JPS6399050A - ビスフエノ−ル誘導体およびその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、一般式（１） （式中、ＲＩおよびＲ２は炭素数１〜５のアルキル基を
、Ｒ３は炭素数１−　ｊ　１のアルキル基を、Ａは−５
（ＣＨｚ）、Ｓ−を示す。ここでｎは２〜１０の整数を
示す） で示されるビスフェノール誘導体およびその製造法に関
する。

従来よりポリオレフィン、ＡＢＳ樹脂、ポリスチレン、
インパクトポリスチレン、アクリロニトリル−スチレン
共重合物、ポリアミド、ポリアセタールおよびエチレン
−プロピレン共重合物などの合成樹脂、天然ゴムおよび
ブタジェンゴム、イソプレンゴム、イソプレン−イソブ
チレン共重合ゴム、スチレン−ブタジェン共重合ゴム、
アクリロニトリル−ブタジェン共重合ゴム、クロロプレ
ン−エチレン−プロピレン三元共重合ゴムなどの合成ゴ
ム、潤滑油、燃料油などの石油製品、油脂およびグリー
スなどの各種の有機物質は熱、光および酸素により劣化
を受は易く、かかる劣化を抑制するために、各種の劣化
防止剤を配合することも周知の事実である。

本発明者らはこのような有機物質の劣化防止に優れた性
能を有する化合物を開発すべく研究の結果、有機物質に
対して優れた耐熱性、耐光性および酸化防止性を有し、
しかも相溶性、蒸散性等の劣化防止剤としての特性にも
すぐれる化合物として前記一般式（１）で示されるビス
フェノール誘導体を開発するに至った。

前記一般式（１）で示されるビスフェノール誘導体は文
献未記載の新規化合物であって、該ビスフェノール誘導
体は一般式（ＩＩ） Ｒ２Ｒ２ （式中、ＲＩ、ＲｚおよびＲ３は前記と同じ意味を有す
る） で示されるビスフェノールモノアクリレート化合物と一
般式（厘） Ｒ５（ＣＨ２）ｎ　ＳＨ（冨） （式中、ｎは前記と同じ意味を有する）で示されるアル
カンジチオールとを反応させることにより製造すること
ができる。

前記一般式中において、置換基Ｒ１及びＲ２としてはた
とえばメチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基
、５ｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｔ−アミル基であ
り、Ｒｓとしてはメチル基、エチル基、プロピル基、ヘ
キシル基、ノニル基が挙げられる。

一般式（ＩＩ）で示されるビスフェノールモノアクリレ
ート化合物は例えば２・２′−エチリデンビス（６−ｔ
−ブチル−４−メチルフェノール）、２・２′−エチリ
デンビス（４，６−ジーｔ−ブチルフェノール）、２・
２′−ブチリデンビス（４，６−シンチルフエノール）
、２・２−ブチリデンビス（６−ｔ−ブチル−４−メチ
ルフェノール）、２・２′−ブチリデンビス（４・６−
ジーｔ−ブチルフェノール）、２・２′−ブチリデンビ
ス（４，６−ジーＬ−アミルフェノール）、２・２′−
オクチリデンビス（６−ｔ−ブチル−４−メチルフェノ
ール）、２・２′−オクチリデンビス（４，６−ジーｔ
−ブチルフェノール）、２・２′−デシリデンビス（６
−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール）などのビスフェ
ノール類を塩化アクリロイルと反応させることによって
容易に合成し得る。

また、一般式（１）で示されるアルカンジチオールとし
てはｌ・２−エタンジチオール、１，３−プロパンジチ
オール、■、４−ブタンジチオール、１．６−ヘキサン
ジチオール、１．１０−デカンジチオールなどが例示さ
れる。

本発明において、ビスフェノールモノアクリレート化合
物とアルカンジチオールとの反応は通常溶媒中で行われ
、かかる溶媒としては、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等
の脂肪族炭化水素、シクロヘキサン等の脂環式炭化水素
、エタノール、メタノールおよびｔ−ブタノールなどの
アニン、キシレン等の芳香族炭化水素、酢酸エチル、酢
酸ブチル等のエステル類、ジエチルエーテル、テトラヒ
ドロフランジオキサン等のエーテル類が挙げられる。中
でもクロロホルム、エタノール、トルエンが好ましく使
用される。

この反応において塩基性触媒の存在はより有効であり、
かかる塩基性触媒としては炭素数１〜４の低級アルコー
ルのアルカリ金属アルコキシド、たとえばナトリウムメ
トキシド、ナトリウムエトキシドおよびカリウム第三ブ
トキシドなど、トリエチルアミンなどの三級アミン類、
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウムなどが通常用い
られ、特に好ましいのはナトリウムメトキシドである。

これらの塩基性触媒を使用する場合、その使用量は通常
ビスフェノールモノアクリレート化合物に対して０．５
〜５重ｆｆｉ％である。

反応温度は通常１０°Ｃから使用した溶媒の還流温度の
範囲であるが、多くの場合に還流温度で行われる。

両反応原料の反応モル比は、一般的にはアルカンジチオ
ールに対してビスフェノールモノアクリレート化合物が
２〜２．２モル倍である。

かくして得られる一般式（Ｉ）で示されるビスフェノー
ル誘導体は、有機物質用劣化防止剤として有用であるが
、天然ならびに合成ポリマーの熱的および酸化的劣化の
防止に対して殊に有用である。

一般式（１）で表されるビスフェノール誘導体を劣化防
止剤として使用する場合、それ単独の使用でも有機物質
の安定化に有効であるが、その他の添加剤たとえば酸化
防止剤、含イオウ化合物、リン含有化合物、紫外線吸収
剤、光安定剤、可塑剤、金属石鹸類、顔料、染料、充填
剤および腐蝕防止剤、防錆剤、流動点降下剤、消泡剤、
清浄分散剤、極圧剤などのような部用添加剤および金゛
属キレート剤などの各種添加剤をそれぞれの目的に応じ
て併用してもよい。

以下、本発明を実施例により説明する。

原料製造例１ の合成 温度計、滴下ろう斗、攪拌機を備えた５００−四ロフラ
スコに、２・２′−ブチリデンビス（４，６−ジーｔ−
ブチルフェノール）８２ｙ（０，１７６モル）、トルエ
ン２００ｙ及びトリエチルアミン２９．３ｙ（０，２９
モル）を仕込み、容器内の空気を窒素置換し、１°Ｃま
で冷却する。

滴下ろう斗から塩化アクリル２５９（０，２８モル）お
よびトルエン５０ｙの混合液を２時間かけて反応容器内
に滴下する。滴下終了後希塩酸で過剰のトリエチルアミ
ンを中和し、水洗、分散し、油層から溶媒を１８０２蒸
留すると、粘稠油状物が得られる。これにｎ−ヘキサン
約５０７を加えて再結晶すると２・２′−ブチリデンビ
ス（４，６−ジーｔ−ブチルフェノール）モノアクリレ
−１−８４，４９Ｃ収率９５チ）が得られる。

融点　１９３〜１９４°Ｃ 元素分析　　　Ｃ３５Ｈ５２０２（）内針算値Ｃｉ　　
　　ｇ１１８チ　（８３，２８％）Ｈ：　　　１０．２
４チ　（ｔ　ｏ、　ａ　ｓ％）実施例１ 攪拌機、温度計および冷却管を、備えた２００−四ツロ
フラスコに、２・２′−エチリデンビス（４，６−ジー
ｔ−ブチルフェノール）モノアクリレート２０ｙ（０，
０４モル）、■・６−ヘキサンジチオール３グおよびト
ルエン８０ｙを仕込み、容器内の空気を窒素置換したの
ち、２８チナトリウムメトキシドメタノール溶液０．３
５７を加えた。その後昇温し、５０〜６０℃にて反応さ
せたのち３０℃に冷却する。希塩酸で中和し、水洗、脱
水後、トルエンを留去する。残渣にｎ−ヘキサン８０２
を加え、再結晶することにより白色結晶の４゜１１−ジ
チアテトラデカンニ酸ビス（４・６−ジーｔ−ブチル−
２−（１−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシ
フェニル）エチル〕フェニル〕エステル１８．４　ｙＣ
収率８０％）を得た。

融点　１４０〜１４２°Ｃ 元素分析　　Ｃ７２ＨＩＩＯ０６５２（）内針算値Ｃ；
　　　７６．０６％（７６，１４％）Ｈ；　　　　　９
．８２チ（９，７６％）Ｓ；　　　　　５．６０チ（５
，６５％）実施例２ ２・２′−エチリデンビス（６−ｔ−ブチル−４−メチ
ルフェノール）モノアクリレート１６．６Ｐ（０，０４
モル）を用いる以外は実施例１と同様な条件で反応、後
処理することにより、白色結晶の４．１１−ジチアテト
ラデカンニ酸ビス（６−ｔ−ブチル−２−（１−（３−
ｔ−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）エ
チル〕−４−メチルフェニル）エステル、１９．６ｙ（
収率８２チ）を得た。

融点　１１５〜１１７℃ 元素分析　　Ｃ６０Ｈ８６０６Ｓ２　　　（）内は計算
値Ｃ；　　　　７４．６４チ（７４，４９ｑｌＪ）Ｈ；
　　　　　９．０１チ（８，９６％）Ｓ；　　　　　６
．６０％（６，６８％）実施例８ ２・２′−ブチリデンビス（４・６−ジーｔ−プチルフ
エノール）モノアクリレート２０．２９　（０，０４モ
ル）を用いる以外は実施例１と同様な条件で反応、後処
理することにより、白色結晶の４・１１−ジチアテトラ
デカンニ酸ビス（４・６−ジーｔ−ブチル−２−〔１−
（８・５−ジ−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシフェニル）
ブチル〕フェニル）エステル１８．８２（収率７９％）
を得た。

融点　１４８〜１５０℃ 元素分析　　Ｃ７０ＨＩＩ８０ａ　Ｓｚ　　（）内針算
値Ｃ；　　　　７Ｇ、７０チ（７６，５９ｔｌＪ）Ｈ；
　　　　ｔｏ、ｏａ％（９，９８チ）ｓ；　　　　　５
．８５チ（５，９８％）実施例４ ２・２′−ブチリデンビス（６−ｔ−ブチル−４−メチ
ルフェノール）モノアクリレート１７．５Ｌｉ（０，０
４モル）を用いる以外は実施例Ｉと同様な条件で反応、
後処理することにより、白色結晶の４・１１−ジチアテ
トラデカンニ酸ビス（６−ｔ−ブチル−２−［１−（３
−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）
ブチル］−４−メチルフェニル）エステル１６．４Ｓ’
（収率８０チ）を得た。

融点　７０〜７２°Ｃ 元素分析　　Ｃ６４Ｈ９４０６Ｓ２　　（）内針算値ｃ
；　　　　７５．２２チ（７５，１０チ）Ｈ；　　　　
　９．３１係（９，２６％）Ｓ；　　　　　６．２０％
（６，２７’Ｘｉ実施例５ ２・２′−ブチリデンビス（４・６−ジ−ｔ−アミルフ
ェノール）モノアクリレート２３．１Ｐ（０，０４モル
）を用いる以外は実施例１と同様な条件で反応、後処理
することにより、白色結晶の４・１１−ジチアテトラデ
カンニ酸ビス（４・６−ジーｔ−アミル−２−〔１−（
３・５−ジ−ｔ−アミル−２−ヒドロキシフェニル）ブ
チル〕フェニル）エステル２２．２Ｆ（収率８５チ）を
得た。

融点　９８〜１０１　’Ｃ 元素分析　　Ｃ８４ＨＩ３４０ｓ　Ｓ２　（）内針算値
Ｃ；　　　　７７．４８チ（７７，３６チ）Ｈｉ　　　
　１０．４８チ（１０，８６チ）Ｓ；　　　　　４．８
５係（４，９２％）実施例６ ２・２′−オクチリデンビス（６−ｔ−ブチル−４−メ
チルフェノール）モノアクリレート１９．７Ｐ（０，０
４モル）を用いる以外は実施例１と同様な条件で反応、
後処理することにより、白色結晶の４・１１−ジチアテ
トラデカンニ酸ビス（６−ｔ−ブチル−２−〔１−（ａ
−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）
オクチル〕−４−メチルフェニル）エステル１８．９Ｆ
（収率８３，２％）を得た。

融　　点　　　８２〜８４．５℃ 元素分析　　Ｃ７２ＨＩＩＯ０６Ｓ２　　（）内針算値
ＣＦ　　　　７６．１３チ（７６，１４チ）Ｈ；　　　
　　９．８９％（９，７６チ、）Ｓ；　　　　　５．５
５チ（５，６５％）手　　続　　補　　正　　書　（方
式）昭和６２年１１月１１日

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１およびＲ＿２は炭素数１〜５のアルキル
   基を、Ｒ３は炭素数１〜１１のアルキル基を、Ａは−Ｓ
   （ＣＨ＿２）＿ｎＳ−を示す。ここでｎは２〜１０の整
   数を示す） で示されるビスフェノール誘導体。
2. （２）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１およびＲ＿２は炭素数１〜５のアルキル
   基を、Ｒ＿３は炭素数１〜１１のアルキル基を示す） で示されるビスフェノールモノアクリレート化合物と一
   般式 ＨＳ（ＣＨ＿２）＿ｎＳＨ （式中、ｎは２〜１０の整数を示す） で示されるアルカンジチオールを反応させることを特徴
   とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２およびＲ＿３は前記と同じ意味
   を有する。￥Ａは−Ｓ（ＣＨ＿２）＿ｎＳ−を示し、ｎ
   は２〜１０の整数を示す。￥） で示されるビスフェノール誘導体の製造法。