JPS6393837A - 電子機器用銅合金とその製造法 - Google Patents
電子機器用銅合金とその製造法Info
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- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子機器用銅合金とその製造法に関し、特に半
導体リードフレームやコネクター接点等に使用する銅合
金として、機械的強度、電気・熱伝導性、半田付は性、
メッキ性、耐食性等を改善したものである。
導体リードフレームやコネクター接点等に使用する銅合
金として、機械的強度、電気・熱伝導性、半田付は性、
メッキ性、耐食性等を改善したものである。
（従来の技術）
半導体リードフレームやコネクター接点等に使用される
電子機器用銅合金としては、リン青銅（Ｃｕ−３ｎ系合
金）、黄銅（Ｃｕ−Ｚｎ系合金）、洋白（Ｃｕ−Ｎ １
−Ｚｎ系合金）等が用いられている。しかし黄銅と洋白
は応力腐食割れという致命的欠陥を有し、機械的ストレ
スの大きい用途には使用できない。またリン青銅は強度
や成型加工性が優れているところから最も広く利用され
ているが、導電率が低く、かつ高価なＳｎを多量に使用
する。更に半田付けや３ｎ、３ｎ合金メッキの剥離現象
を起し易いばかりか、応力腐食割れ感受性も黄銅や洋白
はとではないが保有する。
電子機器用銅合金としては、リン青銅（Ｃｕ−３ｎ系合
金）、黄銅（Ｃｕ−Ｚｎ系合金）、洋白（Ｃｕ−Ｎ １
−Ｚｎ系合金）等が用いられている。しかし黄銅と洋白
は応力腐食割れという致命的欠陥を有し、機械的ストレ
スの大きい用途には使用できない。またリン青銅は強度
や成型加工性が優れているところから最も広く利用され
ているが、導電率が低く、かつ高価なＳｎを多量に使用
する。更に半田付けや３ｎ、３ｎ合金メッキの剥離現象
を起し易いばかりか、応力腐食割れ感受性も黄銅や洋白
はとではないが保有する。
このため一部の用途ではＣｕ−Ｆｅ系合金、例えばＣ１
９４（Ｃｕ −２，３ｗｔ％Ｆ ｅ −０，１２ｗｔ％
Ｚｎ−Ｐ合金）（以下ｗｔ％を％と略記）やＣ１９５（
Ｃｕ−１，５％Ｆｅ−０，８％Ｃｏ−０，６％５ｎ−Ｐ
合金）が利用されている。これ等は６％３ｎリン青銅は
どの強度はないが、その２〜３倍の導電率を有し、応力
腐食割れ感受性はない。しかしながら成型加工性が劣る
ばかりか、メッキ性や半田付は性が不十分である。
９４（Ｃｕ −２，３ｗｔ％Ｆ ｅ −０，１２ｗｔ％
Ｚｎ−Ｐ合金）（以下ｗｔ％を％と略記）やＣ１９５（
Ｃｕ−１，５％Ｆｅ−０，８％Ｃｏ−０，６％５ｎ−Ｐ
合金）が利用されている。これ等は６％３ｎリン青銅は
どの強度はないが、その２〜３倍の導電率を有し、応力
腐食割れ感受性はない。しかしながら成型加工性が劣る
ばかりか、メッキ性や半田付は性が不十分である。
最近電子機器の小型化、高集積度化、高機能化と共に、
電子機器用銅合金には信頼性と経済性の強い要求に応え
得る高性能の銅合金が求められるようになった。このよ
うな要求を満たす銅合金としては、下記の特性を満足す
ることが望まれている。
電子機器用銅合金には信頼性と経済性の強い要求に応え
得る高性能の銅合金が求められるようになった。このよ
うな要求を満たす銅合金としては、下記の特性を満足す
ることが望まれている。
（１）強度と導電性（熱伝導性）が共に高度化できるこ
と。
と。
（２）成型加工性が良いこと。
（３）耐食性、特に応力腐食割れ感受性がないこと。
（４）半田付は性やメッキ性、即ち半田接合強度やＳｎ
メッキの密着性が長期にわたり高いこと。
メッキの密着性が長期にわたり高いこと。
本発明はこれに鑑み種々研究の結果、電子機器、例えば
半導体リードフレームやコネクター接点等に使用し、上
記特性を満足する電子機器用銅合金とその製造法を開発
したものである。
半導体リードフレームやコネクター接点等に使用し、上
記特性を満足する電子機器用銅合金とその製造法を開発
したものである。
即ち本発明合金の一つは、Ｚｒ０．０３〜０．３％、（
：、 ｒ０．０５〜０．５％、Ｚ ｎ０．０１〜０．５
％を含み、Ｍｇ、Ｃａ、ミツシュメタル（ＭＭ）、Ｂａ
。
：、 ｒ０．０５〜０．５％、Ｚ ｎ０．０１〜０．５
％を含み、Ｍｇ、Ｃａ、ミツシュメタル（ＭＭ）、Ｂａ
。
Ｓｒ、Ｂの内少なくとも１種以上を０．０００５〜０、
０５％含み、α含有量を０．００３０％以下、Ｐ含有量
を０．００３０％以下、Ｓ含有量を０．００１０％以下
に制限し、残部Ｃｕと不可避的不純物からなる析出物粒
径を１０μ以下としたことを特徴とするものである。
０５％含み、α含有量を０．００３０％以下、Ｐ含有量
を０．００３０％以下、Ｓ含有量を０．００１０％以下
に制限し、残部Ｃｕと不可避的不純物からなる析出物粒
径を１０μ以下としたことを特徴とするものである。
本発明合金の他の一つは、Ｚｒ０．０３〜０．３％、Ｃ
ｒ０．０５〜０．５％、Ｚ ｎ０．０１〜０．５％を含
み、Ｍｇ、Ｃａ、ミツシュメタル（ＭＭ）、Ｂａ。
ｒ０．０５〜０．５％、Ｚ ｎ０．０１〜０．５％を含
み、Ｍｇ、Ｃａ、ミツシュメタル（ＭＭ）、Ｂａ。
Ｓｒ、Ｂの内少なくとも１種以上を０．０００５〜０．
０５％含み、更にＳｎ０．４％を含み、α含有量を０．
００３０％以下、Ｐ含有量を０．００３０％以下、Ｓ含
有量を０．００１０％以下に制限し、残部ＣＬＩと不可
避的不純物からなる析出物粒径を１０μｍ以下としたこ
とを特徴とするものである。
０５％含み、更にＳｎ０．４％を含み、α含有量を０．
００３０％以下、Ｐ含有量を０．００３０％以下、Ｓ含
有量を０．００１０％以下に制限し、残部ＣＬＩと不可
避的不純物からなる析出物粒径を１０μｍ以下としたこ
とを特徴とするものである。
また本発明製造法は、Ｚｒ０．０３〜０．３％、Ｃｒ０
．０５〜０．５％、Ｚ ｎ０．０１〜０．５％を含み、
Ｍｇ、Ｃａ、ミツシュメタル（ＭＭ＞、Ｂａ。
．０５〜０．５％、Ｚ ｎ０．０１〜０．５％を含み、
Ｍｇ、Ｃａ、ミツシュメタル（ＭＭ＞、Ｂａ。
Ｓｒ、Ｂの内少なくとも１種以上を０．０００５〜０．
０５％含み、又はこれに３ｎ０．４％以下を含み、α含
有量を０．００３０％以下、Ｐ含有量を０．００３０％
以下、Ｓ含有量を０．００１０％以下に制限し、残部Ｃ
ｕと不可避的不純物からなる合金鋳塊を、８４０〜９５
０℃に加熱して熱間加工した後急冷し、しかる後３５０
〜８５０°Ｃで５秒〜１２時間の熱処理を少なくとも１
回以上含む冷間加工を施して、析出物粒径を１０μｍ以
下とすることを特徴とするものである。
０５％含み、又はこれに３ｎ０．４％以下を含み、α含
有量を０．００３０％以下、Ｐ含有量を０．００３０％
以下、Ｓ含有量を０．００１０％以下に制限し、残部Ｃ
ｕと不可避的不純物からなる合金鋳塊を、８４０〜９５
０℃に加熱して熱間加工した後急冷し、しかる後３５０
〜８５０°Ｃで５秒〜１２時間の熱処理を少なくとも１
回以上含む冷間加工を施して、析出物粒径を１０μｍ以
下とすることを特徴とするものである。
本発明合金は上記組成からなり、特にＣｒとＺｒを析出
分散せしめた合金で、両者の作用を相乗的に併合して所
定の特性を得たものである。
分散せしめた合金で、両者の作用を相乗的に併合して所
定の特性を得たものである。
またＭｇ、Ｃａ、ミツシュメタル（ＭＭ）。
Ｂａ、Ｂｒ、Ｂ （以下Ｍ（Ｊ等と略記）はＣｒやＺｒ
の析出分散の均質化に有効に働き、特にＣｒへの作用を
効率化したものである。しかしてこれ等の成分の作用は
本発明合金の組成範囲、即ちＺ ｒ ０．０３〜０．３
％、Ｃｒ ０．０５〜０．５％、ＭＣＩ等の少なくとも
１種以上を０．０００５〜０．０５％において実用上有
効であり、Ｏｒ０．１５〜０．３５％、Ｚｒ０．１〜０
．２％の時に要求特性を最大にすることができる。しか
してそれぞれ下限未満では実用上の作用が得られず、上
限を越えると製造上の欠陥や導電率の低下をきたし、特
に過剰のＣｒヤＺｒは粗大粒となり、成型加工性、メッ
キ性、半田付は性等に有害に働く。
の析出分散の均質化に有効に働き、特にＣｒへの作用を
効率化したものである。しかしてこれ等の成分の作用は
本発明合金の組成範囲、即ちＺ ｒ ０．０３〜０．３
％、Ｃｒ ０．０５〜０．５％、ＭＣＩ等の少なくとも
１種以上を０．０００５〜０．０５％において実用上有
効であり、Ｏｒ０．１５〜０．３５％、Ｚｒ０．１〜０
．２％の時に要求特性を最大にすることができる。しか
してそれぞれ下限未満では実用上の作用が得られず、上
限を越えると製造上の欠陥や導電率の低下をきたし、特
に過剰のＣｒヤＺｒは粗大粒となり、成型加工性、メッ
キ性、半田付は性等に有害に働く。
Ｚｎは半田やメッキの密着強度の劣化を抑制するもので
、本発明合金の範囲内、即ちＺｎ０．０１〜０．５％、
望ましくは０．０５〜０．２％において有効であり、下
限未満では効果がなく、上限を越えると成型加工性を低
下する。Ｓｎは本発明合金の範囲内、即ち０．４％以下
、望ましくは０．０５〜０．２％の範囲で有効に作用し
、合金の強度向上とＣｒの析出作用を遅らせ、熱間加工
を安定化するも、過剰の３ｎは導電性を低下する。
、本発明合金の範囲内、即ちＺｎ０．０１〜０．５％、
望ましくは０．０５〜０．２％において有効であり、下
限未満では効果がなく、上限を越えると成型加工性を低
下する。Ｓｎは本発明合金の範囲内、即ち０．４％以下
、望ましくは０．０５〜０．２％の範囲で有効に作用し
、合金の強度向上とＣｒの析出作用を遅らせ、熱間加工
を安定化するも、過剰の３ｎは導電性を低下する。
更に不可避的不純物のうちα含有量を０．００３０％以
下と制限したのは、これを越えてαを含有すると合金成
分の均一析出分散に有害となり、粗大析出を作りやすく
する。そのため強度の向上を阻害するばかりか、メッキ
性や半田付は性を劣化させ、更には成型加工性を低下し
て、電子機器に要求される精密な加工部品に有害となる
。またＰ含有量を０．００３０％以下、Ｓ含有量を０．
００１０％以下と制限したのは、これ等が過剰に含まれ
ると、本発明合金の特徴である高い導電性を著しく損な
うと共に、半田との界面にｙＡ縮して半田付は性を劣化
し、特にＳは結晶粒界に凝集して熱間加工性を大きく悪
化する。これ等不純物は本発明の範囲内であれば特性面
にあまり影響を及ぼさないが、好ましくはｐ０．００１
０％以下、Ｓ ′４ｉ：０．０００５％以下とすること
が望ましい。
下と制限したのは、これを越えてαを含有すると合金成
分の均一析出分散に有害となり、粗大析出を作りやすく
する。そのため強度の向上を阻害するばかりか、メッキ
性や半田付は性を劣化させ、更には成型加工性を低下し
て、電子機器に要求される精密な加工部品に有害となる
。またＰ含有量を０．００３０％以下、Ｓ含有量を０．
００１０％以下と制限したのは、これ等が過剰に含まれ
ると、本発明合金の特徴である高い導電性を著しく損な
うと共に、半田との界面にｙＡ縮して半田付は性を劣化
し、特にＳは結晶粒界に凝集して熱間加工性を大きく悪
化する。これ等不純物は本発明の範囲内であれば特性面
にあまり影響を及ぼさないが、好ましくはｐ０．００１
０％以下、Ｓ ′４ｉ：０．０００５％以下とすること
が望ましい。
更に本発明合金において、析出物粒径を１０μｍ以下、
望ましくは１μｍ以下とするのは、析出物の粒径が強度
、メッキ性、半田付は性等を大きく左右し、上限を越え
る粒径では前記開時性を著しく低下するためである。
望ましくは１μｍ以下とするのは、析出物の粒径が強度
、メッキ性、半田付は性等を大きく左右し、上限を越え
る粒径では前記開時性を著しく低下するためである。
本発明合金は上記組成範囲からなり、前記製造法によっ
て強度などの特性を最適化することができる。しかして
合金鋳塊を８４０〜９５０℃に加熱して熱間圧延するの
は、本発明工程を通して上記の目的とする均質な析出分
散を達成するためで、８４０℃未満の加熱や９５０℃を
越える加熱では本発明工程を通して均質な析出分散が達
成できない。また熱間加工後の急冷は速かに冷却するこ
とが望ましく、冷却に１０分を越えるようでは均質な析
出分散を達成することができない。次に急冷１３５０〜
８５０℃で５秒〜１２時間、特に４００〜５００℃で０
．５〜５時間又は６００〜８００℃で１０秒〜１時間の
熱処理を１回以上含む冷間加工を施すのは、ＺｒとＣｒ
の均質析出を行なわせるためで、熱処理前に冷間加工に
より少なくとも１０％以上の適度な加工歪を付与するこ
とも、均質析出に有効に働く。
て強度などの特性を最適化することができる。しかして
合金鋳塊を８４０〜９５０℃に加熱して熱間圧延するの
は、本発明工程を通して上記の目的とする均質な析出分
散を達成するためで、８４０℃未満の加熱や９５０℃を
越える加熱では本発明工程を通して均質な析出分散が達
成できない。また熱間加工後の急冷は速かに冷却するこ
とが望ましく、冷却に１０分を越えるようでは均質な析
出分散を達成することができない。次に急冷１３５０〜
８５０℃で５秒〜１２時間、特に４００〜５００℃で０
．５〜５時間又は６００〜８００℃で１０秒〜１時間の
熱処理を１回以上含む冷間加工を施すのは、ＺｒとＣｒ
の均質析出を行なわせるためで、熱処理前に冷間加工に
より少なくとも１０％以上の適度な加工歪を付与するこ
とも、均質析出に有効に働く。
以上の製造条件は、本発明合金特性を最適化する条件で
あり、勿論この条件を外れても合金の製造は可能である
。また本発明合金は前記組成に加えて、例えば少量のＡ
１．Ｎｉ、Ｃｏ。
あり、勿論この条件を外れても合金の製造は可能である
。また本発明合金は前記組成に加えて、例えば少量のＡ
１．Ｎｉ、Ｃｏ。
Ｔ ｉ、Ｆｅ、Ｍ０．ｗ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ。
Ｇｅ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｇａ、Ｉ ｎ、Ｙ。
Ｔｊ！、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｂ ｉ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｒｕ。
Ａｃｔ、ＡＬＪ、Ｐｄ、Ｐｔ等を併用することも可能で
ある。尚本発明製造法において、最終仕上加工率を５０
％以下とし、その後２００〜５００℃の調質焼鈍、テン
ションレベラー、テンションアニーラ等と組合せること
により、更に特性を向上せしめることができる。
ある。尚本発明製造法において、最終仕上加工率を５０
％以下とし、その後２００〜５００℃の調質焼鈍、テン
ションレベラー、テンションアニーラ等と組合せること
により、更に特性を向上せしめることができる。
第１表に示す組成の合金鋳塊（巾４０７１１１１１．厚
さ４０Ｍ、長さ３００馴）を外削してから８７５℃で１
５分間加熱し、これを厚ざ１０．の板に熱間圧延し、た
たらに水冷して１００′Ｃ以下に冷却した。圧延時間は
約３分であり、上り温度は６７０〜７００℃であった。
さ４０Ｍ、長さ３００馴）を外削してから８７５℃で１
５分間加熱し、これを厚ざ１０．の板に熱間圧延し、た
たらに水冷して１００′Ｃ以下に冷却した。圧延時間は
約３分であり、上り温度は６７０〜７００℃であった。
これを面側してから厚さ１．２ ｍｍまで冷間圧延した
後、４５０℃で２５分間加熱処理し、次に厚ざ０．４ａ
ｎまで冷間圧延し、再び４５０℃で３０分間加熱処理し
た。これを更に厚さ０．２ｍまで圧延してから３００℃
で１５分間加熱処理した。これらについて引張強ざ、導
電率２曲げ成型性、耐食性。
後、４５０℃で２５分間加熱処理し、次に厚ざ０．４ａ
ｎまで冷間圧延し、再び４５０℃で３０分間加熱処理し
た。これを更に厚さ０．２ｍまで圧延してから３００℃
で１５分間加熱処理した。これらについて引張強ざ、導
電率２曲げ成型性、耐食性。
半田つけ性及びメッキ性を調べた。これ等の結果を従来
合金であるＣ１９４ （Ｃｕ−２，３％Ｆｅ−０，１
２％Ｚｎ−Ｐ合金）と６％リン青銅（Ｃｕ−６％５ｎ−
Ｐ合金）と比較して第２表に示す。
合金であるＣ１９４ （Ｃｕ−２，３％Ｆｅ−０，１
２％Ｚｎ−Ｐ合金）と６％リン青銅（Ｃｕ−６％５ｎ−
Ｐ合金）と比較して第２表に示す。
曲げ成型性は各種先端半径（Ｒ）の９０”角のＶ曲げ試
験により曲げ部の割れの状態を検鏡し、マイクロクラッ
クのない最少半径（Ｒ）と板厚（１）の比（Ｒ／ｌ）を
求めた。耐食性についてはＪＩＳ Ｃ８３０６（応力腐
食割れ）に準じ、３ｖｏ１％Ｎ１１３蒸気中定荷重（引
張強ざの５０％）法により割れの時間を求めた。半田付
は性は直径９ｍの中部にリード線を共晶半田付ｔプし、
１５０℃で６００時間エージングしてからプル試験によ
り接合強度を求めた。またメッキ性はホウフッ化物浴に
て５ｎ−５％Ｐｂ合金メッキを７．５μの厚さにメッキ
し、１０５℃で２０００時間保持してから１８０°の折
曲げを行ない、折曲げ部のメッキ層の剥離を検鏡した。
験により曲げ部の割れの状態を検鏡し、マイクロクラッ
クのない最少半径（Ｒ）と板厚（１）の比（Ｒ／ｌ）を
求めた。耐食性についてはＪＩＳ Ｃ８３０６（応力腐
食割れ）に準じ、３ｖｏ１％Ｎ１１３蒸気中定荷重（引
張強ざの５０％）法により割れの時間を求めた。半田付
は性は直径９ｍの中部にリード線を共晶半田付ｔプし、
１５０℃で６００時間エージングしてからプル試験によ
り接合強度を求めた。またメッキ性はホウフッ化物浴に
て５ｎ−５％Ｐｂ合金メッキを７．５μの厚さにメッキ
し、１０５℃で２０００時間保持してから１８０°の折
曲げを行ない、折曲げ部のメッキ層の剥離を検鏡した。
第１表及び第２表から明らかなように本発明合金Ｎα１
〜６は何れも各特性が優れ、従来合金と比較しても強度
は６％リン青銅Ｎα１３に匹敵し、導電率はＣ１９４Ｎ
（１１２よりはるかに優れていることが判る。
〜６は何れも各特性が優れ、従来合金と比較しても強度
は６％リン青銅Ｎα１３に匹敵し、導電率はＣ１９４Ｎ
（１１２よりはるかに優れていることが判る。
これに対しＺｎを含まない比較合金Ｎａ８では半田接合
強度が著しく劣り、Ｃｒ含含有の多い比較合金Ｎα７、
α含有量が多く、析出粒径の大きい比較合金Ｎα９及び
Ｐ含有量の多い比較合金ＮＱＩＯでは曲げ加工性が劣る
ばかりか、メッキ性及び半田接合強度も劣る。またＳｎ
含有量の多い比較合金Ｎ０１１では、導電率の低下が著
しいことが判る。
強度が著しく劣り、Ｃｒ含含有の多い比較合金Ｎα７、
α含有量が多く、析出粒径の大きい比較合金Ｎα９及び
Ｐ含有量の多い比較合金ＮＱＩＯでは曲げ加工性が劣る
ばかりか、メッキ性及び半田接合強度も劣る。またＳｎ
含有量の多い比較合金Ｎ０１１では、導電率の低下が著
しいことが判る。
このように本発明によれば、強度、電気・熱伝導性、成
型加工性、耐食性、メッキ性、半田付は性等において、
従来合金よりはるかに優れ、電子機器における半導体リ
ードフレーム、コネクタースイッチ等のばね材として、
信頼性を高め、かつ小型化、高集積化、高機能化を容易
にする等工業上顕著な効果を奏するものである。
型加工性、耐食性、メッキ性、半田付は性等において、
従来合金よりはるかに優れ、電子機器における半導体リ
ードフレーム、コネクタースイッチ等のばね材として、
信頼性を高め、かつ小型化、高集積化、高機能化を容易
にする等工業上顕著な効果を奏するものである。
Claims (3)
- （１）Ｚｒ０．０３〜０．３ｗｔ％、Ｃｒ０．０５〜０
．５ｗｔ％、Ｚｎ０．０１〜０．５ｗｔ％を含み、Ｍｇ
、Ｃａ、ミツシュメタル（ＭＭ）、Ｂａ、Ｓｒ、Ｂの内
の少なくとも１種以上を０．０００５〜０．０５ｗｔ％
含み、α含有量を０．００３０ｗｔ％以下、Ｐ含有量を
０．００３０ｗｔ％以下、Ｓ含有量を０．００１０ｗｔ
％以下に制限し、残部Ｃｕと不可避的不純物からなる析
出物粒径を１０μｍ以下としたことを特徴とする電子機
器用銅合金。 - （２）Ｚｒ０．０３〜０．３ｗｔ％、Ｃｒ０．０５〜０
．５ｗｔ％、Ｚｎ０．０１〜０．５ｗｔ％を含み、Ｍｇ
、Ｃａ、ミツシュメタル（ＭＭ）、Ｂａ、Ｓｒ、Ｂの内
の少なくとも１種以上を０．０００５〜０．０５ｗｔ％
含み、更にＳｎ０．４ｗｔ％以下を含み、Ｏ＿２含有量
を０．００３０ｗｔ％以下、Ｐ含有量を０．００３０ｗ
ｔ％以下、Ｓ含有量を０．００１０ｗｔ％以下に制限し
、残部Ｃｕと不可避的不純物からなる析出物粒径を１０
μｍ以下としたことを特徴とする電子機器用銅合金。 - （３）Ｚｒ０．０３〜０．３ｗｔ％、Ｃｒ０．０５〜０
．５ｗｔ％、Ｚｎ０．０１〜０．５ｗｔ％を含み、Ｍｇ
、Ｃａ、ミツシュメタル（ＭＭ）、Ｂａ、Ｓｒ、Ｂの内
少なくとも１種以上を０．０００５〜０．０５ｗｔ％含
み、又はこれにＳｎ０．４ｗｔ％以下を含み、Ｏ＿２含
有量を０．００３０ｗｔ％以下、Ｐ含有量を０．００３
０ｗｔ％以下、Ｓ含有量を０．００１０ｗｔ％以下に制
限し、残部Ｃｕと不可避的不純物からなる合金鋳塊を、
８４０〜９５０℃に加熱して熱間加工した後急冷し、し
かる後３５０〜８５０℃で５秒〜１２時間の熱処理を少
なくとも１回以上含む冷間加工を施して、析出物粒径を
１０μｍ以下とすることを特徴とする電子機器用銅合金
の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23873286A JPS6393837A (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 電子機器用銅合金とその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23873286A JPS6393837A (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 電子機器用銅合金とその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6393837A true JPS6393837A (ja) | 1988-04-25 |
Family
ID=17034434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23873286A Pending JPS6393837A (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 電子機器用銅合金とその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6393837A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63149344A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-22 | Nippon Mining Co Ltd | 高力高導電性銅合金 |
| JPH02170932A (ja) * | 1988-12-24 | 1990-07-02 | Nippon Mining Co Ltd | ダイレクトボンディング性の良好な銅合金 |
| JP2007100136A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Nikko Kinzoku Kk | 均一めっき性に優れたリードフレーム用銅合金 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60194031A (ja) * | 1984-03-15 | 1985-10-02 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
| JPS60245750A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-05 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
-
1986
- 1986-10-07 JP JP23873286A patent/JPS6393837A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60194031A (ja) * | 1984-03-15 | 1985-10-02 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
| JPS60245750A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-05 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63149344A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-22 | Nippon Mining Co Ltd | 高力高導電性銅合金 |
| JPH02170932A (ja) * | 1988-12-24 | 1990-07-02 | Nippon Mining Co Ltd | ダイレクトボンディング性の良好な銅合金 |
| JP2007100136A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Nikko Kinzoku Kk | 均一めっき性に優れたリードフレーム用銅合金 |
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