JPWO2011062279A1 - 欠陥を検査する方法、欠陥の検査を行ったウエハまたはそのウエハを用いて製造された半導体素子、ウエハまたは半導体素子の品質管理方法及び欠陥検査装置 - Google Patents
欠陥を検査する方法、欠陥の検査を行ったウエハまたはそのウエハを用いて製造された半導体素子、ウエハまたは半導体素子の品質管理方法及び欠陥検査装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2011062279A1 JPWO2011062279A1 JP2011541984A JP2011541984A JPWO2011062279A1 JP WO2011062279 A1 JPWO2011062279 A1 JP WO2011062279A1 JP 2011541984 A JP2011541984 A JP 2011541984A JP 2011541984 A JP2011541984 A JP 2011541984A JP WO2011062279 A1 JPWO2011062279 A1 JP WO2011062279A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- light
- inspected
- defect
- stress
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 354
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 135
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 104
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 88
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 142
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims abstract description 113
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 52
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 40
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 26
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 22
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 15
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 9
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 6
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 abstract description 11
- 239000000047 product Substances 0.000 abstract description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 abstract description 8
- 238000005389 semiconductor device fabrication Methods 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 339
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 50
- 230000008859 change Effects 0.000 description 33
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 21
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 3
- 238000009774 resonance method Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910021532 Calcite Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000375392 Tana Species 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000010291 electrical method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000028161 membrane depolarization Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
- G01N21/9505—Wafer internal defects, e.g. microcracks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/24—Measuring force or stress, in general by measuring variations of optical properties of material when it is stressed, e.g. by photoelastic stress analysis using infrared, visible light, ultraviolet
- G01L1/241—Measuring force or stress, in general by measuring variations of optical properties of material when it is stressed, e.g. by photoelastic stress analysis using infrared, visible light, ultraviolet by photoelastic stress analysis
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
Description
特許文献1には、被検査体に電磁超音波を送信するとともに、その超音波による被検査体の励振部分と同じ部分にレーザーを向け、その反射信号に基づいて被検査体の欠陥、板厚等を検出するようにした配管、鋼材等の被検査体の超音波探傷方法について記載されている。
特許文献9において、異なる受光角度での散乱光強度比に基づいて散乱体の標準粒子換算サイズの数値の組み合わせから、ウエハ表面の欠陥の種類、形態を判別するが、ウエハ内部の空洞欠陥について判別することはできない。
本発明において、欠陥の検査の形態として基本的に特許文献11として示したのと共通する手法を用いているが、初めにこの共通する手法を含めた本発明における欠陥の検査の形態について説明する。本発明においては、高度の均質性を有することが要求される被検査体の表面に、被検査体内部に浸透し得る波長の光を照射しその散乱を測定、分析することにより欠陥の検査を行うものである。
散乱光は入射光の偏光方向を保存することが実験的に確認されており、応力印加なしの場合、そのまま散乱し偏光方向の変化はない。応力印加により内部析出物の周りに応力場が生じ、散乱光強度が変化するが、その効果は小さく、偏光方向の変化も閾値以下である。
内部の空洞欠陥では内部析出物と同様に、散乱光の偏光方向が保存される。よって、応力印加なしの場合は内部析出物と同様である。応力印加により空洞欠陥の周りに応力場が存在して、P偏光成分とS偏光成分とに変化が生じ、その結果偏光方向に変化が生じる。
表面異物は、偏光解消効果によって、偏光方向を保存しない。よってP偏光を入射しても強いS偏光成分が観測される。応力印加なしの場合に入射光の偏光方向と散乱光の偏光方向とが大きく異なるならば、その時点で欠陥が表面異物であると判断される。(応力を印加しても、表面異物の周囲には一般に微弱な応力場しか存在しないため、偏光方向の変化はない。)
クラックは表面から内部に達する欠陥であり、空洞欠陥と同様に考えられる。また、クラックはその先端の曲率半径が非常に小さいため、応力印加によって空洞欠陥よりも大きな応力が集中し、空洞欠陥より偏光方向の変化が大きい。
被検査体の欠陥を検出する工程のフローを示すと、図8のようになる。
本発明による被検査体の欠陥検査装置の1つの形態を示した図12を参照して説明する。ここでの被検査体としては半導体素子作製用のシリコンウエハの場合について、また、照射する光としてレーザーを用いた場合について説明する。
(2)パラメータnはn=1で応力印加なし、n=2で応力印加を示す変数である。応力印加状態では、Zステージを移動させてウエハ中央に変位を与える。変位量はウエハのサイズによって異なるが、数百μm程度である(数MPaの引張応力をウエハ表面に印加する程度の変位)。
(3)パラメータmはアナライザーの角度を指定する。m=1は角度θ1、m=2は角度θ2を回転ステージに指示する。θ1、θ2はパターンからの散乱光を軽減するために、クロスニコルの前後の角度を用いることが望ましい(例えば、S偏光入射では、90度、85度など)。
(4)応力有無、アナライザー角度の各状態で、SN比を大きくするためにそれぞれT秒、N回の撮像を行い、画像データとして保存する(例えば、T=1000ms、N=50回)。
(5)応力印加前後の散乱光の偏光の主軸方向(tanθ)を計算する。応力なしの場合をtanB、応力印加の場合をtanAとする。
(6)その変化量をSとする。
(7)tanθは線形でないため、その微分(1+tanθ^2)で割る。この計算のため、tanBとtanAの平均を求めて、それをAとし、割り算を行っている。
(8)Sの閾値を読み込み、画像の各位置でSが閾値以上であればクラックと判断する。
(9)応力印加前後、アナライザー角度の組み合わせ(4つ)の散乱画像を保存する。クラック位置を明示した画像を表示および保存する。また、クラックの座標値(X,Y)をCSVファイルに出力する。
本発明による欠陥の検査の方法、欠陥検査装置は短時間で精度よく欠陥を検出、分類することができ、ウエハからの半導体素子の製造工程においてインライン化して欠陥検査装置を設置し、欠陥の検査を含む製造工程における品質管理を行うことにより、製品のトラブルを未然に防止し、半導体素子製造工程のスループットを高め、全体としての生産性を向上させるものである。
2 XYステージ
3 支持台
4a 把持部
4b 把持部
5 加重付加部
6 牽引棒
7 レーザー装置
8 ポラライザー
9 集光レンズ
10 CCD撮像装置
11 対物レンズ
12 ビームディスプレーサ
15 駆動制御部
20 画像解析処理装置
21 ディスプレイ
31 ピン
32 連結具
33−1〜6
34 ピストン
35 連接棒
36 フランジ
37 クッション部材
38 クッション部材
40a ウエハ保持部
40b ウエハ保持部
41a 支柱
41b 支柱
42a 拘止部材
42b 拘止部材
43a ピン
43b ピン
44a クッション部材
44b クッション部材
45a クッション部材
45b クッション部材
46 荷重付加装置
47 棒部材
48 押圧部材
50a ウエハ保持手段
50b ウエハ保持手段
56 荷重付加装置
57 棒部材
W ウエハ
M 反射鏡
BD ビームディスプレーサ
P ポラライザー
A アナライザー
IB 入射ビーム
SB 散乱光
D 欠陥
SF 応力場
PI P偏光成分光による画像
SI S偏光成分光による画像
a クラック
b 表面異物
c 内部析出物
d 空洞欠陥
Claims (16)
- 板状の被検査体に静応力を印加していない状態と静応力を印加した状態とにおいて該被検査体内に浸透し得る波長の光をポラライザーにより偏光を与えた上で該被検査体の面に照射しその散乱光を検出することにより被検査体の欠陥を検査する方法であって、
前記被検査体に静応力を印加していない状態で前記被検査体の面上の位置において偏光を与えた光を該面に対して斜め方向に照射しそれにより生じた散乱光を偏光分離手段によりP偏光の成分光とS偏光の成分光とに分離し各々の成分光の強度及びそれらの比としての偏光方向を求めることと、
静応力を印加していない状態で光を照射したのと同じ前記被検査体の面上の位置において前記被検査体に静応力を印加した状態で偏光を与えた光を該面に対して斜め方向に照射しそれにより生じた散乱光を前記偏光分離手段によりP偏光の成分光とS偏光の成分光とに分離し各々の成分光の強度及びそれらの比としての偏光方向を求めることと、
前記被検査体に静応力を印加していない状態で求められた各々の成分光の強度及び偏光方向と前記被検査体に静応力を印加した状態で求められた各々の成分光の強度及び偏光方向とを所定の閾値と対比することにより欠陥の検出及び/または分類を行うことと、
からなり、前記被検査体に静応力を印加するに際して偏光を与えた光を照射する側の前記被検査体の面において引っ張り応力が生じるかまたは前記被検査体全体に引っ張り応力が生じるように前記被検査体に静荷重を付加するものであることを特徴とする欠陥を検査する方法。 - 前記被検査体に静応力を印加するに際し、前記被検査体の周縁の一部を固定的に把持し、前記被検査体の周縁の他の一部を把持し牽引することにより前記被検査体に引っ張り静荷重を付加するようにしたことを特徴とする請求項1に記載の欠陥を検査する方法。
- 前記被検査体に静応力を印加するに際し、前被検査体の対向する両端側を単純支持するように保持し、前記被検査体の対向する両端の間の中心位置において下方から前記被検査体を上方に押圧することにより前記被検査体に上向きの静荷重を付加して前記被検査体に曲げ静荷重を付加するようにしたことを特徴とする請求項1に記載の欠陥を検査する方法。
- 前記被検査体に静応力を印加するに際し、真空吸引手段に連結された吸引孔が複数形成された円筒面状の載置台上に被検査体を載置した後に、真空吸引手段による真空吸引を行って被検査体を円筒面状の載置台の面に吸引することにより被検査体の曲げ変形を行うようにしたことを特徴とする請求項1に記載の欠陥を検査する方法。
- 前記偏光分離手段によりP偏光の成分とS偏光の成分とに分離された光に対して光軸を中心に回動調整可能に挿入配置されたアナライザーを回動調整することにより欠陥とは別異な強い散乱光の強度を低下させるようにしたことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の欠陥を検査する方法。
- CMPプロセスを含む半導体素子の製造工程において2層以上の配線層が形成されたウエハに対しCMPプロセス中に生じ得る欠陥の検査を行ったウエハであって、
該欠陥の検査は2層以上の配線層が形成されたウエハに静応力を印加していない状態と静応力を印加した状態とにおいて前記ウエハ内に浸透し得る波長の光をポラライザーにより偏光を与えた上で前記ウエハの面に照射しその散乱光を検出することによりウエハの欠陥を検査する方法として、
前記ウエハに静応力を印加していない状態で前記ウエハの面上の位置において偏光を与えた光を該面に対して斜め方向に照射しそれにより生じた散乱光を偏光分離手段によりP偏光の成分光とS偏光の成分光とに分離し各々の成分光の強度及びそれらの比としての偏光方向を求めることと、
静応力を印加していない状態で光を照射したのと同じ前記ウエハの面上の位置において前記ウエハに静応力を印加した状態で偏光を与えた光を該面に対して斜め方向に照射しそれにより生じた散乱光を前記偏光分離手段によりP偏光の成分光とS偏光の成分光とに分離し各々の成分光の強度及びそれらの比としての偏光方向を求めることと、
前記ウエハに静応力を印加していない状態で求められた各々の成分光の強度及び偏光方向と前記ウエハに静応力を印加した状態で求められた各々の成分光の強度及び偏光方向とを所定の閾値と対比することにより欠陥の検出及び/または分類を行うことと、
からなり、前記ウエハに静応力を印加するに際して偏光を与えた光を照射する側の前記ウエハの面において引っ張り応力が生じるかまたは前記被検査体全体に引っ張り応力が生じるように前記被検査体に静荷重を付加する
ようにした欠陥を検査する方法を用いてウエハの欠陥の数量及び/またはサイズを求め、前記ウエハの面内における閾値以上の偏光強度及び偏光方向の特性を示す部位の数、偏光強度、偏光の位置を含むデータを収集し、ウエハ面内での欠陥の分布として表示することによりウエハ欠陥を管理し、欠陥に起因する導通不良、耐圧不良を含む要因を潜在的に有する半導体素子の不具合を半導体素子ごとに規定された管理値以下にする管理工程を経たものであることを特徴とする欠陥の検査を行ったウエハ。 - 請求項6に記載の欠陥の検査を行ったウエハを用いて製造されたものであることを特徴とする半導体素子。
- 請求項6に記載の欠陥の検査を行ったウエハであって、上下の配線層間の絶縁体層及び/または面内の配線間の絶縁体層に生じ得る欠陥の数量及び/またはサイズを計測する品質管理工程を経て得られたものであることを特徴とする2層以上の配線層を有するウエハ。
- 請求項7に記載の半導体素子であって、上下の配線層間の絶縁体層及び/または面内の配線間の絶縁体層に生じ得る欠陥の数量及び/またはサイズを計測する品質管理工程を経て得られたものであることを特徴とする半導体素子。
- CMPプロセスを含む半導体素子の製造工程において2層以上の配線層が形成されたウエハに対しCMPプロセス中に生じ得る欠陥の検査を行ったウエハまたは該ウエハを用いて製造される半導体素子の品質管理方法であって、
該欠陥の検査は2層以上の配線層が形成されたウエハに静応力を印加していない状態と静応力を印加した状態とにおいて前記ウエハ内に浸透し得る波長の光をポラライザーにより偏光を与えた上で前記ウエハの面に照射しその散乱光を検出することによりウエハの欠陥を検査する方法として、
前記ウエハに静応力を印加していない状態で前記ウエハの面上の位置において偏光を与えた光を該面に対して斜め方向に照射しそれにより生じた散乱光を偏光分離手段によりP偏光の成分光とS偏光の成分光とに分離し各々の成分光の強度及びそれらの比としての偏光方向を求めることと、
静応力を印加していない状態で光を照射したのと同じ前記ウエハの面上の位置において前記ウエハに静応力を印加した状態で偏光を与えた光を該面に対して斜め方向に照射しそれにより生じた散乱光を前記偏光分離手段によりP偏光の成分光とS偏光の成分光とに分離し各々の成分光の強度及びそれらの比としての偏光方向を求めることと、
前記ウエハに静応力を印加していない状態で求められた各々の成分光の強度及び偏光方向と前記ウエハに静応力を印加した状態で求められた各々の成分光の強度及び偏光方向とを所定の閾値と対比することにより欠陥の検出及び/または分類を行うことと、
からなり、前記ウエハに静応力を印加するに際して偏光を与えた光を照射する側の前記ウエハの面において引っ張り応力が生じるかまたは前記被検査体全体に引っ張り応力が生じるように前記被検査体に静荷重を付加するものである
ようにした欠陥を検査する方法を用いてウエハまたは半導体素子の欠陥の数量及び/またはサイズを管理し、前記ウエハの面内における閾値以上の偏光強度及び偏光方向の特性を示す部位の数、偏光強度、偏光の位置を含むデータを収集し、ウエハ面内での欠陥の分布として表示することにより欠陥に起因する導通不良、耐圧不良を含む要因を潜在的に有する半導体素子の不具合を半導体素子ごとに規定された管理値以下にするように管理することを特徴とするウエハまたは半導体素子の品質管理方法。 - 請求項10に記載のウエハまたは半導体の品質管理方法において、ウエハまたは半導体素子に対しその上下の配線層間の絶縁体層及び/または面内の配線間の絶縁体層に生じ得る欠陥の数量及び/またはサイズを計測する品質管理工程を経るようにしたことを特徴とするウエハまたはた半導体素子の品質管理方法。
- 被検査体の支持部と、前記支持部に載置された被検査体に静応力を印加する状態と静応力を印加しない状態とに切換え可能な静応力印加手段と、前記支持部に支持された前記被検査体の面にポラライザーを介して前記被検査体内に浸透し得る波長の光を該面に対して斜め方向に照射する光源装置と、前記被検査体と光源装置とを相対的に移動させるための走査駆動部と、前記被検査体に照射された光の散乱光を受ける暗視野の位置に配設された偏光分離手段と、該偏光分離手段により分離されたP偏光の成分光とS偏光の成分光とを別個に検出するP偏光受光部及びS偏光受光部とを有する受光手段と、前記静応力印加手段における静応力の印加状態及び前記走査駆動部における前記被検査体と前記光源装置との相対的移動を含む動作の制御を行う制御部と、前記被検査体に静応力を印加した状態と印加しない状態とにおいてそれぞれ前記受光手段により検出されたP偏光の成分光及びS偏光の成分光の強度とそれらの比として求められた偏光方向とを所定の閾値と対比することにより前記被検査体における欠陥の検出及び/または欠陥の種類の判別を行う演算処理部と、を備えてなり、前記静応力印加手段は偏光を与えた光を照射する側の前記被検査体の面において引っ張り応力が生じるように前記被検査体に静荷重を付加するものであることを特徴とする欠陥検査装置。
- 前記静応力印加手段が前記被検査体の周縁の一部を把持する固定側把持部と、前記被検査体の周縁の他の一部を把持する可動側把持部と、該可動側把持部を牽引することにより前記被検査体に引っ張り荷重を付加する静荷重付加手段と、を備えてなることを特徴とする請求項12に記載の欠陥検査装置。
- 前記静応力印加手段が前記被検査体の周縁の対向する両端側を単純支持する被検査体保持部と、前記被検査体の対向する両端の間の中心位置において下方から前記被検査体を上方に押圧する押圧部材と、該押圧部材を下方から押圧することにより前記被検査体に上向きの静荷重を付加して前記被検査体に曲げ荷重を付加する静荷重付加手段と、を備えてなることを特徴とする請求項12に記載の欠陥検査装置。
- 前記被検査体の支持部は複数の吸引孔が形成された円筒面状の載置台として形成され、前記複数の吸引孔は管路を介して真空吸引手段に連結され、該真空吸引手段の真空吸引作用により前記被検査体を前記載置台の円筒面に吸引して曲げ変形させるようにしたことを特徴とする請求項12に記載の欠陥検査装置。
- 前記偏光分離手段と前記受光手段の間に検光子としての偏光板が配設され、該検光子としての偏光板が光軸を中心に回動調整可能であるようにしたことを特徴とする請求項12〜15のいずれかに記載の欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011541984A JP5713264B2 (ja) | 2009-11-20 | 2010-11-19 | 欠陥を検査する方法、ウエハまたは半導体素子の品質管理方法及び欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009264639 | 2009-11-20 | ||
JP2009264639 | 2009-11-20 | ||
PCT/JP2010/070744 WO2011062279A1 (ja) | 2009-11-20 | 2010-11-19 | 欠陥を検査する方法、欠陥の検査を行ったウエハまたはそのウエハを用いて製造された半導体素子、ウエハまたは半導体素子の品質管理方法及び欠陥検査装置 |
JP2011541984A JP5713264B2 (ja) | 2009-11-20 | 2010-11-19 | 欠陥を検査する方法、ウエハまたは半導体素子の品質管理方法及び欠陥検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011062279A1 true JPWO2011062279A1 (ja) | 2013-04-11 |
JP5713264B2 JP5713264B2 (ja) | 2015-05-07 |
Family
ID=44059751
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011541984A Expired - Fee Related JP5713264B2 (ja) | 2009-11-20 | 2010-11-19 | 欠陥を検査する方法、ウエハまたは半導体素子の品質管理方法及び欠陥検査装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9019498B2 (ja) |
EP (1) | EP2503326A4 (ja) |
JP (1) | JP5713264B2 (ja) |
KR (1) | KR101335051B1 (ja) |
CN (1) | CN102648405B (ja) |
WO (1) | WO2011062279A1 (ja) |
Families Citing this family (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5007979B2 (ja) * | 2008-05-22 | 2012-08-22 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 欠陥を検査する方法及び欠陥検査装置 |
KR20120045774A (ko) * | 2010-11-01 | 2012-05-09 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 검사 방법 |
EP2631593A1 (de) * | 2012-02-24 | 2013-08-28 | Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Wissenschaft E.V. | Verfahren zur Bestimmung von Oberflächendefekten einer ebenen Oberfläche |
JP5633537B2 (ja) * | 2012-05-07 | 2014-12-03 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウエーハの評価方法および半導体ウエーハの評価装置 |
JP2014048206A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Sharp Corp | 欠陥分類装置、欠陥分類方法、制御プログラム、および記録媒体 |
JP6061182B2 (ja) * | 2012-09-07 | 2017-01-18 | 大日本印刷株式会社 | 金属薄板の寸法測定装置及び金属薄板の寸法測定方法 |
CN103823329B (zh) * | 2012-11-16 | 2016-09-07 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 掩膜版及对其进行缺陷检测的方法 |
KR102086362B1 (ko) * | 2013-03-08 | 2020-03-09 | 삼성전자주식회사 | 편광화된 빛을 이용하여 공정을 모니터링하는 반도체 제조 설비 및 모니터링 방법 |
DE102013107215B3 (de) * | 2013-07-09 | 2014-10-09 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines Spiegelsubstrat-Rohlings aus Titan-dotiertem Kieselglas für die EUV-Lithographie, sowie System zur Positionsbestimmung von Defekten in einem Rohling |
JP2015052453A (ja) * | 2013-09-05 | 2015-03-19 | 大日本印刷株式会社 | 検査装置および検査方法 |
US9528906B1 (en) | 2013-12-19 | 2016-12-27 | Apple Inc. | Monitoring DOE performance using total internal reflection |
CN103743758A (zh) * | 2014-01-15 | 2014-04-23 | 唐山英莱科技有限公司 | 一种基于正交偏振的高反光金属表面视觉检测*** |
TW201533456A (zh) * | 2014-02-19 | 2015-09-01 | Signality System Engineering Co Ltd | 晶圓測試數據分析方法 |
JP6211955B2 (ja) * | 2014-03-07 | 2017-10-11 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
JP6334991B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2018-05-30 | 株式会社日立製作所 | 構造物の表面検査システムおよび表面検査方法 |
KR101636055B1 (ko) * | 2014-04-30 | 2016-07-05 | 주식회사 나노프로텍 | 편광을 이용한 투명기판 상면 이물 검출 방법 |
CN104062049B (zh) * | 2014-06-13 | 2016-02-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种基板检测方法和装置 |
TWI574334B (zh) * | 2015-03-17 | 2017-03-11 | 陳勇吉 | 檢測晶圓的方法 |
CN106356310B (zh) * | 2015-07-14 | 2019-07-09 | 睿励科学仪器(上海)有限公司 | 一种对晶圆中的低对比度定标区域实施定标的方法 |
JP2017037912A (ja) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | 株式会社ディスコ | 検査用ウエーハおよび検査用ウエーハの使用方法 |
KR102659810B1 (ko) * | 2015-09-11 | 2024-04-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 결정화도 측정 장치 및 그 측정 방법 |
CN105466862B (zh) * | 2015-11-22 | 2018-01-26 | 华中科技大学 | 一种探测单根弯曲半导体纳米线中晶格畸变的方法 |
US10387601B2 (en) | 2015-11-26 | 2019-08-20 | Kla-Tencor Corporation | Methods to store dynamic layer content inside a design file |
JP6618354B2 (ja) * | 2015-12-28 | 2019-12-11 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 欠陥を検査する方法、および欠陥検査装置 |
JP6508082B2 (ja) * | 2016-02-12 | 2019-05-08 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハの評価方法 |
JP6658051B2 (ja) * | 2016-02-16 | 2020-03-04 | 三菱電機株式会社 | ウエハの検査装置、ウエハの検査方法および半導体装置の製造方法 |
US10073004B2 (en) * | 2016-09-19 | 2018-09-11 | Apple Inc. | DOE defect monitoring utilizing total internal reflection |
JP6797481B2 (ja) * | 2017-03-01 | 2020-12-09 | 株式会社ディスコ | 半導体インゴットの検査方法、検査装置及びレーザー加工装置 |
JP6799155B2 (ja) * | 2017-06-29 | 2020-12-09 | 株式会社ソニー・インタラクティブエンタテインメント | 情報処理装置、情報処理システム、および被写体情報特定方法 |
JP6559745B2 (ja) * | 2017-08-23 | 2019-08-14 | 株式会社東芝 | 半導体デバイス検査装置、半導体デバイス検査方法、そのプログラム、半導体装置およびその製造方法 |
DE102017129356B3 (de) * | 2017-12-08 | 2019-03-07 | Infineon Technologies Ag | Inspektionsverfahren für halbleitersubstrate unter verwendung von neigungsdaten und inspektionsgerät |
JP6978928B2 (ja) * | 2017-12-25 | 2021-12-08 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハの評価方法 |
JP6806098B2 (ja) * | 2018-01-18 | 2021-01-06 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法 |
CN108662993A (zh) * | 2018-04-13 | 2018-10-16 | 黄智强 | 一种基于光学散射原理的表面粗糙度检测*** |
WO2019215820A1 (ja) * | 2018-05-08 | 2019-11-14 | 株式会社ソニー・インタラクティブエンタテインメント | 情報処理装置および被写体情報取得方法 |
US11276197B2 (en) | 2018-05-08 | 2022-03-15 | Sony Interactive Entertainment Inc. | Information processing apparatus and subject information acquisition method |
CN110687051B (zh) * | 2018-07-06 | 2022-06-21 | 深圳中科飞测科技股份有限公司 | 一种检测设备及方法 |
JP7063181B2 (ja) * | 2018-08-09 | 2022-05-09 | 株式会社Sumco | ウェーハの検査方法および検査装置 |
CN109142389A (zh) * | 2018-08-31 | 2019-01-04 | 江苏英锐半导体有限公司 | 一种晶圆流片表面缺陷检测装置 |
KR102667359B1 (ko) * | 2018-12-04 | 2024-05-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 검사 장치 및 이의 구동 방법 |
US11022562B2 (en) * | 2019-04-15 | 2021-06-01 | Illinois Tool Works Inc. | Methods and systems for vision system assisted inspections |
CN110132996A (zh) * | 2019-06-06 | 2019-08-16 | 德淮半导体有限公司 | 缺陷检测装置及其检测方法 |
CN112305650A (zh) * | 2019-08-01 | 2021-02-02 | 上海塞普机电工程技术有限公司 | 一种用于透明物疵点检测和数字成像之光栅及其面阵检测方法 |
CN110534462A (zh) * | 2019-09-06 | 2019-12-03 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 晶圆键合工艺的气泡缺陷检测方法及*** |
JP7143831B2 (ja) * | 2019-10-11 | 2022-09-29 | 信越半導体株式会社 | ウェーハ形状の測定方法 |
CN110793684A (zh) * | 2019-11-11 | 2020-02-14 | 江南大学 | 基于相干衍射成像的应力三维测量方法 |
CN111307814B (zh) * | 2019-11-29 | 2022-10-04 | 宜昌南玻硅材料有限公司 | 一种基于图像处理的硅块杂质检测方法 |
KR20220131236A (ko) * | 2020-01-22 | 2022-09-27 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 전자기기 |
JP7334664B2 (ja) * | 2020-04-02 | 2023-08-29 | 株式会社島津製作所 | 応力発光測定方法および応力発光測定装置 |
CN111610198A (zh) * | 2020-06-01 | 2020-09-01 | 上海御微半导体技术有限公司 | 一种缺陷检测装置及其方法 |
CN116762157A (zh) * | 2021-01-19 | 2023-09-15 | 学校法人关西学院 | 加工变质层的评价方法和半导体单晶衬底的制造方法 |
CN113283420A (zh) * | 2021-05-20 | 2021-08-20 | 维沃移动通信有限公司 | 电子设备、材质检测方法、材质检测装置和可读存储介质 |
CN113932957B (zh) * | 2021-10-11 | 2022-04-29 | 水利部交通运输部国家能源局南京水利科学研究院 | 智慧应力砖传感器及结构应力监测方法和*** |
CN114002226B (zh) * | 2021-10-29 | 2024-01-26 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 一种硅片检测方法 |
JP2023113088A (ja) * | 2022-02-02 | 2023-08-15 | オムロン株式会社 | ずれ量の測定方法、及び測定装置、及びプログラム |
TW202414447A (zh) * | 2022-09-14 | 2024-04-01 | 日商三菱化學股份有限公司 | 導電膜的製造方法、罩幕的製造方法、半導體元件的製造方法、導電膜的缺陷檢查方法以及缺陷檢查裝置 |
CN118247285A (zh) * | 2024-05-30 | 2024-06-25 | 无锡星微科技有限公司杭州分公司 | 一种基于图像处理的晶圆缺损识别方法及*** |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0518889A (ja) * | 1991-07-15 | 1993-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | 異物検査方法およびその装置 |
JPH0694639A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-08 | Kajima Corp | 微細ひびわれの可視化方法 |
JPH07318500A (ja) * | 1994-05-23 | 1995-12-08 | Hitachi Ltd | 物体表面近傍の検査装置 |
JP2001221729A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-17 | Toshiba Corp | 基板の品質検査装置 |
JP2001353659A (ja) * | 2000-06-16 | 2001-12-25 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | 研磨ウエハの研磨合否判定方法 |
JP2006344910A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Canon Machinery Inc | ウェーハ分割方法およびウェーハ分割治具 |
JP2008008740A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 欠陥を検出する方法及びそのための装置 |
JP2008191120A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-21 | Nippon Steel Corp | 引張り試験方法及び装置 |
JP2009281846A (ja) * | 2008-05-22 | 2009-12-03 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 欠陥を検査する方法及び欠陥検査装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4875170A (en) * | 1986-04-10 | 1989-10-17 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for estimating life expectancy of mechanical structures |
JPS6483138A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Hitachi Ltd | Inspecting method of retaining ring |
US5835220A (en) * | 1995-10-27 | 1998-11-10 | Nkk Corporation | Method and apparatus for detecting surface flaws |
JP3562070B2 (ja) * | 1995-11-14 | 2004-09-08 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜強度評価装置 |
JPH1083138A (ja) * | 1996-09-06 | 1998-03-31 | Mitsubishi Electric Corp | データ伝送方法 |
US6050138A (en) * | 1997-10-22 | 2000-04-18 | Exponent, Inc. | System and method for performing bulge testing of films, coatings and/or layers |
DE19914994A1 (de) * | 1998-04-03 | 1999-10-14 | Advantest Corp | Verfahren und Vorrichtung zur Oberflächenprüfung |
US6797975B2 (en) * | 2000-09-21 | 2004-09-28 | Hitachi, Ltd. | Method and its apparatus for inspecting particles or defects of a semiconductor device |
US6718269B2 (en) * | 2001-12-13 | 2004-04-06 | International Business Machines Corporation | Apparatus, program product and method of estimating the stress intensity factor ratio of a material |
EP1333263B1 (de) * | 2002-02-01 | 2006-11-02 | F & K Delvotec Bondtechnik GmbH | Testvorrichtung zur Ausführung eines Pulltests |
JP2005156516A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-16 | Hitachi Ltd | パターン欠陥検査方法及びその装置 |
JP2006275741A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の疲労試験装置および半導体装置の疲労試験方法 |
JP2009124079A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-04 | Canon Inc | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造ライン |
-
2010
- 2010-11-19 JP JP2011541984A patent/JP5713264B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-19 CN CN201080052086.2A patent/CN102648405B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-19 WO PCT/JP2010/070744 patent/WO2011062279A1/ja active Application Filing
- 2010-11-19 KR KR1020127013058A patent/KR101335051B1/ko active IP Right Grant
- 2010-11-19 US US13/510,769 patent/US9019498B2/en active Active
- 2010-11-19 EP EP10831671.2A patent/EP2503326A4/en not_active Withdrawn
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0518889A (ja) * | 1991-07-15 | 1993-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | 異物検査方法およびその装置 |
JPH0694639A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-08 | Kajima Corp | 微細ひびわれの可視化方法 |
JPH07318500A (ja) * | 1994-05-23 | 1995-12-08 | Hitachi Ltd | 物体表面近傍の検査装置 |
JP2001221729A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-17 | Toshiba Corp | 基板の品質検査装置 |
JP2001353659A (ja) * | 2000-06-16 | 2001-12-25 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | 研磨ウエハの研磨合否判定方法 |
JP2006344910A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Canon Machinery Inc | ウェーハ分割方法およびウェーハ分割治具 |
JP2008008740A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 欠陥を検出する方法及びそのための装置 |
JP2008191120A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-21 | Nippon Steel Corp | 引張り試験方法及び装置 |
JP2009281846A (ja) * | 2008-05-22 | 2009-12-03 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 欠陥を検査する方法及び欠陥検査装置 |
JP5007979B2 (ja) * | 2008-05-22 | 2012-08-22 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 欠陥を検査する方法及び欠陥検査装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102648405A (zh) | 2012-08-22 |
JP5713264B2 (ja) | 2015-05-07 |
US20120262715A1 (en) | 2012-10-18 |
EP2503326A1 (en) | 2012-09-26 |
WO2011062279A1 (ja) | 2011-05-26 |
KR101335051B1 (ko) | 2013-11-29 |
CN102648405B (zh) | 2015-04-15 |
KR20120098730A (ko) | 2012-09-05 |
EP2503326A4 (en) | 2015-04-15 |
US9019498B2 (en) | 2015-04-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5713264B2 (ja) | 欠陥を検査する方法、ウエハまたは半導体素子の品質管理方法及び欠陥検査装置 | |
JP5007979B2 (ja) | 欠陥を検査する方法及び欠陥検査装置 | |
KR102235580B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 검사를 위한 결함 마킹 | |
JP4631002B2 (ja) | 欠陥を検出する方法及びそのための装置 | |
JP2008177579A (ja) | 動的ウエハ応力処理装置 | |
US20150069247A1 (en) | Method and system for real time inspection of a silicon wafer | |
WO2012014357A1 (ja) | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 | |
US11346818B2 (en) | Method, device and system for non-destructive detection of defects in a semiconductor die | |
KR100851212B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 표면결함 검사 방법 및 이를 위한원자간력현미경 장치 | |
WO2004010121A1 (en) | Detection method and apparatus | |
JPH10221268A (ja) | ウェーハの表面状態検出方法および装置 | |
EP2261644B1 (en) | Method for judging whether a semiconductor wafer is a non-defective wafer by using a laser scattering method | |
JP3586970B2 (ja) | 微細パターンの検査方法および検査装置 | |
JPH11219990A (ja) | 半導体ウェーハの検査方法およびその装置 | |
JP5556349B2 (ja) | 透明基板の欠陥検査装置および透明基板の欠陥検査方法 | |
US11942379B1 (en) | Inspection method for detecting a defective bonding interface in a sample substrate, and measurement system implementing the method | |
TWI752683B (zh) | 製備半導體晶圓的方法 | |
WO2023106414A1 (ja) | 加工変質層の評価方法及び評価システム | |
JP2018146356A (ja) | 欠陥を検査する方法および欠陥検査装置、ならびに光源装置 | |
JP2007127435A (ja) | 応力測定方法および装置ならびに品質管理方法 | |
Vartanian et al. | Metrology Needs for 2.5 D/3D Interconnects | |
CN116242781A (zh) | 一种显微散斑干涉全场成像检测装置及方法 | |
CN112665536A (zh) | 一种晶圆的边缘粗糙度的测量方法及装置 | |
Horn et al. | Locating and tracking the evolution of debonds at the interface of bonded semiconductor devices using infrared photoelasticity | |
Lazareva et al. | Highly sensitive wavefront sensor for visual inspection of bare and patterned silicon wafers |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130708 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140624 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140819 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A132 Effective date: 20141028 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141107 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150224 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150227 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5713264 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |