JPWO2008015989A1 - プリント配線基板 - Google Patents

Abstract

半田付けの際に、スルーホール（６ｂ）から伝わった熱は、非銅箔領域間のメッシュ状の銅箔領域を迂回しながら、遅滞させられて伝導して、サーマルランド（１３ｂ）の周囲のベタパターン領域へ伝えられる。信号配線（８ｅ，８ｆ）及び信号配線（８ｇ，８）は、それぞれ所定の離隔を保って、非銅箔領域（１５ｂ，１６ｂ）の配列方向に沿って形成されていると共に、銅箔領域に重なるように配置され、対向するグランド層（１１）によって、電流のリターン経路が確保される。

Description

本発明は、プリント配線基板及び該プリント配線基板を備えた電子機器に関し、例えば、ベタパターンのスルーホールの周りに、熱放散を抑制するためのサーマルランドが形成されたプリント配線基板及び該プリント配線基板を備えた電子機器に関する。

コンピュータ装置や通信装置等の電子機器は、一般にプリント配線基板が実装されて構成され、このプリント配線基板には、スルーホール実装部品等の部品が搭載される。スルーホール実装部品は、プリント配線基板に設けられたスルーホールに、半田付け用のリードが挿入され、この状態で半田付けすることで、プリント配線板内部の所定の導電層に接続される。

ところで、近年の電子機器の高機能化に伴って、電子機器に実装されて使用されるプリント配線基板の多層化が進んでいる。

一般に、多層プリント配線板１０１は、図１に示すように、内層としての信号層１０２、電源層１０３、及びグランド層１０４と、表面層１０５とを含む複数層からなる多層構造である。ここでは、一例として、４層の信号層１０２、１層の電源層１０３、３層のグランド層１０４、２層の表面層１０５からなる１０層構造の多層プリント配線板が示されている。

例えば、スルーホール１０６ａ，１０６ｂは、複数層を貫通すると共に、それぞれ、電源層１０３、グランド層１０４に接続するように形成されている。スルーホール１０６ａ，１０６ｂには、スルーホール実装部品１０７のリード１０８ａ，１０８ｂが挿入されている。スルーホール１０６ａ，１０６ｂは、スルーホール実装部品１０７の端子を対応する導電層としての電源層１０３、グランド層１０４に接続し、スルーホール実装部品１０７を半田付けにより取り付けるために用いられる。

すなわち、リード１０８ａは電源接続用のコンタクトとして用いられ、リード１０８ｂはグランド接続用のコンタクトとして用いられる。なお、図１中の符号１０９は、半田を示す。

半田付けの際には、スルーホール実装部品１０７のリード１０８ａ，１０８ｂをスルーホール１０６ａ，１０６ｂに挿入した後、フロー装置を用いた一括半田付け（ディップソルダリング）や、半田鏝を用いた半田付けが行われる。

半田付けの仕上り状態は、スルーホール実装部品１０７の接続箇所の接続信頼性に影響を与え、このスルーホール実装部品１０７を含む多層プリント配線板１０１が実装された電子機器全体の信頼性に影響を及ぼす。

半田付けの仕上がりを悪化させる原因の１つに、半田付け時の温度上昇が不十分であることによって、スルーホール１０６ａ，１０６ｂの端部まで半田が十分に上がらない半田上がり性の悪化がある。これによって、スルーホール１０６ａ，１０６ｂ内部全体に亘って、高品質の半田付けができないと、接続強度不足となり、接続信頼性に悪影響を及ぼす。

このため、スルーホール１０６ａ，１０６ｂ内部において良好な半田付けを行うためには、半田の溶融温度に対して半田付けによる接続部位の温度を十分に上昇させる必要がある。

例えば、スルーホール１０６ａ，１０６ｂの下端部で加熱されると、熱は、スルーホール１０６ａ，１０６ｂ内部を経由して、各導電層（信号層１０２、電源層１０３、グランド層１０４）へ伝達される。

特に、電源層１０３、グランド層１０４には、基本的にこの層全面に亘って銅箔からなるベタパターンが形成され、電源層１０３、グランド層１０４に接続されるスルーホール１０６ａ，１０６ｂからは熱が拡散してしまう。そして電源層１０３、グランド層１０４は熱容量が大きいため、半田付けの際に、スルーホール１０６ａ，１０６ｂの温度が上昇し難くなる。このため、溶融した半田が、スルーホール１０６ａ，１０６ｂの端部まで十分に上がらず、接続不良を生じる。

さらに、上述したように、近年、多層プリント配線板１０１に実装される部品数が増加し、部品を接続する配線数も増加してきている。これに伴って、多層プリント配線板１０１の層数及び厚さも増してきており、多層化が多層プリント配線板１０１の熱容量の増加をもたらしている。

特に、大型コンピュータ装置等における多層プリント配線板の層数は数十層となる。層数の増加に伴って、熱の伝導経路が増加し、スルーホール１０６ａ，１０６ｂ近傍の温度を上昇させることが困難となってきている。

このため、図２及び図３に示すように、電源層１０３、グランド層１０４の複数の内層のベタパターンのスルーホール１０６ａ，１０６ｂの周りに、熱放散を抑制するためのサーマルランド１１１ａ、１１１ｂが形成されている（例えば、特開平０９−００８４４３号公報、特開２００５−０１２０８８号公報等参照）。

グランド層１０４に形成されたサーマルランド１１１ｂは、図２に示すように、最内周領域１１２ｂと、周縁部領域１１４ｂとを有している。最内周領域１１２ｂは、スルーホール１０６ｂの周りの略円環状に形成されている。周縁部領域１１４ｂは、最内周領域１１２ｂの周縁部に形成されている。周縁部領域１１４ｂは、スルーホール１０６ｂから遠ざかる向きに（スルーホール１０６ｂの中心を基準点とした動径方向に沿って）、熱伝導経路を限定するためのスポーク１１３ｂを有する。

周縁部領域１１４ｂには、最内周領域１１２ｂから４方向に放射状に等角度間隔で（９０°間隔で）熱伝導経路としてのスポーク１１３ｂが形成され、スポーク１１３ｂを残して円弧上に銅箔がエッチングされた非銅箔領域１１５ｂが形成されている。

これによって、最内周領域１１２ｂからは、スポーク１１３ｂを経由することによって、同図中矢印で示すように、熱伝導経路が４方向に限定されてサーマルランド１１１ｂの周囲のベタパターン領域へ向けて熱が伝導することとなる。この構成は、スルーホール１０６ｂの熱容量を低減させ、スルーホール１０６ｂ内部の温度を半田付けのために十分な温度まで上昇させることができる。

また、グランド層１０４の直上及び直下に形成された信号層１０２には、所定の幅の信号配線１０２ｅ，１０２ｆ、信号配線１０２ｇ，１０２ｈ，１０２ｉ（図２中、その経路を破線によって示す。）が形成されている。

ここで、信号配線１０２ｅ，１０２ｆ、信号配線１０２ｇ，１０２ｈ，１０２ｉは、それぞれ、信号層１０２に形成されている。また、信号配線１０２ｅ，１０２ｈは、非銅箔領域１１５ｂを迂回して配線されている。信号配線１０２ｆ，１０２ｇは、非銅箔領域１１５ｂを通過して配線されている。

電源層１０３に形成されたサーマルランド１１１ａは、図３に示すように、スルーホール１０６ａの周りの略円環状の最内周領域１１２ａと、周縁部領域１１４ａとを有している。周縁部領域１１４ａは、最内周領域１１２ａの周縁部に、スルーホール１０６ａから遠ざかる向きに（スルーホール１０６ａの中心を基準点とした動径方向に沿って）、熱伝導経路を限定するためのスポーク１１３ａを有する。

周縁部領域１１４ａには、最内周領域１１２ａから４方向に放射状に等角度間隔で（９０°間隔で）熱伝導経路としてのスポーク１１３ａが形成され、スポーク１１３ａを残して円弧上に銅箔がエッチングされた非銅箔領域１１５ａが形成されている。

これによって、最内周領域１１２ａからは、スポーク１１３ａを経由することによって、同図中矢印で示すように、熱伝導経路が４方向に限定され、サーマルランド１１１ａの周囲のベタパターン領域へ向けて熱が伝導することとなる。この構成は、スルーホール１０６ａの熱容量を低減させ、スルーホール１０６ａ内部の温度を半田付けのために十分な温度まで上昇させることができる。すなわち、スルーホール１０６ａが温まり易くなる。

また、電源層１０３の直上及び直下に形成された信号層１０２には、所定の幅の信号配線１０２ａ，１０２ｂ、信号配線１０２ｃ，１０２ｄ（図３中、その経路を破線によって示す。）が形成されている。

ここで、一対の信号配線１０２ａ、１０２ｂ、一対の信号配線１０２ｃ、１０２ｄは、それぞれ、信号層１０２に形成されている。また、信号配線１０２ｂは、非熱伝導領域１１５ａを迂回して配線されている。信号配線１０２ｃは、非銅箔領域１１５ａを通過して配線されている。なお、一対の信号配線１０２ａ，１０２ｂと、一対の信号配線１０２ｃ，１０２ｄとは、差動信号伝送路を形成している。

解決しようとする第１の問題点は、上記関連する技術では、半田付け時の温度上昇が依然として不十分であり、半田付けの仕上がり状態が悪化し、接続信頼性が低下するという点である。

すなわち、電子機器の益々の高機能化に伴い、関連するサーマルランドの技術では多層プリント配線板のさらなる高多層化に対応できず、熱の伝導経路が増加することとなり、スルーホール近傍の温度を上昇させることが困難である。

また、多層プリント配線板の厚さが厚くなることによって、スルーホールの長さが長くなり、スルーホール内部への半田付けがさらに困難になってきている。

また、鉛フリー半田の使用義務化によって、鉛フリー半田（例えば、すず−銀−銅系無鉛半田）を用いた場合には、溶融温度が数十度高くなるという問題がある。すなわち、関連する共晶半田の融点は１８３℃であるが、鉛フリー半田の融点は、その組成によるが、一般に２１０〜２２０℃近傍となる。

したがって、鉛フリー半田を用いて半田付けを行う場合には、半田付け箇所の温度を２４０〜２６０℃程度まで加熱する必要があり、さらに半田上がり性が悪化し、良好な半田付けを行うことが難しくなってきている。

また、第２の問題点は、上記関連する技術では、サーマルランドのスポークを電流が流れることとなるので、この幅の狭い箇所が高抵抗となり、電流容量の低下を招くという点である。

すなわち、関連するサーマルランドでは、スルーホールの熱容量を減少させるために、非銅箔領域（ベタ領域でない領域）をある程度大きく形成する必要があった。しかしながら、実装部品をリードを介してプリント基板に取り付けた後、使用した際に、局部的に幅が狭く高抵抗なスポークを電流が流れて発熱してしまう。このことが電流容量を減少させてしまうこととなり、また、プリント基板を焼損する場合もある。

また、第３の問題点は、上記関連する技術では、ベタパターンが形成された電源層やグランド層に、絶縁層を介して対向する信号層のうち、スルーホール近傍に形成された信号配線において、信号伝送特性が悪化すると共に、信号配線密度が低下するという点である。

例えば、図２に示すように、関連するサーマルランド１１１ｂでは、スルーホール１０６ｂの周りに環状に非銅箔領域１１５ｂが形成されている。直線状に形成された信号配線１０２ｆ，１０２ｇは、例えば、対向するベタ層としてのグランド層１０４のうち、非銅箔領域１１５ｂを通過する箇所がある。この箇所では、信号配線１０２ｆ，１０２ｇは、対向するグランド層１０４を失ってしまうため、信号伝送を乱す原因となってしまっていた。

特に、例えば、図３に示すように、一対の信号配線１０２ｃ、１０２ｄによって差動信号伝送路を形成する場合に、例えば、一方の信号配線１０２ｃのみが非銅箔領域１１５ａを通過することとなる。これにより、ペア配線間の電気的特性に差を生じ、信号伝送特性が悪化する原因となっていた。

また、例えば、図２に示すように、非銅箔領域１１５ｂを避けて、信号配線１０２ｈを、銅箔領域（ベタ領域）に対向するように配置させると、隣接する信号配線１０２ｉとの間のクリアランスが小さくなり、クロストークノイズ発生の原因となってしまっていた。また、十分なクリアランスを確保しようとすると、信号配線の配線密度が小さくなってしまっていた。

また、例えば、図３に示すように、差動信号伝送路を形成する一対の信号配線１０２ａ，１０２ｂの場合、非銅箔領域１１５ａを避けて銅箔領域（ベタ領域）に対向するようにして信号配線１０２ｂを配置させると、信号配線１０２ａ，１０２ｂで、配線長に差が生じてしまい、ノイズ発生の原因となってしまっていた。

また、第４の問題点は、上記関連する技術では、スルーホール近傍の導電層の平坦性が悪化するという点である。

すなわち、関連するサーマルランドでは、スルーホールの周りに環状に比較的大面積の非銅箔領域が配置されている。この非銅箔領域においては、絶縁層を介した直下及び直上の導電層（メタル層）としての信号層や電源層、あるいはグランド層が撓んでしまう。このため、プリント基板の導電層の平坦性が悪化し、プリント基板の特性にばらつきが発生していた。

本発明は、上述の事情に鑑みてなされたもので、プリント基板の高多層化及び半田の鉛フリー化に対応し、熱の拡散を抑制して良好な半田付けの仕上がり状態を維持し、高い接続信頼性を確保することができるプリント配線基板及び該プリント配線基板を備えた電子機器を提供することを第１の目的としている。

また、本発明は、ベタパターンにおいて電流経路を確保し、十分な電流容量を得ることができるプリント配線基板及び該プリント配線基板を備えた電子機器を提供することを第２の目的としている。

また、本発明は、信号配線の信号伝送特性を良好に保ち、かつ、信号配線密度を向上させることができるプリント配線基板及び該プリント配線基板を備えた電子機器を提供することを第３の目的としている。

また、本発明は、スルーホール近傍の導電層の平坦性を維持することができるプリント配線基板及び該プリント配線基板を備えた電子機器を提供することを第４の目的としている。

課題を解決するために、本発明のプリント配線基板は、電気部品を搭載し、絶縁層と導電層とが交互に積層され、かつ、導電層の所定の部位に形成された熱容量が大きいべた領域を備え、スルーホールによって貫通されるべた領域の当該スルーホールの周辺に、メッシュ状又はマトリックス状の分散模様に非導体部分が配置されて形成されたサーマルランドを備えている。

また、本発明のプリント配線基板は、非導体部分の配列方向に沿って絶縁層を介して隣接する信号配線が、非導体部分に重ならないように形成されているものであってもよい。

また、本発明のプリント配線基板のべた領域は、電源線又はグランド線であってもよい。

また、本発明のプリント配線基板のサーマルランドは、絶縁層を介して少なくとも一方の側に信号配線が形成されているべた領域のスルーホールの周りに設けられ、信号配線は、同一平面上の互いに交差する第１の方向又は／及び第２の方向に沿って形成されていると共に、少なくとも一部の非導体部分は、第１の方向又は／及び第２の方向に沿って配列されているものであってもよい。

また、本発明のプリント配線基板は、所定のサイズの非導体部分が略角環状に配置されてなる非導体領域群が、スルーホールの周りに多重に設けられ、スルーホールの中心から離れる方向に沿って、非導体領域群を構成する非導体部分のサイズが互いに異なるように設定されていることを特徴としている。

また、本発明のプリント配線基板は、離れる方向に沿って、非導体領域群を構成する非導体部分のサイズが、小さくなるように設定されているものであってもよい。

また、本発明のプリント配線基板は、非導体部分の配列方向に沿って、絶縁層を介して隣接し、差動信号伝送路を構成し対をなす信号配線が、共に、非導体部分に重なるように、又は非導体部分の近傍の導体部分に重なるように形成され、かつ、配線経路に沿って、非導体部分又は導体部分を略同一区間で通過するように形成されているものであってもよい。

また、本発明のプリント配線基板のサーマルランドは、電気部品に設けられたリード端子と導電層とを、リード端子がスルーホールに挿通された状態で、スルーホールの部位にて半田付けする際に、熱放散を抑制するために形成されているものであってもよい。

また、本発明のプリント配線基板は、スルーホールを介して、表面実装部品としての電気部品に設けられた接続端子と導電層とが接続されるものであってもよい。

また、本発明の電子機器は、本発明のプリント配線基板を備えている。

本発明によれば、サーマルランドは、べた領域が形成された導電層のスルーホールの周辺に、メッシュ状又はマトリックス状の分散模様に非導体部分が配置されて形成されている。このため、スルーホールの熱容量を低減させ、スルーホールから拡散する熱を抑制することができる。その結果、本発明によれば、プリント配線基板の高多層化及び半田の鉛フリー化に対応して良好な半田付けの仕上がり状態を維持し、高い接続信頼性を確保することができる。

また、サーマルランドにおいては、導体を除去して形成された複数の非導体部分が配置され、非導体部分間の導体領域が電流経路として機能するので、電流経路を確保し、十分な電流容量を得ることができる。

また、信号配線が、非導体部分の配列方向に沿って、非導体部分の近傍の導体部分に重なるように形成されることによって、例えば、信号配線の信号伝送特性を良好に保ち、かつ、信号配線密度を向上させることができる。

また、複数の非導体部分が、メッシュ状又はマトリックス状に配置されることによって、スルーホール近傍の導電層の平坦性を維持することができる。

関連する技術を説明するための説明図であって、関連する多層プリント配線板の構成を示す断面図である。 関連する技術を説明するための説明図であって、関連する多層プリント配線板のグランド層に形成されたサーマルランドの構成を示す断面図である。 関連する技術を説明するための説明図であって、同多層プリント配線板の電源層に形成されたサーマルランドの構成を示す断面図である。 この発明の第１の実施形態である多層プリント配線板のグランド層に形成されたサーマルランドの構成を示す断面図である。 同多層プリント配線板の電源層に形成されたサーマルランドの構成を示す断面図である。 同多層プリント配線板の構成を示す断面図である。 この発明の第２の実施形態である多層プリント配線基板の構成を示す断面図である。 この発明の第３の実施形態である多層プリント配線基板の構成を示す断面図である。

サーマルランドは、べた領域が形成された導電層のスルーホールの周辺に、メッシュ状又はマトリックス状の分散模様に非導体部分が配置されて形成されている。この構成により、スルーホールの熱容量を低減させ、スルーホールから拡散する熱を抑制し、プリント配線基板の高多層化及び半田の鉛フリー化に対応して良好な半田付けの仕上がり状態を維持し、高い接続信頼性を確保するという第１の目的を実現した。

また、サーマルランドにおいては、導体を除去して形成された複数の非導体部分が配置され、非導体部分間の導体領域が電流経路として機能することによって、電流経路を確保し、十分な電流容量を得るという第２の目的を実現した。

また、信号配線が、非導体部分の配列方向に沿って、非導体部分の近傍の導体部分に重なるように形成されることによって、例えば、信号配線の信号伝送特性を良好に保ち、かつ、信号配線密度を向上させるという第３の目的を実現した。

また、複数の非導体部分が、メッシュ状又はマトリックス状に配置されることによって、スルーホール近傍の導電層の平坦性を維持するという第４の目的を実現した。
（実施形態１）
図４は、この発明の第１の実施形態である多層プリント配線板のグランド層に形成されたサーマルランドの構成を示す断面図である。図５は、同多層プリント配線板の電源層に形成されたサーマルランドの構成を示す断面図である。図６は、同多層プリント配線板の構成を示す断面図である。

この例の多層プリント配線板１は、コンピュータや通信装置等の電子機器に実装され、図６に示すように、複数の導電層２と絶縁層３とが交互に積層されてなる多層構造を有する。また、多層プリント配線板１は複数のスルーホール６ａ，６ｂ，…を有している。複数のスルーホール６ａ，６ｂ，…は、表面から裏面へ至るまで複数の導電層２及び絶縁層３を貫通し、電子部品又は電気部品としてのスルーホール実装部品(リード付き挿入部品）４の半田付け用のリード５ａ，５ｂ，…が挿入される。

スルーホール６ａ，６ｂ，…には、スルーホール実装部品４の半田付け用のリード５ａ，５ｂ，…が挿入される。そして、スルーホール６ａ，６ｂ，…は、リード５ａ，５ｂ，…が挿入された状態で半田７が充填される。スルーホール実装部品４の端子は対応する導電層２に接続されてスルーホール実装部品４が取り付けられる。

例えば、スルーホール実装部品４のリード５ａ，５ｂは、それぞれ、電源接続用のコンタクト、グランド接続用のコンタクトとして用いられ、スルーホール６ａ，６ｂを介して、電源層９、グランド層１１に接続される。なお、スルーホール６ａ，６ｂ，…の内壁面には、金属めっきが施されている。

各導電層２は、信号層８、電源層９、グランド層１１又は表面層１２からなる。ここでは、４層の信号層８、１層の電源層９、３層のグランド層１１、２層の表面層１２からなる１０層構造の多層プリント配線板の例が示されている。

特に、電源層９、グランド層１１は、スルーホール６ａ，６ｂと、スルーホール６ａ，６ｂの周りの後述する非銅箔領域を除いて全面に導電性領域が形成されたベタパターンとされている。また、図４及び図５に示すように、電源層９、グランド層１１においては、スルーホール６ａ，６ｂの縁部に、半田付けの際の熱拡散を抑制するためのサーマルランド１３ａ，１３ｂが形成されている。

また、この例では、各信号層８においては、ｘ軸方向又は／及びｙ軸方向に沿って、それぞれ所定の幅の信号配線が形成されている。

グランド層１１に形成されたサーマルランド１３ｂは、図４に示すように、円形状のスルーホール６ｂの周りに、正方形状の非銅箔領域１５ｂ，１５ｂ，…が、ｘ軸方向及びｙ軸方向に沿って、所定の間隔でメッシュ状（格子状に）スルーホール６ｂを囲むように配置されている。さらに、サーマルランド１３ｂには、非銅箔領域１５ｂ，１５ｂ，…を二重に囲むように、正方形状の非銅箔領域１６ｂ，１６ｂ，…が、ｘ軸方向及びｙ軸方向に沿って、所定の間隔でメッシュ状（格子状に）配置されて概略構成されている。

すなわち、サーマルランド１３ｂには、角環状に各非銅箔領域１５ｂ（１６ｂ）が配列されることで形成された非銅箔領域群１７ｂ，１８ｂ，１９ｂが、スルーホール６ｂを３重に囲むように配置されている。

すなわち、サーマルランド１３ｂは、角環状に各非銅箔領域１５ｂ（１６ｂ）が配列されることで形成された非銅箔領域群１７ｂ，１８ｂ，１９ｂを有する。そして、これら非銅箔領域群１７ｂ，１８ｂ，１９ｂは、スルーホール６ｂを３重に囲むように配置されている。

この例では、スルーホール６ｂの縁部に接触するように、比較的大面積（例えば、１辺の長さがスルーホール６ｂの直径の略１／２）の４つの非銅箔領域１５ｂが、ｘ軸方向及びｙ軸方向に沿って４方に配置されている。そして、対角方向に沿ってスルーホール６ｂと所定の距離だけ離れた位置に４つの非銅箔領域１５ｂが配置されて非銅箔領域群１７ｂが形成されている。すなわち、８つの非銅箔領域１５ｂがスルーホール６ｂの周りに角環状に配置されている。

また、角環状に配置された８つの非銅箔領域１５ｂからなる非銅箔領域群１７ｂの周りには、比較的小面積（例えば、１辺の長さがスルーホール６ｂの直径の略１／３）の１６の非銅箔領域１６ｂが角環状に配置されて非銅箔領域群１８ｂが形成されている。さらに、角環状に配置された１６の非銅箔領域１６ｂからなる非銅箔領域群１８ｂの周りには、２４の非銅箔領域１６ｂが角環状に配置されて非銅箔領域群１９ｂが形成されている。

各非銅箔領域１５ｂ，１６ｂは、銅箔がエッチングされることで形成され、熱及び電気の非伝導領域となっている。また、スルーホール６ｂと対角方向に配置された非銅箔領域１５ｂとの間、非銅箔領域１５ｂ，１５ｂ間、非銅箔領域１５ｂ，１６ｂ間、非銅箔領域１６ｂ，１６ｂ間の領域は、熱及び電気を伝導する銅箔が残された銅箔領域からなっている。

ここで、各非銅箔領域１５ｂ，１６ｂの形状及びサイズや、非銅箔領域１５ｂ，１６ｂの配置パターン、スルーホール６ｂの周りの非銅箔領域１５ｂ，１６ｂを形成する領域（範囲）、非銅箔領域１５ｂ，１５ｂ間、非銅箔領域１６ｂ，１６ｂ間及び非銅箔領域１５ｂ，１６ｂ間の距離（すなわち、電流経路の幅）等は、例えば、目標とするスルーホール６ｂの周りの熱容量や、電流容量の許容範囲に応じて設定される。

この例では、絶縁層３を介してグランド層１１の直上及び直下に形成された信号層８においては、所定の幅の信号配線８ｅ，８ｆ及び信号配線８ｇ，８ｈ（図４中、その経路を破線によって示す。）が、ｘ軸方向及びｙ軸方向に沿って、直線状に形成されている。

ここで、信号配線８ｅ，８ｆは、所定の間隔を保って、ｘ軸方向に沿って同一平面上を互いに平行に形成されている。

信号配線８ｅは、その中心線が、図中スルーホール６ｂの下方にｘ軸方向に沿って配置された非銅箔領域１５ｂ、内周側及び外周側の非銅箔領域１６ｂと、これらの下方に配列された内周側及び外周側の非銅箔領域１６ｂとの間の銅箔領域に重なるように（すなわち、信号配線８ｅが銅箔領域によって覆われるように）配置されている。信号配線８ｆは、その中心線が、図中スルーホール６ｂの下方にｘ軸方向に沿って配置された内周側及び外周側の非銅箔領域１６ｂと、これらの下方に配列された外周側の非銅箔領域１６ｂとの間の銅箔領域に重なるように配置されている。

また、信号配線８ｇ，８ｈは、所定の離隔を保って、ｙ軸方向に沿って同一平面上を互いに平行に形成されている。

信号配線８ｇは、その中心線が、図中スルーホール６ｂの左方にｙ軸方向に沿って配置された非銅箔領域１５ｂ、内周側及び外周側の非銅箔領域１６ｂと、これらの左方に配列された内周側及び外周側の非銅箔領域１６ｂとの間の銅箔領域に重なるように（すなわち、信号配線８ｇが銅箔領域によって覆われるように）配置されている。信号配線８ｈは、その中心線が、図中スルーホール６ｂの左方にｙ軸方向に沿って配置された内周側及び外周側の非銅箔領域１６ｂと、これらの左方に配列された外周側の非銅箔領域１６ｂとの間の銅箔領域に重なるように配置されている。

電源層９に形成されたサーマルランド１３ａは、図５に示すように、円形状のスルーホール６ａの周りに、正方形状の非銅箔領域１５ａ，１５ａ，…が、ｘ軸方向及びｙ軸方向に沿って、所定の間隔でメッシュ状（格子状に）スルーホール６ａを囲むように配置されている。さらに、サーマルランド１３ａには、非銅箔領域１５ａ，１５ａ，…を２重に囲むように、正方形状の非銅箔領域１６ａ，１６ａ，…が、ｘ軸方向及びｙ軸方向に沿って、所定の間隔でメッシュ状（格子状に）配置されて概略構成されている。

すなわち、サーマルランド１３ａは、角環状に各非銅箔領域１５ａ（１６ａ）が配列されることで形成された非銅箔領域群１７ａ，１８ａ，１９ａが、スルーホール６ａを３重に囲むように配置されている。

この例では、スルーホール６ａの縁部に接触するように、比較的大面積（例えば、１辺の長さがスルーホール６ａの直径の略１／２）の４つの非銅箔領域１５ａが、ｘ軸方向及びｙ軸方向に沿って４方に配置されている。そして、対角方向に沿ってスルーホール６ａと所定の離隔を保って４つの非銅箔領域１５ａが配置されて非銅箔領域群１７ａが形成されている。すなわち、８つの非銅箔領域１５ａがスルーホール６ａの周りに角環状に配置されている。

また、角環状に配置された８つの非銅箔領域１５ａからなる非銅箔領域群１７ａの周りには、比較的小面積（例えば、１辺の長さがスルーホール６ａの直径の略１／３）の１６個の非銅箔領域１６ａが角環状に配置されて非銅箔領域群１８ａが形成されている。さらに、角環状に配置された１６の非銅箔領域１６ａからなる非銅箔領域群１８ａの周りには、２４個の非銅箔領域１６ａが角環状に配置されて非銅箔領域群１９ａが形成されている。

各非銅箔領域１５ａ，１６ａは、銅箔がエッチングされることで形成され、熱及び電気の非伝導領域とされている。また、スルーホール６ａと対角方向に配置された非銅箔領域１５ａとの間、非銅箔領域１５ａ，１５ａ間、非銅箔領域１５ａ，１６ａ間、非銅箔領域１６ａ，１６ａの領域は、熱及び電気を伝導する銅箔が残された銅箔領域からなっている。

ここで、各非銅箔領域１５ａ，１６ａの形状及びサイズや、非銅箔領域１５ａ，１６ａの配置パターン、スルーホール６ａの周りの非銅箔領域１５ａ，１６ａを形成する領域（範囲）、非銅箔領域１５ａ，１５ａ間、非銅箔領域１６ａ，１６ａ間及び非銅箔領域１５ａ，１６ａ間の距離（すなわち、電流経路の幅）等は、例えば、目標とするスルーホール６ａの周りの熱容量や、電流容量の許容範囲に応じて設定される。

この例では、絶縁層３を介して電源層９の直上及び直下に形成された信号層８においては、所定の幅の信号配線８ａ，８ｂ及び信号配線８ｃ，８ｄ（図５中、その経路を破線によって示す。）が、ｘ軸方向及びｙ軸方向に沿って、直線状に形成されている。

ここで、一対の信号配線８ａ，８ｂは、所定の間隔を保って、ｘ軸方向に沿って同一平面上を互いに平行に形成され、差動線路として用いられる。

信号配線８ａは、その中心線が、図中スルーホール６ａの下方にｘ軸方向に沿って配置された内周側及び外周側の非銅箔領域１６ａの中心を通るように配置されている。信号配線８ｂは、その中心線が、角環状に配置された外周側の非銅箔領域１６ａのうち、図中スルーホール６ａの下方にｘ軸方向に沿って配置された非銅箔領域１６ａの中心を通るように配置されている。

また、一対の信号配線８ｃ，８ｄは、所定の離隔を保って、ｙ軸方向に沿って同一平面上を互いに平行に形成され、差動線路として用いられる。

信号配線８ｃは、その中心線が、図中スルーホール６ａの左方にｙ軸方向に沿って配置された内周側及び外周側の非銅箔領域１６ａの中心を通るように配置されている。信号配線８ｄは、その中心線が、角環状に配置された外周側の非銅箔領域１６ａのうち、図中スルーホール６ａの左方にｙ軸方向に沿って配置された非銅箔領域１６ａの中心を通るように配置されている。

次に、図４乃至図６を参照して、上記構成のサーマルランドの機能について説明する。

スルーホール実装部品４を多層プリント配線板１に搭載するための半田付けの際に、例えば半田鏝から半田に与えられた熱は、図６に示すように、スルーホール６ａ，６ｂ，…を介して各導電層２に伝わる。電源層９（グランド層１１）においては、熱は、各スルーホール６ａ（６ｂ）からそのスルーホール６ａ（６ｂ）から見て周縁部へ向けて拡散する。

スルーホール６ａ（６ｂ）に対応するサーマルランド１３ａ（１３ｂ）において、図４及び図５に示すように、半田が充填されたスルーホール６ａ（６ｂ）から伝えられた熱は、スルーホール６ａ（６ｂ）の縁部に接触した非銅箔領域１５ａ，１５ａ（１５ｂ，１５ｂ）間の銅箔領域の内側端縁の任意の位置から、角環状に配置された非銅箔領域１５ａ，１５ａ（１５ｂ，１５ｂ）間の銅箔領域、非銅箔領域１５ａ，１６ａ（１５ｂ，１６ｂ）間の銅箔領域、非銅箔領域１６ａ，１６ａ（１６ｂ，１６ｂ）間の銅箔領域を伝導し、メッシュ状の経路を迂回しながら遅滞させられて伝導して、サーマルランド１３ａ（１３ｂ）の周囲のベタパターン領域へ伝えられる。本発明は、内周側の銅箔領域が外周側の銅箔領域よりも狭いことにより、半田付け時に、スルーホール６ａ（６ｂ）近傍の熱放散を抑制することができる。

また、例えば、スルーホール６ａ（６ｂ）の周りにはメッシュ状の銅箔領域が形成されている。すなわち、スルーホール実装部品４を多層プリント配線板１に取り付けた後、多層プリント配線板１を実装した電子機器として使用した場合、本発明は、電流経路が複雑に分岐されていることとなるので、特定の幅の狭い部位への局部的な電流の集中を回避することができる。

また、信号配線８ｅ，８ｆ及び信号配線８ｇ，８ｈは、それぞれ所定の間隔を保って、非銅箔領域１５ｂ，１６ｂの配列方向（ｘ軸方向又はｙ軸方向）に沿って、直線状に形成されている。また、信号配線８ｅ，８ｆ及び信号配線８ｇ，８ｈは、非銅箔領域１５ｂ，１５ｂ（１５ｂ，１６ｂ）間の銅箔領域に重なるように（すなわち、信号配線８ｅ，８ｆ及び信号配線８ｇ，８ｈが銅箔領域によって覆われるように）配置されている。これにより、信号配線８ｅ，８ｆ及び信号配線８ｇ，８ｈは、対向するグランド層１１によって、電流のリターン経路が確保される。

また、それぞれ、差動信号伝送路を形成する信号配線８ａ，８ｂ及び信号配線８ｃ，８ｄは、所定の間隔を保って、非銅箔領域１５ａの配列方向（ｘ軸方向又はｙ軸方向）に沿って、非銅箔領域１５ａを通過するように、直線状に形成されている。また、信号配線８ａ，８ｂ及び信号配線８ｃ，８ｄは、対向する電源層９の非銅箔領域／銅箔領域のパターン構成が同一であることにより、一対の信号配線間の電気的特性に差が生じることがない。

このように、この例の構成によれば、スルーホール実装部品４を多層プリント配線板１に搭載するための半田付けの際に、スルーホール６ａ（６ｂ）から伝わった熱は、このまま、放射方向に沿って伝導せずに、非銅箔領域１５ａ，１５ａ（１５ｂ，１５ｂ）間、非銅箔領域１６ａ，１６ａ（１６ｂ，１６ｂ）間、非銅箔領域１５ａ，１６ａ（１５ｂ，１６ｂ）間のメッシュ状の銅箔領域を迂回しながら遅滞させられて伝導して、サーマルランド１３ａ（１３ｂ）の周囲のベタパターン領域へ伝えられる。このため、スルーホール６ａ（６ｂ）の熱容量を低減させ、スルーホール６ａ（６ｂ）から熱が拡散するのを抑制することができる。

このように、半田付けの際のスルーホール６ａ（６ｂ）周りの熱容量は、電源層９（グランド層１１）のベタパターンに形成されたサーマルランド１３ａ（１３ｂ）によって十分に低減される。このため、熱がスルーホール６ａ（６ｂ）に伝わり易くなり、スルーホール６ａ（６ｂ）は十分に加熱され、スルーホール６ａ（６ｂ）内部の温度を半田付けのために十分な温度まで上昇させることができることとなる。その結果、溶融した半田は、スルーホール６ａ（６ｂ）内にて良好にすい上げられる。

このように本発明は、プリント基板の高多層化及び半田の鉛フリー化に対応し、熱の拡散を抑制して良好な半田付けの仕上がり状態を維持し、高い接続信頼性を確保することができる。

また、スルーホール６ａ（６ｂ）の周りにはメッシュ状の銅箔領域が形成されている。つまり、本発明は、電流経路が複雑に分岐されていることとなり、特定の幅の狭い部位への局部的な電流の集中を回避させるように電流経路を確保し、全体として十分な電流容量を得ることができると共に、比較的低抵抗である。したがって、本発明は、異常な温度上昇や、電圧ドロップ等の不具合を防止することができる。

また、信号配線８ｅ，８ｆ及び信号配線８ｇ，８ｈは、それぞれ所定の間隔を保って非銅箔領域１５ｂ，１６ｂの配列方向（ｘ軸方向又はｙ軸方向）に沿って直線状に形成されている。また、信号配線８ｅ，８ｆ及び信号配線８ｇ，８ｈは、非銅箔領域１５ｂ，１５ｂ（１５ｂ，１６ｂ）間の銅箔領域に重なるように（すなわち、信号配線８ｅ，８ｆ及び信号配線８ｇ，８ｈが銅箔領域によって覆われるように）配置されている。このため、信号配線８ｅ，８ｆ及び信号配線８ｇ，８ｈは、対向するグランド層１１によって、電流のリターン経路が確保され、信号伝送特性を良好に保つことができる。本発明は、非銅箔領域を回避するための迂回経路を形成する必要もないので、隣接する信号配線との間に十分なクリアランスを確保することができると共に信号配線密度を向上させることができる。

また、それぞれ、差動信号伝送路を形成する信号配線８ａ，８ｂ及び信号配線８ｃ，８ｄは、所定の間隔を保って、非銅箔領域１５ａの配列方向（ｘ軸方向又はｙ軸方向）に沿って、非銅箔領域１５ａを通過するように、直線状に形成されている。また、信号配線８ａ，８ｂ及び信号配線８ｃ，８ｄは、対向する電源層９の非銅箔領域／銅箔領域のパターン構成が同一である。このため、本発明は、一対の信号配線間の電気的特性に差が生じることなく、良好な信号伝送特性を得ることができる。

すなわち、信号配線８ａ，８ｂが通過する非銅箔領域１５ａ，１５ａと、信号配線８ｃ，８ｄが通過する非銅箔領域１５ａ，１５ａとは、それぞれ、同一の配列パターン（同一の配列方向及び同一の離隔）であり、かつ、同一の形状及びサイズである。これは、信号配線８ａと信号配線８ｂとは配線条件が同一となり、また、信号配線８ｃと信号配線８ｄも配線条件が同一となる、ということである。

また、本発明は、非銅箔領域を回避するための迂回経路を形成する必要がないので、信号配線間にて配線長に差が生じることなく、ノイズを発生させることもない。これにより、スルーホール近傍であっても高密度に信号配線を形成することができる。

このように、本発明は、ベタパターンが形成された電源層やグランド層に絶縁層を介して対向する信号層のうちのスルーホール近傍に形成された信号配線に、非銅箔領域のメッシュ状の配置パターンに合わせるように信号配線パターンが形成されている。このため、本発明は、信号配線の信号伝送特性を良好に保ち、かつ、信号配線密度を向上させることができる。

また、本発明は、関連する技術に比較して小面積の非銅箔領域１５ａ，１６ａ（１５ｂ，１６ｂ）が、ｘ軸方向及びｙ軸方向に沿って所定の間隔でメッシュ状に（格子状に）配置されている。すなわち、非銅箔領域１５ａ，１６ａ（１５ｂ，１６ｂ）は規則正しく配置されている。このため、非銅箔領域１５ａ，１６ａ（１５ｂ，１６ｂ）が形成された箇所における、絶縁層を介した直下及び直上の導電層（メタル層）としての信号層や電源層、グランド層の撓み（非銅箔領域における陥没）が防止され、スルーホール近傍の導電層の平坦性を維持することができる。この結果、本発明は、電気的特性のばらつきを抑制することができることとなる。

また、予め非銅箔領域の配置パターンが設定されている場合、対向する信号層の配線パターンの設計は容易なものとなる。

また、本発明の構成は、多層プリント配線板１が実装されたコンピュータや通信装置等の電子機器の信頼性を向上に寄与することができる。
（実施形態２）
図７は、本発明の第２の実施形態である多層プリント配線板の構成を示す断面図である。

本実施形態が上述した第１の実施形態と大きく異なるところは、スルーホール実装部品に代えて、表面実装部品（ＳＭＤ：Surface Mount Device）の実装に適用した点である。

これ以外の構成は、上述した第１の実施形態の構成と略同一であるので、第１の実施形態と同一の構成要素については、図７において、図６で用いた符号と同一の符号を用いて、その説明を簡略にする。

本実施形態の多層プリント配線板１Ａは、コンピュータや通信装置等の電子機器に実装され、図７に示すように、複数の導電層２１と絶縁層２２とが積層されてなる多層構造を有する。また、多層プリント配線板１Ａは、複数のスルーホール２５ａ，２５ｂ，…を有している。複数のスルーホール２５ａ，２５ｂ，…は、多層プリント配線板１Ａの表面から裏面へ至るまで複数の導電層２１及び絶縁層２２を貫通しており、電子部品又は電気部品としての表面実装部品２３の接続端子２４を内層の導電層２１に接続するために用いられる。

表面実装部品２３は、スルーホール２５ａ，２５ｂ，…を介して、接続端子２４が対応する導電層２１に接続されて、多層プリント配線板１Ａに取り付けられている。

なお、スルーホール２５ａ，２５ｂ，…の内壁面には、金属めっきが施されている。多層プリント配線板１Ａの表面には半田パッド２６が形成されている。表面実装部品２３には半田パッド２６に対応した接続端子２４が形成されている。表面実装部品２３の接続端子２４が半田７を介して半田パッド２６に物理的及び電気的に接続されることで表面実装部品２３は多層プリント配線板１Ａに取り付けられている。

例えば、スルーホール２５ａは、電源層２８に接続されるとともに対応する半田パッド２６に接続されている。また、スルーホール２５ｂは、グランド層２９に接続されるとともに対応する半田パッド２６に接続されている。

各導電層２１は、信号層２７、電源層２８、グランド層２９、又は半田パッド２６を含む表面層３１からなる。本実施形態では、４層の信号層２７、１層の電源層２８、３層のグランド層２９、２層の表面層３１からなる１０層構造の多層プリント配線板の例が示されている。

特に、電源層２８、グランド層２９は、スルーホール２５ａ，２５ｂ，…と、スルーホール２５ａ，２５ｂ，…の周りのメッシュ状の非銅箔領域を除いて全面に導電性領域が形成されたベタパターンとされている。また、電源層２８、グランド層２９においては、スルーホール２５ａ，２５ｂ，…の縁部に、半田付けの際の熱拡散を抑制するためのサーマルランド３２ａ，３２ｂ，…が形成されている。

本実施形態のサーマルランド３２ａ，３２ｂ，…は、上述した第１の実施形態のサーマルランド１３ａ，１３ｂ，…と略同一の構成とされている。

電源層２８、グランド層２９のスルーホール２５ａ，２５ｂ，…周りには、熱拡散を抑制するためのサーマルランド３２ａ，３２ｂ，…が形成されている。このため、表面実装部品２３を多層プリント配線板１Ａに搭載するための半田付けの際には、半田パッド２６、スルーホール２５ａ（２５ｂ）、電源層２８（グランド層２９）を経由した熱伝導が抑制され、表面層３１としての半田パッド２６の周りの熱容量は十分に小さく制御される。その結果、半田７は十分に加熱されて溶融するので良好な半田付けを行うことができる。

また、スルーホール３２ａ（３２ｂ）の周りにはメッシュ状の銅箔領域が形成されている。すなわち、表面実装部品２３を多層プリント配線板１Ａに取り付けた後、多層プリント配線板１Ａを実装した電子機器の使用した場合、本発明は、電流経路が複雑に分岐されていることになるので、特定の幅の狭い部位への局部的な電流の集中を回避することができる。このように、本発明は、全体として十分な電流容量を得ることができると共に比較的低抵抗であるので、異常な温度上昇や、電圧ドロップ等の不具合が防止される。

本実施形態の構成によれば、上述した第１の実施形態と略同様の効果を得ることができる。
（実施形態３）
図８は、この発明の第３の実施形態である多層プリント配線板の構成を示す断面図である。

本実施形態が上述した第２の実施形態と大きく異なるところは、多層プリント配線板をビルドアップ基板とした点である。

これ以外の構成は、上述した第２の実施形態の構成と略同一であるので、第２の実施形態と同一の構成要素については、図８において、図７で用いた符号と同一の符号を用いて、その説明を簡略にする。

本実施形態の多層プリント配線板１Ｂは、コンピュータや通信装置等の電子機器に実装される。多層プリント配線板１Ｂは、図８に示すように、コア層４３と、ビルドアップ基板とからなる。コア層４３は複数の導電層４１と絶縁層４２とが積層された多層構造である。ビルドアップ基板はビルドアップ層４４，４５を有する。また、多層プリント配線板１Ｂは、スルーホール４８ａ及びスルーホール４８ｂを有する。スルーホール４８ａは、コア層４３の表面から裏面へ至るまで複数の導電層４１及び絶縁層４２を貫通している。スルーホール４８ｂは、ビルドアップ層４４の表面からビルドアップ層４５の裏面へ至るまでコア層４３及びビルドアップ層４４，４５を貫通している。スルーホール４８ａ及びスルーホール４８ｂは、共に、表面実装部品４６の接続端子４７を内層の導電層４１に接続させている。

なお、スルーホール４８ａ，４８ｂの内壁面には、金属めっきが施されている。
多層プリント配線板１Ｂの表面には半田パッド４９が形成されている。表面実装部品４６には半田パッド４９に対応した接続端子４７が形成されている。表面実装部品４６の接続端子４７が半田７を介して半田パッド４９に接続されることで、表面実装部品４６が多層プリント配線板１Ｂに取り付けられる。また、所定の接続端子４７は、ビルドアップ層４４に形成されたビアホール５１とスルーホール４８ａとを介して、所定の導電層４１に接続される。

例えば、スルーホール４８ａは、電源層５３に接続されていると共に、ビアホール５１を介して対応する半田パッド４９に接続されている。また、スルーホール４８ｂは、グランド層５４に接続されていると共に対応する半田パッド４９に接続されている。

各導電層４１は、信号層５２、電源層５３、グランド層５４、又は半田パッド４９を含む表面層５５からなる。特に、電源層５３、グランド層５４は、スルーホール４８ａ，４８ｂと、スルーホール４８ａ，４８ｂの周りのメッシュ状の非銅箔領域を除いて全面に導電性領域が形成されたベタパターンとされている。また、電源層５３、グランド層５４においては、スルーホール４８ａ，４８ｂの縁部に、半田付けの際の熱拡散を抑制するためのサーマルランド５６ａ，５６ｂが形成されている。

本実施形態のサーマルランド５６ａ，５６ｂは、上述した第２の実施形態のサーマルランド３２ａ，３２ｂ，…と略同一の構成である。

電源層５３（グランド層５４）のスルーホール４８ａ（４８ｂ）の周りには、熱拡散を抑制するためのサーマルランド５６ａ（５６ｂ）が形成されている。このため、表面実装部品４６を多層プリント配線板１Ｂに搭載するための半田付けの際には、半田パッド４９、ビアホール５１、スルーホール４８ａ、電源層５３（半田パッド４９、スルーホール４８ｂ、グランド層５４）を経由した熱伝導が抑制され、表面層５５としての半田パッド４９の周りの熱容量は十分に小さく制御される。その結果、半田７は十分に加熱されて溶融するので良好な半田付けを行うことができる。

また、スルーホール４８ａ（４８ｂ）の周りにはメッシュ状の銅箔領域が形成されている。すなわち、表面実装部品４６を多層プリント配線板１Ｂに取り付けた後、多層プリント配線板１Ｂを実装した電子機器の使用した場合、本発明は、電流経路が複雑に分岐されていることになるので、特定の幅の狭い部位への局部的な電流の集中を回避することができる。このように、本発明は、全体として十分な電流容量を得ることができると共に比較的低抵抗であるので、異常な温度上昇や、電圧ドロップ等の不具合が防止される。

本実施形態の構成によれば、上述した第２の実施形態と略同様の効果を得ることができる。

以上、本発明の実施形態を図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても本発明に含まれる。

例えば、上述した実施形態では、非銅箔領域の形状を正方形状とする場合について述べたが、正方形状に限らず、円形や楕円形でも良いし、多角形でも良いし、不定形であっても良い。また、形成された層の配線パターンや他のスルーホールの配置パターン等に応じて、非対称な形状としても良い。

また、上述した実施形態では、環状の非銅箔領域群を３重に配置した場合について述べたが、４重以上としても良いし、１つのみ又は２重としても良い。また、上述した実施形態では、非銅箔領域群を構成する非銅箔領域のサイズを２段階に変更する場合について述べたが、３段階以上としても良し、サイズを一様としても良い。

また、非銅箔領域の配置方向は、直交させずに、斜交していても良い。また、メッシュ構造は、格子状に限らず、三角メッシュ状であっても良い。

また、本発明の非銅箔領域がメッシュ状に配置されたサーマルランドは、電源層及びグランド層の全てのスルーホールの周りに形成しなくても良く、例えば、保護対象の信号配線が近傍に形成されていない箇所では、関連する構成のサーマルランドを形成するようにしても良い。

また、金属箔として、銅箔のほか、例えば、銀箔やアルミニウム箔を用いる場合に適用できる。

また、導体層の形成方法として、絶縁層に接着した金属箔をエッチングして形成する方法のほか、めっきによって形成する方法を用いる場合に適用できる。

また、層間（導電層間）の絶縁層としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等からなる板状、フィルム状、又は膜状の絶縁層を形成する方法を用いる場合に適用できる。

プリント配線基板において、導電層として、同一面上に、電源配線や、グランド配線、信号配線が混在した導電層が形成されている場合にも適用できる。

この出願は、２００６年８月２日に出願された日本特許出願特願２００６−２１１４５０を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

Claims (10)

1. 電気部品を搭載し、絶縁層と導電層とが交互に積層され、かつ、前記導電層の所定の部位に形成された熱容量が大きいべた領域を備え、スルーホールによって貫通される前記べた領域の当該スルーホールの周辺に、メッシュ状又はマトリックス状の分散模様に非導体部分が配置されて形成されたサーマルランドを備えるプリント配線基板。
2. 前記非導体部分の配列方向に沿って前記絶縁層を介して隣接する信号配線が、前記非導体部分に重ならないように形成されている請求の範囲１に記載のプリント配線基板。
3. 前記べた領域は、電源線又はグランド線である請求の範囲１に記載のプリント配線基板。
4. 前記サーマルランドは、前記絶縁層を介して少なくとも一方の側に前記信号配線が形成されている前記べた領域の前記スルーホールの周りに設けられ、前記信号配線は、同一平面上の互いに交差する第１の方向又は／及び第２の方向に沿って形成されていると共に、少なくとも一部の前記非導体部分は、前記第１の方向又は／及び前記第２の方向に沿って配列されている請求の範囲２に記載のプリント配線基板。
5. 所定のサイズの前記非導体部分が略角環状に配置されてなる非導体領域群が、前記スルーホールの周りに多重に設けられ、前記スルーホールの中心から離れる方向に沿って、前記非導体領域群を構成する前記非導体部分のサイズが互いに異なるように設定されている請求の範囲１に記載のプリント配線基板。
6. 前記非導体領域群を構成する前記非導体部分のサイズが、前記離れる方向に沿って小さくなるように設定されている請求の範囲５に記載のプリント配線基板。
7. 前記非導体部分の配列方向に沿って、前記絶縁層を介して隣接し、差動信号伝送路を構成し対をなす信号配線が、共に、前記非導体部分に重なるように、又は前記非導体部分の近傍の導体部分に重なるように形成され、かつ、配線経路に沿って、前記非導体部分又は前記導体部分を略同一区間で通過するように形成されている請求の範囲１に記載のプリント配線基板。
8. 前記サーマルランドは、前記電気部品に設けられたリード端子と前記導電層とを、前記リード端子が前記スルーホールに挿通された状態で、前記スルーホールの部位にて半田付けする際に、熱放散を抑制するために形成されている請求の範囲１に記載のプリント配線基板。
9. 前記スルーホールを介して、表面実装部品としての前記電気部品に設けられた接続端子と前記導電層とが接続される請求の範囲１に記載のプリント配線基板。
10. 請求の範囲１乃至９のいずれか１に記載のプリント配線基板を備えている電子機器。

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