JPWO2014098251A1 - g−C3N4フィルムの製造方法およびその利用 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明はまた、X+ 2CO3 2−で表される化合物(X+は、グアニジウムイオン、メラミニウムイオン、メラミウムイオン、メレミウムイオン、上記式(I)で示されるグアニジン誘導体イオン、または上記式(II)で示されるグアニジン誘導体イオンである)を原料として加熱し、重合させてグラファイト状窒化炭素を生成させる、g−C3N4の製造方法を提供する。
本発明に係るg−C3N4(graphitic carbon nitride)フィルムの製造方法は、X+ mYm−で表される化合物(X+は、グアニジウムイオン、メラミニウムイオン、メラミウムイオン、メレミウムイオン、下記式(I)で示されるグアニジン誘導体イオン、または下記式(II)で示されるグアニジン誘導体イオンであり、Ym−は陰イオンであり、mはYの価数である)を原料として加熱し、当該化合物またはその反応物を気化させて、表面が負電荷を帯びているまたは表面にπ電子を有している加熱した基材の表面に付着させ、当該基材上で当該化合物またはその反応物を重合させてグラファイト状窒化炭素を生成させるものである。
原料として用いられる化合物は、X+ mYm−で表される化合物(「化合物X+ mYm−」と称する)である。X+ mYm−におけるX+は、グアニジウムイオン、メラミニウムイオン、メラミウムイオン、メレミウムイオン、下記式(I)で示されるグアニジン誘導体イオン、または下記式(II)で示されるグアニジン誘導体イオンである。
本発明の製造方法において用いられる基材は、表面が負電荷を帯びているまたは表面にπ電子を有している基材である。
上述の原料となる化合物を加熱して、当該化合物またはその反応物を気化させる。「その反応物」とは、原料の化合物が、加熱によって互いに反応し、別の構造の化合物に変化したものを指す。例えば原料としてグアニジン炭酸塩を用いた場合、加熱することにより、下記のスキームに従って変化することが予想される(後述の参考例を参照)。
本発明の製造方法によって製造されたg−C3N4フィルムは、単層または多層のシート構造を有している(後述の試験例4を参照)。このシート構造は、メレム構造単位が二次元方向に架橋されたシート構造である。すなわち、単層のシート構造を有しているg−C3N4フィルムは、メレム構造単位が二次元方向に広がった、単層のシートである。多層のシート構造を有しているg−C3N4フィルムでは、メレムの構造単位が二次元方向に広がっているシートが、複数、積層している。1つのg−C3N4フィルムにおいて、層の数が異なる箇所があってもよい。層の数が異なる箇所があるg−C3N4フィルムは、表面積が大きくなるため、触媒として用いる場合に有利である。基材に付着しているg−C3N4フィルムでは、各層(1または複数の層)が基材に対して平行に積層している。また、本発明の製造方法によって製造されたg−C3N4フィルムは、一部が酸化されて、酸素ドープされていてもよい。また、本発明の製造方法によって製造されたg−C3N4フィルムは、末端の一部がアミノ基またはシアノ基等に置換されていてもよく、炭素と窒素との化学量論比が3:4でなくてもよい。
本発明はまた、X+ 2CO3 2−またはX+CH3COO−で表される化合物を原料として加熱し、重合させてグラファイト状窒化炭素を生成させる、g−C3N4の製造方法を提供する。X+ 2CO3 2−におけるX+の定義は、上述のとおりである。X+は、グアニジウムイオンであることが好ましい。この製造方法によって製造されたg−C3N4は、粉末状でもよいし、フィルム状でもよい。
以上のように、本発明に係るg−C3N4フィルムの製造方法は、X+ mYm−で表される化合物(X+は、グアニジウムイオン、メラミニウムイオン、メラミウムイオン、メレミウムイオン、下記式(I)で示されるグアニジン誘導体イオン、または下記式(II)で示されるグアニジン誘導体イオンであり、Ym−は陰イオンであり、mはYの価数である)を原料として加熱し、当該化合物またはその反応物を気化させて、表面が負電荷を帯びているまたは表面にπ電子を有している加熱した基材の表面に付着させ、当該基材上で当該化合物またはその反応物を重合させてグラファイト状窒化炭素を生成させるものである。
本発明に係る製造方法において、上記Ym−は、CO3 2−、SO4 2−、Cl−、またはR5COO−(R5は、炭素数1〜10のアルキル基、アルケニル基、ハロゲン化アルキル基、カルボキシ基、カルボキシアルキル基、または置換されていてもよいフェニル基)であることが好ましい。
図1に概略が示されている装置を用いてg−C3N4フィルムを作製した。グアニジン炭酸塩(3.0 g,16.7 mmol)をパイレックス(登録商標)製試験管(35 mL)の底に敷き詰め、試験管の中間に基板をアルミホイルの土台上に設置した。基板として、ガラス、石英ガラス、ITOガラス、FTOガラス、グラファイト(HOPG基板)、およびSi基板を用いた。チューブ型炉(KOYO KTF035N1)を用いて、10℃/minで昇温し、空気中、550℃で2時間加熱した。加熱終了後、室温まで自然放冷したところ、各基板上に黄色のフィルムを得た。これらのフィルムを用いて以下の試験(試験例1〜10)を行った。
ガラス基板上に作製したフィルムを純水にしばらく浸し、遊離したフィルムを回収し、X線回折測定(装置名:BL45XU in SPring-8 with R-AXIS IV++)を行った。また、比較として粉末のg−C3N4のX線回折測定を同様に行った。なお、粉末のg−C3N4は、実施例1のフィルム作製時に試験管の底に生成したものである。得られたX線回折パターンを図2の(a)に示す。また、ピークの帰属を図2の(b)に示す。
ガラス基板上に作製したフィルムを純水にしばらく浸し、遊離したフィルムを70℃で4時間乾燥したものを試料として用い、IRスペクトルを測定した(装置名:フーリエ変換赤外分光光度計、型番:FT/IR-4100)。また、比較として粉末のg−C3N4のIRスペクトルを同様に測定した。得られたIRスペクトルを図3に示す。
n-Si基板上に形成したフィルムのX線光電子分光スペクトルを測定した(装置名:高性能X線光電子分光装置、型番:ESCALAB 250)。X線光電子分光スペクトルを図4に示す。図4の(a)はN 1sの範囲のスペクトル、図4の(b)はC 1sの範囲のスペクトルを示す。
n-Si基板、ガラス基板、およびFTOガラス基板上に形成したg−C3N4フィルムの面外X線回折パターンを図5に示す。
走査型電子顕微鏡(装置名:電界放射型電子顕微鏡、型番:JSM-6330F)を用いて、基板上に形成したg−C3N4フィルムを観察した。g−C3N4フィルムの表面観察像および断面観察像を図6に示す((a)ガラス基板・表面、(b)n-Si基板・表面、(c)FTOガラス基板・表面、(d)ガラス基板・断面、(e)n-Si基板・断面、(f)FTOガラス基板・断面)。
ガラス基板上のフィルムを純水に2日間浸すことでゆっくりと遊離させ、石英ガラス基板に移し、試料を作製した。フィルムの光伝導度をフラッシュフォトリシス時間分解マイクロ波伝導度測定(装置名:光励起・時間分解マイクロ波伝導度装置)により検討した。測定は、励起波長=420 nm、励起光強度=5.4×1015photons cm-2pulse-1の条件で行った。測定結果を図7に示す。
n-Si基板上に作製したフィルムを純水に浸し、遊離したフィルムを回収し、拡散反射スペクトルを測定した(装置名:紫外可視近赤外分光光度計+積分球ユニット、型番:V-670+ ISN-723)。また、比較として粉末のg−C3N4の拡散反射スペクトルを同様に測定した。得られた拡散反射スペクトルを図8に示す。
n-Si基板上に作製したg−C3N4フィルムの電子物性を、紫外光電子スペクトル、および逆光電子スペクトル測定によって評価した(装置名:紫外光電子分光分析装置、型番:EA125)。図9の(a)に紫外光電子スペクトル、および逆光電子スペクトルを示す。また、図9の(b)にg−C3N4フィルムのエネルギーダイアグラムを示す。
位が4.47 eVと求まり、イオン化ポテンシャル、電子親和力、バンドギャップは、それぞれ、6.10 eV、3.3 eV、2.8 eVとなった。粉末のイオン化ポテンシャルを大気中光電子分光測定より調べたところ、6.10 eVであったため、フィルムの結果とよい一致を示した。また、光電子分光から求めたバンドギャップは、拡散反射スペクトルから求めた光学ギャップとよく対応していた。
g−C3N4フィルムの光応答性を、図10に概略が示されている光電極セルを用いて評価した。FTOガラス基板にg−C3N4フィルムを製膜(サイズ:20 mm×20 mm)し、測定に用いた。対向電極として白金(Pt)、電解質として0.1 M 硫酸ナトリウム、pH緩衝液として0.025 M リン酸水素カリウム,0.025 M リン酸水素ナトリウム水溶液を用いた。g−C3N4フィルムと対向電極とはイオン交換膜を用いて隔離されている。光源として300 Wキセノンランプを使用し、> 420 nmの可視光を照射した。また、電圧を-0.7〜0.3Vの間で走引(走引速度:20 mV/s)し、光電流を測定した。また、定電圧(0.2 V)を印加しながら、> 420 nmの可視光を照射した。結果を図11に示す。図11の(a)はg−C3N4フィルムの電流−電圧特性を示す。図11の(b)は0.2 Vにおける光電流安定
性を示す。
ガラス基板およびp-Si基板上に形成したg−C3N4フィルムの水素発生挙動を調べた。ホール犠牲剤として10 vol% トリエタノールアミン、助触媒として0.5 wt% Ptを用い、水中でg−C3N4フィルムにキセノンランプ(> 420 nm)の光を照射したところ、フィルム表面に気泡が発生した。発生した気体をガスクロマトグラフを用いて確認したところ、水素であることがわかった。6時間光を照射したg−C3N4フィルムによる水素発生量は、ガラス基板では0.023μmol、p-Si基板では0.017μmolであった。
グアニジン硫酸塩(3.0 g)をパイレックス(登録商標)製試験管(35 mL)に入れ、チューブ型炉(KOYO KTF035N1)を用いて、10℃/minで昇温し、空気中、550℃で2時間加熱した。加熱終了後、室温まで自然放冷したところ、試験管の内壁に一部フィルム化した部分を確認することができた。
グアニジン塩酸塩(3.0 g)をパイレックス(登録商標)製試験管(35 mL)に入れ、チューブ型炉(KOYO KTF035N1)を用いて、10℃/minで昇温し、空気中、550℃で2時間加熱した。加熱終了後、室温まで自然放冷したところ、試験管の内壁に一部フィルム化した部分を確認することができた。
熱重量−示差熱測定(SII Nanotechnology Inc. EXSTAR TG/DTA7300)により、グアニジン炭酸塩の温度変化に伴う反応挙動を調べた。測定条件は、大気下、昇温速度:10℃/minであった。
グアニジン炭酸塩(3.0 g,16.7 mmol)をパイレックス(登録商標)製試験管(35 mL)に入れ、チューブ型炉(KOYO KTF035N1)に入れた。空気中、10℃/minの昇温速度で、各温度(230℃(a)、330℃(b)、380℃(c)、430℃(d)、490℃(e)、550℃(f)、650℃(g))まで昇温した後、それぞれ10分(a、b、c、g)、2時間(d、e、f)加熱した。室温まで自然放冷し、試験管の底に残ったサンプルを回収した。
各温度(a〜g)において得られた化合物の構造を調べるために、IRスペクトルの測定(JASCO FT/IR-4100)を行った。
各温度(a〜g)において得られた化合物の光化学物性を調べるために、拡散反射スペクトル(JASCO V-670, JASCO ISN-723)の測定を行った。
各温度(a〜g)において得られた化合物の構造を調べるために、X線回折測定を行った。
プロトンおよびカウンターアニオンの挙動を調べるために、X線光電子分光スペクトル(Thermo Scientific K.K. ESCALAB 250、エネルギー分解能< 0.45 eV FWHM))の測定を行った。
参考例1〜6の結果から、グアニジン炭酸塩からg−C3N4が形成される合成ルートを以下のように推測した。
図12に概略が示されている装置を用いてg−C3N4フィルムを作製した。グアニジン炭酸塩(3.0 g,16.7 mmol)をパイレックス(登録商標)製試験管(35 mL)の底に敷き詰め、試験管の中間に基板を設置し、アルミホイルで封をした。基板として、ガラス、FTOガラス、およびグラファイト基板(HOPG基板)を用いた。試験管を石英管の中に静置し、窒素ガスをフローしながらチューブ型炉を用いて10℃/minで昇温し、550℃で2時間加熱した。加熱終了後、室温まで自然放冷したところ、各基板上にフィルムを得た。これらのフィルムを用いて以下の試験(試験例11〜12)を行った。なお、試験管の底には粉末状のg−C3N4が生成した。
FTOガラス基板上に作製したフィルムをスパチュラで剥がしたものを試料として用い、IRスペクトルを測定した。得られたIRスペクトルを図13に示す。
FTOガラス基板上に形成したフィルムのX線光電子分光スペクトルを測定した。X線光電子分光スペクトルを図14に示す。図14の(a)はN 1sの範囲のスペクトル、図14の(b)はC 1sの範囲のスペクトルを示す。
グアニジン酢酸塩(0.5 g,4.2 mmol)をパイレックス(登録商標)製試験管(35 mL)の底に敷き詰め、試験管の中間に基板をアルミホイルの土台上に設置した(図1を参照)。基板として、ガラス、グラファイト、およびSi基板を用いた。チューブ型炉(KOYO KTF035N1)を用いて、10℃/minで昇温し、空気中、550℃で2時間加熱した。加熱終了後、室温まで自然放冷したところ、各基板上に赤色のフィルムを得た。これらのフィルムを用いて以下の試験(試験例13)を行った。
n-Si基板上に形成したフィルムのX線光電子分光スペクトルを測定した。X線光電子分光スペクトルを図15に示す。図15の(a)はN 1sの範囲のスペクトル、図15の(b)はC 1sの範囲のスペクトル、図15の(c)はO 1sの範囲のスペクトルを示す。
実施例1と同様の方法でガラス基板上に作製したフィルムを純水にしばらく浸し、遊離したフィルムをグラファイト基板上に転写し、50℃で5分間乾燥することにより、目的のフリースタンディングフィルムが得られた。
実施例1と同様の方法でガラス基板上に作製したg−C3N4フィルム上に、0.1 w%のCYTOP(登録商標)溶液を1000rpmで10秒間スピンコートし、80℃で1時間、次いで200℃で1時間加熱した。その後、純水に浸すことによってg−C3N4フィルムをガラス基板から剥離し、CYTOPポリマーに転写されたg−C3N4フィルムを得た。
実施例1と同様の方法でグラッシーカーボン上に作製したg−C3N4フィルム上に、エポキシ樹脂の原料を塗布した。重合が進行した後、樹脂を基板から剥がすことによって、樹脂に転写されたg−C3N4フィルムを得た。
g−C3N4フィルムの光応答性を、光電極セルを用いて評価した。実施例4と同様の方法でグラファイト基板上にグアニジン炭酸塩を用いてg−C3N4フィルムを製膜したもの、および実施例5と同様の方法でグラファイト基板上にグアニジン酢酸塩を用いてg−C3N4フィルムを製膜し、それぞれ測定に用いた。対向電極として白金(Pt)、電解質として0.1 M 硫酸ナトリウム、pH緩衝液として0.025 M リン酸水素カリウム,0.025 M リン酸水素ナトリウム水溶液を用いた。光源として300 Wキセノンランプを使用し、λ > 300 nmの光を照射した。また、電圧を0 V vs Ag/AgClとし、光電流を測定した。結果を図17に示す。
グアニジン炭酸塩(2.0 g,11.1 mmol)を用いて、実施例1と同様の方法でg−C3N4フィルムを作製したところ、各基板上に青色のフィルムを得た。
Claims (19)
- X+ mYm−で表される化合物(X+は、グアニジウムイオン、メラミニウムイオン、メラミウムイオン、メレミウムイオン、下記式(I)で示されるグアニジン誘導体イオン、または下記式(II)で示されるグアニジン誘導体イオンであり、Ym−は陰イオンであり、mはYの価数である)を原料として加熱し、当該化合物またはその反応物を気化させて、表面が負電荷を帯びているまたは表面にπ電子を有している加熱した基材の表面に付着させ、当該基材上で当該化合物またはその反応物を重合させてグラファイト状窒化炭素を生成させる、グラファイト状窒化炭素のフィルムの製造方法。
- 上記Ym−は、CO3 2−、SO4 2−、Cl−、またはR5COO−(R5は、炭素数1〜10のアルキル基、アルケニル基、ハロゲン化アルキル基、カルボキシ基、カルボキシアルキル基、または置換されていてもよいフェニル基)である、請求項1に記載の製造方法。
- 上記Ym−は、CO3 2−またはCH3COO−である、請求項1または2に記載の製造方法。
- 上記X+は、グアニジウムイオン、メラミニウムイオン、メラミウムイオンまたはメレミウムイオンである、請求項1〜3の何れか1項に記載の製造方法。
- 上記X+は、グアニジウムイオンである、請求項1〜4の何れか1項に記載の製造方法。
- 上記基材は、ガラス、石英ガラス、酸化インジウムスズ(ITO)ガラス、フッ素ドープ酸化スズ(FTO)ガラス、シリコン、グラファイト、またはグラッシーカーボンの基板である、請求項1〜5の何れか1項に記載の製造方法。
- 上記化合物および基材を300〜700℃で加熱する、請求項1〜6の何れか1項に記載の製造方法。
- 請求項1〜7の何れか1項に記載の製造方法によって製造された、グラファイト状窒化炭素のフィルム。
- 請求項8に記載のグラファイト状窒化炭素のフィルムが表面に固定化されている、基材。
- 請求項8に記載のグラファイト状窒化炭素のフィルムが表面に固定化されている、導電性基板。
- 請求項8に記載のグラファイト状窒化炭素のフィルムを水に浸漬し、光を照射することによって水素を製造する方法。
- X+ 2CO3 2−またはX+CH3COO−で表される化合物(X+は、グアニジウムイオン、メラミニウムイオン、メラミウムイオン、メレミウムイオン、下記式(I)で示されるグアニジン誘導体イオン、または下記式(II)で示されるグアニジン誘導体イオンである)を原料として加熱し、重合させてグラファイト状窒化炭素を生成させる、グラファイト状窒化炭素の製造方法。
- 上記X+は、グアニジウムイオンである、請求項12に記載の製造方法。
- 単層または多層のシート構造を有する、グラファイト状窒化炭素のフィルム。
- 上記シート構造は、メレム構造単位が二次元方向に架橋されたシート構造である、請求項14に記載のグラファイト状窒化炭素のフィルム。
- メレム構造単位が二次元方向に架橋されたシート構造を有するグラファイト状窒化炭素のフィルムであって、面外X線回折においてシート間距離に由来するピークのみが得られる、グラファイト状窒化炭素のフィルム。
- 上記シート間距離は、3.17Åから3.26Åの範囲である、請求項16に記載のグラファイト状窒化炭素のフィルム。
- 0.2Vの定電圧を印加しながら420nm以上の可視光を照射した場合の光電流が0.8μA/cm2以上である、グラファイト状窒化炭素のフィルム。
- 透明性を有する、グラファイト状窒化炭素のフィルム。
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