JPWO2007066687A1 - Temperature measurement method, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method - Google Patents

Temperature measurement method, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JPWO2007066687A1
JPWO2007066687A1 JP2007549152A JP2007549152A JPWO2007066687A1 JP WO2007066687 A1 JPWO2007066687 A1 JP WO2007066687A1 JP 2007549152 A JP2007549152 A JP 2007549152A JP 2007549152 A JP2007549152 A JP 2007549152A JP WO2007066687 A1 JPWO2007066687 A1 JP WO2007066687A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
holding member
temperature
exposure apparatus
detection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007549152A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
長坂　博之
博之 長坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Publication of JPWO2007066687A1 publication Critical patent/JPWO2007066687A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/0003—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiant heat transfer of samples, e.g. emittance meter
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

露光装置は、基板Ｐを保持する保持部材（１０）と、保持部材（１０）からの検出光（２１Ｌ）受光することによって、保持部材（１０）の温度情報を光学的に取得する検出装置（２０）とを備えている。The exposure apparatus receives the detection information (21L) from the holding member (10) that holds the substrate P and the holding member (10), thereby optically acquiring temperature information of the holding member (10). 20).

Description

本発明は、基板を保持する保持部材の温度情報を取得する温度計測方法、基板を露光する露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法に関する。
本願は、２００５年１２月６日に出願された特願２００５−３５１６５９号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。The present invention relates to a temperature measurement method for acquiring temperature information of a holding member that holds a substrate, an exposure method for exposing a substrate, an exposure apparatus, and a device manufacturing method.
This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2005-351659 for which it applied on December 6, 2005, and uses the content here.

半導体デバイス等を製造するフォトリソグラフィ工程では、マスクのパターン像を投影光学系を介して基板上に投影する露光装置が用いられている。基板は基板ステージ等の保持部材に保持された状態で露光される。基板と保持部材との間に温度差があると、基板を保持部材で保持したとき、例えば基板が熱変形する可能性があり、その結果、露光不良が発生する可能性がある。そのため、基板の熱変形を抑えるために、基板及び／又は保持部材を温度調整することが行われている。下記特許文献１には、基板の温度を調整した後に、その基板を基板ステージで保持する技術が開示されている。
特開平１０−５５９４５号公報 In a photolithography process for manufacturing a semiconductor device or the like, an exposure apparatus that projects a mask pattern image onto a substrate via a projection optical system is used. The substrate is exposed while being held by a holding member such as a substrate stage. If there is a temperature difference between the substrate and the holding member, for example, the substrate may be thermally deformed when the substrate is held by the holding member, and as a result, exposure failure may occur. Therefore, in order to suppress thermal deformation of the substrate, the temperature of the substrate and / or the holding member is adjusted. Patent Document 1 below discloses a technique for holding a substrate on a substrate stage after adjusting the temperature of the substrate.
Japanese Patent Laid-Open No. 10-55945

基板と保持部材との温度差を調整するためには、基板ステージなどの保持部材の温度情報を精確に取得する必要がある。   In order to adjust the temperature difference between the substrate and the holding member, it is necessary to accurately acquire temperature information of the holding member such as the substrate stage.

本発明は、基板を保持する保持部材の温度情報を精確に取得できる温度計測方法、基板を良好に露光できる露光方法、露光装置、及びその露光方法、露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。   The present invention provides a temperature measurement method that can accurately acquire temperature information of a holding member that holds a substrate, an exposure method that can satisfactorily expose the substrate, an exposure apparatus, and an exposure method and a device manufacturing method that uses the exposure apparatus. With the goal.

本発明は以下の構成を採用している。   The present invention employs the following configuration.

本発明の第１の態様に従えば、基板上に露光光を照射して基板を露光する露光装置において、基板を保持する保持部材と、保持部材からの第１の検出光を受光し、その受光結果に基づいて、保持部材の温度情報を光学的に取得する検出装置と、を備えた露光装置が提供される。   According to the first aspect of the present invention, in an exposure apparatus that irradiates a substrate with exposure light and exposes the substrate, a holding member that holds the substrate, and first detection light from the holding member is received, An exposure apparatus is provided that includes a detection device that optically acquires temperature information of the holding member based on the light reception result.

本発明の第１の態様によれば、基板を保持する保持部材の温度を精確に取得でき、基板を良好に露光できる。   According to the first aspect of the present invention, the temperature of the holding member that holds the substrate can be accurately acquired, and the substrate can be exposed satisfactorily.

本発明の第２の態様に従えば、上記態様の露光装置を用いるデバイス製造方法が提供される。   According to the second aspect of the present invention, a device manufacturing method using the exposure apparatus of the above aspect is provided.

本発明の第２の態様によれば、基板を良好に露光できる露光装置を用いてデバイスを製造することができる。
また本発明の第３の態様に従えば、被露光基板を保持するための保持部材へ第１の検出光を照射することと、保持部材の少なくとも一部を通過した第１の検出光を受光することと、該受光の結果に基づいて、保持部材の温度情報を取得することとを含む温度計測方法が提供される。
本発明の第３の態様によれば、被露光基板を保持する保持部材の温度を精確に取得できる。
また本発明の第４の態様に従えば、基板を露光する露光方法であって、基板を保持するための保持部材の少なくとも一部を通過した第１の検出光を受光し、該受光の結果に基づいて、保持部材の温度情報を取得し、保持部材に保持された基板を露光する露光方法が提供される。
本発明の第４の態様によれば、基板を保持する保持部材の温度を精確に取得でき、基板を良好に露光できる。
本発明の第５の態様に従えば、上記態様の露光方法を用いるデバイス製造方法が提供される。
本発明の第５の態様によれば、基板を良好に露光できる露光方法を用いてデバイスを製造することができる。According to the 2nd aspect of this invention, a device can be manufactured using the exposure apparatus which can expose a board | substrate favorably.
According to the third aspect of the present invention, the first detection light is irradiated to the holding member for holding the substrate to be exposed, and the first detection light that has passed through at least a part of the holding member is received. And a temperature measurement method including acquiring temperature information of the holding member based on the result of the light reception.
According to the third aspect of the present invention, the temperature of the holding member that holds the substrate to be exposed can be accurately obtained.
According to the fourth aspect of the present invention, there is provided an exposure method for exposing a substrate, the first detection light having passed through at least a part of a holding member for holding the substrate being received, and the result of the light reception Based on the above, an exposure method for obtaining temperature information of the holding member and exposing the substrate held by the holding member is provided.
According to the 4th aspect of this invention, the temperature of the holding member holding a board | substrate can be acquired correctly, and a board | substrate can be exposed favorably.
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a device manufacturing method using the exposure method of the above aspect.
According to the fifth aspect of the present invention, a device can be manufactured using an exposure method capable of satisfactorily exposing a substrate.

本発明によれば、基板を良好に露光することができ、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。   According to the present invention, a substrate can be satisfactorily exposed and a device having desired performance can be manufactured.

第１実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the exposure apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１実施形態に係る検出装置を説明するための側面図である。It is a side view for demonstrating the detection apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１実施形態に係る検出装置を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating the detection apparatus which concerns on 1st Embodiment. 基板テーブルに保持された基板を示す平面図である。It is a top view which shows the board | substrate hold | maintained at the substrate table. ショット領域が変形する様子を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows a mode that a shot area | region deform | transforms. 第２実施形態に係る検出装置を説明するための側面図である。It is a side view for demonstrating the detection apparatus which concerns on 2nd Embodiment. マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。It is a flowchart figure which shows an example of the manufacturing process of a microdevice.

符号の説明Explanation of symbols

１…制御装置、２…記憶装置、３…報知装置、５…基板温度調整装置、１０…基板テーブル、１１…反射面、１２…反射面、１４…レーザ干渉計、１４Ｌ…計測光、２０…検出装置、２１…レーザ干渉計、２１Ｌ…検出光、２３…投射装置、２３Ｌ…検出光、２４…受光装置、２５…受光面、３０…テーブル温度調整装置、４０…結像特性調整装置、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、Ｐ…基板、ＰＬ…投影光学系、ＰＳＴ…基板ステージ   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Control apparatus, 2 ... Memory | storage device, 3 ... Notification apparatus, 5 ... Substrate temperature adjustment apparatus, 10 ... Substrate table, 11 ... Reflecting surface, 12 ... Reflecting surface, 14 ... Laser interferometer, 14L ... Measuring light, 20 ... Detection device, 21 ... laser interferometer, 21L ... detection light, 23 ... projection device, 23L ... detection light, 24 ... light reception device, 25 ... light receiving surface, 30 ... table temperature adjustment device, 40 ... imaging characteristic adjustment device, EL ... exposure light, EX ... exposure apparatus, P ... substrate, PL ... projection optical system, PST ... substrate stage

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto.

＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は第１実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージＭＳＴと、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージＰＳＴと、マスクステージＭＳＴに保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターン像を基板Ｐ上に投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置１とを備えている。露光装置ＥＸは、マスクＭを通過した露光光ＥＬを投影光学系ＰＬを介して基板Ｐ上に照射することによって、マスクＭのパターン像を基板Ｐ上に投影して、基板Ｐを露光する。<First Embodiment>
A first embodiment will be described. FIG. 1 is a schematic block diagram that shows an exposure apparatus EX according to the first embodiment. In FIG. 1, an exposure apparatus EX exposes a mask stage MST that is movable while holding a mask M, a substrate stage PST that is movable while holding a substrate P, and a mask M that is held by the mask stage MST. An illumination system IL that illuminates with EL, a projection optical system PL that projects the pattern image of the mask M illuminated with the exposure light EL onto the substrate P, and a control device 1 that controls the operation of the entire exposure apparatus EX are provided. Yes. The exposure apparatus EX exposes the substrate P by projecting the pattern image of the mask M onto the substrate P by irradiating the substrate P via the projection optical system PL with the exposure light EL that has passed through the mask M.

なお、ここでいう基板は半導体ウエハ等の基材上に感光材（フォトレジスト）、保護膜などの膜が塗布されたものを含む。マスクは基板上に縮小投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。また、本実施形態においては、マスクとして透過型のマスクを用いるが、反射型のマスクを用いてもよい。   The substrate here includes a substrate such as a semiconductor wafer coated with a film such as a photosensitive material (photoresist) and a protective film. The mask includes a reticle on which a device pattern to be reduced and projected on a substrate is formed. In this embodiment, a transmissive mask is used as a mask, but a reflective mask may be used.

本実施形態では、露光装置ＥＸとしてマスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつマスクＭのパターン像を基板Ｐ上に投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）を使用する場合を例にして説明する。以下の説明において、水平面内においてマスクＭと基板Ｐとの同期移動方向（走査方向）をＹ軸方向、水平面内においてＹ軸方向と直交する方向をＸ軸方向（非走査方向）、Ｘ軸及びＹ軸方向に垂直で投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと平行な方向をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。   In the present embodiment, a scanning exposure apparatus (so-called scanning stepper) that projects the pattern image of the mask M onto the substrate P while moving the mask M and the substrate P synchronously in a predetermined scanning direction is used as the exposure apparatus EX. Will be described as an example. In the following description, the synchronous movement direction (scanning direction) of the mask M and the substrate P in the horizontal plane is the Y-axis direction, the direction orthogonal to the Y-axis direction in the horizontal plane is the X-axis direction (non-scanning direction), the X-axis, and A direction perpendicular to the Y-axis direction and parallel to the optical axis AX of the projection optical system PL is taken as a Z-axis direction. Further, the rotation (inclination) directions around the X axis, Y axis, and Z axis are the θX, θY, and θZ directions, respectively.

後述するように、本実施形態の露光装置ＥＸは、基板Ｐを保持する基板ステージＰＳＴの基板テーブル１０に照射した所定の検出光２１Ｌの受光結果に基づいて、基板テーブル１０の温度情報を光学的に取得する検出装置２０を備えている。検出装置２０は制御装置１に接続されている。   As will be described later, the exposure apparatus EX of the present embodiment optically converts the temperature information of the substrate table 10 based on the light reception result of the predetermined detection light 21L irradiated to the substrate table 10 of the substrate stage PST holding the substrate P. The detection device 20 is provided. The detection device 20 is connected to the control device 1.

また、制御装置１には、露光に関する情報を記憶した記憶装置２と、露光装置ＥＸの動作状況等を報知する報知装置３とが接続されている。報知装置３は、例えば液晶ディスプレイ装置等の表示装置、光を発する発光装置、及び音を発する発音装置等を含む。   The control device 1 is connected to a storage device 2 that stores information related to exposure and a notification device 3 that notifies the operation status of the exposure device EX. The notification device 3 includes, for example, a display device such as a liquid crystal display device, a light emitting device that emits light, and a sounding device that emits sound.

また、露光装置ＥＸは、基板ステージＰＳＴに対して基板Ｐを搬送する搬送装置４を備えている。搬送装置４は、基板Ｐを基板ステージＰＳＴに搬入（ロード）可能であるとともに、基板ステージＰＳＴ上の基板Ｐをその基板ステージＰＳＴから搬出（アンロード）可能である。搬送装置４は制御装置１に接続されており、制御装置１に制御される。また、露光装置ＥＸは、基板ステージＰＳＴにロードされる前の基板Ｐの温度を調整する温度調整装置５を備えている。温度調整装置５は制御装置１に接続されており、制御装置１に制御される。本実施形態においては、温度調整装置５は、搬送装置４の搬送経路上に設けられている。制御装置１は、搬送装置４を制御して、基板Ｐを温度調整装置５に搬送し、温度調整装置５を用いて基板Ｐの温度を調整した後、その温度調整された基板Ｐを搬送装置４を用いて基板ステージＰＳＴにロードする。   Further, the exposure apparatus EX includes a transport device 4 that transports the substrate P to the substrate stage PST. The transfer device 4 can carry (load) the substrate P into the substrate stage PST and can carry (unload) the substrate P on the substrate stage PST from the substrate stage PST. The transport device 4 is connected to the control device 1 and controlled by the control device 1. Further, the exposure apparatus EX includes a temperature adjustment device 5 that adjusts the temperature of the substrate P before being loaded onto the substrate stage PST. The temperature adjustment device 5 is connected to the control device 1 and is controlled by the control device 1. In the present embodiment, the temperature adjustment device 5 is provided on the transport path of the transport device 4. The control device 1 controls the transfer device 4 to transfer the substrate P to the temperature adjustment device 5, adjusts the temperature of the substrate P using the temperature adjustment device 5, and then transfers the temperature-adjusted substrate P to the transfer device. 4 is loaded onto the substrate stage PST.

なお、温度調整装置５は、搬入前の基板Ｐを保持するプレート部材（不図示）を有し、プレート部材の温度を調整することによって、プレート部材に保持された基板Ｐの温度を調整することができる。なお、プレート部材の内部には、流体（例えば、液体）が流れる流路が形成されている。温度調整装置５は、その内部流路を流れる流体の温度を調整することによって、プレート部材の温度を調整することができる。もちろん、ヒータ、ペルチェ素子などを用いてプレート部材の温度を調整してもよい。   The temperature adjusting device 5 includes a plate member (not shown) that holds the substrate P before being carried in, and adjusts the temperature of the substrate P held by the plate member by adjusting the temperature of the plate member. Can do. In addition, a flow path through which a fluid (for example, a liquid) flows is formed inside the plate member. The temperature adjusting device 5 can adjust the temperature of the plate member by adjusting the temperature of the fluid flowing through the internal flow path. Of course, the temperature of the plate member may be adjusted using a heater, a Peltier element, or the like.

照明系ＩＬは、マスクＭ上の所定の照明領域を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明するものである。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、ＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。The illumination system IL illuminates a predetermined illumination area on the mask M with exposure light EL having a uniform illuminance distribution. As the exposure light EL emitted from the illumination system IL, for example, far ultraviolet light (DUV light) such as bright lines (g-line, h-line, i-line) and KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) emitted from a mercury lamp, Vacuum ultraviolet light (VUV light) such as ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) and F 2 laser light (wavelength 157 nm) is used. In the present embodiment, ArF excimer laser light is used as the exposure light EL.

マスクステージＭＳＴは、リニアモータ等のアクチュエータを含むマスクステージ駆動装置により、マスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動可能である。マスクステージＭＳＴ（ひいてはマスクＭ）の位置情報は、マスクステージ用レーザ干渉計６によって計測される。レーザ干渉計６は、マスクステージＭＳＴ上に設けられた計測鏡８の反射面７に計測光６Ｌを照射可能であり、その反射面７を用いてマスクステージＭＳＴの位置情報を計測する。マスクステージ用レーザ干渉計６は、Ｘ軸を計測軸とする計測光６Ｌを射出可能なＸ干渉計６Ｘと、Ｙ軸を計測軸とする計測光６Ｌを射出可能なＹ干渉計６Ｙとを含み、マスクステージＭＳＴ上には、Ｘ軸に垂直な反射面７Ｘを有する計測鏡８Ｘと、Ｙ軸に垂直な反射面７Ｙを有する計測鏡８Ｙとが設けられている。Ｘ干渉計６Ｘは、Ｘ軸を計測軸とする計測光６Ｌを反射面７Ｘに照射可能であり、マスクステージＭＳＴのＸ軸方向に関する位置を計測可能である。Ｙ干渉計６Ｙは、Ｙ軸を計測軸とする計測光６Ｌを反射面７Ｙに照射可能であり、マスクステージＭＳＴのＹ軸方向に関する位置を計測可能である。また、Ｘ干渉計６Ｘ及びＹ干渉計６Ｙの少なくとも一方を複数設け、Ｘ軸を計測軸とする計測光６Ｌ及びＹ軸を計測軸とする計測光６Ｌの少なくとも一方を複数照射することにより、レーザ干渉計６は、その複数の計測光６Ｌを用いて、マスクステージＭＳＴのθＺ方向の位置情報を計測可能である。レーザ干渉計６は制御装置１に接続されている。マスクステージ駆動装置も制御装置１に接続されている。制御装置１は、レーザ干渉計６の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置を制御し、マスクステージＭＳＴに保持されているマスクＭの位置制御を行う。   Mask stage MST is movable in the X-axis, Y-axis, and θZ directions while holding mask M by a mask stage driving device including an actuator such as a linear motor. Position information of the mask stage MST (and thus the mask M) is measured by the mask stage laser interferometer 6. Laser interferometer 6 can irradiate measurement light 6L onto reflection surface 7 of measurement mirror 8 provided on mask stage MST, and uses this reflection surface 7 to measure position information of mask stage MST. The mask stage laser interferometer 6 includes an X interferometer 6X capable of emitting measurement light 6L having the X axis as a measurement axis, and a Y interferometer 6Y capable of emitting measurement light 6L having the Y axis as a measurement axis. On the mask stage MST, a measuring mirror 8X having a reflecting surface 7X perpendicular to the X axis and a measuring mirror 8Y having a reflecting surface 7Y perpendicular to the Y axis are provided. The X interferometer 6X can irradiate the reflecting surface 7X with measurement light 6L having the X axis as a measurement axis, and can measure the position of the mask stage MST in the X axis direction. The Y interferometer 6Y can irradiate the reflecting surface 7Y with measurement light 6L having the Y axis as a measurement axis, and can measure the position of the mask stage MST in the Y axis direction. A laser is provided by providing a plurality of at least one of the X interferometer 6X and the Y interferometer 6Y and irradiating at least one of the measurement light 6L having the X axis as a measurement axis and the measurement light 6L having the Y axis as a measurement axis. The interferometer 6 can measure position information of the mask stage MST in the θZ direction using the plurality of measurement lights 6L. The laser interferometer 6 is connected to the control device 1. A mask stage driving device is also connected to the control device 1. The control device 1 controls the mask stage driving device based on the measurement result of the laser interferometer 6 and controls the position of the mask M held on the mask stage MST.

なお、計測鏡８は平面鏡のみでなくコーナーキューブ（レトロリフレクタ）を含むものとしてもよいし、計測鏡８をマスクステージに固設する代わりに、例えばマスクステージＭＳＴの端面（側面）を鏡面加工して反射面を形成してもよい。また、マスクステージＭＳＴは、例えば特開平８−１３０１７９号公報（対応米国特許第６，７２１，０３４号）に開示される粗微動可能な構成としてもよい。   The measuring mirror 8 may include not only a plane mirror but also a corner cube (retro reflector). Instead of fixing the measuring mirror 8 to the mask stage, for example, the end surface (side surface) of the mask stage MST is mirror-finished. A reflective surface may be formed. Further, the mask stage MST may be configured to be capable of coarse and fine movement disclosed in, for example, JP-A-8-130179 (corresponding US Pat. No. 6,721,034).

投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターン像を所定の投影倍率で基板Ｐ上に投影するものである。投影光学系ＰＬの光学素子は鏡筒で保持されている。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、１／８等の縮小系であり、前述の照明領域と共役な投影領域にマスクパターンの縮小像を形成する。なお、投影光学系ＰＬは縮小系、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。   The projection optical system PL projects the pattern image of the mask M onto the substrate P at a predetermined projection magnification. The optical element of the projection optical system PL is held by a lens barrel. The projection optical system PL of the present embodiment is a reduction system whose projection magnification is, for example, 1/4, 1/5, 1/8, etc., and forms a reduced image of a mask pattern in a projection area conjugate with the illumination area described above. To do. The projection optical system PL may be any one of a reduction system, a unity magnification system, and an enlargement system. The projection optical system PL may be any of a refractive system that does not include a reflective optical element, a reflective system that does not include a refractive optical element, and a catadioptric system that includes a reflective optical element and a refractive optical element. Further, the projection optical system PL may form either an inverted image or an erect image.

投影光学系ＰＬには、例えば特開昭６０−７８４５４号公報（対応する米国特許第４，６６６，２７３号）、特開平１１−１９５６０２号公報（対応する米国特許第６，２３５，４３８号）、国際公開第０３／６５４２８号パンフレット（対応する米国特許公開第２００５／０２０６８５０号）等に開示されているような、投影光学系ＰＬの結像特性（投影状態）を調整可能な結像特性調整装置４０が設けられている。結像特性調整装置４０は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子の一部を移動可能な光学素子駆動装置を含む。光学素子駆動装置は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち特定の光学素子を光軸ＡＸ方向（Ｚ軸方向）に移動したり、光軸ＡＸに対して傾斜させることができる。結像特性調整装置４０は、投影光学系ＰＬの特定の光学素子を動かすことで、投影光学系ＰＬの各種収差（投影倍率、ディストーション、球面収差等）及び像面位置（焦点位置）等を含む結像特性（投影状態）を調整することができる。また、結像特性調整装置４０として、鏡筒の内部に保持されている一部の光学素子どうしの間の空間の気体の圧力を調整する圧力調整装置を設けることもできる。結像特性調整装置４０は制御装置１に接続されており、制御装置１に制御される。   As the projection optical system PL, for example, JP-A-60-78454 (corresponding US Pat. No. 4,666,273), JP-A-11-195602 (corresponding US Pat. No. 6,235,438). Imaging characteristic adjustment capable of adjusting the imaging characteristic (projection state) of the projection optical system PL as disclosed in WO 03/65428 pamphlet (corresponding to US Patent Publication No. 2005/0206850) A device 40 is provided. The imaging characteristic adjusting device 40 includes an optical element driving device capable of moving a part of the plurality of optical elements of the projection optical system PL. The optical element driving device can move a specific optical element among the plurality of optical elements of the projection optical system PL in the optical axis AX direction (Z-axis direction) or can be inclined with respect to the optical axis AX. The imaging characteristic adjusting device 40 includes various aberrations (projection magnification, distortion, spherical aberration, etc.) and image plane position (focus position) of the projection optical system PL by moving specific optical elements of the projection optical system PL. Imaging characteristics (projection state) can be adjusted. Further, as the imaging characteristic adjusting device 40, a pressure adjusting device that adjusts the pressure of the gas in the space between some of the optical elements held inside the lens barrel can be provided. The imaging characteristic adjusting device 40 is connected to the control device 1 and controlled by the control device 1.

基板ステージＰＳＴは、ステージ本体９と、ステージ本体９上に搭載された基板テーブル１０と、基板テーブル１０に設けられ、基板Ｐを着脱可能に保持する基板ホルダ１０Ｈとを備えている。本実施形態においては、基板ホルダ１０Ｈは、基板テーブル１０上に設けられた凹部１０Ｒに配置されており、基板テーブル１０のうち凹部１０Ｒ以外の上面１０Ｆは、基板ホルダ１０Ｈに保持された基板Ｐの表面とほぼ同じ高さ（面一）になるような平坦面となっている。なお、基板ホルダ１０Ｈに保持された基板Ｐの表面と、基板テーブル１０Ｔの上面１０Ｆとの間に段差があってもよい。   The substrate stage PST includes a stage main body 9, a substrate table 10 mounted on the stage main body 9, and a substrate holder 10H provided on the substrate table 10 and detachably holding the substrate P. In the present embodiment, the substrate holder 10H is disposed in a recess 10R provided on the substrate table 10, and the upper surface 10F of the substrate table 10 other than the recess 10R is the substrate P held by the substrate holder 10H. It is a flat surface that is approximately the same height (level) as the surface. There may be a step between the surface of the substrate P held by the substrate holder 10H and the upper surface 10F of the substrate table 10T.

ステージ本体９は、エアベアリング９Ａにより、ベース部材ＢＰの上面（ガイド面）に対して非接触支持されている。ベース部材ＢＰの上面はＸＹ平面とほぼ平行であり、基板ステージＰＳＴは、ベース部材ＢＰ上でＸＹ方向に移動可能である。   The stage body 9 is supported in a non-contact manner on the upper surface (guide surface) of the base member BP by an air bearing 9A. The upper surface of the base member BP is substantially parallel to the XY plane, and the substrate stage PST is movable on the base member BP in the XY direction.

基板ステージＰＳＴは、リニアモータ等のアクチュエータを含む基板ステージ駆動装置により、基板ホルダ１０Ｈに基板Ｐを保持した状態で、ベース部材ＢＰ上で移動可能である。基板ステージ駆動装置は、ステージ本体９をベース部材ＢＰ上でＸ軸方向、Ｙ軸方向、及びθＺ方向に移動することによって、そのステージ本体９上に搭載されている基板テーブル１０をＸ軸方向、Ｙ軸方向、及びθＺ方向に移動可能な第１駆動系と、ステージ本体９に対して基板テーブル１０をＺ軸方向、θＸ方向、及びθＹ方向に移動可能な第２駆動系とを備えている。   The substrate stage PST is movable on the base member BP while the substrate P is held on the substrate holder 10H by a substrate stage driving device including an actuator such as a linear motor. The substrate stage driving apparatus moves the stage body 9 on the base member BP in the X axis direction, the Y axis direction, and the θZ direction, thereby moving the substrate table 10 mounted on the stage body 9 in the X axis direction, A first drive system that can move in the Y-axis direction and the θZ direction, and a second drive system that can move the substrate table 10 in the Z-axis direction, θX direction, and θY direction with respect to the stage body 9 are provided. .

第１駆動系は、リニアモータ等のアクチュエータを含む。第２駆動系は、ステージ本体９と基板テーブル１０との間に介在された、例えばボイスコイルモータ等のアクチュエータ９Ｖと、各アクチュエータの駆動量を計測する不図示の計測装置（エンコーダなど）とを含む。基板テーブル１０は、少なくとも３つのアクチュエータ９Ｖによってステージ本体９上に支持される。アクチュエータ９Ｖのそれぞれは、ステージ本体９に対して基板テーブル１０をＺ軸方向に独立して駆動可能である。制御装置１は、３つのアクチュエータ９Ｖそれぞれの駆動量を調整することによって、ステージ本体９に対して基板テーブル１０を、Ｚ軸方向、θＸ方向、及びθＹ方向に駆動する。このように、第１、第２駆動系を含む基板ステージ駆動装置は、基板ステージＰＳＴの基板テーブル１０を、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。基板ステージ駆動装置は制御装置１に接続されている。制御装置１は、基板ステージ駆動装置を制御することにより、基板テーブル１０の基板ホルダ１０Ｈに保持された基板Ｐの表面のＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に関する位置を制御可能である。   The first drive system includes an actuator such as a linear motor. The second drive system includes an actuator 9V, such as a voice coil motor, interposed between the stage body 9 and the substrate table 10, and a measurement device (encoder, etc.) (not shown) that measures the drive amount of each actuator. Including. The substrate table 10 is supported on the stage body 9 by at least three actuators 9V. Each of the actuators 9V can drive the substrate table 10 independently of the stage body 9 in the Z-axis direction. The control device 1 drives the substrate table 10 in the Z-axis direction, the θX direction, and the θY direction with respect to the stage body 9 by adjusting the driving amounts of the three actuators 9V. Thus, the substrate stage drive apparatus including the first and second drive systems moves the substrate table 10 of the substrate stage PST in directions of six degrees of freedom in the X axis, Y axis, Z axis, θX, θY, and θZ directions. Can be moved to. The substrate stage driving device is connected to the control device 1. The control device 1 controls the substrate stage driving device to thereby provide six freedoms in the X-axis, Y-axis, Z-axis, θX, θY, and θZ directions on the surface of the substrate P held by the substrate holder 10H of the substrate table 10. The position in the direction of the degree can be controlled.

基板ステージＰＳＴの基板テーブル１０（ひいては基板Ｐ）の位置情報は、基板ステージ用のレーザ干渉計１４によって計測される。レーザ干渉計１４は制御装置１に接続されている。レーザ干渉計１４は、基板テーブル１０の側面に設けられた計測鏡１３の外側を向く反射面１２を用いて、基板テーブル１０のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測する。   The position information of the substrate table 10 (and consequently the substrate P) of the substrate stage PST is measured by the laser interferometer 14 for the substrate stage. The laser interferometer 14 is connected to the control device 1. The laser interferometer 14 measures position information regarding the X axis, the Y axis, and the θZ direction of the substrate table 10 by using the reflecting surface 12 facing the outside of the measuring mirror 13 provided on the side surface of the substrate table 10.

レーザ干渉計１４は、Ｘ軸を計測軸とする計測光１４Ｌを射出可能なＸ干渉計１４Ｘと、Ｙ軸を計測軸とする計測光１４Ｌを射出可能なＹ干渉計１４Ｙとを含む。基板テーブル１０の一部には、Ｘ軸に垂直な反射面１２Ｘを有する計測鏡１３Ｘと、Ｙ軸に垂直な反射面１２Ｙを有する計測鏡１３Ｙとが設けられている。Ｘ干渉計１４Ｘは、Ｘ軸を計測軸とする計測光１４Ｌを反射面１２Ｘに照射可能であり、基板テーブル１０のＸ軸方向に関する位置を計測可能である。Ｙ干渉計１４Ｙは、Ｙ軸を計測軸とする計測光１４Ｌを反射面１２Ｙに照射可能であり、基板テーブル１０のＹ軸方向に関する位置を計測可能である。また、Ｘ干渉計１４Ｘ及びＹ干渉計１４Ｙの少なくとも一方を複数設け、Ｘ軸を計測軸とする計測光１４Ｌ及びＹ軸を計測軸とする計測光１４Ｌの少なくとも一方を複数照射することにより、レーザ干渉計１４は、その複数の計測光１４Ｌを用いて、基板テーブル１０のθＺ方向の位置情報を計測可能である。また、基板テーブル１０の基板ホルダ１０Ｈに保持されている基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）は、不図示のフォーカス・レベリング検出系によって検出される。フォーカス・レベリング検出系は制御装置１に接続されている。制御装置１は、レーザ干渉計１４の計測結果及びフォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいて、基板ステージ駆動装置を駆動し、基板ホルダ１０Ｈに保持されている基板Ｐの位置制御を行う。   The laser interferometer 14 includes an X interferometer 14X capable of emitting measurement light 14L having the X axis as a measurement axis, and a Y interferometer 14Y capable of emitting measurement light 14L having the Y axis as a measurement axis. A part of the substrate table 10 is provided with a measuring mirror 13X having a reflecting surface 12X perpendicular to the X axis and a measuring mirror 13Y having a reflecting surface 12Y perpendicular to the Y axis. The X interferometer 14X can irradiate the reflecting surface 12X with measurement light 14L having the X axis as a measurement axis, and can measure the position of the substrate table 10 in the X axis direction. The Y interferometer 14Y can irradiate the reflecting surface 12Y with measurement light 14L having the Y axis as a measurement axis, and can measure the position of the substrate table 10 in the Y axis direction. A laser is provided by providing a plurality of at least one of the X interferometer 14X and the Y interferometer 14Y and irradiating at least one of the measurement light 14L having the X axis as a measurement axis and the measurement light 14L having the Y axis as a measurement axis. The interferometer 14 can measure position information of the substrate table 10 in the θZ direction using the plurality of measurement lights 14L. Further, the surface position information (position information on the Z axis, θX, and θY directions) of the surface of the substrate P held by the substrate holder 10H of the substrate table 10 is detected by a focus / leveling detection system (not shown). The focus / leveling detection system is connected to the control device 1. The control device 1 drives the substrate stage driving device based on the measurement result of the laser interferometer 14 and the detection result of the focus / leveling detection system, and controls the position of the substrate P held by the substrate holder 10H.

フォーカス・レベリング検出系はその複数の計測点でそれぞれ基板のＺ軸方向の位置情報を計測することで、基板のθＸ及びθＹ方向の傾斜情報（回転角）を検出するものである。さらに、例えばレーザ干渉計を使って基板のＺ軸、θＸ及びθＹ方向の位置情報を計測可能であるときは、基板の露光動作中にそのＺ軸方向の位置情報が計測可能となるようにフォーカス・レベリング検出系を設けなくてもよく、少なくとも露光動作中はレーザ干渉計の計測結果を用いてＺ軸、θＸ及びθＹ方向に関する基板の位置制御を行うようにしてもよい。   The focus / leveling detection system detects tilt information (rotation angle) in the θX and θY directions of the substrate by measuring position information in the Z-axis direction of the substrate at each of the plurality of measurement points. Furthermore, for example, when the position information in the Z-axis, θX, and θY directions of the substrate can be measured using a laser interferometer, the focus information is set so that the position information in the Z-axis direction can be measured during the substrate exposure operation. The leveling detection system may not be provided, and at least during the exposure operation, the position of the substrate in the Z axis, θX, and θY directions may be controlled using the measurement result of the laser interferometer.

また、本実施形態においては、露光装置ＥＸは、基板テーブル１０の温度を調整可能な温度調整装置３０を備えている。温度調整装置３０は制御装置１に接続されており、制御装置１に制御される。本実施形態においては、温度調整装置３０は基板テーブル１０の内部に設けられている。制御装置１は、温度調整装置３０を用いて、上面１０Ｆ及び基板ホルダ１０Ｈを含む基板テーブル１０の温度を調整可能である。   In the present embodiment, the exposure apparatus EX includes a temperature adjustment device 30 that can adjust the temperature of the substrate table 10. The temperature adjustment device 30 is connected to the control device 1 and is controlled by the control device 1. In the present embodiment, the temperature adjustment device 30 is provided inside the substrate table 10. The control device 1 can adjust the temperature of the substrate table 10 including the upper surface 10F and the substrate holder 10H by using the temperature adjusting device 30.

なお、温度調整装置３０は、例えば、基板テーブル１０内に温度調整可能な流体（例えば、液体）を流すことによって、基板テーブル１０の温度を調整するものである。もちろん、ヒータ、ペルチェ素子などを用いることもできる。   The temperature adjusting device 30 adjusts the temperature of the substrate table 10 by flowing a fluid whose temperature can be adjusted (for example, liquid) through the substrate table 10, for example. Of course, a heater, a Peltier element, etc. can also be used.

本実施形態の露光装置ＥＸは、基板テーブル１０からの検出光２１Ｌを受光して、基板テーブル１０の温度情報を光学的に取得する検出装置２０を備えている。検出装置２０は、基板テーブル１０から離れた所定位置に配置され、検出光２１Ｌを射出可能なレーザ干渉計２１を備えており、レーザ干渉計２１から射出した検出光２１Ｌを基板テーブル１０に照射する。本実施形態において、検出装置２０は、基板テーブル１０の温度情報を、レーザ干渉計２１を用いて光学的に計測する。   The exposure apparatus EX of the present embodiment includes a detection device 20 that receives the detection light 21L from the substrate table 10 and optically acquires temperature information of the substrate table 10. The detection device 20 includes a laser interferometer 21 that is disposed at a predetermined position away from the substrate table 10 and can emit detection light 21L, and irradiates the substrate table 10 with the detection light 21L emitted from the laser interferometer 21. . In the present embodiment, the detection device 20 optically measures the temperature information of the substrate table 10 using the laser interferometer 21.

図２は基板テーブル１０及び検出装置２０を示す側面図、図３は平面図である。本実施形態においては、基板テーブル１０は、検出光２１Ｌに対して透明である。検出装置２０は、基板テーブル１０に検出光２１Ｌを照射するとともに、その基板テーブル１０の一部を通過した検出光２１Ｌの受光し、その受光結果に基づいて、基板テーブル１０の温度情報を取得する。基板テーブル１０は、例えば、ショット日本株式会社製のゼロデュア（登録商標）等の、透明で線膨張係数が小さい材料で形成可能である。   2 is a side view showing the substrate table 10 and the detection device 20, and FIG. 3 is a plan view. In the present embodiment, the substrate table 10 is transparent to the detection light 21L. The detection device 20 irradiates the substrate table 10 with the detection light 21L, receives the detection light 21L that has passed through a part of the substrate table 10, and acquires temperature information of the substrate table 10 based on the light reception result. . The substrate table 10 can be formed of a transparent material having a small linear expansion coefficient, such as Zerodure (registered trademark) manufactured by Shot Japan Co., Ltd., for example.

基板テーブル１０に設けられた計測鏡１３は、内側を向く反射面１１を有している。反射面１１は、レーザ干渉計１４からの計測光１４Ｌが照射される反射面反射面１２と背中合わせに形成されている。   The measuring mirror 13 provided on the substrate table 10 has a reflecting surface 11 facing inward. The reflection surface 11 is formed back-to-back with the reflection surface reflection surface 12 to which the measurement light 14L from the laser interferometer 14 is irradiated.

検出装置２０のレーザ干渉計２１からの検出光２１Ｌは、透明な基板テーブル１０を介して反射面１１に照射される。レーザ干渉計２１から射出され、透明な基板テーブル１０を通過し、反射面１１に照射された検出光２１Ｌは、反射面１１で反射する。反射面１１で反射した検出光２１Ｌの反射光は、再び基板テーブル１０を通過した後、基板テーブル１０より射出され、レーザ干渉計２１に到達する。レーザ干渉計２１は、反射面１１で反射し、基板テーブル１０を通過した検出光２１Ｌを受光する。レーザ干渉計２１は、反射面１１で反射した検出光２１Ｌを受光し、その受光結果に基づいて、所定の基準位置と反射面１１との相対位置関係を計測可能である。後述するように、検出装置２０は、検出光２１Ｌの受光結果、すなわち、所定の基準位置と反射面１１との相対位置関係に基づいて、基板テーブル１０の温度情報を取得する。   Detection light 21 </ b> L from the laser interferometer 21 of the detection device 20 is irradiated onto the reflection surface 11 through the transparent substrate table 10. The detection light 21 </ b> L emitted from the laser interferometer 21, passing through the transparent substrate table 10 and irradiated on the reflecting surface 11 is reflected by the reflecting surface 11. The reflected light of the detection light 21 </ b> L reflected by the reflective surface 11 passes through the substrate table 10 again, is emitted from the substrate table 10, and reaches the laser interferometer 21. The laser interferometer 21 receives the detection light 21 </ b> L reflected by the reflecting surface 11 and passing through the substrate table 10. The laser interferometer 21 receives the detection light 21L reflected by the reflecting surface 11, and can measure the relative positional relationship between a predetermined reference position and the reflecting surface 11 based on the light reception result. As will be described later, the detection device 20 acquires the temperature information of the substrate table 10 based on the light reception result of the detection light 21L, that is, the relative positional relationship between the predetermined reference position and the reflection surface 11.

上述のように、基板テーブル１０の一部には、Ｘ軸に垂直な反射面１２Ｘを有する計測鏡１３Ｘと、Ｙ軸に垂直な反射面１２Ｙを有する計測鏡１３Ｙとが設けられている。その計測鏡１３Ｘの反射面１２Ｘと背中合わせに、Ｘ軸に垂直な反射面１１Ｘが設けられ、計測鏡１３Ｙの反射面１２Ｙと背中合わせに、Ｙ軸に垂直な反射面１１Ｙが設けられている。基板テーブル１０の温度情報を取得するためのレーザ干渉計２１は、Ｘ軸を計測軸とする検出光２１Ｌを射出可能なＸ干渉計２１Ｘと、Ｙ軸を計測軸とする検出光２１Ｌを射出可能なＹ干渉計２１Ｙとを含む。Ｘ干渉計２１Ｘは、Ｘ軸を計測軸とする検出光２１Ｌを反射面１１Ｘに照射可能であり、所定の基準位置と反射面１１ＸとのＸ軸方向に関する相対位置関係を計測可能である。Ｙ干渉計２１Ｙは、Ｙ軸を計測軸とする検出光２１Ｌを反射面１１Ｙに照射可能であり、所定の基準位置と反射面１１ＹとのＹ軸方向に関する相対位置関係を計測可能である。   As described above, a part of the substrate table 10 is provided with the measuring mirror 13X having the reflecting surface 12X perpendicular to the X axis and the measuring mirror 13Y having the reflecting surface 12Y perpendicular to the Y axis. A reflection surface 11X perpendicular to the X axis is provided back to back with the reflection surface 12X of the measurement mirror 13X, and a reflection surface 11Y perpendicular to the Y axis is provided back to back with the reflection surface 12Y of the measurement mirror 13Y. The laser interferometer 21 for acquiring temperature information of the substrate table 10 can emit an X interferometer 21X capable of emitting detection light 21L having the X axis as a measurement axis and a detection light 21L having the Y axis as a measurement axis. Y interferometer 21Y. The X interferometer 21X can irradiate the reflective surface 11X with detection light 21L having the X axis as a measurement axis, and can measure the relative positional relationship between the predetermined reference position and the reflective surface 11X in the X axis direction. The Y interferometer 21Y can irradiate the reflecting surface 11Y with detection light 21L having the Y axis as a measurement axis, and can measure the relative positional relationship between the predetermined reference position and the reflecting surface 11Y in the Y axis direction.

次に、検出装置２０を用いて基板テーブル１０の温度情報を取得する手順について説明する。本実施形態では、図３に示すように、基板テーブル１０の温度計測対象エリアとして第１〜第４エリアＡ〜Ｄが設定される。検出装置２０は、これら各エリアＡ〜Ｄそれぞれの温度情報を取得する。本実施形態においては、各エリアＡ〜ＤのＸＹ方向における形状は正方形状であり、各エリアＡ〜Ｄの一辺の長さはＬである。   Next, a procedure for acquiring temperature information of the substrate table 10 using the detection device 20 will be described. In the present embodiment, as shown in FIG. 3, first to fourth areas A to D are set as the temperature measurement target areas of the substrate table 10. The detection device 20 acquires temperature information of each of the areas A to D. In the present embodiment, the shape of each area A to D in the XY direction is a square shape, and the length of one side of each area A to D is L.

検出装置２０は、計測対象エリアの数に応じて複数（４つ）のレーザ干渉計２１を有している。検出装置２０は、これら複数のレーザ干渉計２１を用いて、基板テーブル１０の複数の位置のそれぞれに検出光２１Ｌを照射する。具体的には、基板テーブル１０の−Ｘ方向に離れた所定位置に、Ｙ軸方向に並ぶように２つのＸ干渉計２１Ｘａ、２１Ｘｂが配置される。また、基板テーブル１０の＋Ｙ方向に離れた所定位置に、Ｘ軸方向に並ぶように２つのＸ干渉計２１Ｙａ、２１Ｙｂが配置される。   The detection device 20 includes a plurality (four) of laser interferometers 21 according to the number of measurement target areas. The detection device 20 irradiates the detection light 21 </ b> L to each of the plurality of positions of the substrate table 10 using the plurality of laser interferometers 21. Specifically, two X interferometers 21Xa and 21Xb are arranged at predetermined positions separated from the −X direction of the substrate table 10 so as to be aligned in the Y-axis direction. Further, two X interferometers 21Ya and 21Yb are arranged at predetermined positions on the substrate table 10 in the + Y direction so as to be aligned in the X-axis direction.

計測鏡１３Ｘは、矩形状（正方形状）に形成された基板テーブル１０の＋Ｘ側の側面に設けられ、計測鏡１３Ｙは、基板テーブル１０の−Ｙ側の側面に設けられる。反射面１１Ｘは−Ｘ方向を向いており、反射面１１Ｙは＋Ｙ方向を向いている。反射面１１Ｘは、エリアＡ、Ｂの＋Ｘ側の側面と一致しており、反射面１１Ｙは、エリアＢ、Ｄの−Ｙ側の側面と一致している。Ｘ干渉計２１Ｘａ、２１Ｘｂは、基板テーブル１０を介して、−Ｘ方向から、反射面１１Ｘに検出光２１Ｌを入射し、Ｙ干渉計２１Ｙａ、２１Ｙｂは、基板テーブル１０を介して、＋Ｙ方向から、反射面１１Ｙに検出光２１Ｌを入射する。   The measurement mirror 13X is provided on the side surface on the + X side of the substrate table 10 formed in a rectangular shape (square shape), and the measurement mirror 13Y is provided on the side surface on the −Y side of the substrate table 10. The reflective surface 11X faces the −X direction, and the reflective surface 11Y faces the + Y direction. The reflective surface 11X matches the side surface on the + X side of the areas A and B, and the reflective surface 11Y matches the side surface on the −Y side of the areas B and D. The X interferometers 21Xa and 21Xb make the detection light 21L incident on the reflecting surface 11X from the −X direction via the substrate table 10, and the Y interferometers 21Ya and 21Yb pass from the + Y direction via the substrate table 10. The detection light 21L is incident on the reflecting surface 11Y.

Ｘ干渉計２１ＸａからＸ軸とほぼ平行に射出される検出光２１Ｌは、エリアＣ、Ａを通過した後、反射面１１Ｘで反射し、再びエリアＡ、Ｃを通過した後、Ｘ干渉計２１Ｘａで受光される。Ｘ干渉計２１ＸｂからＸ軸とほぼ平行に射出される検出光２１Ｌは、エリアＤ、Ｂを通過した後、反射面１１Ｘで反射し、再びエリアＢ、Ｄを通過した後、Ｘ干渉計２１Ｘｂで受光される。Ｙ干渉計２１ＹａからＹ軸とほぼ平行に射出される検出光２１Ｌは、エリアＡ、Ｂを通過した後、反射面１１Ｙで反射し、再びエリアＢ、Ａを通過した後、Ｙ干渉計２１Ｙａで受光される。Ｙ干渉計２１ＹｂからＹ軸とほぼ平行に射出される検出光２１Ｌは、エリアＣ、Ｄを通過した後、反射面１１Ｙで反射し、再びエリアＤ、Ｃを通過した後、Ｙ干渉計２１Ｙｂで受光される。   The detection light 21L emitted from the X interferometer 21Xa substantially parallel to the X axis passes through the areas C and A, is reflected by the reflecting surface 11X, passes through the areas A and C again, and then passes through the areas A and C. Received light. The detection light 21L emitted from the X interferometer 21Xb almost parallel to the X axis passes through the areas D and B, is reflected by the reflecting surface 11X, passes through the areas B and D again, and is then transmitted by the X interferometer 21Xb. Received light. The detection light 21L emitted from the Y interferometer 21Ya substantially parallel to the Y-axis passes through the areas A and B, is reflected by the reflecting surface 11Y, passes through the areas B and A again, and is then reflected by the Y interferometer 21Ya. Received light. The detection light 21L emitted from the Y interferometer 21Yb substantially parallel to the Y axis passes through the areas C and D, is reflected by the reflecting surface 11Y, passes through the areas D and C again, and then passes through the areas D and C by the Y interferometer 21Yb. Received light.

また、基板テーブル１０の位置情報は、レーザ干渉計１４Ｘ、１４Ｙによって計測される。Ｘ干渉計１４Ｘは、基板テーブル１０の＋Ｘ方向に離れた所定位置に配置されている。Ｘ干渉計１４Ｘは、反射面１１Ｘと背中合わせに形成された＋Ｘ方向を向く反射面１２Ｘを用いて基板テーブル１０のＸ軸方向の位置情報を取得する。Ｘ干渉計１４Ｘは、基板テーブル１０を介さずに、＋Ｘ方向から計測光１４Ｌを反射面１２Ｘに入射する。Ｙ干渉計１４Ｙは、基板テーブル１０の−Ｙ方向に離れた所定位置に配置されており、反射面１１Ｙと背中合わせに形成された−Ｙ方向を向く反射面１２Ｙを用いて基板テーブル１０のＹ軸方向の位置情報を取得する。Ｙ干渉計１４Ｙは、基板テーブル１０を介さずに、−Ｙ方向から計測光１４Ｌを反射面１２Ｙに入射する。   Further, the position information of the substrate table 10 is measured by the laser interferometers 14X and 14Y. The X interferometer 14X is arranged at a predetermined position away from the substrate table 10 in the + X direction. The X interferometer 14X acquires positional information in the X-axis direction of the substrate table 10 using the reflective surface 12X that is formed back-to-back with the reflective surface 11X and faces the + X direction. The X interferometer 14X makes the measurement light 14L incident on the reflecting surface 12X from the + X direction without passing through the substrate table 10. The Y interferometer 14Y is arranged at a predetermined position away from the −Y direction of the substrate table 10 and uses the reflection surface 12Y formed back to back with the reflection surface 11Y and facing the −Y direction, so that the Y axis of the substrate table 10 is used. Get the position information of the direction. The Y interferometer 14Y makes the measurement light 14L incident on the reflecting surface 12Y from the −Y direction without going through the substrate table 10.

基板テーブル１０の温度情報を取得するために、制御装置１は、検出装置２０の各レーザ干渉計２１Ｘａ、２１Ｘｂ、２１Ｙａ、２１Ｙｂのそれぞれから検出光２１Ｌを射出する。各レーザ干渉計２１Ｘａ、２１Ｘｂ、２１Ｙａ、２１Ｙｂのそれぞれから射出された検出光２１Ｌは、基板テーブル１０を通過し、反射面１１Ｘ、１１Ｙのそれぞれで反射し、再び基板テーブル１０を通過して、各レーザ干渉計２１Ｘａ、２１Ｘｂ、２１Ｙａ、２１Ｙｂに受光される。検出装置２０は、基板テーブル１０を通過した検出光２１を受光し、その受光結果に基づいて、基板テーブル１０（基板テーブル１０を構成する透明部材）の検出光２１Ｌに対する屈折率情報を求め、その屈折率情報に基づいて、基板テーブル１０の温度情報を取得する。   In order to acquire temperature information of the substrate table 10, the control device 1 emits detection light 21L from each of the laser interferometers 21Xa, 21Xb, 21Ya, and 21Yb of the detection device 20. The detection light 21L emitted from each of the laser interferometers 21Xa, 21Xb, 21Ya, and 21Yb passes through the substrate table 10, is reflected by the reflecting surfaces 11X and 11Y, passes through the substrate table 10 again, and The laser interferometers 21Xa, 21Xb, 21Ya, and 21Yb receive the light. The detection device 20 receives the detection light 21 that has passed through the substrate table 10, and obtains refractive index information for the detection light 21L of the substrate table 10 (transparent member constituting the substrate table 10) based on the light reception result. Based on the refractive index information, temperature information of the substrate table 10 is acquired.

検出装置２０は、検出光２１Ｌの受光結果に基づいて、基板テーブル１０の基準温度Ｔ０での基準屈折率ｎ０に対する屈折率変化量を求め、求めた屈折率変化量に基づいて、基板テーブル１０の基準温度Ｔ０に対する温度変化量（ΔＴ）を求める。これにより、基板テーブル１０の温度を求めることができる。The detection device 20 obtains the refractive index change amount with respect to the reference refractive index n 0 at the reference temperature T 0 of the substrate table 10 based on the light reception result of the detection light 21L, and based on the obtained refractive index change amount, the substrate table. A temperature change amount (ΔT) with respect to 10 reference temperature T 0 is obtained. Thereby, the temperature of the substrate table 10 can be obtained.

以下、具体例について説明する。各エリアＡ〜Ｄの検出光２１Ｌに対する屈折率（平均屈折率）をｎＡ〜ｎＤとした場合、各エリアＡ〜Ｄの一辺の長さはＬであるので、レーザ干渉計２１Ｙａで計測される光路長をＬ１としたとき、
Ｌ１＝（ｎＡ＋ ｎＢ）×２Ｌ … （１）
が成り立つ。上述のように、レーザ干渉計２１は、所定の基準位置と反射面１１との相対位置関係（例えば距離）を計測可能である。また、上述のように、反射面１１ＹとエリアＢの−Ｙ側の側面とは一致している。したがって、レーザ干渉計２１Ｙａは、第１エリアＡの＋Ｙ側の側面と、第２エリアＢの−Ｙ側の側面との間のＹ軸方向に関する距離（光路長）を計測可能である。同様に、レーザ干渉計２１Ｙｂ、２１Ｘａ、２１Ｘｂのそれぞれで計測される光路長をＬ２、Ｌ３、Ｌ４としたとき、
Ｌ２＝（ｎＣ＋ ｎＤ）×２Ｌ … （２）
Ｌ３＝（ｎＡ＋ ｎＣ）×２Ｌ … （３）
Ｌ４＝（ｎＢ＋ ｎＤ）×２Ｌ … （４）
が成り立つ。Hereinafter, specific examples will be described. When the refractive index (average refractive index) with respect to the detection light 21L in each area A to D is n A to n D , the length of one side of each area A to D is L, and therefore, measured by the laser interferometer 21Ya. When the optical path length is L 1 ,
L 1 = (n A + n B ) × 2L (1)
Holds. As described above, the laser interferometer 21 can measure the relative positional relationship (for example, distance) between the predetermined reference position and the reflecting surface 11. Further, as described above, the reflecting surface 11Y coincides with the −Y side surface of the area B. Therefore, the laser interferometer 21Ya can measure the distance (optical path length) in the Y-axis direction between the + Y side surface of the first area A and the −Y side surface of the second area B. Similarly, when the optical path lengths measured by the laser interferometers 21Yb, 21Xa, and 21Xb are L 2 , L 3 , and L 4 ,
L 2 = (n C + n D ) × 2L (2)
L 3 = (n A + n C ) × 2L (3)
L 4 = (n B + n D ) × 2L (4)
Holds.

（１）〜（４）式において、長さＬは既知の値であり、光路長Ｌ１〜Ｌ４の値は、各レーザ干渉計２１Ｙａ、２１Ｙｂ、２１Ｘａ、２１Ｘｂのそれぞれの計測結果から導出されるため、（１）〜（４）式を連立方程式として解くことにより、各計測エリアＡ〜Ｄの検出光２１Ｌに対する屈折率をｎＡ〜ｎＤを求めることができる。このように、検出光２１Ｌの受光結果に基づいて、基板テーブル１０の検出光２１Ｌに対する屈折率情報を求めることができる。また、基準温度Ｔ０での基準屈折率ｎ０に対する屈折率変化量（ｎＡ−ｎ０、ｎＢ−ｎ０、ｎＣ−ｎ０、ｎＤ−ｎ０）を求めることができる。In the expressions (1) to (4), the length L is a known value, and the values of the optical path lengths L 1 to L 4 are derived from the measurement results of the laser interferometers 21Ya, 21Yb, 21Xa, and 21Xb. Therefore, by solving the equations (1) to (4) as simultaneous equations, n A to n D can be obtained as the refractive indexes for the detection lights 21L in the respective measurement areas A to D. In this way, the refractive index information for the detection light 21L of the substrate table 10 can be obtained based on the light reception result of the detection light 21L. Further, it is possible to determine the refractive index variation with respect to the reference refractive index n 0 at a reference temperature T 0 (n A -n 0, n B -n 0, n C -n 0, n D -n 0).

記憶装置２には、基板テーブル１０の温度変化量と屈折率変化量との関係、換言すれば、屈折率の温度依存性（ｄｎ／ｄＴ）が予め記憶されている。値（ｄｎ／ｄＴ）は、基板テーブル１０を形成する材料（本実施形態ではゼロデュア）固有の既知の値である。また、基準温度Ｔ０での基準屈折率ｎ０の値も、材料固有の既知の値であり記憶装置２に記憶されている。基準温度Ｔ０に対する第１エリアＡの温度変化量をΔＴＡとした場合、
ｎＡ＝ｎ０＋（ｄｎ／ｄＴ）×ΔＴＡ … （５）
が成り立つ。上述のように、屈折率ｎＡは（１）〜（４）式より導出され、基準屈折率ｎ０及び値（ｄｎ／ｄＴ）は既知の値であるため、第１エリアＡの基準温度Ｔ０に対する温度変化量ΔＴＡを求めることができる。したがって、第１エリアＡの温度（絶対温度）を求めることができる。同様に、基準温度Ｔ０に対する第２〜第４エリアＢ〜Ｄの温度変化量をΔＴＢ、ΔＴＣ、ΔＴＤとした場合、
ｎＢ＝ｎ０＋（ｄｎ／ｄＴ）×ΔＴＢ … （６）
ｎＣ＝ｎ０＋（ｄｎ／ｄＴ）×ΔＴＣ … （７）
ｎＤ＝ｎ０＋（ｄｎ／ｄＴ）×ΔＴＤ … （８）
が成り立ち、第２〜第４エリアＢ〜Ｄそれぞれの温度（絶対温度）を求めることができる。In the storage device 2, the relationship between the temperature change amount and the refractive index change amount of the substrate table 10, in other words, the temperature dependence (dn / dT) of the refractive index is stored in advance. The value (dn / dT) is a known value specific to the material forming the substrate table 10 (zero-dur in this embodiment). The value of the reference refractive index n 0 at a reference temperature T 0 is also stored and the storage device 2 a material-specific known values. If the temperature variation of the first area A to the reference temperature T 0 and a [Delta] T A,
n A = n 0 + (dn / dT) × ΔT A (5)
Holds. As described above, since the refractive index n A is derived from the equations (1) to (4) and the reference refractive index n 0 and the value (dn / dT) are known values, the reference temperature T of the first area A is determined. A temperature change amount ΔT A with respect to 0 can be obtained. Therefore, the temperature (absolute temperature) of the first area A can be obtained. Similarly, when the amount of temperature change in the second to fourth areas B to D with respect to the reference temperature T 0 is ΔT B , ΔT C and ΔT D ,
n B = n 0 + (dn / dT) × ΔT B (6)
n C = n 0 + (dn / dT) × ΔT C (7)
n D = n 0 + (dn / dT) × ΔT D (8)
Thus, the temperatures (absolute temperatures) of the second to fourth areas B to D can be obtained.

以上のように、検出装置２０は、レーザ干渉計２１及び基板テーブル１０の一部に形成された反射面１１を用いて、所定の基準位置と反射面１１との相対位置関係を計測し、その計測結果に基づいて、基板テーブル１０の温度情報を取得することができる。
また、本実施形態においては、検出装置２０は、基板テーブル１０の複数の位置（エリアＡ〜Ｄ）のそれぞれに検出光２１Ｌを照射しているので、それら複数の検出光２１Ｌの受光結果に基づいて、基板テーブル１０の各エリアＡ〜Ｄ毎の温度、すなわち基板テーブル１０の温度分布を求めることができる。As described above, the detection device 20 measures the relative positional relationship between the predetermined reference position and the reflection surface 11 using the laser interferometer 21 and the reflection surface 11 formed on a part of the substrate table 10, and Based on the measurement result, the temperature information of the substrate table 10 can be acquired.
Moreover, in this embodiment, since the detection apparatus 20 is irradiating each of several position (area AD) of the substrate table 10 with the detection light 21L, based on the light reception result of these several detection light 21L. Thus, the temperature for each area A to D of the substrate table 10, that is, the temperature distribution of the substrate table 10 can be obtained.

検出装置２０を用いた基板テーブル１０の温度情報を取得する動作は、例えば基板Ｐを露光する前に行われる。検出装置２０の検出結果は制御装置１に出力され、制御装置１は、検出装置２０で取得した基板テーブル１０の温度情報に応じて、所定の処理を実行することができる。例えば、基板テーブル１０（基板ホルダ１０Ｈ）にロードされる前の基板Ｐと基板テーブル１０との温度差が小さくなるように、あるいは、基板Ｐの温度に対して基板テーブル１０の温度が所定関係となるように、制御装置１は、取得した基板テーブル１０の温度情報に基づいて、基板Ｐ及び基板テーブル１０の少なくとも一方の温度を調整することができる。例えば、制御装置１は、取得した基板テーブル１０の温度情報に基づいて、基板テーブル１０（基板ホルダ１０Ｈ）にロードされる前の基板Ｐと基板テーブル１０との温度差が小さくなるように、温度調整装置３０を制御して、基板テーブル１０の温度を調整する。このとき、基板Ｐの温度を検出する温度センサが設けられている場合には、制御装置１は、その温度センサを用いて基板Ｐの温度を予め検出する。制御装置１は、この温度センサの検出結果（すなわち基板Ｐの温度）に基づいて、あるいはこの基板Ｐの温度を目標値として、温度調整装置３０を制御して、基板テーブル１０の温度を調整する。制御装置１は、検出装置２０を用いて、基板テーブル１０の温度情報をモニタしつつ、温度調整装置３０を用いて、基板テーブル１０の温度を調整する。これにより、制御装置１は、基板テーブル１０を所望の温度にすることができる。   The operation of acquiring temperature information of the substrate table 10 using the detection device 20 is performed before, for example, exposing the substrate P. The detection result of the detection device 20 is output to the control device 1, and the control device 1 can execute a predetermined process according to the temperature information of the substrate table 10 acquired by the detection device 20. For example, the temperature difference between the substrate P 10 and the substrate table 10 before being loaded on the substrate table 10 (substrate holder 10H) is reduced, or the temperature of the substrate table 10 has a predetermined relationship with the temperature of the substrate P. As described above, the control device 1 can adjust the temperature of at least one of the substrate P and the substrate table 10 based on the acquired temperature information of the substrate table 10. For example, the control device 1 determines the temperature so that the temperature difference between the substrate P and the substrate table 10 before being loaded on the substrate table 10 (substrate holder 10H) becomes small based on the acquired temperature information of the substrate table 10. The adjusting device 30 is controlled to adjust the temperature of the substrate table 10. At this time, when a temperature sensor for detecting the temperature of the substrate P is provided, the control device 1 detects the temperature of the substrate P in advance using the temperature sensor. The control device 1 adjusts the temperature of the substrate table 10 by controlling the temperature adjustment device 30 based on the detection result of the temperature sensor (that is, the temperature of the substrate P) or by using the temperature of the substrate P as a target value. . The control device 1 adjusts the temperature of the substrate table 10 using the temperature adjustment device 30 while monitoring the temperature information of the substrate table 10 using the detection device 20. Thereby, the control apparatus 1 can make the substrate table 10 into desired temperature.

また、基板Ｐの温度を検出する温度センサが設けられている場合には、制御装置１は、取得した基板テーブル１０の温度情報と温度センサの検出結果とに基づいて、基板テーブル１０（基板ホルダ１０Ｈ）にロードされる前の基板Ｐと基板テーブル１０との温度差が小さくなるように、あるいは、基板Ｐの温度に対して基板テーブル１０の温度が所定関係となるように、温度調整装置５を制御して、基板Ｐの温度を調整した後、その温度調整された基板Ｐを、搬送装置４を用いて基板テーブル１０にロードすることができる。なお、温度センサが設けられている場合には、温度調整装置５及び温度調整装置３０のいずれか一方を省いても、基板Ｐの温度と基板テーブル１０の温度とを所定の関係に調整することができる。また、温度調整装置５で調整される基板Ｐの温度が予め定められている場合には、温度検出センサを使わずに、温度調整装置５で調整される基板Ｐの温度と検出装置２０の検出結果とに基づいて、温度調整装置３０を使って基板テーブル１０の温度を調整して、基板Ｐの温度と基板テーブル１０の温度とを所定の関係に調整することができる。もちろん、制御装置１は、検出装置２０の検出結果に基づいて、温度調整装置５及び温度調整装置３０のそれぞれを用いて、基板Ｐと基板テーブル１０との両方の温度を調整することもできる。   When a temperature sensor for detecting the temperature of the substrate P is provided, the control device 1 determines the substrate table 10 (substrate holder) based on the acquired temperature information of the substrate table 10 and the detection result of the temperature sensor. 10H) so that the temperature difference between the substrate P and the substrate table 10 before being loaded becomes small, or the temperature of the substrate table 10 has a predetermined relationship with the temperature of the substrate P. After controlling the temperature of the substrate P to adjust the temperature, the temperature-adjusted substrate P can be loaded onto the substrate table 10 using the transfer device 4. In the case where a temperature sensor is provided, the temperature of the substrate P and the temperature of the substrate table 10 are adjusted to a predetermined relationship even if one of the temperature adjusting device 5 and the temperature adjusting device 30 is omitted. Can do. Further, when the temperature of the substrate P adjusted by the temperature adjustment device 5 is determined in advance, the temperature of the substrate P adjusted by the temperature adjustment device 5 and the detection of the detection device 20 are not used without using the temperature detection sensor. Based on the result, the temperature of the substrate table 10 can be adjusted using the temperature adjustment device 30 to adjust the temperature of the substrate P and the temperature of the substrate table 10 to a predetermined relationship. Of course, the control device 1 can also adjust the temperature of both the substrate P and the substrate table 10 using each of the temperature adjustment device 5 and the temperature adjustment device 30 based on the detection result of the detection device 20.

そして、検出装置２０の検出結果に基づいて、基板テーブル１０（基板ホルダ１０Ｈ）にロードされる前の基板Ｐ及び基板テーブル１０の少なくとも一方の温度を調整する動作が実行された後、制御装置１は、搬送装置４を用いて、基板Ｐを基板テーブル１０にロードする。基板Ｐと基板テーブル１０とは所望の温度関係になっており、基板テーブル１０で基板Ｐを保持したときにも、基板Ｐが熱変形することを抑制することができる。   Then, after the operation of adjusting the temperature of at least one of the substrate P and the substrate table 10 before being loaded onto the substrate table 10 (substrate holder 10H) is executed based on the detection result of the detection device 20, the control device 1 Uses the transfer device 4 to load the substrate P onto the substrate table 10. The substrate P and the substrate table 10 have a desired temperature relationship, and even when the substrate P is held by the substrate table 10, the substrate P can be prevented from being thermally deformed.

図４は、基板テーブル１０にロードされた後の基板Ｐを示す平面図である。基板Ｐ上には複数のショット領域が設定されている。制御装置１は、投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ（露光光ＥＬの光路）と基板Ｐとが、図４中、矢印ｙ１に沿って相対的に移動するように、基板Ｐを保持した基板ステージＰＳＴを移動しつつ、各ショット領域のそれぞれを順次露光する。例えば、制御装置１は、第１のショット領域を露光するために、第１のショット領域の露光開始位置と投影領域ＡＲとを位置合わせした後、基板ステージＰＳＴを制御して、投影領域ＡＲに対して基板ＰをＹ軸方向に走査（スキャン）する。本実施形態においては、投影領域ＡＲは、Ｘ軸方向を長手方向とするスリット状に設定されており、投影領域ＡＲに対して基板ＰをＹ軸方向に走査しつつ、基板Ｐ上に露光光ＥＬを照射することにより、所定の大きさを有する第１のショット領域を露光することができる。そして、第１のショット領域の露光が完了した後、制御装置１は、基板Ｐをステッピング移動し、次に露光されるべき第２のショット領域の露光開始位置と投影領域ＡＲとを位置合わせした後、基板ＰをＹ軸方向に走査し、その第２のショット領域を露光する。制御装置１は、スキャン移動とステッピング移動とを繰り返し、基板Ｐ上の複数のショット領域のそれぞれを順次露光する。また、基板Ｐ上のショット領域を露光するときには、制御装置１は、反射面１２に計測光１４Ｌを照射するレーザ干渉計１４を用いて、基板Ｐを保持した基板テーブル１０の位置情報をモニタしつつ、基板ステージＰＳＴの移動を制御する。   FIG. 4 is a plan view showing the substrate P after being loaded on the substrate table 10. A plurality of shot areas are set on the substrate P. The control device 1 is a substrate stage that holds the substrate P so that the projection area AR (the optical path of the exposure light EL) of the projection optical system PL and the substrate P move relative to each other along the arrow y1 in FIG. Each shot area is sequentially exposed while moving the PST. For example, in order to expose the first shot area, the control device 1 aligns the exposure start position of the first shot area and the projection area AR, and then controls the substrate stage PST to change the exposure position to the projection area AR. On the other hand, the substrate P is scanned in the Y-axis direction. In the present embodiment, the projection area AR is set in a slit shape whose longitudinal direction is the X-axis direction, and exposure light is projected onto the substrate P while scanning the substrate P in the Y-axis direction with respect to the projection area AR. By irradiating the EL, the first shot region having a predetermined size can be exposed. Then, after the exposure of the first shot area is completed, the control device 1 performs stepping movement of the substrate P, and aligns the exposure start position of the second shot area to be exposed next and the projection area AR. Thereafter, the substrate P is scanned in the Y-axis direction, and the second shot area is exposed. The control device 1 repeats the scanning movement and the stepping movement, and sequentially exposes each of the plurality of shot areas on the substrate P. When the shot area on the substrate P is exposed, the control device 1 monitors the position information of the substrate table 10 holding the substrate P by using the laser interferometer 14 that irradiates the measuring surface 14L with the measurement light 14L. Meanwhile, the movement of the substrate stage PST is controlled.

以上説明したように、検出装置２０は、基板Ｐを保持する基板テーブル１０の温度を精確に取得することができるため、制御装置１は、例えば、基板Ｐと基板テーブル１０との温度差に起因する露光不良の発生を抑え、基板Ｐを良好に露光することができる。また、検出装置２０は、基板テーブル１０の温度情報を光学的に検出するものであり、温度情報を取得するためのレーザ干渉計２１等の機器は、基板テーブル１０の外側の離れた位置に設けられている。例えば、基板テーブル１０に温度センサを設けた場合、その温度センサによって基板テーブル１０の重量が増したり、あるいは温度センサに接続されるケーブル類によって基板テーブル１０（基板ステージＰＳＴ）の円滑な移動を妨げる可能性があるが、本実施形態においては、そのような不具合の発生を抑えることができる。   As described above, since the detection device 20 can accurately acquire the temperature of the substrate table 10 that holds the substrate P, the control device 1 is caused by, for example, a temperature difference between the substrate P and the substrate table 10. Therefore, the substrate P can be exposed satisfactorily. Further, the detection device 20 optically detects temperature information of the substrate table 10, and devices such as a laser interferometer 21 for obtaining the temperature information are provided at positions outside the substrate table 10. It has been. For example, when a temperature sensor is provided on the substrate table 10, the weight of the substrate table 10 is increased by the temperature sensor, or smooth movement of the substrate table 10 (substrate stage PST) is hindered by cables connected to the temperature sensor. Although there is a possibility, in the present embodiment, occurrence of such a problem can be suppressed.

本実施形態においては、露光装置ＥＸの動作状況を報知する報知装置３が設けられており、例えば、検出装置２０で基板テーブル１０の温度情報をモニタしつつ、温度調整装置３０を用いて基板テーブル１０の温度調整を行う場合、制御装置１は、報知装置３を用いて、例えば基板テーブル１０が所望の温度になったことを報知することができる。あるいは、例えば温度調整装置３０を用いて基板テーブル１０の温度調整動作を実行したにもかかわらず、検出装置２０の検出結果に基づいて、基板テーブル１０が所望の温度にならないと判断した場合には、制御装置１は、報知装置３を用いて、例えばエラーや警告を発することができる。   In the present embodiment, a notification device 3 that notifies the operation status of the exposure apparatus EX is provided. For example, while the temperature information of the substrate table 10 is monitored by the detection device 20, the temperature adjustment device 30 is used to monitor the substrate table. When the temperature adjustment of 10 is performed, the control device 1 can notify that, for example, the substrate table 10 has reached a desired temperature using the notification device 3. Alternatively, for example, when the temperature adjustment operation of the substrate table 10 is performed using the temperature adjustment device 30 and it is determined that the substrate table 10 does not reach a desired temperature based on the detection result of the detection device 20. The control device 1 can issue an error or a warning, for example, using the notification device 3.

なお、本実施形態においては、基板テーブル１０に４つの計測対象エリアＡ〜Ｄを設定し、これら各エリアＡ〜Ｄそれぞれの温度情報を取得しているが、もちろん、計測対象エリアは４つに限られず、任意の複数に設定してもよい。計測対象エリアの数を多くすることにより、基板テーブル１０の温度分布をより精確に求めることができる。   In the present embodiment, four measurement target areas A to D are set on the substrate table 10 and temperature information of each of these areas A to D is acquired. Of course, the measurement target areas are four. The number is not limited, and any number may be set. By increasing the number of measurement target areas, the temperature distribution of the substrate table 10 can be obtained more accurately.

また、本実施形態においては、計測対象エリアを基板テーブル１０のＸＹ方向に複数設定し、これによりＸＹ方向に関する温度分布を求めているが、例えばＺ軸方向に関して複数の計測対象エリアを設定し、それら各計測対象エリアのそれぞれの温度情報を取得するようにしてもよい。こうすることにより、Ｚ軸方向に関する温度分布を求めることができる。   Further, in the present embodiment, a plurality of measurement target areas are set in the XY direction of the substrate table 10 to thereby obtain a temperature distribution in the XY direction. For example, a plurality of measurement target areas are set in the Z-axis direction, You may make it acquire each temperature information of each of these measurement object areas. By doing so, the temperature distribution in the Z-axis direction can be obtained.

なお、本実施形態においては、レーザ干渉計１４が基板テーブル１０を介さずに反射面１２に計測光１４Ｌを照射して基板テーブル１０の位置情報を計測し、レーザ干渉計１４とは別のレーザ干渉計２１が基板テーブル１０を介して反射面１１に検出光２１Ｌを照射して基板テーブル１０の温度情報を取得しているが、例えば、基板テーブル１０の温度情報を取得するためのレーザ干渉計２１の計測結果に基づいて、基板テーブル１０の位置を制御するようにしてもよい。すなわち、基板テーブル１０の温度情報を取得する動作と、基板テーブル１０の位置情報を取得する動作とを、レーザ干渉計２１を用いて実行するようにしてもよい。この場合、レーザ干渉計１４を省くことができる。   In this embodiment, the laser interferometer 14 irradiates the reflecting surface 12 with the measurement light 14L without passing through the substrate table 10 to measure the position information of the substrate table 10, and a laser different from the laser interferometer 14 is used. The interferometer 21 irradiates the reflecting surface 11 with the detection light 21L via the substrate table 10 to acquire temperature information of the substrate table 10. For example, a laser interferometer for acquiring temperature information of the substrate table 10 is used. The position of the substrate table 10 may be controlled based on the measurement result 21. That is, the operation of acquiring the temperature information of the substrate table 10 and the operation of acquiring the position information of the substrate table 10 may be executed using the laser interferometer 21. In this case, the laser interferometer 14 can be omitted.

なお、上述の実施形態においては、検出装置２０の検出結果に基づいて、露光不良の発生を抑えるために、基板Ｐ及び基板テーブル１０の少なくとも一方の温度を調整しているが、この温度調整を行わずに、例えば、制御装置１は、検出装置２０で取得した基板テーブル１０の温度情報に基づいて、基板テーブル１０（基板ステージＰＳＴ）の移動条件を調整することができる。   In the above-described embodiment, the temperature of at least one of the substrate P and the substrate table 10 is adjusted based on the detection result of the detection device 20 in order to suppress the occurrence of exposure failure. For example, the control device 1 can adjust the movement condition of the substrate table 10 (substrate stage PST) based on the temperature information of the substrate table 10 acquired by the detection device 20 without performing the operation.

例えば、図４を参照して説明したように、基板Ｐ上の複数のショット領域を順次露光する際、制御装置１は、検出装置２０で取得した基板テーブル１０の温度情報に基づいて、基板ステージＰＳＴを制御して、基板Ｐ上の各ショット領域を露光するときの基板テーブル１０の位置を調整する。   For example, as described with reference to FIG. 4, when sequentially exposing a plurality of shot areas on the substrate P, the control device 1 determines the substrate stage based on the temperature information of the substrate table 10 acquired by the detection device 20. By controlling the PST, the position of the substrate table 10 when each shot area on the substrate P is exposed is adjusted.

例えば、基板Ｐと基板テーブル１０との温度差に起因して、基板Ｐが熱変形し、基板Ｐ上の各ショット領域の位置、及び／又は大きさが変化して、基板Ｐ上の各ショット領域間の距離が変動する可能性がある。そこで、基板Ｐと基板テーブル１０との温度差、及び予め記憶された基板Ｐと基板テーブル１０との温度差に起因する各ショット領域間の距離の変動量に基づいて、制御装置１は、例えば、第１のショット領域を露光した後、第２のショット領域を露光開始位置に配置するために基板テーブル１０をステッピング移動するときの移動距離を調整することができる。   For example, due to a temperature difference between the substrate P and the substrate table 10, the substrate P is thermally deformed, and the position and / or size of each shot region on the substrate P is changed, so that each shot on the substrate P is changed. The distance between regions can vary. Therefore, based on the temperature difference between the substrate P and the substrate table 10 and the variation amount of the distance between each shot region caused by the temperature difference between the substrate P and the substrate table 10 stored in advance, the control device 1 After the first shot area is exposed, the moving distance when the substrate table 10 is stepped to adjust the second shot area at the exposure start position can be adjusted.

すなわち、基板Ｐと基板テーブル１０との温度差と基板テーブル１０に保持された基板Ｐ上の複数のショット領域間の相対位置の変化量との関係を予め求めて記憶装置２に記憶しておくことにより、制御装置１は、基板ステージＰＳＴを制御して、検出装置２０で取得した基板テーブル１０の温度情報と記憶装置２の記憶情報とに基づいて、基板Ｐ上の各ショット領域を露光するときの基板テーブル１０の位置を調整することができる。この場合、基板Ｐの温度として、温度センサの検出結果を用いてもよいし、温度調整装置５による基板Ｐの調整温度を用いてもよい。このように、検出装置２０の検出結果に基づいて基板テーブル１０の移動条件を調整することによって、基板Ｐ上に先に形成されているパターンに、次のパターン像を良好に重ね合わせることができる。このように、基板Ｐの移動条件を調整することによって、基板Ｐと基板テーブル１０との間に温度差がある場合でも、基板Ｐ上のショット領域を良好に露光することができ有効である。   That is, the relationship between the temperature difference between the substrate P and the substrate table 10 and the amount of change in the relative position between a plurality of shot areas on the substrate P held on the substrate table 10 is obtained in advance and stored in the storage device 2. Thus, the control device 1 controls the substrate stage PST to expose each shot area on the substrate P based on the temperature information of the substrate table 10 and the storage information of the storage device 2 acquired by the detection device 20. The position of the substrate table 10 at the time can be adjusted. In this case, the detection result of the temperature sensor may be used as the temperature of the substrate P, or the adjustment temperature of the substrate P by the temperature adjustment device 5 may be used. In this way, by adjusting the moving condition of the substrate table 10 based on the detection result of the detection device 20, the next pattern image can be satisfactorily superimposed on the pattern previously formed on the substrate P. . As described above, by adjusting the moving condition of the substrate P, even when there is a temperature difference between the substrate P and the substrate table 10, the shot area on the substrate P can be satisfactorily exposed and effective.

なお、制御装置１は、例えば基板ステージＰＳＴの移動条件が変更されたことを報知装置３で報知することができる。例えば報知装置３は、基板ステージＰＳＴの移動条件が変更したことを表示装置で表示することができる。   For example, the control device 1 can notify the notification device 3 that the moving condition of the substrate stage PST has been changed. For example, the notification device 3 can display on the display device that the moving condition of the substrate stage PST has changed.

また、制御装置１は、検出装置２０を用いて取得した基板テーブル１０の温度情報に基づいて、結像特性調整装置４０を用いて、投影光学系ＰＬの結像特性（投影状態）を調整することができる。   Further, the control device 1 adjusts the imaging characteristic (projection state) of the projection optical system PL using the imaging characteristic adjustment device 40 based on the temperature information of the substrate table 10 acquired using the detection device 20. be able to.

例えば、基板Ｐと基板テーブル１０との温度差に起因して、基板Ｐが熱変形し、各ショット領域の大きさが変化したり、あるいは図５に示すように、基板Ｐ上のショット領域が理想の形状に対して変形し、理想の形状（図５では正方形状）に対して実際の形状（図５では台形状）が異なる可能性がある。そこで、基板Ｐと基板テーブル１０との温度差、及び基板Ｐと基板テーブル１０との温度差に起因する基板Ｐ上のショット領域の変形量に基づいて、制御装置１は、結像特性調整装置４０を用いて、基板Ｐ上に先に形成されているショット領域の形状に合わせて、そのショット領域上に投影するパターン像を調整することができる。   For example, due to the temperature difference between the substrate P and the substrate table 10, the substrate P is thermally deformed, and the size of each shot region changes, or as shown in FIG. There is a possibility that the actual shape (trapezoidal shape in FIG. 5) differs from the ideal shape (square shape in FIG. 5) due to deformation with respect to the ideal shape. Therefore, based on the temperature difference between the substrate P and the substrate table 10 and the deformation amount of the shot area on the substrate P caused by the temperature difference between the substrate P and the substrate table 10, the control device 1 is configured as an imaging characteristic adjusting device. 40, the pattern image projected onto the shot area can be adjusted according to the shape of the shot area previously formed on the substrate P.

すなわち、基板Ｐと基板テーブル１０との温度差と基板テーブル１０に保持された基板Ｐ上のショット領域の変形量との関係を予め求めて記憶装置２に記憶しておくことにより、制御装置１は、結像特性調整装置４０を制御して、検出装置２０で取得した基板テーブル１０の温度情報と記憶装置２の記憶情報とに基づいて、投影光学系ＰＬによるパターン像の投影状態（パターン像の形状、大きさ等）を調整することができる。この場合、基板Ｐの温度として、温度センサの検出結果を用いてもよいし、温度調整装置５による基板Ｐの調整温度を用いてもよい。このように、検出装置２０の検出結果に基づいて投影光学系ＰＬによるパターン像の投影状態を調整することによって、基板Ｐ上に先に形成されているパターンに、次のパターン像を良好に重ね合わせることができる。   That is, the controller 1 obtains the relationship between the temperature difference between the substrate P and the substrate table 10 and the deformation amount of the shot area on the substrate P held by the substrate table 10 in advance and stores it in the storage device 2. Controls the imaging characteristic adjusting device 40, and based on the temperature information of the substrate table 10 and the storage information of the storage device 2 acquired by the detection device 20, the projection state of the pattern image (pattern image) by the projection optical system PL. The shape, size, etc. can be adjusted. In this case, the detection result of the temperature sensor may be used as the temperature of the substrate P, or the adjustment temperature of the substrate P by the temperature adjustment device 5 may be used. In this way, by adjusting the projection state of the pattern image by the projection optical system PL based on the detection result of the detection device 20, the next pattern image is satisfactorily superimposed on the pattern previously formed on the substrate P. Can be matched.

なお、制御装置１は、例えばパターン像の投影状態が所望状態に補正しきれない場合には、報知装置３を用いて、警告やエラーを発することができる。
もちろん、検出装置２０の検出結果に基づいて、パターン像の投影状態の調整と基板テーブル１０の位置調整とを実行してもよい。For example, when the projection state of the pattern image cannot be corrected to a desired state, the control device 1 can issue a warning or an error using the notification device 3.
Of course, the adjustment of the projection state of the pattern image and the position adjustment of the substrate table 10 may be executed based on the detection result of the detection device 20.

＜第２実施形態＞
第２実施形態について図６を参照して説明する。以下の説明において、上述の第１実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。Second Embodiment
A second embodiment will be described with reference to FIG. In the following description, the same or equivalent components as those in the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.

本実施形態の基板テーブル１０の底面には、反射面１６を有する反射部材１５が設けられている。反射面１６は＋Ｚ方向を向いている。検出装置２０’は、基板テーブル１０に検出光２３Ｌを照射する投射装置２３と、検出光２３Ｌに対して所定の位置関係に設けられ、検出光２３Ｌを受光可能な受光面２５を有する受光装置２４とを備えている。上述の第１実施形態同様、基板テーブル１０は、検出光２３Ｌに対して透明である。   A reflective member 15 having a reflective surface 16 is provided on the bottom surface of the substrate table 10 of the present embodiment. The reflecting surface 16 faces the + Z direction. The detection device 20 ′ is provided in a predetermined positional relationship with the projection device 23 that irradiates the detection light 23L onto the substrate table 10 and has a light receiving surface 25 that can receive the detection light 23L. And. Similar to the first embodiment described above, the substrate table 10 is transparent to the detection light 23L.

上述の第１実施形態同様、本実施形態においても、基板テーブル１０には、ＸＹ方向に４つの温度計測対象エリアＡ〜Ｄが設定される。各エリアＡ〜Ｄの一辺の長さはＬである。図６には、エリアＣ、Ｄを通過するように検出光２３Ｌを射出する投射装置２３と、その投射装置２３に対応して設けられた受光装置２４とが示されている。投射装置２３は、反射面１６に斜め方向から検出光２３Ｌを照射する。受光装置２４は、反射面１６で反射した検出光２３Ｌを受光する。   Similar to the first embodiment described above, also in this embodiment, four temperature measurement target areas A to D are set in the XY direction on the substrate table 10. The length of one side of each area A to D is L. FIG. 6 shows a projection device 23 that emits detection light 23 </ b> L so as to pass through areas C and D, and a light receiving device 24 provided corresponding to the projection device 23. The projection device 23 irradiates the reflection surface 16 with the detection light 23L from an oblique direction. The light receiving device 24 receives the detection light 23 </ b> L reflected by the reflecting surface 16.

不図示ではあるが、検出装置２０’は、エリアＡ、Ｂを通過するように検出光２３Ｌを射出する投射装置２３及びその投射装置２３に対応する受光装置２４と、エリアＡ、Ｃを通過するように検出光２３Ｌを照射する投射装置２３及びその投射装置２３に対応する受光装置２４と、エリアＢ、Ｄを通過するように検出光２３Ｌを照射する投射装置２３及びその投射装置２３に対応する受光装置２４とを備えている。   Although not shown, the detection device 20 ′ passes through the areas A and C and the projection device 23 that emits the detection light 23L so as to pass through the areas A and B, and the light receiving device 24 corresponding to the projection device 23. Thus, the projection device 23 that irradiates the detection light 23L and the light receiving device 24 corresponding to the projection device 23, the projection device 23 that irradiates the detection light 23L so as to pass through the areas B and D, and the projection device 23 correspond to the projection device 23. And a light receiving device 24.

以下、図６を参照しながら、エリアＣ、Ｄを通過するように検出光２３Ｌを射出する投射装置２３及びその投射装置２３に対応する受光装置２４について主に説明するが、他の投射装置２３及び受光装置２４もほぼ同様である。   Hereinafter, the projection device 23 that emits the detection light 23L so as to pass through the areas C and D and the light receiving device 24 corresponding to the projection device 23 will be mainly described with reference to FIG. The light receiving device 24 is substantially the same.

投射装置２３及び受光装置２４のそれぞれは、基板テーブル１０の外側の離れた位置に設けられている。投射装置２３は、基板テーブル１０から離れた位置から検出光２３Ｌを基板テーブル１０に照射する。受光装置２４は、基板テーブル１０から離れた位置で、基板テーブル１０を通過した検出光２３Ｌを受光する。図６においては、投射装置２３は、基板テーブル１０の−Ｙ方向に離れた位置に設けられ、受光装置２４は、基板テーブル１０の＋Ｙ方向に離れた位置に設けられている。   Each of the projection device 23 and the light receiving device 24 is provided at a position apart from the outside of the substrate table 10. The projection device 23 irradiates the substrate table 10 with the detection light 23 </ b> L from a position away from the substrate table 10. The light receiving device 24 receives the detection light 23 </ b> L that has passed through the substrate table 10 at a position away from the substrate table 10. In FIG. 6, the projection device 23 is provided at a position away from the substrate table 10 in the −Y direction, and the light receiving device 24 is provided at a position away from the substrate table 10 in the + Y direction.

投射装置２３から射出された検出光２３Ｌは、基板テーブル１０の−Ｙ側の側面に所定の入射角θで入射し、基板テーブル１０を通過した後、反射面１６に斜め方向から入射する。反射面１６で反射した検出光２３Ｌは、基板テーブル１０を通過した後、基板テーブル１０の＋Ｙ側の側面から射出され、受光装置２４の受光面２５に到達する。検出装置２０’は、基板テーブル１０を通過した検出光２３Ｌの受光結果に基づいて、基板テーブル１０の検出光２３Ｌに対する屈折率情報を求め、その屈折率情報に基づいて、基板テーブル１０の温度情報を取得する。本実施形態においても、検出装置２０’は、検出光２３Ｌの受光結果に基づいて、基板テーブル１０の基準温度Ｔ０での基準屈折率ｎ０に対する屈折率変化量を求め、求めた屈折率変化量に基づいて、基板テーブル１０の基準温度Ｔ０に対する温度変化量（ΔＴ）を求める。これにより、基板テーブル１０の温度情報を求める。The detection light 23 </ b> L emitted from the projection device 23 enters the −Y side surface of the substrate table 10 at a predetermined incident angle θ, passes through the substrate table 10, and then enters the reflecting surface 16 from an oblique direction. After passing through the substrate table 10, the detection light 23 </ b> L reflected by the reflecting surface 16 is emitted from the side surface on the + Y side of the substrate table 10 and reaches the light receiving surface 25 of the light receiving device 24. The detection device 20 ′ obtains the refractive index information for the detection light 23L of the substrate table 10 based on the light reception result of the detection light 23L that has passed through the substrate table 10, and the temperature information of the substrate table 10 based on the refractive index information. To get. Also in the present embodiment, the detection device 20 ′ obtains the refractive index change amount with respect to the reference refractive index n 0 at the reference temperature T 0 of the substrate table 10 based on the light reception result of the detection light 23L, and obtains the obtained refractive index change. Based on the amount, a temperature change amount (ΔT) with respect to the reference temperature T 0 of the substrate table 10 is obtained. Thereby, the temperature information of the substrate table 10 is obtained.

本実施形態においては、検出装置２０’は、受光装置２４の受光面２５の受光位置に基づいて、温度情報を取得する。基板テーブル１０の温度に応じて、基板テーブル１０の検出光２３Ｌに対する屈折率が変化する。その屈折率変化に応じて、基板テーブル１０を通過する検出光２３Ｌの光路が変動する。例えば、図６において、検出光２３Ｌが基準温度Ｔ０の基板テーブル１０を第１の光路２３Ｌａで通過する場合、基準温度Ｔ０に対してΔＴだけ温度変化した基板テーブル１０を通過する検出光２３Ｌは、その基板テーブル１０の温度変化、ひいては屈折率変化に応じて、第１の光路２３Ｌａとは異なる第２の光路２３Ｌｂで基板テーブル１０を通過する。基板テーブル１０の温度変化（屈折率変化）に起因して検出光２３Ｌの光路が変動すると、受光装置２４の受光面２５での検出光２３Ｌの受光位置が変動する。例えば、第１の光路２３Ｌａで基板テーブル１０を通過した検出光２３Ｌは、受光面２５上における第１の位置２５Ａに到達し、第２の光路２３Ｌｂで基板テーブル１０を通過した検出光２３Ｌは、受光面２５上における第１の位置２５Ａとは異なる第２の位置２５Ｂに到達する。すなわち、受光面２５での検出光２３Ｌの受光位置は、基板テーブル１０の基準温度Ｔ０に対する温度変化（基準屈折率ｎ０に対する屈折率変化）に伴って距離ΔＨだけ変化する。In the present embodiment, the detection device 20 ′ acquires temperature information based on the light receiving position of the light receiving surface 25 of the light receiving device 24. Depending on the temperature of the substrate table 10, the refractive index of the substrate table 10 with respect to the detection light 23L changes. The optical path of the detection light 23L passing through the substrate table 10 varies according to the change in refractive index. For example, in FIG. 6, when the detection light 23L passes through the substrate table 10 of the reference temperature T 0 in the first optical path 23La, detection light 23L passing through the temperature change and the substrate table 10 by ΔT with respect to the reference temperature T 0 Passes through the substrate table 10 through a second optical path 23Lb different from the first optical path 23La in accordance with the temperature change of the substrate table 10, and consequently the refractive index change. When the optical path of the detection light 23L fluctuates due to the temperature change (refractive index change) of the substrate table 10, the light receiving position of the detection light 23L on the light receiving surface 25 of the light receiving device 24 fluctuates. For example, the detection light 23L that has passed through the substrate table 10 through the first optical path 23La reaches the first position 25A on the light receiving surface 25, and the detection light 23L that has passed through the substrate table 10 through the second optical path 23Lb is A second position 25B different from the first position 25A on the light receiving surface 25 is reached. That is, the light receiving position of the detection light 23L on the light receiving surface 25 changes by a distance ΔH with a temperature change with respect to the reference temperature T 0 of the substrate table 10 (refractive index change with respect to the reference refractive index n 0 ).

入射角θ、及び長さＬは既知の値（一定の値）であり、距離ΔＨは受光装置２４の受光結果から求めることができる。また、上述のように、検出装置２０’は、複数の投射装置２３のそれぞれより、エリアＡ、Ｂを通過する検出光２３Ｌ、エリアＡ、Ｃを通過する検出光２３Ｌ、及びエリアＢ、Ｄを通過する検出光２３Ｌを照射している。したがって、上述の第１実施形態とほぼ同様、入射角θ、長さＬ、及び距離ΔＨを含む４つの式が導出され、これら４つの式を連立方程式として解くことにより、各エリアＡ〜Ｄの屈折率ｎＡ〜ｎＤを導出することができる。また、基準温度Ｔ０での基準屈折率ｎ０に対する屈折率変化量（ｎＡ−ｎ０、ｎＢ−ｎ０、ｎＣ−ｎ０、ｎＤ−ｎ０）を導出することができる。The incident angle θ and the length L are known values (constant values), and the distance ΔH can be obtained from the light reception result of the light receiving device 24. In addition, as described above, the detection device 20 ′ receives the detection light 23L that passes through the areas A and B, the detection light 23L that passes through the areas A and C, and the areas B and D from each of the plurality of projection devices 23. The passing detection light 23L is irradiated. Accordingly, almost the same as in the first embodiment described above, four equations including the incident angle θ, the length L, and the distance ΔH are derived, and by solving these four equations as simultaneous equations, each of the areas A to D is obtained. Refractive indexes n A to n D can be derived. The refractive index variation with respect to the reference refractive index n 0 at a reference temperature T 0 and (n A -n 0, n B -n 0, n C -n 0, n D -n 0) can be derived.

また、上述の第１実施形態同様、記憶装置２には、基板テーブル１０を形成する材料固有の既知の値である屈折率の温度依存性（ｄｎ／ｄＴ）が予め記憶されている。同様に、材料固有の既知の値である基準温度Ｔ０での基準屈折率ｎ０の値も、記憶装置２に記憶されている。したがって、値（ｄｎ／ｄＴ）と、基準屈折率ｎ０と、導出した各エリアＡ〜Ｄの屈折率ｎＡ〜ｎＤとに基づいて、各エリアＡ〜Ｄの温度を求めることができる。また、基板テーブル１０の温度分布を求めることができる。また、制御装置１は、第１実施形態と同様に、検出装置２０で取得した基板テーブル１０の温度情報に応じて、所定の処理を実行することができる。Similarly to the first embodiment described above, the storage device 2 stores in advance the temperature dependence (dn / dT) of the refractive index, which is a known value specific to the material forming the substrate table 10. Similarly, the value of the reference refractive index n 0 at the reference temperature T 0 , which is a known value unique to the material, is also stored in the storage device 2. Therefore, based on the value (dn / dT), the reference refractive index n 0, and the derived refractive indexes n A to n D of the areas A to D, the temperatures of the areas A to D can be obtained. Further, the temperature distribution of the substrate table 10 can be obtained. Moreover, the control apparatus 1 can perform a predetermined | prescribed process according to the temperature information of the board | substrate table 10 acquired with the detection apparatus 20 similarly to 1st Embodiment.

なお、第２実施形態においても、計測対象エリアは４つに限られず、任意の複数に設定してもよい。また、例えばＺ軸方向に関して複数の計測対象エリアを設定し、それら各計測対象エリアのそれぞれの温度情報を取得するようにしてもよい。   Also in the second embodiment, the number of measurement target areas is not limited to four, and may be set to any plural number. Further, for example, a plurality of measurement target areas may be set with respect to the Z-axis direction, and temperature information of each measurement target area may be acquired.

なお、上述の第１、第２実施形態においては、基板テーブル１０全体が透明な材料（例えばゼロデュア）で形成されるように説明したが、例えば検出光が通過する一部分のみが透明な部材で形成されていてもよい。
また、上述の第１、第２実施形態において、基板テーブル１０の温度情報は、基板テーブル１０に基板Ｐを保持した状態で取得してもよいし、基板Ｐを保持していない状態で取得してもよい。In the first and second embodiments described above, the entire substrate table 10 has been described as being formed of a transparent material (for example, zero dua). However, for example, only a portion through which detection light passes is formed of a transparent member. May be.
In the first and second embodiments described above, the temperature information of the substrate table 10 may be acquired with the substrate P held on the substrate table 10 or acquired without holding the substrate P. May be.

なお、上述の各実施形態の露光装置ＥＸとして、例えば、国際公開第９９／４９５０４号パンフレットに開示されているような、露光光ＥＬの光路空間を液体で満たす液浸露光装置に適用してもよい。液浸露光装置においては、基板Ｐや基板テーブル１０の上面１０Ｆ等に液体が接触するが、上述の各実施形態の検出装置を用いることにより、基板テーブル１０の温度情報を精確に取得することができる。この場合、検出装置２０（２０’）で検出された基板テーブル１０の温度情報に基づいて液体の温度を調整するようにしてもよい。   Note that the exposure apparatus EX of each of the embodiments described above may be applied to an immersion exposure apparatus that fills the optical path space of the exposure light EL with a liquid as disclosed in, for example, International Publication No. 99/49504 pamphlet. Good. In the immersion exposure apparatus, the liquid comes into contact with the substrate P, the upper surface 10F of the substrate table 10, and the like, but the temperature information of the substrate table 10 can be accurately acquired by using the detection devices of the above-described embodiments. it can. In this case, the temperature of the liquid may be adjusted based on the temperature information of the substrate table 10 detected by the detection device 20 (20 ').

なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。基板はその形状が円形に限られるものでなく、矩形など他の形状でもよい。   The substrate P in each of the above embodiments is not only a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, but also a glass substrate for a display device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or an original mask or reticle used in an exposure apparatus. (Synthetic quartz, silicon wafer) or the like is applied. The shape of the substrate is not limited to a circle, but may be other shapes such as a rectangle.

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。   As the exposure apparatus EX, in addition to the step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper) that scans and exposes the pattern of the mask M by moving the mask M and the substrate P synchronously, the mask M and the substrate P Can be applied to a step-and-repeat type projection exposure apparatus (stepper) in which the pattern of the mask M is collectively exposed while the substrate P is stationary and the substrate P is sequentially moved stepwise.

また、露光装置ＥＸとしては、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第１パターンの縮小像を投影光学系（例えば１／８縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系）を用いて基板Ｐ上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この場合、更にその後に、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第２パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。   Further, as the exposure apparatus EX, a reduced image of the first pattern is projected with the first pattern and the substrate P being substantially stationary (for example, a refraction type projection optical system that does not include a reflecting element at 1/8 reduction magnification). The present invention can also be applied to an exposure apparatus that performs batch exposure on the substrate P using the above. In this case, after that, with the second pattern and the substrate P substantially stationary, a reduced image of the second pattern is collectively exposed onto the substrate P by partially overlapping the first pattern using the projection optical system. It can also be applied to a stitch type batch exposure apparatus. Further, the stitch type exposure apparatus can be applied to a step-and-stitch type exposure apparatus in which at least two patterns are partially transferred on the substrate P, and the substrate P is sequentially moved.

上記実施形態における露光装置は、投影光学系に対してその上方（＋Ｚ側）にマスクが配置され、その下方（−Ｚ側）に基板が配置されるものとしたが、例えば国際公開第２００４／０９０９５６号パンフレット（対応米国公開２００６／００２３１８８Ａ１）に開示されているように、鉛直方向（Ｚ軸方向）に関して投影光学系（複数の投影モジュール）を上下反転させて設け、その上方（＋Ｚ側）に基板を配置し、その下方（−Ｚ側）にマスクを配置するようにしてもよい。   In the exposure apparatus in the above embodiment, the mask is disposed above (+ Z side) with respect to the projection optical system, and the substrate is disposed below (−Z side). As disclosed in the 090956 pamphlet (corresponding to US Publication 2006 / 0023188A1), the projection optical system (a plurality of projection modules) is vertically inverted with respect to the vertical direction (Z-axis direction), and above (+ Z side). A substrate may be arranged, and a mask may be arranged below (−Z side).

上記実施形態では干渉計システムを用いてマスクステージ及び基板ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば基板ステージの上面に設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムの両方を備えるハイブリッドシステムとし、干渉計システムの計測結果を用いてエンコーダシステムの計測結果の較正（キャリブレーション）を行うことが好ましい。また、干渉計システムとエンコーダシステムとを切り替えて用いる、あるいはその両方を用いて、基板ステージの位置制御を行うようにしてもよい。   In the above embodiment, the position information of the mask stage and the substrate stage is measured using the interferometer system. However, the present invention is not limited to this, and for example, an encoder system that detects a scale (diffraction grating) provided on the upper surface of the substrate stage. It may be used. In this case, it is preferable that a hybrid system including both the interferometer system and the encoder system is used, and the measurement result of the encoder system is calibrated using the measurement result of the interferometer system. Further, the position of the substrate stage may be controlled by switching between the interferometer system and the encoder system or using both.

上記各実施形態では、複数の光学素子（光学部材）を有する投影光学系を備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系は一つの光学素子（光学部材）で構成されていてもよい。また、投影光学系を用いない露光装置及び露光方法にも本発明を適用することができる。投影光学系を用いない場合であっても、露光光はマスク又はレンズなどの光学部材を介して基板に照射される。   In each of the above embodiments, the exposure apparatus provided with the projection optical system having a plurality of optical elements (optical members) has been described as an example. However, the projection optical system is configured by one optical element (optical member). May be. The present invention can also be applied to an exposure apparatus and an exposure method that do not use a projection optical system. Even when the projection optical system is not used, the exposure light is irradiated onto the substrate through an optical member such as a mask or a lens.

また、本発明は、特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報、特表２０００−５０５９５８号公報、米国特許６，３４１，００７号、米国特許６，４００，４４１号、米国特許６，５４９，２６９号、及び米国特許６，５９０,６３４号、米国特許６，２０８，４０７号、米国特許６，２６２，７９６号などに開示されているような複数の基板ステージを備えたマルチステージ型の露光装置にも適用できる。   In addition, the present invention relates to JP-A-10-163099, JP-A-10-214783, JP2000-505958A, US Pat. No. 6,341,007, US Pat. No. 6,400,441, US Pat. Multi-stage equipped with a plurality of substrate stages as disclosed in US Pat. No. 6,549,269 and US Pat. No. 6,590,634, US Pat. No. 6,208,407, US Pat. No. 6,262,796, etc. It can also be applied to a stage type exposure apparatus.

更に、特開平１１−１３５４００号公報、特開２０００−１６４５０４号公報、米国特許６，８９７，９６３号などに開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材や各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。   Further, as disclosed in JP-A-11-135400, JP-A-2000-164504, US Pat. No. 6,897,963, etc., a reference member on which a substrate stage for holding the substrate and a reference mark are formed is formed. The present invention can also be applied to an exposure apparatus including a measurement stage equipped with various photoelectric sensors.

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。   The type of exposure apparatus EX is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element that exposes a semiconductor element pattern onto a substrate P, but an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or a display, a thin film magnetic head, an image sensor (CCD). In addition, the present invention can be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing a micromachine, MEMS, DNA chip, reticle, mask, or the like.

なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク（可変成形マスクとも呼ばれ、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）などを含む）を用いてもよい。   In the above-described embodiment, a light-transmitting mask in which a predetermined light-shielding pattern (or phase pattern / dimming pattern) is formed on a light-transmitting substrate is used. As disclosed in US Pat. No. 6,778,257, an electronic mask (also referred to as a variable shaping mask, for example, a non-uniform mask) that forms a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed A DMD (Digital Micro-mirror Device) that is a kind of light-emitting image display element (spatial light modulator) may be used.

また、例えば、国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。   Further, as disclosed in, for example, International Publication No. 2001/035168, an exposure apparatus (lithography system) that exposes a line-and-space pattern on the substrate P by forming interference fringes on the substrate P. ) Can also be applied to the present invention.

さらに、例えば特表２００４−５１９８５０号公報（対応米国特許第６，６１１，３１６号）に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回のスキャン露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置にも本発明を適用することができる。   Further, as disclosed in, for example, Japanese translations of PCT publication No. 2004-51850 (corresponding US Pat. No. 6,611,316), two mask patterns are synthesized on a substrate via a projection optical system, and 1 The present invention can also be applied to an exposure apparatus that performs double exposure of one shot area on a substrate almost simultaneously by multiple scan exposures.

なお、法令で許容される限りにおいて、露光装置などに関する引例の開示を援用して本文の記載の一部とする。   Note that as far as permitted by law, the disclosure of references relating to the exposure apparatus and the like is incorporated as a part of the description of the text.

以上のように、実施形態の露光装置ＥＸは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。   As described above, the exposure apparatus EX according to the embodiment is manufactured by assembling various subsystems including each component so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. In order to ensure these various accuracies, before and after assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, and various electrical systems are Adjustments are made to achieve electrical accuracy. The assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, pneumatic circuit piping connection and the like between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. The exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図７に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置ＥＸによりマスクのパターンを基板に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱（キュア）及びエッチング工程などの基板処理プロセスを含むステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
As shown in FIG. 7, a microdevice such as a semiconductor device includes a step 201 for designing a function / performance of the microdevice, a step 202 for producing a mask (reticle) based on the design step, and a substrate as a base material of the device. The substrate processing process such as step 203, the step of exposing the mask pattern onto the substrate by the exposure apparatus EX of the above-described embodiment, the step of developing the exposed substrate, the heating (curing) of the developed substrate, and the etching step. It is manufactured through a step 204, a device assembly step (including a dicing process, a bonding process, and a packaging process) 205, an inspection step 206, and the like.

Claims (23)

基板を露光する露光装置において、
前記基板を保持する保持部材と、
前記保持部材からの第１の検出光を受光し、その受光結果に基づいて、前記保持部材の温度情報を光学的に取得する検出装置と、を備えた露光装置。In an exposure apparatus that exposes a substrate,
A holding member for holding the substrate;
An exposure apparatus comprising: a detection device that receives first detection light from the holding member and optically acquires temperature information of the holding member based on the light reception result. 前記保持部材の少なくとも一部は前記第１の検出光に対して透明性を有し、
前記検出装置は、前記保持部材の少なくとも一部を通過した前記第１の検出光を受光し、その受光結果に基づいて、前記温度情報を取得する請求項１記載の露光装置。At least a part of the holding member is transparent to the first detection light,
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the detection apparatus receives the first detection light that has passed through at least a part of the holding member, and acquires the temperature information based on a light reception result. 前記検出装置は、前記第１の検出光を前記保持部材に照射するとともに、前記保持部材の少なくとも一部を通過した前記第１の検出光を受光する請求項２記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 2, wherein the detection device irradiates the holding member with the first detection light and receives the first detection light that has passed through at least a part of the holding member. 前記検出装置は、前記受光結果に基づいて、前記保持部材の前記第１の検出光に対する屈折率情報を求め、前記屈折率情報に基づいて、前記保持部材の温度情報を取得する請求項２又は３記載の露光装置。   The detection device obtains refractive index information for the first detection light of the holding member based on the light reception result, and acquires temperature information of the holding member based on the refractive index information. 3. The exposure apparatus according to 3. 前記検出装置は、前記受光結果に基づいて、前記保持部材の基準温度での基準屈折率に対する屈折率変化量を求め、前記屈折率変化量に基づいて、前記保持部材の温度情報を取得する請求項４記載の露光装置。   The detection device obtains a refractive index change amount with respect to a reference refractive index at a reference temperature of the holding member based on the light reception result, and acquires temperature information of the holding member based on the refractive index change amount. Item 5. The exposure apparatus according to Item 4. 前記保持部材の温度変化量と屈折率変化量との関係を予め記憶した第１記憶装置をさらに備え、前記検出装置は、前記受光結果と前記第１記憶装置の記憶情報とに基づいて、前記保持部材の温度情報を取得する請求項５記載の露光装置。   Further comprising a first storage device that stores in advance a relationship between the temperature change amount and the refractive index change amount of the holding member, the detection device based on the light reception result and the storage information of the first storage device The exposure apparatus according to claim 5, wherein temperature information of the holding member is acquired. 前記保持部材の少なくとも一部を通過した前記第１の検出光を反射する第１反射面を備え、
前記検出装置は、前記第１反射面で反射した前記第１の検出光の受光結果に基づいて、前記温度情報を取得する請求項２〜６のいずれか一項記載の露光装置。A first reflecting surface that reflects the first detection light that has passed through at least a part of the holding member;
The exposure apparatus according to claim 2, wherein the detection apparatus acquires the temperature information based on a light reception result of the first detection light reflected by the first reflection surface. 前記検出装置は、所定の基準位置と前記第１反射面との相対位置関係を計測可能な第１干渉計を含み、前記第１干渉計の計測結果に基づいて、前記温度情報を取得する請求項７記載の露光装置。   The detection device includes a first interferometer capable of measuring a relative positional relationship between a predetermined reference position and the first reflecting surface, and acquires the temperature information based on a measurement result of the first interferometer. Item 8. The exposure apparatus according to Item 7. 前記第１干渉計の計測結果に基づいて、前記保持部材の位置を制御する請求項８記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 8, wherein the position of the holding member is controlled based on a measurement result of the first interferometer. 前記保持部材の一部に前記第１反射面と背中合わせに形成された第２反射面を用いて前記保持部材の位置情報を取得する第２干渉計を更に備え、
前記第１干渉計からの第１の検出光は、前記保持部材を介して、前記第１反射面に入射し、
前記第２干渉計からの第２の検出光は、前記保持部材を介さずに、前記第２反射面に入射する請求項８記載の露光装置。A second interferometer that acquires position information of the holding member using a second reflecting surface formed back-to-back with the first reflecting surface on a part of the holding member;
The first detection light from the first interferometer enters the first reflecting surface via the holding member,
The exposure apparatus according to claim 8, wherein the second detection light from the second interferometer is incident on the second reflecting surface without passing through the holding member. 前記検出装置は、前記第１反射面に斜め方向から前記第１の検出光を照射する投射装置と、前記第１反射面で反射した前記検出光を受光する受光面を有する受光装置とを備え、前記受光面での受光位置に基づいて、前記温度情報を取得する請求項７記載の露光装置。   The detection device includes a projection device that irradiates the first detection light to the first reflection surface from an oblique direction, and a light reception device that includes a light reception surface that receives the detection light reflected by the first reflection surface. The exposure apparatus according to claim 7, wherein the temperature information is acquired based on a light receiving position on the light receiving surface. 前記保持部材の複数の位置からの前記第１の検出光をそれぞれ受光し、その受光結果に基づいて、前記保持部材の温度分布を求める請求項１〜１１のいずれか一項記載の露光装置。   12. The exposure apparatus according to claim 1, wherein each of the first detection lights from a plurality of positions of the holding member is received, and a temperature distribution of the holding member is obtained based on the light reception result. 前記取得した温度情報に基づいて、所定の処理を実行する処理装置をさらに備えた請求項１〜１２のいずれか一項記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 1, further comprising a processing apparatus that executes a predetermined process based on the acquired temperature information. 前記処理装置は、前記取得した温度情報に基づいて、前記基板及び前記保持部材の少なくとも一方の温度を調整する温度調整装置を含む請求項１３記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 13, wherein the processing apparatus includes a temperature adjustment device that adjusts a temperature of at least one of the substrate and the holding member based on the acquired temperature information. パターン像を前記基板上に投影する投影光学系を備え、
前記処理装置は、前記取得した温度情報に基づいて、前記投影光学系の投影状態を調整する結像特性調整装置を含む請求項１３又は１４記載の露光装置。A projection optical system for projecting a pattern image onto the substrate;
The exposure apparatus according to claim 13 or 14, wherein the processing apparatus includes an imaging characteristic adjusting device that adjusts a projection state of the projection optical system based on the acquired temperature information. 前記保持部材の温度と前記保持部材に保持された前記基板上の所定領域の変形量との関係を予め記憶した第２記憶装置をさらに備え、
前記結像特性調整装置は、前記取得した温度情報と前記第２記憶装置の記憶情報とに基づいて、前記投影状態を調整する請求項１５記載の露光装置。A second storage device preliminarily storing a relationship between a temperature of the holding member and a deformation amount of the predetermined region on the substrate held by the holding member;
The exposure apparatus according to claim 15, wherein the imaging characteristic adjusting device adjusts the projection state based on the acquired temperature information and stored information in the second storage device. 前記基板を保持した前記保持部材を移動する移動装置を備え、
前記処理装置は、前記取得した温度情報に基づいて、前記移動装置の移動条件を調整する移動調整装置を含む請求項１３〜１６のいずれか一項記載の露光装置。A moving device for moving the holding member holding the substrate;
The exposure apparatus according to claim 13, wherein the processing apparatus includes a movement adjustment device that adjusts a movement condition of the movement device based on the acquired temperature information. 前記保持部材の温度情報と前記保持部材に保持された前記基板上のショット領域の位置の変化量との関係を予め記憶した第３記憶装置を備え、
前記移動調整装置は、前記取得した温度情報と前記第３記憶装置の記憶情報とに基づいて、前記基板上のショット領域を露光するときの前記保持部材の位置を調整する請求項１７記載の露光装置。A third storage device that stores in advance the relationship between the temperature information of the holding member and the amount of change in the position of the shot region on the substrate held by the holding member;
18. The exposure according to claim 17, wherein the movement adjusting device adjusts a position of the holding member when exposing a shot area on the substrate based on the acquired temperature information and stored information of the third storage device. apparatus. 前記処理装置の処理状況を報知する報知装置を備えた請求項１３〜１８のいずれか一項記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 13, further comprising a notification device that notifies a processing status of the processing device. 請求項１〜請求項１９のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、
を含むデバイス製造方法。Exposing the substrate using the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 19,
Developing the exposed substrate;
A device manufacturing method including: 被露光基板を保持するための保持部材へ第１の検出光を照射することと、
前記保持部材の少なくとも一部を通過した前記第１の検出光を受光することと、
該受光の結果に基づいて、前記保持部材の温度情報を取得することとを含む温度計測方法。Irradiating the holding member for holding the substrate to be exposed with the first detection light;
Receiving the first detection light that has passed through at least a part of the holding member;
Obtaining a temperature information of the holding member based on a result of the light reception. 基板を露光する露光方法であって、
前記基板を保持するための保持部材の少なくとも一部を通過した第１の検出光を受光し、
該受光の結果に基づいて、前記保持部材の温度情報を取得し、
前記保持部材に保持された前記基板を露光する露光方法。An exposure method for exposing a substrate,
Receiving first detection light that has passed through at least a part of a holding member for holding the substrate;
Based on the result of the light reception, obtain temperature information of the holding member,
An exposure method for exposing the substrate held by the holding member. 請求項２２の露光方法を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することとを含むデバイス製造方法。Exposing the substrate using the exposure method of claim 22;
Developing the exposed substrate.
JP2007549152A 2005-12-06 2006-12-06 Temperature measurement method, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method Pending JPWO2007066687A1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005351659 2005-12-06
JP2005351659 2005-12-06
PCT/JP2006/324361 WO2007066687A1 (en) 2005-12-06 2006-12-06 Temperature measuring method, exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPWO2007066687A1 true JPWO2007066687A1 (en) 2009-05-21

Family

ID=38122833

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007549152A Pending JPWO2007066687A1 (en) 2005-12-06 2006-12-06 Temperature measurement method, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPWO2007066687A1 (en)
WO (1) WO2007066687A1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5787483B2 (en) * 2010-01-16 2015-09-30 キヤノン株式会社 Measuring apparatus and exposure apparatus
WO2013175590A1 (en) * 2012-05-23 2013-11-28 株式会社ニッケ機械製作所 Measurement device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH067072B2 (en) * 1985-09-09 1994-01-26 シャープ株式会社 Substrate temperature measurement method
JP3795976B2 (en) * 1996-11-11 2006-07-12 浜松ホトニクス株式会社 Non-contact temperature measuring device
JPH10189424A (en) * 1996-12-27 1998-07-21 Nikon Corp Aligner
JP2004301825A (en) * 2002-12-10 2004-10-28 Nikon Corp Surface position detection device, exposure method and method for manufacturing device
JP4563866B2 (en) * 2005-05-17 2010-10-13 日本特殊陶業株式会社 Method for manufacturing ceramic laminate
EP4257638A3 (en) * 2017-03-31 2023-12-13 Daikin Industries, Ltd. Production method for fluoropolymer, surfactant for polymerization, and use of surfactant

Also Published As

Publication number Publication date
WO2007066687A1 (en) 2007-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8027020B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8098362B2 (en) Detection device, movable body apparatus, pattern formation apparatus and pattern formation method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
JP5194799B2 (en) Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5239337B2 (en) Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JPWO2005081293A1 (en) Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
TWI436168B (en) An exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method
JP2008072119A (en) System and method for liquid immersion exposure, and device manufacturing method
US20080212056A1 (en) Exposure Method, Exposure Apparatus, Method for Producing Device, and Method for Evaluating Exposure Apparatus
JP5655903B2 (en) Exposure apparatus adjustment method, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2007001045A1 (en) Exposure apparatus, substrate processing method, and device producing method
JPWO2007119821A1 (en) Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2007066679A1 (en) Exposure apparatus, exposure method, projection optical system and device manufacturing method
JP2008084953A (en) Exposure apparatus and method of manufacturing device
JPWO2007066687A1 (en) Temperature measurement method, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5234308B2 (en) Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5206369B2 (en) Interferometer system, stage apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2007000995A1 (en) Exposure apparatus and method, and device manufacturing method
JP2013083655A (en) Exposure equipment and manufacturing method for device
JP4078485B2 (en) Exposure apparatus, stage apparatus, and control method for stage apparatus
JP5251367B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP5304959B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2012089769A (en) Exposure equipment and method for manufacturing device
JP5612810B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP5109805B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP5370106B2 (en) Interferometer system, stage apparatus and exposure apparatus