００、三菱レーヨン製のアクリルエステルＰＡ、ＨＨ、共栄社化学（株）製のライトアクリレートＨＯＡ−ＨＨ、中村化学製のＮＫエステルＳＡ、Ａ−ＳＡなどが挙げられる。
ヒドロキシル基含有のモノマーとしては、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、１−（メタ）アクリロイル−３−ヒドロキシ−アダマンタン、ヒドロキシメチル（メタ）アクリルアミド、２−（ヒドロキシメチル）−（メタ）アクリレート、２−（ヒドロキシメチル）−（メタ）アクリレートのメチルエステル、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３，５−ジヒドロキシペンチル（メタ）アクリレート、１−ヒドロキシメチル−４−（メタ）アクリロイルメチル−シクロヘキサン、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、１−メチル−２−アクリロイロキシプロピルフタル酸、２−アクリロイロキシエチル−２−ヒドロキシエチルフタル酸、１−メチル−２−アクリロイロキシエチル−２−ヒドロキシプロピルフタル酸、２−アクリロイロキシエチル−２−ヒドロキシ−３−クロロプロピルフタル酸、東亞合成（株）製のアロニクスＭ−５５４、Ｍ−１５４、Ｍ−５５５、Ｍ−１５５、Ｍ−１５８、日本油脂（株）製のブレンマーＰＥ−２００、ＰＥ−３５０、ＰＰ−５００、ＰＰ−８００、ＰＰ−１０００、７０ＰＥＰ−３５０Ｂ、５５ＰＥＴ８００、以下の構造を有するラクトン変性アクリレートが使用できる。
ＣＨ₂＝ＣＲＣＯＯＣＨ₂ＣＨ₂［ＯＣ（＝Ｏ）Ｃ₅Ｈ₁₀］_nＯＨ
（Ｒ＝Ｈ又はＭｅ、ｎ＝１〜５）
また、エポキシ基を有するモノマーとしては、グリシジル（メタ）アクリレート、ダイセル化学製のサイクロマーＡ、Ｍなどが使用できる。
イソシアネート基を有するモノマーとしては、昭和電工製のカレンズＡＯＩ、ＭＯＩが使用できる。
なお、上記ｉｉ）の合成方法において用いられる反応性基を有する高分子化合物は、上述した「マイグレーション防止部位を有する特定の基を導入するための反応性基を有するモノマー」以外のモノマーを共重合成分として含んでいてもよい。本発明の効果を損なわないものであれば、いかなるモノマーも使用することができる。
使用されうるモノマーの具体例および好適な態様は、上述した「ｉ）の方法における一般式（Ｂ１）以外の共重合成分として含んでいてもよいモノマー」と同じである。

上記ｉｉ）の合成方法において、高分子化合物の反応性基と、高分子化合物中の反応性基と反応しうる基との組み合わせとしては、例えば、以下の組み合わせが挙げられる。
即ち、（高分子化合物の反応性基、高分子化合物中の反応性基と反応しうる基）＝（カルボキシル基、カルボキシル基）、（カルボキシル基、エポキシ基）、（カルボキシル基、イソシアネート基）、（カルボキシル基、ハロゲン化ベンジル基）、（水酸基、カルボキシル基）、（水酸基、エポキシ基）、（水酸基、イソシアネート基）、（水酸基、ハロゲン化ベンジル）（イソシアネート基、水酸基）、（イソシアネート基、カルボキシル基）、（エポキシ基、カルボキシル基）等を挙げることができる。
反応性基を有する高分子化合物を合成するためのモノマーとしては、例えば、アクリル酸、グリシジルアクリレート、サイクロマーＡ（ダイセル化学製）、カレンズＡＯＩ（昭和電工製）、メタクリル酸、グリシジルメタクリレート、サイクロマーＭ（ダイセル化学製）、カレンズＭＯＩ（昭和電工製）を使用することができる。

本発明における高分子化合物（Ｂ）の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。

本発明の組成物において、高分子化合物（Ｂ）の含有量は特に制限されないが、有機半導体材料（Ａ）に対して、０．１〜２０質量％であることが好ましく、１〜１０質量％であることがより好ましい。

本発明の組成物は、形成される有機半導体層の均質性および結晶性の観点から、溶媒を含有するのが好ましい。
溶媒としては特に制限されないが、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン（テトラリン）、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、アニソールなどの芳香族化合物などが好適に例示される。

本発明の組成物は、上述のとおり、優れた特性を示すため、有機薄膜トランジスタ、有機ＥＬおよび有機薄膜太陽電池の有機半導体層を形成する組成物として好適であり、なかでも、有機薄膜トランジスタの有機半導体層を形成する組成物として特に好適である。

［有機薄膜トランジスタ］
本発明の有機薄膜トランジスタ（有機半導体トランジスタ）は、上述した本発明の組成物を有機半導体層に用いた有機薄膜トランジスタである。なかでも、ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタであることが好ましい。

本発明の有機薄膜トランジスタの一態様について図面を参照して説明する。
図１は、本発明の有機薄膜トランジスタの一態様の断面模式図である。
図１において、有機薄膜トランジスタ１００は、基板１０と、ゲート電極２０と、ゲート絶縁膜３０と、ソース電極４０と、ドレイン電極４２と、有機半導体層５０と、封止層６０を備える。ここで、有機半導体層５０は、上述した本発明の組成物を用いて形成されたものである。有機薄膜トランジスタ１００は、ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタである。

以下、基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層および封止層並びにそれぞれの形成方法について詳述する。

＜基板＞
基板は、後述するゲート電極、ソース電極、ドレイン電極などを支持する役割を果たす。
基板の種類は特に制限されず、例えば、プラスチック基板、ガラス基板、セラミック基板などが挙げられる。なかでも、各デバイスへの適用性およびコストの観点から、ガラス基板またはプラスチック基板であることが好ましい。
プラスチック基板の材料としては、熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂（例えばＰＥＴ、ＰＥＮ）など）または熱可塑性樹脂（例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォンなど）が挙げられる。
セラミック基板の材料としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、ジルコニア、シリコン、窒化シリコン、シリコンカーバイドなどが挙げられる。
ガラス基板の材料としては、例えば、ソーダガラス、カリガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、アルミケイ酸ガラス、鉛ガラスなどが挙げられる。

＜ゲート電極＞
ゲート電極の材料としては、例えば、金（Ａｕ）、銀、アルミニウム、銅、クロム、ニッケル、コバルト、チタン、白金、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ナトリウム等の金属；ＩｎＯ₂、ＳｎＯ₂、ＩＴＯ等の導電性の酸化物；ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン等の導電性高分子；シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素等の半導体；フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト等の炭素材料などが挙げられる。なかでも、金属であることが好ましく、銀、アルミニウムであることがより好ましい。

ゲート電極の厚みは特に制限されないが、２０〜２００ｎｍであることが好ましい。

ゲート電極を形成する方法は特に制限されないが、例えば、基板上に、電極材料を真空蒸着またはスパッタする方法、電極形成用組成物を塗布または印刷する方法などが挙げられる。また、電極をパターニングする場合、パターニングする方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法；インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷等の印刷法；マスク蒸着法などが挙げられる。

＜ゲート絶縁膜＞
ゲート絶縁膜の材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン、ポリスルホン、ポリベンゾキサゾール、ポリシルセスキオキサン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等のポリマー；二酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン等の酸化物；窒化珪素等の窒化物などが挙げられる。これらの材料のうち、有機半導体層との相性から、ポリマーであることが好ましい。
ゲート絶縁膜の材料としてポリマーを用いる場合、架橋剤（例えば、メラミン）を併用するのが好ましい。架橋剤を併用することで、ポリマーが架橋されて、形成されるゲート絶縁膜の耐久性が向上する。

ゲート絶縁膜の膜厚は特に制限されないが、１００〜１０００ｎｍであることが好ましい。

ゲート絶縁膜を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極が形成された基板上に、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法、ゲート絶縁膜材料を蒸着またはスパッタする方法などが挙げられる。ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法は特に制限されず、公知の方法（バーコート法、スピンコート法、ナイフコート法、ドクターブレード法）を使用することができる。
ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布してゲート絶縁膜を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。

＜ソース電極、ドレイン電極＞
ソース電極およびドレイン電極の材料の具体例は、上述したゲート電極と同じである。なかでも、金属であることが好ましく、金であることがより好ましい。
ソース電極およびドレイン電極を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極とゲート絶縁膜とが形成された基板上に、電極材料を真空蒸着またはスパッタする方法、電極形成用組成物を塗布または印刷する方法などが挙げられる。パターニング方法の具体例は、上述したゲート電極と同じである。
ソース電極およびドレイン電極のチャネル長は特に制限されないが、５〜３０μｍであることが好ましい。
ソース電極およびドレイン電極のチャネル幅は特に制限されないが、１０〜２００μｍであることが好ましい。

＜有機半導体層＞
有機半導体層は、上述した本発明の有機半導体組成物を用いて形成した層である。
有機半導体層の厚みは特に制限されないが、１０〜２００ｎｍであることが好ましい。

有機半導体層を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極とゲート絶縁膜とソース電極とドレイン電極とが形成された基板上に、有機半導体用組成物を塗布する方法などが挙げられる。有機半導体組成物を塗布する方法の具体例は、ゲート絶縁膜形成組成物を塗布する方法と同じである。有機半導体組成物を塗布して有機半導体層を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。

＜封止層＞
本発明の有機薄膜トランジスタは、耐久性の観点から、最外層に封止層を備えるのが好ましい。封止層には公知の封止剤を用いることができる。
封止層の厚みは特に制限されないが、０．２〜１０μｍであることが好ましい。

封止層を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極とゲート絶縁膜とソース電極とドレイン電極と有機半導体層とが形成された基板上に、封止層形成用組成物を塗布する方法などが挙げられる。封止層形成用組成物を塗布する方法の具体例は、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法と同じである。封止層形成用組成物を塗布して有機半導体層を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。

また、図２は、本発明の有機薄膜トランジスタの別の一態様の断面模式図である。
図２において、有機薄膜トランジスタ２００は、基板１０と、ゲート電極２０と、ゲート絶縁膜３０と、ソース電極４０と、ドレイン電極４２と、有機半導体層５０と、封止層６０を備える。ここで、有機半導体層５０は、上述した本発明の組成物を用いて形成されたものである。有機薄膜トランジスタ２００は、トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタである。
基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層および封止層については上述のとおりである。

以下に実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

（合成例１：マイグレーション抑制剤ｂ−１）
まず、下記スキームに従って、化合物Ｍ−１を合成した。

反応容器に、３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸（４．０ｇ、１４．４ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン（２０ｍｌ）、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（２．８７ｇ、１４．４ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（１０ｍｌ）、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（２．７５ｇ、１４．４ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジン（０．１０ｇ、０．７２ｍｍｏｌ）をこの順に加えた。
反応溶液を室温で３時間攪拌した後、反応溶液に１Ｎ塩酸（５０ｍｌ）を加え、酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、減圧濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル＝８／１）にて精製し、化合物Ｍ−１を３．２ｇ得た（収率５８％）。

次に、１００ｍＬの三口フラスコに、化合物Ｍ−１（５．８６ｇ）、トルエン４．９ｇを入れ、窒素気流下、８０℃まで加熱した。そこへ、アゾビスイソブチロニトリル（和光純薬工業（株）製）４９．３ｍｇ、トルエン１．０ｇを加え、１６時間攪拌した。反応終了後、室温まで冷却し、トルエン１８．０ｇで希釈した。ヘキサンで再沈を行った後、分取クロマトグラフィーで分子量分画分取を行い、下記構造のマイグレーション抑制剤ｂ−１（Ｍｗ＝５１０，０００、Ｍｎ＝３２０，０００）を１ｇ得た。ここで、Ｍｗは重量平均分子量を、Ｍｎは数量平均分子量を意味する。また、分子量の値はＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）法で測定されたポリスチレン換算値である。重量平均分子量および数平均分子量のＧＰＣ法による測定は、ポリマーをテトラヒドロフランに溶解させ、東ソー（株）製高速ＧＰＣ（ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ）を用い、カラムとして、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＺ４０００（ＴＯＳＯＨ製、４．６ｍｍＩ．Ｄ．×１５ｃｍ）を用い、溶離液としてＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いて行った。
なお、マイグレーション抑制剤ｂ−１は一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｂ）に該当する。

（合成例２：マイグレーション抑制剤ｂ−２）
１００ｍＬの三口フラスコに、上記化合物Ｍ−１（３．５１ｇ）、メチルメタクリレート３．６０ｇ、トルエン６．１ｇを入れ、窒素気流下、８０℃まで加熱した。そこへ、アゾビスイソブチロニトリル（和光純薬工業（株）製）１４８ｍｇ、トルエン１．０ｇを加え、１６時間攪拌した。反応終了後、室温まで冷却し、トルエン１８．０ｇで希釈した。ヘキサンで再沈を行った後、分取クロマトグラフィーで分子量分画分取を行い、下記構造のマイグレーション抑制剤ｂ−２（Ｍｗ＝４７０，０００、Ｍｎ＝２９０，０００）を４．８ｇ得た。Ｍｗ（重量平均分子量）およびＭｎ（数量平均分子量）の測定方法は上述のとおりである。
なお、マイグレーション抑制剤ｂ−２は一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｂ）に該当する。

（合成例３：マイグレーション抑制剤ｂ−３）
まず、下記スキームに従って、化合物Ｍ−２を合成した。

反応容器に、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸 ３．０ｇ（１８．４ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン ５４ｍｌ、ジメチルホルムアミド ６ｍｌ（２．３９ｇ、１８．４ｍｍｏｌ），１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩 ３．５４ｇ（１８．４ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジン ０．２２ｇ（０．１８４ｍｍｏｌ）をこの順に加えた。７０℃で２４時間攪拌した後、水５０ｍｌを加え、酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、溶液を減圧濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル＝２／１）にて精製し、化合物Ｍ−２を３．０ｇ得た（収率５９％）。

１００ｍＬの三口フラスコに、化合物Ｍ−２（２．４８ｇ）、メタクリル酸メチル３．６０ｇ、ＭＦＧ（和光純薬工業（株）製）５．１ｇを入れ、窒素気流下、８０℃まで加熱した。そこへ、アゾビスイソブチロニトリル（和光純薬工業（株）製）１４７ｍｇ、ＭＦＧ（メチルプロピレングリコール）（和光純薬工業（株）製）１．０ｇを加え、１６時間攪拌した。反応終了後、室温まで冷却し、ＭＦＧ（和光純薬工業（株）製）１８．０ｇで希釈した。ヘキサンで再沈を行った後、分取クロマトグラフィーで分子量分画分取を行い、下記構造のマイグレーション抑制剤ｂ−３（Ｍｗ＝４００，０００、Ｍｎ＝２７０，０００）を４．８ｇ得た。Ｍｗ（重量平均分子量）およびＭｎ（数量平均分子量）の測定方法は上述のとおりである。
なお、マイグレーション抑制剤ｂ−３は一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｂ）に該当する。

（合成例４：マイグレーション抑制剤ｂ−５）
２００ｍｌフラスコ中にて、ｔ−ブトキシスチレン１０．５８ｇ（０．０６モル）、メタクリル酸メチル６．４９ｇ（０．０６モル）をテトラヒドロフラン４０ｍｌに溶解し、窒素気流及び撹拌下、重合開始剤Ｖ−６０１（和光純薬工業社製）０．２５ｇ添加し、７０℃にて３時間反応を行った。反応液を放冷後、ヘキサンを攪拌しながら投入し、樹脂を析出させた。得られた樹脂をヘキサンにて洗浄、減圧下で乾燥を行った。続いて２００ｍｌフラスコに得られた樹脂を１５ｇ秤量し、プロピレングリコールモノメチルエーテル２００ｇ、濃塩酸２０ｍｌを加え、８０℃にて３時間反応を行った。反応液を放冷後、イオン交換水を撹拌しながら投入することにより、白色樹脂を析出させた。得られた樹脂をイオン交換水にて水洗、減圧下で乾燥し、下記構造のマイグレーション抑制剤ｂ−５（Ｍｗ＝２５，０００、Ｍｎ＝１１，０００）を１０ｇ得た。Ｍｗ（重量平均分子量）およびＭｎ（数量平均分子量）の測定方法は上述のとおりである。
なお、マイグレーション抑制剤ｂ−５は一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｂ）に該当する。

（合成例５：マイグレーション抑制剤ｂ−６）
以下合成例４と同様の方法で合成し、下記構造のマイグレーション抑制剤ｂ−６（Ｍｗ＝２０，０００、Ｍｎ＝９，０００）を得た。Ｍｗ（重量平均分子量）およびＭｎ（数量平均分子量）の測定方法は上述のとおりである。
なお、マイグレーション抑制剤ｂ−６は一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｂ）に該当する。

（合成例６：マイグレーション抑制剤ｂ−７）
以下合成例４と同様の方法で合成し、下記構造のマイグレーション抑制剤ｂ−７（Ｍｗ＝２３，０００、Ｍｎ＝１０，０００）を得た。ここで、Ｍｅはメチル基を表す。Ｍｗ（重量平均分子量）およびＭｎ（数量平均分子量）の測定方法は上述のとおりである。
なお、マイグレーション抑制剤ｂ−７は一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｂ）に該当する。

（合成例７：マイグレーション抑制剤ｂ−８）
以下合成例４と同様の方法で合成し、下記構造のマイグレーション抑制剤ｂ−８（Ｍｗ＝３０，０００、Ｍｎ＝１２，０００）を得た。Ｍｗ（重量平均分子量）およびＭｎ（数量平均分子量）の測定方法は上述のとおりである。
なお、マイグレーション抑制剤ｂ−８は一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｂ）に該当する。

＜実施例１＞
（有機半導体組成物の調製）
ＴＩＰＳペンタセン（６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン）と上記マイグレーション抑制剤ｂ−１とをトルエンに溶解させて（ＴＩＰＳペンタセン／マイグレーション抑制剤ｂ−１＝１００／５（ｗ／ｗ）、溶液濃度：１質量％）、有機半導体組成物を調製した。得られた有機半導体組成物を組成物１とする。

（有機半導体トランジスタの作製（素子作製方法１））
ガラス基板（イーグルＸＧ：コーニング社製）上にゲート電極となるＡｌを蒸着した（厚み：５０ｎｍ）。その上にゲート絶縁膜用組成物（ポリビニルフェノール／メラミン＝１／１（ｗ／ｗ）のＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）溶液（溶液濃度：２質量％））をスピンコートし、１５０℃で６０分間ベークを行い、膜厚４００ｎｍのゲート絶縁膜を形成した。その上にＡｕをマスク蒸着し、チャネル長２０μｍ、チャネル幅２００μｍのソース電極およびドレイン電極を形成した。その上に上記組成物１をスピンコートし、１４０℃で１５分間ベークを行い、厚み１００ｎｍの有機半導体層を形成した。その上にＣｙｔｏｐ ＣＴＬ−１０７ＭＫ（ＡＧＣ社製）（封止層形成用組成物）をスピンコートし、１４０℃で３０分間ベークを行い、厚み２μｍの封止層（最上層）を形成して、有機半導体トランジスタ（ボトムコンタクト型）を得た。本作製方法を素子作製方法１とする。

＜塗布性の評価＞
実施例１の有機半導体トランジスタの作製と同様の手順に従って、ガラス基板上にゲート電極を蒸着し、さらに、ゲート絶縁膜を形成した。
上記ゲート絶縁膜上に、上記組成物１を１００μＬ滴下し、デジタルマイクロースコープＶＨＸ−９００（キーエンス社製）を用いて１０秒後の液滴の半径を測定した。測定した液滴の半径をＲ１とする。
また、マイグレーション抑制剤を溶解させない以外は実施例１の有機半導体組成物の調製と同様の手順に従って、マイグレーション抑制剤を含有しない比較用組成物を調製した。得られた比較用組成物を、上記形成したゲート絶縁膜上に１００μＬ滴下し、デジタルマイクロースコープＶＨＸ−９００（キーエンス社製）を用いて１０秒後の液滴の半径を測定した。測定した液滴の半径をＲ２とする。
測定したＲ１とＲ２からＲ１／Ｒ２を求め、以下の基準に従って評価した。結果を表１に示す。塗布性の観点から、Ａ〜Ｃであることが好ましく、ＡまたはＢであることがより好ましく、Ａであることがさらに好ましい。
・Ａ：Ｒ１／Ｒ２≧２
・Ｂ：２＞Ｒ１／Ｒ２≧１．５
・Ｃ：１．５＞Ｒ１／Ｒ２≧１
・Ｄ：１＞Ｒ１／Ｒ２

＜移動度の評価＞
得られた有機半導体トランジスタの各電極と、半導体パラメータ・アナライザ（４１５５Ｃ、Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製）に接続されたマニュアルプローバの各端子とを接続して、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の評価を行なった。具体的には、ドレイン電流−ゲート電圧（Ｉｄ‐Ｖｇ）特性を測定することにより電界効果移動度（［ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃ］）を算出した。算出した電界効果移動度をμ１とする。
また、上述した塗布性の評価と同様の手順に従って、マイグレーション抑制剤を含有しない比較用組成物を調製した。次に、組成物１の代わりに上記比較用組成物を用いた以外は、実施例１の有機半導体トランジスタの作製と同様の手順に従って、有機半導体トランジスタを作製した。得られた有機半導体トランジスタについて、上記μ１と同様の手順に従って、電界効果移動度を算出した。算出した電界効果移動度をμ２とする。
算出したμ１とμ２からμ１／μ２を求め、以下の基準に従って評価した。結果を表１に示す。実用上、移動度の観点から、Ａ〜Ｃであることが好ましく、ＡまたはＢであることがより好ましく、Ａであることがさらに好ましい。
・Ａ：μ１／μ２≧０．８
・Ｂ：０．８＞μ１／μ２≧０．５
・Ｃ：０．５＞μ１／μ２≧０．１
・Ｄ：０．１＞μ１／μ２

＜絶縁信頼性の評価＞
得られた有機半導体トランジスタについて、ＥＨＳ−２２１ＭＤ（エスペック社製）を用いて、以下の条件により寿命試験を行い、ソース／ドレイン電極間の抵抗値が１×１０⁵Ωになるまでの時間を測定した。測定した時間をＴ１とする。
・温度：６０℃
・湿度：ＲＨ６０％
・圧力：１．０ａｔｍ
・ドレイン電圧：−４０Ｖ
・ソース／ドレイン電極間電圧：２０Ｖ
また、上述した移動度の評価と同様の手順に従って、マイグレーション抑制剤を含有しない比較用組成物を使用した有機半導体トランジスタを作製した。得られた有機半導体トランジスタについて、上記Ｔ１と同様の手順に従って、ソース／ドレイン電極間の抵抗値が１×１０⁵Ωになるまでの時間を測定した。測定した時間をＴ２とする。
算出したＴ１とＴ２からＴ１／Ｔ２を求め、以下の基準に従って評価した。結果を表１に示す。絶縁信頼性の観点から、Ａ〜Ｃであることが好ましく、ＡまたはＢであることがより好ましく、Ａであることがさらに好ましい。
・Ａ：Ｔ１／Ｔ２≧５
・Ｂ：５＞Ｔ１／Ｔ２≧２
・Ｃ：２＞Ｔ１／Ｔ２＞１
・Ｄ：０．１≧Ｔ１／Ｔ２

＜実施例２＞
ＴＩＰＳ−ペンタセンの代わりに、ｄｉＦ−ＴＥＳ−ＡＤＴ（２，８−ジフルオロ−５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラジチオフェン、シグマアルドリッチ社製）を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って、有機半導体組成物を調製した。得られた有機半導体組成物を組成物２とする。

（有機半導体トランジスタの作製（素子作製方法２））
ガラス基板（イーグルＸＧ：コーニング製）上にゲート電極となるＡｌを蒸着した（膜厚５０ｎｍ）。その上にゲート絶縁膜溶液（ポリビニルフェノール／メラミン＝１／１ ｗ／ｗ混合物）のＰＧＭＥＡ溶液（溶液濃度：２質量％））をスピンコートし、１５０℃で６０ｍｉｎ．ベークし、膜厚４００ｎｍの絶縁膜を形成した。絶縁膜上に、調製した組成物２をスピンコートし、１４０℃で１５分間ベークを行い、膜厚１００ｎｍの有機半導体層を形成した。次に、有機半導体層上にＡｇをマスク蒸着し、チャネル長２０μｍ、チャネル幅２００μｍのソース電極およびドレイン電極を形成した。その上にＣｙｔｏｐ ＣＴＬ−１０７ＭＫ（ＡＧＣ社製）をスピンコートし、１４０℃で３０分間ベークし、膜厚２μｍの封止層を形成して、有機半導体トランジスタ（トップコンタクト型）を作製した。本作製方法を素子作製方法２とする。

得られた有機半導体トランジスタについて、実施例１と同様の手順に従い、各種評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

＜実施例３〜１０、比較例１、３および４＞
ＴＩＰＳ−ペンタセンの代わりに、下記表１に示す有機半導体材料を使用し、マイグレーション抑止剤ｂ−１の代わりに、下記表１に示すマイグレーション抑止剤を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って、有機半導体組成物（組成物３〜１０、Ｘ１、Ｘ３およびＸ４）を調製した。
また、組成物１の代わりに下記表１に示す有機半導体組成物を使用した以外、実施例１と同様の手順に従って、有機半導体トランジスタを作製し、各種評価を行った。
結果を表１にまとめて示す。

＜比較例２＞
ＴＩＰＳ−ペンタセンの代わりに、下記表１に示す有機半導体材料を使用し、マイグレーション抑止剤ｂ−１の代わりに、下記表１に示すマイグレーション抑止剤を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って、有機半導体組成物（組成物Ｘ２）を調製した。
また、組成物２の代わりに組成物Ｘ２を使用した以外、実施例２と同様の手順に従って、有機半導体トランジスタを作製した。また、有機半導体トランジスタについて、実施例１と同様の手順に従い、各種評価を行った。
結果を表１にまとめて示す。

上記表１に示されている各成分の詳細は以下のとおりである。
・ａ１：ＴＩＰＳペンタセン（６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン、シグマアルドリッチ社製）
・ａ２：ｄｉＦ−ＴＥＳ−ＡＤＴ（２，８−ジフルオロ−５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラジチオフェン、シグマアルドリッチ社製）
・ａ３：ＰＢＴＴＴ−Ｃ１２（ポリ［２，５−ビス（３−ドデシルチオフェン−２−イル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン］、シグマアルドリッチ社製）
・ａ４：Ｐ３ＨＴ（ポリ（３−ヘキシルチオフェン））（シグマアルドリッチ社製）
・ｂ−１：上述のとおり合成したマイグレーション抑止剤ｂ−１
・ｂ−２：上述のとおり合成したマイグレーション抑止剤ｂ−２
・ｂ−３：上述のとおり合成したマイグレーション抑止剤ｂ−３
・ｂ−４：マルカリンカーＭ（ポリヒドロキシスチレン、重量平均分子量１８，０００、丸善化学社製）
・ｂ−５：上述のとおり合成したマイグレーション抑止剤ｂ−５
・ｂ−６：上述のとおり合成したマイグレーション抑止剤ｂ−６
・ｂ−７：上述のとおり合成したマイグレーション抑止剤ｂ−７
・ｂ−８：上述のとおり合成したマイグレーション抑止剤ｂ−８
・ｘ−１：ＩＲＧＡＮＯＸ−１０７６（ＢＡＳＦ社製）
・ｘ−２：ポリメタクリル酸メチル（重量平均分子量：１００，０００、和光純薬社製）

表１から分かるように、上記高分子化合物（Ｂ）を含有する本願実施例の組成物は、有機薄膜トランジスタの移動度を大きく低下させることなく、有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性を向上させた。
実施例１および３〜１０の対比から、有機半導体材料としてペンタセン類またはアントラジチオフェン類を含有する実施例１、３および５〜１０の組成物は、有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性をより向上させた。なかでも、一般式（Ｂ）中のＬ_Ｂが２価の有機基である実施例１、３、５および１０の組成物は、有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性をさらに向上させた。
また、実施例６と８との対比から、一般式（２５）中のＲ_２５２またはＲ_２５３がアルキル基である実施例８の組成物を使用した有機薄膜トランジスタは、より高い移動度を示した。
また、実施例１と１０との対比から、一般式（２５）中のＲ_２５２またはＲ_２５３が炭素数２以上のアルキル基である実施例１の組成物を使用した有機薄膜トランジスタは、より高い移動度を示した。
一方、上記高分子化合物（Ｂ）の代わりに、ＩＲＧＡＮＯＸ−１０７６を含有する比較例１、２および４の組成物は、有機薄膜トランジスタの移動度を大きく低下させ、また、有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性の向上の度合いは小さかった。また、上記高分子化合物（Ｂ）の代わりにポリメタクリル酸メチルを含有する比較例３の組成物を有機薄膜トランジスタに使用した場合、絶縁信頼性の向上は見られなかった。

１０：基板
２０：ゲート電極
３０：ゲート絶縁膜
４０：ソース電極
４２：ドレイン電極
５０：有機半導体層
６０：封止層
１００、２００：有機薄膜トランジスタ

Claims (11)

1. 有機半導体材料（Ａ）と、下記一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｂ）とを含有する有機半導体組成物。
   （一般式（Ｂ）中、Ｒ_Bは、水素原子、または、炭素数１〜４の置換基を有してもよいアルキル基を表す。Ｌ_Bは、単結合または２価の有機基を表す。Ｂは、下記一般式（１）〜（８）で表される化合物から水素原子（ただし、水酸基の水素原子を除く）を１個取り去った１価の基、または、下記一般式（２５）で表される基を表す。）
   Ｐ−（ＣＲ₁＝Ｙ）_n−Ｑ 一般式（１）
   （一般式（１）中、ＰおよびＱは、それぞれ独立に、ＯＨ、ＮＲ₂Ｒ₃またはＣＨＲ₄Ｒ₅を表す。Ｒ₂およびＲ₃は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。Ｒ₄およびＲ₅は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｙは、ＣＲ₆または窒素原子を表す。Ｒ₁およびＲ₆は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
   Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、またはＲ₆で表される基は、そのうちの少なくとも二つの基が互いに結合して環を形成していてもよい。ｎは０〜５の整数を表す。ただし、ｎが０であるとき、ＰおよびＱの両方がＣＨＲ₄Ｒ₅であることはなく、ＰおよびＱの両方がＯＨであることもない。ｎが２以上の数を表すとき、（ＣＲ₁＝Ｙ）で表される複数の原子群は、同一であっても異なっていてもよい。）
   Ｒ₇−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ 一般式（２）
   （一般式（２）中、Ｒ₇は、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。なお、Ｒ₇で表される基中には、ヒドロキシル基、または、−ＣＯＯ−で表される基が含まれていてもよい。）
   （一般式（３）中、Ｒ₈、Ｒ₉およびＲ₁₀は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。）
   （一般式（４）中、Ｒ₁₁およびＲ₁₂は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。Ｒ₁₁およびＲ₁₂は、互いに結合して環を形成していてもよい。形成される環には、置換基が含まれていてもよい。）
   Ｚ−ＳＨ 一般式（５）
   （一般式（５）中、Ｚは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。なお、Ｚで表される基には、置換基が含まれていてもよい。）
   （一般式（６）中、Ｘ₆₁、Ｘ₆₂およびＸ₆₃は、それぞれ独立に、−ＮＨ−、−Ｎ＝、＝Ｎ−、−ＣＲ_x＝、＝ＣＲ_x−または−Ｓ−を表す。Ｒ_xは、水素原子、−ＮＨ₂または直鎖状もしくは分岐状の炭素数１〜１５のアルキル基を表す。ここで、アルキル基の中の１の炭素原子、または２以上の隣接しない炭素原子は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ₀、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＲ₀＝ＣＲ₀₀−、または−Ｃ≡Ｃ−に置換されていてもよい。また、アルキル基の中の１以上の水素原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子または−ＣＮに置換されていてもよい。Ｒ₀およびＲ₀₀は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよく、１以上のヘテロ原子を有してもよいカルビル基もしくはヒドロカルビル基を表す。Ｘ₆₁、Ｘ₆₂およびＸ₆₃のうち少なくとも１つは−ＣＲ_x＝または＝ＣＲ_x−ではない。
   Ｒ₆₁およびＲ₆₂は、それぞれ独立に、フッ素原子、塩素原子、−Ｓｐ−Ｐ、直鎖状もしくは分岐状の炭素数１〜１５のアルキル基、または、置換基を有してもよい、炭素数２〜３０の、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、ヘテロアリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニル基もしくはヘテロアリールオキシカルボニル基を表す。ここで、アルキル基の中の１の炭素原子、または２以上の隣接しない炭素原子は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ₀、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＲ₀＝ＣＲ₀₀−、または−Ｃ≡Ｃ−に置換されていてもよい。また、アルキル基の中の１以上の水素原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、−ＣＮに置換されていてもよい。Ｒ₀およびＲ₀₀は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよく、１以上のヘテロ原子を有してもよいカルビル基もしくはヒドロカルビル基を表す。Ｓｐは、単結合または２価の有機基を表す。Ｐは、重合性基または架橋性基を表す。Ｒ₆₁およびＲ₆₂は、互いに結合して、環原子数５〜７の、芳香環または芳香族複素環を形成してもよい。芳香環および芳香族複素環は、１〜６個の置換基を有してもよい。）
   （一般式（７）中、Ｒ₇₁およびＲ₇₂は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、または、これらを組み合わせた基を表す。）
   Ｚ１−Ｓ−Ｓ−Ｚ２ 一般式（８）
   （一般式（８）中、Ｚ１およびＺ２は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。なお、Ｚ１で表される基およびＺ２で表される基には、置換基が含まれていてもよい。）
   （一般式（２５）中、Ｒ₂₅₁、Ｒ₂₅₂、Ｒ₂₅₃、およびＲ₂₅₄は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。＊は、結合位置を示す。）
2. 前記一般式（６）で表される化合物が、下記一般式（２２）で表される化合物である、請求項１に記載の有機半導体組成物。
   （一般式（２２）中、Ｒ₂₂₁、Ｒ₂₂₂、Ｒ₂₂₃、およびＲ₂₂₄は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。）
3. 前記一般式（８）で表される化合物が、下記一般式（２３ａ）〜（２３ｄ）からなる群より選択される化合物である、請求項１または２に記載の有機半導体組成物。
   （一般式（２３ａ）中、Ｒ₂₃₁は、置換基を表す。複数あるＲ₂₃₁は、同一であっても異なっていてもよい。）
   （一般式（２３ｂ）中、Ｒ₂₃₂およびＲ₂₃₃は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ₂₃₂およびＲ₂₃₃は、互いに結合して環を形成していてもよい。Ｒ₂₃₄は、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。複数あるＲ₂₃₂、Ｒ₂₃₃およびＲ₂₃₄は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。）
   （一般式（２３ｃ）中、Ｒ₂₃₅は、水素原子または置換基を表す。Ｒ₂₃₆は、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。複数あるＲ₂₃₅およびＲ₂₃₆は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。）
   （一般式（２３ｄ）中、Ｒ₂₃₇は、窒素原子に置換可能な基を表す。複数あるＲ₂₃₇は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。）
4. 前記一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（１−６）〜（１−２１）で表される化合物からなる群より選択される化合物である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機半導体用組成物。
   （一般式（１−６）中、Ｖ₆は置換基を表す。ａは、１〜４の整数を表す。
   一般式（１−７）中、Ｖ_７は置換基を表す。ａは、１〜４の整数を表す。
   一般式（１−８）中、Ｖ₈は置換基を表す。Ｒ₈₁およびＲ₈₂は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
   一般式（１−９）中、Ｖ₉は置換基を表す。Ｒ₉₁およびＲ₉₂は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
   一般式（１−１０）中、Ｖ₁₀は置換基を表す。Ｒ₁₀₁およびＲ₁₀₂は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
   一般式（１−１１）中、Ｖ₁₁は置換基を表す。Ｒ₁₁₁およびＲ₁₁₂は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
   一般式（１−１２）中、Ｖ₁₂は置換基を表す。Ｒ₁₂₁、Ｒ₁₂₂、Ｒ₁₂₃およびＲ₁₂₄は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
   一般式（１−１３）中、Ｖ₁₃は置換基を表す。Ｒ₁₃₁、Ｒ₁₃₂、Ｒ₁₃₃およびＲ₁₃₄は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
   一般式（１−１４）中、Ｖ₁₄は置換基を表す。ｃは、１〜２の整数を表す。
   一般式（１−１５）中、Ｖ₁₅は置換基を表す。Ｒ₁₅₁およびＲ₁₅₂は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
   一般式（１−１６）中、Ｖ₁₆は置換基を表す。Ｒ₁₆₁およびＲ₁₆₂は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
   一般式（１−１７）中、Ｖ₁₇は置換基を表す。Ｒ₁₇₁、Ｒ₁₇₂およびＲ₁₇₃は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。ｄは、０または１を表す。
   一般式（１−１８）中、Ｖ₁₈は置換基を表す。Ｒ₁₈₁は、水素原子または置換基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
   一般式（１−１９）中、Ｖ₁₉は置換基を表す。Ｒ₁₉₁は、水素原子または置換基を表す。ｂは、０〜４の整数を表す。
   一般式（１−２０）中、Ｒ₂₀₁、Ｒ₂₀₂、Ｒ₂₀₃およびＲ₂₀₄は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。
   一般式（１−２１）中、Ｒ₂₁₁およびＲ₂₁₂は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。）
5. 前記一般式（５）で表される化合物が、下記一般式（５１）〜（５４）で表される化合物からなる群より選択される化合物である、請求項１に記載の有機半導体組成物。
   （一般式（５１）中、Ｒ₅₁₁は、置換基を表す。
   一般式（５２）中、Ｒ₅₂₁およびＲ₅₂₂は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ₅₂₁およびＲ₅₂₂は、互いに結合して環を形成していてもよい。Ｒ₅₂₃は、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。
   一般式（５３）中、Ｒ₅₃₁は水素原子または置換基を表す。Ｒ₅₃₂は、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。
   一般式（５４）中、Ｒ₅₄₁は、窒素原子に置換可能な基を表す。）
6. 前記一般式（Ｂ）中、Ｂが、前記一般式（１）もしくは前記一般式（６）で表される化合物から水素原子（ただし、水酸基の水素原子を除く）を１個取り去った１価の基、または、前記一般式（２５）で表される基である、請求項１に記載の有機半導体組成物。
7. 前記高分子化合物（Ｂ）の重量平均分子量が５，０００以上である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機半導体組成物。
8. 前記有機半導体材料（Ａ）の分子量が２０００以下である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機半導体組成物。
9. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機半導体組成物を使用して作製された有機薄膜トランジスタ。
10. 請求項９に記載の有機薄膜トランジスタを使用した電子ペーパー。
11. 請求項９に記載の有機薄膜トランジスタを使用したディスプレイデバイス。