JPWO2007123212A1 - Ti膜の成膜方法 - Google Patents
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Abstract
一対の平行平板電極として機能するシャワーヘッド(10)および電極(8)を有するチャンバ(1)内に、間口径が0.13μm以下および/またはアスペクト比が10以上のホールを有するウエハWを配置する。処理ガスとしてTiCl4ガスおよびH2ガスおよびArガスを導入しつつシャワーヘッド(10)に高周波電源(34)から高周波電力を供給してこれらの間にプラズマを形成する。そのプラズマにより処理ガスの反応を促進してウエハにTi膜を成膜する。この際に、Arガス流量を1600mL/min(sccm)未満またはArガス分圧を816.54Pa未満に制御して前記プラズマが形成された際の前記ホールの底部に到達するイオン量を低減しつつTi膜を成膜する。
Description
本発明は、チャンバ内においてシャワーヘッドからTiCl4ガスを含む処理ガスを吐出させてチャンバ内に配置された被処理基板の表面にTi膜を成膜するTi膜の成膜方法に関する。
半導体デバイスの製造においては、最近の高密度化および高集積化の要請に対応して、回路構成を多層配線構造にする傾向にあり、このため、下層の半導体基板と上層の配線層との接続部であるコンタクトホールや、上下の配線層同士の接続部であるビアホールなどの層間の電気的接続のための埋め込み技術が重要になっている。
このようなコンタクトホールやビアホールの埋め込みに用いられる金属や合金と下層のSi基板やpoly−Si層と間に良好なコンタクトを形成する必要がある。このために、これらの埋め込みに先立ってコンタクトホールやビアホールの内側にTi膜を成膜することが行われている。
このようなTi膜は、従来から物理的蒸着(PVD)を用いて成膜されていたが、デバイスの微細化および高集積化の要求にともなってステップカバレッジ(段差被覆性)がより良好な化学的蒸着(CVD)が多用されるようになってきている。
Ti膜のCVD成膜に関しては、以下のような技術が提案されている(例えば特開2004−197219号公報(特許文献1))。即ち、成膜ガスとしてTiCl4ガス、H2ガス、Arガスを用い、これらをチャンバへ導入し、半導体ウエハをステージヒーターにより加熱しながら、平行平板電極に高周波電力を印加する。これにより、上記ガスをプラズマ化してTiCl4ガスとH2ガスとを反応させるプラズマCVDによりTi膜を成膜する。
しかしながら、近時、線幅やホールの開口径が一層小さくなり、しかも高アスペクト比化されるにつれ、特許文献1のようなプラズマCVDによりTi膜を成膜した場合には、チャージアップダメージにより素子が破壊されることがあるという新たな問題が発生するようになってきた。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、プラズマを用いたCVDにより開口径が小さいおよび/または高アスペクト比のホールを有する被処理基板にTiを成膜する際に、チャージアップダメージによる素子の破壊が生じ難いTi膜の成膜方法を提供することを目的とする。また、本発明はそのような方法を実行するためのコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供することを目的とする。
本発明の第1の観点では、一対の平行平板電極を有するチャンバ内に、間口径が0.13μm以下および/またはアスペクト比が10以上のホールを有する被処理基板を配置する工程と、処理ガスとしてTiCl4ガスおよびH2ガスおよびArガスを導入しつつ前記平行平板電極の少なくとも一方に高周波電力を供給してこれらの間にプラズマを形成する工程と、前記プラズマにより前記処理ガスの反応を促進して前記被処理体にTi膜を成膜する工程と、を具備するTi膜の成膜方法であって、Arガス流量を1600mL/min(sccm)未満またはArガス分圧を816.54Pa未満に制御してプラズマが形成された際の前記ホールの底部に到達するイオン量を低減しつつTi膜を成膜するTi膜の成膜方法を提供する。
上記第1の観点において、Arガス流量を800mL/min(sccm)以下に制御することがより好ましい。また、Ti膜成膜後、処理ガスとしてNH3ガスおよびH2ガスおよびArガスを導入し、Arガスの流量を100〜1600mL/min(sccm)またはArガスの分圧を2.02〜592.44Paとしてプラズマの存在下でTi膜表面の窒化処理を行うことが好ましい。さらに、Ti膜成膜後、処理ガスとしてNH3ガスおよびH2ガスおよびArガスを導入してプラズマを存在させずにTi膜表面の窒化処理を行うことが好ましい。
本発明の第2の観点では、一対の平行平板電極を有するチャンバ内に、間口径が0.13μm以下および/またはアスペクト比が10以上のホールを有する被処理基板を配置する工程と、TiCl4ガスを含む処理ガスを導入しつつ前記平行平板電極の少なくとも一方に高周波電力を供給してこれらの間にプラズマを形成する工程と、前記ホールの底部に到達する前記プラズマにより前記処理ガスの反応を促進して前記被処理体にTi膜を成膜する工程と、を具備するTi膜の成膜方法であって、処理ガスとしてTiCl4ガスおよびH2ガス、またはTiCl4ガスおよびH2ガスおよびArガスよりも原子量が小さい希ガスを導入してプラズマが形成された際の前記ホールの底部に到達するイオン量を低減しつつTi膜を成膜するTi膜の成膜方法を提供する。
この場合に、Ti膜成膜後、処理ガスとしてNH3ガスおよびH2ガス、またはNH3ガスおよびH2ガスおよびArより原子量の小さい希ガスを導入してプラズマの存在下でTi膜表面の窒化処理を行うことが好ましい。さらに、Ti膜成膜後、処理ガスとしてNH3ガスおよびH2ガスおよびArより原子量の小さい希ガスを導入してプラズマを存在させずにTi膜表面の窒化処理を行うことが好ましい。
本発明の第3の観点では、一対の平行平板電極を有するチャンバ内に、間口径が0.13μm以下および/またはアスペクト比が10以上のホールを有する被処理基板を配置する工程と、処理ガスとしてTiCl4ガスおよびH2ガスおよびArガスを導入しつつ前記平行平板電極の少なくとも一方に高周波電力を供給してこれらの間にプラズマを形成する工程と、前記プラズマにより前記処理ガスの反応を促進して前記被処理体にTi膜を成膜する工程と、を具備するTi膜の成膜方法であって、Arガス流量を1600mL/min(sccm)未満またはArガス分圧を816.54Pa未満に制御してプラズマが形成された際の前記ホールの底部に到達するイオン量を低減しつつ第1段階の成膜を行い、第1段階の成膜により被処理体の全面にTi膜が成膜された時点で、Arガス流量を1600mL/min(sccm)以上またはArガス分圧を816.54Pa以上にして第2段階の成膜を行ってTi膜を成膜するTi膜の成膜方法を提供する。
上記第3の観点において、前記第1段階は、Arガス流量を800mL/min(sccm)以下に制御することが好ましい。
本発明の第4の観点では、一対の平行平板電極を有するチャンバ内に、間口径が0.13μm以下および/またはアスペクト比が10以上のホールを有する被処理基板を配置する工程と、TiCl4ガスを含む処理ガスを導入しつつ前記平行平板電極の少なくとも一方に高周波電力を供給してこれらの間にプラズマを形成する工程と、前記ホールの底部に到達する前記プラズマにより前記処理ガスの反応を促進して前記被処理体にTi膜を成膜する工程と、を具備するTi膜の成膜方法であって、処理ガスとしてTiCl4ガスおよびH2ガス、またはTiCl4ガスおよびH2ガスおよびArガスよりも原子量が小さい希ガスを導入してプラズマが形成された際の前記ホールの底部に到達するイオン量を低減しつつ第1段階の成膜を行い、第1段階の成膜により被処理体の全面にTi膜が成膜された時点で、処理ガスとしてTiCl4ガスおよびH2ガスおよびArガスを所望の膜質均一性が得られる範囲で導入して第2段階の成膜を行ってTi膜を成膜するTi膜の成膜方法を提供する。
本発明の第5の観点では、コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、上記第1〜第4の観点のいずれかの方法が行われるように成膜装置を制御させるコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供する。
なお、本発明において、ガスの流量の単位はmL/minを用いているが、ガスは温度および気圧により体積が大きく変化するため、本発明では標準状態に換算した値を用いている。なお、標準状態に換算した流量は通常sccm(Standerd Cubic Centimeter per Minutes)で表記されるためsccmを併記している。ここにおける標準状態は、温度0℃(273.15K)、気圧1atm(101325Pa)の状態(STP)である。
本発明者らは、チャージアップダメージが電子シェーディング効果によるものと考え、この電子シェーディング効果を低減させるために、イオンの直進性を下げてホール底部に到達するイオン量を減少させることが有効であることに想到した。本発明の第1の観点では、このような知見を基に、Arガス流量または分圧を低減して原子量が大きく直進性の高いArイオンを減少させることにより原子量が小さく直進性が低いイオンであるHイオンを相対的に増加させてイオン全体の直進性を低減させる。これにより、ホール底部へ到達するイオン量を減少させて、電子シェーディング効果によるチャージアップダメージを低減することができる。
また、第2の観点では、このような原子量が大きい希ガスであるArガスを全く用いずにHイオンのみにするか、またはArガスの代わりにArガスよりも原子量が小さい希ガス、つまりHeまたはNeを用いることにより、Arガスを用いる場合よりもイオンの直進性を低減させる。これにより、ホール底部へ到達するイオン量を減少させて、電子シェーディング効果によるチャージアップダメージを低減することができる。
このような手法でチャージアップダメージを低減する場合には、所望の膜質均一性が得られる条件から外れているため、膜質均一性が不十分になるおそれがある。しかし、チャージアップダメージを低減可能な上記第1または第2の観点の条件で第1段階の成膜を行い、全面にTi膜が形成されてチャージアップダメージのおそれがなくなった時点で膜質均一性が十分な第2段階の成膜を行うようにする。これにより、チャージアップダメージが生じ難い成膜速度の遅い条件での成膜を最小限にして極力膜質均一性を高めた成膜処理を行うことができる。
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について具体的に説明する。
図1は本発明の一実施形態に係るTi膜の成膜方法の実施に用いるTi膜成膜装置の一例を示す概略断面図である。このTi膜成膜装置100は平行平板電極に高周波電界を形成することによりプラズマを形成しつつCVD成膜を行うプラズマCVD成膜装置として構成される。
このTi膜成膜装置100は、略円筒状のチャンバ1を有している。チャンバ1の内部には、被処理基板であるウエハWを水平に支持するためのサセプタ2がその中央下部に設けられた円筒状の支持部材3により支持された状態で配置されている。サセプタ2の外縁部にはウエハWをガイドするためのガイドリング4が設けられている。また、サセプタ2にはヒーター5が埋め込まれており、このヒーター5はヒーター電源6から給電されることにより被処理基板であるウエハWを所定の温度に加熱する。サセプタ2の表面近傍には平行平板電極の下部電極として機能する電極8が埋設されており、この電極8は接地されている。なお、サセプタ2はセラミックス例えばAlNで構成することができ、この場合には、セラミックスヒーターが構成される。
チャンバ1の天壁1aには、絶縁部材9を介して平行平板電極の上部電極としても機能するシャワーヘッド10が設けられている。このシャワーヘッド10は、上段ブロック体10a、中段ブロック体10b、下段ブロック体10cで構成されており、略円盤状をなしている。上段ブロック体10aは、中段ブロック体10bおよび下段ブロック体10cとともにシャワーヘッド本体部を構成する水平部10dとこの水平部10dの外周上方に連続する環状支持部10eとを有し、凹状に形成されている。そして、この環状支持部10eによりシャワーヘッド10全体が支持されている。そして、下段ブロック体10cにはガスを吐出する吐出孔17と18とが交互に形成されている。上段ブロック体10aの上面には、第1のガス導入口11と、第2のガス導入口12とが形成されている。上段ブロック体10aの中では、第1のガス導入口11から多数のガス通路13が分岐している。中段ブロック体10bにはガス通路15が形成されており、上記ガス通路13が水平に延びる連通路13aを介してこれらガス通路15に連通している。さらにこのガス通路15が下段ブロック体10cの吐出孔17に連通している。また、上段ブロック体10aの中では、第2のガス導入口12から多数のガス通路14が分岐している。中段ブロック体10bにはガス通路16が形成されており、上記ガス通路14がこれらガス通路16に連通している。さらにこのガス通路16が中段ブロック体10b内に水平に延びる連通路16aに接続されており、この連通路16aが下段ブロック体10cの多数の吐出孔18に連通している。そして、上記第1および第2のガス導入口11,12は、ガス供給機構20のガスラインに接続されている。
ガス供給機構20は、クリーニングガスであるClF3ガスを供給するClF3ガス供給源21、Ti化合物ガスであるTiCl4ガスを供給するTiCl4ガス供給源22、プラズマ生成ガスであるArガスを供給するArガス供給源23、還元ガスであるH2ガスを供給するH2ガス供給源24、窒化ガスであるNH3ガスを供給するNH3ガス供給源25を有している。そして、ClF3ガス供給源21にはClF3ガス供給ライン27および30bが、TiCl4ガス供給源22にはTiCl4ガス供給ライン28が、Arガス供給源23にはArガス供給ライン29が、H2ガス供給源24にはH2ガス供給ライン30が、NH3ガス供給源25にはNH3ガス供給ライン30aが、それぞれ接続されている。また、図示しないが、N2ガス供給源も有している。そして、各ガスラインにはマスフローコントローラ32およびマスフローコントローラ32を挟んで2つのバルブ31が設けられている。
前記第1のガス導入口11にはTiCl4ガス供給源22から延びるTiCl4ガス供給ライン28が接続されており、このTiCl4ガス供給ライン28にはClF3ガス供給源21から延びるClF3ガス供給ライン27およびArガス供給源23から延びるArガス供給ライン29が接続されている。また、前記第2のガス導入口12にはH2ガス供給源24から延びるH2ガス供給ライン30が接続されており、このH2ガス供給ライン30には、NH3ガス供給源25から延びるNH3ガス供給ライン30aおよびClF3ガス供給源21から延びるClF3ガス供給ライン30bが接続されている。したがって、プロセス時には、TiCl4ガス供給源22からのTiCl4ガスがArガス供給源23からのArガスとともにTiCl4ガス供給ライン28を介してシャワーヘッド10の第1のガス導入口11からシャワーヘッド10内に至り、ガス通路13,15を経て吐出孔17からチャンバ1内へ吐出される一方、H2ガス供給源24からのH2ガスがH2ガス供給ガスライン30を介してシャワーヘッド10の第2のガス導入口12からシャワーヘッド10内に至り、ガス通路14,16を経て吐出孔18からチャンバ1内へ吐出される。すなわち、シャワーヘッド10は、TiCl4ガスとH2ガスとが全く独立してチャンバ1内に供給されるポストミックスタイプとなっており、これらは吐出後に混合され反応が生じる。なお、これに限らずTiCl4とH2とが混合された状態でこれらをチャンバ1内に供給するプリミックスタイプであってもよい。
シャワーヘッド10には、整合器33を介して高周波電源34が接続されており、この高周波電源34からシャワーヘッド10に高周波電力が供給されるようになっている。高周波電源34から高周波電力を供給することにより、シャワーヘッド10を介してチャンバ1内に供給されたガスをプラズマ化して成膜処理を行う。
また、シャワーヘッド10の上段ブロック体10aの水平部10dには、シャワーヘッド10を加熱するためのヒーター45が設けられている。このヒーター45にはヒーター電源46が接続されており、ヒーター電源46からヒーター45に給電することによりシャワーヘッド10が所望の温度に加熱される。上段ブロック体40aの凹部にはヒーター45による加熱効率を上げるために断熱部材47が設けられている。
チャンバ1の底壁1bの中央部には円形の穴35が形成されており、底壁1bにはこの穴35を覆うように下方に向けて突出する排気室36が設けられている。排気室36の側面には排気管37が接続されており、この排気管37には排気装置38が接続されている。そしてこの排気装置38を作動させることによりチャンバ1内を所定の真空度まで減圧することが可能となっている。
サセプタ2には、ウエハWを支持して昇降させるための3本(2本のみ図示)のウエハ支持ピン39がサセプタ2の表面に対して突没可能に設けられ、これらウエハ支持ピン39は支持板40に固定されている。そして、ウエハ支持ピン39は、エアシリンダ等の駆動機構41により支持板40を介して昇降される。
チャンバ1の側壁には、チャンバ1と隣接して設けられた図示しないウエハ搬送室との間でウエハWの搬入出を行うための搬入出口42と、この搬入出口42を開閉するゲートバルブ43とが設けられている。
Ti膜成膜装置100の構成部は、コンピュータからなる制御部50に接続されて制御される構成となっている。また、制御部50には、工程管理者がTi膜成膜装置100を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、Ti膜成膜装置100の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース51が接続されている。さらに、制御部50には、Ti膜成膜装置100で実行される各種処理を制御部50の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じてTi膜成膜装置100の各構成部に処理を実行させるためのプログラムすなわちレシピが格納された記憶部52が接続されている。レシピはハードディスクや半導体メモリーに記憶されていてもよいし、CDROM、DVD等の可搬性の記憶媒体に収容された状態で記憶部52の所定位置にセットするようになっていてもよい。さらに、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース51からの指示等にて任意のレシピを記憶部52から呼び出して制御部50に実行させることで、制御部50の制御下で、Ti膜成膜装置100での所望の処理が行われる。
次に、以上のようなTi膜成膜装置100における本実施形態に係るTi膜成膜方法について説明する。
本実施形態においては、Ti膜を成膜する対象の半導体ウエハWとして、例えば、図2に示す構造のものを用いる。すなわち、シリコン基板101の上にゲート絶縁膜102を介してゲート電極103が形成され、その周囲および上に層間絶縁膜104および金属配線層105が形成され、金属配線層105とゲート電極103とが埋め込み配線106により接続されている。また、金属配線層105の上には、ビアホール107が形成された層間絶縁膜108が形成されている。さらに、層間絶縁膜104にはトレンチ109が形成されている。
このような構造のウエハWにTi膜を形成するには、まず、チャンバ1内をゲートバルブ43を介して接続されている外部雰囲気と同様に調整した後、ゲートバルブ43を開にして、真空状態の図示しないウエハ搬送室から搬入出口42を介して上記構造を有するウエハWをチャンバ1内へ搬入する。そして、チャンバ1内にArガスを供給しつつウエハWを予備加熱する。ウエハWの温度がほぼ安定した時点で、Arガス、H2ガスおよびTiCl4ガスを図示しないプリフローラインに所定流量で流してプリフローを行う。そして、ガス流量および圧力を同じに保ったまま成膜用のラインに切り替え、これらガスをシャワーヘッド10を介してチャンバ1内に導入する。このとき、シャワーヘッド10には高周波電源34から高周波電力が印加され、これによりチャンバ1内に導入されたArガス、H2ガス、TiCl4ガスがプラズマ化される。そして、ヒーター5により所定温度に加熱されたウエハW上でプラズマ化されたガスが反応してウエハW上にTiが堆積される。
このようにしてプラズマの存在下でCVDによりTi膜を成膜する場合には、従来、Ti膜の膜質(電気特性)、成膜速度および膜質の均一性等を考慮して処理条件を決定している。しかし、近時、デバイスの微細化によりホールの開口径が0.13μm以下および/またはアスペクト比が10以上のスペックが要求されるようになり、従来の条件ではチャージアップダメージが生じやすいことが判明した。
チャージアップダメージが生じるメカニズムについて図3を参照しながら説明する。まず、プラズマが生成されると、ウエハW表面は負に帯電され、プラズマPとシリコン基板101との間には電位差Vppが発生し、プラズマとウエハWとの間にはイオンシースSが形成される。本質的に、電子eは軽いため動きが活発であり等方的な運動をしやすく、イオンiは重いため動きが鈍く異方的な運動をしやすい。したがって、電位差Vpp(プラズマ電位)の電場が生じているイオンシースSでは、電子eは横方向の運動量が多い等方的な動きをし、イオンiはイオンシースSの電場方向に沿ってウエハWに向かう異方性の高い動きをする。したがって、開口径が小さいおよび/またはアスペクト比が大きいビアホール107では、電子eはその底部に到達し難くなるが、イオンiはイオンシースSによって加速されてホールの底に到達するため、ビアホール107の底部がプラスに帯電される(電子シェーディング効果)。一方、トレンチ109は幅が広いため、等方的に運動する電子eも容易にその底部に到達する。このため、ビアホール107の底部とトレンチ109の底部との間に電位差を生じ、ゲート絶縁膜102に電界が発生する。ビアホール107の開口径が小さく、アスペクト比が大きいほどこのような現象は顕著となり、ビアホール107の底部とトレンチ109の底部との間の電位差が大きくなって、ゲート絶縁膜102には強い電界がかかり、ゲート絶縁膜102に絶縁破壊が生じて素子が破壊される場合が生じる(チャージアップダメージ)。このようなチャージアップダメージは従来はほとんど生じなかったが、ホールの開口径が0.13μm以下および/またはアスペクト比が10以上となることにより、無視し得ない程度に生じるようになってきた。
本発明者らは、このようなチャージアップダメージを効果的に解消する手法について検討を重ねた結果、イオンの直進性を下げてホール底部に到達するイオン量を減少させることが有効であることを見出した。そして、そのためにはプラズマガスとして用いられるArガスの流量または分圧を低減させることが有効であることを見出した。すなわち、Arは原子量が39.95と比較的大きいためArイオンは直進性が高く、ホール(ビアホール107)の底部に到達しやすい。Arガス流量または分圧を低減させれば、原子量が小さく直進性が低いHイオンが相対的に多くなり、イオン全体の直進性を低減させることができ、イオンをホール底部に到達し難くしてホール底部のイオンの量を少なくすることができる。したがって、ビアホール107の底部とトレンチ109の底部との間の電位差を小さくしてゲート絶縁膜の絶縁破壊を抑制することができる。
従来のプラズマCVDによるTiの成膜においては、プラズマ密度を上昇させる観点や膜質を均一にする観点等から、Arガスを比較的多量に、典型的には1600mL/min(sccm)以上導入しているが、これにより、開口径が0.13μm以下および/またはアスペクト比が10以上のホールを有するウエハWにTi膜を成膜する際にチャージアップダメージが無視し得ない程度生じる。これに対して、本発明では、Arガス流量を1600mL/min未満またはArガス分圧を816.54Pa未満にして上記メカニズムによりチャージアップダメージを許容範囲内に低減する。チャージアップダメージをより有効に低減する観点からは、Arガス流量を800mL/min以下にすることが好ましく、さらに好ましくはArガス流量を500mL/min以下またはArガス分圧を12.05Pa以下にする。
その他のプロセス条件は、通常のプラズマCVDによるTi膜の成膜と同じであってよく、以下に示す条件が例示される。
高周波電力の周波数:300kHz〜27MHz
高周波電力のパワー:200〜1500W
サセプタ温度:300〜650℃
TiCl4ガス流量:12〜20mL/min(sccm)
H2ガス流量:1000〜5000mL/min(sccm)
チャンバ内圧力:133〜1333Pa(1〜10Torr)
なお、Ti膜成膜の時間は、得ようとする膜厚に応じて適宜設定される。
高周波電力のパワー:200〜1500W
サセプタ温度:300〜650℃
TiCl4ガス流量:12〜20mL/min(sccm)
H2ガス流量:1000〜5000mL/min(sccm)
チャンバ内圧力:133〜1333Pa(1〜10Torr)
なお、Ti膜成膜の時間は、得ようとする膜厚に応じて適宜設定される。
以上のようにしてTi膜の成膜を行った後、必要に応じてTi膜の窒化処理を実施してもよい。この窒化処理では、上記Ti堆積工程が終了後、TiCl4ガスを停止し、H2ガス、またはH2ガスおよびArガスを流したままの状態とし、チャンバ1内を適宜の温度に加熱しつつ、窒化ガスとしてNH3ガスを流す。これとともに、高周波電源34からシャワーヘッド40に高周波電力を印加して処理ガスをプラズマ化し、プラズマ化した処理ガスによりウエハWに成膜したTi薄膜の表面を窒化する。なお、Ti成膜工程において、コンタクトホールやビアホールの側壁にTi膜が堆積されないことあり、この場合には、ホール上部とホール底部で導通がとれていないため、Arガスを用いた窒化処理ではチャージアップダメージが発生することがある。したがって、窒化処理の際のチャージアップダメージを抑制する観点からは、Ti膜成膜の場合と同様、Arを低減することが好ましく、Arを導入しないことがより好ましい。また、より完全にチャージアップダメージを防止するためには、プラズマを生成せずに窒化処理を行うことが好ましい。
窒化処理の好ましい条件は、以下の通りである。
高周波電力の周波数:300kHz〜27MHz
高周波パワー:200〜1500W
サセプタ温度:300〜650℃
Arガス流量:2000mL/min(sccm)以下、好ましくは100〜1600mL/min(sccm)、またはArガス分圧:2.02〜592.44Pa
H2ガス流量:1500〜4500mL/min(sccm)
NH3ガス流量:500〜2000mL/min(sccm)
チャンバ内圧力:133〜1333Pa(1〜10Torr)
なお、この工程は必須ではないが、Ti膜の酸化防止等の観点から実施することが好ましい。
高周波パワー:200〜1500W
サセプタ温度:300〜650℃
Arガス流量:2000mL/min(sccm)以下、好ましくは100〜1600mL/min(sccm)、またはArガス分圧:2.02〜592.44Pa
H2ガス流量:1500〜4500mL/min(sccm)
NH3ガス流量:500〜2000mL/min(sccm)
チャンバ内圧力:133〜1333Pa(1〜10Torr)
なお、この工程は必須ではないが、Ti膜の酸化防止等の観点から実施することが好ましい。
Ti膜成膜後または窒化処理後、チャンバ1内をゲートバルブ43を介して接続されている外部雰囲気と同様に調整した後、ゲートバルブ43を開にして、搬入出口42を介して図示しないウエハ搬送室へウエハWを搬出する。
このようにして、Ti膜の成膜および必要に応じて窒化処理を所定枚のウエハに対して行った後、チャンバ1のクリーニングを行う。この処理は、チャンバ1内にウエハが存在しない状態で、チャンバ1内にClF3ガス供給源21からClF3ガス供給ライン27および30bを介してClF3ガスを導入し、シャワーヘッド10を適当な温度に加熱しながらドライクリーニングを行うことにより行う。
以上の実施形態において、Ti膜成膜の際には、TiCl4ガス、H2ガス、Arガスを用いることを前提に説明したが、プラズマ生成ガスとしてのArガスを導入せずに、TiCl4ガス、H2ガスのみを導入してTi膜を成膜してもよい。この場合には膜質の均一性等に問題が残るが、原子量が大きいArガスを用いないことにより、イオンの直進性を一層低減させてホール底部のイオンの量をより少なくすることができ、一層効果的に電子シェーディング効果によるチャージアップダメージを低減することができる。
イオンの直進性を低減させる観点からは、プラズマ生成ガスとして原子量の大きいArガスの代わりに、より原子量の小さい希ガス、すなわちHeガスまたはNeガスを用いることも好ましい。この場合には、図1の装置において、Arガス供給源23に代えてHeガス供給源またはNeガス供給源を設け、プラズマ生成ガスとしてHeガスおよびNeガスを供給可能にする。つまり、Heの原子量は4.00であり、Neの原子量は20.18であって、いずれもArの39.95よりも小さい。したがってHeイオン、NeイオンはArイオンよりも直進性が低く、Arイオンよりもホールの底部に到達する量が少なくなって電子シェーディング効果によるチャージアップダメージを低減することができる。
なお、Arガスに代えてHeガス、Neガスを用いる場合には、いずれの場合もガス流量を1600mL/min(sccm)未満またはガス分圧を816.54Pa未満にすることが好ましい。
上述したように、Ti成膜工程において、コンタクトホールやビアホールの側壁にTi膜が堆積されない場合には、従来のArガスを用いた窒化処理を行うとチャージアップダメージが発生することがある。しかし、希ガスとして、Arよりも原子量が小さいHeガス、Neガスを用いて窒化処理を行うことにより、チャージアップダメージを抑制することができる。また、この場合にも、より完全にチャージアップダメージを防止するためには、プラズマを生成せずに窒化処理を行うことが好ましい。この際、Heガス、Neガスのいずれも、ガス流量を100〜1600mL/min(sccm)またはガス分圧を2.02〜592.44Paにすることが好ましい。
以上の条件は、電子シェーディング効果による素子のチャージアップダメージを低減するためのものであるが、これら条件は膜質の均一性(シート抵抗の面内均一性)を考慮したものではないため、必ずしも十分な均一性が得られない。例えば、TiCl4ガスの流量を12mL/nin(sccm)とし、H2ガスの流量を4000mL/nin(sccm)、Arガスの流量を1600mL/nin(sccm)とした場合には、膜質のバラツキ(シート抵抗の面内均一性)が2.2%程度の均一なTi膜を形成することができる。しかし、TiCl4ガスの流量を12mL/nin(sccm)、H2ガスの流量を4000mL/nin(sccm)のままとし、Arガスのみ停止した場合には、膜質のバラツキが大きくなってしまう。
このような膜質のバラツキの影響を極力抑制する観点からは、Ti膜の成膜において、第1段階として、上記チャージアップダメージが生じ難い条件でTi膜を成膜し、チャージアップダメージが生じるおそれがなくなった際に、TiCl4ガス、H2ガス、Arガスを所定の割合とした膜質の均一性が良好になる条件に切り替えて第2段階の成膜を行うことが好ましい。チャージアップダメージは、Ti膜がウエハ全面に形成された後は生じないので、Ti膜がウエハ全面に形成された時点で第2段階の成膜条件に切り替えればよい。これにより、チャージアップダメージが生じ難い膜質均一性の低い条件での成膜を最小限にして極力膜質均一性の高い条件で成膜処理を行うことができる。この第2段階の条件としては、TiCl4ガス流量:12〜20mL/min(sccm)、H2ガス流量:1000〜5000mL/min(sccm)、Arガス流量:1600〜2000mL/min(sccm)が好ましい。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態ではTiCl4ガスとH2ガス、またはTiCl4ガスとH2ガスと希ガス(ArまたはHeまたはNe)を同時に供給してプラズマCVDを行った場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、TiCl4ガスとH2ガス(及び必要に応じて希ガス)を供給する第1ステップと、H2ガス(及び必要に応じて希ガス)を供給する第2ステップとを交互に行うSFDプロセスを用いてもよい。代わりに、TiCl4ガス(及び必要に応じて希ガス)を供給する第1ステップと、H2ガス(及び必要に応じて希ガス)を供給する第2ステップとを交互に行うALDプロセスを用いてもよい。ALDプロセスでは第2ステップのみプラズマを生成するようにしてもよい。さらに、被処理基板としては、半導体ウエハに限らず例えば液晶表示装置(LCD)用基板等の他のものであってもよい。
本発明は、被処理基板の表面にTi膜を成膜するTi膜の成膜方法に適用可能である。
Claims (15)
- 一対の平行平板電極を有するチャンバ内に、間口径が0.13μm以下および/またはアスペクト比が10以上のホールを有する被処理基板を配置する工程と、
処理ガスとしてTiCl4ガスおよびH2ガスおよびArガスを導入しつつ前記平行平板電極の少なくとも一方に高周波電力を供給してこれらの間にプラズマを形成する工程と、
前記プラズマにより前記処理ガスの反応を促進して前記被処理体にTi膜を成膜する工程と、
を具備するTi膜の成膜方法であって、Arガス流量を1600mL/min(sccm)未満またはArガス分圧を816.54Pa未満に制御して前記プラズマが形成された際の前記ホールの底部に到達するイオン量を低減しつつTi膜を成膜する。 - Arガス流量を800mL/min(sccm)以下に制御する請求項1に記載のTi膜の成膜方法。
- Ti膜成膜後、処理ガスとしてNH3ガスおよびH2ガスおよびArガスを導入し、Arガスの流量を100〜1600mL/min(sccm)またはArガスの分圧を2.02〜592.44Paとしてプラズマの存在下でTi膜表面の窒化処理を行う請求項1に記載のTi膜の成膜方法。
- Ti膜成膜後、処理ガスとしてNH3ガスおよびH2ガスおよびArガスを導入してプラズマを存在させずにTi膜表面の窒化処理を行う請求項1に記載のTi膜の成膜方法。
- 一対の平行平板電極を有するチャンバ内に、間口径が0.13μm以下および/またはアスペクト比が10以上のホールを有する被処理基板を配置する工程と、
TiCl4ガスを含む処理ガスを導入しつつ前記平行平板電極の少なくとも一方に高周波電力を供給してこれらの間にプラズマを形成する工程と、
前記ホールの底部に到達する前記プラズマにより前記処理ガスの反応を促進して前記被処理体にTi膜を成膜する工程と、
を具備するTi膜の成膜方法であって、処理ガスとしてTiCl4ガスおよびH2ガス、またはTiCl4ガスおよびH2ガスおよびArガスよりも原子量が小さい希ガスを導入して前記プラズマが形成された際の前記ホールの底部に到達するイオン量を低減しつつTi膜を成膜する。 - Ti膜成膜後、処理ガスとしてNH3ガスおよびH2ガス、またはNH3ガスおよびH2ガスおよびArより原子量の小さい希ガスを導入してプラズマの存在下でTi膜表面の窒化処理を行う請求項5に記載のTi膜の成膜方法。
- 前記窒化処理の際、Arガスより原子量の小さい希ガスは、ガス流量を100〜1600mL/min(sccm)またはガス分圧を2.02〜592.44Paに設定する請求項6に記載のTi膜の成膜方法。
- Ti膜成膜後、処理ガスとしてNH3ガスおよびH2ガスおよびArガスより原子量の小さい希ガスを導入してプラズマを存在させずにTi膜表面の窒化処理を行う請求項5に記載のTi膜の成膜方法。
- 一対の平行平板電極を有するチャンバ内に、間口径が0.13μm以下および/またはアスペクト比が10以上のホールを有する被処理基板を配置する工程と、
処理ガスとしてTiCl4ガスおよびH2ガスおよびArガスを導入しつつ前記平行平板電極の少なくとも一方に高周波電力を供給してこれらの間にプラズマを形成する工程と、
前記プラズマにより前記処理ガスの反応を促進して前記被処理体にTi膜を成膜する工程と、
を具備するTi膜の成膜方法であって、Arガス流量を1600mL/min(sccm)未満またはArガス分圧を816.54Pa未満に制御して前記プラズマが形成された際の前記ホールの底部に到達するイオン量を低減しつつ第1段階の成膜を行い、第1段階の成膜により被処理体の全面にTi膜が成膜された時点で、Arガス流量を1600mL/min(sccm)以上またはArガス分圧を816.54Pa以上にして第2段階の成膜を行ってTi膜を成膜する。 - 前記第1段階において、Arガス流量を800mL/min(sccm)以下に制御する請求項9に記載のTi膜の成膜方法。
- 一対の平行平板電極を有するチャンバ内に、間口径が0.13μm以下および/またはでアスペクト比が10以上のホールを有する被処理基板を配置する工程と、
TiCl4ガスを含む処理ガスを導入しつつ前記平行平板電極の少なくとも一方に高周波電力を供給してこれらの間にプラズマを形成する工程と、
前記ホールの底部に到達する前記プラズマにより前記処理ガスの反応を促進して前記被処理体にTi膜を成膜する工程と、
を具備するTi膜の成膜方法であって、処理ガスとしてTiCl4ガスおよびH2ガス、またはTiCl4ガスおよびH2ガスおよびArガスよりも原子量が小さい希ガスを導入して前記プラズマが形成された際の前記ホールの底部に到達するイオン量を低減しつつ第1段階の成膜を行い、第1段階の成膜により被処理体の全面にTi膜が成膜された時点で、処理ガスとしてTiCl4ガスおよびH2ガスおよびArガスを所望の膜質均一性が得られる範囲で導入して第2段階の成膜を行ってTi膜を成膜する。 - コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、請求項1に記載の方法が行われるように成膜装置を制御させるコンピュータ読取可能な記憶媒体。 - コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、請求項5に記載の方法が行われるように成膜装置を制御させるコンピュータ読取可能な記憶媒体。 - コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、請求項9に記載の方法が行われるように成膜装置を制御させるコンピュータ読取可能な記憶媒体。 - コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、請求項11に記載の方法が行われるように成膜装置を制御させるコンピュータ読取可能な記憶媒体。
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