JPWO2002081141A1 - 積層材料の炭酸ガスレーザ加工方法 - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、プリント基板と呼称される積層配線基板において、複数の導体層を電気的に接続するための貫通穴や止まり穴を形成する積層材料の炭酸ガスレーザ加工方法に関するものである。
背景技術
一般にプリント基板とは、第9図に示すように、樹脂2をガラスクロス3に含浸させ硬化させて形成した絶縁層1の両面に、銅箔による導体層4,5を有する基板のことであり、第10図に示すような多層に積層された基板形状のものもある。
従来、このようなプリント基板において、絶縁層1の両面にある導体層4,5を電気的に接続するための止まり穴を形成する方法には、以下に示す2通りがある。
1つ目の方法は、炭酸ガスレーザ光を用いる方法であり、炭酸ガスレーザ光は絶縁層1によく吸収されるが導体層にはほとんど反射されることを利用して、レーザ光入射側の導体層4をエッチングやドリル等の炭酸ガスレーザ光以外の方法により除去後、絶縁層のみをレーザ光の照射により加工する。
2つ目の方法は、固体(YAGなど)レーザ光を用いる方法であり、炭酸ガスレーザ光とは異なり、絶縁層と導体層の両方によく吸収されることを利用して、レーザ光のみにより止まり穴を形成する。
しかし、1つ目の方法においてドリルにより導体層を除去する場合、深さ方向の微調整が困難で、底面の導体層5にダメージが生じないように導体層を安定して除去することはできない。また、エッチングにより導体層を除去する場合では、エッチング工程が複雑であるためにコストが高くなる、といった問題点があった。
さらに、2つ目の方法において固体(YAGなど)レーザ光により導体層4と絶縁層1を除去する場合、固体レーザのランニングコストが高いため生産コストが高くなる、といった問題点があった。
これら問題を考慮の上、現在は炭酸ガスレーザ光のみにより導体層4と絶縁層1の両方を加工し止まり穴を形成している。
具体的には、炭酸ガスレーザ光に基づく導体層の加工の際に、レーザ光入射側の導体層における炭酸ガスレーザ光の反射が著しく大きいため、安定して導体層を加工すべく照射する炭酸ガスレーザ光のエネルギーを絶縁層のみを加工する場合に比べてかなり大きくすることにより加工を行っている。
第11図(a)に示すようなプリント基板に対して導体層4を確実に除去するために、上述のようにかなり大きなエネルギーの炭酸ガスレーザ光を照射し加工を行うと、加工は1パルスのレーザ光を照射中に第11図(b),(c),(d),(e)の順に進行し、(e)に示すように、レーザ光入射側の導体層4が穴内に突き出したり、穴形状が中膨れ形状になったり、内層導体層5にダメージが生じるという課題があった。これは、導体層4を加工するために炭酸ガスレーザ光のエネルギーを大きくしているため、絶縁層1に対しては過大な入熱となっているためである。
また、加工を行なうレーザ光入射側、すなわち表面側の導体層4は炭酸ガスレーザ光の反射が著しく大きく、入熱量や入熱後の熱拡散方向が安定しないために、加工穴の真円度が悪くなりやすく、加工穴の真円度をいかにして上げるかという課題があった。
発明の開示
この発明は、このような課題を解決するためになされたもので、レーザ光入射側の導体層を除去する際に、炭酸ガスレーザ光を最適化することによりレーザ光入射側の導体層を安定して除去し、且つ穴形状が中膨れ形状とならない積層材料の炭酸ガスレーザ加工方法を得ることを目的とする。
この目的を達成するために、第1の観点によれば、絶縁層とこの絶縁層を介して積層される第一の導体層と第二の導体層とを有する積層材料の被加工部に炭酸ガスレーザ光を照射して、前記被加工部の前記第一の導体層と前記絶縁層とを除去して前記第二の導体層に達する止まり穴や溝加工を行なう積層材料の炭酸ガスレーザ加工方法において、前記レーザ光を、エネルギー密度を25J/cm2以上とし、且つ1μs以上10μs以下の範囲のビームON時間でパルス的に前記被加工部に照射するものである。
また、被加工部の第一の導体層を複数パルスによって除去するときに、先に照射したパルスの照射ビーム径より後に照射したパルスの照射ビーム径を大きくするものである。
発明を実施するための最良の形態
実施の形態1.
この発明の第一の実施の形態による積層材料の炭酸ガスレーザ加工方法を、第1図〜第5図を用いて説明する。
この実施の形態は、ガラスクロス3に樹脂2を含浸させ硬化させてできた絶縁層1の表・裏面に導体層4,5を設けた構成の配線基板に対し、レーザ光入射側の導体層4と反対側の導体層5とを電気的に接続するための止まり穴を形成するものである。
なお、ガラスクロス3は基板の電気的信頼性や基板強度を向上させるために存在し、ガラスクロス3に代わる他の材料でもよく、また、必ずしも存在しなくてもよい。
ここで、この実施の形態による積層材料の炭酸ガスレーザ加工方法を用いて加工が行われるプリント基板は、第1図(a)に示すように、導体層4は厚さ12μmの銅箔であり、導体層5は18μmの銅箔であり、基板1は80μmのエポキシである。また、狙いとする止まり穴の穴径はφ100μmである。
先ず、第1図(b)に示すように、プリント基板の導体層4に、1パルス目として、パルスのビームON(ビーム照射)時間が3μs,エネルギー密度が150J/cm2である炭酸ガスレーザ光6を除去を必要とされる導体層4の面積φ100μmの範囲に照射し、導体層4と若干の絶縁層1との除去を行なう。
この除去においては、ビームON時間が1μs以上10μs以下であり、エネルギー密度が25J/cm2以上のレーザ光を用いているため、ビームON時間が1μsより短い炭酸ガスレーザ光や10μsより長い炭酸ガスレーザ光を、同じ面積に同じエネルギー密度で照射した場合と比較して、炭酸ガスレーザ光のエネルギーが導体層4の除去に効率良く吸収そして消費され、且つ、余分となった炭酸ガスレーザ光が絶縁層1を不必要に大きく加工しないため、1パルスにより導体層4が穴内に突き出したり穴形状が中膨れ形状になることを防止することが可能となる。
ここで、炭酸ガスレーザ光のエネルギーが導体層4の除去に効率良く吸収そして消費され、且つ、余分となったレーザ光が絶縁層1を不必要に大きく加工しない理由について説明する。
第2図には、1パルスのビームON時間とエネルギー密度とを変化させ、厚さ12μmの導体層に照射面積φ100μmでレーザ光を照射した場合の、導体層除去の可否を示しており、○は除去可能、×は除去不可能を示している。
また、第2図における○と×の傾向は、導体層の厚さが3〜12μmの場合において、ほぼ同様となる。
これは、炭酸ガスレーザ光の吸収率が、導体層の厚さではなく導体層表面におけるレーザ光に対する反射率に大きく起因するためである。
第2図より、ビームON時間が1μs以上においてエネルギー密度を一定とした場合、ビームON時間が短いほど導体層除去能力が向上し、銅箔の除去が可能となることが分かる。
これは、導体層4を加工するには所定のパワー密度(=エネルギー密度÷ビームON時間)を必要とするためである。(パワー密度は、一般的な3〜12μmの銅箔の除去において、107W/cm2以上が必要とされる。)
もし、ビームON時間が長くパワー密度が低いレーザ光を照射した場合、導体層4、すなわち銅箔の熱伝導率が高いため、銅箔に吸収された熱が周辺に逃げてしまい、銅箔を効率良く除去できない。
また、第2図より、ビームON時間が1μs未満になると1μs以上の場合と比較して、導体層を除去するにはより大きなエネルギー密度を必要としていることが分かる。
導体層4を加工するにはパワー密度を必要とするが、ビームON時間が短くパワー密度が大き過ぎるレーザ光を照射したため、銅箔に吸収された熱が周辺に拡散することが困難となり、レーザ照射部(銅箔)のみが過剰に加熱される。
レーザ光はレーザ照射部(銅箔)の温度を過剰に上昇させることに消費されるため、1パルス当たりの除去体積が極端に小さくなるためである。
さらにここで、第3図には、1パルスのエネルギー密度を10,20,30J/cm2とし、厚さ500μmのエポキシのみの基板に対し、照射面積φ100μmのレーザ光を照射した場合の、ビームON時間に対する絶縁層1の穴深さとの関係を示している。
第3図より、ビームON時間が長く且つエネルギー密度が大きいほど絶縁層1を深く除去していることが分かる。
絶縁層1を除去し導体層5にて止まる止まり穴を形成する場合、絶縁層1の厚さには限りがあるため、除去深さが絶縁層1の厚さに到達した後は、絶縁層の除去は入射レーザ光の進行方向に対して垂直方向に進行するため、止まり穴は中膨れ形状となる。
同じエネルギー密度の場合、ビームON時間が短いほど、パワー密度が高いため、熱がレーザ光照射部周辺に拡散する前にレーザ光照射部(樹脂)のみが過剰に加熱され、レーザ光照射部の温度が高くなり、そのため、1パルス当たりの除去体積が小さくなり、穴深さが浅くなる。
逆に、ビームON時間が長いほど、パワー密度が低いため、熱がレーザ光照射部周辺(深さ方向)に拡散するため、1パルス当たりの除去体積が大きくなり、穴深さが深くなる。
この実施の形態のものでは、ビームON時間を1μs以上10μs以下の範囲としているため、上記理由により穴深さが浅くなり、表面の導体層を除去した後に絶縁層が必要以上に深く除去されたり、止まり穴が中膨れ形状となったりすることを防止することが可能である。
さらにここで、第4図には、1パルスのエネルギー密度を100,150,200,250J/cm2一定とした場合の、ビームON時間に対する穴形状の中膨れ率の関係を示しており、穴形状の中膨れ率とは、
(中膨れ率)=100×{(絶縁層の穴径)−(レーザ光入射側の導体層の穴径)}/(レーザ光入射側の導体層の穴径)
により計算されており、導体層が穴内に突き出したり穴形状が中膨れ形状となっていない場合は0(%)となっている。
第4図より、ビームON時間が長いほど、中膨れ率が上昇していることが分かる。
つまりこれは、パルス幅が長い場合、パワー密度が低くなるために絶縁層が深く除去されるためである。
さらにエネルギー密度が大きいほど、中膨れ率が上昇していることが分かる。
つまりこれは、エネルギー密度が大きい場合、絶縁層が深く除去されるためである。
第2図と第4図の結果を統合した第5図より、ビームON時間が1〜10μs以下の場合、表面銅箔を除去可能で、かつ中膨れ率が10%以下となり、この範囲のビームON時間が適切なビームON時間であることが分かる。
但し、この適切なビームON時間は、表面の導体層及び絶縁層の厚さにより若干変化すると思われる。
特開平9−107168号公報に、ビームON時間が10μs〜200μsであり、エネルギー密度が20J/cm2以上であるレーザ光を用いたレーザ加工方法が提案されている。
しかし、特開平9−107168号公報に挙げられた条件に相当する第5図のaの領域は、樹脂のみを効率良く除去する点においては適しているが、この明細書で対象としている、銅箔の効率良い除去と中膨れ形状の防止とを両立させる必要があるような加工においては適していないことを示している。
また、特開平10−323777号公報に、ビームON時間が3μs〜4μsであり、エネルギー密度が22J/cm2以下であるレーザ光を用いたレーザ加工方法が提案されている。
しかし、第5図のbに示した領域は、特開平10−323777号公報に挙げられた条件に相当する領域であるが、この領域はエネルギー密度が22J/cm2以下と低く、導体層を安定して除去するためのエネルギー密度25J/cm2を確保できないため、この明細書で対象としているような、導体層(銅箔など)を効率良く除去する必要がある加工に対しては適していないことを示している。
次に、レーザ光6を照射後に残る1図(b)に示すような絶縁層1を加工するために、1パルス目としてのレーザ光6を照射後に、2パルス目以降として、1図(c)に示すようなレーザ光7を照射することにより、残った絶縁層1の加工を行なうことにより止まり穴の形成を完成させる。
ここで、レーザ光7は、導体層ではなく絶縁層のみを加工すればよく、本特許に示すようなエネルギー密度やパルス幅を必要としないため、絶縁層の除去加工に適した、例えば特開平9−107168号公報等に提案してあるようなビームON時間が10μs〜200μsであり、エネルギー密度が20J/cm2以上であるレーザ光を用いることが望ましい。さらに、穴形状が中膨れ形状となることを防止するには、エネルギー密度を小さくすることが望ましい。
エネルギー密度が高すぎる場合、第9図(e)のように過剰となったレーザ光が導体層5により反射され、壁面の絶縁層を除去するため穴形状が中膨れ形状となる。
この実施の形態では、15μs,50J/cm2とすることにより表面銅箔の突き出しや穴形状が中膨れ形状とならずに、かつ絶縁層の加工残りのない良好な止まり穴が形成することができる。
実施の形態2.
次に、この発明の第二の実施の形態による積層材料の炭酸ガスレーザ加工方法を、第6図〜第8図を用いて説明する。第6図(a)に示すような配線基板に対して、先ず、第6図(b)に示すように、配線基板の導体層4に、ビームON時間が3μs,エネルギー密度が150J/cm2であるレーザ光8を、最終的に除去を必要とされる導体層4の面積φ100μmより小さい面積φ50μmに照射し、導体層4と若干の絶縁層1の除去を行なう。この除去において、ビームON時間が1μs以上10μs以下であり、且つエネルギー密度が25J/cm2以上であるレーザ光を用いているため、レーザ光のエネルギーが効率良く導体層4を除去し、かつ、余分となったレーザ光が絶縁層1を不必要に大きく加工しないため、1パルスにより導体層4が穴内に突き出したり穴形状が中膨れ形状になることを防止することが可能となる。
次に、第6図(c)に示すように、除去を必要とされる導体層4の面積φ100μmに、ビームON時間が3μsであり、エネルギー密度が150J/cm2であるレーザ光6を、レーザ光8を照射後の導体層4の加工穴の位置に、重ねて照射することにより、大面積の導体層4の除去を行なう。
ここで第7図は、12μmの厚さの銅箔に対して照射面積の異なるレーザ光を2パルス照射した場合の、加工穴の真円度(=100×短径/長径)をY軸に示しており、X軸は1パルス目のレーザ光照射面積を示している。2パルス目のレーザ光照射面積はφ100μmに固定している。この図より、1パルス目の照射面積がφ60μm以下の場合に、真円度が向上していることが分かる。ここで、加工穴の真円度は、一般的に90%以上を必要とされている。
1パルスのみで導体層を除去する場合、導体表面に汚れや傷がありレーザ光吸収率の高い部分があるとこの部分から温度上昇が生じる。この場合、吸収率の高い部分がレーザ光照射中心に無いと第8図(b)に示すように温度分布は真円とならず楕円となり易い。このため1パルス照射の場合は加工穴の真円度が低下しやすい。
しかし、ビーム径の異なる2パルスにより導体層を除去する場合、第8図に2パルス以上のレーザ光を照射した場合の加工部の温度分布を示すが、1パルス目で小径穴を加工し、ついで大きなレーザ光を照射することにより、2パルス目のレーザ光照射中の温度上昇が1パルス目で形成した穴を中心として放射状に生じるため、温度分布は第8図(a)に示すように1パルス目で形成された穴を中心とした円形になる。除去現象はこの温度分布に従って生じるため、真円度の高い加工穴が得られる。
特開平9−239573号公報に、1パルス目にビームON時間が10μs〜20msのレーザ光により加工を行ない、2パルス目に照射面積が1パルス目よりも大きく、ビームON時間が200ns以下のレーザ光により加工を行なうレーザ加工方法が提案されている。しかし、レーザ光の照射面積を1パルス目より2パルス目を大きくする目的は、絶縁層における熱変質層の除去や樹脂残留膜を除去するためであり、ビーム径を変化させる目的やビームON時間の領域(第5図のcに示す範囲)もこの発明のレーザ加工方法とは異なるものである。
次に、第6図(c)において、レーザ光8,6(2パルス)を照射後に残る絶縁層1を加工するために、レーザ光6を照射した後に、第1図(d)に示したレーザ光7に相当する条件のレーザ光を照射し、残った絶縁層1の加工を行なうことにより、全3パルスにより止まり穴を形成する。この実施の形態では3パルス目のレーザ光を1μs,50J/cm2とすることにより、表面の真円度が高く、表面銅箔の突き出しや穴形状が中膨れ形状とならずに、且つ絶縁層の加工残りのない良好な止まり穴を形成することができた。
以上に述べたように、この発明によるレーザ加工方法を用いると、レーザ光を、エネルギー密度を25J/cm2以上とし、1μs以上10μs以下の範囲のビーム照射時間でパルス的に被加工部に照射することにより、表面の導体層が穴内に突き出したり穴形状が中膨れ形状になることを防止することができる、といった効果を奏する。
産業上の利用可能性
以上のように、本発明にかかる炭酸ガスレーザ加工方法は、複数の導体層を電気的に接続するための貫通穴や止まり穴を形成する積層材料の炭酸ガスレーザ加工方法に適している。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の第一の実施の形態によるレーザ加工方法による加工の推移について示した図である。
第2図は、厚さ12μm銅箔のレーザ光に対する除去特性を示す図である。
第3図は、エネルギー密度及びビームON時間に対する加工穴深さの関係を示す図である。
第4図は、ビームON時間に対する穴形状の中膨れ率を示す図である。
第5図は、比較例としてのレーザ加工方法による厚さ12μm銅箔のレーザ光に対する除去特性を示す図である。
第6図は、この発明の第二の実施の形態によるレーザ加工方法による加工の推移について示した図である。
第7図は、レーザ光照射面積に対する加工穴の真円度を示す図である。
第8図は、加工部の温度分布を示す図である。
第9図は、一般的なプリント基板の断面図である。
第10図は、一般的な多層積層プリント基板の断面図である。
第11図は、従来のレーザ加工方法による加工の推移について示した図である。
Claims (2)
- 絶縁層とこの絶縁層を介して積層される第一の導体層と第二の導体層とを有する積層材料の被加工部に炭酸ガスレーザ光を照射して、前記被加工部の前記第一の導体層と前記絶縁層とを除去して前記第二の導体層に達する止まり穴や溝加工を行なう積層材料の炭酸ガスレーザ加工方法において、前記レーザ光を、エネルギー密度を25J/cm2以上とし、且つ1μs以上10μs以下の範囲のビームON時間でパルス的に前記被加工部に照射することを特徴とする積層材料の炭酸ガスレーザ加工方法。
- 被加工部の第一の導体層を複数パルスによって除去するときに、先に照射したパルスの照射ビーム径より後に照射したパルスの照射ビーム径を大きくすることを特徴とする請求の範囲1に記載の積層材料の炭酸ガスレーザ加工方法。
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