JPWO2012074131A1 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、日本国特許出願:特願2010−270425号(2010年12月03日出願)の優先権主張に基づくものであり、同出願の全記載内容は引用をもって本書に組み込み記載されているものとする。
本発明は、抵抗変化素子を有する半導体装置及びその製造方法に関する。
101 半導体基板
102 第1層間絶縁膜
103 第1バリア絶縁膜
104 第2層間絶縁膜
105 第2バリア絶縁膜
105a 開口
105b 上面
106 キャップ絶縁膜
107 第3層間絶縁膜
107a,107b 下穴(開口)
108 第3バリア絶縁膜
109 第4層間絶縁膜
109a 配線溝(開口)
110 第4バリア絶縁膜
111 第5層間絶縁膜
112 第1バリアメタル
113 第1配線
114 第2バリアメタル
115 第1プラグ
116 第2配線
117 第3バリアメタル
118 第1配線
119 第4バリアメタル
120 第2プラグ
121 第2配線
131 ハードマスク膜
131a 開口
140 抵抗変化素子(スイッチ素子)
141 抵抗変化層
141a 上面
141A 前駆層
142 第1上部電極
142a 上面
142A 第1上部電極の前駆層
143 第2上部電極
143a 上面
143A 第2上部電極の前駆層
Claims (10)
- 抵抗変化素子と、
第1層間絶縁膜と、
前記第1層間絶縁膜より上方に形成された第2層間絶縁膜と、
少なくとも一部が前記第1層間絶縁膜中に形成されている第1配線と、
前記第1層間絶縁膜と前記第2層間絶縁膜の間に介在し、前記第2層間絶縁膜加工時にエッチング停止層として機能するバリア絶縁膜と、
少なくとも一部が前記第2層間絶縁膜中に形成されている導電材と、を備え、
前記抵抗変化素子は、前記第1配線の一部と兼用の下部電極と、前記バリア絶縁膜の層に形成され、前記第1配線と電気的に接続されている抵抗変化層と、前記バリア絶縁膜の層に形成され、前記抵抗変化層及び前記導電材と電気的に接続されている上部電極と、を有し、
前記上部電極の上面と前記バリア絶縁膜の上面とは同一面を形成することを特徴とする半導体装置。 - 前記バリア絶縁膜は、前記第1配線を露出する開口を有し、
前記抵抗変化層は、前記開口の内壁及び前記第1配線の上面に沿って形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記抵抗変化層の一部は前記開口から露出し、
前記開口から露出した前記抵抗変化層の一部は前記同一面を形成することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記バリア絶縁膜の厚さに対する前記開口の大きさは3.5以下であることを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体装置。
- 前記バリア絶縁膜は、前記第2層間絶縁膜よりも薄いことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記バリア絶縁膜の材料は、前記層間絶縁膜の材料よりも前記第1配線の材料の絶縁膜への拡散を抑制することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記バリア絶縁膜と前記第2層間絶縁膜との間に、前記抵抗変化素子を保護する保護絶縁膜をさらに備えることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 第1層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜に第1開口を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜の前記第1開口に、抵抗変化素子の下部電極と兼用する第1配線を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜上にバリア絶縁膜を形成する工程と、
前記バリア絶縁膜に、前記第1配線が露出するように第2開口を形成する工程と、
前記バリア絶縁膜上及び前記第2開口中に、前記第1配線と電気的に接続されるように、抵抗変化素子の抵抗変化層となる抵抗変化層前駆層を堆積する工程と、
前記バリア絶縁膜上及び前記第2開口中に、前記抵抗変化層と電気的に接続されるように、抵抗変化素子の上部電極となる上部電極前駆層を形成する工程と、
前記第2開口以外に存在する前記抵抗変化層前駆層及び前記上部電極前駆層を除去して抵抗変化層及び上部電極を形成すると共に、前記バリア絶縁膜の上面に合わせて前記抵抗変化層及び前記上部電極を平坦化する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記抵抗変化層及び前記上部電極を形成した後に、前記バリア絶縁膜上に第2層間絶縁膜を形成する工程と、
前記上部電極が露出するように前記第2層間絶縁膜に第3開口を形成する工程と、
前記第2層間絶縁膜の前記第3開口に、前記上部電極と電気的に接続するように導電材を充填する工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記抵抗変化層及び前記上部電極を形成した後に、前記バリア絶縁膜上に第2層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第2層間絶縁膜上に第3層間絶縁膜を形成する工程と、
前記上部電極及び前記第1配線が露出するように、前記第2層間絶縁膜に第3開口を形成すると共に、前記第2層間絶縁膜に第4開口を形成する工程と、
前記上部電極及び前記第1配線と電気的に接続するように前記第3開口及び前記第4開口に導電材を充填し、前記第3層間絶縁膜に第2配線を形成すると共に、前記第2層間絶縁膜にプラグを形成する工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
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