JPWO2005092487A1 - 超臨界処理方法およびそれに用いる装置 - Google Patents
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Abstract
Description
「Microelectronic Engineering」,64,(2002),p53〜61
さらに本発明の目的は、このような超臨界溶流体を加圧反応系に連続的に供給して処理を安定的に行えるようにした超臨界流体処理装置を提供することにある。
また本発明では、常温常圧で固体状態の有機物原料をフッ化化合物に溶解させて溶液を作製し、該溶液と該有機物原料と反応し該フッ化化合物とは反応しない反応剤とを1MPa以上の圧力で超臨界状態に維持されている流体中に導入して反応させ、基材に生成物をコーティングする方法を提供する。
またすくなくとも一つの有機物原料をフッ化炭素化合物に溶解した溶液を大気圧状態で導入する密閉可能な原料容器と、超臨界流体を貯留する高圧容器と、該溶液を加圧して超臨界流体を貯留している容器に導入する送液ポンプと、前記密閉可能な原料容器から前記送液ポンプへ圧送する機構とを備え、該高圧容器内で又は反応槽内で該有機物原料を反応させて固体反応物の微粒子を得ることを特徴とする超臨界処理装置を提供する。
また本発明によると、原料は溶液状態で固体状態ではないため、フィルターに目詰まりを起こしたりすることもない。そのため、本発明の場合、用いる高圧処理装置のメンテナンスは容易である。
2 液体ポンプ
3 逆止弁
4 高圧容器
5 ドレイン弁
6 処理槽もしくは反応槽
7 基板
8 局所加熱装置
超臨界二酸化炭素とは、31.1℃、7.38MPaの臨界点以上の超臨界状態にある二酸化炭素のことである。
この中でフッ素が全ての水素原子を置換したものが安定性の上から好ましい。具体的には、フッ素化炭素化合物としてはフロリナートと総称される不活性液体が挙げられる。これは、脂肪族炭化水素のパーフルオロ体であり、例えばn−C6F14、C5H2F10、C3HF5Cl2 、C6HF13 、C3H5F9 、1,1,1,3,3−ペンタフルオロブタン(365 mfc)、1,1,1,2,2,4,4−ヘプタフルオロブタン(347 mcf)、(C4F9CH=CH2)、1H−ペルフルオロヘキサン、n−ペルフルオロヘキサン(PF 5060)、又は、1,1,1,2,3,4,4,5,5,5−デカフルオロペンタン(43−10 mee)、及び、ペルフルオロ(メチルモルホリン)(PF 5052)などがある。
3,3,4,4,5,5,6,6−オクタフルオロ−2−ヘキサノール、3,3,4,4,5,5,6,6−オクタフルオロ−2−メチル−2−ヘキサノール、3,3,4,4,5,6,6,6−オクタフルオロ−5−トリフルオロメチルヘキサノール、3,3,4,4,5,5,6,6,6−ノナフルオロヘキサノール、2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,6−ウンデカフルオロヘキサノール、2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7−ドデカフルオロヘプタノール、3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8−ドデカフルオロ−2−オクタノール。
3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8−ドデカフルオロ−2−メチル−2−オクタノール、3,3,4,4,5,5,6,6,7,8,8,8−ドデカフルオロ−7−トリフルオロメチルオクタノール、2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9−ヘキサデカフルオロノナノール、3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,10,10,10−ヘキサデカフルオロ−9−トリフルオロメチルデカノール、3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9、10,10,10−ヘプタデカフルオロデカノールなどがある。
なお、(1)から(4)の物質はいずれも公知物質である。必要に応じて適宜購入して利用することができる。
特に、超臨界処理のような高圧流体を用いた処理の場合、一般に常圧状態や減圧状態と比較して著しく低温で常圧状態や減圧状態と同等以上の効果を得ることができ、フッ化炭素化合物の自己分解の問題がほとんど生じない。すなわちフッ化炭素化合物は、低温処理が可能である超臨界処理を行う際に、最も適した溶媒であることを発明者は見出し、本発明にいたった。
この超臨界流体とフッ化化合物の合計量を100%としたとき、これに溶解させる有機物質の濃度は、目的の処理ないしは生起させる反応により異なり、特に制限はないが、通常コーティング処理の場合は0.01質量%以上、好ましくは0.05〜2質量%、微粒子化の場合は、好ましくは0.05質量%以上、より好ましくは0.1〜5質量%である。
すなわち、高圧容器内で原料有機物を反応させる超臨界処理を行う場合、反応に適した温度、圧力条件に設定される。
一般にフッ化化合物の密度は1.5程度と他の溶媒と比較して大きいため、攪拌しない高圧容器で2相状態となる場合には、液体相のフッ化化合物は高圧容器の下部に蓄積された状態になる。
このように本発明によって、これまで問題点であった原料有機物を高圧状態を維持したまま超臨界流体中へ原料を補充することが可能となり、実験ごとに原料を調整することなくその場で原料を供給することができ、フィルターの目詰まりの心配がなく、これまでよりも短時間に大量の原料を超臨界流体中に導入することが可能となる。
常温・常圧で有機物原料が溶けたフッ化化合物溶液(以後原料フッ化炭素化合物溶液と呼ぶ)は、容易に常温・常圧で原料容器1に貯蔵し、密閉することができる。密閉された原料容器に貯蔵されたフッ化炭素化合物溶液は、50kPa程度の高純度窒素を導入することによるわずかな陽圧によって液体ポンプ2へと圧送することができ、連続的に液体ポンプ2へと供給することができる。液体ポンプは容易にかつ安全に原料フッ化化合物溶液を高圧状態へと昇圧することができるため、該原料フッ化化合物溶液は効率的に安全に連続して高圧状態に維持された高圧容器内に供給することができる。
図中、6は超臨界処理槽もしくは反応槽であり、基板7上に被膜を形成する態様を示している。8は局所加熱装置である。処理する有機物原料を含有する超臨界溶流体は供給ラインA,Bの両者の少なくとも一方から超臨界処理槽もしくは反応槽6に導入され、基板7上に、反応により、あるいは反応を伴わないで目的物質の薄膜形成に使用される。
不活性ガスで置換したグローブボックス内で1gに秤量されている有機物原料Zr(HFA)4(HFA:ヘキサフルオロアセチルアセトナート)をフラスコビーカーの中に入れ、さらに常温・常圧で液体状態の旭硝子製のフッ化化合物アサヒクリンAK225を100mlその中に注いだところ、ほとんどのZr(HFA)4が溶解してわずかにZr(HFA)4が残る飽和溶液が得られた。Zr(HFA)4はフッ素を含む有機金属であり、Zr金属やZr元素を含む化合物の原料となるだけでなく、均一触媒としても機能する。このように、一般にフッ素を含む有機金属は、常温・常圧で液体状態のフッ化炭素化合物に溶解することができ、本発明で用いる有機物原料、あるいは触媒として用いることができる。
Zr(HFA)4とH2Oは以下の式による反応によって、フッ化化合物には溶解しない固体生成物ZrO2が得られる。
Zr(HFA)4+2H2O→ZrO2+4H(HFA)
また該固体生成物が堆積した基板を有機溶媒で洗浄して表面の汚染物を除いた後にX線光電子分光法によって表面組成分析をしたところ、表面に残留フッ素が観測されたものの、明瞭なジルコニウム元素のピークと酸素のピークが観測され、上記反応式による反応でZrO2が生成できたことが確認された。
不活性ガスで置換したグローブボックス内で、約0.5gの有機物原料La(EtCp)3(EtCp:エチルシクロペンタジエン)をフラスコビーカーの中に入れ、さらに常温・常圧で液体状態の旭硝子製のアサヒクリンAK225を100mlその中に注いだところ、多量のLa(EtCp)3が沈殿し、Zr(HFA)4に比べてかなり溶解度が低いことが判明したものの、無色透明であった液体が白く濁り、La(EtCp)3の飽和溶液が得られた。La(EtCp)3はフッ素を含まない有機金属であり、La金属やLa元素を含む化合物の原料となるだけでなく、均一触媒としても機能する。
また、シクロペンタジエン(Cp)自体も多くの金属と有機金属を形成し、触媒として重要な化合物としても知られている。このように、フッ素を含まない有機金属であっても、溶媒を選択することによって常温・常圧で液体状態のフッ化炭素化合物に溶解することができ、本発明で用いる有機物原料、あるいは触媒として用いることができる。
一方、反応剤として再びH2Oを用いた。
La(EtCp)3とH2Oは以下の式による反応によって、フッ化化合物溶媒には溶解しない固体生成物La2O3が得られる。
2La(EtCp)3+3H2O→La2O3+3H(EtCp)
該固体生成物が堆積した基板を有機溶媒で洗浄して表面の汚染物を除いた後にX線光電子分光法によって表面組成分析をしたところ、表面に残留フッ素が観測されたものの、明瞭なランタン酸化物と同一のランタン元素スペクトルと酸素のピークが観測された。すなわち、上記反応式による反応でLa2O3が生成できたことが確認された。
実施例1、2で用いたジルコニウム原料、ランタン原料を用い、両者を同時に反応槽内に導入すると共にH2Oを溶解した液化二酸化炭素と局所加熱ヒーター近傍で反応させ、微粒子を析出した。析出した微粒子の粒径、組成を走査電子顕微鏡、透過電子顕微鏡、エネルギー分散型X線分析を用いて評価した。粒径数十nm〜数百nmの微粒子が得られ、エネルギー分散型X線分析による組成分析の結果、ジルコニウム酸化物微粒子、及びジルコニウムとランタンとを共に含む酸化物微粒子であることが判明した。このように本発明を用いると、粒径数十nm〜数百nmの微粒子を得ることができる。
不活性ガスで置換したグローブボックス内で、テフロン(登録商標)容器内の1gの有機物原料Cu(HFA)2(HFA:ヘキサフルオロアセチルアセトナート)に常温・常圧で液体状態の旭硝子製のアサヒクリンAK225を20ml注いだところ、全ての有機金属原料が溶解した。得られたフッ化化合物溶液を、200μlシリンジにとり、内容積約40mlの高圧容器内に滴下した。SUS製ガスケットで高圧をシールする機構となっている高圧容器の蓋にはヒーター加熱できるステージが装着されており、そのステージ上にシリコン基板を設置した。グローブボックス内で高圧容器の蓋を閉め、加熱炉の中に設置した。高圧容器を0.4MPaの水素で満たした後、CO2を充填し最終的に容器圧力17MPa、容器温度約200℃、ステージ温度265℃に制御して薄膜の堆積を行った。得られた薄膜をX線光電子分光法で評価したところ、Cuのピークが観測され、電気伝導性を示したことからCu薄膜であることが判明した。
すなわちフッ化化合物は溶媒に溶解するCu(HFA)2から以下の式によってフッ化化合物溶媒に溶解しない固体生成物Cuが得られる。
Cu(HFA)2+H2→Cu+2H(HFA)
Claims (7)
- 有機金属化合物を、常温・常圧で液体状態のフッ化化合物に溶解させて溶液を作製し、該溶液を超臨界流体中に導入して超臨界状態で、基材を処理することを特徴とする超臨界処理方法。
- 常温・常圧で固体状態の有機物原料を、常温・常圧で液体状態のフッ化化合物に溶解させて溶液を作製し、前記有機物原料と反応し該フッ化化合物とは反応しない反応剤と該溶液とを超臨界流体中に導入して超臨界状態で反応させ、基材上に反応物をコーティングすることを特徴とする超臨界処理方法。
- 常温・常圧で固体状態の有機物原料を、常温・常圧で液体状態のフッ化化合物に溶解させて溶液を作製し、前記有機物原料と反応し該フッ化化合物とは反応しない反応剤と該溶液とを超臨界流体中に導入して超臨界状態で反応させ、反応物の固体微粒子を得ることを特徴とする超臨界処理方法。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載の処理方法において、該超臨界流体が超臨界二酸化炭素であることを特徴とする超臨界処理方法。
- すくなくとも一つの有機物原料をフッ化化合物に溶解させた溶液を大気圧状態で導入する密閉可能な原料容器と、超臨界流体を貯留する高圧容器と、前記溶液を加圧して前記高圧容器に導入する液体ポンプと、前記密閉可能な原料容器から前記送液ポンプへ圧送する機構とを備え、該高圧容器内で又は反応槽内で前記有機物原料を超臨界状態で反応させて基材に反応物をコーティングすることを特徴とする超臨界処理装置であって、該原料容器にテフロン(登録商標)製のOリングが用いられ、該高圧容器に金属製ガスケットまたは金属製Oリングまたはテフロン(登録商標)製Oリングが用いられていることを特徴とする超臨界処理装置。
- すくなくとも一つの有機物原料をフッ化化合物に溶解させて溶液を大気圧状態で導入する密閉可能な原料容器と、超臨界流体を貯留する高圧容器と、前記溶液を加圧して前記高圧容器に導入する液体ポンプと、前記密閉可能な原料容器から前記送液ポンプへ圧送する機構とを備え、該高圧容器内で又は反応槽内で前記有機物原料を超臨界状態で反応させて反応物の固体微粒子を得ることを特徴とする超臨界処理装置であって、該原料容器にテフロン(登録商標)製のOリングが用いられ、該高圧容器に金属製ガスケットまたは金属製Oリングまたはテフロン(登録商標)製Oリングが用いられていることを特徴とする超臨界処理装置。
- 請求項5または6に記載の超臨界処理装置であって、該超臨界流体が超臨界二酸化炭素であることを特徴とする超臨界処理装置。
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