JPWO2005119227A1 - 半導体外観検査装置及び照明方法 - Google Patents
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Abstract
Description
以下の説明では半導体ウエハ上に形成されたパターンの欠陥を検査する半導体ウエハ用外観検査装置を例として説明する。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体メモリ用フォトマスクや、液晶表示パネルなどの半導体装置を検査する外観検査装置にも広く適用可能である。
上述の外観検査装置においては、一般に、被検査物体である半導体ウエハ表面に形成された回路パターンの光学像を生成するために光学顕微鏡が使用されている。光学顕微鏡はその検鏡法の種類により明視野顕微鏡及び暗視野顕微鏡に区別されるが、半導体外観検査装置ではその両方が使用されている。
図1Aは、明視野顕微鏡を使用する光学像生成部分の基本構成図である。光学像生成部分は、半導体ウエハ1を保持するステージ41と、光源21と、光源21からの照明光を集束する照明用レンズ22、23と、照明光を反射するビームスプリッタ24と、照明光を半導体ウエハ1の表面に照射すると共に、半導体ウエハ1の表面の光学像を投影する対物レンズ10と、投影された半導体ウエハ1表面の光学像を電気的な画像信号に変換する撮像装置31とを有する。一般に明視野顕微鏡に使用される照明装置(明視野照明装置)では、半導体ウエハ1の表面に照射される照明光の方向は対物レンズ10の光軸とほぼ平行であり、対物レンズ10は半導体ウエハ1の表面で正反射した光を取得する。
撮像装置31としては、2次元CCD素子を使用したTVカメラなどを使用することも可能であるが、高精細の画像信号を得るためには1次元CCD等のラインセンサを使用して、ステージ41を半導体ウエハ1に対して相対移動させ(走査して)、ステージ41を駆動するパルス発生器42による駆動パルス信号に同期して、画像処理部33がラインセンサ31の信号を取り込んで画像を取得することが多い。
図1Bは、暗視野顕微鏡を使用する光学像生成部分の基本構成図である。図1Aと同様の構成要素については同じ参照記号を使用することとし説明を省略する。暗視野顕微鏡では、対物レンズ10は半導体ウエハ1の表面で散乱又は回折した照明光の散乱光または回折光を取得する。そして、照明光は対物レンズの周辺からその光軸に対して傾けて照射され、照明光の正反射光が対物レンズ10に入射することを防止している。
そのため、図1Bの暗視野顕微鏡に使用される照明装置(暗視野照明装置)は、光源21による照明光の周辺を残してマスクするリングスリット26と、リングスリット26を通過する光線を被検査物体方向に反射しつつ対物レンズ10による投影光を通過させる穴あきミラー27と、対物レンズ10の周辺に配置され照明光を集束して対物レンズ10の周辺からその光軸に対して傾けて照射するリング状コンデンサ28とを有する。
上述の通り、明視野顕微鏡が被検査物体に照射された照明光の正反射光による像を得るのに対し、暗視野顕微鏡では被検査物体に照射された照明光の散乱光または回折光による像を得る。したがって、暗視野顕微鏡は被検査物体の表面の欠陥で乱反射した光を明るくすることができるため、比較的簡単な構成で高感度の欠陥検出を行うことが可能であるという利点を有する。
なお、光学顕微鏡に使用される従来の照明装置については、日本国公開特許公報の特開平7−218991号公報、特開平8−36133号公報、特開平8−101128号公報、特開平8−166514号公報、特開平8−211327号公報、特開平8−211328号公報、特開平10−90192号公報、及び特開2002−174514号公報、並びに特許第3249509号公報、及び米国特許第6288780号明細書に開示されている。
しかし、従来の外観検査装置における暗視野照明装置の照明光の方位角は、対物レンズ10の全方位または一つの方位角に固定されており、またその波長や入射角度も固定されていた。そのため、対物レンズ10の視野が上記領域3〜6のどの領域にあっても常に一定の方位角、波長及び入射角度で照明されており以下の問題点があった。
第1に、被検査物体の光学像を高いスループットで取得するためには、撮像装置31に入射させる光量を大きくする必要がある。しかし、暗視野顕微鏡では照明光の正反射光を取得しないため対物レンズ10に入射する光量が明視野顕微鏡におけるそれと比べて少ないため、被検査物体で回折した回折光をいかに効率よく取得することが重要である。
ここで、物体の光学反射率はその物体の材質に依存する。例えば、半導体回路の配線部分に使用される銅は、可視光域では反射率が高い性質を示すが、350nm付近の波長域で反射率が低下するという性質を有する。
したがって、上記の固定された波長を有する照明光では、パターンの粗密によって材質の占める面積比が変わり反射率が変化するため、場所によって取得する光量が低くなる。また、被検査物体の工程によって異なる材質で構成されたパターンがあることにより反射率が変化するため、工程によって取得する光量が低くなる。
また、半導体ウエハ上に形成される配線部分などに多く現れる幾本もの平行線で構成される繰り返しパターン部分では、回折光と正反射光との角度差が、繰り返しパターンの繰り返しピッチと照明光の波長とに依存する。したがって、被検査物体、例えば半導体デバイスウエハパターンのように、例えば平行線パターンの配線ピッチがチップ内の位置によって異なるような場合(すなわち、図2に示す領域3と領域4のような場合)、上記の固定された入射角度及び波長を有する照明光で照明すると、ある配線ピッチの平行線パターン部分については、主要な回折光を対物レンズに入射させることができたとしても、他の配線ピッチの平行線パターン部分については回折光が対物レンズに入射しきらず、回折光を効率よく取得できないといった問題が生じていた。
第2に、半導体ウエハ上に形成された線パターン部分に、その線方向の横方向に相当する方位角から照明光を照射するとそのエッジ部分で反射する散乱光が大きくなり、線間に存在する欠陥(短絡)部分や異物部分の散乱光の相対信号強度が低くなり検出感度が低下する。したがって、異なる複数の方向に延びる線パターンが形成されている被検査物体表面に、上記の固定された照明方向を有する照明光で照明を行うと、検出感度が低下するパターン方向が生じるという問題が生じていた。
第3に、被検査物体である半導体ウエハの表面上に、メモリセル部のようなパターン密度が高い部分と、その周辺回路部やロジック回路部のようなパターン密度が低い部分がある場合に、両者を同じ光量で照明すると取得画像の輝度差が大きくなり、これが検出器の受光可能ダイナミックレンジ域を超えた場合に、いずれかの部分で検出感度が低くなる部分が生じるという問題があった。
上記問題点を鑑みて、本発明は、被検査物体である半導体装置の光学像に基づきその外観検査を行う半導体外観検査装置において、暗視野照明時の被検査物体からの検査に有効な回折光を被検査物体の全域で良好に取得し、かつ前記検査装置の欠陥検出感度の低下を被検査物体の全域で軽減する照明を実現することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明では、発光波長、被検査物体への入射角度、又は被検査物体への照射光の方位角が異なる複数の半導体発光素子からなる半導体発光素子アレイにより暗視野照明を行い、被検査物体上の各被検査部分に適した発光波長、入射角度、又は方位角の半導体発光素子を半導体発光素子アレイから選んで点灯制御することとした。
すなわち、本発明の第1形態に係る半導体外観検査装置は、被検査物体である半導体装置の光学像に基づき、被検査物体の外観検査を行う半導体外観検査装置であって、対物レンズの光軸に対して被検査物体を斜めに照明する複数の半導体発光素子からなる半導体発光素子アレイと、半導体発光素子アレイに含まれる前記半導体発光素子を選択的に点灯制御する点灯制御部とを有する。
さらに、本発明の第2形態に係る照明方法は、被検査物体である半導体装置の光学像に基づき被検査物体の外観検査を行う半導体外観検査装置における被検査物体の照明方法であって、対物レンズの光軸に対して被検査物体を斜めに照明する複数の半導体発光素子からなる半導体発光素子アレイに含まれる半導体発光素子を選択的に点灯制御する。
点灯制御部は、前記の選択的に点灯制御された各半導体発光素子の発光光量を、さらに個別に変更することとしてもよい。また本発明の第1形態に係る半導体外観検査装置及び第2形態に係る照明方法は、半導体発光素子を選択せずに半導体発光素子アレイ全体の半導体発光素子を同時に点灯及び消灯することとしてもよい。
また、半導体発光素子アレイは、被検査物体への入射角度、発光波長及び/又は照明光の方位角(すなわち、対物レンズの前記光軸の垂直面内における照射方向)が異なる複数の半導体発光素子を含むこととしてよい。
このとき、点灯制御部は半導体発光素子を選択的に点灯して、被検査物体への照明光の入射角度、前記被検査物体への照明光の波長及び/又は前記被検査物体への照明光の方位角を変更することとしてよい。
点灯制御部は、半導体発光素子アレイから1以上の半導体発光素子を選択して、選択された半導体発光素子の発光光量を変更することとしてもよい。これにより点灯制御部は、選択された半導体発光素子の発光光量を変更して、被検査物体への照明光の入射角度毎、照明光の波長毎、又は前記被検査物体への照明光の方位角毎の光量を変更することしてもよい。
点灯制御部は、被検査物体のうち対物レンズの視野にある部分に対応して発光させるべき半導体発光素子を選択することとしてよい。このために半導体外観検査装置は、被検査物体の各部分に対応して予め定められた、点灯すべき各半導体発光素子を特定する又は被検査物体の各部分に対応して特定される照明条件に適合する半導体発光素子を特定する素子特定情報を記憶する記憶手段を備え、点灯制御部は、この素子特定情報により対物レンズの視野にある部分に対応して特定される各半導体発光素子を選択し、この部分に対応して特定される照明条件に応じた半導体発光素子を切り替え制御することとしてよい。
素子特定情報には、被検査物体の各部分に施された繰り返しパターンの繰り返しピッチ幅、配線パターンの配線ピッチ幅、線パターンの方向、及び/又はパターンの形成材質に基づきパターン領域を区分する情報を含むこととしてよい。
また、半導体外観検査装置は、被検査物体を支持して被検査物体上の各部分を対物レンズの視野に位置付けることが可能な可動ステージを備えることとしてよい。このとき、点灯制御部は、可動ステージの位置情報(位置トリガ情報)に基づき被検査物体のうち対物レンズの視野にある部分を特定することとしてよい。点灯制御部は、検査開始前に被検査物体の検査開始位置の部分に施されたパターンのレイアウトに即した最適な照明条件となるように、各半導体発光素子を点灯しておき、その後の検査における可動ステージの移動に伴いその位置情報に基づいて、繰り返しパターンの繰り返しピッチ幅、配線パターンの配線ピッチ幅、線パターンの方向、及び/又はパターンの形成材質に基づくパターン領域を区分する情報を取得し、これに基づいて検査中に照明条件が最適となるように動的に切り替えることとしてよい。
さらに、半導体外観検査装置は、対物レンズの光軸と平行に被検査物体を照明する明視野照明手段を備えることとしてよい。点灯制御部は、被検査物体のうち対物レンズの視野にある部分に対応して、半導体発光素子アレイを点灯制御することとしてよい。
本発明により、照明光の被検査物体への入射角度、発光波長及び/又は照明光の方位角の切り替え及び光量の調整を検査中に行うことが可能となり、よって被検査物体の各部分に形成されたパターンに応じた最適な照明光で照明することが可能となる。これにより、暗視野照明時の被検査物体からの回折光を被検査物体の全域で良好に取得し、前記検査装置の欠陥検出感度の低下を被検査物体の全域で低減することが可能となる。
照明手段として半導体発光素子を用いることにより上記照明光の入射角度、発光波長及び/又は照明光の方位角の切り替え及び光量の調整を、機械的でなく電気的に信号を切り替えることでほぼ瞬時に実行することが可能となる。また半導体発光素子は光量制御が容易であるため、被検査物体の各部分に形成されたパターンやそのパターン密度に応じて光量調整を行うことが可能となる。また、一般的なAr+レーザなどの外部設置レーザと比べても照明装置自身のコストを低減し、素子自体の寿命が長いことによるメンテナンスコストの低減が可能となる。
また、複数の単波長の照明光を備え、これらを同時に照明することにより、構成物質によって異なる高い波長反射率を有する欠陥を複数同時に1回の検査で検出することが可能となる。さらに、明視野照明手段を備えることにより、明視野照明で被検査物体上の形成パターン観察に好適な明度で照明しつつ、その欠陥部分のみを暗視野照明である半導体発光素子アレイからの照明光で強調することが可能となり欠陥検出感度の向上に資する。
また、対物レンズの視野がパターン密度の低い部分内にあるときには半導体発光素子アレイを消灯させて明視野照明手段のみで照明し、視野がパターン密度の高い部分内にあって明視野照明では反射光輝度が不足するときには半導体発光素子アレイを点灯させて明視野照明手段と同時に照明することにより、パターン密度に粗密がある場合でも、被検査物体の全域で高い検出感度を実現することが可能となる。
図1Bは、暗視野顕微鏡を使用する外観検査装置の光学像生成部分の基本構成図である。
図2は、ウエハ上に形成される様々なパターンの模式図である。
図3は、本発明の第1実施例に係る半導体外観検査装置の概略構成図である。
図4Aは、ケース内に設けられる半導体発光素子アレイの側断面図である。
図4Bは、ケース内に設けられる半導体発光素子アレイの第1例の半導体発光素子のレイアウト説明図である。
図4Cは、ケース内に設けられる半導体発光素子アレイの第2例の半導体発光素子のレイアウト説明図である。
図4Dは、ケース内に設けられる半導体発光素子アレイの第3例の半導体発光素子のレイアウト説明図である。
図4Eは、ケース内に設けられる半導体発光素子アレイの第4例の半導体発光素子のレイアウト説明図である。
図5は、繰り返しパターンで回折する回折光の反射方向を示す図である。
図6Aは、配線パターン領域内の欠陥の検出感度と配線パターン及び照明光の方位角との関係を示す図である。
図6Bは、図6Aに示すウエハを明視野照明した場合の撮像画像である。
図6Cは、図6Aに示すA及びB方向からの斜光照明で照明した場合の撮像画像である。
図6Dは、図6Aに示すA方向からの斜光照明で照明した場合の撮像画像である。
図6Eは、図6Aに示すB方向から斜光照明で照明した場合の撮像画像である。
図7Aは、ケース外に設けられる半導体発光素子アレイの側断面図である。
図7Bは、ケース外に設けられる半導体発光素子アレイの第1例の半導体発光素子のレイアウト説明図である。
図7Cは、ケース外に設けられる半導体発光素子アレイの第2例の半導体発光素子のレイアウト説明図である。
図7Dは、ケース外に設けられる半導体発光素子アレイの第3例の半導体発光素子のレイアウト説明図である。
図7Eは、ケース外に設けられる半導体発光素子アレイの第4例の半導体発光素子のレイアウト説明図である。
図8Aは、半導体発光素子の照明光の被検査物体への入射角度を変更する第1構成例の説明図である。
図8Bは、半導体発光素子の照明光の被検査物体への入射角度を変更する第2構成例の説明図である。
図8Cは、半導体発光素子の照明光の被検査物体への入射角度を変更する第3構成例の説明図である。
図9は、被検査物体である半導体ウエハの上面図及びその拡大図である。
図10は、各半導体発光素子の点灯制御を説明するタイミングチャートである。
図11は、図10に示す走査に使用する半導体発光素子アレイのレイアウト図である。
図12は、本発明の第2実施例に係る半導体外観検査装置の概略構成図である。
図13は、明視野照明手段及び各半導体発光素子の点灯制御を説明するタイミングチャートである。
10…対物レンズ
31…撮像装置
41…可動ステージ
51…半導体発光素子アレイ
53…照明用レンズ
54…半導体発光素子
100、101…半導体外観検査装置
半導体外観検査装置100は、半導体ウエハ1を保持する可動ステージ41と、光源である半導体発光素子を複数含む半導体発光素子アレイ51と、半導体発光素子アレイ51に含まれる各半導体発光素子を選択的に点灯及び消灯させる点灯制御を行う点灯制御部52と、点灯制御部52が出力する制御信号に基づき各半導体発光素子を点灯及び消灯する発光素子駆動部81と、半導体発光素子アレイ51からの照明光を集束してウエハ1の表面に照射するリング状照明用レンズ53と、ウエハ1の表面に照射された照明光の回折光を取得して光学像を投影する対物レンズ10と、対物レンズ10を収納する円柱状のケース11と、投影されたウエハ1の表面の光学像を電気的な画像信号に変換する撮像装置31とを有する。半導体発光素子には、発光ダイオード(LED)チップや、レーザダイオードチップを使用することとしてよく、またはモールドが施されたLED、レーザダイオードを使用してよい。
図示するように半導体発光素子アレイ51及び照明用レンズ53は、ケース11内の対物レンズ10の光軸の周辺に配置されており、半導体発光素子による照明光は、対物レンズ10の周辺からその光軸に対して傾斜してウエハ1に向けて照射する暗視野照明光となる。なお、以下の説明のため、被検査物体の検査面(ウエハ1表面)である対物レンズ10の光軸と垂直な面をxy平面とし、対物レンズ10の光軸方向をz方向と定めておく。
半導体外観検査装置100は、可動ステージ41を駆動してウエハ1の表面上の各部分を前記対物レンズ10の視野に位置付けるための位置決め制御を行うステージ制御部43を備える。
撮像装置31としては、2次元CCD素子を使用したTVカメラなどを使用することとしてもよいが、本実施例では1次元CCD等のラインセンサを使用する。ステージ制御部43は駆動パルス信号を可動ステージ41に出力し、可動ステージ41をウエハ1に対して相対移動する(走査する)。このとき、ラインセンサ31はステージ制御部43が出力する駆動パルス信号に同期してアナログ画像信号を出力し、これをアナログディジタル変換器32を介してディジタル信号に変換し、画像処理部33はディジタル変換された信号を基に2次元画像データを構成する。
半導体外観検査装置100の全体の制御はコンピュータなどにより実現可能な計算機61により行われる。半導体外観検査装置100は、計算機61の制御に必要なプログラムやデータ、後述する素子特定情報を保存するための記憶部62と、プログラム及びこれらデータを入力するための入力部63とを備える。画像処理部33が構成した2次元画像データは、計算機61に供されて各種の外観検査に使用される。
図4Aは、ケース11内のXZ面断面図であり、図4Bは、XY平面における半導体発光素子アレイ51内の半導体発光素子のレイアウトの第1例の説明図である。図4Bに示すように、半導体発光素子54は対物レンズ10の光軸を中心とする複数列(図では3列)の同心円上に配置されている。各半導体発光素子54による各照明光は、集光レンズである照明用レンズ53によりそれぞれ集光されてウエハ1上の対物レンズ10の視野部分に照射される。
各半導体発光素子54は、その照明光が照明用レンズ53を通過した後のウエハ1への各入射角度(すなわち照明光の入射方向とウエハ1の表面の鉛直方向とのなす角度)が、前記同心円における各半導体発光素子54の径方向位置によって異なるように配置される。たとえば、本実施例では図4Aに示すように、対物レンズ10の光軸との距離が小さいほど入射角度が小さく(深く)、対物レンズ10の光軸との距離が大きいほど入射角度が大きく(浅く)なるように配置されている。
また、XY平面(ウエハ面)内における、各半導体発光素子54による各照明光のウエハ1への各照明光の方位角(すなわち各照明光のXY平面内照明方向)は、前記同心円における各半導体発光素子54の周方向位置によって異なる。なお、半導体ウエハ1上に形成される配線パターンの方向は、0°、45°、90°、135°のいずれかの方向に形成されるのが通常であるので、各半導体発光素子54の照明光の方位角は、少なくとも0°、45°、90°、135°の方位角に(すなわち45°の角度間隔を持って)設けられ、0°、45°、90°、135°のいずれかの方向に形成された配線パターンに対しても、その配線パターンが延びる方向に平行に照明することができることが好ましい。それ以外の角度の配線もまれに存在するが、その場合は複数の角度条件の半導体素子や同じ角度条件でグループ化された複数の半導体素子グループを、組み合わせて照明することが好ましい。
さらに、半導体発光素子アレイ51に配置される半導体発光素子54には、発光波長領域が異なる複数種類の短波長半導体発光素子が使用される。いいかえれば、半導体発光素子アレイ51に配置される半導体発光素子54は、発光波長領域が異なる複数のグループを構成する。
なお、各半導体発光素子54の発光波長を全て異なる波長としてもよく、または半導体外観検査装置100の照明光の波長を変更する必要がない場合には、半導体発光素子アレイ51内の全ての半導体発光素子54の発光波長を同じに構成してもよい。
記憶部62には、半導体発光素子アレイ51に配置される各半導体発光素子54と、各半導体発光素子54の入射角度、照明光の方位角及び発光波長とを関連付けたテーブルデータである発光素子属性情報が記憶され、後述において点灯制御部52に利用される。
半導体発光素子アレイ51内の半導体発光素子54は、これらをまとめて複数の半導体発光素子グループを構成することとしてよい。このような半導体発光素子54のグループは、例えば、同じ入射角度、同じ発光波長、及び/又は同じ照明光の方位角ごとにまとめた半導体発光素子54のグループとしてよい。
再び図3を参照する。ステージ制御部43は、常時、可動ステージ41の現在位置を示す位置情報(位置トリガ情報)を出力することが可能であり、点灯制御部52は、ステージ制御部43から出力される可動ステージ41の位置情報を取得する。可動ステージ41上のウエハ1の載置位置は予め定められているので、点灯制御部52は、取得した可動ステージ41の位置情報に基づき、ウエハ1のいずれの部分が対物レンズ10の視野内にあるかを求めることが可能となる。
点灯制御部52は、予め外部から入力部63に入力され記憶部62に記憶された素子特定情報を読み出す。素子特定情報は、ウエハ1上の各被検査部分(被検査箇所)と、各被検査部分に対応する、入射角度、発光波長及び照明光の方位角などの照明条件とを関連付け、あるいは各被検査部分を照明するのに適した半導体発光素子54又は半導体発光素子グループとを関連づけ、点灯制御部52が半導体発光素子アレイ51から半導体発光素子54又は半導体発光素子グループを選択するために使用する情報である。
例えば、素子特定情報は、ウエハ1上の各被検査部分と、各被検査部分を照明するのに適した半導体発光素子54又は半導体発光素子グループ自体とをそれぞれ直接関連付けたテーブル情報としてよい。この場合、点灯制御部52は、対物レンズ10の視野内にある被検査部分に関する素子特定情報を記憶部62から読み出す。そして点灯制御部52は、この被検査部分に関連付けられた半導体発光素子54又は半導体発光素子グループを選択する。
点灯制御部52は、選択した半導体発光素子54又は半導体発光素子グループを指示する信号を発光素子駆動部82に出力する。発光素子駆動部82は各半導体発光素子54を発光させるために必要な駆動電流を各半導体発光素子54に通電するための駆動回路であり、半導体発光素子アレイ51内の各半導体発光素子54を個別に、または、半導体発光素子グループ毎に点灯制御することが可能である。発光素子駆動部82は、点灯制御部52から入力した指示信号に基づき選択された半導体発光素子54又は半導体発光素子グループを点灯させる。
素子特定情報の他の例は、ウエハ1上の各被検査部分と、この部分の照明条件、例えば各被検査部分を照明するために適した、入射角度、照明光の方位角及び発光波長とを関連付けたテーブル情報である。この場合、点灯制御部52は、対物レンズ10の視野内にある被検査部分に関する素子特定情報を記憶部62から読み出す。そして、上述の発光素子属性情報に基づき、この被検査部分に関連付けられた入射角度、照明光の方位角及び発光波長に最も近い照明光を与える半導体発光素子54を半導体発光素子アレイ51から選択して点灯させる。
さらに、素子特定情報は、ウエハ1上の各被検査部分と、各被検査部分に施されている繰り返しパターンなどの配線パターンの繰り返しピッチ(配線ピッチ幅)とを関連付けたテーブル情報としてよい。配線パターンのような繰り返しパターン部分で回折する回折光の方向は、繰り返しパターンの繰り返しピッチ(配線パターンの配線ピッチ幅)と入射光の入射角度と、入射光の波長に影響する。この関係を図5に示す。
図5は、繰り返しパターン2で回折する回折光の反射方向を示す図である。一定のピッチdで周期構造を持つパターンに光が照射した場合には、次式
sinθ0−sinθn=nλ/d
により定める方向θnに光が回折する。ここにθ0は入射光の入射角を、θ0’は0次回折光の回折角を示し、sinθ0≠sinθ0’である。またnは次数(n=0、±1、±2、…)を示し、λは入射光の波長を示す。
したがって、点灯制御部52は、対物レンズ10の視野内にある被検査部分に関する素子特定情報の被検査部分に関連付けられた繰り返しピッチ幅を記憶部62から読み出す。そして対物レンズ10とエッジ部分2との間の既知の相対位置関係と、前記読み出した繰り返しピッチ幅とに基づき、上記式よりこのパターンを照射するのに適した発光波長及び入射角度を算出する。そして、発光素子特定情報に基づきこのような発光波長及び入射角度に最も近い半導体発光素子54又は半導体発光素子グループを半導体発光素子アレイ51から選択して点灯させる。
素子特定情報は、ウエハ1上の各被検査部分と、各被検査部分に施されている配線パターンのウエハ1平面内方向とを関連付けたテーブル情報としてよい。配線パターン領域内に存在する欠陥の検出感度は配線パターンのウエハ1平面内方向(方位角)と照明光の照明方向の方位角との間の角度に依存する。この様子を図6を用いて説明する。
図6Aは配線パターンである線パターンを有するウエハ1の上面図であり、図6Bはウエハ1を明視野照明した場合の撮像画像であり、図6Cは、図6AのA及びB方向からの斜光照明で照明した場合の撮像画像であり、図6DはA方向からの斜光照明で照明した場合の撮像画像であり、図6EはB方向から斜光照明で照明した場合の撮像画像である。
図6Bの明視野撮像画像及び図6Cの暗視野撮像画像ではB方向の線パターン領域7及びA方向の線パターン領域8の線間に存在する欠陥は、線パターンのエッジで反射する散乱光のため撮像画像での検出感度が低くなる。しかし、図6Dに示すA方向から照明した画像では、領域8のA方向の線パターンのエッジからの散乱光が抑えられて領域8内の線間の欠陥の検出感度が高くなり、同様に図6Eに示すB方向から照明した画像では、領域7のB方向の線パターンのエッジからの散乱光が抑えられて領域7内の線間の欠陥の検出感度が高くなる。
したがって、点灯制御部52は、対物レンズ10の視野内にある被検査部分に関する素子特定情報の被検査部分に関連付けられた方位角を記憶部62から読み出し、その方位角の配線パターンを照射するのに適した照明方向の方位角(例えば関連付けられた方向と平行な方向)を求める。そして、発光素子特定情報に基づき予め決められた照明条件を使って、半導体発光素子54または半導体発光素子グループを半導体発光素子アレイ51から選択して点灯させる。点灯制御部52による点灯制御は可動ステージ41から得られる位置トリガ情報に基づいて予め決められた点灯パターンを切り替えるものである。
素子特定情報は、ウエハ1上の各被検査部分と、各被検査部分に施されているパターンを形成する材質とを関連付けたテーブル情報としてよい。この場合、点灯制御部52は、対物レンズ10の視野内にある被検査部分に関する素子特定情報を記憶部62から読み出し、この被検査部分に関連付けられた材質を照明するのに適した発光波長を求める。そして、発光素子特定情報に基づきこの発光波長に最も近い半導体発光素子54を半導体発光素子アレイ51から選択して点灯させる。点灯制御部52による点灯制御は可動ステージ41から得られる位置トリガ情報に基づいて予め決められた点灯パターンを切り替えるものである。
さらにまた、後述するように素子特定情報は、ウエハ1上の各被検査部分と、各被検査部分に施されているパターンの形成密度の粗密に関する情報、各被検査部分がセル領域であるかロジック回路領域であるかペリフェラル領域であるかを識別するフラグ情報、及び/又は各被検査部分において半導体発光素子アレイ51を点灯させるか否かを識別するフラグ情報とを関連づけるテーブルデータを含むこととしてもよい。
なお、予め入力部63に入力されて記憶部62に記憶され、点灯制御部52内の点灯制御部52に利用される素子特定情報は、検査対象となる製品用ウエハと同じサンプルのウエハを予め観察し、その観察結果に基づいて作成することが可能である。
また、点灯制御部52は、前述により選択された半導体発光素子54の通電電流を変更することにより、それぞれその発光光量を個別に変更することとしてもよい。
さらにまた、点灯制御部52は、前述のように個々の半導体発光素子54を選択して、または同じ入射角度を有する半導体発光素子54のグループ、同じ発光波長を有する半導体発光素子54のグループ、又は同じ照明方位角を有する半導体発光素子54のグループを選択して、その通電電流を変えることによりそれぞれの半導体発光素子54やグループの発光光量を変更することも可能である。このように点灯制御部52が半導体発光素子54の発光光量を変えることにより、例えば、被検査物体への照明光を、入射角度毎や、発光波長毎や、照明方位角毎にその発光光量を変更することができる。
半導体発光素子アレイ51の設置位置は様々な形態を採用してよい。例えば、半導体発光素子アレイ51は、図4A〜図4Eに示すように対物レンズ10のケース11内に設けられることとしてよく、図7A〜図7Eに示すように対物レンズ10のケース11外に設けられることとしてよい。
また、半導体発光素子アレイ51における半導体発光素子54のレイアウトもまた、様々な形態を採用してよい。半導体発光素子54は、図4B及び図7Bに示すように対物レンズ10の光軸を中心とする複数列の同心円上に(図では3列)配置されることとしてよく、図4C及び図7Cに示すように対物レンズ10の光軸を同じ中心とする複数の大きさの多角形の辺上に(図では3列)直線状に配置されることとしてよい。また図4D及び図7Dに示すように対物レンズ10の光軸を中心とする1つの円上に単列で配置されることとしてよく、図4E及び図7Eに示すように対物レンズ10の光軸を中心とする1つの多角形の辺上に直線状に単列で配置されることとしてよい。
さらに、半導体発光素子アレイ51の基板は必ずしも円形リング状に形成される必要はなく、多角形リング状に形成されてもよい。また、半導体発光素子アレイ51は1つの基板に設けられる必要はなく、半導体発光素子アレイを設けた複数の基板を対物レンズ10の光軸の周辺に配置することとしてもよい。
各半導体発光素子54の照明光のウエハ1への各入射角度を、各半導体発光素子54によって変更するために様々な構成を利用することが可能である。図8A〜図8Cにその構成例を示す。図8Aの例では、各半導体発光素子54は、その照明光の最も強度の高い方向(主たる照明方向)がすべて略平行となるように、半導体発光素子アレイ51基板に設けられる。そして照明用レンズ53はその光軸が対物レンズ10の光軸と一致するように設けられており、その光軸から遠ざかる位置に入射する入射光ほど大きく屈折することにより入射光を集光できるように成形されている。
したがって、対物レンズ10の光軸から近い位置に配置された半導体発光素子54ほど、照明用レンズ53にその光軸に近い位置(径方向位置小)に入射して小さく屈折され、その結果ウエハ1への入射角度が小さく(深く)なる。反対に対物レンズ10の光軸から遠い位置に配置された半導体発光素子54は、照明用レンズ53にその光軸に遠い位置(径方向位置大)に入射して大きく屈折され、入射角度が大きく(浅く)なるように照明用レンズ53に屈折される(θ1>θ2)。これにより、各半導体発光素子54の照明光のウエハ1への各入射角度を、各半導体発光素子54によって変更することが可能となる。
図8Bの例では、各半導体発光素子54が取り付けられる半導体発光素子アレイ51の基板面の鉛直方向と被検査物体の被検査面との間の角度をそれぞれ変更して、各半導体発光素子54によって、その照明光のウエハ1への各入射角度が異なるように変更する。
図示するように各半導体発光素子54は、その光軸が半導体発光素子アレイ51の基板面の鉛直方向となるように基板面に取り付けられる。そして、基板面は対物レンズ10の光軸との距離が小さい位置ほどその鉛直方向と被検査面とがなす角度(すなわち半導体発光素子54の照明光の入射角度)が小さく設けられており、対物レンズ10の光軸との距離が大きい位置ほどその鉛直方向と被検査面とがなす角度が大きく設けられている(θ1>θ2)。
図8Cに示す例では、図8Aの例と同様に照明用レンズ53を用いることにより、半導体発光素子54と対物レンズ10の光軸との間の距離に応じて入射角度を変更させるとともに、図8Bの例のように、各半導体発光素子54が取り付けられる半導体発光素子アレイ51の基板面を、その鉛直方向と照明用レンズ53の光軸との間の角度が半導体発光素子54と対物レンズ10の光軸との間の距離に応じて変わるように(すなわち、照明用レンズ53へ入射する各半導体発光素子54の発光光の入射角度が、半導体発光素子54と対物レンズ10の光軸との間の距離に応じて変わるように)設ける。
このように照明用レンズ53と半導体発光素子アレイ51とを構成することにより、各半導体発光素子54の配置位置の変動に対する被検査物体への入射角度の変動を大きくすることが可能となり、半導体発光素子アレイ51及び照明用レンズ53の寸法を小さくすることが可能となる。また半導体発光素子アレイ51の取り付け位置の自由度を高めることが可能となる。
以下、図9及び図10を参照して、半導体外観検査において、被検査物体上を対物レンズで走査する際の各半導体発光素子54の点灯制御を説明する。図9は被検査物体である半導体ウエハの上面図及びその拡大図である。図9は(A)において上面図を示し、(B)において拡大図を示す。また、図10は、対物レンズ10の視野を走査するときの、各半導体発光素子54の点灯制御を説明するタイミングチャートを示す。
図9における(A)に示すように、半導体ウエハ1の上には回路パターンが形成された複数のダイ91が形成されている。さらに図9における(B)に示すようにダイ91には、様々な種類のパターンを有する領域が形成されており、いま、対物レンズ10の視野を領域92内において図10の矢印の方向に走査する際に、各半導体発光素子54の点灯制御を行うことにより、照明光の方位角を変更する場合を考える。また、図10の例では、領域92内に様々な方位角の配線パターンを有する領域71〜74が形成されており、ここで領域71の配線パターン方位角は0°であり、領域72の方位角は45°であり、領域73の方位角は90°であり、領域74の方位角は135°である。
図11は、図10の例で使用される半導体発光素子アレイ51の各半導体発光素子54のレイアウトを示す図である。図11の半導体発光素子アレイ51は図4Cに示した半導体発光素子アレイ51と同様のレイアウトを備えている。そして半導体発光素子54は、ウエハ1を照明する方位角毎にグループ55(方位角0°)、グループ56(方位角45°)、グループ57(方位角90°)及びグループ58(方位角135°)の4グループを構成している。
対物レンズ10の視野がウエハ1上の位置x1に達し領域71内に入ると、点灯制御部52は、ステージ制御部43から出力される位置情報により対物レンズ10の視野がウエハ1上の位置x1に達したことを検知する。そして、記憶部62内に記憶された素子特定情報から、領域71を照明するのに適した半導体発光素子グループ55を取得する。または、点灯制御部52は素子特定情報から領域71を照明するのに適した照明光の方位角(0°)を読み出し、この方位角の照明光を与える半導体発光素子グループ55を選択する。あるいは、点灯制御部52は素子特定情報から領域71の配線パターンの方位角(0°)を読み出し、その方向の配線パターンを照射するのに適した照明方向の方位角(0°)を求め、この方位角の照明光を与える半導体発光素子グループ55を選択する。
点灯制御部52はグループ55を点灯させる指示信号を発光素子駆動部82に出力し、発光素子駆動部82は半導体発光素子グループ55に属する半導体発光素子54を点灯する。そして、対物レンズ10の視野が領域71内にある間、点灯制御部52は、グループ55を選択し続け、これに属する半導体発光素子54が点灯され続ける。
その後、対物レンズ10の視野がウエハ1上を移動して、位置x2に至ると、点灯制御部52は、記憶部62内に記憶された素子特定情報からこの領域がペリフェラル領域であることを検知し、半導体発光素子グループ55に属する半導体発光素子54の選択を停止し点灯を停止する。
さらに、対物レンズ10の視野が位置x3に至り領域72に入ると、点灯制御部52は、素子特定情報から領域72を照明するのに適した半導体発光素子グループ56を取得する。または、点灯制御部52は素子特定情報から領域72を照明するのに適した照明光の方位角(45°)を読み出し、この方位角の照明光を与える半導体発光素子グループ56を選択する。あるいは、点灯制御部52は素子特定情報から領域72の配線パターンの方位角(45°)を読み出し、その方向の配線パターンを照射するのに適した照明方向の方位角(45°)を求め、この方位角の照明光を与える半導体発光素子グループ56を選択する。
以下同様に、点灯制御部52は、対物レンズ10の視野がペリフェラル領域に入ると、半導体発光素子54の点灯を停止し、対物レンズ10の視野が領域73に入ると、グループ57に属する半導体発光素子54を点灯し、また、対物レンズ10の視野が領域74に入ると、グループ58に属するに半導体発光素子54を点灯する。
以上の動作により、外観検査の検査中に、半導体ウエハ1を走査する対物レンズ10の視野のウエハ上の位置に応じて、点灯させる半導体発光素子グループを切り替えて、照明光の方位角を変更することが可能となる。また、点灯する半導体発光素子54を切り替えて照明光の入射角を変更する場合、及び照明光の波長を変更する場合も、上述の方法で同様に行うことができる。
なお、図10に示す半導体発光素子グループの点灯切り替えの例では、対物レンズ10の視野がペリフェラル領域にあるとき、点灯制御部52は、全ての半導体発光素子グループ55〜58の点灯を停止し消灯させることとしたが、これと反対に点灯制御部52は、対物レンズ10の視野がペリフェラル領域にあるとき全ての半導体発光素子グループ55〜58を点灯させることとしてもよい。
また、上述の構成例では、点灯制御部52が、常時、可動ステージ41の現在位置を示す位置トリガ情報ステージ制御部43から取得し、この位置情報に基づいて対物レンズ視野が存在する領域に応じた素子特定情報を取得して、この領域に応じた半導体発光素子グループを選択し続けることとしたが、これに代えて、ステージ制御部43が、可動ステージ41の現在位置と素子特定情報とに基づいて点灯させる半導体発光素子グループを切り替えるためのトリガを発生させ、点灯制御部52はこのトリガに従って点灯させる半導体発光素子グループを切り替えることとしてもよい。
図12は、本発明の第2実施例に係る半導体外観検査装置の概略構成図である。本実施例に係る半導体外観検査装置101は、上述の第1実施例に係る半導体外観検査装置の構成に加えて、明視野照明用光源21と、明視野照明用光源21からの照明光を集束する照明用レンズ22、23と、照明光を反射するビームスプリッタ24と、からなる明視野照明手段を備える。
本実施例は、特にメモリセル部分(セル領域)のようなパターン密度が高い部分と、そのロジック回路部分や周辺回路部分(ペリフェラル領域)のようなパターン密度が低い部分がある半導体ウエハのように、被検査物体の全域を同じ光量で照明すると両者の部分の輝度差が大きくなるような被検査物体の外観検査を行う場合に好適に使用される。以下、セル領域及び、ロジック回路領域又はペリフェラル領域を有する半導体ウエハ1を被検査物体とする場合について説明する。
明視野照明手段による照明光は、ロジック回路領域やペリフェラル領域の画像を取得するのに好適な一定の光量に調節される。このような光量下ではセル領域の画像は暗く取得されセル領域における欠陥検出感度が低くなる。
可動ステージ41を移動させて撮影装置31でウエハ1を走査する際、点灯制御部52は接眼レンズ10の視野がウエハ1のロジック回路領域又はペリフェラル領域内にあるときには半導体発光素子アレイ51を消灯させ、対物レンズ10の視野がセル領域内にあるときには、半導体発光素子アレイ51を点灯させる。すなわち対物レンズ10の視野がセル領域内にある場合には、明視野照明手段による照明光と半導体発光素子アレイ51の照明光とが同時に照明された被検査物体の画像が撮影装置31に検出される。
このように、接眼レンズ10の視野がセル領域、ペリフェラル領域のいずれかにあるかによって半導体発光素子アレイ51を点灯制御することにより、明視野照明により照明されたロジック回路領域画像又はペリフェラル領域画像と、明視野照明により照明されかつ暗視野照明により欠陥部分が強調されたセル領域画像とが合成された画像を、1台の撮影装置31による1回の走査で取得することが可能となり、セル領域における欠陥検出感度を向上することが可能となる。
具体的には、点灯制御部52は、ステージ制御部43から常時出力される可動ステージ41の位置情報を取得する。記憶部62に記憶されている素子特定情報には、ウエハ1上の各被検査部分と、各被検査部分に施されているパターンの形成密度の粗密に関する情報とを関連づけたテーブル情報が記憶されている。点灯制御部52は、対物レンズ10の視野内にある被検査部分に関する素子特定情報を記憶部62から読み出す。そして、この被検査部分に関連付けられたパターン形成密度が所定の閾値密度よりも低い場合には半導体発光素子アレイ51を消灯させ、所定の閾値密度よりも低い場合には半導体発光素子アレイ51を点灯させる。
記憶部62に記憶されている素子特定情報は、ウエハ1上の各被検査部分と、各被検査部分がセル領域であるか、ロジック回路領域であるか、ペリフェラル領域であるかを識別するフラグ情報とを関連づけたテーブル情報であるとしてよい。この場合、点灯制御部52は、対物レンズ10の視野内にある被検査部分に関する素子特定情報を記憶部62から読み出す。そして、この被検査部分に関連付けられたフラグ情報がロジック回路領域やペリフェラル領域を示すときには半導体発光素子アレイ51を消灯させ、セル領域を示す場合には半導体発光素子アレイ51を点灯させる。
または、記憶部62に記憶されている素子特定情報は、単純に、ウエハ1上の各被検査部分と、各被検査部分において、半導体発光素子アレイ51を点灯させるか否かを識別するフラグ情報とを関連づけたテーブル情報であるとしてよい。この場合、点灯制御部52は、対物レンズ10の視野内にある被検査部分に関する素子特定情報を記憶部62から読み出す。そして、上述の素子特定情報に従って、半導体発光素子アレイ51を点灯及び消灯させる。
点灯制御部52は、半導体発光素子アレイ51を点灯させる間だけ明視野照明用光源21を消灯することとしてよい。すなわち、ロジック回路領域及びペリフェラル領域のみを明視野照明し、セル領域のみを半導体発光素子アレイ51による暗視野照明するように照明手段を切り替えることとしてもよい。
または、点灯制御部52は、ロジック回路領域やペリフェラル領域の撮影においても明視野照明手段に加えて半導体発光素子アレイ51による照明を行うこととしてもよい。
さらに、素子特定情報には、上述の第1実施例の発光素子特定情報と同様に、セル領域、ロジック回路領域又はペリフェラル領域内の各被検査部分と、これら各被検査部分を照明するために選択して使用する半導体発光素子64とを関連づけるテーブル情報を含むこととしてよい。
そして点灯制御部52は、セル領域、ロジック回路領域又はペリフェラル領域内の各被検査部分を半導体発光素子アレイ51で照明する際に、上述の第1実施例と同様に、素子特定情報に基づき半導体発光素子54を半導体発光素子アレイ51から選択して点灯させることとしてよい。
また、素子特定情報には、上述の第1実施例の発光素子特定情報と同様に、セル領域、ロジック回路領域又はペリフェラル領域内の各被検査部分と、これら各被検査部分を照明するのに適した入射角度、照明光の方位角及び発光波長とを関連づけるテーブル情報を含むこととしてよい。
このとき点灯制御部52は、セル領域、ロジック回路領域又はペリフェラル領域内の各被検査部分を半導体発光素子アレイ51で照明する際に、上述の第1実施例と同様に、素子特定情報及び発光素子属性情報に基づき、被検査部分を照明するのに適した入射角度、照明光の方位角及び発光波長を有する半導体発光素子54を半導体発光素子アレイ51から選択して点灯させることとしてよい。
また、素子特定情報には、上述の第1実施例の発光素子特定情報と同様に、セル領域、ロジック回路領域又はペリフェラル領域内の各被検査部分と、これら各被検査部分に施されている繰り返しパターンの繰り返しピッチ、配線パターンの配線ピッチ、線パターンのウエハ1平面内方向、又はパターンの形成材質などの、被検査部分に施されているパターンの属性情報と、を関連づけるテーブル情報を含むこととしてよい。
このとき点灯制御部52は、セル領域、ロジック回路領域又はペリフェラル領域内の各被検査部分を半導体発光素子アレイ51で照明する際に、上述の第1実施例と同様に、素子特定情報に基づいて被検査部分に形成されたパターンの属性情報を取得して、これに適合する入射角度、照明光の方位角及び発光波長を求め、発光素子属性情報に基づいて半導体発光素子アレイ51から半導体発光素子54を選択して点灯させることとしてよい。
また、点灯制御部52は、前記第1実施例と同様に、選択された半導体発光素子54の通電電流を変更することにより、それぞれその発光光量を個別に変更することとしてもよい。さらにまた、点灯制御部52は、個々の半導体発光素子54を選択して、または同じ入射角度を有する半導体発光素子54のグループ、同じ発光波長を有する半導体発光素子54のグループ、又は同じ照明方位角を有する半導体発光素子54のグループを選択して、その通電電流を変えることによりそれぞれの半導体発光素子54やグループ毎の発光光量を変更することも可能である。
図13は、セル領域、ロジック回路領域及びペリフェラル領域を有する半導体ウエハ1上、領域92内を外観検査する際の、明視野照明用光源21及び各半導体発光素子54の点灯制御を説明するタイミングチャートである。ここにセル領域71及び72は、それぞれ方位角0°及び45°を有する配線パターンが形成されており、領域75及び76はロジック回路領域である。
このウエハ1上を対物レンズ10の視野が図の矢印の方向に走査するとき、各半導体発光素子54の点灯制御を行い、照明光の方位角を変更及び明視野照明及び暗視野照明の切り替えを行う場合を考える。なお、各半導体発光素子54のレイアウトは図11と同様であるとする。
対物レンズ10の視野がウエハ1上の位置x1に至る前、すなわちペリフェラル領域内にあるとき、点灯制御部52は、記憶部62内の素子特定情報からペリフェラル領域のパターン密度を取得して、そのパターン密度を照明するのに適した照明として明視野照明手段を選択する。または、点灯制御部52は、素子特定情報から対物レンズ10の視野の現在位置がペリフェラル領域内にあることを識別して、ペリフェラル領域を照明するのに適した照明として明視野照明手段を選択する。
そして、点灯制御部52は、全ての半導体発光素子54を消灯させたまま、明視野照明手段を点灯させる指示信号を発光素子駆動部82に出力し、発光素子駆動部82は明視野照明手段のみを点灯する。
対物レンズ10の視野がウエハ1上の位置x1に達し領域71内に入ると、これを検知した点灯制御部52は、記憶部62内の素子特定情報から領域71のパターン密度を取得して、そのパターン密度を照明するのに適した照明として暗視野照明手段(半導体発光素子54)を選択する。または点灯制御部52は、素子特定情報から領域71がセル領域であることを識別して、セル領域を照明するのに適した照明として暗視野照明手段を選択する。そして、上記図10を参照して説明した方法と同様に、記憶部62内の素子特定情報から領域71を照明するのに適した方位角の照明光を与える半導体発光素子グループ55を選択して点灯し、その一方で明視野照明手段の点灯を停止する。
対物レンズ10の視野がウエハ1上の位置x2に達し再びペリフェラル領域内に入ると、これを検知した点灯制御部52は、素子特定情報から対物レンズ10の視野の現在位置がペリフェラル領域内にあることを識別して明視野照明手段を点灯させ、グループ55を消灯する。そして、対物レンズ10の視野がウエハ1上の位置x3に達し領域72内に入ると、点灯制御部52は、領域72がセル領域であることを識別して暗視野照明手段を選択し、かつ上記図10を参照して説明した方法と同様に、領域72を照明するのに適した方位角の照明光を与える半導体発光素子グループ56を選択する。そして、対物レンズ10の視野がウエハ1上の位置x4に達し再びペリフェラル領域内に入ると、点灯制御部52は、グループ56の点灯を停止して、再び明視野照明手段を点灯させる。
その後、対物レンズ10の視野がウエハ1上の位置x5に達しロジック回路領域75内に入ると、これを検知した点灯制御部52は、記憶部62内の素子特定情報から領域75のパターン密度を取得して、そのパターン密度を照明するのに適した照明として明視野照明手段を選択する。または点灯制御部52は、素子特定情報から領域75がロジック回路領域であることを識別して、ロジック回路領域を照明するのに適した照明として明視野照明手段を選択する。そして、点灯制御部52は、明視野照明手段を点灯させ続ける一方で暗視野照明手段を消灯させ続ける。
なお、点灯制御部52は、対物レンズ10の視野がロジック回路領域にあるときでも、暗視野照明手段(半導体発光素子54)を点灯させることとしてもよい。図13の例では、点灯制御部52は、ロジック回路領域76(x7〜x8)において、明視野照明手段に加えて、半導体発光素子グループ55及び56を点灯させている。また点灯制御部52は必要に応じて、対物レンズ10の視野がペリフェラル領域内にあるときに、明視野照明手段に代えて暗視野照明手段を点灯させることとしてもよい。
本発明は、半導体ウエハ、半導体メモリ用フォトマスクや、液晶表示パネルなどの半導体装置を検査する外観検査装置に利用可能である。
以上、本発明の好適な実施態様について詳述したが、当業者が種々の修正及び変更をなし得ること、並びに、特許請求の範囲は本発明の真の精神および趣旨の範囲内にあるこの様な全ての修正及び変更を包含することは、本発明の範囲に含まれることは当業者に理解されるべきものである。
Claims (40)
- 被検査物体である半導体装置の光学像に基づき、前記被検査物体の外観検査を行う半導体外観検査装置であって、
対物レンズの光軸に対して前記被検査物体を斜めに照明する、複数の半導体発光素子からなる半導体発光素子アレイと、前記半導体発光素子アレイに含まれる前記半導体発光素子を選択的に点灯制御する点灯制御部と、を備えることを特徴とする半導体外観検査装置。 - 前記点灯制御部は、前記の選択的に点灯制御された各前記半導体発光素子の発光光量を個別に変更することを特徴とする請求項1に記載の半導体外観検査装置。
- 前記半導体発光素子アレイは、前記被検査物体へ異なる複数の入射角度で入射する照明光を与える複数の半導体発光素子からなり、
前記点灯制御部は、前記半導体発光素子を選択的に点灯して、前記被検査物体への照明光の入射角度を変更することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体外観検査装置。 - さらに、前記半導体発光素子アレイの発光面と前記被検査物体との間に、前記半導体発光素子アレイの照明光を前記対物レンズの視野内に集光する集光レンズを備え、
前記被検査物体へ異なる入射角度で入射する照明光を与える前記複数の半導体発光素子は、前記集光レンズにその径方向位置が異なる位置に照明光を入射することを特徴とする請求項3に記載の半導体外観検査装置。 - 前記半導体発光素子アレイは、前記被検査物体へ異なる入射角度で入射する照明光を与える前記複数の半導体発光素子を、その発光方向と前記対物レンズの光軸とのなす角度を変えて設けることを特徴とする請求項3に記載の半導体外観検査装置。
- 前記半導体発光素子アレイは、発光波長が異なる複数の半導体発光素子を有し、
前記点灯制御部は、前記半導体発光素子を選択的に点灯して、前記被検査物体への照明光の波長を変更することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体外観検査装置。 - 前記半導体発光素子アレイは、前記被検査物体への照明光の方位角が異なる複数の半導体発光素子を有し、
前記点灯制御部は、前記半導体発光素子を選択的に点灯して、前記被検査物体への照明光の方位角を変更することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体外観検査装置。 - 被検査物体である半導体装置の光学像に基づき、前記被検査物体の外観検査を行う半導体外観検査装置であって、
対物レンズの光軸に対して前記被検査物体を斜めに照明する、複数の半導体発光素子からなる半導体発光素子アレイと、前記半導体発光素子アレイから1以上の前記半導体発光素子を選択して、選択された前記半導体発光素子の発光光量を変更する点灯制御部と、を備えることを特徴とする半導体外観検査装置。 - 前記半導体発光素子アレイは、前記被検査物体へ異なる複数の入射角度で入射する照明光を与える複数の半導体発光素子からなり、
前記点灯制御部は、前記の選択された半導体発光素子の発光光量を変更して、前記被検査物体への照明光の入射角度毎の光量を変更することを特徴とする請求項8に記載の半導体外観検査装置。 - さらに、前記半導体発光素子アレイの発光面と前記被検査物体との間に、前記半導体発光素子アレイの照明光を前記対物レンズの視野内に集光する集光レンズを備え、
前記被検査物体へ異なる入射角度で入射する照明光を与える前記複数の半導体発光素子は、前記集光レンズにその径方向位置が異なる位置に照明光を入射すること特徴とする請求項9に記載の半導体外観検査装置。 - 前記半導体発光素子アレイは、前記被検査物体へ異なる入射角度で入射する照明光を与える前記複数の半導体発光素子を、その発光方向と前記対物レンズの光軸とのなす角度を変えて設けることを特徴とする請求項9に記載の半導体外観検査装置。
- 前記半導体発光素子アレイは、発光波長が異なる複数の半導体発光素子を有し、
前記点灯制御部は、前記の選択された半導体発光素子の発光光量を変更して、前記被検査物体への照明光の波長毎の光量を変更することを特徴とする請求項8に記載の半導体外観検査装置。 - 前記半導体発光素子アレイは、前記被検査物体への照明光の方位角が異なる複数の半導体発光素子を有し、
前記点灯制御部は、前記の選択された半導体発光素子の発光光量を変更して、前記被検査物体への照明光の方位角毎の光量を変更することを特徴とする請求項8に記載の半導体外観検査装置。 - 前記点灯制御部は、前記被検査物体のうち前記対物レンズの視野にある部分に対応して前記半導体発光素子を選択することを特徴とする請求項1〜13のいずれか一項に記載の半導体外観検査装置。
- 前記半導体外観検査装置は、前記被検査物体の各部分に対応して予め定められた、点灯すべき各前記半導体発光素子を特定する素子特定情報を、記憶する記憶手段を備え、
前記点灯制御部は、前記素子特定情報により前記対物レンズの視野にある部分に対応して特定される照明条件に応じた各前記半導体発光素子を切り替え制御することを特徴とする請求項14に記載の半導体外観検査装置。 - 前記素子特定情報は、前記被検査物体の前記各部分に施された繰り返しパターンの繰り返しピッチ幅に関する情報を含むことを特徴とする請求項15に記載の半導体外観検査装置。
- 前記素子特定情報は、前記被検査物体の前記各部分に施された配線パターンのピッチ幅に関する情報を含むことを特徴とする請求項16に記載の半導体外観検査装置。
- 前記素子特定情報は、前記被検査物体の前記各部分に施された線パターンの方向に関する情報を含むことを特徴とする請求項15に記載の半導体外観検査装置。
- 前記素子特定情報は、前記被検査物体の前記各部分にパターンを形成する材質に関する情報を含むことを特徴とする請求項15に記載の半導体外観検査装置。
- 前記半導体外観検査装置は、前記被検査物体を支持して、前記被検査物体上の各部分を前記対物レンズの視野に位置付けることが可能な可動ステージを備え、
前記点灯制御部は、前記可動ステージの位置情報に基づき、前記被検査物体のうち前記対物レンズの視野にある部分を特定することを特徴とする請求項14〜19のいずれか一項に記載の半導体外観検査装置。 - さらに、前記対物レンズの光軸と平行に前記被検査物体を照明する明視野照明手段を備えることを特徴とする請求項14又は20に記載の半導体外観検査装置。
- 被検査物体である半導体装置の光学像に基づき、前記被検査物体の外観検査を行う半導体外観検査装置であって、
対物レンズの光軸と平行に前記被検査物体を照明する明視野照明手段と、
前記対物レンズの光軸に対して前記被検査物体を斜めに照明する、複数の半導体発光素子からなる半導体発光素子アレイと、
前記被検査物体のうち前記対物レンズの視野にある部分に対応して、前記半導体発光素子アレイを点灯制御する点灯制御部と、を有する照明手段を備えることを特徴とする半導体外観検査装置。 - 被検査物体である半導体装置の光学像に基づき前記被検査物体の外観検査を行う半導体外観検査装置における、前記被検査物体の照明方法であって、
対物レンズの光軸に対して前記被検査物体を斜めに照明する複数の半導体発光素子からなる半導体発光素子アレイに含まれる、前記半導体発光素子を選択的に点灯制御することを特徴とする照明方法。 - 前記の選択的に点灯制御された各前記半導体発光素子の発光光量を個別に変更することを特徴とする請求項23に記載の照明方法。
- 前記半導体発光素子アレイに含まれる、前記被検査物体へ異なる複数の入射角度で入射する照明光を与える複数の半導体発光素子を選択的に点灯して、前記被検査物体への照明光の入射角度を変更することを特徴とする請求項23又は24に記載の照明方法。
- 前記半導体発光素子アレイに含まれる、発光波長が異なる複数の半導体発光素子を選択的に点灯して、前記被検査物体への照明光の波長を変更することを特徴とする請求項23又は24に記載の照明方法。
- 前記半導体発光素子アレイに含まれる、前記被検査物体への照明光の方位角が異なる複数の半導体発光素子を選択的に点灯して、前記被検査物体への照明光の方位角を変更することを特徴とする請求項23又は24に記載の照明方法。
- 被検査物体である半導体装置の光学像に基づき前記被検査物体の外観検査を行う半導体外観検査装置における、前記被検査物体の照明方法であって、
対物レンズの光軸に対して前記被検査物体を斜めに照明する複数の半導体発光素子からなる半導体発光素子アレイに含まれる、前記半導体発光素子を選択して、選択された前記半導体発光素子の発光光量を変更することを特徴とする照明方法。 - 前記被検査物体へ異なる複数の入射角度で入射する照明光を与える複数の半導体発光素子からなる前記半導体発光素子アレイから、前記半導体発光素子を選択してその発光光量を変更し、前記被検査物体への照明光の入射角度毎の発光光量を変更することを特徴とする請求項28に記載の照明方法。
- 発光波長が異なる複数の半導体発光素子からなる前記半導体発光素子アレイから、前記半導体発光素子を選択してその発光光量を変更し、前記被検査物体への照明光の波長毎の発光光量を変更することを特徴とする請求項28に記載の照明方法。
- 前記被検査物体への照明光の方位角が異なる複数の半導体発光素子からなる前記半導体発光素子アレイから、前記半導体発光素子を選択してその発光光量を変更し、前記被検査物体への照明光の方位角毎の発光光量を変更することを特徴とする請求項28に記載の照明方法。
- 前記被検査物体のうち前記対物レンズの視野にある部分に対応して前記半導体発光素子を選択することを特徴とする請求項23〜31のいずれか一項に記載の照明方法。
- 前記被検査物体の各部分に対応して、点灯すべき各前記半導体発光素子を特定する素子特定情報を予め記憶し、
前記素子特定情報により前記対物レンズの視野にある部分に対応して特定される照明条件に応じた各前記半導体発光素子を切り替え制御することを特徴とする請求項32に記載の照明方法。 - 前記素子特定情報は、前記被検査物体の前記各部分に施された繰り返しパターンの繰り返しピッチ幅に関する情報を含むことを特徴とする請求項33に記載の照明方法。
- 前記素子特定情報は、前記被検査物体の前記各部分に施された配線パターンのピッチ幅に関する情報を含むことを特徴とする請求項34に記載の半導体外観検査装置。
- 前記素子特定情報は、前記被検査物体の前記各部分に施された線パターンの方向に関する情報を含むことを特徴とする請求項33に記載の照明方法。
- 前記素子特定情報は、前記被検査物体の前記各部分にパターンを形成する材質に関する情報を含むことを特徴とする請求項33に記載の照明方法。
- 前記被検査物体を支持して前記被検査物体上の各部分を前記対物レンズの視野に位置付ける、前記半導体外観検査装置の可動ステージの位置情報に基づき、前記被検査物体のうち前記対物レンズの視野にある部分を特定することを特徴とする請求項32〜37のいずれか一項に記載の照明方法。
- さらに、前記対物レンズの光軸と平行に前記被検査物体を照明する明視野照明を行うことを特徴とする請求項32又は38に記載の照明方法。
- 被検査物体である半導体装置の光学像に基づき前記被検査物体の外観検査を行う半導体外観検査装置における、前記被検査物体の照明方法であって、
前記対物レンズの光軸と平行に前記被検査物体を照明する明視野照明を行い、
前記被検査物体のうち前記対物レンズの視野にある部分に対応して、前記対物レンズの光軸に対して前記被検査物体を斜めに照明する複数の半導体発光素子からなる半導体発光素子アレイを点灯制御することを特徴とする照明方法。
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---|---|---|---|---|
JP4713279B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2011-06-29 | 第一実業ビスウィル株式会社 | 照明装置及びこれを備えた外観検査装置 |
US7391510B2 (en) * | 2006-01-26 | 2008-06-24 | Orbotech Ltd | System and method for inspecting patterned devices having microscopic conductors |
JP2007205828A (ja) * | 2006-02-01 | 2007-08-16 | Advanced Mask Inspection Technology Kk | 光学画像取得装置、パターン検査装置、光学画像取得方法、及び、パターン検査方法 |
US7901096B2 (en) * | 2006-07-17 | 2011-03-08 | Dorsey Metrology International | Illumination for projecting an image |
JP2008215955A (ja) * | 2007-03-01 | 2008-09-18 | Asahi Breweries Ltd | 逆さ缶検出装置 |
JP4914854B2 (ja) * | 2008-03-10 | 2012-04-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 欠陥検査方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
DE102008030425A1 (de) * | 2008-06-26 | 2010-01-21 | Siemens Aktiengesellschaft | LED-Beleuchtungssystem für ein elektrisches Prüfsystem |
SG164292A1 (en) | 2009-01-13 | 2010-09-29 | Semiconductor Technologies & Instruments Pte | System and method for inspecting a wafer |
US9075106B2 (en) * | 2009-07-30 | 2015-07-07 | International Business Machines Corporation | Detecting chip alterations with light emission |
US8312413B2 (en) * | 2010-01-22 | 2012-11-13 | International Business Machines Corporation | Navigating analytical tools using layout software |
JP4873100B2 (ja) * | 2010-03-11 | 2012-02-08 | Jfeスチール株式会社 | 表面検査装置 |
DE102010018498B4 (de) | 2010-04-22 | 2021-08-19 | Andreas Obrebski | Optische Anordnung und optische Vorrichtung oder Gerät |
US8248591B2 (en) | 2010-11-18 | 2012-08-21 | Quality Vision International, Inc. | Through-the-lens illuminator for optical comparator |
CN103033129B (zh) * | 2011-10-07 | 2015-10-21 | 财团法人工业技术研究院 | 光学设备及光学定址方法 |
TWI466112B (zh) * | 2011-10-07 | 2014-12-21 | Ind Tech Res Inst | 光學設備及光學定址方法 |
JP6842916B2 (ja) | 2013-03-12 | 2021-03-17 | シネジェン, インコーポレイテッド | 非発酵性糖と組み合わせたポリグルコサミン誘導体の経口製剤 |
TWI702386B (zh) * | 2014-07-17 | 2020-08-21 | 以色列商奧寶科技股份有限公司 | 遠心亮場與環形暗場無縫融合式照射 |
CN105572040A (zh) * | 2014-10-15 | 2016-05-11 | 富泰华工业(深圳)有限公司 | 光源装置 |
JP2017067632A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | キヤノン株式会社 | 検査装置および物品製造方法 |
SG11201900112TA (en) * | 2016-07-05 | 2019-02-27 | Canon Machinery Inc | Defect detection device, defect detection method, wafer, semiconductor chip, semiconductor device, die bonder, bonding method, semiconductor manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method |
JP2018158395A (ja) * | 2017-03-22 | 2018-10-11 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
JP7010633B2 (ja) * | 2017-09-19 | 2022-01-26 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
US10648797B2 (en) * | 2017-11-16 | 2020-05-12 | Quality Vision International Inc. | Multiple beam scanning system for measuring machine |
JP6976914B2 (ja) * | 2018-09-14 | 2021-12-08 | 株式会社東芝 | 光学検査装置 |
JPWO2020262593A1 (ja) * | 2019-06-28 | 2020-12-30 | ||
CN112849866B (zh) * | 2019-11-27 | 2024-06-25 | 株式会社大福 | 物品输送装置 |
JP7384109B2 (ja) * | 2019-11-27 | 2023-11-21 | 株式会社ダイフク | 物品搬送装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60244029A (ja) * | 1984-05-17 | 1985-12-03 | Canon Inc | 検査装置 |
JPH08167638A (ja) * | 1994-12-14 | 1996-06-25 | Hitachi Ltd | パターン検査装置とその方法 |
JPH10232122A (ja) * | 1997-02-19 | 1998-09-02 | Nikon Corp | 欠陥検査装置 |
JPH11242002A (ja) * | 1998-02-25 | 1999-09-07 | Lintec Corp | 観測装置 |
US6207946B1 (en) * | 1998-09-03 | 2001-03-27 | Semiconductor Technologies & Instruments, Inc. | Adaptive lighting system and method for machine vision apparatus |
JP2001289793A (ja) * | 2000-04-04 | 2001-10-19 | Nikon Corp | 表面検査装置 |
JP2003017536A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Nec Corp | パターン検査方法及び検査装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4871257A (en) * | 1982-12-01 | 1989-10-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical apparatus for observing patterned article |
US5085517A (en) * | 1989-10-31 | 1992-02-04 | Chadwick Curt H | Automatic high speed optical inspection system |
US5172005A (en) * | 1991-02-20 | 1992-12-15 | Pressco Technology, Inc. | Engineered lighting system for tdi inspection comprising means for controlling lighting elements in accordance with specimen displacement |
US5365084A (en) * | 1991-02-20 | 1994-11-15 | Pressco Technology, Inc. | Video inspection system employing multiple spectrum LED illumination |
US5349172A (en) * | 1992-02-27 | 1994-09-20 | Alex Roustaei | Optical scanning head |
US6122048A (en) * | 1994-08-26 | 2000-09-19 | Pressco Technology Inc. | Integral field lens illumination for video inspection |
EP0704695B1 (en) * | 1994-09-30 | 2002-01-16 | Scalar Corporation | Lighting device for an observation or image pickup apparatus |
US6288780B1 (en) * | 1995-06-06 | 2001-09-11 | Kla-Tencor Technologies Corp. | High throughput brightfield/darkfield wafer inspection system using advanced optical techniques |
US6028691A (en) * | 1998-05-18 | 2000-02-22 | Litton Systems, Inc. | Machine vision |
US6198529B1 (en) * | 1999-04-30 | 2001-03-06 | International Business Machines Corporation | Automated inspection system for metallic surfaces |
JP2003503701A (ja) * | 1999-06-24 | 2003-01-28 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 照明モジュール |
-
2005
- 2005-06-03 DE DE112005001294T patent/DE112005001294T5/de not_active Ceased
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- 2005-06-03 JP JP2006514158A patent/JPWO2005119227A1/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60244029A (ja) * | 1984-05-17 | 1985-12-03 | Canon Inc | 検査装置 |
JPH08167638A (ja) * | 1994-12-14 | 1996-06-25 | Hitachi Ltd | パターン検査装置とその方法 |
JPH10232122A (ja) * | 1997-02-19 | 1998-09-02 | Nikon Corp | 欠陥検査装置 |
JPH11242002A (ja) * | 1998-02-25 | 1999-09-07 | Lintec Corp | 観測装置 |
US6207946B1 (en) * | 1998-09-03 | 2001-03-27 | Semiconductor Technologies & Instruments, Inc. | Adaptive lighting system and method for machine vision apparatus |
JP2001289793A (ja) * | 2000-04-04 | 2001-10-19 | Nikon Corp | 表面検査装置 |
JP2003017536A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Nec Corp | パターン検査方法及び検査装置 |
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